TWM633776U - 保護元件 - Google Patents
保護元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWM633776U TWM633776U TW111207314U TW111207314U TWM633776U TW M633776 U TWM633776 U TW M633776U TW 111207314 U TW111207314 U TW 111207314U TW 111207314 U TW111207314 U TW 111207314U TW M633776 U TWM633776 U TW M633776U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- heating element
- solder resist
- insulating layer
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本新型之一實施例係關於一種保護元件,包括基板、設置於該基板上的第一電極、設置於該基板上並與該第一電極間隔開的第二電極、及設置於該第一電極與該第二電極之間的發熱體。該保護元件還包括經配置以藉由該發熱體之發熱而熔斷的可熔導體。該保護元件還包括設置於該基板上並與該第一電極及該第二電極間隔開的傳導件。該可熔導體具有連接在該第一電極及該第二電極之間的第一部分及連接在該第一部分與該傳導件之間的第二部分。
Description
本新型係關於一種保護元件,具體而言,係關於藉由發熱體之加熱使可熔導體熔斷而阻斷電流路徑的保護元件。
在電子裝置(例如鋰離子電池或其他二次電池)的保護電路中,可使用具有過電流及過電壓防護功能的保護元件。該保護元件之可熔導體於電流超過額定值時可被熔斷;並且可於電壓超過額定值時,藉由其發熱體之加熱而使該可熔導體熔斷,達到保護電子裝置的效果。
本新型之一實施例係關於一種保護元件,包括基板、設置於該基板上的第一電極、設置於該基板上並與該第一電極間隔開的第二電極、及設置於該第一電極與該第二電極之間的發熱體。該保護元件還包括經配置以藉由該發熱體之發熱而熔斷的可熔導體。該保護元件還包括設置於該基板上並與該第一電極及該第二電極間隔開的傳導件。該可熔導體具有連接在該第一電極及該第二電極之間的第一部分及連接在該第一部分與該傳導件之間的第二部分。
圖1A所示為根據本新型之部分實施例之保護元件1之立體圖。
保護元件1可包括基板10、電極11(或稱為第一電極11)、電極12(或稱為第二電極12)、電極13(或稱為第三電極13)、傳導件131、絕緣層14(或稱為第一絕緣層14)、發熱體(例如圖1B所示之發熱體15)、絕緣層16(或稱為第二絕緣層16)、防焊層17a、防焊層17b、防焊層17c、可熔導體18(包含第一部分18a及第二部分18b)及蓋體19。在一些實施例中,發熱體可被包圍在絕緣層14及絕緣層16之間。
在一些實施例中,可熔導體18可具有多邊形。例如,可熔導體18可具有四個、五個、六個、七個、八個或更多個邊。
可熔導體18可具有第一部分18a與第二部分18b。第一部分18a可連接在電極11與電極12之間,而第二部分18b可連接在第一部分18a與傳導件131之間。例如,第一部分18a可接觸電極11與電極12。例如,第二部分18b可從第一部分18a的一邊緣凸出而向傳導件131延伸並接觸傳導件131。
在一些實施例中,在一方向(例如在X軸方向上),可熔導體18的第一部分18a上具有寬度18aw,且可熔導體18的第二部分18b具有寬度18bw。在一些實施例中,寬度18aw與寬度18bw可不相等。例如,寬度18aw可大於寬度18bw。例如,寬度18bw可小於寬度18aw。
在一些實施例中,第一部分18a與第二部分18b可彼此相連接。例如,可熔導體18可一體成型,且第一部分18a與第二部分18b之間可沒有邊界。
在一些實施例中,第一部分18a與第二部分18b可具有矩形的形狀。例如,第一部分18a的四個內角可為直角。例如,第二部分18b的四個內角可為直角,其中兩個內角與第一部分18a的一邊緣相連。
在一些實施例中,可熔導體18可具有內凹角。在一些實施例中,可熔導體18的內凹角可為直角。例如,第二部分18b從第一部分18a的一邊緣凸出,而第二部分18b的一邊緣與第一部分18a的該邊緣界定內凹角。
