CN111816745A - 一种紫外光发光二极体元件结构及制造方法 - Google Patents

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刘召忠
林辉
杨小利
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Abstract

本发明公开了一种紫外光发光二极体元件结构及制造方法，包括：一支撑部；一透光部，所述支撑部与所述透光部围合形成一容纳空间，所述容纳空间内填充有硅油；至少一紫外光发光二极体芯片，位于所述容纳空间内并设置于所述支撑部上；其中，所述紫外光发光二极体芯片的表面及侧面设置有保护层；所述支撑部与所述硅油之间设置有所述保护层。本发明不仅能够提高该发光二极体芯片的取光效率，并可以明显地改善发光二极体元件经过长时间工作，其输出光功率衰减的缺点。

Description

一种紫外光发光二极体元件结构及制造方法
技术领域
本发明涉及发光二极体技术领域，尤其涉及一种紫外光发光二极体元件结构及制造方法。
背景技术
目前，发光波长介于260nm到320nm的深紫外光发光二极体的外部量子效率约1-3％及电光转换效率不到4％。然而，因为缺乏可以有效抵抗因为深紫外光波段照射所产生的化学特性变化的覆盖胶体，因此使用高透光性的石英玻璃(折射系数接近1.53)取代该覆盖胶体，做为保护深紫外光发光二极体的芯片不与环境的空气及水气起任何作用而发生不可预期的失效或严重毁损，并避免使用不适当的覆盖胶体造成质变而吸光，降低了光的萃取效率。再者，由于以蓝宝石为衬底的氮化物系深紫外光发光二极体芯片，其蓝宝石的折射系数接近1.8,氮化物系的化合物半导体折射系数接近2.3,一般为了进一步提高取光效率及有效散热的特性，采取倒装的固晶方式为最佳方案之一。当使用此倒装的固晶方式却又无适当的覆盖胶体介于蓝宝石与高透光性的石英玻璃之间，由氮化物系深紫外光发光二极体芯片的发光层所发出的光经由蓝宝石衬底的一侧射出将因为面对空气(折射系数＝1)及石英玻璃的折射系数(折射系数接近1.53)原因，导致光线在空气与石英玻璃之间被折射回来到氮化物系深紫外光发光二极体芯片而被吸收，如此造成多次的再吸收，所以降低了光萃取效率，有其缺点。
深紫外光发光二极体的元件，目前采取的封装工艺路线，其所提供的发光二极体芯片与石英玻璃之间存在的空气间隙除了导致降低光萃取效率的缺点外，无法将发光二极体芯片所产生的热有效及快速地传导至外界，容易造成发光二极体光电特性衰退或烧毁，也是其缺点之一。
于元件封装体中的发光二极体芯片与石英玻璃之间的空间注入热传导性比空气佳的硅油且其折射係数接近1.4～1.8大于空气的折射係数，如此可以降低发光二极体芯片发出的光线在空气与石英玻璃之间被折射回来，而且此硅油与封装体的内部大面积的接触，因此减少了空气间隙，能够有效散热。
例如，在中国专利申请号：201510884181.3中公开了一种紫外光发光二极管的封装结构，包括：基板、透光体、至少一紫外光发光二极管、连接元件以及紫外光遮蔽层。透光体设置于基板上，透光体的内部具有空间。紫外光发光二极管设置于基板上、且位于所述空间内。连接元件设置在基板与透光体之间。紫外光遮蔽层设置在透光体与连接元件之间。该技术方案通过设置气体、硅油等取光材料来增加散热。但是，虽然该硅油可以将封装体内发光二极体芯片产生的热有效地传导至周围，再透过封装体、石英玻璃等散热并且改善了因为折射係数差异所导致的光萃取效率低的缺点，但是本专利之发明人发现单独使用硅油的发光二极体元件长时间的工作，对发光二极体元件的输出光功率衰减的缺点并没有明显地改善。鉴于此，故提出本申请。
发明内容
为解决背景技术中存在的至少一个方面的技术问题，本发明提出一种紫外光发光二极体元件结构及制造方法，可以避免该发光二极体芯片长时间的工作致使硅油与该发光二极体芯片外围发生反应而质变，对发光二极体元件的输出光功率衰减的缺点有明显地改善。
本发明提出的一种紫外光发光二极体元件结构，包括：
一支撑部；
一透光部，所述支撑部与所述透光部围合形成一容纳空间，所述容纳空间内填充有硅油；
至少一紫外光发光二极体芯片，位于所述容纳空间内并设置于所述支撑部上；其中，所述紫外光发光二极体芯片的表面及侧面设置有保护层；所述支撑部与所述硅油之间设置有所述保护层。
优选地，所述保护层为具有亲水性的SiOX薄膜，所述SiOX薄膜的厚度范围为100nm-1500nm。
优选地，所述X的取值范围为：1≤X≤3。
优选地，所述支撑部包括：
