TWM618396U - 掃描螢光檢測裝置 - Google Patents

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TWM618396U
TWM618396U TW110200082U TW110200082U TWM618396U TW M618396 U TWM618396 U TW M618396U TW 110200082 U TW110200082 U TW 110200082U TW 110200082 U TW110200082 U TW 110200082U TW M618396 U TWM618396 U TW M618396U
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Taiwan
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wafer
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TW110200082U
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Inventor
劉亞
李運鋒
于大維
王婷婷
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大陸商上海微電子裝備(集團)股份有限公司
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract

本創作提供一種掃描螢光檢測裝置,沿光束傳播方向依序包含:激發光源模組,用於產生包含至少一種波長的光束,並發出一種波長的激發光束至第一光路整形模組;第一光路整形模組,用於接收激發光束並形成第一光斑;第一光斑用於照射到晶片上使晶片表面的有機物產生螢光;光收集模組,用於收集來自晶片表面的有機物產生的螢光;以及圖像採集模組,用於接收光收集模組輸出的螢光並進行成像。在本創作提供的掃描螢光檢測裝置中,透過設置激發光源模組產生激發光束,此激發光束的波長可以根據晶片表面的有機物進行調整,使具有上述波長的激發光束引起晶片上有機物光致發光效率最高,從而實現最大程度的提高待檢測晶片上的膠材檢測範圍。

Description

掃描螢光檢測裝置
本創作涉及積體電路檢測技術領域,特別涉及一種掃描螢光檢測裝置。
半導體缺陷檢測是半導體器件製作前用於識別襯底或外延層缺陷數量、沾汙面積及表面顆粒物數量,從而進行襯底或外延層的篩選,器件製造良率的計算,是半導體器件製作的關鍵工序。缺陷檢測貫穿生產過程,未及時修正將導致最終器件失效。積體電路的設計、加工、製造以及生產過程中,各種人為及非人為因素導致錯誤難以避免,造成的資源浪費及危險事故等代價更是難以估量。在檢測過程中會對晶片樣品逐一檢查,只有通過設計驗證的產品型號才會開始進入量產,由於其發生在晶片製造最早的環節,性價比相對最高,可為晶片批量製造指明接下來的方向。
缺陷識別與檢測是影響器件製造良率的關鍵因素之一,是產業鏈的核心關鍵環節。現有的半導體檢測設備大都基於暗場照明和螢光激發照明兩種方法,其中暗場照明能夠實現對大尺寸表面缺陷的觀察,螢光激發照明模式則能實現對亞表面缺陷的觀察。螢光檢測技術可以利用有機物的螢光特性檢測矽基底、摻雜矽、金屬結構之間或者溝槽中的有機物材料,透過成像的方式分析基板和表面異常點或缺陷的對比度,以確定缺陷性質。先前技術中針對半導 體晶圓的螢光檢測技術一般僅能提供單一的螢光激發工況,僅適用於採集基底中某一類膠材螢光激發後的螢光圖像,而基底中其他膠材產生的螢光能量很低且螢光圖像弱,其將導致基底的缺陷檢測不夠全面且檢測結果不精確。
本創作的目的在於提供一種掃描螢光檢測裝置,以解決先前技術中掃描螢光檢測技術只能提供單一螢光激發工況導致缺陷檢測不全面的問題。
