TWM580806U - Package structure and light emitting device including the same - Google Patents

Abstract

本新型提供一種封裝結構及包含該封裝結構的發光裝置，所述封裝結構包含：一發光元件；一封裝架，其中，所述封裝架內具有容納腔體，所述發光元件設在所述容納腔體中，且電性連接所述容納腔體內設置的導電基板；一阻隔層，所述阻隔層設置在所述容納腔體中且至少覆蓋在所述導電基板，且所述阻隔層的厚度不高於20μm；以及一封裝層，所述封裝層填充在所述容納腔體內且位於所述阻隔層上，本實施例提供的封裝結構實現了封裝結構抵抗硫化物的目的，有效避免了封裝結構黑化的現象，解決了現有封裝結構中由於生成硫化銀使得封裝結構黑化而造成光衰的問題。

Description

封裝結構及包含該封裝結構的發光裝置

本新型涉及一種發光領域，特別涉及一種封裝結構及包含該封裝結構的發光裝置。

發光二極體(light emitting diode簡稱：LED)具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的照明光源主流。為使發光二極體可靠性佳，發光二極體多會經過一封裝制程而形成耐用的發光裝置。

目前，發光二極體封裝時，如圖1所示，封裝架10’內設有導電基板，導電基板設有兩個間隔設置的導電引腳40’，LED晶片置於導電引腳40’上，且發光二級體20’與導電引腳40’之間通過焊線進行連接，然後向封裝架10’內灌膠形成封裝層30’，封裝層30’覆蓋在發光二極體20’以及導電引腳40’上，完成發光二極體20’的封裝。

然而，上述封裝結構在含硫濃度較高的環境以及特定火山區域旁使用時，由於空氣中硫濃度過高，使得硫易進入到封裝架內且與導電 基板上的鍍銀層發生反應生成硫化銀，造成封裝架外觀呈現黑化區域，從而加速LED光衰，極大影響了LED的使用壽命。

有鑑於此，如何改善上述的缺失，為業界待解決的問題。

鑒於上述問題，本新型的目的在於提供一種封裝結構及包含該封裝結構的發光裝置，實現了封裝結構抵抗硫化物的目的，有效避免了封裝結構黑化的現象，解決了現有封裝結構中由於生成硫化銀使得封裝結構黑化而造成光衰的問題。

為達上述目的，本新型提供一種封裝結構，所述封裝結構包含：一發光元件；一封裝架，其中，所述封裝架內具有容納腔體，所述發光元件設在所述容納腔體中，且電性連接所述容納腔體內設置的導電基板；一阻隔層，所述阻隔層設置在所述容納腔體中且至少覆蓋在所述導電基板上，且所述阻隔層的厚度不高於20μm；以及一封裝層，所述封裝層填充在所述容納腔體內且位於所述阻隔層上。

較佳地，所述阻隔層的厚度至少為4μm。

較佳地，所述阻隔層的層數為至少一層。

較佳地，所述阻隔層為單層，且所述單層的厚度不高於5μm。

較佳地，所述阻隔層的層數為三層，且所述三層的總厚度至少為14μm。

較佳地，所述阻隔層的層數為三層，且所述三層的總厚度為 14.9μm。

較佳地，所述阻隔層為採用矽氧化合物製成的膜層。

較佳地，所述封裝架包括圍設在所述導電基板外周的圍壩，所述導電基板和所述圍壩的內表面圍成所述容納腔體，且所述圍壩的內側壁上覆蓋有所述阻隔層。

較佳地，所述阻隔層覆蓋所述發光元件。

較佳地，所述發光元件通過焊線與所述導電基板的導電引腳電性相連，且所述阻隔層覆蓋所述焊線和所述導電引腳。

較佳地，還包括：透鏡，所述透鏡設置在所述封裝結構的出光面上，且所述透鏡朝向所述封裝層的一面向內凹陷形成與所述發光元件正對的弧形腔體以及圍繞所述弧形腔體設置的空隙部，以使投射到所述空隙部側壁上的光線經過反射後向外射出。

