TWM623658U - 具點反轉的液晶顯示裝置 - Google Patents
具點反轉的液晶顯示裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWM623658U TWM623658U TW110211762U TW110211762U TWM623658U TW M623658 U TWM623658 U TW M623658U TW 110211762 U TW110211762 U TW 110211762U TW 110211762 U TW110211762 U TW 110211762U TW M623658 U TWM623658 U TW M623658U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sub
- pixels
- thin film
- same
- film transistors
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
本申請公開一種具點反轉的液晶顯示裝置,包括M條資料線、2N×M個子畫素與8N條閘極線,M與N為正整數。每一個子畫素包括在不同區域依序設置的第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體及第一與第二電容,第一與第二薄膜電晶體的汲極分別連接一端連接有交流共同電壓的第一與第二電容。同一行相鄰的子畫素的結構相同,同一列相鄰的子畫素的結構呈翻轉配置,同一行的子畫素的第一與第二薄膜電晶體的源極連接同一資料線。8N條閘極線分別連接同一列奇數行與偶數行的子畫素的第一薄膜電晶體的閘極與同一列奇數行與偶數行的子畫素的第二薄膜電晶體的閘極。
Description
本申請涉及一種液晶顯示裝置,且特別是有關於一種具點反轉的液晶顯示裝置。
現有驅動液晶顯示裝置的方法包括:交流共同電壓(AC-Vcom)驅動模式和直流共同電壓(DC-Vcom)驅動模式。在直流共同電壓驅動模式中,共同電壓(Vcom)的大小是保持固定不變的,僅透過變動資料驅動信號的大小,例如:共同電壓的大小為5伏特(Voltage,V)與資料驅動信號的大小為10V或0V,達成顯示電極的電壓夾差(即5V)與正負極性。在交流共同電壓驅動模式中,共同電壓與資料驅動信號的大小皆是變動的,例如:共同電壓的大小為0V時資料驅動信號的大小為5V或者共同電壓的大小為5V時資料驅動信號的大小為0V,透過兩者變動的電壓可達成顯示電極的電壓夾差(即5V)與正負極性。
由上述可知,直流共同電壓驅動模式所需的資料驅動信號的大小較大,代表功耗也較大,且對應的積體電路(Integrated Circuit,IC)設計也會較複雜,因此,交流共同電壓驅動模式具有較佳的應用優勢。
但是,在正負極性驅動下,直流共同電壓驅動模式可實現較為全面的反轉驅動,尤其可實現在顯示上具有較佳的穩定性的點反轉(Dot inversion),而交流共同電壓驅動模式因其驅動架構限制的關係,僅能實現圖框反轉(frame inversion)與列反轉(row inversion),使得基於交流共同電壓驅動模式的反射式、微反射式或半穿透半反射式的顯示面板在面對極低刷新頻率時,容易被人眼察覺明顯的掃描紋。
有鑑於此,業界提出在基於交流共同電壓驅動模式的液晶顯示裝置的畫素結構中設置黑色矩陣,以避免光線在畫素與畫素之間的間隙中產生反射所造成的液晶擾動。然而,黑色矩陣的設置會使得顯示面板的反射率大幅降低,導致顯示的亮度下降的問題。
因此,如何提供一種基於交流共同電壓驅動模式的液晶顯示裝置,可直接透過在顯示面板的佈局設計實現點反轉,排除目視反射掃描紋的問題,乃是目前業界亟待解決的問題。
本申請的主要目的在於提供一種具點反轉的液晶顯示裝置,解決現有技術中存在基於交流共同電壓驅動模式的液晶顯示裝置很難直接透過在顯示面板的佈局設計實現點反轉的問題。
為了實現上述目的,本申請是這樣實現的:
本申請提供了一種具點反轉的液晶顯示裝置,其包括:M條資料線、排列成M行與2N列的複數個子畫素以及8N條閘極線,M與N為正整數。每一個子畫素包括:設置在第一區域的第一薄膜電晶體、設置在第二區域的第二薄膜電晶體以及設置在第三區域的第一電容與第二電容。在每一個子畫素中,第二區域設置於第一區域與第三區域之間,第一薄膜電晶體的源極電性連接第二薄膜電晶體的源極,第一薄膜電晶體的汲極電性連接第一電容的一端,第一電容的另一端電性連接交流共同電壓,第二薄膜電晶體的汲極電性連接第二電容的一端,第二電容的另一端電性連接交流共同電壓。其中,位於同一行的相鄰子畫素的排布結構相同,位於同一列的任一子畫素沿行方向翻轉180度後的排布結構與其相鄰的子畫素的排布結構相同,位於同一行的子畫素的第一薄膜電晶體的源極與第二薄膜電晶體的源極連接同一資料線。8N條閘極線用以分別連接位於同一列奇數行的子畫素的第一薄膜電晶體的閘極、位於同一列偶數行的子畫素的第一薄膜電晶體的閘極、位於同一列奇數行的子畫素的第二薄膜電晶體的閘極與位於同一列偶數行的子畫素的第二薄膜電晶體的閘極。
在本申請中,具點反轉的液晶顯示裝置通過二切三子畫素的配置佈局設計(即每一個子畫素包括設置在第一區域的第一薄膜電晶體、設置在第二區域的第二薄膜電晶體以及設置在第三區域的第一電容與第二電容),同一行相鄰的子畫素的排布結構相同,以及同一列相鄰的子畫素的排布結構呈翻轉配置,使得位於同一列奇數行的子畫素的第一薄膜電晶體的閘極、位於同一列偶數行的子畫素的第一薄膜電晶體的閘極、位於同一列奇數行的子畫素的第二薄膜電晶體的閘極與位於同一列偶數行的子畫素的第二薄膜電晶體的閘極能各自連接(即閘極線的走線佈局設計),以在低頻低功耗的交流共同電壓驅動模式下,實現點反轉,可改善低頻驅動造成的目視反射掃描紋問題,且不增加製程道數與光罩數。
以下將配合相關圖式來說明本新型的實施例。在這些圖式中,相同的標號表示相同或類似的組件或方法流程。
必須瞭解的是,使用在本說明書中的「包含」、「包括 」等詞,是用於表示存在特定的技術特徵、數值、元件和/或組件,但並不排除可加上更多的技術特徵、數值、元件、組件,或以上的任意組合。
必須瞭解的是,當組件描述為「連接 」或「耦接 」至另一組件時,可以是直接連結、或耦接至其他組件,可能出現中間組件。相反地,當組件描述為「直接連接 」或「直接耦接 」至另一組件時,其中不存在任何中間組件。
請參閱圖1,其為依據本申請的具點反轉的液晶顯示裝置的一實施例佈局示意圖。如圖1所示,在本實施例中,具點反轉的液晶顯示裝置100包括:M條資料線110、排列成M行與2N列的複數個子畫素120以及8N條閘極線130,M與N為正整數。其中,圖1的具點反轉的液晶顯示裝置100係以其包括8個子畫素120(即2×4陣列,4行2列,M為4,N為1)、4條資料線110與8條閘極線130為例進行說明,實際資料線110與閘極線130的條數、子畫素120的個數及其排列可依據實際需求進行調整。另外,該些子畫素120可為但不限於反射式子畫素,但本實施例並非用以限定本申請;舉例而言,該些子畫素120可包括微反射式子畫素、反射式子畫素、半穿透半反射式子畫素或上述的組合。需注意的是,為了呈現該些子畫素120的排布結構,圖1省略繪製具點反轉的液晶顯示裝置100可包括的基板、有機層、透明導電層與反射層。
此外,4條資料線110、8個子畫素與8條閘極線130設置在基板上。基板可以包括具有可撓性的透光材料,例如:丙烯酸類樹脂(acryl-based resin)、甲基丙烯酸類樹脂(methacryl-based resin)、聚異戊二烯(polyisoprene)、乙烯基類樹脂(polyisoprene)、環氧類樹脂(epoxy-based resin)、胺甲酸酯類樹脂(urethane-based resin)、矽氧烷類樹脂樹脂(siloxane-based resin)、聚醯亞胺類樹脂(polyimide-based resin)或聚醯胺類樹脂(polyamide-based),或者具有剛性的透光材料,例如:玻璃基板或石英基板。
請參閱圖1至圖4,圖2為沿圖1的線段AA’的剖面示意圖,圖3為沿圖1的線段BB’的剖面示意圖,圖4為沿圖1的線段CC’的剖面示意圖,圖5為沿圖1的線段DD’的剖面示意圖,其中,圖2為圖1的具點反轉的液晶顯示裝置100沿圖1的圖面的水平方向的一實施例剖面圖,圖3為圖1的第一區域210沿圖1的圖面垂直方向的一實施例剖面圖,圖4為圖1的第二區域220沿圖1的圖面的垂直方向的一實施例剖面圖,圖5為圖1的第三區域230沿圖1的圖面的水平方向的一實施例剖面圖。每一個子畫素120包括:設置在第一區域210的第一薄膜電晶體50、設置在第二區域220的第二薄膜電晶體60以及設置在第三區域230的第一電容70與第二電容80。在每一個子畫素120中,第二區域220設置於第一區域210與第三區域230之間,第一薄膜電晶體50包括源極S1、汲極D1與閘極G1,第二薄膜電晶體60包括源極S2、汲極D2與閘極G2,第一薄膜電晶體50的源極S1電性連接第二薄膜電晶體60的源極S2,第一薄膜電晶體50的汲極D1電性連接第一電容70的一端,第一電容70的另一端通過電壓線10電性連接交流共同電壓Vcom,第二薄膜電晶體60的汲極D2電性連接第二電容80的一端,第二電容80的另一端通過電壓線10電性連接交流共同電壓Vcom。
