TWM584538U - 半導體製程設備及其o形環 - Google Patents

Abstract

一種O形環，包括一本體以及一翼部，其中前述翼部連接前述本體，並自本體朝前述O形環之一內側方向延伸。特別地是，前述本體於一垂直方向上具有一第一厚度，且前述翼部於前述垂直方向上具有一第二厚度，其中前述第二厚度小於前述第一厚度。

Description

半導體製程設備及其O形環

本創作是有關於一種O形環，特別是有關於一種可應用於半導體製程設備中之O形環。

首先請參閱第1圖，其中第1圖表示習知半導體廠內之一電漿蝕刻設備的示意圖。如第1圖所示，在半導體廠內的電漿蝕刻設備中，通常會在一基座B上設置一承載件E、一第一環狀構件S以及一第二環狀構件F，其中前述承載件E例如為用以承載晶圓W之靜電吸盤(electrostatic chuck, ESC)，第一環狀構件S主要係用以圍繞並保護承載件E，第二環狀構件F則例如為設置於第一環狀構件S上之一聚焦環(focus ring)。

當電漿蝕刻設備中的電漿氣體由上往下對設置在承載件E上的晶圓W進行電漿蝕刻時，部分電漿氣體可能會從承載件E和第二環狀構件F之間的空隙G朝下方侵入(如第1圖中箭頭方向所示)，也因此承載件E的在長時間使用下往往容易受到電漿侵蝕而導致其內部金屬裸露，從而可能產生微弧放電(Micro-Arcing)、漏電、電壓異常或腔室漏氣(chamber leak)等現象，此情況尤其好發於12吋晶圓(300 mm wafer)的製程中。

另一方面，在半導體製程中所產生的微粒(particle)也可能會從承載件E和第二環狀構件F之間的空隙G進入電漿蝕刻設備內部而成為污染物，從而嚴重影響到製程品質與產品良率。

有鑑於前述習知問題點，本創作之一實施例提供一種半導體製程設備，包括一基座、一承載件、一第一環狀構件以及一可更換之O形環。前述承載件設置於前述基座上，用以承載一晶圓。前述第一環狀構件環繞前述承載座，其中在前述承載座與前述第一環狀構件之間形成有一凹槽。前述O形環具有相互連接之一本體以及一翼部，其中前述本體容置於前述凹槽內，前述翼部自前述本體朝前述O形環之一內側方向延伸，並覆蓋前述承載件之一部分。

於一實施例中，前述本體於一垂直方向上具有一第一厚度，前述翼部於前述垂直方向上具有一第二厚度，且前述第二厚度小於前述第一厚度。

於一實施例中，前述半導體製程設備更包括一第二環狀構件，設置於前述第一環狀構件上方並環繞前述承載座，其中前述第一、第二環狀構件之間形成有一溝槽，前述溝槽於前述垂直方向上具有一高度，且前述高度大於前述第二厚度。

於一實施例中，前述翼部具有相互平行之一下表面以及一上表面，前述下表面抵接前述承載件，且前述上表面和前述第二環狀構件之間於前述垂直方向上相隔一距離。

於一實施例中，前述翼部形成有一端面、一下表面以及一上表面，前述端面連接前述下表面以及前述上表面，且前述端面和前述承載件於一水平方向上相隔一距離。

於一實施例中，前述本體形成有一內側面以及一頂面，且前述翼部形成有相互平行之一下表面以及一上表面，其中前述內側面鄰接前述下表面，且前述頂面與前述上表面為共平面(co-planar)。

於一實施例中，前述內側面垂直於前述下表面。

於一實施例中，前述本體更形成有連接前述頂面之一倒角面，且前述翼部與前述倒角面分別位於前述本體的相反側。

於一實施例中，前述本體更形成有一平面或圓弧面，對應於前述凹槽之一底部。

於一實施例中，前述本體於一水平方向上具有一第一長度，且前述翼部於前述水平方向上具有一第二長度，其中前述第二長度大於前述第一長度。

於一實施例中，前述O形環更具有一延伸部，且前述翼部具有一下表面、一上表面以及連接前述上、下表面之一端面，其中前述下表面抵接前述承載件，且前述延伸部自前述上表面朝前述垂直方向延伸並接觸前述承載件。