一支架；所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上；
正电极、负电极，均设置于所述支架上并与所述紫外光发光二极体芯片电连接；
一围坝，设置于所述支架上；
所述透光部包括一石英玻璃盖板，所述石英玻璃盖板设置于所述围坝远离所述支架的一端，所述石英玻璃盖板、所述围坝与所述支架围合形成所述容纳空间；其中，
所述支架、所述围坝与所述硅油之间均设置有所述保护层。
优选地，所述透光部包括一石英玻璃管；
所述支撑部包括：
一封盖，安装在所述石英玻璃管的开口端，所述封盖上设有聚四氯乙烯层，所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
正电极、负电极，均设置于所述封盖上并与所述紫外光发光二极体芯片电连接；
一支架，至少部分区域位于所述容纳空间内；所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上；其中，
所述支架、所述封盖与所述硅油之间均设置有所述保护层。
优选地，所述支架安装于基板上，所述基板上设有导热层。
优选地，所述透光部包括一石英玻璃管；
所述支撑部包括：
一封盖，安装在所述石英玻璃管的开口端，所述封盖上设有聚四氯乙烯层，所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
正电极、负电极，均设置于所述封盖上并与所述紫外光发光二极体芯片电连接；
一基板，至少部分区域位于所述容纳空间内；所述紫外光发光二极体芯片设置于所述基板上；其中，
所述基板、所述封盖与所述硅油之间均设置有所述保护层。
本发明还公开了一种紫外光发光二极体元件结构的制造方法，
将紫外光发光二极体芯片设置于支撑部与透光部形成的容纳空间内；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述支撑部靠近所述容纳空间的一侧均设置保护层；
在所述容纳空间内加入硅油并利用所述透光部将所述容纳空间密封。
优选地，所述支撑部包括一支架、一围坝、一正电极、一负电极；所述透光部包括一石英玻璃盖板；所述石英玻璃盖板、所述围坝与所述支架围合形成所述容纳空间；
所述方法包括：
将所述围坝设置于所述支架上；
将所述正电极、负电极设置于所述支架上；
将所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上并位于所述围坝的内侧，并与所述正电极、负电极电连接；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述围坝的内侧壁均设置所述保护层；
将硅油加入所述围坝内；
将所述石英玻璃盖板安装在所述围坝远离所述支架的一端。
优选地，所述支撑部包括一基板、一封盖、一正电极、一负电极；所述透光部包括一石英玻璃管；所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
所述方法包括：
将所述正电极、负电极设置于所述封盖上；
将所述紫外光发光二极体芯片设置于所述基板上，并与所述正电极、负电极电连接；
在所述紫外光发光二极体芯片上的表面及其侧面、所述基板上及所述封盖均设置所述保护层；
将所述紫外光发光二极体芯片、所述基板置于所述石英玻璃管内；
将硅油加入石英玻璃管内；
利用封盖将所述石英玻璃管的开口端密封；
或，
所述支撑部包括一支架、一基板、一封盖、一正电极、一负电极；所述透光部包括一石英玻璃管；所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
所述方法包括：
将所述正电极、负电极设置于所述封盖上；
将所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上，并与所述正电极、负电极电连接；
将所述支架安装在所述基板上；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述支架上、所述基板上及所述封盖均设置所述保护层；
将所述紫外光发光二极体芯片、所述支架、所述基板置于所述石英玻璃管内；
将硅油加入石英玻璃管内；
利用封盖将所述石英玻璃管的开口端密封。
本发明公开的一个方面带来的有益效果是：
本发明通过设置保护层及硅油的结构，不仅能够提高该发光二极体芯片的取光效率亦可避免该发光二极体芯片长时间的工作致使硅油与该发光二极体芯片外围发生反应而质变，对发光二极体元件的输出光功率衰减的缺点有明显地改善。