較佳地，所述空隙部靠近所述弧形腔體的一側側壁向外凸起呈弧形側壁。

較佳地，所述空隙部的頂端在豎直方向上低於所述弧形腔體的頂端。

較佳地，所述空隙部的內壁上形成凹凸結構。

較佳地，所述空隙部的內壁上設有薄膜層。

本新型還提供一種發光裝置，包含至少一個上述所述的封裝結構。

本實施例提供的封裝結構，通過包括一發光元件、一封裝架、一阻隔層和一封裝層，其中，所述封裝架內具有容納腔體，所述發光 元件設在所述容納腔體中，且電性連接所述容納腔體內設置的導電基板，所述阻隔層至少覆蓋在所述導電基板上，所述封裝層填充在所述容納腔體內，這樣硫化物在阻隔層的阻隔作用下無法與導電基板中的鍍銀層接觸，這樣避免了導電基板上生成硫化銀而造成導電基板黑化的問題，進而避免了由於導電基板黑化而導致的光衰以及LED損壞的問題，這樣封裝結構即使在含硫濃度較高的環境以及特定火山區域旁使用，但是在阻隔層的阻擋作用下使得封裝結構中的導電基板不會生成硫化銀而出現導電基板黑化的現象，因此，本實施例提供的封裝結構，實現了封裝結構抵抗硫化物的目的，有效避免了導電基板黑化的現象，解決了現有封裝結構中由於導電基板上生成硫化銀使得導電基板黑化而造成光衰的問題，同時，本實施例提供的封裝結構使得大角度光線經過透鏡中的空隙部側壁打散向外射出，避免或減少了大角度光線造成的黃暈或黃圈，確保了發光裝置不易出現偏黃的問題。

為讓上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂，下文是以較佳的實施例配合所圖式進行詳細說明。

10、10’‧‧‧封裝架

11‧‧‧圍壩

111‧‧‧錐面

12‧‧‧底板

20‧‧‧發光元件

20’‧‧‧發光二極體

30、30’‧‧‧封裝層

40、40’‧‧‧導電引腳

50‧‧‧阻隔層

51‧‧‧第一阻隔層

52‧‧‧第二阻隔層

53‧‧‧第三阻隔層

60‧‧‧透鏡

61‧‧‧弧形腔體

62‧‧‧空隙部

為了更清楚地說明本新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的圖式作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的圖式是本新型的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出進步性勞動性的前提下，還可以根據這些圖式獲得其他的圖式。

圖1是現有技術中的封裝結構的剖面結構示意圖；圖2A是本新型實施例一提供的封裝結構中未設置封裝層的剖面結構示意圖；圖2B是本新型實施例一提供的封裝結構的剖面結構示意圖；圖3A是本新型實施例二提供的封裝結構中未設置封裝層的剖面結構示意圖；圖3B是本新型實施例二提供的封裝結構的剖面結構示意圖；圖4A是本新型實施例三提供的封裝結構中未設置封裝層的剖面結構示意圖；圖4B是本新型實施例三提供的封裝結構的剖面結構示意圖；圖5是本新型實施例三提供的封裝結構與現有封裝結構的光衰試驗結果示意圖；圖6A是本新型實施例四提供的封裝結構；圖6B是本新型實施例四提供的封裝結構使用時光線的示意圖；圖6C是本新型實施例四提供的封裝結構中光線在空隙部側壁處反射的示意圖；圖7A是現有技術提供的封裝結構與透鏡的結構示意圖；圖7B是現有技術提供的封裝結構與透鏡之間的光線示意圖。

為使本新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本新型實施例中的圖式，對本新型實施例中的技術方案進行清楚、 完整地描述，顯然，所描述的實施例是本新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出進步性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本新型保護的範圍。

正如背景技術所述，現有的LED封裝結構在硫化環境下存在黑化以及光衰的問題，研究發現，產生該問題的原因在於：現有的LED封裝結構在含硫濃度較高的環境以及特定火山區域旁使用時，由於空氣中硫濃度過高，使得硫易進入到封裝架內且與導電基板上的鍍銀層反應生成硫化銀，使得封裝結構中出現黑化區域，從而加速LED光衰，對LED的使用壽命受到極大影響。

