TWM560587U - 基材檢測系統 - Google Patents

Abstract

一種基材檢測系統用以檢測一透光基材，其包含：線掃描相機、光源裝置及輸送裝置。光源裝置設置於線掃描相機的下方，光源裝置包含有發光面，發光面定義有第一發光區域及第二發光區域，通過第一發光區域所發出的光束亮度小於通過第二發光區域所發出的光束亮度。輸送裝置設置於線掃描相機及光源裝置之間，輸送裝置用以輸送透光基材。線掃描相機用以對透光基材進行影像擷取，線掃描相機對透光基材進行影像擷取所需的光源來自於通過第一發光區域的光束提供。通過第一發光區域的光束直接進入線掃描相機，經處理後所得到的灰階值大於100且小於250。

Description

基材檢測系統

本創作涉及一種基材檢測系統，特別是一種用以檢測透光基材瑕疵的基材檢測系統。

現有的檢測系統，無法有效檢測出透光基材上的凸出狀結構，且亦無法有效分辨出凸出狀結構內部是否有包覆雜質。因此，廠商必需額外利用人工的方式，對透光基材進行檢查，進而導致生產成本高、生產速度低的問題。緣此，本創作人乃潛心研究並配合學理的運用，而提出一種設計合理且有效改善上述問題的本創作。

本創作的主要目的在於提供一種基材檢測系統，用以改善現有技術中，無法有效地檢測出透光基材具有凸出狀結構的問題。

為了實現上述目的，本創作提供一種基材檢測系統，其用以檢測一透光基材，基材檢測系統包含：一線掃描相機、一光源裝置及一輸送裝置。線掃描相機用以對透光基材進行影像擷取。光源裝置設置於線掃描相機的下方，光源裝置包含有一發光面及至少一發光單元，發光面面對線掃描相機設置，且發光單元所發出的光束能通過發光面向外射出；發光面定義有一第一發光區域及一第二發光區域，通過第一發光區域的向外射出的光束亮度小於通過第二發光區域向外射出的光束亮度。輸送裝置設置於線掃描相機及光源裝置之間，輸送裝置用以輸送透光基材。其中，線掃描相機對透光基材進行影像擷取所需的光源，是由通過第一發光 區域的光束提供；通過第一發光區域的光束直接進入線掃描相機，經處理後所得到的灰階值大於100且小於250。

本創作的有益效果可以在於：透光第一發光區域及第二發光區域的設計，基材檢測系統能有效地區隔出透光基材上，所存在的包覆有不透光雜質的凸出狀結構或不包覆有不透光雜質的凸出狀結構。

為使能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本創作加以限制者。

1‧‧‧基材檢測系統

10‧‧‧線掃描相機

20‧‧‧輸送裝置

30‧‧‧光源裝置

301‧‧‧發光面

301a‧‧‧第一發光區域

301b、301c‧‧‧第二發光區域

31a、31b、31c‧‧‧第一發光單元、第二發光單元、第三發光 單元

40‧‧‧低透光單元

50‧‧‧輔助構件

A1‧‧‧預定區域

A2‧‧‧影像擷取區域

D‧‧‧第一發光區域的寬度

F‧‧‧透光基材

F1‧‧‧凸出狀結構

F2‧‧‧雜質

L1、L2‧‧‧距離

P1、P2‧‧‧尖峰值

P3‧‧‧低谷值

圖1為本創作的基材檢測系統的示意圖。

圖2為本創作的基材檢測系統的光源裝置的示意圖。

圖3為本創作的基材檢測系統的光源裝置的另一實施例的示意圖。

圖4為本創作的基材檢測系統對不存在有凸出狀結構的透光基材進行檢測後所對應轉換出的灰階圖。

圖5為透光基材可能存在的其中一種瑕疵的示意圖。

圖5A為本創作的基材檢測系統對存在有圖5所示的瑕疵的透光基材進行檢測後所對應轉換出的灰階圖。

圖6為透光基材可能存在的另一種瑕疵的示意圖。

圖6A為本創作的基材檢測系統對存在有圖6所示的瑕疵的透光基材進行檢測後所對應轉換出的灰階圖。

圖7為本創作的基材檢測系統的另一實施例的示意圖。

圖8為本創作的基材檢測系統的另一實施例的光源裝置的示意圖。

以下係藉由特定的具體實例說明本創作之基材檢測系統的實施方式，熟悉此技術之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭 解本創作之其他優點與功效。本創作亦可藉由其他不同的具體實例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更。又本創作之圖式僅為簡單說明，並非依實際尺寸描繪，亦即未反應出相關構成之實際尺寸，先予敘明。以下之實施方式係進一步詳細說明本創作之觀點，但並非以任何觀點限制本創作之範疇。