保護元件1可應用在電子裝置(例如鋰離子電池或其他二次電池)的保護電路中。電極11及電極12可設置於基板10的相對的兩端或兩側。電極11及電極12可透過可熔導體18的第一部分18a電連接。可熔導體18可透過電極11及電極12與外部電路(例如保護電路)之電路基板電連接,構成外部電路之通電路徑的一部分。當超過額定值的電流流經可熔導體18時,可熔導體18因電流產生的熱量(亦即焦耳熱)而熔斷。
電極13及傳導件131可設置於基板10的相對的兩端或兩側。電極13可將發熱體與外部電路之電路基板電連接,傳導件131可將發熱體與可熔導體18的第二部分18b電連接。當電壓超過額定值時(例如當鋰離子電池過度充電時),藉由發熱體之加熱可使可熔導體18熔斷,達到保護電子裝置的效果。
圖1B所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之俯視圖。在一些實施例中,圖1B為圖1A之保護元件1之俯視圖。為簡潔之緣故,圖1B中僅描繪基板10、電極11、電極12、電極13、傳導件131、絕緣層14及發熱體15。
參照圖1B,基板10可包括絕緣基板,例如陶瓷基板、玻璃基板、樹脂基板、絕緣處理金屬基板等。在一些實施例中,基板10可包括(但不限於)硼矽酸鹽玻璃(borophosphosilicate glass,BPSG)、經摻雜矽酸鹽玻璃(undoped silicate glass,USG)、矽(silicon)、氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化鋁(aluminum oxide)、氮化鋁(aluminum nitride)、聚醯亞胺(Polyimide,PI)、ABF基材(Ajinomoto build-up film,ABF)、模塑膠(molding compounds)、預浸漬複合纖維(pre-impregnated composite fibers)(例如,預浸材料)、及其中之組合、或其他類似物。模塑膠的實例可包括(但不限於)環氧樹脂(epoxy resin)(包含分散其中的填料(fillers))。預浸材料的實例可包括(但不限於)通過堆疊或層壓(laminating)多個預浸漬材料及/或片料(sheets)所形成的多層結構。在一些實施例中,基板10可包括(但不限於)電路板(如FR4)。基板10可包括表面103。在一些實施例中,表面103可包括保護元件1之側面、側邊、周圍或邊界。
在一些實施例中,基板10可包括通孔10v1(或稱為第一通孔10v1)、通孔10v2(或稱為第二通孔10v2)及通孔10v3(或稱為第三通孔10v3)。從俯視圖觀看時,通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別位在電極11、電極12及電極13的下方而被遮蔽,故以虛線表示。在一些實施例中,傳導件131下方可不包括通孔。
在一些實施例中,通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別與表面103間隔開。通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別位在基板10的表面103以內。通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別位在基板10的邊界內。例如,通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別未從基板10的表面103曝露出來。
在一些實施例中,通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別與電極11、電極12及電極13電連接。在一些實施例中,通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別將電極11、電極12及電極13電連接至一外部端子(例如圖1D所示之外部端子11b、外部端子12b及圖1E所示之外部端子13b)。
在一些實施例中,通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別包括(但不限於)銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)、錫(Sn)、或其他金屬或合金。例如,在一些實施例中,合金可包括鎳鉻合金(如鎳鉻鋁、鎳鉻矽)、鎳銅合金(如鎳銅錳)等。在一些實施例中,電極11及電極12可分別連接兩個通孔,而電極13可連接一個通孔。在一些實施例中,通孔的大小、數量及位置可依保護元件1之額定電流大小而調整。例如,電極11及電極12可分別連接三個或更多個通孔。例如,電極13可連接兩個或更多個通孔。
