TWM579384U - 半導體封裝結構、發光裝置及具有該裝置的設備 - Google Patents

Abstract

本公開提出一種半導體封裝結構，其包括基板、第一極性金屬層、第二極性金屬層、晶片以及封裝層。基板具有第一表面和第一側面。第一極性金屬層設於基板內且具有第二表面和第二側面，第二表面露出於第一表面，第二側面露出於第一側面而形成陽極金屬電極。第二極性金屬層與第一極性金屬層相間隔地設於基板內且具有第三表面和第三側面，第三表面露出於第一表面，第三側面露出於第一側面而形成陰極金屬電極。晶片設於第一極性金屬層的第二表面上。封裝層設於基板的第一表面上。其中，半導體封裝結構被配置為通過陽極金屬電極和陰極金屬電極電連接於電路板，而使晶片相對電路板呈側立式佈置。

Description

半導體封裝結構、發光裝置及具有該裝置的設備

本創作涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體封裝結構、發光裝置及具有該裝置的設備。

現有的背光LED側發光(side view)封裝體，通常具有PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier，特殊引腳晶片封裝)、PTC(Positive Temperature Coefficient)或EMC(Epoxy molding compound，環氧模塑膠封裝)等封裝形式的塑膠碗杯，其經SMD(Surface Mounted Devices，表面貼裝器件)焊接後，可實現側向發光功能。然而，上述現有封裝體無法耐受高功率的UVA(長波黑斑效應紫外線，波長為320nm~420nm)或UVC(短波滅菌紫外線，波長為200nm~275nm)的攻擊。

再者，本領域中存在將金屬基板應用於高功率應用環境中的設計，其能夠實現經過UV(紫外線)攻擊而不產生變質的功效。然而，由於現有封裝體的焊接腳位於結構的底部，因此無法實現側向發光功能。

本創作的一個主要目的在於克服上述現有技術的至少一種缺陷，提供一種能夠耐受UV攻擊而不產生變質且能夠實現側向發光功能的半導體封裝結構。

本創作的另一個主要目的在於克服上述現有技術的至少一種缺陷，提供一種發光裝置。

本創作的又一個主要目的在於克服上述現有技術的至少一種缺陷，提供一種具有發光裝置的設備。

為實現上述目的，本創作採用如下技術方案：根據本創作的一個方面，提供一種半導體封裝結構。其中，該半導體封裝結構包括基板、第一極性金屬層、第二極性金屬層、晶片以及封裝層。該基板具有第一表面和第一側面。該第一極性金屬層設於該基板內且具有第二表面和第二側面，該第二表面露出於該第一表面，該第二側面露出於該第一側面而形成陽極金屬電極。該第二極性金屬層與所述第一極性金屬層相間隔地設於該基板內且具有第三表面和第三側面，該第三表面露出於該第一表面，該第三側面露出於該第一側面而形成陰極金屬電極。該晶片設於該第一極性金屬層的第二表面上。該封裝層設於該基板的第一表面上。其中，該半導體封裝結構被配置為通過該陽極金屬電極和該陰極金屬電極電連接於電路板，而使該晶片相對該電路板呈側立式佈置。

根據本創作的其中一個實施方式，該第二表面具有第一段差部，該第一段差部位於該第一表面的中部，該第三表面具有第二段差部，該第一段差部與該第二段差部相匹配，該晶片設於該第一段差部。

根據本創作的其中一個實施方式，該基板的材質為金屬或者陶瓷。

根據本創作的其中一個實施方式，該第一極性金屬層為陽極金屬層。

根據本創作的其中一個實施方式，該第二極性金屬層為陰極金屬層。

根據本創作的其中一個實施方式，該第一極性金屬層的材質為銅。

根據本創作的其中一個實施方式，該第二極性金屬層的材質為銅。

根據本創作的另一個方面，提供一種發光裝置。其中，該發光裝置包括電路板以及多個發光單元。每個該些發光單元包括本創作提出的並在上述實施方式中之該半導體封裝結構。該半導體封裝結構通過該陽極金屬電極和該陰極金屬電極電連接於該電路板，該晶片為發光晶片。

根據本創作的其中一個實施方式，該電路板為金屬芯印刷電路板。

根據本創作的其中一個實施方式，所述發光晶片為LED晶片。

根據本創作的又一個方面，提供一種具有發光裝置的設備。其中，所述具有發光裝置的設備包括本創作提出的並在上述實施方式中所述的發光裝置。

根據本創作的其中一個實施方式，所述發光裝置的所述發光晶片為紫外光發光晶片。

由上述技術方案可知，本創作的優點和積極效果在於：本創作提出的半導體封裝結構，包括基板以及設於基板內的第一極性金屬層和第二極性金屬層。兩個金屬層的表面均露出於基板的第一表面， 且兩個金屬層的側面均露出於基板的第一側面而分別形成陽極金屬電極和陰極金屬電極。據此，本創作提出的半導體封裝結構能夠通過兩個金屬電極電連接於電路板時，可使設置在第二表面的晶片相對電路板呈側立式佈置，從而能夠耐受UV攻擊而不產生變質且能夠實現側向發光功能的半導體封裝結構。