為解決上述技術問題,本創作了提供一種掃描螢光檢測裝置,沿光束傳播方向依序包含:激發光源模組,用於產生包含至少一種波長的光束,並至少將一種波長的激發光束發出至第一光路整形模組;第一光路整形模組,用於接收激發光束並形成第一光斑;第一光斑用於照射到晶片上使晶片表面的有機物產生螢光;光收集模組,用於收集來自晶片表面的有機物產生的螢光;以及圖像採集模組,用於接收光收集模組輸出的螢光並進行成像。
進一步地,激發光源模組用於產生包含至少兩種波長的激發光束,並選擇其中一種波長的激發光束發出傳遞給第一光路整形模組。
進一步地,激發光源模組至少包含第一光源、第二光源和第一合束元件,第一光源用於發出具有第一波長的第一光束,第二光源用於發出具有第二波長的第二光束,第一光束或第二光束經第一合束元件後照射至第一光路整形模組;第一光路整形模組包含第一光斑生成元件,第一光斑生成元件用於將激發光束整形形成第一光斑。
進一步地,第一光斑為線光斑。
進一步地,第一合束元件為二向色鏡。
進一步地,光收集模組包含物鏡組,物鏡組包含物鏡前組、分光棱鏡和物鏡後組,分光棱鏡設置於第一光路整形模組與物鏡前組之間,第一光斑經分光棱鏡反射後進入物鏡前組,並穿過物鏡前組照射到晶片上使晶片表面的有機物產生螢光,螢光經物鏡前組後照射到分光棱鏡並透射,透射出分光棱鏡的螢光經物鏡後組後進入圖像採集模組成像。
進一步地,分光棱鏡的膜層對波長小於λ1的光反射,對波長大於λ2的光透射,激發光源模組產生的光束的波長小於λ1,螢光的波長大於λ2。
進一步地,掃描螢光檢測裝置進一步包含明場照明模組,明場照明模組用於產生第二光斑,第二光斑用於照射到晶片上形成反射光束,光收集模組進一步用於收集反射光束,圖像採集模組進一步用於接收光收集模組輸出的反射光束以進行成像。
進一步地,第二光斑為可見光光斑,明場照明模組包含可見光光源和第二光路整形模組,可見光光源產生的可見光束經第二光路整形模組以生成第二光斑。
進一步地,第二光斑為線光斑。
進一步地,掃描螢光檢測裝置進一步包含第二合束元件,第二合束元件設置於第一光路整形模組後,第一光路整形模組形成的第一光斑經第二合束元件後照射到晶片上使晶片表面的有機物產生螢光,明場照明模組形成的第二光斑經第二合束元件後照射到晶片上形成反射光束。
進一步地,激發光源模組進一步包含第一偏振調節元件和第二偏振調節元件;第一偏振調節元件用於調節第一光源發出的第一光束的偏振方向,第二偏振調節元件用於調節第二光源發出的第二光束的偏振方向。
進一步地,第一偏振調節元件和第二偏振調節元件均包含可旋轉調節的1/2波片。
進一步地,第一偏振調節元件進一步包含支架和安裝環,1/2波片固定安裝在安裝環內,安裝環連接在支架上,並且安裝環相對於支架可轉動。
進一步地,圖像採集模組包含線掃描相機,線掃描相機包含黑白線掃描相機或彩色線掃描相機。
在本創作提供的掃描螢光檢測裝置中,透過設置激發光源模組產生激發光束,激發光束的波長可以根據晶片表面的有機物進行調整,使具有上述波長的激發光束引起晶片上有機物光致發光效率最高,從而實現最大程度的提高待檢測晶片上膠材檢測範圍。並且,本創作進一步提供了包含至少兩種不同波長的激發光束,並可以根據需要選擇其中一種能引起晶片上有機物光致發光效率最高的激發光束,以進一步實現對晶片上不同膠材的螢光激發效率最佳化,提高晶片螢光圖案的相機響應。對晶片膠材種類和厚度進行判斷,從而進行缺陷檢測並使晶片檢測範圍擴大,提升一次檢出率和產率,可以實現一台設備檢測出現有製程中常用的幾乎所有膠材。此外,可以進一步透過設置明場照明模組,與螢光檢測相配合,實現對晶片表面缺陷的精確定位。並且,透過進一步設置偏振調節元件以對激發光束的偏振方向進行調節,進一步實現調節膠材的螢光激發效率,使螢光檢測時晶片膠材更加接近最佳螢光激發效率,從而使晶片訊息能夠被更多的且更準確的檢出。
10:激發光源模組
101:第一光源
102:第二光源
103:第一偏振調節元件
104:第二偏振調節元件
105:第一合束元件