基於上述原因，本實施例提供一種封裝結構，提升了LED的抗硫能力，從而有效避免光衰表現，實現了發光產品高效率發光與色溫穩定的目的，具體的示例如下：

實施例一

圖2A是本新型實施例一提供的封裝結構中未設置封裝層的剖面結構示意圖，圖2B是本新型實施例一提供的封裝結構的剖面結構示意圖；如圖2A-2B所示，本實施例提供的封裝結構包括：一發光元件20、一封裝架10，其中，封裝架10內具有容納腔體，發光元件20設在容納腔體中，且電性連接容納腔體內設置的導電基板(未示出)，即容納腔體內設有導電基板，當發光元件20設在容納腔體內時，發光元件20與導電基板相連，具體的，導電基板上具有相互隔開的正極導電引腳和負極導電引腳，發光元件20上具有正電極和負電極，其中，發光元件20的正電極與正 極導電引腳電連接，發光元件20的負電極與負極導電引腳電連接。

其中，本實施例中，為了防止硫化物與導電基板上的鍍銀層接觸而生成硫化銀，具體的，封裝結構還包括一阻隔層50，阻隔層50設置在容納腔體內且至少覆蓋導電基板，這樣在阻隔層50的阻隔作用下，使得硫化物無法與導電基板上的鍍銀層接觸，這樣避免了封裝結構中生成硫化銀而造成封裝結構出現黑化的問題，進而避免了由於封裝結構黑化而導致的光衰以及LED損壞的問題，與現有技術相比，本實施例中，通過設置阻隔層50，能夠有效地對硫化物進行阻擋，從而起到了防止鍍銀層中的銀與硫接觸的作用，進而防止封裝結構中生成硫化銀而造成黑化，這樣即使封裝結構在含硫濃度較高的環境以及特定火山區域旁使用時，也不會出現封裝結構黑化的問題，從而有效避免了光衰現象，延長了封裝結構的使用壽命。

其中，本實施例中，阻隔層50的厚度太大時，將影響發光裝置的發光效率及良率等，阻隔層50的厚度為不高於20μm，例如，本實施例中，阻隔層50的厚度可以為10μm。另外，本實施例中，阻隔層50的厚度較小時，阻隔層50對硫化物的阻擋作用欠佳，使得硫化物易與鍍銀層中的銀接觸形成硫化銀，造成封裝結構黑化，為了確保阻隔層50對硫化物具有較好的阻隔作用，本實施例中，阻隔層50的厚度至少為4μm，阻隔層50的厚度最小為4μm。