於一實施例中，前述延伸部和前述第二環狀構件於一水平方向上相隔一距離。

於一實施例中，前述延伸部於一水平方向上具有一第三厚度，且前述第三厚度小於前述第二厚度。

於一實施例中，前述延伸部於前述垂直方向上具有一第三長度，前述第三長度小於前述第二長度。

本創作一實施例更提供一種O形環，包括一本體以及一翼部，其中前述翼部連接前述本體，並自本體朝前述O形環之一內側方向延伸，其中前述本體於一垂直方向上具有一第一厚度，且前述翼部於前述垂直方向上具有一第二厚度，其中前述第二厚度小於前述第一厚度。

於一實施例中，前述O形環更包括一延伸部，前述延伸部自前述翼部之一上表面朝前述垂直方向延伸，且前述延伸部與前述翼部形成一L形結構。

於一實施例中，前述延伸部於一水平方向上具有一第三厚度，且前述第三厚度小於前述第二厚度。

於一實施例中，前述本體於一水平方向上具有一第一長度，且前述翼部於前述水平方向上具有一第二長度，其中前述第二長度大於前述第一長度。

於一實施例中，前述O形環更包括一延伸部，自前述翼部之一上表面朝前述垂直方向延伸，且前述延伸部於前述垂直方向上具有一第三長度，前述第三長度小於前述第二長度。

以下說明本創作實施例之半導體製程設備及其O形環。然而，可輕易了解本創作實施例提供許多合適的創作概念而可實施於廣泛的各種特定背景。所揭示的特定實施例僅僅用於說明以特定方法使用本創作，並非用以侷限本創作的範圍。

除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有一與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在此特別定義。

有關本創作之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下各實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，實施方式中所使用的方向用語是用來說明並非用來限制本創作。

請一併參閱第2~5圖，其中第2圖表示本創作一實施例之O形環10的示意圖，第3圖表示沿第2圖中線段A1-A1之剖視放大圖，第4圖表示沿第2圖中線段A1-A1之另一剖視放大圖，第5圖則表示第2圖所示之O形環10設置於一半導體製程設備中的局部剖視放大圖。

本實施例之O形環10係針對一半導體製程設備所設計，其可用以防止製程氣體破壞半導體製程設備內部之元件，並可避免汙染物沉積於側壁平台上。如第2~5圖所示，前述O形環10主要包含有具有相互連接之一本體11以及一翼部12，其中前述翼部12自本體11朝O形環10之一內側方向延伸。

具體而言，前述本體11形成有一內側面111、一頂面112、一圓弧面113以及一倒角面13，前述翼部12則形成有一下表面121、一上表面122以及一端面123，其中翼部12之端面123連接前述下表面121以及上表面122，本體11之頂面112則連接前述倒角面13以及翼部12之上表面122，且翼部12與倒角面13分別位於本體11的相反側。

從第3、4圖可以看出，本體11的底側形成有一圓弧面113，其中本體11的內側面111連接翼部12之下表面121與前述圓弧面113，且本體11的內側面111係垂直於翼部12之下表面121；需特別說明的是，前述本體11的頂面112與翼部12之上表面122為共平面(co-planar)。

請繼續參閱第4圖，前述O形環10的本體11於垂直方向上具有一第一厚度h1，且O形環10的翼部12於垂直方向上具有一第二厚度h2，其中該第二厚度h2小於該第一厚度h1。於一實施例中，前述第一厚度h1約介於1.0mm~4.0mm之間(例如2mm)，前述第二厚度h2則介於0.2mm~0.6mm之間(例如0.3mm)。

另一方面，從第4圖亦可看出前述O形環10的本體11於水平方向上具有一第一長度d1，且O形環10的翼部12於水平方向上具有一第二長度d2，其中該第二長度d2大於該第一長度d1。於一實施例中，前述第一長度d1約介於1mm~2mm之間(例如1.7mm)，前述第二長度d2則介於2mm~4mm之間(例如3mm)。然而，於另一實施例中，前述第二長度d2也可以小於第一長度d1。