20:第一光路整形模組
201:線光斑
30:第二合束元件
40:光收集模組
41:物鏡前組
42:分光棱鏡
43:物鏡後組
50:反射鏡
60:圖像採集模組
61:線掃描相機
62:小視場面陣相機
63:第二分光棱鏡
70:明場照明模組
71:可見光光源
72:第二光路整形模組
80:晶片
901:支架
902:1/2波片
903:安裝環
9011:刻線
9031:小孔
X,Y:方向
圖1是本創作一實施例提供的一種掃描螢光檢測裝置示意圖;圖2是本創作另一實施例提供的一種掃描螢光檢測裝置示意圖; 圖3是本創作一實施例提供的一種掃描螢光檢測裝置進行線掃描檢測的示意圖;圖4是本創作一實施例提供的一種掃描螢光檢測裝置中偏振調節元件的結構示意圖;圖5是本創作一實施例中激發光光源和1/2波片快(慢)軸夾角與某一特定生色團的螢光激發效率之間的關係示意圖;圖6是本創作一實施例中採用彩色相機拍攝的螢光圖像;圖7是本創作一實施例中採用黑白相機拍攝晶片同一區域的螢光圖和明場圖對比。
以下結合附圖和具體實施例對本創作提出的一種掃描螢光檢測裝置作進一步詳細說明。根據下面說明和申請專利範圍,本創作的優點和特徵將更清楚。需說明的是,附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便且明確地輔助說明本創作實施例的目的。
需要說明的是,在本文中,諸如第一和第二等等的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來,而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且,術語「包含」、「包含」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包含一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包含所列的要素,而且進一步包含沒有明確列出的其他要素,或者是進一步包含為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句「包含一個......」限定的要素, 並不排除在包含所述要素的過程、方法、物品或者設備中進一步存在另外的相同要素。
本創作提供了一種掃描螢光檢測裝置,如圖1所示,沿光束傳播方向依序包含:激發光源模組10、第一光路整形模組20、光收集模組40和圖像採集模組60。
其中,激發光源模組10用於產生包含至少一種波長的激發光束,並發出一種波長的激發光束至第一光路整形模組20;第一光路整形模組20用於接收激發光束並形成第一光斑;第一光斑用於照射到晶片80上使晶片表面的有機物產生螢光;光收集模組40用於收集來自晶片80表面的有機物產生的螢光;以及圖像採集模組60用於接收光收集模組40輸出的螢光並進行成像。在本創作中,可以根據晶片80表面有機物光致發光效率選擇合適的激發光束的波長,使具有上述波長的激發光束引起晶片80上有機物光致發光效率最高,從而實現最大程度的提高待檢測晶片80上膠材檢測範圍實現對晶片80上不同膠材的螢光激發效率最佳化,並提高晶片80螢光圖案的相機響應。
作為本創作的一種實現方式,激發光源模組10用於產生包含至少兩種波長的激發光束,並選擇其中一種波長的激發光束發出傳遞給第一光路整形模組20。其中,上述其中一種波長的激發光束為引起晶片80上有機物光致發光效率高於上述至少兩種波長中其它波長的激發光束引起晶片80上有機物光致發光效率。
較佳地,激發光源模組10至少包含第一光源101、第二光源102和第一合束元件105,第一光源101用於發出第一波長的第一光束,第二光源102用於發出第二波長的第二光束,第一光束或第二光束經第一合束元件105後照射至第一光路整形模組20。第一光路整形模組20包含第一光斑生成元件,第一光斑生成元件用於將激發光整形形成第一光斑。
