TWM623487U - 一種降低量子點衰變的封裝結構 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 267
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 103
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 98
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 98
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 13
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 9
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本創作係為一種降低量子點衰變的封裝結構，包含一發光層，該發光層更包含至少一基板與一發光晶片，發光晶片係為設置在基板上，並且與該基板電性連結；一第一保護層，該第一保護層係位於該發光晶片上；一量子點層，該量子點層係位於該第一保護層上；與一第二保護層，該第二保護層係位於該量子點層上。
Description
本新型係關於一種發光結構；特別關於一種降低量子點衰變的封裝結構，該封裝結構係利用具保護層的量子點，延長量子點壽命。
已知技術量子點在發光的應用相當廣泛，但是由於量子點需要接近光源導致在高溫下運作，目前量子點的壽命普遍不常，一般推測的原因是水氣或氣體滲入量子點的封裝，導致量子點的衰退。此外，提供傳統封裝產品圖，如下列圖式，圖10，係根據本新型之一傳統封裝高溫老化測試前狀態圖；圖11，係根據本新型之一傳統封裝高溫老化測試後狀態圖；圖12B，係根據本新型之一傳統封裝製成一燈板狀態圖；圖13B，係根據本新型之一傳統封裝製成一燈板點亮狀狀態圖；圖14B，係根據本新型之一傳統封裝製成一燈板點亮加上擴散板狀態圖；圖15B，係根據本新型之一傳統封裝製成之燈珠外觀圖。
因此，如何解決高溫與封裝滲入是工業界急需克服的問題。
鑒於上述之創作背景中，為符合產業上特別之需求，本新型係關於一種降低量子點衰變的封裝結構用以解決上述傳統技藝未能達成之標的。
本新型提供一種降低量子點衰變的封裝方法，其包含：提供一發光層，該發光層更包含至少一發光晶片；形成至少一第一保護層並完整密封於該發光層上；形成至少一量子點層並完整密封於該第一保護層上；與形成至少一第二保護層並完整密封於該量子點層片上；與形成至少一第五阻水層，該第五阻水層完整密封環繞該發光層、該第一保護層、該量子點層與第二保護層。
根據上述本創作之另一樣態，其中第一保護層中形成一第一支撐層於該發光層與該量子點層之間，其中該第一支撐層可以包含複數個螢光顆粒。
根據上述本創作之另一樣態，其中第一保護層中形成一第一阻水層於該發光層與該第一支撐層之間。
根據上述本創作之另一樣態，其中第一保護層中形成一第二阻水層於該量子點層與該第一支撐層之間。
根據上述本創作之另一樣態，其中第二保護層中形成一第二支撐層。
根據上述本創作之另一樣態，其中第二保護層形成一第三阻水層，該第三阻水層係為設置在該量子點層與第二支撐層之間。
根據上述本創作之另一樣態，其中第二保護層形成一第四阻水層，該第四阻水層係為設置在該第二支撐層上與該量子點層不同側。
根據上述本創作之另一樣態，其中該發光晶片是藍光晶片或覆晶式晶片。
根據上述本創作之另一樣態，其中該第一支撐層與該第二支撐層是由透明膠水、矽膠、環氧樹脂或其組合經固化程序所形成的透明結構該封裝是載板封裝(COB)或晶片級封裝(CSP)，該封裝是晶片級封裝(CSP)狀態下，形成至少一第六阻水層並完整密封於該發光層上與該第一保護層相對。