100‧‧‧半導體封裝結構

101‧‧‧基板

110‧‧‧基板

111‧‧‧第一表面

112‧‧‧第一側面

120‧‧‧第一極性金屬層

121‧‧‧第二表面

1211‧‧‧第一段差部

122‧‧‧第二側面

130‧‧‧第二極性金屬層

131‧‧‧第三表面

1311‧‧‧第二段差部

132‧‧‧第三側面

140‧‧‧晶片

150‧‧‧封裝層

300‧‧‧消毒水壺

310‧‧‧水壺本體

320‧‧‧水壺上蓋

330‧‧‧水壺底座

331‧‧‧底座上蓋

332‧‧‧底座下蓋

333‧‧‧充電發送端

340‧‧‧光源模組

341‧‧‧發光裝置

400‧‧‧消毒水杯

410‧‧‧水杯本體

420‧‧‧水杯上蓋

430‧‧‧水杯底座

440‧‧‧內管

450‧‧‧發光裝置

160‧‧‧矽膠碗杯結構

161‧‧‧階梯結構

170‧‧‧透鏡

180‧‧‧夾層

200‧‧‧發光裝置

210‧‧‧電路板

220‧‧‧發光單元

510‧‧‧外殼玻璃

520‧‧‧發光裝置

600‧‧‧消毒桌

610‧‧‧桌體

620‧‧‧發光裝置

630‧‧‧玻璃罩板

631‧‧‧光觸媒塗層

通過結合圖式考慮以下對本創作的較佳實施方式的詳細說明，本創作的各種目標、特徵和優點將變得更加顯而易見。圖式僅為本創作的示範性圖解，並非一定是按比例繪製。在圖式中，同樣的圖式標記始終表示相同或類似的部件。其中：第1圖係根據一示例性實施方式示出的一種半導體封裝結構之結構示意圖；第2圖係圖1示出的半導體封裝結構之俯視圖；第3圖係根據另一示例性實施方式示出的一種半導體封裝結構之結構示意圖；第4圖係圖3圖示出的半導體封裝結構的另一結構示意圖；第5圖係根據一示例性實施方式示出的一種半導體封裝結構的製備方法的其中一個步驟中的半導體封裝結構之示意圖；第6圖係根據一示例性實施方式示出的一種半導體封裝結構的製備方法的其中另一個步驟中的半導體封裝結構之示意圖；第7圖係根據一示例性實施方式示出的一種半導體封裝結構的製備方法的其中又一個步驟中的半導體封裝結構之示意圖； 第8圖係根據一示例性實施方式示出的一種半導體封裝結構的製備方法的其中再一個步驟中的半導體封裝結構之示意圖；第9圖係根據一示例性實施方式示出的一種發光裝置之結構示意圖；第10圖係根據一示例性實施方式示出的一種消毒水壺之分解示意圖；第11圖係第10圖示出的消毒水壺的光源模組之結構示意圖；第12圖係根據一示例性實施方式示出的一種消毒水杯之結構示意圖；第13圖係根據一示例性實施方式示出的一種手機之外殼玻璃的結構示意圖；第14圖係根據一示例性實施方式示出的一種消毒桌之結構示意圖。

體現本創作特徵與優點的典型實施例將在以下的說明中詳細敘述。應理解的是本創作能夠在不同的實施例上具有各種的變化，其皆不脫離本創作的範圍，且其中的說明及圖式在本質上是作說明之用，而非用以限制本創作。

在對本創作的不同示例性實施方式的下面描述中，參照圖式進行，該圖式形成本創作的一部分，並且其中以示例方式顯示了可實現本創作的多個方面的不同示例性結構、系統和步驟。應理解的是，可以使 用部件、結構、示例性裝置、系統和步驟的其他特定方案，並且可在不偏離本創作範圍的情況下進行結構和功能性修改。而且，雖然本說明書中可使用術語「之上」、「之間」、「之內」等來描述本創作的不同示例性特徵和元件，但是這些術語用於本文中僅出於方便，例如根據圖式中所述的示例的方向。本說明書中的任何內容都不應理解為需要結構的特定三維方向才落入本創作的範圍內。

半導體封裝結構實施方式一

參閱第1圖，其代表性地示出了本創作提出的半導體封裝結構的結構示意圖。在該示例性實施方式中，本創作提出的半導體封裝結構是以應用於提供發光功能的半導體器件為例進行說明的。本領域技術人員容易理解的是，為將本創作的相關設計應用於其他類型的半導體器件或其他領域中，而對下述的具體實施方式做出多種改型、添加、替代、刪除或其他變化，這些變化仍在本創作提出的半導體封裝結構的原理的範圍內。