附图说明
图1为本发明公开的一种封装结构的结构示意图；
图2为本发明公开的另一种封装结构的结构示意图；
图3为本发明公开的本实施例的封装结构的结构示意图；
图4为本发明公开的另一实施例的封装结构的结构示意图；
图5为本发明公开的再一实施例的封装结构的结构示意图；
图6为本发明公开的多个样品输出功率测试结果示意图；
图7为本发明公开的多个样品外部量子效率测试结果示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互的结合；下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”和“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的位置或元件必须具有特定方位、以特定的方位构成和操作，因此不能理解为本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
实施例1，参照图3：本发明提出的一种紫外光发光二极体元件结构，包括：
一支撑部；所述支撑部包括：一支架31；正电极D1、负电极D2，均设置于所述支架31上；支架31可以为现有的氮化铝或氧化铝的高导热系数陶瓷材料制成。
一围坝32，设置于所述支架31上。
一透光部，所述透光部包括一石英玻璃盖板33，所述石英玻璃盖板33设置于所述围坝32远离所述支架31的一端，所述石英玻璃盖板33、所述围坝32与所述支架31围合形成容纳空间S，所述容纳空间S内填充有硅油G；
至少一紫外光发光二极体芯片1，位于所述容纳空间S内并设置于所述支架31上，与两个所述正电极D1、负电极D2电连接；其中，所述紫外光发光二极体芯片1的表面及侧面设置有保护层；所述支架31、所述围坝32与所述硅油G之间均设置有所述保护层。
进一步的，所述保护层为具有亲水性的SiOX薄膜2，所述SiOX薄膜2的厚度范围为100nm-1500nm。厚度可为1000nm左右。可以用PECVD、E-gun或sputtering的沉积法其中一种实现SiOX薄膜2的覆盖。
进一步的，所述X的取值范围为：1≤X≤3，SiOX薄膜可以为Si2O3薄膜。Si2O3薄膜具有亲水性，经过试验，对于填入硅油G的紫外发光二极体元件结构，具有改善光功率衰减的缺点并提高元件的工作寿命的优点。
通过在发光二极体芯片1表面及其侧面设置保护层2、支架31对应容纳空间S的部分设置保护层2、在围坝32的内侧壁上设置保护层2，能够避免该紫外光发光二极体芯片1芯片长时间的工作致使硅油G与该紫外光发光二极体芯片1芯片外围的支架31、围坝32接触发生反应，产生硅油G的质变改变了原有的特性，造成整体紫外光发光二极体元件的光功率衰减及降低工作寿命。
申请人进行了试验比对，元件的结构如图1所示为没有加入硅油G。图2所示为加入硅油G，图3所示为设置保护层的覆盖并加入硅油G。结构比较如下表一：
Figure BDA0002602583150000091
表一
说明：
样品S0：包括支架31、设置于支架31上的围坝32、位于围坝32内侧并设置于支架31上的紫外光发光二极体芯片1；
样品S1：在样品S0的基础上，在围坝32远离支架31的一端安装石英玻璃盖板33；
样品S2：在样品S1的基础上，向支架31、围坝32、石英玻璃盖板33围合形成的容纳空间S内加入硅油G；
样品S3：在样品S2的基础上，在紫外光发光二极体芯片1上、支架31对应容纳空间S的部分、在围坝32的内侧壁上均设置疏水性SiOX薄膜；
样品S4：在样品S2的基础上，在紫外光发光二极体芯片1上、支架31对应容纳空间S的部分、在围坝32的内侧壁上均设置亲水性SiOX薄膜2，即1≤X≤3。
对上述5个样品，在驱动电流40mA下，经过314小时，样品S2相比样品S1，无法有效降低功率的衰减，光电特性衰退比较严重。
对比之下可以发现，样品S4的功率衰减较低，明显改善。
在驱动电流20mA至100mA下，样品S1、S2、S3、S4的输出功率比较如图6所示：对比之下可以发现，样品S4的输出功率明显改善。
在驱动电流20mA至100mA下，样品S1、S2、S3、S4的外部量子效率比较如图7所示：对比之下可以发现，样品S4的外部量子效率明显提高。
在驱动电流60mA下，样品S1、S2、S3、S4的输出功率及外部量子效率比较如下表二：
Figure BDA0002602583150000101
表二
对比之下可以发现，样品S4的输出功率、外部量子效率明显提高。