在本實施例中,該些子畫素120包括複數個紅色子畫素、複數個綠色子畫素與複數個藍色子畫素,每一個子畫素120為二切三子畫素(即每一個子畫素120包括設置在第一區域210的第一薄膜電晶體50、設置在第二區域220的第二薄膜電晶體60以及設置在第三區域230的第一電容70與第二電容80),用以顯示灰階畫面。
在每一個子畫素120中,閘極G1與閘極G2可以由同一層圖案化導電層所形成,閘極G1與閘極G2的材質可以包括鋁、鉑、銀、鈦、鉬、鋅、錫及/或其組合,但不限於此。源極S1、汲極D1、源極S2、汲極D2、與汲極D1連接的第一電容70的薄板導體71以及與汲極D2連接的第二電容80的薄板導體81可以由同一層圖案化導電層所形成,且其可以包括與閘極G1和閘極G2相同或不同的材質。此外,第一薄膜電晶體50還可包括通道層SE1與閘極絕緣層GI1,第二薄膜電晶體60還可包括通道層SE2與閘極絕緣層GI2;通道層SE1與通道層SE2可以由同一層圖案化半導體所形成,通道層SE1與通道層SE2的材質可以包括矽(例如:非晶矽、多晶矽、單晶矽)、氧化物半導體(例如:氧化銦、氧化鎵、氧化鋅、氧化銦鎵、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵鋅)、有機半導體或是其它半導體材料;第一電容70與第二電容80的介電質DE、閘極絕緣層GI1與閘極絕緣層GI2可以由同一層圖案化導電層所形成,第一電容70與第二電容80的介電質DE、閘極絕緣層GI1與閘極絕緣層GI2的材質可以包括無機材料(例如:氮化矽、氧化矽、氮氧化矽)、有機材料(例如:聚醯亞胺、聚酯、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚乙烯苯酚(poly(4-vinylphenol),PVP)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene,PTFE)),但不限於此。
在一實施例中,具點反轉的液晶顯示裝置100還可包括有機層OL、透明導電層PE與反射層RE,有機層OL設置在第一薄膜電晶體50與第二薄膜電晶體60上且設置有複數個接觸孔90,透明導電層PE設置於有機層OL上且包括彼此間隔排列複數個導電區(即導電區之間具有空隙),反射層RE設置於透明導電層PE上且配置位置與透明導電層PE相同。有機層OL的材質可以包括聚醯亞胺類樹脂、環氧類樹脂或壓克力類樹脂,透明導電層PE的材質可以包括氧化銦錫或者氧化銦鋅,反射層RE的材質可以包括金屬、金屬的氮化物或環氧樹脂。
在一實施例中,該些資料線110與每一個子畫素120的第一薄膜電晶體50的源極S1與汲極D1以及第二薄膜電晶體60的源極S2與汲極D2可以由同一層圖案化導電層所形成,該些閘極線130與每一個子畫素120的第一薄膜電晶體50的閘極G1以及第二薄膜電晶體60的閘極G2可以由同一層圖案化導電層所形成。
在一實施例中,該些第一薄膜電晶體50與該些第二薄膜電晶體60可分別為氧化物薄膜電晶體或多晶矽薄膜電晶體。
在一實施例中,該些第一電容70與該些第二電容80分別為儲存電容。
在本實施例中,位於同一行的相鄰子畫素120的排布結構相同(即圖面中垂直方向相鄰的該些子畫素120的排布結構相同),位於同一列的任一子畫素120沿行方向翻轉180度後的排布結構與其相鄰的子畫素120的排布結構相同(即同一列的該些子畫素120中,任一個子畫素120的排布結構為將其相鄰的子畫素120的排布結構翻轉180度後的排布結構,使得同一列的該些子畫素120中,任一個子畫素120的第一區域210與其相鄰的子畫素120的第三區域230並排,相鄰的該些子畫素120的該些第二區域220並排,任一個子畫素120的第一薄膜電晶體50的配置方向與其相鄰的子畫素120的第一薄膜電晶體50的配置方向相反,任一個子畫素120的第二薄膜電晶體60的配置方向與其相鄰的子畫素120的第二薄膜電晶體60的配置方向相反),位於同一行的該些子畫素120的第一薄膜電晶體50的源極S1與第二薄膜電晶體60的源極S2連接同一資料線110。