本新型提供一種一種降低量子點衰變的封裝結構，其包含：一發光層，該發光層更包含至少一發光晶片；一第一保護層，該第一保護層係位於該發光晶片上；一量子點層，該量子點層係位於該第一保護層上；一第二保護層，該第二保護層係位於該量子點層上；與一第五阻水層，該第五阻水層完整密封環繞該發光層、該第一保護層、該量子點層與第二保護層。
根據上述本創作之另一樣態，其中第一保護層更包含一第一支撐層，其中該第一支撐層可以包含複數個螢光顆粒。
根據上述本創作之另一樣態，其中第一保護層更
包含一第一阻水層，該第一阻水層係為位於該發光層與第一支撐層之間。
根據上述本創作之另一樣態，其中第一保護層更包含一第二阻水層，該第二阻水層係為位於該量子點層與第一支撐層之間。
根據上述本創作之另一樣態，其中第二保護層更包含一第二支撐層。
根據上述本創作之另一樣態，其中第二保護層更包含一第三阻水層，該第三阻水層係為位於該量子點層與第二支撐層之間。
根據上述本創作之另一樣態，其中第二保護層更包含一第四阻水層，該第四阻水層係為位於該第二支撐層上與該量子點層不同側。
根據上述本創作之另一樣態，其中該發光晶片是藍光晶片或覆晶式晶片。
根據上述本創作之另一樣態，其中該第一支撐層與該第二支撐層是由透明膠水、矽膠、環氧樹脂或其組合經固化程序所形成的透明結構。
根據上述本創作之另一樣態，其中，該封裝是載板封裝(COB)或晶片級封裝(CSP)，該封裝是晶片級封裝(CSP)狀態下，更包含一第六阻水層並完整密封於該發光層上與該第一保護層相對。
根據上述本創作之另一樣態，將本創作實施例與習知技藝的晶片分別製成一LED燈，如圖8與10所示，點亮高溫老化測試後如圖9與11所示。
根據上述本創作之另一樣態，將本創作與習知技藝的晶片分別製成一燈板，如圖12A與12B所示，點亮後如圖13A與13B所示，分別加上擴散板後顯示結果如圖14A與14B所示。針對如圖14A與14B的樣品進行測試，分別得到318.5cd/m2與274.5cd/m2，本創作係為加入微量螢光粉後，可以有效提昇產品亮度。
上述比較測試係為在膜片架構使用1擴散板、2稜鏡片、2%透過率液晶屏測試電流使用單晶片2.88V、0.5AOD8，檢測設備使用BM-7輝度計，BM-7测试高度350mm，测试角2度角。如圖15A與15B所示，分別係為本創作與習知技藝的晶片分別製成之燈珠外觀圖。如圖15A右下方圖藍色線圈的部分係為螢光粉。
100:降低量子點衰變的封裝結構
110:發光層
111:基板
112:發光晶片
120:第一保護層
130:量子點層
140:第二保護層
122:第一支撐層
121:第一阻水層
123:第二阻水層
142:第二支撐層
141:第三阻水層
143:第四阻水層
150:第五阻水層
200:降低量子點衰變的封裝結構
210:發光層
212:發光晶片
220:第一保護層
230:量子點層
240:第二保護層
222:第一支撐層
221:第一阻水層
223:第二阻水層
242:第二支撐層
241:第三阻水層
243:第四阻水層
250:第五阻水層
260:第六阻水層
300:降低量子點衰變的封裝方法
310:提供一發光層
320:形成至少一第一保護層
330:形成至少一量子點層
340:形成至少一第二保護層
322:形成一第一支撐層
321:形成成一第一阻水層
323:形成一第二阻水層
342:形成一第二支撐層
341:形成一第三阻水層
343形成一第四阻水層
350:形成一第五阻水層
360:形成一第六阻水層
〔圖1〕係根據本新型之一實施例剖面示意圖。
〔圖2〕係根據本新型之一實施例流程圖。
〔圖3〕係根據本新型之一實施例可發光且防止量子點衰變的封裝方法示意圖。
〔圖4〕係根據本新型之一實施例高溫老化測試光通量趨勢圖。
〔圖5〕係根據本新型之一傳統封裝高溫老化測試光通量趨勢圖。
〔圖6〕係根據本新型之一實施例高溫老化測試色溫趨勢圖。
〔圖7〕係根據本新型之一傳統封裝高溫老化測試色溫趨勢圖。
〔圖8〕係根據本新型之一實施例高溫老化測試前狀態圖。
〔圖9〕係根據本新型之一實施例高溫老化測試後狀態圖。
〔圖10〕係根據本新型之一傳統封裝高溫老化測試前狀態圖。
〔圖11〕係根據本新型之一傳統封裝高溫老化測試後狀態圖。