如第5圖所示，前述O形環10可設置於一半導體製程設備內部，其中前述半導體製程設備例如為一電漿蝕刻設備，其包含有一基座B、設置於該基座B上之一承載件E、以及環繞前述承載件E之第一、第二環狀構件S、F，其中第二環狀構件F疊設於第一環狀構件S上方。

需特別說明的是，本實施例藉由使O形環10的翼部12接觸並覆蓋承載件E的局部表面，可避免製程氣體或汙染物從承載件E和第二環狀構件F之間的空隙G朝下方進入並侵蝕到承載件E(如第5圖中箭頭方向所示)，且當O形環10受損或老化時，可直接將其卸除並更換新的O形環，以確保半導體製程的品質並大幅提升產品良率。

舉例而言，前述承載件E可為用以承載晶圓W之靜電吸盤(electrostatic chuck, ESC)，前述第一環狀構件S內部可設有加熱器(heater)，第二環狀構件F則例如為設置在第一環狀構件S上方之一聚焦環(focus ring)。

需特別說明的是，第5圖中之第一、第二環狀構件S、F與第1圖中之第一、第二環狀構件S、F的主要差異在於：第5圖中之第一環狀構件S更形成有一凹槽S1，用以容納O形環10之本體11，且在第一、第二環狀構件S、F之間形成有一溝槽F1，使第二環狀構件F和承載件E之間可相隔一距離。

於實際組裝時，可將O形環10的本體11塞入並固定在第一環狀構件S的凹槽S1內，此時本體11的內側面111會與承載件E的外側壁抵接，且本體11底側的圓弧面113會與凹槽S1之底部表面抵接，藉此能減少O形環10和凹槽S1在組裝時所產生的機械干涉，從而可具有易於安裝之優點。

另一方面，從第5圖中也可以看出，O形環10之翼部12的下表面121會抵接並覆蓋於承載件E之局部表面上，且翼部12的端面123和承載件E之間在水平方向上會相隔一距離，此外翼部12的上表面122和第二環狀構件F在垂直方向上同樣會相隔一距離而未相互接觸。

舉例而言，翼部12之端面123和承載件E在水平方向上係相隔一適當之距離(例如約0.2mm)，該距離可大致等同於承載件E和第二環狀構件F之間在水平方向上的間距D(如第5圖所示)。此外，形成於第一、第二環狀構件S、F之間的溝槽F1在垂直方向上係具有一高度H，其中前述高度H約介於0.1mm~1.0mm(例如0.5mm)，且前述高度H係大於O形環10之翼部12的第二厚度h2(意即H＞h2)，如此一來可確保翼部12的上表面122和第二環狀構件F在垂直方向上相隔一距離，以防止彼此之間產生機械干涉或碰撞而影響組裝精度。

如前所述，本實施例透過在第一環狀構件S的凹槽S1內設置可更換之O形環10，並使O形環10之翼部12接觸並覆蓋承載件E之一部分表面，藉此可提升其對於承載件E的保護效果，以降低製程氣體或汙染物侵入並破壞半導體製程設備內部元件(例如承載件E)的機會，從而能有效避免微弧放電(Micro-Arcing)、漏電、電壓異常及腔室漏氣(chamber leak)等現象產生。

接著請一併參閱第6~9圖，其中第6圖表示本創作另一實施例之O形環20的示意圖，第7圖表示沿第6圖中線段A2-A2之剖視放大圖，第8圖表示沿第6圖中線段A2-A2之另一剖視放大圖，第9圖則表示第6圖所示之O形環20設置於一半導體製程設備中的局部剖視放大圖。

如第6~9圖所示，本實施例之O形環20主要包含有具有相互連接之一本體21以及一翼部22，其中前述翼部22自本體21朝O形環20之一內側方向延伸。具體而言，前述本體21形成有一內側面211、一頂面212以及一倒角面23，前述翼部22則形成有一下表面221、一上表面222以及一端面223，其中翼部22之端面223連接前述下表面221以及上表面222，本體21之頂面212則連接前述倒角面23以及翼部22之上表面222，且翼部22與倒角面23分別位於本體21的相反側。