其中，本實施例中，為了對封裝結構實現封裝，具體的，封裝結構還包括一封裝層30，封裝層30填充在容納腔體內，具體的，封裝層30為膠體可以將整個容納腔體填滿，封裝層30覆蓋在阻隔層50上，其中， 本實施例中，封裝層30更可添加螢光材料，例如該螢光材料具體為氟化物螢光體(KSF)，本實施例中，螢光體材料還可以選擇自下列所構成的群組中之一或多者：(Sr,Ba)Si₂(O,Cl)₂N₂：Eu²⁺、Sr₅(PO4)₃Cl：Eu²⁺、(Sr,Ba)MgAl₁₀O₁₇：Eu²⁺、(Sr,Ba)₃MgSi₂O₈：Eu²⁺、SrAl₂O₄：Eu²⁺、SrBaSiO₄：Eu²⁺、CdS：In、CaS：Ce³⁺、(Y,Lu,Gd)₃(Al,Ga)₅O₁₂：Ce³⁺、Ca₃Sc₂Si₃O₁₂：Ce³⁺、SrSiON：Eu²⁺、ZnS：Al³⁺,Cu⁺、CaS：Sn²⁺、CaS：Sn²⁺,F、CaSO₄：Ce³⁺,Mn²⁺、LiAlO₂：Mn²⁺、BaMgAl₁₀O₁₇：Eu²⁺,Mn²⁺、ZnS：Cu⁺,Cl^-、Ca₃WO₆：U、Ca₃SiO₄Cl₂：Eu²⁺、Sr_xBa_yClzAl₂O_4-z/2：Ce³⁺,Mn²⁺(X：0.2、Y：0.7、Z：1.1)、Ba₂MgSi₂O₇：Eu²⁺、Ba₂SiO₄：Eu²⁺、Ba₂Li₂Si₂O₇：Eu²⁺、ZnO：S、ZnO：Zn、Ca₂Ba₃(PO₄)₃Cl：Eu²⁺、BaAl₂O₄：Eu²⁺、SrGa₂S₄：Eu²⁺、ZnS：Eu²⁺、Ba₅(PO₄)₃Cl：U、Sr₃WO₆：U、CaGa₂S₄：Eu²⁺、SrSO₄：Eu²⁺,Mn²⁺、ZnS：P、ZnS：P^3-,Cl^-、ZnS：Mn²⁺、CaS：Yb²⁺,Cl、Gd₃Ga₄O₁₂：Cr³⁺、CaGa₂S₄：Mn²⁺、Na(Mg,Mn)₂LiSi₄O₁₀F₂：Mn、ZnS：Sn²⁺、Y₃Al₅O₁₂：Cr³⁺、SrB₈O₁₃：Sm²⁺、MgSr₃Si₂O₈：Eu²⁺,Mn²⁺、α-SrO₃B₂O₃：Sm²⁺、ZnS-CdS、ZnSe：Cu⁺,Cl、ZnGa₂S₄：Mn²⁺、ZnO：Bi³⁺、BaS：Au,K、ZnS：Pb²⁺、ZnS：Sn²⁺,Li⁺、ZnS：Pb,Cu、CaTiO³：Pr³⁺、CaTiO₃：Eu³⁺、Y₂O₃：Eu³⁺、(Y,Gd)₂O₃：Eu³⁺、CaS：Pb²⁺,Mn²⁺、YPO₄：Eu³⁺、Ca₂MgSi₂O₇：Eu²⁺,Mn²⁺、Y(P,V)O₄：Eu³⁺、Y₂O₂S：Eu³⁺、SrAl₄O₇：Eu³⁺、CaYAlO₄：Eu³⁺、LaO₂S：Eu³⁺、LiW₂O₈：Eu³⁺,Sm³⁺、(Sr,Ca,Ba,Mg)₁₀(PO₄)₆Cl₂：Eu²⁺,Mn²⁺、Ba₃MgSi₂O₈：Eu²⁺,Mn²⁺、ZnS：Mn²⁺,Te²⁺、Mg₂TiO₄：Mn⁴⁺、K₂SiF₆：Mn⁴⁺、SrS：Eu²⁺、Na_1.23K_0.42Eu_0.12TiSi₄O₁₁、Na_1.23K_0.42Eu_0.12TiSi₅O₁₃：Eu³⁺、CdS：In,Te、(Sr,Ca)AlSiN₃：Eu²⁺、CaSiN₃：Eu²⁺、(Ca,Sr)₂Si₅N₈：Eu²⁺以及Eu₂W₂O₇。

本實施例中，阻隔層50的層數為至少一層，即本實施例中，阻隔層50的層數可以為一層，也可以多層，其中，當阻隔層50為單層時，阻隔層50的單層厚度不高於5μm，較佳的，阻隔層50的單層厚度可以為4.04μm，或者本實施例中，阻隔層50的層數還可以為三層，此時，阻隔層50的三層總厚度至少為14μm，但是不能超過20μm，較佳的，阻隔層50的三層總厚度可以為14.9μm。

其中，本實施例中，需要說明的是，阻隔層50除了可以起到阻擋硫化物與鍍銀層中的銀接觸的作用外，本實施例中，阻隔層50還可以起到阻隔氧氣、水氣等雜物與導電基板和發光元件20的接觸，從而避免了氧氣、水氣對導電基板和發光元件20的損壞，因此，本實施例中，阻隔層50起到了阻擋硫化物、氧氣、水氣與導電基板和發光元件20接觸的作用。

因此，本實施例提供的封裝結構，通過包括一發光元件20、一封裝架10、一阻隔層50和一封裝層30，其中，封裝架10內具有容納腔體，發光元件20設在容納腔體中，且電性連接容納腔體內設置的導電基板，阻隔層50設在容納腔體內且至少覆蓋導電基板，封裝層30填充在容納腔體內，這樣硫化物在阻隔層50的阻隔作用下無法與導電基板上的鍍銀層接觸，這樣避免了封裝結構中生成硫化銀而造成封裝結構黑化的問題，進而避免了由於封裝結構黑化而導致的光衰以及LED損壞的問題，這樣封裝結構即使在含硫濃度較高的環境以及特定火山區域旁使用，但是在阻隔層50的阻擋作用下使得封裝結構中不會生成硫化銀而出現黑化的現象，因此，本實施例提供的封裝結構，實現了封裝結構抵抗硫化物的目的，有效避免了封裝結構黑化的現象，解決了現有封裝結構中由於封裝架中上生成硫化銀使得 封裝結構黑化而造成光衰的問題。