如第1圖所示，在本實施方式中，本創作提出的半導體封裝結構主要包括基板、第一極性金屬層、第二極性金屬層、晶片以及封裝層。配合參閱第2圖，第2圖中代表性地示出了能夠體現本創作原理的半導體封裝結構的俯視圖。以下結合圖式，對本創作提出的半導體封裝結構的各主要組成部分的結構、佈置方式或功能關係進行詳細說明。

如第1圖至第2圖所示，在本實施方式中，基板110具有第一表面111和第一側面112。第一極性金屬層120設置在基板110內，且第一極性金屬層120具有第二表面121和第二側面122。其中，第二表面121露出 於第一表面111，且第二側面122露出於第一側面112而形成陽極金屬電極。第二極性金屬層130設置在基板110內，且與第一極性金屬層120相間隔地設置，第二極性金屬層130具有第三表面131和第三側面132。其中，第三表面131露出於第一表面111，第三側面132露出於第一側面112而形成陰極金屬電極。晶片140設置在第一極性金屬層120的第二表面121上，且晶片140較佳地係為發光晶片，以提供發光功能。封裝層150設置在基板110的第一表面111上，用以封裝第一極性金屬層120、第二極性金屬層130和發光晶片。據此，半導體封裝結構100能夠通過陽極金屬電極和陰極金屬電極電連接於電路板，而使發光晶片相對電路板呈側立式佈置。本創作通過上述設計，當晶片140選用發光晶片時，可使設置在第二表面121的發光晶片相對電路板呈側立式佈置，從而能夠耐受UV攻擊而不產生變質且能夠實現側向發光功能。

進一步地，如第2圖所示，在本實施方式中，第二表面121具有第一段差部1211，即，第一極性金屬層120顯露在基板110的第一表面111上的部分進一步具有一個朝第二極性金屬層130寬度增加的部分。相應地，第三表面131具有第二段差部1311，即，第二極性金屬層130顯露在基板110的第一表面111上的部分進一步具有一個相對於第一段差部1211寬度減少的部分。其中，第一段差部1211位於第一表面111的中部，且第一段差部1211與第二段差部1311相匹配，發光晶片進一步設置在第二表面121的第一段差部1211上。

在此實施方式中，晶片140為水平式發光晶片，但亦可採用其他形式發光晶片，例如垂直式發光晶片或者覆晶式發光晶片，並不以 本實施方式為限。

在其他實施方式中，第一極性金屬層120與第二極性金屬層130亦可分別採用其他形狀，即第二表面121與第三表面131並不限於上述段差配合的關係，亦可採用凹凸的配合形式，或可採用無特定配合形式的其他形狀，並不以本實施方式為限。

進一步地，在本實施方式中，基板110的材質可以較佳地採用金屬或者陶瓷。在其他實施方式中，基板110亦可選擇其他材質，並不以本實施方式為限。

進一步地，在本實施方式中，第一極性金屬層120可為陽極金屬層，第二極性金屬層130可為陰極金屬層。

進一步地，在本實施方式中，第一極性金屬層120可為陰極金屬層，第二極性金屬層130可為陽極金屬層，並不以本實施方式為限。

進一步地，在本實施方式中，第一極性金屬層120的材質較佳地係為銅。在其他實施方式中，第一極性金屬層120的材質亦可選擇其他金屬，並不以本實施方式為限。

進一步地，在本實施方式中，第二極性金屬層130的材質較佳地係為銅。在其他實施方式中，第二極性金屬層130的材質亦可選擇其他金屬，並不以本實施方式為限。

另外，在本實施方式中，第一極性金屬層120的材質與第二極性金屬層130的材質較佳地係為相同。在其他實施方式中，第一極性金屬層120的材質與第二極性金屬層130的材質亦可採用不同的金屬，並不以本實施方式為限。

在此應注意，圖式中示出而且在本說明書中描述的半導體封裝結構僅僅是能夠採用本創作原理的許多種半導體封裝結構中的一個示例。應當清楚地理解，本創作的原理絕非僅限於圖式中示出或本說明書中描述的半導體封裝結構的任何細節或半導體封裝結構的任何結構。

半導體封裝結構實施方式二

參閱第3圖，其代表性地示出了本創作提出的半導體封裝結構的另一實施方式的結構示意圖。在該示例性實施方式中，本創作提出的半導體封裝結構與第一實施方式中的半導體封裝結構大致相同，以下結合圖式對本實施方式中的主要區別進行說明。

如第3圖所示，在本實施方式中，本創作提出的半導體封裝結構並未設置封裝層，而是採用矽膠碗杯結構160與透鏡170相配合的組合結構，設置在基板110的第一表面111上，用以封裝第一極性金屬層120、第二極性金屬層130和發光晶片。