本实施例使用亲水性的SiOX薄膜2配合硅油G所制作的紫外光发光二极体元件不仅可以增加光的取出效率，亦可借由注入硅油G而减少空气的间隙以增加紫外光发光二极体芯片1向外散热的速率，减少紫外光发光二极体元件的光功率衰减及增加工作寿命。
实施例2，结合图4：
所述透光部包括一石英玻璃管41。
所述支撑部包括：
一封盖42，安装在所述石英玻璃管41的开口端，所述封盖上设有聚四氯乙烯层，所述封盖42与所述石英玻璃管41围合形成容纳空间S；容纳空间S内填充有硅油G。
正电极D1、负电极D2，均设置于所述封盖上。
一支架43，位于所述容纳空间S内，所述支架43安装于基板44上，支架可以为现有的氮化铝或氧化铝的高导热系数陶瓷材料制成；紫外光发光二极体芯片1设置于所述支架43上，并与正电极D1、负电极D2电连接；其中，
所述支架43、所述封盖42与所述硅油G之间均设置有所述保护层。
进一步的，所述保护层为具有亲水性的SiOX薄膜2，所述SiOX薄膜2的厚度范围为100nm-1500nm。厚度可为1000nm左右。可以用PECVD、E-gun或sputtering的沉积法其中一种实现SiOX薄膜2的覆盖。
进一步的，所述X的取值范围为：1≤X≤3，SiOX薄膜可以为Si2O3薄膜。Si2O3薄膜具有亲水性，经过试验，对于填入硅油G的紫外发光二极体元件结构，具有改善光功率衰减的缺点并提高元件的工作寿命的优点。
通过在紫外光发光二极体芯片1的表面及其侧面设置保护层、支架43上设置保护层、基板44上设置保护层、封盖42靠近容纳空间S的一侧设置保护层，能够避免该紫外光发光二极体芯片1芯片长时间的工作致使硅油G与该紫外光发光二极体芯片1芯片外围的支架43、基板44、封盖42发生，产生硅油G的质变改变了原有的特性，造成整体紫外发光二极体元件的光功率衰减及降低工作寿命。
实施例3，结合图5：
所述透光部包括一石英玻璃管51。
所述支撑部包括：
一封盖52，安装在所述石英玻璃管51的开口端，所述封盖上设有聚四氯乙烯层，所述封盖52与所述石英玻璃管51围合形成所述容纳空间S；容纳空间S内填充有硅油G。
正电极D1、负电极D2，均设置于所述封盖上并与所述紫外光发光二极体芯片电连接；
一基板54，位于所述容纳空间S内，所述基板上设有导热层；所述紫外光发光二极体芯片1设置于所述基板54上；其中，
所述基板54、所述封盖52与所述硅油G之间均设置有所述保护层。
进一步的，所述保护层2为SiOx薄膜，所述SiOx薄膜的厚度范围为100nm-1500nm。厚度可为1000nm左右。可以用PECVD、E-gun或sputtering的沉积法其中一种实现SiOx薄膜保护层2的覆盖。
进一步的，所述SiOx薄膜的x的取值范围为：1≤x≤3，SiOX薄膜可以为Si2O3薄膜。Si2O3薄膜具有亲水性，经过试验，对于填入硅油G的紫外发光二极体元件，具有改善光功率衰减的缺点并提高元件的工作寿命的优点。
通过在紫外光发光二极体芯片1的表面及其侧面设置保护层、基板54上设置保护层、封盖52靠近容纳空间S的一侧设置保护层，能够避免该紫外发光二极体芯片1长时间的工作致使硅油G与该紫外光发光二极体芯片1、外围的基板54、封盖52发生反应，产生硅油G的质变改变了原有的特性，造成整体紫外发光二极体元件的光功率衰减及降低工作寿命。
实施例4：本实施例公开了一种紫外光发光二极体元件结构的制造方法，
支撑部包括一支架、一围坝、一正电极、一负电极；透光部包括一石英玻璃盖板；所述石英玻璃盖板、所述围坝与所述支架围合形成容纳空间。
所述方法包括：
将所述围坝设置于所述支架上；
将所述正电极、负电极设置于所述支架上；
将所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上并位于所述围坝的内侧，并与所述正电极、负电极电连接；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述围坝的内侧壁均设置所述保护层；
将硅油加入所述围坝内；
将所述石英玻璃盖板安装在所述围坝远离所述支架的一端，进而进行容纳空间密封。
进一步的，所述保护层为具有亲水性的SiOX薄膜，所述SiOX薄膜的厚度范围为100nm-1500nm。厚度可为1000nm左右。
进一步的，所述X的取值范围为：1≤X≤3，SiOX薄膜可以为Si2O3薄膜。Si2O3薄膜具有亲水性，经过试验，具有良好的效果。
