TWM588593U

TWM588593U - 壓合治具

Info

Publication number: TWM588593U
Application number: TW108211337U
Authority: TW
Inventors: 王裕賢
Original assignee: 竑騰科技股份有限公司
Priority date: 2019-08-27
Filing date: 2019-08-27
Publication date: 2020-01-01

Abstract

一種壓合治具，其包括下模、設於下模上方的上模，以及設於上模中能上下運動的活動壓塊，下模與能相對於上模上下運動，其中利用下模之下模本體頂部設置分別對應活動壓塊之下模塊，每一下模塊於其實質為矩形之模塊基部四角隅分別形成延伸支撐部，四個延伸支撐部的外周緣延伸至對應待壓物件之元件定位區的邊界，藉此，使每一下模塊能對其承載的待壓合物件的邊角部位提供佳的支撐性能，讓待壓合物件周邊各角隅處能於壓合治具中接受足夠的壓合力量而達到較佳的熱壓合效果，以避免壓合後物件邊角因壓合力量不足而發生翹曲之問題。

Description

壓合治具

本新型係關於一種壓合治具，尤指一種應用於包含基板與散熱片之半導體元件或其他元件之壓合作業使用之壓合裝置中，基板與散熱片能完全平貼之壓合治具。

如高頻半導體元件等，其工作通常會伴隨著產生的高溫。為確保半導體元件能處於適當的工作溫度下運作，避免因高溫而損毁或降低其性能，除了須利用外部的散熱機構提供冷卻散熱效果之外，基於散熱性能的需求，現有半導體元件本身之構裝結構中，通常在其具有半導體晶片的基板上增設散熱片，藉以使具有半導體晶片的基板產生的熱通過散熱片擴大散熱表面積而輔助散熱。

目前半導體元件構裝製程之基板上壓合散熱片程序中，其需於具有半導體晶片的基板頂面周緣先行塗佈導熱膠，再將散熱片預貼合於該基板上，再將已貼合有散熱片的半導體元件置放於元件承載盤上，藉由元件承載盤承載而移置於半導體元件壓合機的壓合治具中，由壓合治具中之上模與下模相對壓合半導體元件的基板與散熱片及加熱作用，完成熱壓合步驟後，將置放有半導體元件的元件承載盤自半導體元件壓合機中取出。

前述半導體元件壓合機中之壓合治具，雖能藉由推頂機構對下模提供向上推頂力量以及壓力供給機構對上模的壓塊提供向下壓力，使壓合治具之上模中的壓塊與下模能將半導體元件的散熱片熱壓固定於基板上，但是現有半導體元件壓合機中之壓合治具之構造，對半導體元件的散熱片與基板的執行壓合作用時，壓合治具僅能對散熱片與基板相對貼合的中間區域施以熱壓合作用，難以擴及至基板與散熱片相對貼合部位的周邊及各角隅處，造成基板與散熱片相對貼合部位的各角隅部位未受到足夠的壓合力量，以及熱壓動作中之薄形基板與散熱片受熱變形的影響，使得熱壓合後半導體元件的散熱片與基板相對貼合部位的各角隅部位易發生翹曲現象，不僅影響半導體元件之外觀品質，也使半導體晶片的基板中的熱難以均衡地傳導至散熱片上散熱，而會發生散熱不均的現象，實有進一步克服改善之必要。

本新型之目的在於提供一種壓合治具，用以解決現有壓合治具難以對被壓合之物件周邊各角隅處提供足夠的壓合力量而易發生翹曲現象之問題。

為了達成前述目的，本新型所提出之壓合治具係包括一下模、設於該下模上方的一上模，以及設於該上模中能上下運動的至少一活動壓塊，該下模與能相對於該上模上下運動，其中：該下模包括：一下模本體，其界定有一載盤定位區間以及位於該載盤定位區間內之至少一元件定位區：至少一下模塊，其係設於該下模本體的頂面且位於所述元件定位區內向上凸伸，所述下模塊包括一模塊基部以及四延伸支撐部，該模塊基部實質為一矩形塊體，該模塊基部之各周邊與其側鄰之所述元件定位區的邊界各具有一間距，該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部的四個角隅處且朝外凸伸，該四個延伸支撐部的外周緣實質延伸至所述元件定位區的邊界；以及至少一氣流通道，其係設於該下模本體中且延伸至所述下模塊的頂面而形成一抽氣孔；該上模包括一上模板，該上模板中形成至少一通孔，所述通孔之數量及位置相對應於該下模的元件定位區；所述活動壓塊係能上下運動地設置於該上模之通孔中，且每一所述活動壓塊的位置對應其下方的一所述下模塊，所述活動壓塊底面與相應的下模塊的頂面平行且能上下相對位移。