如圖1B所示,電極11、電極12、電極13及傳導件131可分別靠近基板10的一個側邊或側面。例如電極12靠近基板10的左側,電極13靠近基板10的下側,電極11靠近基板10的右側,傳導件131靠近基板10的上側。
傳導件131可具有延伸部131e(或稱為第一延伸部131e)。延伸部131e可朝電極13的方向(例如朝圖1B中之Y軸反方向)延伸。
延伸部131e可具有一部分位於絕緣層14及發熱體15之間。例如,延伸部131e可具有一部分接觸(例如直接接觸)絕緣層14及發熱體15。例如,延伸部131e可具有一部分延伸至發熱體15下方並具有一端部從發熱體15曝露出來。在一些實施例中,延伸部131e位於發熱體15下方的部分的寬度可不變或一致。例如,延伸部131e位於發熱體15下方的部分可為一矩形。延伸部131e的延伸方向可包括矩形的長邊。
電極13可具有延伸部13e(或稱為第二延伸部13e)。延伸部13e可從電極13朝傳導件131的方向(例如朝圖1B中之Y軸方向)延伸。
延伸部13e可具有一部分位於絕緣層14及發熱體15之間。例如,延伸部13e可具有一部分接觸(例如直接接觸)絕緣層14及發熱體15。例如,延伸部13e可具有一部分延伸至發熱體15下方並具有一端部從發熱體15曝露出來。在一些實施例中,延伸部13e位於發熱體15下方的部分的寬度可不變或一致。例如,延伸部13e位於發熱體15下方的部分可為一矩形。延伸部13e的延伸方向可包括矩形的長邊。
在一些實施例中,延伸部131e與延伸部13e可朝反方向延伸。在一些實施例中,延伸部131e與延伸部13e可位在發熱體15的相對的兩端或兩側。在一些實施例中,延伸部131e與延伸部13e可不具有從發熱體15曝露出來的一端。例如,延伸部131e與延伸部13e可延伸至發熱體15下方並且具有邊緣被發熱體15覆蓋或與發熱體15切齊。在一些實施例中,延伸部131e與延伸部13e可經配置以將發熱體15加熱。在一些實施例中,電極13可透過延伸部13e將發熱體15加熱。在一些實施例中,電極11與電極12可透過可熔導體18的第二部分18b(請參照圖1A)及傳導件131的延伸部131e將發熱體15加熱。
在一些實施例中,電極11、電極12、電極13及傳導件131可分別包括(但不限於)銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)、錫(Sn)、或其他金屬或合金。在一些實施例中,例如在圖2J所示之製程步驟中,電極11、電極12、電極13及傳導件131上可塗佈有鎳/金(Ni/Au)、鎳/鉛/金(Ni/Pb/Au)、或鎳/鉛(Ni/Pb)等塗佈膜,以防止電極氧化,並避免額定電流值或額定電壓值因電極氧化而產生變動。如圖2J所示,延伸部131e與延伸部13e被絕緣層16覆蓋的部分未塗佈有塗佈膜。
電極11及電極12在X軸方向上彼此隔開一距離。在一些實施例中,圖1A之可熔導體18的寬度18aw可大於電極11及電極12之間的距離。可熔導體18的第二部分18b的寬度18bw可小於電極11及電極12之間的距離。
繼續參照圖1B,絕緣層14可位在基板10上方,並位在基板10與發熱體15之間。延伸部131e之一部分與延伸部13e之一部分可延伸至絕緣層14上方。
在一些實施例中,絕緣層14可包括(但不限於)環氧樹脂(包含分散其中的填料)、膜塑料、矽、或其他可適用於陶瓷、玻璃、樹脂等基板材料的材料。在一些實施例中,絕緣層14可具有耐熱性,例如可耐受可熔導體18熔斷時之熱。在一些實施例中,絕緣層14可將發熱體15與基板10隔開。在一些實施例中,絕緣層14可將電極11、電極12及電極13隔開,以避免發生微短路現象,並提高裝置穩定性。在一些實施例中,絕緣層14可阻隔或減少熱經由基板10逸散,確保電壓超過額定值時,發熱體15可被加熱而使可熔導體18即時熔斷,以保護電路,降低電子裝置的損害風險。
發熱體15可位於絕緣層14的上方。發熱體15可接觸(例如直接接觸)絕緣層14。發熱體15可覆蓋延伸部131e的一部分與延伸部13e的一部分。發熱體15可包括可經通電而發熱的材料。在一些實施例中,發熱體15可包括(但不限於)鎢(W)、鉬(Mo)、釕(Ru)、鉻(Cr)、銀(Ag)、氧化釕(RuO或RuO