具體而言，如第3圖所示，在本實施方式中，矽膠碗杯結構160設置在基板110的第一表面111上，且形成大致圍繞發光晶片周圍且與發光晶片相間隔的碗杯狀結構，另矽膠碗杯結構160在基板110上的設置高度高於發光晶片在基板110上的設置高度。透鏡170設置在發光晶片的上方，且透鏡170的邊緣設於矽膠碗杯結構160的「碗口」的周緣處，從而利用透鏡170和矽膠碗杯結構160在發光晶片上方和周圍形成夾層180。其中，本實施方式中該夾層180為設置其他材料，故可以理解為空氣夾層。

進一步地，本實施方式的上述夾層180，在另一較佳實施方式中，可在夾層180中設置其他耐UV光照射的材料，例如耐UV矽膠等， 使夾層180形成填充夾層，並將透鏡170設置在夾層180上且透鏡170的邊緣仍可設於矽膠碗杯結構160的「碗口」的周緣處。

進一步地，如第4圖所示，以本實施方式的上述設計為基礎，在另一較佳實施方式中，矽膠碗杯結構160的「碗口」的周緣處可以較佳地地形成階梯結構161，以供透鏡170的邊緣設置在該接頭結構161中，從而實現對透鏡170相對矽膠碗杯結構160的固定效果的進一步優化。

半導體封裝結構的製備方法實施方式

在該示例性實施方式中，本創作提出的半導體封裝結構的製備方法是以製備具有發光功能的半導體封裝結構為例進行說明的。本領域技術人員容易理解的是，為將本創作的相關設計應用於其他類型的半導體封裝結構的製備或其他工藝中，而對下述的具體實施方式做出多種改型、添加、替代、刪除或其他變化，這些變化仍在本創作提出的半導體封裝結構的製備方法的原理的範圍內。

配合參閱第5圖至第7圖，第5圖至第7圖分別示出了本創作提出的半導體封裝結構的製備方法中的其中某個步驟中的半導體封裝結構的示意圖。具體而言，第5圖示出的半導體封裝結構大致對應為基板設置金屬層的步驟，第6圖示出的半導體封裝結構大致對應為設置晶片的步驟，第7圖示出的半導體封裝結構大致對應為設置封裝層的步驟，第8圖示出的半導體封裝結構大致對應為分切的步驟。以下結合上述圖式，對本創作提出的半導體封裝結構的製備方法的各步驟進行詳細說明。

具體而言，在本實施方式中，本創作提出的半導體封裝結構的製備方法主要包括以下步驟： 提供一基板101，基板101具有第一表面111和第一側面112；在基板101內設置第一極性金屬層120，第一極性金屬層120具有第二表面121，第二表面121露出於第一表面111；在基板101內設置第二極性金屬層130，第二極性金屬層130與第一極性金屬層120相間隔且具有第三表面131，第三表面131露出於第一表面111；在第一極性金屬層120的第二表面121上相間隔地依序設置多個晶片140；在基板101的第一表面111上設置封裝層150；以及將上述步驟製成的封裝結構分切為多個半導體封裝結構100，每個半導體封裝結構100對應於一個晶片140，第一極性金屬層120在每個半導體封裝結構100的基板110的一個切割面(即第一側面112)上顯露出第二側面122，並以此形成該半導體封裝結構100的陽極金屬電極，第二極性金屬層130在每個半導體封裝結構100的基板110的同一個切割面上顯露出第三側面132，並以此形成該半導體封裝結構100的陰極金屬電極。

需說明的是，在上述步驟中，可以理解為針對單一的半導體封裝結構100的製備方法，亦可理解為針對具有多個封裝單元的半導體封裝結構的製備方法。其中，基於產線中的大規模製備製程，即本創作針對具有多個封裝單元的半導體封裝結構時，是提供一塊大尺寸的基板101。並且，在設置第一極性金屬層120和第二極性金屬層130的步驟中，是設置間隔分佈的多對金屬層，每對金屬層即包括第一極性金屬層120和第二極性金屬層130。在設置晶片140的步驟中，是設置多個晶片140，且 多個晶片140分別設置在多個第一極性金屬層120的第二表面121上。在設置封裝層150的步驟中，是在大尺寸的基板101上設置整體的封裝層150，該整體的封裝層150形成有多個封裝空間，每個封裝空間分別封裝一對金屬層和一個晶片140。

如第5圖所示，在本實施方式中，在提供基板101的步驟中，基板101具有第一表面111和第一側面112。另外，第7圖中示出的基板101是上述大尺寸的基板101，在針對單一半導體封裝結構100的製備中，亦可代表針對單一半導體封裝結構100的基板110。

進一步地，在本實施方式中，在提供基板110的步驟中，基板101可以較佳地採用金屬或者陶瓷製成，可提供耐高功率及UV光攻擊的功效。在其他實施方式中，基板101亦可採用其他材質製成，並不以本實施方式為限。