〔圖12A〕係根據本新型之一實施例製成一燈板狀態圖。
〔圖12B〕係根據本新型之一傳統封裝製成一燈板狀態圖。
〔圖13A〕係根據本新型之一實施例製成一燈板點亮狀態圖。
〔圖13B〕係根據本新型之一傳統封裝製成一燈板點亮狀狀態圖。
〔圖14A〕係根據本新型之一實施例製成一燈板點亮加上擴散板狀態圖。
〔圖14B〕係根據本新型之一傳統封裝製成一燈板點亮加上擴散板狀態圖。
〔圖15A〕係根據本新型之一實施例製成之燈珠外觀圖。
〔圖15B〕係根據本新型之一傳統封裝製成之燈珠外觀圖。
本新型在此所探討的方向為應用於降低量子點衰變的封裝結構，為了能徹底地瞭解本新型，將在下列的描述中提出詳盡的結構及其元件與方法步驟。顯然地，本新型的施行並未限定於應用於降低量子點衰變的封裝結構之技藝者所熟習的特殊細節。另一方面，眾所周知的結構及其元件並未描述於細節中，以避免造成本新型不必要之限制。此外，為提供更清楚之描述及使熟悉該項技藝者能理解本新型之創作內容，圖示內各部分並沒有依照其相對之尺寸而繪圖，某些尺寸與其他相關尺度之比例會被突顯而顯得誇張，且不相關之細節部分亦未完全繪出，以求圖示之簡潔。本新型的較佳實施例會詳細描述如下，然而除了這些詳細描述之外，本新型還可以廣泛地施行在其他的實施例中，且本新型範圍不受限定，其以之後的專利範圍為準。
請參閱第1圖所示，本新型係為一種降低量子點衰變的封裝結構100，其包含：一發光層110，該發光層110更包含
至少一基板111與一發光晶片112，該發光晶片112係為設置在基板111上，並且與該基板111電性連結；一第一保護層120，該第一保護層係位於該發光晶片112上；一量子點層130，該量子點層130係位於該第一保護層120上；一第二保護層140，該第二保護層係位於該量子點層130上；與一第五阻水層150，該第五阻水層150完整密封環繞該發光層110、該第一保護層120、該量子點層130與第二保護層140。
如上述，第一保護層更包含一第一支撐層122，其中第一保護層120更包含一第一阻水層121，該第一阻水層121係為位於該發光層110與第一支撐層122之間，其中第一保護層更包含一第二阻水層123，該第二阻水層123係為位於該量子點層130與第一支撐層122之間。
如上述，第二保護層140更包含一第二支撐層142，其中第二保護層140更包含一第三阻水層141，該第三阻水層係為位於該量子點層130與第二支撐層142之間，其中第二保護層140更包含一第四阻水層143，該第四阻水層143係為位於該第二支撐層142上與該量子點層130不同側。
如上述，發光晶片112是藍光晶片或覆晶式晶片。
如上述，第一支撐層122與該第二支撐層142是由透明膠水、矽膠、環氧樹脂或其組合經固化程序所形成的透明結構，其中該第一支撐層122可以包含複數個螢光顆粒。
如上述，封裝是載板封裝(COB)。
請參閱第2圖所示，本新型係為一種降低量子點衰變的封裝結構200，其包含：一發光層210，該發光層210更包含一發光晶片212；一第一保護層220，該第一保護層係位於該發光晶片212上；一量子點層230，該量子點層230係位於該第一保護層220上；一第二保護層240，該第二保護層係位於該量子點層230上；與一第五阻水層250，該第五阻水層250完整密封環繞該發光層210、該第一保護層220、該量子點層230與第二保護層240。
如上述，第一保護層更包含一第一支撐層222，其中第一保護層220更包含一第一阻水層221，該第一阻水層221係為位於該發光層210與第一支撐層222之間，其中第一保護層220更包含一第二阻水層223，該第二阻水層223係為位於該量子點層230與第一支撐層222之間。
如上述，第二保護層240更包含一第二支撐層242，其中第二保護層240更包含一第三阻水層241，該第三阻水層係為位於該量子點層230與第二支撐層242之間，其中第二保護層240更包含一第四阻水層243，該第四阻水層243係為位於該第二支撐層242上與該量子點層230不同側。如上述，發光晶片212是藍光晶片或覆晶式晶片。