2) 或其他金屬、合金或金屬氧化物。
圖1C所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之等效電路圖。在一些實施例中,圖1C為圖1A之保護元件1之等效電路圖。為簡潔之緣故,圖1B中僅描繪出電極11、電極12、電極13及可熔導體18。
參照圖1B及圖1C,電極11、電極12、電極13分別具有與外部電路之電路基板電連接的端子或端點。由於傳導件131下方可不包括通孔,因此傳導件131可不與外部電路之電路基板直接地電連接。
電極13可透過延伸部13e、發熱體15、延伸部131e、傳導件131與可熔導體18電連接。電極13與可熔導體18之間可形成發熱體電阻,當電壓超過額定值時,可熔導體18可被發熱體電阻加熱而熔斷。
圖1D及圖1E所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之側視圖。在一些實施例中,圖1D及圖1E分別為圖1A之保護元件1沿切線AA’及切線BB’切割的剖面圖。
參照圖1D及圖1E,基板10具有表面101、與表面101相對的表面102、及延伸於表面101及表面102之間的表面103。在一些實施例中,通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別貫穿基板10。通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別延伸於表面101及表面102之間。通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3可分別從表面101及表面102曝露出來。
電極11、電極12及電極13可設置於或位於基板10的表面101上。電極11可透過通孔10v1電連接至外部端子11b(或稱為第一外部端子11b)。電極12可透過通孔10v2電連接至外部端子12b(或稱為第二外部端子12b)。電極13可透過通孔10v3電連接至外部端子13b(或稱為第三外部端子13b)。外部端子11b、外部端子12b及外部端子13b可位於基板10的表面102上。外部端子11b、外部端子12b及外部端子13b可做為與外部電路之電路基板電連接的端子或端點。
絕緣層14可設置於或位於基板10的表面101上。絕緣層14可位於電極11及電極12之間。絕緣層14可具有相對的兩端分別被電極11及電極12覆蓋。延伸部131e與延伸部13e可設置於或位於絕緣層14上。延伸部131e與延伸部13e可被發熱體15覆蓋並與發熱體15接觸。
在一些實施例中,延伸部131e可具有一側面與發熱體15的側面共面(coplanar)。延伸部131e的側面可與絕緣層16接觸或被絕緣層16覆蓋。在一些實施例中,延伸部131e可具有一底面與發熱體15的底面共面。延伸部131e的底面與發熱體15的底面可接觸絕緣層14的頂面。
在一些實施例中,延伸部13e可具有一側面與發熱體15的側面共面。延伸部13e的側面可與絕緣層16接觸或被絕緣層16覆蓋。在一些實施例中,延伸部13e可具有一底面與發熱體15的底面共面。延伸部13e的底面與發熱體15的底面可接觸絕緣層14的頂面。
絕緣層16可設置於或位於絕緣層14上並覆蓋發熱體15。例如,發熱體15可被包圍在絕緣層14與絕緣層16內。在一些實施例中,絕緣層16可將發熱體15與可熔導體18隔開。在一些實施例中,絕緣層16可接觸或覆蓋電極11的一邊緣及電極12的一邊緣。在一些實施例中,絕緣層16可包括(但不限於)上述針對絕緣層14所列舉的材料,在此不再贅述。
可熔導體18之第一部分18a可連接在電極11及電極12之間。在一些實施例中,可熔導體18之第一部分18a與電極11的接觸面積大致上等於可熔導體18之第一部分18a與電極12的接觸面積。
在一些實施例中,如圖1D所示,在Z軸方向(或垂直於基板10的表面101的方向)上,發熱體15可具有一部分位於可熔導體18之第一部分18a與延伸部131e之間。發熱體15可具有一部分位於可熔導體18之第一部分18a與延伸部13e之間。
在一些實施例中,如圖1D所示,在Z軸方向(或垂直於基板10的表面101的方向)上,發熱體15與可熔導體18之第一部分18a之間可不包含其他的傳導層或傳導件。