在本實施方式中，基板110的製作是由陶瓷粉加銅金屬燒結而成，第一極性金屬層120和第二極性金屬層130是在基板101內相間隔地設置一對大尺寸的第一極性金屬層120和第二極性金屬層130。第一極性金屬層120和第二極性金屬層130分別具有露出於第一表面111的第二表面121和第三表面131。

進一步地，在本實施方式中，在設置第一極性金屬層120的步驟中，第一極性金屬層120可以較佳地地採用銅製成。在其他實施方式中，第一極性金屬層120亦可選擇其他金屬製成，並不以本實施方式為限。

進一步地，在本實施方式中，在設置第二極性金屬層130 的步驟中，第二極性金屬層130可以較佳地地採用銅製成。在其他實施方式中，第二極性金屬層130亦可選擇其他金屬製成，並不以本實施方式為限。

另外，在本實施方式中，第一極性金屬層120和第二極性金屬層130較佳地採用相同的金屬材質製成。在其他實施方式中，第一極性金屬層120和第二極性金屬層130較佳地採用不同的金屬材質製成，並不以本實施方式為限。

如第6圖所示，在本實施方式中，在設置晶片140的步驟中，是將多個晶片140相間隔地貫序設置在第一極性金屬層120的第二表面121上。其中，上述步驟可以具體包括固晶和打線，固晶即為將晶片140與第一極性金屬層120的第二表面121相固定，打線即為將晶片140分別與第一極性金屬層120的第二表面121和第二極性金屬層130的第三表面131通過打線工藝實現電連接。另外，晶片140較佳地係為發光晶片，以提供發光功能。

需說明的是，上述關於打線的描述實際是以水平固晶打線方式為例描述的。在其他實施方式中，亦可採用垂直固晶打線方式及覆晶式固晶打線方式等。舉例而言，在垂直固晶打線方式中，固晶即為將晶片140與第一極性金屬層120的第二表面121相固定，打線即為將晶片140和第二極性金屬層130的第三表面131通過打線工藝實現電連接。又如，在覆晶式固晶打線方式中，由於正負電極位置即在晶片140底面，因此將晶片140依照晶片140電極位置固晶於相對基板110第一極性金屬層120的第二表面121和第二極性金屬層130的第三表面131，即可完成電連接。

如第7圖所示，在本實施方式中，在設置封裝層150的步驟中，是在大尺寸的基板101的第一表面111上設置大尺寸的封裝層150。

如第8圖所示，在本實施方式中，在分切形成多個半導體封裝結構100的步驟中，切割面大致垂直於第一極性金屬層120和第二極性金屬層130的延伸方向。大尺寸的基板101經切割後形成多個小尺寸的基板110，同時被切割的第一極性金屬層120和第二極性金屬層130露出於基板110的切割面，從而使兩者的位於同一基板110的切割面的第二側面122和第三側面132分別形成陽極金屬電極和陰極金屬電極。至此，分切後形成的每個半導體封裝結構100，其主要層疊形式和結構組成即可參考上述關於半導體封裝結構100實施方式中的描述，在此不予贅述。

承上，上述半導體封裝結構的製備工藝是以針對產線中大規模製備工藝為例進行說明的。本領域技術人員應當理解的是，對於單一半導體封裝結構100的製備而言，本創作提出的半導體封裝結構的製備工藝至少應包括以下步驟：提供一基板110，基板110具有第一表面111和第一側面112；在基板110內設置第一極性金屬層120，第一極性金屬層120具有第二表面121和第二側面122，第二表面121露出於第一表面111，第二側面122露出於第一側面112而形成陽極金屬電極；在基板110內設置第二極性金屬層130，第二極性金屬層130與第一極性金屬層120相間隔且具有第三表面131和第三側面132，第三表面131露出於第一表面111，第三側面132露出於第一側面112而形成陰極金屬電極；在第二表面121上設置晶片140；以及 在第一表面111上設置封裝層150。

在此應注意，圖式中示出而且在本說明書中描述的半導體封裝結構的製備方法僅僅是能夠採用本創作原理的許多種製備方法中的一個示例。應當清楚地理解，本創作的原理絕非僅限於圖式中示出或本說明書中描述的半導體封裝結構的製備方法的任何細節或任何步驟。

發光裝置實施方式

參閱第9圖，其代表性地示出了本創作提出的發光裝置的結構示意圖。在該示例性實施方式中，本創作提出的發光裝置是以應用於具有發光裝置的設備為例進行說明的。本領域技術人員容易理解的是，為將本創作的相關設計應用於其他類型的設備或其他工藝中，而對下述的具體實施方式做出多種改型、添加、替代、刪除或其他變化，這些變化仍在本創作提出的發光裝置的原理的範圍內。