藉由前述壓合治具之創作，其主要係利用下模之下模本體頂部設置分別對應活動壓塊之下模塊，每一下模塊於其實質呈矩形的模塊基部四角隅分別形成延伸支撐部，四個延伸支撐部的外周緣延伸至對應待壓物件之元件定位區的邊界，藉此，使每一下模塊能對其承載的待壓合物件的邊角部位提供佳的支撐性能，讓待壓合物件周邊各角隅處能於壓合治具中接受足夠的壓合力量而達到較佳的熱壓合效果，以避免壓合後物件邊角因壓合力量不足而發生翹曲之問題。

本新型壓合治具中，還可進一步包括一中模，該中模係能上下運動地設置於上模與下模之間，該中模於其中模板中形成至少一對位孔，每一所述對位孔相對應於該下模的元件定位區，且能與上模位置對應的通孔相連通，對位孔之底緣形成由內朝外側向傾斜的導斜面，藉以使被頂升的待壓合物件對位置入於中模板的對位孔內，接受上方的活動壓塊施加之下壓力量，確保待壓合物件於壓合過程中，待壓合物件中之部件能確實對正壓合而不致發生部件偏斜之問題。

如圖1所示，其揭示本新型壓合治具之一較佳實施例，由圖式中可見及，該壓合治具30係配合一元件承載盤10及其上承載之至少一待壓合的半導體元件20而設定的。其中，所述元件承載盤10界定有至少一元件置放區11，所述元件承載盤10於每一元件置放區11放置一半導體元件20，所述元件承載盤10於每一元件置放區11中形成一元件孔111、分布於該元件孔111四側邊的承載邊112，以及位於元件孔111四個角隅處且與元件孔111相連通的貫穿孔113，所述元件承載盤10周邊還具有複數對位貫孔115，所述元件藉由承載邊112承載半導體元件20，並藉由每一元件置放區11周邊的多個定位針114對待壓合之半導體元件20作初步定位。

如圖1所示，該壓合治具30包括一下模40、一上模50以及至少一活動壓塊60。

如圖1及圖2所示，該下模40包括一下模本體41、至少一下模塊42以及至少一氣流通道，該下模本體41界定有一載盤定位區間400以及位於該載盤定位區間400內之至少一元件定位區401，所述元件定位區401的數量係依據該元件承載盤10所承載之半導體元件的數量而設定，且所述元件定位區401係對應於半導體元件的外形及尺寸，所述下模塊42係設於該下模本體41的頂面且位於所述元件定位區401內向上凸伸，所述氣流通道設於下模本體41中且延伸至所述下模塊42的頂面而形成一抽氣孔43。

如圖1及圖2所示，前述中，每一所述下模塊42係能通過元件承載盤10中預設的一元件孔111，用以承載一半導體元件20，所述下模塊42包括一模塊基部421以及四延伸支撐部422，該模塊基部421實質為一矩形塊體，該模塊基部421之各周邊與其側鄰之所述元件定位區的邊界各具有一間距，亦即該模塊基部421的頂面的面積略小於半導體元件底部的底面積，該四個延伸支撐部422分別形成於該模塊基部421的四個角隅處且朝外凸伸，且該四個延伸支撐部422的外周緣實質延伸至所述元件定位區401的邊界，所述下模塊42能通過所述元件承載盤10之元件孔111及其四角隅處相連通的貫穿孔113。

如圖1及圖2所示，前述中，所述下模本體41的頂面之相對兩側於該載盤定位區間400的邊界外緣處各形成向上凸伸的至少一載盤限位擋部411，該下模本體41的頂面於該載盤定位區間400內相對於所述元件定位區401外圍處分布設置複數對位穿設柱412，該下模本體41的頂部於載盤定位區間400內設置複數伸縮支撐組件413。

如圖1所示，前述中，所述伸縮支撐組件413可選用已知具有伸縮功能之組件。於本較佳實施例中，所述伸縮支撐組件413包含一支撐柱以及一位於該支撐柱下端的彈簧，所述支撐柱藉由彈簧供給的彈力，使所述支撐柱能伸出下模本體41的頂面用以支撐元件承載盤10，且所述支撐柱能受向下的壓力而縮入下模本體的頂面。