另外,不同配置方向的第一薄膜電晶體50可分別對應正負極性,且當製程發生偏移而造成饋通(feed through)電壓變異時,由於不同配置方向的第一薄膜電晶體50的儲存電容(即第一電容70)的電容值皆變小,不同配置方向的第一薄膜電晶體50的寄生電容的電容值分別變小與變大,因此,不同配置方向的第一薄膜電晶體50具有自我補償的效果,可避免引起閃爍(flicker)或殘影(cross talk)效應。
在本實施例中,8條閘極線130用以分別連接位於同一列奇數行的該些子畫素120的第一薄膜電晶體50的閘極G1、位於同一列偶數行的該些子畫素120的第一薄膜電晶體50的閘極G1、位於同一列奇數行的該些子畫素120的第二薄膜電晶體60的閘極G2與位於同一列偶數行的該些子畫素120的第二薄膜電晶體60的閘極G2。需注意的是,位於同一列奇數行的該些子畫素120為間隔排列,因此,連接位於同一列奇數行的該些子畫素120的第一薄膜電晶體50的閘極G1的閘極線130的走線需要穿過同一列偶數行的該些子畫素120的第三區域230,但不接觸同一列偶數行的該些子畫素120的第一電容70與第二電容80;位於同一列偶數行的該些子畫素120為間隔排列,因此,連接位於同一列偶數行的該些子畫素120的第一薄膜電晶體50的閘極G1的閘極線130的走線需要穿過同一列奇數行的該些子畫素120的第三區域230,但不接觸同一列奇數行的該些子畫素120的第一電容70與第二電容80;位於同一列奇數行的該些子畫素120為間隔排列,因此,連接位於同一列奇數行的該些子畫素120的第二薄膜電晶體60的閘極G2的閘極線130的走線需要穿過同一列偶數行的該些子畫素120的第二區域220,但不接觸同一列偶數行的該些子畫素120的第二薄膜電晶體60;位於同一列偶數行的該些子畫素120為間隔排列,因此,連接位於同一列偶數行的該些子畫素120的第二薄膜電晶體60的閘極G2的閘極線130的走線需要穿過同一列奇數行的該些子畫素120的第二區域220,但不接觸同一列奇數行的該些子畫素120的第二薄膜電晶體60。
在一實施例中,具點反轉的液晶顯示裝置100還可包括:閘極驅動電路140、資料驅動電路150與共同電壓產生電路160,閘極驅動電路140電性連接8條閘極線130,用以分別提供8個閘極驅動信號給8條閘極線130;資料驅動電路150電性連接4條資料線,用以分別提供4個資料驅動信號給4條資料線;共同電壓產生電路160通過電壓線10電性連接該些第一電容70與該些第二電容80,用以提供交流共同電壓Vcom。需注意的是,電壓線10與閘極線130在製程上為不同金屬層的走線配置。
在一實施例中,8條閘極線130可包括:1條第一控制線310、1條第二控制線320、1條第三控制線330、1條第四控制線340、1條第五控制線350、1條第六控制線360、1條第七控制線370與1條第八控制線380。第一控制線310用以電性連接同一奇數列中偶數行的該些子畫素120的該些第一薄膜電晶體50的該些閘極G1;第二控制線320用以電性連接同一奇數列中奇數行的該些子畫素120的該些第二薄膜電晶體60的該些閘極G2;第三控制線330用以電性連接同一奇數列中偶數行的該些子畫素120的該些第二薄膜電晶體60的該些閘極G2;第四控制線340用以電性連接同一奇數列中奇數行的該些子畫素120的該些第一薄膜電晶體50的該些閘極G1;第五控制線350用以電性連接同一偶數列中奇數行的該些子畫素120的該些第二薄膜電晶體60的該些閘極G2;第六控制線360用以電性連接同一偶數列中偶數行的該些子畫素120的該些第一薄膜電晶體50的該些閘極G1;第七控制線370用以電性連接同一偶數列中奇數行的該些子畫素120的該些第一薄膜電晶體50的該些閘極G1;第八控制線380用以電性連接同一偶數列中偶數行的該些子畫素120的該些第二薄膜電晶體60的該些閘極G2。
請參閱圖1與圖6,圖6為圖1的具點反轉的液晶顯示裝置的交流共同電壓與閘極驅動信號在一幀畫面期間的波形示意圖。如圖6所示,交流共同電壓Vcom每經過半個幀(Frame)畫面期間即進行轉置;第一控制線310、第四控制線340、第五控制線350與第八控制線380依序開啟(即第一控制線310、第四控制線340、第五控制線350與第八控制線380依序接收閘極驅動信號),接者,再依序開啟第二控制線320、第三控制線330、第六控制線360與第七控制線370(即第二控制線320、第三控制線330、第六控制線360與第七控制線370依序接收閘極驅動信號)。需注意的是,該些資料線110所接收的資料驅動信號與通過交流共同電壓驅動的現有液晶顯示裝置(在現有液晶顯示裝置中,所有相鄰的子畫素的電路佈局相同)的資料驅動信號相同,故於此不加以描述。