進一步的，本實施例中，阻隔層50為採用二氧化矽製成的無機膜層，即本實施例中，在導電基板和發光元件20的表面形成二氧化矽製成的阻隔層50，通過二氧化矽來抵抗硫化物與鍍銀層中的銀反應，其中，本實施例中，採用二氧化矽製成阻隔層50時，主要溶劑為乙酸乙酯(Ethyl acetate)，具體的，將二氧化矽與乙酸乙酯混合形成溶液，將混合形成的溶液裝入滴管中，通過滴管將溶液滴在導電基板和發光元件20上，在室溫條件下放置0.5h，然後再以180℃左右的溫度烘烤0.5h，這樣在導電基板和發光元件20上形成一層阻隔層50，其中，當需要形成多層阻隔層50時，此時可以採用上述方式滴三次，這樣形成三層阻隔層。

需要說明的是，本實施例中，阻隔層50包括當不限於上述二氧化矽，本實施例中，阻隔層50還可以採用其他抗硫化材料(S-barrier)，其中，本實施例中，抗硫化材料可以為矽氧樹脂等。

進一步的，本實施例中，封裝架10包括底板12和圍設在底板12外周的圍壩11，底板12和圍壩11的內表面圍成容納腔體，即本實施例中，底板12和圍壩11組成封裝架10，其中，本實施例中，導電基板具體設在底板12的內表面上，發光元件20具體設在導電基板上，其中，本實施例中，底板12與圍壩11可以通過焊接、卡接或者緊固件密封連接，或者本實施例中，底板12與圍壩11可以通過一體成型的方式形成。

進一步的，本實施例中，封裝層30在容納腔體內填充時，封裝層30的頂面與圍壩11的頂端端面可平齊，即封裝層30將容納腔體填滿。

進一步的，本實施例中，圍壩11的內側壁頂端具有朝外傾斜 的錐面111，即容納腔體的內側壁包括錐面111內側壁和直面內側壁，且錐面111的小端與圍壩11的內側壁連接，錐面111的大端延伸到圍壩11的頂端端面，這樣容納腔體的頂端開口較大，這樣便於灌膠形成封裝層30，而且通過設置錐面111，使得容納腔體的內側壁的面積增大，從而與封裝層30或者阻隔層50之間的接觸面增大，這樣容納腔體的內側壁與封裝層30或阻隔層50之間的粘附力增大，從而使得容納腔體的內側壁與封裝層30或阻隔層50之間的密封性更好。

其中，本實施例中，發光元件20通過焊線與導電基板上的導電引腳40電性相連，且阻隔層50覆蓋導電基板的同時將焊線和導電引腳40也進行覆蓋，即本實施例中，阻隔層50將焊線、導電引腳40和導電基板均進行覆蓋，這樣可以阻隔硫化物、水分子和氧氣對焊線、導電引腳40和的損害。

實施例二

圖3A是本新型實施例二提供的封裝結構中未設置封裝層的剖面結構示意圖，圖3B是本新型實施例二提供的封裝結構的剖面結構示意圖。

其中，本實施例中，如圖3A所示，阻隔層50具體包括第一阻隔層51和第二阻隔層52，其中，第一阻隔層51覆蓋在導電基板、導電引腳40以及焊線上，第二阻隔層52覆蓋在發光元件20的側面和頂面上，即本實施例中，阻隔層50由第一阻隔層51和第二阻隔層52組成，其中，第一阻隔層51用於將導電引腳40以及焊線進行覆蓋，第二阻隔層52用於將發光元件20進行覆蓋，這樣在第一阻隔層51和第二阻隔層52的阻擋作用下硫化物 更不易通過構件間的縫隙與導電引腳40進行接觸，可以阻擋硫化物與鍍銀層生成硫化銀而造成黑化，。