作為較佳實施例,本創作的掃描螢光檢測裝置可以採用線掃描的方式進行檢測,此時第一光斑為線光斑。相應地,圖像採集模組60可以配備線掃描相機,並且線掃描相機的視場與線光斑的尺寸相對應。此外,本實施例中的第一光束和第二光束的波長,可根據晶片80的膠材的最佳螢光激發效率進行設置,可以為兩種不同波長的紫外光,當然本領域具有通常知識者可以理解的是,上述兩種光束並不局限為紫外光,可以進一步是其他波長的可見光,例如可以將兩種光源的波長分別設置為405nm和488nm,這兩種波長可適用於現有製程大部分膠材的螢光激發。並且,本申請中激發光源模組10所包含的光源也不局限於為兩種,可以進一步是三種或更多,即產生的激發光束可以包含三種以上的波長的光束,然後從這些光束中根據待測晶片80上有機物的種類選擇合適波長的激發光束,合適波長的激發光束為引起晶片80上有機物光致發光效率高於其它波長的激發光束引起晶片80上有機物光致發光效率。
進一步地,本創作提供的光收集模組40進一步包含物鏡前組41、分光棱鏡42和物鏡後組43,分光棱鏡42設置於第一光路整形模組20與物鏡前組41之間,第一光斑經分光棱鏡42反射後進入物鏡前組41,並穿過物鏡前組41照射到晶片80上使晶片80表面的有機物產生螢光,螢光經物鏡前組41照射到分光棱鏡42並透射,透射出分光棱鏡42的螢光經物鏡後組43後進入圖像採集模組60成像。透過設置分光棱鏡42可以對光路進行引導,掃描晶片80激發螢光的第一光斑可以透過分光棱鏡42進行反射,經物鏡前組41收集後照射到晶片80上進行螢光激發。其中,第一光斑的入射角度可以根據晶片80表面的有機物的螢光激發效率確定,較佳地可以調整第一光斑的入射角度為90°,即掃描光斑對晶片80進行垂直掃描激發。當然,本創作對於第一光斑的入射角度並不局限於90°,入射角度可以有少量傾斜。第一光斑照射到晶片80上後,晶片80表面的有機物會被激發產生螢光,如圖1和圖2所示,晶片80上的虛線箭頭代表了有機物受激發 後發出的螢光,在物鏡前組41數值孔徑(NA)範圍內的螢光會被收集,經物鏡前組41收集的螢光光束會回射到分光棱鏡42上。可以對分光棱鏡42進行設置,使螢光光束透射過分光棱鏡42,這樣分光棱鏡42就可以起到分離作用,即對第一光斑進行反射,而對螢光進行透射,透射後的螢光再經物鏡後組43投射到圖像採集模組60進行螢光成像,根據螢光圖像即可實現對晶片80進行缺陷檢測。
進一步的,為了實現分光棱鏡42的上述功能,分光棱鏡42的鍍膜膜層對波長小於λ1的光反射,對波長大於λ2的光透射。其中,激發光源模組10產生的光束的波長小於λ1,螢光的波長大於λ2。例如,激發晶片80產生螢光的激發光一般為紫外光,而晶片80產生的螢光一般為可見光,可以將分光棱鏡42的膜層調整為對紫外光反射,而對可見光透射,即可實現上述功能。當然,本領域具有通常知識者應當明瞭,對上述波長λ1、λ2的設置,並不僅局限於上面提到的對紫外反射對可見光透射,可以進一步根據晶片80不同膠材的最佳螢光激發效率設置激發光源產生的至少兩種激發光束的波長,並結合膠材激發後產生的螢光的波長,來設置上述波長λ1、λ2的值。其中,λ1可以等於λ2,即設置一個波長界限值,波長在該界限值以下的光被分光棱鏡42反射,而波長在該界限值以上的光被分光棱鏡42透射。此外,本創作中的分光棱鏡42除了可以採用波長對激發光和螢光進行分光外,可以進一步採用偏振分光的方式將激發光和螢光進行分光。
更進一步地,為了實現對晶片80表面缺陷的精確定位,如圖2所示,本創作提供的一種掃描螢光檢測裝置進一步包含明場照明模組70,明場照明模組70用於產生第二光斑,第二光斑用於照射到晶片80上形成反射光束,光收集模組40進一步用於收集反射光束,以及圖像採集模組60進一步用於接收光收集模組40輸出的反射光束進行成像。設置明場照明模組70可以引入照明光路,實現對對晶片80的照明成像形成照明圖像,與上述的螢光圖像相結合,螢 光圖像提供晶片80的膠材種類、厚度及缺陷訊息,對照明圖像進行結合比對後,可以進一步對缺陷的位置進行定位,從而達到對晶片80缺陷的精確檢測,如圖7所示,為黑白線掃描相機拍攝同一區域的螢光圖和明場圖對比,左圖為螢光圖,僅有膠部位發光,右圖為明場圖,可更清晰的分辨圖樣但不能分辨有機物,透過兩幅圖的對比,可以實現對缺陷位置的定位。