通過圖1的二切三子畫素的配置佈局設計與閘極線的走線佈局設計,搭配圖5所示的低頻交流共同電壓驅動模式與控制線的開啟順序,可使每一個子畫素120的第一區域210的極性與第三區域230的極性相同,每一個子畫素120的第一區域210與第三區域230的極性和第二區域220的極性相反,如圖7或圖8所示(圖7為圖1的具點反轉的液晶顯示裝置顯示一幀畫面的一實施例子畫素極性示意圖,圖8為圖1的具點反轉的液晶顯示裝置顯示另一幀畫面的一實施例子畫素極性示意圖)。因此,圖1的具點反轉的液晶顯示裝置100可在以二切三子畫素顯示灰階畫面與低頻交流共同電壓的低功耗顯示面板架構前提下,實現點反轉,可改善低頻驅動時的目視掃描紋問題。
請參閱圖9,其為依據本申請的具點反轉的液晶顯示裝置的另一實施例佈局示意圖。如圖9所示,為了使圖1的具點反轉的液晶顯示裝置100在邊框區的閘極線走線佈局與所有相鄰的子畫素的電路佈局相同的現有液晶顯示裝置相同(即兩者在邊框區的閘極驅動線的數量相同),本實施例的具點反轉的液晶顯示裝置400將圖1的具點反轉的液晶顯示裝置100的閘極線130在邊框區進行走線佈局設計。具體地說,在圖9中,具點反轉的液晶顯示裝置400還包括:第一閘極驅動線410、第二閘極驅動線420、第三閘極驅動線430與第四閘極驅動線440,第一閘極驅動線410電性連接第P列子畫素120的第一控制線310與第P+1列子畫素120的第七控制線370,第二閘極驅動線420電性連接第P列子畫素120的第二控制線320與第P+1列子畫素120的第八控制線380,第三閘極驅動線430電性連接第P列子畫素120的第三控制線330與第P+1列子畫素120的第五控制線350,第四閘極驅動線440電性連接第P列子畫素120的第四控制線340與第P+1列子畫素120的第六控制線360,P為正奇數。
在一實施例中,具點反轉的液晶顯示裝置400還可包括:閘極驅動電路450、資料驅動電路460與共同電壓產生電路470。閘極驅動電路450電性連接第一閘極驅動線410、第二閘極驅動線420、第三閘極驅動線430與第四閘極驅動線440,用以分別提供4個閘極驅動信號給第一閘極驅動線410、第二閘極驅動線420、第三閘極驅動線430與第四閘極驅動線440;資料驅動電路460電性連接4條資料線110,用以分別提供4個資料驅動信號給4條資料線110;共同電壓產生電路470通過電壓線10電性連接該些第一電容70與該些第二電容80,用以提供交流共同電壓Vcom。
請參閱圖9與圖10,圖10為圖9的具點反轉的液晶顯示裝置的交流共同電壓與閘極驅動信號在一幀畫面期間的波形示意圖。如圖10所示,交流共同電壓Vcom每經過半個幀畫面期間即進行轉置;第一控制線310、第二控制線320、第五控制線350與第六控制線360依序開啟(即第一控制線310、第二控制線320、第五控制線350與第六控制線360依序接收閘極驅動信號),接者,再依序開啟、第三控制線330、第四控制線340、第七控制線370與第八控制線380(即第三控制線330、第四控制線340、第七控制線370與第八控制線380依序接收閘極驅動信號)。需注意的是,該些資料線110所接收的資料驅動信號與通過交流共同電壓驅動的現有液晶顯示裝置(在現有液晶顯示裝置中,所有相鄰的子畫素的電路佈局相同)的資料驅動信號相同,故於此不加以描述。
通過圖9的二切三子畫素的配置佈局設計與閘極線的走線佈局設計,搭配圖10所示的低頻交流共同電壓驅動模式,可使每一個子畫素120的第一區域210的極性與第三區域230的極性相同,每一個子畫素120的第一區域210與第三區域230的極性和第二區域220的極性相反。因此,圖8的具點反轉的液晶顯示裝置400可在以二切三子畫素顯示灰階畫面與低頻交流共同電壓的低功耗顯示面板架構前提下,實現點反轉,可改善低頻驅動時的目視掃描紋問題。
需注意的是,圖9的具點反轉的液晶顯示裝置400在邊框區的閘極線走線佈局上會產生跨線問題(如圖8的區塊F1至區塊F2所示),可能造成不必要的耦合,且因為使用到跨線,使得第一閘極驅動線410、第二閘極驅動線420、第三閘極驅動線430與第四閘極驅動線440需使用不同的金屬材質才能實現所述邊框區的閘極線走線佈局。