實施例三

圖4A是本新型實施例三提供的封裝結構中未設置封裝層的剖面結構示意圖，圖4B是本新型實施例三提供的封裝結構的剖面結構示意圖。

本實施例提供的封裝結構與上述實施例的區別為：本實施例中，在容納腔體的內側壁上設置阻隔層50，如圖4A-4B所示，在圍壩11的內側壁上覆蓋第三阻隔層53，即阻隔層50還包括第三阻隔層53，這樣，第一阻隔層51、第二阻隔層52和第三阻隔層53在容納腔體的整個內壁上設置一層，封裝層30填充在容納腔體中未被阻隔層50佔用的空間中，具體的，如圖4B所示，封裝層30覆蓋在第一阻隔層51、第二阻隔層52和第三阻隔層53上。

本實施例中，當第三阻隔層53設在容納腔體的內側壁上時，此時第三阻隔層53可以阻擋硫化物從封裝層30和圍壩11內側壁之間的縫隙進入容納腔體中，這樣第三阻隔層53對硫化物起到一次阻隔作用，接著第一阻隔層51和第二阻隔層52再次對硫化物起到阻隔作用，使得封裝結構具有雙重阻隔作用，這樣硫化物不易與鍍銀層的銀反應而造成封裝結構黑化的問題，提升了封裝結構的抗硫化能力。

其中，本實施例中，第三阻隔層53的材料以及厚度和設置層數可以參考上述實施例一中的阻隔層50的設置方式，本實施例中不再贅述。

其中，將本實施例提供的封裝結構與圖1所述的封裝結構硫 化氫存在的環境下進行光衰試驗，其中，試驗結構如圖5所示，其中，圖5中的對照組為圖1提供封裝結構，實驗組一提供的封裝結構中阻隔層的層數為一層，實驗組二提供的封裝結構中阻隔層的層數為三層，從圖5中可以看出，對照組提供的封裝結構在50小時(h)後，光束低下率(即光衰)為35.5%，實驗組一提供的封裝結構在50h後，光束低下率為9.785，實驗組二挺的封裝結構在50h後，光束低下率為6.00%，而規定的光束低下率(即Spec)小於10%，所以，實驗組一和實驗組二提供的封裝結構的光束低下率均小於規定的光束低下率，即本實施例提供的封裝結構與現有技術中的封裝結構相比，光衰下降率大大降低，實驗組一和實驗組二提供的封裝結構的光束低下率滿足規定的光衰。

同時，本實施例中，將圖5中的對照組和實驗組二提供的封裝結構在硫化氫中放置50h後進行硫含量比較，經由能量散射光譜儀(Energy Dispersive Spectrometer，EDS)檢測元素，結構如表1所示(表1中組分中的K和L分別為原子的K層和L層)：

從表1中發現，對照組提供的封裝結構在硫化氫中放置50h 後，硫的重量百分比為0.49%，硫原子的含量為1.07%，實驗組二的提供的封裝結構在硫化氫中放置50h後，硫的重量百分比為0.11%，硫原子的含量為0.23%，即本實施例提供的封裝結構中硫含量大大降低。

同時，本實施例中，將對照組和實驗組一提供的封裝結構進行信賴性測試，測試結構如表2所示：

從表2可以看出，本實施例提供的20個封裝結構中，在硫化氫環境中放置50h後，沒有黑化的封裝結構，而現有提供的20個封裝結構中，經過在硫化氫環境中放置50h後，20個封裝結構均產生黑化現象，而且本實施例提供的封裝結構在硫化氫環境中放置50h後，亮度和色座標的變化量低於現有的封裝結構在硫化氫環境中放置50h後的變化量，因此，本實施例提供的封裝結構具有較好的信賴性。

實施例四

圖6A是本新型實施例四提供的封裝結構，圖6B是本新型實施例四提供的封裝結構使用時光線的示意圖，圖6C是本新型實施例四提供的封裝結構中光線在空隙部側壁處反射的示意圖。

本實施例提供的封裝結構與上述實施例的區別為：本實施例中，如圖6A-6C所示，還包括：透鏡60，透鏡60設置在封裝結構的出光面(即 光線射出的面)上，具體的，透鏡60覆蓋在圍壩11和封裝層30上，其中，透鏡60朝向封裝層的一面向內凹陷形成與發光元件正對的弧形腔體61，這樣發光元件20發出的光線經過弧形腔體61和透鏡60向外射出。