在一些實施例中,可熔導體18之第一部分18a與第二部分18b可包括(但不限於)銅(Cu)、錫(Sn)、鉍(Bi)、銀(Ag)、或其他金屬或合金。在一些實施例中,可熔導體18可經配置以藉由發熱體15之發熱而熔斷。在一些實施例中,可熔導體18可包括複數個金屬層,例如可包括一層銅金屬層及一層錫金屬層。在一些實施例中,可熔導體18可包括單一金屬層或單一金屬塊。在一些實施例中,可熔導體18可包括單一合金層或單一合金塊。在一些實施例中,可熔導體18可包括單一熔點金屬層或單一熔點金屬塊。在一些實施例中,可熔導體18中銅的重量百分比可為50%、60%、70%、80%、90%或更高。在一些實施例中,可熔導體18可包括純銅。例如,可熔導體18之第一部分18a的銅可直接接觸電極11與電極12。例如,可熔導體18之第二部分18b的銅可直接接觸傳導件131。
在一些實施例中,如圖1D所示,防焊層17a及防焊層17b可設置於或位於絕緣層16與可熔導體18之第一部分18a之間。防焊層17a及防焊層17b可設置於或位於可熔導體18之第一部分18a下方。防焊層17a及防焊層17b可接觸(例如直接接觸)可熔導體18之第一部分18a。防焊層17a及防焊層17b可被可熔導體18之第一部分18a覆蓋。防焊層17a可設置成鄰近電極11。防焊層17b可設置成鄰近電極12。在一些實施例中,如圖1D所示,在Z軸方向(或垂直於基板10的表面101的方向)上,防焊層17a與延伸部13e可不重疊。然而在其他實施例中,防焊層17a與延伸部13e可至少部分重疊。
在一些實施例中,如圖1E所示,防焊層17a及防焊層17c可彼此相連且兩者之間可沒有邊界。沿切線BB’切割的剖面圖應不會看到防焊層17a,但若防焊層17a在X軸方向上較寬,亦有可能會看到如圖1E所示之結構。
如圖1A所示,防焊層17c可與防焊層17a的一端相連。防焊層17c可與防焊層17b的一端相連。在一些實施例中,防焊層17a、防焊層17b及防焊層17c可具有矩形的形狀。例如,防焊層17a、防焊層17b及防焊層17c可分別具有四個呈直角的內角。
在一些實施例中,防焊層17a及防焊層17b的長邊方向與防焊層17c的長邊方向大致上垂直。例如,防焊層17a及防焊層17b在Y軸方向上延伸,防焊層17c在X軸方向上延伸。
在一些實施例中,防焊層17a及防焊層17b可延伸超過可熔導體18的第一部分18a。例如,防焊層17a的兩端可從可熔導體18的第一部分18a的相對的兩邊曝露出來。例如,防焊層17b的兩端可從可熔導體18的第一部分18a的相對的兩邊曝露出來。
在一些實施例中,防焊層17c可延伸超過可熔導體18的第二部分18b。例如,防焊層17c的兩端可從可熔導體18的第二部分18b的相對的兩邊曝露出來。
在一些實施例中,防焊層17a、防焊層17b及防焊層17c可經配置以將熔融的可熔導體18分段或分離,確實地遮斷電路,而使可熔導體18的熔斷特性更為穩定。例如,防焊層17a、防焊層17b及防焊層17c可將可熔導體18分成四段。在其他實施例中,可僅具有一個防焊層,例如僅具有防焊層17a、防焊層17b或防焊層17c,可將可熔導體18分成兩段。在其他實施例中,可僅具有一個防焊層鄰近於電極11、鄰近於電極12、或與電極11及電極12大致上等距離。在其他實施例中,可僅具有一個防焊層,其中心線可與可熔導體18的中心線大致上對齊。在其他實施例中,可僅具有一個防焊層鄰近於傳導件131。
在一些實施例中,由於可熔導體18可具有單一熔點,防焊層17a、防焊層17b及防焊層17c可同時將可熔導體18分成四段。例如,電極11、電極12與傳導件131可同時與可熔導體18形成斷路。
在一些實施例中,防焊層17a、防焊層17b及防焊層17c可分別包括(但不限於)環氧樹脂(epoxy)、胺甲酸乙酯(urethane)、丙烯酸(acrylic)、有機與無機填料、光引發劑(photoinitiator)等材料。
蓋部19可設置於或位於基板10的表面101上。在一些實施例中,從圖1D及圖1E之側視圖觀看時,蓋部19的中間部位可較其周圍部位薄。在一些實施例中,從圖1D及圖1E之側視圖觀看時,蓋部19的中間部位可具有大致上平坦的內側表面。在一些實施例中,從圖1D及圖1E之側視圖觀看時,蓋部19可具有大致上平坦的上表面。
圖2A至圖2M所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之製造方法。根據本新型之部分實施例,圖2A至圖2M所揭露之製造方法可用以製造如圖1A所示之保護元件1。
參照圖2A,提供基板10。基板10具有表面101及與表面101相對的表面102。在一些實施例中,可以雷射切割的方式在基板10中形成切割道(未圖示)。在一些實施例中,切割道之深度可占基板10之厚度約20%至約60%的比例。