如第9圖所示，在本實施方式中，本創作提出的發光裝置200主要包括電路板210以及設置在電路板210上的多個發光單元220。具體而言，每個發光單元220包括本創作提出的並在上述實施方式中的半導體封裝結構100。其中，半導體封裝結構100通過陽極金屬電極和陰極金屬電極電連接於電路板210，半導體封裝結構100的晶片140為發光晶片，則發光晶片是相對於電路板210呈側立式佈置，使得發光裝置200具備高功率側向發光功能。

進一步地，在本實施方式中，電路板210較佳地係為金屬芯印刷電路板。在其他實施方式中，電路板210亦可選用其他類型的電子器件，並不以本實施方式為限。

進一步地，在本實施方式中，發光晶片較佳地係為LED晶片。在其他實施方式中，發光晶片亦可選用其他類型的發光器件，並不以本實施方式為限。

在此應注意，圖式中示出而且在本說明書中描述的發光裝置僅僅是能夠採用本創作原理的許多種發光裝置中的幾個示例。應當清楚地理解，本創作的原理絕非僅限於圖式中示出或本說明書中描述的發光裝置的任何細節或發光裝置的任何部件。

具有發光裝置的設備實施方式一

在該示例性實施方式中，本創作提出的具有發光裝置的設備是以消毒水壺為例進行說明的。本領域技術人員容易理解的是，為將本創作的相關設計應用於其他類型的消毒設備或其他產品中，而對下述的具體實施方式做出多種改型、添加、替代、刪除或其他變化，這些變化仍在本創作提出的具有發光裝置的設備的原理的範圍內。

參閱第10圖和第11圖所示，第10圖是根據一示例性實施方式示出的一種消毒水壺的分解示意圖；第11圖中代表性地示出了能夠體現本創作原理的消毒水壺的光源模組的結構示意圖。以下結合上述圖式，對本創作提出的消毒水壺的各主要組成部分的結構、連接方式和功能關係進行說明。

如第10圖和第11圖所示，在本實施方式中，消毒水壺300主要包括水壺本體310、水壺上蓋320、水壺底座330以及光源模組340。具體而言，水壺本體310大致呈筒狀結構且具有頂部開口和底部開口，水壺上蓋320和水壺底座330分別可拆裝地封閉設置於水壺本體310的頂部開口 和底部開口。其中，光源模組340設置在底座上，且光源模組340至少包括發光裝置341，該發光裝置341即為本創作提出的且在上述實施方式中示例性說明的發光裝置。據此，消毒水壺300能夠利用該發光裝置341對水壺本體310內盛裝的液體(例如水)進行消毒殺菌。由於採用了本創作提出的發光裝置，該消毒水壺300能夠提供同時具備高強度和殺菌光線側射式優點的殺菌功能。

進一步地，在本實施方式中，發光裝置341的發光晶片較佳地係為紫外光發光晶片。在其他實施方式中，發光晶片亦可選用其他類型的殺菌光線，並不以本實施方式為限。

更進一步地，基於發光晶片選用紫外光發光晶片的設計，在本實施方式中，發光晶片的紫外光類型可以進一步較佳地係為UVA或UVC。

進一步地，如第10圖和第11圖所示，在本實施方式中，水壺底座330進一步包括底座上蓋331和底座下蓋332，底座上蓋331和底座下蓋332上下對合形成水壺底座330。其中，光源模組340設置在底座上蓋331，且具有充電接收端，該充電接收端與設置在底座下蓋332與底座上蓋331之間的充電發送端333相配合，能夠實現對光源模組340的充電功能。另外，充電模組還可包括電池座，用於放置電池。

具有發光裝置的設備實施方式二

在該示例性實施方式中，本創作提出的具有發光裝置的設備是以消毒水杯為例進行說明的。本領域技術人員容易理解的是，為將本創作的相關設計應用於其他類型的消毒設備或其他產品中，而對下述的具 體實施方式做出多種改型、添加、替代、刪除或其他變化，這些變化仍在本創作提出的具有發光裝置的設備的原理的範圍內。

參閱第12圖，第12圖是根據一示例性實施方式示出的一種消毒水杯的結構示意圖。以下結合上述圖式，對本創作提出的消毒水杯的各主要組成部分的結構、連接方式和功能關係進行說明。

如第12圖所示，在本實施方式中，消毒水杯400主要包括水杯本體410、水杯上蓋420、水杯底座430以及發光裝置450。具體而言，水杯本體410大致呈筒狀結構且具有頂部開口和底部開口。水杯上蓋420和水杯底座430分別可拆裝地封閉設置在水杯本體410的頂部開口和頂部開口。發光裝置450即為本創作提出的且在上述實施方式中示例性說明的發光裝置，該發光裝置450設置在水杯底座430上且位於水杯本體410內。據此，消毒水杯400能夠利用該發光裝置450對水杯本體410內盛裝的液體(例如水)進行消毒殺菌。由於採用了本創作提出的發光裝置，該消毒水杯400能夠提供同時具備高強度和殺菌光線側射式優點的殺菌功能。