如圖1所示，該上模50係設置於該下模40的上方，該上模50包括一上模板51，該上模板51中形成至少一通孔511，所述通孔511之數量及位置係相對應於該下模40的元件定位區401。

如圖1所示，所述活動壓塊60係能上下直線運動地設置於所述通孔511中，且每一所述活動壓塊60的位置對應其下方的一所述下模塊42，所述活動壓塊60底面與相應的下模塊42的頂面平行且能上下相對位移。

關於前述壓合治具30較佳實施例應用於壓合裝置中執行半導體元件之熱壓合作業情形，該壓合治具係以上模裝設於該壓合裝置之壓力供給機構之基座底部，壓力供給機構中之每一壓力單元分別連接位於該上模中相應位置的活動壓塊，該下模位於上模的下方且連接該壓合裝置之升降驅動機構(圖未示)，前述壓合裝置之壓力供給機構與升降驅動機構等可以選用已知的機構，且非屬本新型創作之部分，於此不再贅述。

當壓合治具之上模與下模上下分離的起始狀態下，上模與下模之間具有一預定大小的空間，提供承載至少一待壓合半導體元件的元件承載盤移置於下模的頂部定位，所述元件承載盤於每一元件置放區放置一半導體元件，所述半導體元件包含一具有晶片的基板、一導熱膠以及一散熱片，所述導熱膠係預先塗布於該基板頂面周緣，散熱片藉由導熱膠黏著於該基板頂面，且所述導熱膠未經壓合之前係呈未固化之狀態。其次，藉由升降驅動機構推頂下模的升降運動，結合受壓力的活動壓塊，於加熱的環境中，執行半導體元件之散熱片與基板間之熱壓合作業，並藉由活動壓塊與下模的下模塊相對夾擠力量，使半導體元件之散熱片與基板熱壓固接一體。

如圖3所示之另一較佳實施例，該壓合治具30還可進一步包括一中模70，該中模70係能上下運動地設置於上模50與下模40之間。該中模70包括一中模板71，該中模板71中形成至少一對位孔711，所述對位孔711之數量及位置係相對應於該下模40的元件定位區401，且能與上模50位置對應的通孔511相連通，所述對位孔711之底緣形成由內朝外側向傾斜的導斜面712。該中模板71還可分布設置複數個伸縮壓抵組件72，複數所述伸縮壓抵組件72能凸伸中模板71的底面以及縮入中模板71內。

所述伸縮壓抵組件72可選用已知具有伸縮功能之組件。於本較佳實施例中，所述伸縮壓抵組件72包含一壓抵柱以及一位於該壓抵柱上端的彈簧，所述壓抵柱藉由彈簧供給的彈力，使所述壓抵柱能伸出中模板71的底面，用以壓抵元件承載盤10，且所述壓抵柱能受向上推力而縮入中模板71的底面。

如圖3至圖5所示，有關前述具有中模70之壓合治具30另一較佳實施例應用於壓合裝置中執行半導體元件之熱壓合作業情形，該壓合治具30係以上模50裝設於該壓合裝置之壓力供給機構80之基座81底部，壓力供給機構80中之每一壓力單元82分別連接位於該上模50中相應位置的活動壓塊60，該中模70係能裝設於基座81底部且位於上模50下方，中模與其上方的上模之間具有一間距，中模70能相對於上模50有限距離上下運動，且中模70連接基座81中的升降驅動組件83，該下模40位於中模70的下方且連接該壓合裝置之升降驅動機構(圖未示)，前述壓合裝置之壓力供給機構80與升降驅動機構等可以選用已知的機構，且非屬本新型創作之部分，於此不再贅述。

如圖5至圖7所示，於啟始狀態下，該下模40位於設於壓力供給機構80的基座81中的上模50與中模70的正下方，下模40與中模70之間上下間隔相對而具有一預定的空間。當承載有半導體元件的元件承載盤10經由該空間被移置於下模40的頂部時，元件承載盤10藉由下模40之下模本體41頂部相對兩側的載盤限位擋部411限位，以及由對位穿設柱412分別對位設於元件承載盤10的對位貫孔115而對位，同時，藉由下模本體41頂部複數伸縮支撐組件413頂舉支撐元件承載盤10，使元件承載盤10位於下模本體41頂面上方，元件承載盤10底面與下模本體41頂面之間具有間距而未接觸，元件承載盤10上之元件孔111分別對應下模塊42，元件承載盤10上的半導體元件20四角隅部位分別對應於。

