TWM588784U - 具環牆及摺緣之薄型均溫板結構 - Google Patents

具環牆及摺緣之薄型均溫板結構 Download PDF

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何信威
張中彥
謝明魁
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威銓博科技股份有限公司
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Abstract

本創作係提供一種具環牆及摺緣之薄型均溫板結構,其主要特點包括一基板及一蓋板,其中該基板與該蓋板彼此相對,該基板周緣向該蓋板方向翻摺形成一無縫的環牆,該環牆向該基板之一表面側向翻摺形成一摺緣,且該摺緣與該表面貼靠,該蓋板與該摺緣密接,據使該基板與該蓋板之間形成一腔室,該腔室內部設有工作流體,該工作流體用於吸收及釋放熱能。 藉由該環牆及該摺緣,能夠形成具有更大面積的該腔室,提高均溫效率。

Description

具環牆及摺緣之薄型均溫板結構
本創作係涉及一種薄型散熱構造;特別是指一種具環牆及摺緣之薄型均溫板結構之創新結構型態揭示者。
均溫板是一種應用於電子設備的熱能傳遞構造,習知均溫板包括彼此相接的一基板及一蓋板,該基板與該蓋板之間形成一腔室,該基板與該蓋板於該腔室周緣密接結合形成一封邊,該腔室內部設有工作流體及芯吸結構,該工作流體用於吸收及釋放熱能,該芯吸結構用於導引該工作流體流動,藉由該工作流體吸熱及放熱時產生相變,快速且大量地吸收所述電子設備產生的熱能,並將熱能快速地分散形成均溫。
該封邊的形成方法主要為:首先對該蓋板周緣沖壓加工,使該蓋板周緣向著該基板的方向凸出形成一靠緣,該靠緣較該蓋板的中央部份更為接近該基板,而後將該蓋板與該基板相靠,該蓋板與該基板之間遂於中央部份形成該腔室,再於該基板周緣向該靠緣背面翻摺形成一夾邊,使該靠緣夾設於該夾邊與該基板之間,而後於該靠緣背面與該夾邊鄰接處施設焊料並以保護氣體進行硬焊(Brazing),使該焊料滲入該靠緣與夾邊之間及該靠緣與該基板之間,或以真空熱壓製程進行擴散接合(Diffusion Bonding),藉此接合該夾邊、該靠緣及該基板形成該封邊。
查,該習知均溫板技術於實際應用經驗中發現仍舊存在下述問題與缺弊:由於該習知均溫板主要是藉由該腔室內的該工作流體吸熱及放熱時的相變,快速且大量地吸收熱能,並將熱能快速地分散形成均溫,該封邊雖然也能夠吸熱及放熱,但是該封邊的吸熱及放熱效率明顯低於該工作流體,如何降低該封邊所佔用的面積,使該基板及該蓋板能夠形成具有更大面積的該腔室,遂成為重要的課題。
是以,針對上述習知均溫板之封邊技術所存在之問題點,如何研發出一種能夠更具理想實用性之創新構造及技術,實有待相關業界再加以思索突破之目標及方向者;有鑑於此,創作人本於多年從事相關產品之製造開發與設計經驗,針對上述之目標,詳加設計與審慎評估後,終得一確具實用性之本創作。
本創作之主要目的,係在提供一種具環牆及摺緣之薄型均溫板結構,其所欲解決之技術問題,係針對如何研發出一種提高均溫板之均溫效率,更具理想實用性之新式薄型均溫板結構為目標加以思索創新突破。
基於前述目的,本新型係提供一種具環牆及摺緣之薄型均溫板結構,包括一基板及一蓋板,其中該基板與該蓋板彼此相對,該基板周緣向該蓋板方向翻摺形成一無縫的環牆,該環牆向該基板鄰向該蓋板之一表面側向翻摺形成一摺緣,且該摺緣與該表面貼靠,該蓋板於周緣鄰接部份與該摺緣密接,據使該基板與該蓋板之間形成一腔室,該腔室內部設有工作流體,該工作流體用於吸收及釋放熱能。
藉此創新獨特設計,使本創作對照先前技術而言,本創作之主要效果與優點,係能夠形成具有更大面積的該腔室,據此提高均溫效率,達到之實用進步性。
請參閱第1圖至第4圖係例示本創作具環牆及摺緣之薄型均溫板結構的較佳實施例及其製造方法,第5圖及第6圖係例示說明基於前述較佳實施例變化之另一實施例及其製造方法,惟此等實施例僅供說明之用,在專利申請上並不受此結構之限制
如第1圖至第3圖所示,本創作具環牆及摺緣之薄型均溫板結構的較佳實施例,包括一基板10及一蓋板20,其中該基板10與該蓋板20彼此相對,該基板10周緣向該蓋板20方向翻摺形成一無縫的環牆12,該環牆12向該基板10鄰向該蓋板20之一表面14側向翻摺形成一摺緣16,且該摺緣16與該表面14貼靠,該蓋板20於周緣鄰接部份與該摺緣16密接,據使該基板10與該蓋板20之間形成一腔室30,該腔室30內部設有工作流體(圖中未示),該工作流體用於吸收及釋放熱能。
該基板10向該蓋板20方向形成該環牆12,再藉由該環牆12向該基板10的該表面14翻摺形成該摺緣16,藉由該環牆12及該摺緣16圍設於該腔室30的周緣,如此一來,該環牆12及該摺緣16相對於該腔室30而言,該環牆12及該摺緣16所佔用的面積比例得以較習知均溫板技術之封邊明顯降低,相同面積的該基板10及該蓋板20,本創作可形成較習知均溫板具有更大面積的該腔室30,據此提高均溫效率。
本例中,令該摺緣16之寬度為W,該基板10之厚度為 t,則W=1 t ~5 t,藉由該摺緣16之寬度W與該基板10之厚度t之間的比例關係,該摺緣16之寬度W得以儘可能地降低,藉此儘可能地提高均溫效率;再者,該腔室30內部設有數個短柱32,各該短柱32分別與該基板10及該蓋體20相接,據此,該工作流體由於吸熱或放熱而產生相變時的體積變化,使得該工作流體對該基板10及該蓋板20形成相對壓力,可藉由各該短柱32提高該基板10與該蓋板20之間的結合強度。
如第1圖至第4圖所示,前述具環牆及摺緣之薄型均溫板結構之較佳實施例的製造方法,包括下列製程:
基板製備:選用熱傳導率高的金屬板材作為一基板10。
環牆及摺緣成型:該基板10周緣翻摺,形成一無縫之環牆12,而後該環牆12向該基板10之一表面14側向翻摺形成一摺緣16,且該摺緣16與該表面14貼靠。
蓋板製備:選用熱傳導率高的金屬板材作為一蓋板20。
疊靠:該蓋板20與該基板10相對,且該蓋板20疊靠於該摺緣16,據使該蓋板20與該基板10之間形成一腔室30。
接合:該基板10與該蓋板20接合;對該環牆12與該蓋板20鄰接處施設焊料40,再施以保護氣體進行硬焊,使該焊料40滲入該蓋板20與該環牆12及該摺緣16之間,該焊料40與該蓋板20、該環牆12及該摺緣16結合。
注液除氣:對該腔室30注入工作流體,並抽取該腔室30內部的空氣,使該腔室30形成真空狀態,據此構成具環牆及摺緣之薄型均溫板結構。
前述接合製程,亦可選擇置換為利用真空熱壓法進行擴散接合,使該摺緣16與該蓋板20接合。
第5圖所示為具環牆及摺緣之薄型均溫板結構的另一實施例,本例主要不同於較佳實施例之構成在於,該摺緣16形成數道接縫18,據使該環牆12翻摺形成平整狀態之該摺緣16。
如第6圖所示,具環牆及摺緣之薄型均溫板結構的另一實施例的製造方法係由前述較佳實施例之製造方法變化而得,主要不同處在於,基板製備製程中,該基板10於邊緣形成數個凹口19,據此,該環牆及摺緣成型製程中,該環牆12側向翻摺形成該摺緣16時,藉由各該凹口19的形成,避免由於擠料而形成縐摺,使得該摺緣16得以形成平整狀態,且由於該基板10預先形成各該凹口19,該摺緣16形成時,各該凹口19的兩側緣相對靠合,而形成了數道該接縫18。
10‧‧‧基板 12‧‧‧環牆 14‧‧‧表面 16‧‧‧摺緣 18‧‧‧接縫 19‧‧‧凹口 20‧‧‧蓋板 30‧‧‧腔室 32‧‧‧短柱 40‧‧‧焊料 W‧‧‧寬度 t‧‧‧厚度
第1圖係本創作具環牆及摺緣之薄型均溫板結構較佳實施例之立體分解圖。 第2圖係本創作具環牆及摺緣之薄型均溫板結構較佳實施例之基板的部份剖視圖。 第3圖係本創作具環牆及摺緣之薄型均溫板結構較佳實施例於環牆部份之部份剖視圖。 第4圖係本創作具環牆及摺緣之薄型均溫板結構較佳實施例之製造方法的流程圖。 第5圖係本創作具環牆及摺緣之薄型均溫板結構另一實施例之立體分解圖。 第6圖係本創作具環牆及摺緣之薄型均溫板結構另一實施例之製造方法之基板成型環牆狀態的立體圖。
10‧‧‧基板
12‧‧‧環牆
14‧‧‧表面
16‧‧‧摺緣
20‧‧‧蓋板
32‧‧‧短柱