進一步地，如第12圖所示，在本實施方式中，消毒水杯400還包括內管440。具體而言，內管440設置在水杯底座430上且位於水杯本體410內。發光裝置450設置在內管440的管腔中，以利於內管440的設置將水杯本體410的內腔與發光裝置450分隔。其中，內管440可以採用透紫外光玻璃，但並不以此為限。

進一步地，在本實施方式中，發光裝置450的發光晶片較佳地係為紫外光發光晶片。在其他實施方式中，發光晶片亦可選用其他類型的殺菌光線，並不以本實施方式為限。

更進一步地，基於發光晶片選用紫外光發光晶片的設計，在本實施方式中，發光晶片的紫外光類型可以進一步較佳地係為UVA或UVC。

具有發光裝置的設備實施方式三

在該示例性實施方式中，本創作提出的具有發光裝置的設備是以手機為例進行說明的。本領域技術人員容易理解的是，為將本創作的相關設計應用於例如Pad的其他類型的移動設備或其他產品中，而對下述的具體實施方式做出多種改型、添加、替代、刪除或其他變化，這些變化仍在本創作提出的具有發光裝置的設備的原理的範圍內。

參閱第13圖，第13圖是根據一示例性實施方式示出的一種手機的外殼玻璃的結構示意圖。以下結合上述圖式，對本創作提出的手機的各主要組成部分的結構、連接方式和功能關係進行說明。

如第13圖所示，在本實施方式中，手機具有外殼玻璃510，且外殼玻璃510的邊緣處設置有發光裝置520。其中，該發光裝置520即為本創作提出的且在上述實施方式中示例性說明的發光裝置。發光裝置520的電路板與外殼玻璃510大致平行，利用發光裝置520的側射式發光功能，發光裝置520射出的殺菌光線與電路板，即外殼玻璃510大致平行。據此，手機能夠利用該發光裝置520對外殼玻璃510進行消毒殺菌。由於採用了本創作提出的發光裝置，能夠在提供高強度殺菌光線的同時，適應手機外殼玻璃510的殺菌光線射出方向的要求。

進一步地，在本實施方式中，手機具有一UV反射層(圖未示)，調整UV光線出光方向以避免UV光線傷害手機內部的液晶模組及/或 背光模組。

進一步地，在本實施方式中，發光裝置520的發光晶片較佳地係為紫外光發光晶片。在其他實施方式中，發光晶片亦可選用其他類型的殺菌光線，並不以本實施方式為限。

更進一步地，基於發光晶片選用紫外光發光晶片的設計，在本實施方式中，發光晶片的紫外光類型可以進一步較佳地係為UVA或UVC。

具有發光裝置的設備實施方式四

在該示例性實施方式中，本創作提出的具有發光裝置的設備是以消毒桌為例進行說明的。本領域技術人員容易理解的是，為將本創作的相關設計應用於其他類型的消毒設備或其他產品中，而對下述的具體實施方式做出多種改型、添加、替代、刪除或其他變化，這些變化仍在本創作提出的具有發光裝置的設備的原理的範圍內。

參閱第14圖，第14圖是根據一示例性實施方式示出的一種消毒桌的結構示意圖。以下結合上述圖式，對本創作提出的消毒桌的各主要組成部分的結構、連接方式和功能關係進行說明。

如第14圖所示，在本實施方式中，消毒桌600主要包括桌體610、發光裝置620以及玻璃罩板630。具體而言，桌體610上表面開設有開槽，玻璃罩板630蓋設在桌體610上表面並封閉開槽的槽口。發光裝置620即為本創作提出的且在上述實施方式中示例性說明的發光裝置。發光裝置620設置在開槽的槽壁處，發光裝置620的電路板與開槽的槽底，即玻璃罩板630大致平行，利用發光裝置620的側射式發光功能，發光裝置620射出 的殺菌光線與電路板，即玻璃罩板630大致平行。據此，消毒桌600能夠利用該發光裝置620對放置在玻璃罩板630的帶消毒物品進行消毒殺菌。由於採用了本創作提出的發光裝置，能夠滿足消毒桌600殺菌光線射出方向要求的同時，提供更高強度的殺菌光線。

進一步地，在本實施方式中，發光裝置620的發光晶片較佳地係為紫外光發光晶片。在其他實施方式中，發光晶片亦可選用其他類型的殺菌光線，並不以本實施方式為限。

更進一步地，基於發光晶片選用紫外光發光晶片的設計，在本實施方式中，發光晶片的紫外光類型可以進一步較佳地係為UVA或UVC。

進一步地，在本實施方式中，玻璃罩板630較佳地地選用透紫外光玻璃。

進一步地，如第14圖所示，在本實施方式中，玻璃罩板630的上表面較佳地設置光觸媒塗層631。

進一步地，在本實施方式中，桌體610的側邊還較佳地設置紅外線及紅外線感測器，以使紅外線感測器感測到有人員靠近時，能夠關閉該發光裝置，以免對人體健康造成危害。在此應注意，圖式中示出而且在本說明書中描述的具有發光裝置的設備僅僅是能夠採用本創作原理的許多種具有發光裝置的設備中的幾個示例。應當清楚地理解，本創作的原理絕非僅限於圖式中示出或本說明書中描述的具有發光裝置的設備的任何細節或具有發光裝置的設備的任何部件。