綜上所述,本申請實施例的具點反轉的液晶顯示裝置可通過二切三子畫素的配置佈局設計(即每一個子畫素包括設置在第一區域的第一薄膜電晶體、設置在第二區域的第二薄膜電晶體以及設置在第三區域的第一電容與第二電容),同一行相鄰的子畫素的排布結構相同,以及同一列相鄰的子畫素的排布結構呈翻轉配置,使得位於同一列奇數行的子畫素的第一薄膜電晶體的閘極、位於同一列偶數行的子畫素的第一薄膜電晶體的閘極、位於同一列奇數行的子畫素的第二薄膜電晶體的閘極與位於同一列偶數行的子畫素的第二薄膜電晶體的閘極能各自連接(即閘極線的走線佈局設計),以在低頻低功耗的交流共同電壓驅動模式下,實現點反轉,可改善低頻驅動造成的目視反射掃描紋問題(即可直接在電路佈局設計上直接排除目視反射掃描紋問題)。
另外,本申請實施例的子畫素的配置佈局設計與走線佈局設計,與現有的陣列光罩製程相同,故不增加製程道數與光罩數。此外,本申請實施例的具點反轉的液晶顯示裝置還進一步在邊框區進行閘極驅動線的走線佈局,使其邊框區的閘極驅動線的走線數量與所有相鄰的子畫素的電路佈局相同的現有液晶顯示裝置相同。
雖然在本申請的圖式中包含了以上描述的組件,但不排除在不違反新型的精神下,使用更多其他的附加組件,已達成更佳的技術效果。
雖然本新型使用以上實施例進行說明,但需要注意的是,這些描述並非用於限縮本新型。相反地,此新型涵蓋了所屬技術領域中的技術人員顯而易見的修改與相似設置。所以,申請專利範圍須以最寬廣的方式解釋來包含所有顯而易見的修改與相似設置。
10:電壓線
50:第一薄膜電晶體
60:第二薄膜電晶體
70:第一電容
71,81:薄板導體
80:第二電容
90:接觸孔
100,400:具點反轉的液晶顯示裝置
110:資料線
120:子畫素
130:閘極線
140,450:閘極驅動電路
150,460:資料驅動電路
160,470:共同電壓產生電路
210:第一區域
220:第二區域
230:第三區域
310:第一控制線
320:第二控制線
330:第三控制線
340:第四控制線
350:第五控制線
360:第六控制線
370:第七控制線
380:第八控制線
410:第一閘極驅動線
420:第二閘極驅動線
430:第三閘極驅動線
440:第四閘極驅動線
D1,D2:汲極
DE:介電質
F1,F2:區塊
G1,G2:閘極
GI1,GI2:閘極絕緣層
OL:有機層
PE:透明導電層
RE:反射層
S1,S2:源極
SE1,SE2:通道層
Vcom:交流共同電壓
此處所說明的圖式用來提供對本申請的進一步理解,構成本申請的一部分,本申請的示意性實施例及其說明用於解釋本申請,並不構成對本申請的不當限定。在圖式中:
圖1為依據本申請的具點反轉的液晶顯示裝置的一實施例佈局示意圖;
圖2為沿圖1的線段AA’的剖面示意圖;
圖3為沿圖1的線段BB’的剖面示意圖;
圖4為沿圖1的線段CC’的剖面示意圖;
圖5為沿圖1的線段DD’的剖面示意圖;
圖6為圖1的具點反轉的液晶顯示裝置的交流共同電壓與閘極驅動信號在一幀畫面期間的波形示意圖;
圖7為圖1的具點反轉的液晶顯示裝置顯示一幀畫面的一實施例子畫素極性示意圖;
圖8為圖1的具點反轉的液晶顯示裝置顯示另一幀畫面的一實施例子畫素極性示意圖;
圖9為依據本申請的具點反轉的液晶顯示裝置的另一實施例佈局示意圖;以及
圖10為圖9的具點反轉的液晶顯示裝置的交流共同電壓與閘極驅動信號在一幀畫面期間的波形示意圖。
10:電壓線
50:第一薄膜電晶體
60:第二薄膜電晶體
70:第一電容
80:第二電容
90:接觸孔
100:具點反轉的液晶顯示裝置
110:資料線
120:子畫素
130:閘極線
140:閘極驅動電路
150:資料驅動電路
160:共同電壓產生電路
210:第一區域
220:第二區域
230:第三區域
310:第一控制線
320:第二控制線
330:第三控制線
340:第四控制線
350:第五控制線
360:第六控制線
370:第七控制線
380:第八控制線
Vcom:交流共同電壓
Claims (9)
- 一種具點反轉的液晶顯示裝置,其包括: M條資料線,M為正整數; 複數個子畫素,排列成M行與2N列,該些子畫素中的每一個包括:設置在一第一區域的一第一薄膜電晶體、設置在一第二區域的一第二薄膜電晶體以及設置在一第三區域的一第一電容與一第二電容;在該些子畫素中的每一個中,該第二區域設置於該第一區域與該第三區域之間,該第一薄膜電晶體的源極電性連接該第二薄膜電晶體的源極,該第一薄膜電晶體的汲極電性連接該第一電容的一端,該第一電容的另一端電性連接一交流共同電壓,該第二薄膜電晶體的汲極電性連接該第二電容的一端,該第二電容的另一端電性連接該交流共同電壓;其中,位於同一行的相鄰子畫素的排布結構相同,位於同一列的任一子畫素沿一行方向翻轉180度後的排布結構與其相鄰的子畫素的排布結構相同;位於同一行的該些子畫素的該些第一薄膜電晶體的該些源極與該些第二薄膜電晶體的該些源極連接同一資料線,N為正整數;以及 8N條閘極線,用以分別連接位於同一列奇數行的該些子畫素的該些第一薄膜電晶體的複數個閘極、位於同一列偶數行的該些子畫素的該些第一薄膜電晶體的複數個閘極、位於同一列奇數行的該些子畫素的該些第二薄膜電晶體的複數個閘極與位於同一列偶數行的該些子畫素的該些第二薄膜電晶體的複數個閘極。