作為本創作上述實施例的一種實現方式,第二光斑為可見光光斑,明場照明模組70包含可見光光源71和第二光路整形模組72,可見光光源71產生的可見光束經第二光路整形模組72生成第二光斑。較佳地,第二光斑為線光斑,即照明圖形同樣採用線掃描的方式獲得。
進一步地,本創作提供的一種掃描螢光檢測裝置進一步包含第二合束元件30,第二合束元件30設置於第一光路整形模組20後,第一光路整形模組20形成的第一光斑經第二合束元件30後照射到晶片80上使晶片80表面的有機物產生螢光,明場照明模組70形成的第二光斑經第二合束元件30後照射到晶片80上形成反射光束。設置第二合束元件30的目的是為了實現對螢光光路與照明光路進行整合,即在第二合束元件30之後,兩種光路的光的傳播路徑將基本相同,可以節省整個裝置的空間並減少元件的使用。當需要進行螢光成像時,此時明場照明模組70處於停止工作的狀態,激發光源模組10產生的激發光束經第一光路整形模組20整形以形成第一光斑,第一光斑投射到第二合束元件30後投射而出進入後續光路,例如後續可以依序經分光棱鏡42及物鏡前組41照射到晶片80上進行螢光激發。激發的螢光再依序經物鏡前組41、分光棱鏡42及物鏡後組43進入到圖像採集模組60進行螢光成像,以形成螢光圖像。當需要進行照明成像時,則激發光源模組10停止工作,此時明場照明模組70開始工作,產生的第二光斑投射到第二合束元件30上進行反射,然後進入與螢光光路後續相似的光路路徑在圖像採集模組60處進行照明成像,以形成照明圖像。
為了進一步提高本創作提供的掃描裝置對晶片80的膠材種類和缺陷的檢測精度,需要根據晶片80的膠材的最佳螢光激發效率對螢光掃描時的激發光進行調整,使其與膠材的最佳螢光激發條件接近。在本實施例提供的掃描螢光檢測裝置中,激發光源模組10進一步包含第一偏振調節元件103和第二偏振調節元件104;第一偏振調節元件103用於調節第一光源101發出的第一光束的偏振方向,第二偏振調節元件104用於調節第二光源102發出的第二光束的偏振方向。在具體實施時,可以將第一偏振調節元件103設置於第一光源101和第一合束元件105之間,第二偏振調節元件104設置於第二光源102和第一合束元件105之間,分別對第一光源101和第二光源102發出的光進行偏振方向調節。當然,本創作對於偏振調節元件的放置並不局限與上述說明的方式,可以進一步是其他任意不影響光路性能的放置方式。本實施例可以透過對激發光束的偏振方向的調節,以實現調節膠材的螢光激發效率。
作為較佳的實施方案,第一偏振調節元件103和第二偏振調節元件104均包含可旋轉調節的1/2波片902,透過旋轉1/2波片902角度改變其快軸(或慢軸)與激發光偏振方向的夾角,以改變激發光束的偏振方向,達到調節膠材的螢光激發效率的目的。如圖5所示,顯示了激發光光源和1/2波片902快(慢)軸夾角與某一特定生色團的螢光激發效率之間的關係,其中峰值夾角θ0與生色團種類有關。並且,由於實際膠材中不可能只有一種生色團,因此實際材料的螢光激發效率最低點不會是0。本領域具有通常知識者可以理解的是,本申請中對於偏振調節元件並不局限於為可旋轉調節的1/2波片902,可以進一步是其他能夠改變光源偏振特性的調節元件和調節方式,例如可以為整組替換不同旋轉角度的1/2波片902等。