如上述，第一支撐層222與該第二支撐層242是由透明膠水、矽膠、環氧樹脂或其組合經固化程序所形成的透明結構。如上述，該封裝是晶片級封裝(CSP)狀態下，更包含一第
六阻水層260並完整密封於該發光層210上與該第一保護層220相對。
請參閱第2與3圖所示，本新型係為一種可發光且防止量子點衰變的封裝方法300，其包含：提供一發光層310，該發光層210更包含至少一發光晶片212；形成至少一第一保護層320並完整密封於該發光層210上；形成至少一量子點層330並完整密封於該第一保護層220上；形成至少一第二保護層340並完整密封於該量子點層230上；與形成至少一第五阻水層350，該第五阻水層250完整密封環繞該發光層210、該第一支撐層220、該量子點層230與第二保護層240。
如上述，其中第一保護層220中形成一第一支撐層322於該發光層210與該量子點層230之間，其中第一保護層220中形成一第一阻水層321於該發光層210與該第一支撐層222之間，其中第一保護層220中形成一第二阻水層323於該量子點層230與該第一支撐層222之間。
如上述，第二保護層240中形成一第二支撐層342，其中第二保護層240形成一第三阻水層341，該第三阻水層241係為設置在該量子點層230與第二支撐層242之間，其中第二保護層240形成一第四阻水層343，該第四阻水層243係為設置在該第二支撐層242上與該量子點層230不同側。
如上述，發光晶片212是藍光晶片或覆晶式晶片。
如上述，第一支撐層222與該第二支撐層242是由
透明膠水、矽膠、環氧樹脂或其組合經固化程序所形成的透明結構，其中該第一支撐層222可以包含複數個螢光顆粒。
如上述，封裝是載板封裝(COB)或晶片級封裝(CSP)，該封裝是晶片級封裝(CSP)狀態下，形成至少一第六阻水層360並完整密封於該發光層上與該第一保護層相對
請參閱第3圖所示，本新型係為一種降低量子點衰變的封裝方法300，其包含：提供一發光層310，該發光層210更包含至少一發光晶片212；形成至少一第一保護層320並完整密封於該發光層210上；形成至少一量子點層330並完整密封於該第一保護層220上；形成至少一第二保護層340並完整密封於該量子點層230片上；與形成至少一第五阻水層350，該第五阻水層350完整密封環繞該發光層210、該第一保護層220、該量子點層230與第二保護層240。
上述之第一保護層220中形成一第一支撐層322於該發光層210與該量子點層230之間，該第一支撐層222是由透明膠水、矽膠、環氧樹脂或其組合經固化程序所形成的透明結構，其中該第一支撐層222可以包含複數個螢光顆粒。
上述之第一保護層220中形成一第一阻水層321於該發光層210與該第一支撐層222之間，且該第一保護層220中形成一第二阻水層323於該量子點層230與該第一支撐層222之間。
上述之第二保護層240中形成一第二支撐層342，該第二支撐層242是由透明膠水、矽膠、環氧樹脂或其組合經固
化程序所形成的透明結構。
上述之第二保護層形成一第三阻水層341，該第三阻水層241係為設置在該量子點層230與第二支撐層242之間，且該第二保護層形成一第四阻水層343，該第四阻水層243係為設置在該第二支撐層242上與該量子點層230不同側。
上述之該封裝是載板封裝(COB)或晶片級封裝(CSP)，該封裝是晶片級封裝(CSP)狀態下，形成至少一第六阻水層360並完整密封於該發光層210上與該第一保護層220相對。
以下是QD-帶支架CSP本新型封裝結構與傳統封裝比對測試，在85℃進行高溫老化試驗數據。
由上述表格數據做出第4與5圖，本新型之降低量子點衰變的封裝結構200，時間進行到570小時才開始光通量明顯下降。反觀傳統封裝時間進行到100小時光通量就很明顯下降。
由上述表格數據做出第6與7圖，本新型之降低量子點衰變的封裝結構200，全部時間色溫都保持在5300~5900之間。反觀傳統封裝全部時間色溫都一直上升直到停止測試時，色溫由5830上升到18452。