參照圖2B,於基板10中形成鑽孔10h。在一些實施例中,鑽孔10h可藉由雷射鑽孔或其他可行的方式而形成。可依裝置規格(例如額定電流大小)或製程要求而設計鑽孔10h的大小、數量及位置。
參照圖2C,形成通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3。在一些實施例中,可在鑽孔10h中透過濺射、無電電鍍(electroless plating)、電鍍(plating)、印刷(printing)、黃光微影(photolithography)或其他可行的方式形成導電材料。
參照圖2D,表面102朝上,在基板10之表面102上形成外部端子11b、外部端子12b及外部端子13b。在一些實施例中,外部端子11b、外部端子12b及外部端子13b可藉由濺射、無電電鍍、電鍍、印刷、黃光微影或其他可行的方式而形成。外部端子11b、外部端子12b及外部端子13b的位置係對應於通孔10v1、通孔10v2及通孔10v3的位置。
參照圖2E,表面101朝上,在基板10的表面101上形成絕緣層14。在一些實施例中,絕緣層14可透過塗佈(coating)、層壓(lamination) 或其他可行的方式而形成。
參照圖2F,在基板10的表面101及絕緣層14上形成電極11、電極12、電極13及傳導件131。在一些實施例中,電極11、電極12、電極13及傳導件131可藉由濺射、無電電鍍、電鍍、印刷、黃光微影或其他可行的方式而形成。傳導件131可具有延伸部131e且電極13可具有延伸部13e。在其他實施例中,可在基板10的表面101及絕緣層14上保型地(comformally)形成傳導層,再經由雷射蝕刻、乾式蝕刻(dry etching)、離子撞擊(ion bumping)、或其他可行的方式移除部分的傳導層或圖案化傳導層。
參照圖2G,在絕緣層14、延伸部131e及延伸部13e上形成發熱體15。在一些實施例中,發熱體15可透過電鍍、蒸鍍、濺鍍而形成。在一些實施例中,發熱體15可經由將金屬(例如釕(Ru))之粉末與黏合劑(例如樹脂)混合,並透過網版印形成圖案後燒結而成。在其他實施例中,發熱體15可透過貼附金屬薄膜而形成。
參照圖2H,在發熱體15上形成絕緣層16。在一些實施例中,絕緣層16可透過塗佈、層壓或其他可行的方式而形成。
參照圖2I,在絕緣層16上形成防焊層17a、防焊層17b及防焊層17c。在一些實施例中,防焊層17a、防焊層17b及防焊層17c可透過塗佈、印刷、黃光微影或其他可行的方式而形成。
參照圖2J及2K,在電極11、電極12、電極13、傳導件131、外部端子11b、外部端子12b及外部端子13b上形成塗佈膜11p。在一些實施例中,塗佈膜11p可透過塗佈鎳/金(Ni/Au)、鎳/鉛/金(Ni/Pb/Au)、或鎳/鉛(Ni/Pb)等金屬而形成。延伸部131e與延伸部13e被絕緣層16覆蓋的部分未塗佈有塗佈膜11p。
參照圖2L,在電極11、電極12及傳導件131上形成可熔導體18。可熔導體18可接觸(例如直接接觸)電極11、電極12及傳導件131。在一些實施例中,可熔導體18可藉由濺射、無電電鍍、電鍍、印刷、黃光微影或其他可行的方式而形成。在其他實施例中,可熔導體18可透過貼附金屬片或薄膜(例如銅合金屬片或純銅金屬片)而形成。
參照圖2M,形成蓋體19。在一些實施例中,可將基板10沿著經由雷射劃線而形成的切割道而分離成複數個獨立的元件,以露出基板10之側表面(例如圖1A所示之表面103)。在一些實施例中,透過圖2A至圖2M所示方法而形成的過電流保護裝置可與圖1A所示之保護元件1相同。
將瞭解,本文討論之方法及裝置之實施例在應用中不限於在下列描述中提出或在隨附圖式中繪示之組件之構造及配置之細節。方法及裝置能夠實現於其他實施例中且可以各種方式實踐或執行。特定實施方案之實例在本文中僅用於繪示之目的而提供且不意在限制。特定言之,結合任何一或多項實施例討論之動作、元件及特徵不意在從任何其他實施例中之一類似角色排除。
而且,在本文中使用之措辭及術語出於描述之目的且不應視為限制。對以單數形式指涉之本文之系統及方法之實施例或元件或動作之任何參考亦可包括包含複數個此等元件之實施例,且以複數形式對本文之任何實施例或元件或動作之任何參考亦可包括僅包含一單一元件之實施例。單數形式或複數形式之參考不意在限制當前所揭示之系統或方法、其等組件、動作或元件。本文中「包含」、「包括」、「具有」、「含有」、「涉及」及其等之變形之使用意欲涵蓋在其後列出之項目及其等之等效物以及額外項目。對「或」之參考可視為包含性的使得使用「或」之任何項可指示所描述之項之一單一、一個以上及所有之任一者。對前部及後部、左側及右側、頂部及底部、上部及下部及垂直及水平之任何參考意在為方便描述,而不將本系統及方法或其等組件限於任何一個位置或空間定向。