通过在紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面设置保护层、支架对应容纳空间的部分设置保护层、在围坝的内侧壁上设置保护层，能够避免该紫外光发光二极体芯片长时间的工作致使硅油与该紫外光发光二极体芯片外围的支架、围坝发生反应，产生硅油G的质变改变了原有的特性，造成整体紫外发光二极体芯片元件的光功率衰减及降低工作寿命。
实施例5：本实施例公开了一种紫外光发光二极体元件结构的制造方法，
支撑部包括一基板、一封盖、一正电极、一负电极；透光部包括一石英玻璃管；所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
所述方法包括：
将所述正电极、负电极设置于所述封盖上；
将所述紫外光发光二极体芯片设置于所述基板上，并与所述正电极、负电极电连接；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述基板上及所述封盖均设置所述保护层；
将所述紫外光发光二极体芯片、所述基板置于所述石英玻璃管内；
将硅油加入石英玻璃管内；
利用封盖将所述石英玻璃管的开口端密封。
进一步的，所述保护层为具有亲水性的SiOX薄膜，所述SiOX薄膜的厚度范围为100nm-1500nm。厚度可为1000nm左右。
进一步的，所述X的取值范围为：1≤X≤3，SiOX薄膜可以为Si2O3薄膜。Si2O3薄膜具有亲水性，经过试验，具有良好的效果。
通过在紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面设置保护层、基板上设置保护层、封盖靠近容纳空间的一侧设置保护层，能够避免该紫外光发光二极体芯片长时间的工作致使硅油与该紫外发光二极体芯片外围的基板、封盖发生反应，产生硅油的质变改变了原有的特性，造成整体紫外发光二极体元件的光功率衰减及降低工作寿命。
实施例6：本实施例公开了一种紫外光发光二极体元件结构的制造方法，
支撑部包括一支架、一基板、一封盖、一正电极、一负电极；透光部包括一石英玻璃管；所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
所述方法包括：
将所述正电极、负电极设置于所述封盖上；
将所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上，并与所述正电极、负电极电连接；
将所述支架安装在所述基板上；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述支架上、所述基板上及所述封盖均设置所述保护层；
将所述紫外光发光二极体芯片、所述支架、所述基板置于所述石英玻璃管内；
将硅油加入石英玻璃管内；
利用封盖将所述石英玻璃管的开口端密封
进一步的，所述保护层为具有亲水性的SiOX薄膜，所述SiOX薄膜的厚度范围为100nm-1500nm。厚度可为1000nm左右。
进一步的，所述X的取值范围为：1≤X≤3，SiOX薄膜可以为Si2O3薄膜。Si2O3薄膜具有亲水性，经过试验，具有良好的效果。
通过在紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面设置保护层、支架、基板上设置保护层、封盖靠近容纳空间的一侧设置保护层，能够避免该紫外光发光二极体芯片长时间的工作致使硅油与该紫外发光二极体芯片外围的基板、支架、封盖发生反应，产生硅油的质变改变了原有的特性，造成整体紫外发光二极体元件的光功率衰减及降低工作寿命。
上述制造方法中，并不一定限定步骤顺序，部分步骤可以调整顺序进行。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种紫外光发光二极体元件结构，其中，包括：
一支撑部；
一透光部，所述支撑部与所述透光部围合形成一容纳空间，所述容纳空间内填充有硅油；
至少一紫外光发光二极体芯片，位于所述容纳空间内并设置于所述支撑部上；其中，所述紫外光发光二极体芯片的表面及侧面设置有保护层；所述支撑部与所述硅油之间设置有所述保护层。
2.根据权利要求1所述的紫外光发光二极体元件结构，其中，所述保护层为具有亲水性的SiOX薄膜，所述SiOX薄膜的厚度范围为100nm-1500nm。
3.根据权利要求2所述的紫外光发光二极体元件结构，其中，所述X的取值范围为：1≤X≤3。
4.根据权利要求1或2或3所述的紫外光发光二极体元件结构，其中，所述支撑部包括：