由第8與9圖無法比較出高溫老化試驗對於降低量子點衰變的封裝結構200的差異。由第10與11圖容易比較出高溫老化試驗對於傳統封裝的差異。
由此可知本新型之降低量子點衰變的封裝結構
200比傳統封裝，可以有效保護量子點不衰退。
200:降低量子點衰變的封裝結構
210:發光層
212:發光晶片
220:第一保護層
230:量子點層
240:第二保護層
222:第一支撐層
221:第一阻水層
223:第二阻水層
242:第二支撐層
241:第三阻水層
243:第四阻水層
250:第五阻水層
260:第六阻水層
Claims (6)
- 一種降低量子點衰變的封裝結構，其包含：一發光層，該發光層更包含至少一發光晶片；一第一保護層，該第一保護層係位於該發光晶片上；一量子點層，該量子點層係位於該第一保護層上；一第二保護層，該第二保護層係位於該量子點層上；與一第五阻水層，該第五阻水層完整密封環繞該發光層、該第一保護層、該量子點層與第二保護層。
- 如請求項1之降低量子點衰變的封裝結構，其中第一保護層更包含一第一支撐層，該第一支撐層是由透明膠水、矽膠、環氧樹脂或其組合經固化程序所形成的透明結構，其中該第一支撐層可以包含複數個螢光顆粒。
- 如請求項2之降低量子點衰變的封裝結構，其中第一保護層更包含一第一阻水層，該第一阻水層係為位於該發光層與第一支撐層之間，且該第一保護層更包含一第二阻水層，該第二阻水層係為位於該量子點層與第一支撐層之間。
- 如請求項1之降低量子點衰變的封裝結構，其中第二保護層更包含一第二支撐層，該第二支撐層是由透明膠水、矽膠、環氧樹脂或其組合經固化程序所形成的透明結構。
- 如請求項4之降低量子點衰變的封裝結構，其中第二保護層更包含一第三阻水層，該第三阻水層係為位於該量子點層與第二支撐層之間，且該第二保護層更包含一第四阻水層，該第四阻水層係為位於該第二支撐層上與該量子點層不同側。
- 如請求項1之降低量子點衰變的封裝結構，該封裝是載板封裝(COB)或晶片級封裝(CSP)，該封裝是晶片級封裝(CSP)狀態下，更包含一第六阻水層並完整密封於該發光層上與該第一保護層相對。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110206312U TWM623487U (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 一種降低量子點衰變的封裝結構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110206312U TWM623487U (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 一種降低量子點衰變的封裝結構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM623487U true TWM623487U (zh) | 2022-02-21 |
Family
ID=81324529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110206312U TWM623487U (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 一種降低量子點衰變的封裝結構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM623487U (zh) |
-
2021
- 2021-05-28 TW TW110206312U patent/TWM623487U/zh not_active IP Right Cessation
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