如圖5至圖8所示，係由升降驅動機推頂下模40及其上置放有半導體元件20的元件承載盤10一同上升，當中模70之伸縮壓抵組件72對應抵接元件承載盤10之對位貫孔115時，利用複數伸縮壓抵組件72對元件承載盤10再次對位。

其次，下模40及其上置放有半導體元件20的元件承載盤10持續被推頂而朝中模70上升，當位於下模40上的元件承載盤10中的半導體元件20開始進入中模70的中模板71的元件對位孔711的過程中，元件承載盤10因被複數伸縮壓抵組件72施以壓抵作用，以及下模40持續被推頂上升，使元件承載盤10壓抵位於下模本體41頂部的伸縮支撐組件413縮入下模本體41頂面，進而使元件承載盤10抵靠在下模本體41頂面。另一方面，下模40之下模塊42通過元件承載盤10的元件孔111而推舉半導體元件20進入中模板71的元件對位孔711，於半導體元件20上升進入中模70之元件對位孔711的過程中，利用中模板71的元件對位孔711底緣的導斜面712導正半導體元件20之位置，使半導體元件20的散熱片22與基板21能夠上下精確對位。

如圖8及圖9所示，下模40及其上置放有半導體元件20的元件承載盤10一同持續上升，使半導體元件20完全進入中模70的元件對位孔711中，元件承載盤10被夾持於中模70之中模板71與下模40之下模本體41之間，下模塊42也伸入中模70的元件對位孔711中，另藉由外部抽氣設備通過下模40的下模塊42中的抽氣孔43對半導體元件20中位置在下的基板21施以吸附作用，使基板21平置地被固定於下模塊42的頂面上，且基板21四角隅部位分別抵靠在下模塊42相應位置的延伸支撐部422上，

如圖8至圖9所示，下模40及其上置放有半導體元件20的元件承載盤10持續被推頂上升預定高度，設於基座81中的升降驅動組件83帶動中模70伴隨著下模40一同上升，以及經由下模塊42對半導體元件20施以向上的推頂力量，使壓力供給機構80中的壓力單元82脫離基座81的支撐而通過活動壓塊60對半導體元件20施以下壓力，使半導體元件20受到上下夾擊的作用力，進而壓縮半導體元件之散熱片22與基板21之間的間隙，以及擠壓位於散熱片22與基板21之間的導熱膠擴散，其中，藉由中模70的對位孔711的導引作用，使半導體元件能在受熱環境中均勻地被壓合，直至導熱膠於壓合作用中逐漸固化而將散熱片22穩固黏著在基板21上定型。

如圖9及圖10所示，半導體元件20完成熱壓合至定型後，藉由升降驅動機構帶動下模40下降復位，設於基座81中的升降驅動組件83帶動中模70伴隨著下模40一同下降復位，當位於下模40上的元件承載盤10脫離中模70的伸縮壓抵組件72後，下模40之伸縮支撐組件413即推頂元件承載盤10上升，直至完成壓合後定型的半導體元件20重為元件承載盤10承載，同時停止通過下模塊42對半導體元件20的基板21的抽氣吸附作用，使半導體元件20完全由元件承載盤10承載並脫離下模40的下模塊42，並在下模40下降復位後，將承載完成壓合後半導體元件20的元件承載盤10移離下模40，即完成半導體元件的壓合作業。

10‧‧‧元件承載盤 11‧‧‧元件置放區 111‧‧‧元件孔 112‧‧‧承載邊 113‧‧‧貫穿孔 114‧‧‧定位針 115‧‧‧對位貫孔 20‧‧‧半導體元件 21‧‧‧基板 22‧‧‧散熱片 30‧‧‧壓合治具 40‧‧‧下模 400‧‧‧載盤定位區間 401‧‧‧元件定位區 41‧‧‧下模本體 411‧‧‧載盤限位擋部 412‧‧‧對位穿設柱 413‧‧‧伸縮支撐組件 42‧‧‧下模塊 421‧‧‧模塊基部 422‧‧‧延伸支撐部 43‧‧‧抽氣孔 50‧‧‧上模 51‧‧‧上模板 511‧‧‧通孔 60‧‧‧活動壓塊 70‧‧‧中模 71‧‧‧中模板 711‧‧‧對位孔 712‧‧‧導斜面 72‧‧‧伸縮壓抵組件 80‧‧‧壓力供給機構 81‧‧‧基座 82‧‧‧壓力單元 83‧‧‧升降驅動組件