較佳地,第一偏振調節元件103和第二偏振調節元件104可以均採用手動調節的方式。如圖4所示,偏振調節元件可以包含支架901、1/2波片902 和安裝環903,1/2波片902固定安裝在安裝環903內,安裝環903連接在支架901上,並且安裝環903相對於支架901可轉動,例如可以在安裝環903的邊緣開設小孔9031,透過撥動小孔9031並旋轉,以實現對1/2波片902的旋轉。此外,可以進一步在安裝環903靠近其邊緣的表面設置刻度,並在支架901靠近安裝環903邊緣的部分設置刻線9011,刻線9011與刻度配合可以實現對1/2波片902旋轉角度的標定,這樣可以實現對每種待測膠材標定螢光激發效率最高的1/2波片902旋轉位置。在實際測量時,根據晶片80的膠材種類將1/2波片902旋轉至標定好的位置,以盡可能實現大的檢測效率和合適的相機響應為依據,調整合適的光源功率,對晶片80進行掃描和拍圖,並可以配合可見光拍攝結果進行缺陷的二次確認。在本實施例中,偏振調節元件除了可以採用上面提到的手動調節方式外,可以進一步最佳化為自動調節方式,使用馬達和控制軟體來改變1/2波片902的旋向。
較佳地,圖像採集模組60可以包含線掃描相機61,即配合上述提到的線光斑掃描方式進行線掃描圖像採集。如圖3所示,採用線掃描的模式對晶片80進行掃描檢測,線光斑201沿掃描方向X進行運動,線掃描相機61相應的進行同步匹配運動。並且,除了方向X的線掃描外,可以進一步配合承載晶片80的運動台的方向Y步進運動,實現對晶片80方向Y的線掃描,從而完成整個晶片80的掃描與採圖。此外,圖像採集模組60除了可以包含線掃描相機61外,選配相機的種類和數量不限,例如可以進一步包含小視場面陣相機62,可以對晶片80進行監控,並對晶片80的局部區域進行觀察。當包含多個相機時,本申請的圖像採集模組60可以進一步配置額外的第二分光棱鏡63,將物鏡輸出的光訊號進行分束,以分別輸送至不同的相機中進行成像。另外,為了節省裝置的空間,可以進一步在物鏡後組43與圖像採集模組60之間設置一反射鏡50,對物鏡輸出的光進行光路改變。
較佳地,線掃描相機61可以為彩色線掃描相機。當晶片80包含多種膠材或多層結構時,利用相機的顏色訊息可以分辨出材料種類及其對應的厚度位置。如圖6所示,為彩色相機螢光拍攝的螢光圖像,拍攝對象中有兩種膠材,分別對應了圖中的兩種螢光顏色,由於圖片限制,顯示為黑白色,但實際圖6中的兩個螢光光斑應當為兩種不同的顏色。當然,本領域具有通常知識者可以理解的是,若無需分辨膠材種類及厚度,線掃描相機61也可以使用非彩色線掃描相機。
綜上所述,在本創作實施例提供的掃描螢光檢測裝置中,透過設置激發光源模組產生激發光束,此激發光束的波長可以根據晶片表面的有機物進行調整,使具有上述波長的激發光束引起晶片上有機物光致發光效率最高,從而實現最大程度的提高待檢測晶片上膠材檢測範圍。並且,本創作進一步提供了包含至少兩種不同波長的激發光束,並可以根據需要選擇其中一種能引起晶片上有機物光致發光效率最高的激發光束,以進一步實現對晶片上不同膠材的螢光激發效率最佳化,並提高晶片螢光圖案的相機響應。對晶片膠材種類和厚度進行判斷,從而進行缺陷檢測,並使晶片檢測範圍擴大,提升一次檢出率和產率,可以實現一台設備檢測出現有製程中常用的幾乎所有膠材。此外,可以進一步透過設置明場照明模組,與螢光檢測相配合,以實現對晶片表面缺陷的精確定位。並且,透過進一步設置偏振調節元件對激發光束的偏振方向進行調節,以進一步實現調節膠材的螢光激發效率,使螢光檢測時晶片膠材更加接近最佳螢光激發效率,從而使晶片訊息能夠被更多的且更準確的檢出。
上述說明僅是對本創作較佳實施例的說明,並非對本創作範圍的任何限定,本創作領域具有通常知識者根據上述揭示內容做的任何變更及修飾,均屬於本創作申請專利範圍的保護範圍。
10:激發光源模組
101:第一光源
102:第二光源
105:第一合束元件
20:第一光路整形模組
30:第二合束元件
40:光收集模組
41:物鏡前組
42:分光棱鏡
43:物鏡後組
50:反射鏡
60:圖像採集模組
61:線掃描相機
62:小視場面陣相機
63:第二分光棱鏡
70:明場照明模組
71:可見光光源
72:第二光路整形模組
80:晶片

Claims (15)