Claims (4)

  1. 一種具環牆及摺緣之薄型均溫板結構,包括一基板及一蓋板,其中該基板與該蓋板彼此相對,該基板周緣向該蓋板方向翻摺形成一無縫的環牆,該環牆向該基板鄰向該蓋板之一表面側向翻摺形成一摺緣,且該摺緣與該表面貼靠,該蓋板於周緣鄰接部份與該摺緣密接,據使該基板與該蓋板之間形成一腔室,該腔室內部設有工作流體,該工作流體用於吸收及釋放熱能。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具環牆及摺緣之薄型均溫板結構,其中該摺緣之寬度為W,該基板之厚度為 t,W=1 t ~5 t。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之具環牆及摺緣之薄型均溫板結構,其中該腔室內部設有數個短柱,各該短柱分別與該基板及該蓋體相接。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之具環牆及摺緣之薄型均溫板結構,其中該摺緣形成數道接縫,據使該環牆翻摺形成平整狀態之該摺緣。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI742433B (zh) * 2019-09-23 2021-10-11 威銓博科技股份有限公司 具環牆及摺緣之薄型均溫板結構及其製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI742433B (zh) * 2019-09-23 2021-10-11 威銓博科技股份有限公司 具環牆及摺緣之薄型均溫板結構及其製造方法

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