本實施例之O形環20與第2~5圖所示之O形環10的主要差異在於：本實施例之O形環20的本體21底側形成有一平面213，其中前述平面213於組裝時會和凹槽S1之底部表面相互抵接，以使O形環20能緊密地貼附於凹槽S1表面。此外，在前述平面213的兩側更形成有倒角面34，以減少O形環20和凹槽S1之間在組裝時所產生的機械干涉，從而能大幅提升組裝效率。

接著請一併參閱第10~13圖，其中第10圖表示本創作另一實施例之O形環30的示意圖，第11圖表示沿第10圖中線段A3-A3之剖視放大圖，第12圖表示沿第10圖中線段A3-A3之另一剖視放大圖，第13圖則表示第10圖所示之O形環30設置於一半導體製程設備中的局部剖視放大圖。

如第10~13圖所示，本實施例之O形環30主要包含有具有相互連接之一本體31以及一翼部32，其中前述翼部32自本體31朝O形環30之一內側方向延伸。具體而言，前述本體31形成有一內側面311、一頂面312以及一倒角面33，前述翼部32則形成有一下表面321、一上表面322以及一端面323，其中翼部32之端面323連接前述下表面321以及上表面322，本體31之頂面312連接前述倒角面33以及翼部32之上表面322，且翼部32與倒角面33分別位於本體31的相反側。

本實施例之O形環30與第6~9圖所示之O形環20的主要差異在於：本實施例之O形環30更包含有一延伸部35，其中該延伸部35自翼部32之上表面322朝垂直方向延伸，用以接觸並覆蓋承載件E之局部外側表面。需特別說明的是，前述延伸部35和第二環狀構件F在水平方向上係相隔一距離，藉此可避免彼此之間產生機械干涉或碰撞而影響到組裝精度。

從第12圖中可以看出，前述延伸部35於水平方向上具有一第三厚度d3，其中該第三厚度d3可小於翼部32於垂直方向上之第二厚度h2；此外，前述延伸部35於垂直方向上具有一第三長度h3，其中該第三長度h3可小於翼部32於水平方向上之第二長度d2。於本實施例中，前述第三厚度d3約介於0.1~0.4mm之間，前述第三長度h3則約介於1~4mm之間(例如2mm)。

再請一併參閱第14~17圖，其中第14圖表示本創作另一實施例之O形環40的示意圖，第15圖表示沿第14圖中線段A4-A4之剖視放大圖，第16圖表示沿第14圖中線段A4-A4之另一剖視放大圖，第17圖則表示第14圖所示之O形環40設置於一半導體製程設備中的局部剖視放大圖。

如第14~17圖所示，本實施例之O形環40主要包含有具有相互連接之一本體41、一翼部42以及一延伸部45，其中前述翼部42自本體41朝O形環40之一內側方向延伸。具體而言，前述本體41形成有一內側面411、一頂面412以及一倒角面43，前述翼部42則形成有一下表面421、一上表面422以及一端面423，其中翼部42之端面423連接前述下表面421以及上表面422，本體41之頂面412連接前述倒角面43以及翼部42之上表面422，且翼部42與倒角面43分別位於本體41的相反側。

本實施例之O形環40與第10~13圖所示之O形環30的主要差異在於：本實施例之O形環40的本體41底側形成有一圓弧面413，且前述圓弧面413於組裝後會和凹槽S1之底部表面相互抵接，以減少O形環40和凹槽S1之間在組裝時所產生的機械干涉，從而能達到易於安裝之優點。

由於本實施例之O形環40同時形成有自本體41朝內側方向延伸的翼部42以及自翼部42之上表面422朝垂直方向延伸的延伸部45，因此可同時透過翼部42和延伸部45所形成的L形結構接觸並覆蓋承載件E之局部外側表面，以強化其對於承載件E的保護效果，從而能大幅降低製程氣體或汙染物侵入並破壞半導體製程設備內部元件(例如承載件E)的機會。