一支架；所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上；
正电极、负电极，均设置于所述支架上并与所述紫外光发光二极体芯片电连接；
一围坝，设置于所述支架上；
所述透光部包括一石英玻璃盖板，所述石英玻璃盖板设置于所述围坝远离所述支架的一端，所述石英玻璃盖板、所述围坝与所述支架围合形成所述容纳空间；其中，
所述支架、所述围坝与所述硅油之间均设置有所述保护层。
5.根据权利要求1或2或3所述的紫外光发光二极体元件结构，其中，
所述透光部包括一石英玻璃管；
所述支撑部包括：
一封盖，安装在所述石英玻璃管的开口端，所述封盖上设有聚四氯乙烯层，所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
正电极、负电极，均设置于所述封盖上并与所述紫外光发光二极体芯片电连接；
一支架，至少部分区域位于所述容纳空间内；所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上；其中，
所述支架、所述封盖与所述硅油之间均设置有所述保护层。
6.根据权利要求5所述的紫外光发光二极体元件结构，其中，所述支架安装于基板上，所述基板上设有导热层。
7.根据权利要求1或2或3所述的紫外光发光二极体元件结构，其中，所述透光部包括一石英玻璃管；
所述支撑部包括：
一封盖，安装在所述石英玻璃管的开口端，所述封盖上设有聚四氯乙烯层，所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
正电极、负电极，均设置于所述封盖上并与所述紫外光发光二极体芯片电连接；
一基板，至少部分区域位于所述容纳空间内；所述紫外光发光二极体芯片设置于所述基板上；其中，
所述基板、所述封盖与所述硅油之间均设置有所述保护层。
8.一种紫外光发光二极体元件结构的制造方法，其中，
将紫外光发光二极体芯片设置于支撑部与透光部形成的容纳空间内；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述支撑部靠近所述容纳空间的一侧均设置保护层；
在所述容纳空间内加入硅油并利用所述透光部将所述容纳空间密封。
9.根据权利要求8所述的紫外光发光二极体元件结构的制造方法，其中，所述支撑部包括一支架、一围坝、一正电极、一负电极；所述透光部包括一石英玻璃盖板；所述石英玻璃盖板、所述围坝与所述支架围合形成所述容纳空间；
所述方法包括：
将所述围坝设置于所述支架上；
将所述正电极、负电极设置于所述支架上；
将所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上并位于所述围坝的内侧，并与所述正电极、负电极电连接；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述围坝的内侧壁均设置所述保护层；
将硅油加入所述围坝内；
将所述石英玻璃盖板安装在所述围坝远离所述支架的一端。
10.根据权利要求8所述的紫外光发光二极体元件结构的制造方法，其中，所述支撑部包括一基板、一封盖、一正电极、一负电极；所述透光部包括一石英玻璃管；所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
所述方法包括：
将所述正电极、负电极设置于所述封盖上；
将所述紫外光发光二极体芯片设置于所述基板上，并与所述正电极、负电极电连接；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述基板上及所述封盖均设置所述保护层；
将所述紫外光发光二极体芯片、所述基板置于所述石英玻璃管内；
将硅油加入石英玻璃管内；
利用封盖将所述石英玻璃管的开口端密封；
或，
所述支撑部包括一支架、一基板、一封盖、一正电极、一负电极；所述透光部包括一石英玻璃管；所述封盖与所述石英玻璃管围合形成所述容纳空间；
所述方法包括：
将所述正电极、负电极设置于所述封盖上；
将所述紫外光发光二极体芯片设置于所述支架上，并与所述正电极、负电极电连接；
将所述支架安装在所述基板上；
在所述紫外光发光二极体芯片的表面及其侧面、所述支架上、所述基板上及所述封盖均设置所述保护层；
将所述紫外光发光二极体芯片、所述支架、所述基板置于所述石英玻璃管内；
将硅油加入石英玻璃管内；
利用封盖将所述石英玻璃管的开口端密封。
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