因此,在已描述至少一項實施例之若干態樣之情況下,應瞭解,熟習此項技術者容易想到各種更改、修改及改良。此等更改、修改及改良意在係本新型之部分且意在處於本新型之範疇內。因此,以上描述及圖式僅係藉由實例,且應從隨附申請專利範圍及其等之等效物之正確建構來判定本新型之範疇。
1:保護元件
10:基板
10v1:通孔/第一通孔
10v2:通孔/第二通孔
10v3:通孔/第三通孔
11:電極/第一電極
11b:外部端子/第一外部端子
11p:塗佈膜
12:電極/第二電極
12b:外部端子/第二外部端子
13:電極/第三電極
13b:外部端子/第三外部端子
13e:延伸部/第二延伸部
14:絕緣層/第一絕緣層
15:發熱體
16:絕緣層/第二絕緣層
17a:防焊層
17b:防焊層
17c:防焊層
18:可熔導體
18a:第一部分
18aw:寬度
18b:第二部分
18bw:寬度
19:蓋體
101:表面
102:表面
103:表面
131:傳導件
131e:延伸部/第一延伸部
AA’:切線
BB’:切線
X:軸
Y:軸
Z:軸
在下文中參考隨附圖式討論至少一項實施例之各種態樣,該等圖式並不意在按比例繪製。在圖、實施方式或任何請求項中之技術特徵伴隨元件符號之處,已出於增大圖、實施方式或申請專利範圍中之可理解性之唯一目的而包含該等元件符號。因此,元件符號之存在與否皆不意在具有對任何申請專利範圍元素之範疇之限制效應。在圖中,在各種圖中繪示之各相同或幾乎相同之組件藉由一相同數字表示。為清晰起見,並非每一組件皆在每一圖中標記。該等圖出於繪示及解釋之目的提供且不視為本新型之限制之一定義。在圖中:
圖1A所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之立體圖;
圖1B所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之俯視圖;
圖1C所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之等效電路圖;
圖1D所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之側視圖;
圖1E所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之側視圖;
圖2A至圖2M所示為根據本新型之部分實施例之保護元件之製造方法。
1:保護元件
10:基板
11:電極/第一電極
12:電極/第二電極
13:電極/第三電極
14:絕緣層/第一絕緣層
16:絕緣層/第二絕緣層
17a:防焊層
17b:防焊層
17c:防焊層
18:可熔導體
18a:第一部分
18aw:寬度
18b:第二部分
18bw:寬度
19:蓋體
131:傳導件
AA’:切線
BB’:切線
X:軸
Y:軸
Z:軸
Claims (10)
- 一種保護元件,包含: 一基板; 一第一電極,其設置於該基板上; 一第二電極,其設置於該基板上並與該第一電極間隔開; 一發熱體,其設置於該第一電極與該第二電極之間; 一可熔導體,其經配置以藉由該發熱體之發熱而熔斷;及 一傳導件,其設置於該基板上並與該第一電極及該第二電極間隔開; 其中該可熔導體具有連接在該第一電極及該第二電極之間的一第一部分及連接在該第一部分與該傳導件之間的一第二部分。
- 如請求項1所述之保護元件,其中該傳導件具有一第一延伸部,其中該第傳導件的該第一延伸部具有至少一部分位於該發熱體與該基板之間並接觸該發熱體。
- 如請求項2所述之保護元件,更包括: 一第三電極,其設置於該基板上並具有一第二延伸部,其中該第三電極的該第二延伸部具有至少一部分位於該發熱體與該基板之間並接觸該發熱體。
- 如請求項2所述之保護元件,其中該第一延伸部具有一側面與該發熱體之一側面共平面。
- 如請求項1所述之保護元件,其中該第一部分之一寬度大於該第二部分之一寬度。
- 如請求項1所述之保護元件,其中該第一電極經由貫穿該基板之一第一通孔連接到一第一外部端子,且該第二電極經由貫穿該基板之一第二通孔連接到一第二外部端子。