綜上所述，本創作提供一種獨特的半導體製程設備及其O形環，其中藉由在半導體製程設備內部設置可更換之O形環，能有效防止製程氣體或汙染物侵入並破壞半導體製程設備內之元件。舉例而言，前述O形環可採用鐵氟龍或橡膠材質，例如全氟化橡膠(Perfluoroelastomer)、氟化橡膠(Fluoro-elastomer)或氟矽橡膠(Fluorosilicone)，且當O形環受損或老化時，可直接將其卸除並更換新的O形環，從而能確保半導體製程的品質並大幅提升產品的良率。

雖然本創作的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本創作之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本創作揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本創作使用。因此，本創作之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本創作之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。

雖然本創作已以較佳實施例揭露於上，然其並非用以限定本創作，任何熟習此項工藝者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧O形環
11‧‧‧本體
111‧‧‧內側面
112‧‧‧頂面
113‧‧‧圓弧面
12‧‧‧翼部
121‧‧‧下表面
122‧‧‧上表面
123‧‧‧端面
13‧‧‧倒角面
20‧‧‧O形環
21‧‧‧本體
211‧‧‧內側面
212‧‧‧頂面
213‧‧‧平面
22‧‧‧翼部
221‧‧‧下表面
222‧‧‧上表面
223‧‧‧端面
23‧‧‧倒角面
24‧‧‧倒角面
30‧‧‧O形環
31‧‧‧本體
311‧‧‧內側面
312‧‧‧頂面
313‧‧‧平面
32‧‧‧翼部
321‧‧‧下表面
322‧‧‧上表面
323‧‧‧端面
33‧‧‧倒角面
34‧‧‧倒角面
40‧‧‧O形環
41‧‧‧本體
411‧‧‧內側面
412‧‧‧頂面
413‧‧‧圓弧面
42‧‧‧翼部
421‧‧‧下表面
422‧‧‧上表面
423‧‧‧端面
43‧‧‧倒角面
B‧‧‧基座
D‧‧‧間距
d1‧‧‧第一長度
d2‧‧‧第二長度
d3‧‧‧第三厚度
E‧‧‧承載件
F‧‧‧第二環狀構件
F1‧‧‧溝槽
G‧‧‧空隙
H‧‧‧高度
h1‧‧‧第一厚度
h2‧‧‧第二厚度
h3‧‧‧第三長度
S‧‧‧第一環狀構件
S1‧‧‧凹槽
W‧‧‧晶圓

第1圖表示習知半導體廠內之一電漿蝕刻設備的示意圖。
第2圖表示本創作一實施例之O形環10的示意圖。
第3圖表示沿第2圖中線段A1-A1之剖視放大圖。
第4圖表示沿第2圖中線段A1-A1之另一剖視放大圖。
第5圖表示第2圖所示之O形環10設置於一半導體製程設備中的局部剖視放大圖。
第6圖表示本創作另一實施例之O形環20的示意圖。
第7圖表示沿第6圖中線段A2-A2之剖視放大圖。
第8圖表示沿第6圖中線段A2-A2之另一剖視放大圖。
第9圖表示第6圖所示之O形環20設置於一半導體製程設備中的局部剖視放大圖。
第10圖表示本創作另一實施例之O形環30的示意圖。
第11圖表示沿第10圖中線段A3-A3之剖視放大圖。
第12圖表示沿第10圖中線段A3-A3之另一剖視放大圖。
第13圖表示第10圖所示之O形環30設置於一半導體製程設備中的局部剖視放大圖。
第14圖表示本創作另一實施例之O形環40的示意圖。
第15圖表示沿第14圖中線段A4-A4之剖視放大圖。
第16圖表示沿第14圖中線段A4-A4之另一剖視放大圖。
第17圖表示第14圖所示之O形環40設置於一半導體製程設備中的局部剖視放大圖。

Claims (20)