- 如請求項1所述的具點反轉的液晶顯示裝置,其中,該具點反轉的液晶顯示裝置還包括: 一閘極驅動電路,電性連接該8N條閘極線,用以分別提供8N個閘極驅動信號給該8N條閘極線; 一資料驅動電路,電性連接該M條資料線,用以分別提供M個資料驅動信號給該M條資料線;以及 一共同電壓產生電路,電性連接該些第一電容與該些第二電容,用以提供該交流共同電壓。
- 如請求項1所述的具點反轉的液晶顯示裝置,其中,該8N條閘極線包括: N條第一控制線,該N條第一控制線中的每一條用以電性連接同一奇數列中偶數行的該些子畫素的該些第一薄膜電晶體的該些閘極; N條第二控制線,該N條第二控制線中的每一條用以電性連接同一奇數列中奇數行的該些子畫素的該些第二薄膜電晶體的該些閘極; N條第三控制線,該N條第三控制線中的每一條用以電性連接同一奇數列中偶數行的該些子畫素的該些第二薄膜電晶體的該些閘極; N條第四控制線,該N條第四控制線中的每一條用以電性連接同一奇數列中奇數行的該些子畫素的該些第一薄膜電晶體的該些閘極; N條第五控制線,該N條第五控制線中的每一條用以電性連接同一偶數列中奇數行的該些子畫素的該些第二薄膜電晶體的該些閘極; N條第六控制線,該N條第六控制線中的每一條用以電性連接同一偶數列中偶數行的該些子畫素的該些第一薄膜電晶體的該些閘極; N條第七控制線,該N條第七控制線中的每一條用以電性連接同一偶數列中奇數行的該些子畫素的該些第一薄膜電晶體的該些閘極;以及 N條第八控制線,該N條第八控制線中的每一條用以電性連接同一偶數列中偶數行的該些子畫素的該些第二薄膜電晶體的該些閘極。
- 如請求項3所述的具點反轉的液晶顯示裝置, 其中,該具點反轉的液晶顯示裝置還包括:一第一閘極驅動線、一第二閘極驅動線、一第三閘極驅動線與一第四閘極驅動線,該第一閘極驅動線電性連接第P列子畫素的一第一控制線與第P+1列子畫素的一第七控制線,該第二閘極驅動線電性連接該第P列子畫素的一第二控制線與該第P+1列子畫素的一第八控制線,該第三閘極驅動線電性連接該第P列子畫素的一第三控制線與該第P+1列子畫素的一第五控制線,該第四閘極驅動線電性連接該第P列子畫素的一第四控制線與該第P+1列子畫素的一第六控制線,P為正奇數。
- 如請求項4所述的具點反轉的液晶顯示裝置,該具點反轉的液晶顯示裝置還包括: 一閘極驅動電路,電性連接該第一閘極驅動線、該第二閘極驅動線、該第三閘極驅動線與該第四閘極驅動線,用以分別提供4N個閘極驅動信號給該第一閘極驅動線、該第二閘極驅動線、該第三閘極驅動線與該第四閘極驅動線; 一資料驅動電路,電性連接該M條資料線,用以分別提供M個資料驅動信號給該M條資料線;以及 一共同電壓產生電路,電性連接該些第一電容與該些第二電容,用以提供該交流共同電壓。
- 如請求項1所述的具點反轉的液晶顯示裝置,其中,該些第一薄膜電晶體與該些第二薄膜電晶體分別為一氧化物薄膜電晶體或一多晶矽薄膜電晶體。
- 如請求項1所述的具點反轉的液晶顯示裝置,其中,該些第一電容與該些第二電容分別為一儲存電容。
- 如請求項1所述的具點反轉的液晶顯示裝置,其中,該些子畫素包括微反射式子畫素、反射式子畫素、半穿透半反射式子畫素或上述的組合。
- 如請求項1所述的具點反轉的液晶顯示裝置,其中,在該些子畫素的每一個中,該第一區域的極性與該第三區域的極性相同,該第一區域與該第三區域的極性和該第二區域的極性相反。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110211762U TWM623658U (zh) | 2021-10-06 | 2021-10-06 | 具點反轉的液晶顯示裝置 |
| CN202122549163.3U CN215932331U (zh) | 2021-10-06 | 2021-10-22 | 具点反转的液晶显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110211762U TWM623658U (zh) | 2021-10-06 | 2021-10-06 | 具點反轉的液晶顯示裝置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM623658U true TWM623658U (zh) | 2022-02-21 |