  1. 一種掃描螢光檢測裝置,其沿光束傳播方向依序包含:一激發光源模組,用於產生包含至少一種波長的一激發光束,並至少將其中一種波長的該激發光束發出至一第一光路整形模組;該第一光路整形模組,用於接收該激發光束並形成一第一光斑,該第一光斑用於照射到一晶片上使該晶片表面的有機物產生一螢光;一光收集模組,用於收集來自該晶片表面的有機物產生的該螢光;以及一圖像採集模組,用於接收該光收集模組輸出的該螢光並進行成像。
  2. 如請求項1所述之掃描螢光檢測裝置,其中該激發光源模組用於產生包含至少兩種波長的該激發光束,並選擇其中一種波長的該激發光束發出傳遞給該第一光路整形模組;其中,其中一種波長的該激發光束為引起該晶片上有機物光致發光效率高於至少兩種波長中其它波長的該激發光束引起該晶片上有機物光致發光效率。
  3. 如請求項2所述之掃描螢光檢測裝置,其中該激發光源模組至少包含一第一光源、一第二光源和一第一合束元件,該第一光源用於發出具有一第一波長的一第一光束,該第二光源用於發出具有一第二波長的一第二光束,該第一光束或該第二光束經該第一合束元件後照射至該第一光路整形模組; 該第一光路整形模組包含一第一光斑生成元件,該第一光斑生成元件用於將接收的該激發光束整形以形成該第一光斑。
  4. 如請求項3所述之掃描螢光檢測裝置,其中該第一光斑為一線光斑。
  5. 如請求項3所述之掃描螢光檢測裝置,其中該第一合束元件為二向色鏡。
  6. 如請求項1所述之掃描螢光檢測裝置,其中該光收集模組包含一物鏡組,該物鏡組包含一物鏡前組、一分光棱鏡和一物鏡後組,該分光棱鏡設置於該第一光路整形模組與該物鏡前組之間,該第一光斑經該分光棱鏡反射後進入該物鏡前組,並穿過該物鏡前組照射到該晶片上使該晶片表面的有機物產生一螢光,該螢光經該物鏡前組後照射到該分光棱鏡並透射,透射出該分光棱鏡的該螢光經該物鏡後組後進入該圖像採集模組成像。
  7. 如請求項6所述之掃描螢光檢測裝置,其中該分光棱鏡的膜層對波長小於λ1的光反射,對波長大於λ2的光透射,該激發光源模組產生的光束的波長小於λ1,該螢光的波長大於λ2。
  8. 如請求項1所述之掃描螢光檢測裝置,其進一步包含一明場照明模組,該明場照明模組用於產生一第二光斑,該第二光斑用於照射到該晶片上形成一反射光束,該光收集模組進一步用於收集該反射光束,該圖像採集模組進一步用於接收該光收集模組輸出的該反射光束進行成像。
  9. 如請求項8所述之掃描螢光檢測裝置,其中該第二光斑為可見光光斑,該明場照明模組包含一可見光光源和一第二光路整 形模組,該可見光光源產生的可見光束經該第二光路整形模組以生成該第二光斑。
  10. 如請求項8所述之掃描螢光檢測裝置,其中該第二光斑為一線光斑。
  11. 如請求項8所述之掃描螢光檢測裝置,其進一步包含一第二合束元件,該第二合束元件設置於該第一光路整形模組後,該第一光路整形模組形成的該第一光斑經該第二合束元件後照射到該晶片上使該晶片表面的有機物產生該螢光,該明場照明模組形成的該第二光斑經該第二合束元件後照射到該晶片上形成該反射光束。
  12. 如請求項3所述之掃描螢光檢測裝置,其中該激發光源模組進一步包含一第一偏振調節元件和一第二偏振調節元件;該第一偏振調節元件用於調節該第一光源發出的該第一光束的偏振方向,該第二偏振調節元件用於調節該第二光源發出的該第二光束的偏振方向。
  13. 如請求項12所述之掃描螢光檢測裝置,其中該第一偏振調節元件和該第二偏振調節元件均包含可旋轉調節的一1/2波片。
  14. 如請求項13所述之掃描螢光檢測裝置,其中該第一偏振調節元件進一步包含一支架和一安裝環,該1/2波片固定安裝在該安裝環內,該安裝環連接在該支架上,並且該安裝環相對於該支架可轉動。
  15. 如請求項1所述之掃描螢光檢測裝置,其中該圖像採集模組包含一線掃描相機,該線掃描相機包含黑白線掃描相機或彩色 線掃描相機。
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