- 如請求項1所述之保護元件,更包括: 一第一絕緣層,其設置於該發熱體與該基板之間並將該發熱體與該基板隔開;及 一第二絕緣層,其設置於該發熱體與該可熔導體之間並將該發熱體與該可熔導體隔開。
- 如請求項7所述之保護元件,其中該第一電極具有一邊緣位於該第一絕緣層與該第二絕緣層之間。
- 如請求項7所述之保護元件,更包括: 一防焊層,其設置於該第二絕緣層與該可熔導體之間並接觸該可熔導體。
- 如請求項1所述之保護元件,其中該第一電極與該第二電極經配置以透過該傳導件將該發熱體加熱。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111207314U TWM633776U (zh) | 2022-07-08 | 2022-07-08 | 保護元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111207314U TWM633776U (zh) | 2022-07-08 | 2022-07-08 | 保護元件 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM633776U true TWM633776U (zh) | 2022-11-01 |
Family
ID=85784222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111207314U TWM633776U (zh) | 2022-07-08 | 2022-07-08 | 保護元件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWM633776U (zh) |
-
2022
- 2022-07-08 TW TW111207314U patent/TWM633776U/zh unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6566995B2 (en) | Protective element | |
TWI697023B (zh) | 熔絲單元、熔絲元件及發熱體內設熔絲元件 | |
TWI670742B (zh) | 電流熔絲 | |
TWI274363B (en) | Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method | |
JP6437253B2 (ja) | 保護素子及び実装体 | |
US20100245024A1 (en) | Protective element | |
JP6437262B2 (ja) | 実装体の製造方法、温度ヒューズ素子の実装方法及び温度ヒューズ素子 | |
CN105453211A (zh) | 保护元件及电池组 | |
CN109643624B (zh) | 熔丝单元、熔丝元件、保护元件 | |
CN109074988B (zh) | 保护元件 | |
JP7393898B2 (ja) | 保護素子 | |
KR102102840B1 (ko) | 보호 소자 | |
WO2021039426A1 (ja) | ヒューズエレメント、ヒューズ素子および保護素子 | |
JP6801974B2 (ja) | 保護素子 | |
TWI441200B (zh) | 表面黏著型過電流保護元件 | |
TWI836504B (zh) | 保護元件及其製造方法 | |
TWM633776U (zh) | 保護元件 | |
TWI842008B (zh) | 保護元件及其製造方法 | |
TWM635306U (zh) | 保護元件 | |
TW202404441A (zh) | 保護元件及其製造方法 | |
TW202403810A (zh) | 保護元件及其製造方法 | |
US7205878B2 (en) | Over-current protection device and manufacturing method thereof | |
JP6878728B2 (ja) | チップ抵抗素子及びチップ抵抗素子アセンブリー | |
US6963476B2 (en) | Method for manufacturing resettable fuses and the resettable fuse | |
TW202414484A (zh) | 保護元件 |