Family
ID=80406207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110211762U TWM623658U (zh) | 2021-10-06 | 2021-10-06 | 具點反轉的液晶顯示裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN215932331U (zh) |
| TW (1) | TWM623658U (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116704970B (zh) * | 2023-08-04 | 2023-10-24 | 南京芯视元电子有限公司 | 一种显示信号处理的校正系统及方法 |
-
2021
- 2021-10-06 TW TW110211762U patent/TWM623658U/zh unknown
- 2021-10-22 CN CN202122549163.3U patent/CN215932331U/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN215932331U (zh) | 2022-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106707648B (zh) | 一种显示基板、显示装置及其驱动方法 | |
| CN102749775B (zh) | 阵列基板、显示装置和驱动所述阵列基板的方法 | |
| CN102810304B (zh) | 一种像素单元、像素结构、显示装置及像素驱动方法 | |
| CN104317121B (zh) | 像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置及其驱动方法 | |
| US9646553B2 (en) | Display device | |
| CN104200786A (zh) | 一种阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置 | |
| US11250799B2 (en) | Display panel and display device suitable for low color cast display | |
| CN106292110A (zh) | 一种阵列基板、显示面板、显示装置 | |
| CN111446262A (zh) | 一种阵列基板及其制造方法、显示面板 | |
| WO2017031944A1 (zh) | 像素单元驱动电路、驱动方法和显示装置 | |
| WO2019071815A1 (zh) | 阵列基板及其应用的显示面板 | |
| CN205485204U (zh) | 显示基板及液晶显示装置 | |
| TWI386902B (zh) | 基於點反轉操作之液晶顯示裝置 | |
| TWI706393B (zh) | 陣列基板 | |
| US20070097052A1 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP2004145346A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| WO2019192082A1 (zh) | 一种液晶显示器 | |
| WO2017092134A1 (zh) | 液晶显示面板及应用该液晶显示面板的电子装置 | |
| CN102662286B (zh) | 阵列基板、液晶面板以及显示装置 | |
| WO2019085179A1 (zh) | 液晶显示装置 | |
| TWM623658U (zh) | 具點反轉的液晶顯示裝置 | |
| CN105388675A (zh) | 一种阵列基板及液晶显示器 | |
| CN107818771A (zh) | Tft阵列基板及其驱动方法、显示面板及显示装置 | |
| CN104516142B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN216411817U (zh) | 具点反转的液晶显示装置 |