1. 一種半導體製程設備，包括：
   一基座；
   一承載件，設置於該基座上，用以承載一晶圓；
   一第一環狀構件，環繞該承載件，其中在該承載件與該第一環狀構件之間形成有一凹槽；以及
   一可更換之O形環，具有相互連接之一本體以及一翼部，其中該本體容置於該凹槽內，該翼部自該本體朝該O形環之一內側方向延伸，並覆蓋該承載件之一部分。
2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體製程設備，其中該本體於一垂直方向上具有一第一厚度，該翼部於該垂直方向上具有一第二厚度，且該第二厚度小於該第一厚度。
3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體製程設備，其中該半導體製程設備更包括一第二環狀構件，設置於該第一環狀構件上方並環繞該承載件，其中該第一、第二環狀構件之間形成有一溝槽，該溝槽於該垂直方向上具有一高度，且該高度大於該第二厚度。
4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體製程設備，其中該翼部形成有相互平行之一下表面以及一上表面，該下表面抵接該承載件，且該上表面和該第二環狀構件之間於該垂直方向上相隔一距離。
5. 如申請專利範圍第2項所述之半導體製程設備，其中該翼部形成有一端面、一下表面以及一上表面，該端面連接該下表面以及該上表面，且該端面和該承載件於一水平方向上相隔一距離。
6. 如申請專利範圍第2項所述之半導體製程設備，其中該本體形成有一內側面以及一頂面，且該翼部形成有相互平行之一下表面以及一上表面，其中該內側面鄰接於該下表面，並且該頂面以及該上表面為共平面。
7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體製程設備，其中該內側面垂直於該下表面。
8. 如申請專利範圍第6項所述之半導體製程設備，其中該本體更形成有連接該頂面之一倒角面，且該翼部與該倒角面分別位於該本體的相反側。
9. 如申請專利範圍第6項所述之半導體製程設備，其中該本體更形成有一平面或圓弧面，朝向該凹槽之一底部。
10. 如申請專利範圍第2項所述之半導體製程設備，其中該本體於一水平方向上具有一第一長度，且該翼部於該水平方向上具有一第二長度，其中該第二長度大於該第一長度。
11. 如申請專利範圍第2項所述之半導體製程設備，其中該O形環更具有一延伸部，且該翼部形成有一下表面、一上表面以及連接該上、下表面之一端面，其中該下表面抵接該承載件，且該延伸部自該上表面朝該垂直方向延伸並接觸該承載件。
12. 如申請專利範圍第11項所述之半導體製程設備，其中該延伸部於一水平方向上具有一第三厚度，且該第三厚度小於該第二厚度。
13. 如申請專利範圍第11項所述之半導體製程設備，其中該本體於一水平方向上具有一第一長度，且該翼部於該水平方向上具有一第二長度，其中該第二長度大於該第一長度。
14. 如申請專利範圍第13項所述之半導體製程設備，其中該延伸部於該垂直方向上具有一第三長度，該第三長度小於該第二長度。
15. 一種O形環，設置於一半導體製程設備中，包括：
    一本體；以及
    一翼部，連接該本體，並自該本體朝該O形環之一內側方向延伸，其中該本體於一垂直方向上具有一第一厚度，且該翼部於該垂直方向上具有一第二厚度，其中該第二厚度小於該第一厚度。
16. 如申請專利範圍第15項所述之O形環，其中該O形環更包括一延伸部，該延伸部自該翼部之一上表面朝該垂直方向延伸，且該延伸部與該翼部形成一L形結構。
17. 如申請專利範圍第16項所述之O形環，其中該延伸部於一水平方向上具有一第三厚度，且該第三厚度小於該第二厚度。
18. 如申請專利範圍第15項所述之O形環，其中該本體於一水平方向上具有一第一長度，且該翼部於該水平方向上具有一第二長度，其中該第二長度大於該第一長度。
19. 如申請專利範圍第18項所述之O形環，其中該O形環更包括一延伸部，自該翼部之一上表面朝該垂直方向延伸，且該延伸部於該垂直方向上具有一第三長度，其中該第三長度小於該第二長度。
20. 如申請專利範圍第15項所述之O形環，其中該O形環含有鐵氟龍或橡膠材質。