在其他實施方式中，本創作提出的具有發光裝置的設備可 以為在各種領域中應用的設備，除上述實施方式中的消毒水壺、消毒水杯、手機和消毒桌，還可以例如為以殺菌光線提供殺菌消毒功能的消毒櫃、掌上型殺菌儀、氣體或液體淨化器等設備或元件。承上，對於本創作提出的具有發光裝置的設備而言，其至少包括本創作提出的並在上述實施方式中的發光裝置。

綜上所述，本創作提出的半導體封裝結構，包括基板以及設於基板內的第一極性金屬層和第二極性金屬層。兩個金屬層的表面均露出於基板的第一表面，且兩個金屬層的側面均露出於基板的第一側面而分別形成陽極金屬電極和陰極金屬電極。據此，本創作提出的半導體封裝結構能夠通過兩個金屬電極電連接於電路板時，可使設置在第二表面的晶片相對電路板呈側立式佈置，從而能夠耐受UV攻擊而不產生變質且能夠實現側向發光功能的半導體封裝結構。

以上詳細地描述及/或圖示了本創作提出的半導體封裝結構、發光裝置及具有該裝置的設備的示例性實施方式。但本創作的實施方式不限於這裡所描述的特定實施方式，相反，每個實施方式的組成部分和/或步驟可與這裡所描述的其它組成部分和/或步驟獨立和分開使用。一個實施方式的每個組成部分和/或每個步驟也可與其它實施方式的其它組成部分和/或步驟結合使用。在介紹這裡所描述和/或圖示的要素/組成部分/等時，用語「一個」、「一」和「上述」等用以表示存在一個或多個要素/組成部分/等。術語「包含」、「包括」和「具有」用以表示開放式的包括在內的意思並且是指除了列出的要素/組成部分/等之外還可存在另外的要素/組成部分/等。此外，專利申請範圍及說明書中的術語「第一」和「第 二」等僅作為標記使用，不是對其物件的數位限制。

雖然已根據不同的特定實施例對本創作提出的半導體封裝結構、發光裝置及具有該裝置的設備進行了描述，但本領域技術人員將會認識到可在專利申請範圍的精神和範圍內對本創作的實施進行改動。

Claims (10)

1. 一種半導體封裝結構，包括：一基板，具有一第一表面和一第一側面；一第一極性金屬層，設於該基板內且具有一第二表面和一第二側面，該第二表面露出於該第一表面，該第二側面露出於該第一側面而形成該第一極性金屬電極；一第二極性金屬層，與該第一極性金屬層相間隔地設於該基板內且具有一第三表面和一第三側面，該第三表面露出於該第一表面，該第三側面露出於該第一側面而形成該第二極性金屬電極；一發光晶片，設於該第一極性金屬層的該第二表面上，並分別與該第一極性金屬層及該第二極性金屬層電性連接；以及一封裝層，設於該基板的該第一表面上，並覆蓋該發光晶片、該第二表面及該第三表面；其中，該半導體封裝結構被配置為通過該第一極性金屬電極和該第二極性金屬電極電連接於一安裝平面，而使該發光晶片相對該安裝平面呈側立式佈置。
2. 如請求項1所述之半導體封裝結構，其中，該第二表面且具有一第一段差部，該第一段差部位於該第一表面的中部，該第三表面具有一第二段差部，該第一段差部與該第二段差部相匹配。
3. 如請求項1所述之半導體封裝結構，其中，該基板的材質為金屬或者陶瓷。
4. 如請求項1所述之半導體封裝結構，其中，該第一極性金屬層和該第二極性金屬層中至少之一者材質為銅。
5. 如請求項1所述之半導體封裝結構，其中，該發光晶片設於該第一段差部。
6. 如請求項1所述之半導體封裝結構，其中，該發光晶片為LED晶片。
7. 如請求項1所述之半導體封裝結構，其中，該發光晶片為紫外光發光晶片。
8. 一種發光裝置，其中，該發光裝置包括：一電路板，提供一安裝平面；以及複數個發光單元，該些發光單元包括請求項1至7任一項所述之半導體封裝結構，該半導體封裝結構通過該第一極性金屬電極和該第二極性金屬電極電連接於該電路板。
9. 如請求項8所述之發光裝置，其中，該電路板為金屬芯印刷電路板。
10. 一種發光設備，包括一消毒及/或清潔區域及請求項8所述之發光裝置，請求項8所述之發光裝置用以對該消毒區域進行消毒及/或清潔。