其中，現有技術中，如圖7A-7B所示，封裝結構上設置透鏡60時，使用時，發光裝置常常遇到顏色偏黃的現象，出現黃暈或黃圈，尤其大角度的光線多半為偏黃。

為此，為了減少或避免發光裝置使用時有黃暈或黃圈的問題，本實施例中，透鏡60朝向封裝層的一面向內凹陷形成圍繞弧形腔體61設置的空隙部62，具體的，空隙部62與弧形腔體61具有一定的間隙，空隙部62具體為環形結構，大角度光線從弧形腔體61穿過向外射出時，如圖6B所示，大角度光線會投射到空隙部62的側壁上，空隙部62側壁將大角度光線朝上反射並向外射出，這樣大角度光線在空隙部62的側壁不同位置呈分散狀射出，即空隙部62的側壁起到將大角度光線打散的作用，這樣與圖7B相比，本實施例中，如圖6C所示，發光時，發光裝置中的大角度光線經過空隙部62的側壁打散向外射出，避免或減少了大角度光線造成的黃暈或黃圈，使得發光裝置不易出現偏黃的問題。

進一步的，本實施例中，空隙部62靠近弧形腔體61的一側壁向外凸起呈弧形側壁，即，本實施例中，空隙部62朝向弧形腔體61的一側壁為弧形凸起側壁，這樣大角度光線在弧形側壁上進行反射時，反射後的光線在空間上更加分散，從而進一步的確保了大角度光線在出射光線中的均勻分佈。

進一步的，本實施例中，當空隙部62的頂端高於或者平齊與 弧形腔體61的頂端時，這樣空隙部62的側壁不僅對大角度光線進行打散，同時還將小角度光線也進行了反射，這樣使得可發光的區域減少，所以，本實施例中，為了避免空隙部62對非大角度光線進行反射，具體的，空隙部62的頂端在豎直方向上低於弧形腔體61的頂端，這樣空隙部62的側壁只會對大角度光線進行反射，其餘光線不會投射到空隙部62的側壁上，所以，本實施例中，通過將空隙部62的頂端低於弧形腔體61的頂端，這樣確保了空隙部62的側壁只對大角度光線進行反射，不易對其餘光線進行打散。

進一步的，本實施例中，空隙部62的側壁對大角度光線反射時，具體以全反射的方式將大角度光線打散，或者本實施例中，為了確保空隙部62的側壁能夠更好地將大角度光線打散，具體的，在空隙部62的內壁上形成凹凸結構，這樣大角度光線在空隙部62的凹凸側壁上反射後，反射光線更加分散，不會形成規律的反射光線，從而使得大角度光線在光線中雜亂分佈，不易形成黃暈或黃圈。其中，本實施例中，在空隙部62的側壁上形成凹凸結果時，具體通過微結構處理或者噴砂形成凹凸不平的反射側壁，增大粗糙度，從而將大角度光線更好的打散。

進一步的，本實施例中，空隙部62的內壁上設有薄膜層，其中，薄膜層具體為反射膜，這樣增大對大角度光線的反射，減少大角度光線在空隙部62側壁處的透過率，其中，本實施例中，空隙部62的內壁上設置薄膜層時，具體可以通過鍍膜、塗布或者上漆等方式設置在空隙部62的內壁上。

實施例五

上述實施例是封裝結構的技術內容的說明，接著說明封裝結 構的應用例，也就是依據本新型的較佳實施例所提供的發光裝置。其中，關於封裝結構的詳細技術內容應可互相參考，故相同部分將省略或簡化描述。

該發光裝置包含至少一個如上的封裝結構，即本實施例中，發光裝置中可以包含一個或多個封裝結構。

其中，需要說明的是，發光裝置除了包含上述封裝結構外，還包括其他結構，例如散熱裝置以及控制導電基板等結構，具體的可以參考現有的發光裝置的結構，本實施例中，對發光裝置的其他結構不再贅述。