圖1係本新型壓合治具之一較佳實施例與具有待壓合半導體元件的元件承載盤之立體分解示意圖。圖2係圖1所示壓合治具較佳實施例中之下模俯視平面示意圖。圖3係圖1所示壓合治具增設活動中模之另一較佳實施例與具有待壓合半導體元件的元件承載盤之的立體分解示意圖。圖4係圖3所示壓合治具較佳實施例應用於壓合裝置中之平面示意圖。圖5係圖3所示壓合治具較佳實施例應用於壓合裝置中對元件承載盤上的待壓合半導體元件執行熱壓合作業之使用狀態參考圖(一)。圖6係圖5的局部剖面示意圖。圖7係圖6的放大圖。圖8係圖3所示壓合治具較佳實施例應用於壓合裝置中對元件承載盤上的待壓合半導體元件執行熱壓合作業之使用狀態參考圖(二)。圖9係圖3所示壓合治具較佳實施例應用於壓合裝置中對元件承載盤上的待壓合半導體元件執行熱壓合作業之使用狀態參考圖(三)。圖10係圖3所示壓合治具較佳實施例應用於壓合裝置中對元件承載盤上的待壓合半導體元件執行熱壓合作業之使用狀態參考圖(四)。

10‧‧‧元件承載盤

11‧‧‧元件置放區

111‧‧‧元件孔

112‧‧‧承載邊

113‧‧‧貫穿孔

114‧‧‧定位針

115‧‧‧對位貫孔

20‧‧‧半導體元件

30‧‧‧壓合治具

40‧‧‧下模

41‧‧‧下模本體

411‧‧‧載盤限位擋部

412‧‧‧對位穿設柱

413‧‧‧伸縮支撐組件

42‧‧‧下模塊

421‧‧‧模塊基部

422‧‧‧延伸支撐部

43‧‧‧抽氣孔

50‧‧‧上模

51‧‧‧上模板

511‧‧‧通孔

60‧‧‧活動壓塊

Claims

一種壓合治具，其包括一下模、設於該下模上方的一上模，以及設於該上模中能上下運動的至少一活動壓塊，該下模與能相對於該上模上下運動，其中：該下模包括：一下模本體，其界定有一載盤定位區間以及位於該載盤定位區間內之至少一元件定位區：至少一下模塊，其係設於該下模本體的頂面且位於所述元件定位區內向上凸伸，所述下模塊包括一模塊基部以及四延伸支撐部，該模塊基部實質為一矩形塊體，該模塊基部之各周邊與其側鄰之所述元件定位區的邊界各具有一間距，該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部的四個角隅處且朝外凸伸，該四個延伸支撐部的外周緣實質延伸至所述元件定位區的邊界；以及至少一氣流通道，其係設於該下模本體中且延伸至所述下模塊的頂面而形成一抽氣孔；該上模包括一上模板，該上模板中形成至少一通孔，所述通孔之數量及位置相對應於該下模的元件定位區；所述活動壓塊係能上下運動地設置於該上模之通孔中，且每一所述活動壓塊的位置對應其下方的一所述下模塊，所述活動壓塊底面與相應的下模塊的頂面平行且能上下相對位移。
如請求項1所述之壓合治具，其中，所述下模本體的頂面之相對兩側於該載盤定位區間的邊界外緣處各形成向上凸伸的至少一載盤限位擋部，該下模本體的頂面於該載盤定位區間內且相對於所述元件定位區外圍處分布設置複數對位穿設柱，該下模本體的頂部於載盤定位區間內設置複數伸縮支撐組件。
如請求項1或2所述之壓合治具，其中，該壓合治具還包括一中模，該中模係能上下運動地設置於該上模與該下模之間，該中模包括一中模板，該中模板中形成至少一對位孔，所述對位孔之數量及位置係相對應於該下模的元件定位區，且能與該上模位置對應的通孔相連通，所述對位孔之底緣形成由內朝外側向傾斜的導斜面。
如請求項3所述之壓合治具，其中，該中模板分布設置複數伸縮壓抵組件，所述伸縮壓抵組件能凸伸該中模板的底面以及縮入該中模板內。