本實施例提供的發光裝置，通過包含上述封裝結構，封裝結構包括一發光元件20、一封裝架10、一阻隔層50和一封裝層30，其中，封裝架10內具有容納腔體，發光元件20設在容納腔體中，且電性連接容納腔體內設置的導電基板，阻隔層50設在容納腔體內且至少覆蓋在導電基板上，封裝層30填充在容納腔體內，這樣硫化物在阻隔層50的阻隔作用下無法與鍍銀層中的銀接觸，這樣避免了封裝結構中生成硫化銀而造成封裝結構黑化的問題，進而避免了由於封裝結構黑化而導致的光衰以及LED損壞的問題，這樣即使封裝結構在含硫濃度較高的環境以及特定火山區域旁使用，但是在阻隔層50的阻擋作用下使得封裝結構中不會生成硫化銀而出現黑化的現象，因此，本實施例提供的發光裝置，實現了封裝結構抵抗硫化物的目的，有效避免了封裝結構黑化的現象，從而解決了現有封裝結構中由於封裝架中上生成硫化銀使得封裝結構黑化而造成光衰的問題，同時，本實施例提供的封裝結構使得大角度光線經過透鏡中的空隙部側壁打散向外射出，避免或減少了大角度光線造成的黃暈或黃圈，確保了發光裝置不 易出現偏黃的問題。

在本新型的描述中，需要理解的是，術語「中心」、「縱向」、「橫向」、「長度」、「寬度」、「厚度」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「豎直」、「水準」、「頂」、「底「「內」、「外」等指示的方位或位置關係為基於圖式所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本新型的限制。

在本新型的描述中，需要理解的是，本文中使用的術語「包括」和「具有」以及他們的任何變形，意圖在於覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統、產品或設備不必限於清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或對於這些過程、方法、產品或設備固有的其它步驟或單元。

除非另有明確的規定和限定，術語「安裝」、「相連」、「連接」、「固定」等應做廣義理解，例如可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成為一體；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以使兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本新型中的具體含義。此外，術語「第一」、「第二」等僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。

最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本新型的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技 術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本新型各實施例技術方案的範圍。

Claims (16)

1. 一種封裝結構，包含：一發光元件；一封裝架，其中，所述封裝架內具有容納腔體，所述發光元件設在所述容納腔體中，且電性連接所述容納腔體內設置的導電基板；一阻隔層，所述阻隔層設置在所述容納腔體中且至少覆蓋在所述導電基板上，且所述阻隔層的厚度不高於20μm；以及一封裝層，所述封裝層填充在所述容納腔體內且位於所述阻隔層上。
2. 如請求項1所述的封裝結構，其中，所述阻隔層的厚度至少為4μm。
3. 如請求項1所述的封裝結構，其中，所述阻隔層的層數為至少一層。
4. 如請求項3所述的封裝結構，其中，所述阻隔層為單層，且所述單層的厚度不高於5μm。
5. 如請求項3所述的封裝結構，其中，所述阻隔層的層數為三層，且所述三層的總厚度至少為14μm。
6. 如請求項5所述的封裝結構，其中，所述阻隔層的層數為三層，且所述三層的總厚度為14.9μm。
7. 如請求項1至6任一項所述的封裝結構，其中，所述阻隔層為採用矽氧化合物製成的膜層。
8. 如請求項1至6任一項所述的封裝結構，其中，所述封裝架包括圍設在所述導電基板外周的圍壩，所述導電基板和所述圍壩的內表面圍成所述容納腔體，且所述圍壩的內側壁上覆蓋有所述阻隔層。
9. 如請求項1至6任一項所述的封裝結構，其中，所述阻隔層覆蓋所述發光 元件。
10. 如請求項1至6任一項所述的封裝結構，其中，所述發光元件通過焊線與所述導電基板的導電引腳電性相連，且所述阻隔層覆蓋所述焊線和所述導電引腳。
11. 如請求項1至6任一項所述的封裝結構，其中，還包括：透鏡，所述透鏡設置在所述封裝結構的出光面上，且所述透鏡朝向所述封裝層的一面向內凹陷形成與所述發光元件正對的弧形腔體以及圍繞所述弧形腔體設置的空隙部，以使投射到所述空隙部側壁上的光線經過反射後向外射出。
12. 如請求項11所述的封裝結構，其中，所述空隙部靠近所述弧形腔體的一側側壁向外凸起呈弧形側壁。
13. 如請求項11所述的封裝結構，其中，所述空隙部的頂端在豎直方向上低於所述弧形腔體的頂端。
14. 如請求項11所述的封裝結構，其中，所述空隙部的內壁上形成凹凸結構。
15. 如請求項11所述的封裝結構，其中，所述空隙部的內壁上設有薄膜層。
16. 一種發光裝置，其中，包含：至少一個上述請求項1至6任一項所述的封裝結構。