請一併參閱圖1至圖3，其為本創作的基材檢測系統的示意圖。本創作的基材檢測系統1是用以檢測透光基材F；較佳地，本創作的基材檢測系統1是用以檢測透光率85%以上的透光基材F。如圖所示，基材檢測系統1包含一線掃描相機10、一輸送裝置20及一光源裝置30。線掃描相機10用以對透光基材F進行影像擷取。輸送裝置20用以承載並輸送所述透光基材F，輸送裝置20可以使其所承載的透光基材F持續地向一預定方向移動。輸送裝置20設置於線掃描相機10及光源裝置30之間，線掃描相機10則是用以對輸送裝置20所承載的透光基材F進行影像擷取作業，光源裝置30所發出的部份光束，則是作為線掃描相機10進行影像擷取時所需的光源。

在實際應用中，基材檢測系統1還可以是包含有一處理裝置(圖未示，例如是電腦、處理器等)，處理裝置電性連接線掃描相機10及輸送裝置20，而處理裝置控制線掃描相機10進行影像擷取，且處理裝置能控制輸送裝置20作動，而使透光基材F向所述預定方向移動。其中，線掃描相機10對透光基材F進行影像擷取時，線掃描相機10能對應產生一影像擷取資訊，而處理裝置能接收影像擷取資訊並對應產生一灰階值，亦即，處理裝置可以是用以將線掃描相機10所擷取的影像擷取資訊轉換為數位訊號，以利進行後續作業(例如將相關灰階值顯示於螢幕畫面)。

如圖2所示，光源裝置30包含有一發光面301及多個發光單元(圖未示，例如可以是發光二極體)，所述發光面301定義有一第 一發光區域301a及一第二發光區域301b、301c，通過所述第一發光區域301a而射出的光束亮度是小於通過第二發光區域301b、301c而射出的光束亮度。在較佳的實施例中，通過第二發光區域301b、301c而射出的光束亮度，可以通過所述第一發光區域301a而射出的光束亮度的一倍以上，但不以此為限。

如圖3所示，在實際應用中，光源裝置30可以是設置有一低透光單元40，低透光單元40對應遮蔽部份的發光面301，而被低透光單元40所遮蔽的發光面301的區域，即對應為前述第一發光區域301a，未被低透光單元40所遮蔽的發光面301的區域則對應為前述第二發光區域301b、301c。

在不同的實施例中，發光面301可以是設置有多個低透光單元40，且多個低透光單元40可以是彼此相互重疊地設置於發光面301，舉例來說，低透光單元40可以是半透光的膠帶，而使用者可以依據實際需求，對應於發光面301的同一位置上重複貼設有多層半透光的膠帶。在另一實施例中，低透光單元40可以是半透光的片狀結構且低透光單元40可以是透過多個輔助構件50，可拆卸地設置於光源裝置30，如此，使用者同樣可以是依據對於第一亮度的需求，選擇性於發光面301堆疊設置多片低透光單元40。在不同的應用中，光源裝置30的發光面301也可以是塗佈有半透光的低透光材料，以形成所述第一發光區域301a。

請復參圖1，本創作的基材檢測系統1的線掃描相機10，對透光基材F的一預定區域A1進行影像擷取，而線掃描相機10對所述預定區域A1進行影像擷取時所需的光源，則是對應來自於第一發光區域301a所發出的光束，即，線掃描相機10投射於發光面301的影像擷取區域A2對應為所述第一發光區域301a。

如圖4所示，其呈現為線掃描相機10擷取未存在有任何凸起狀結構或是不透光雜質的透光基材F後，所對應轉換成的灰階圖，所述灰階圖上所對應呈現的灰階值定義為一初始灰階值，由於對 透光基材F的一預定區域A1進行影像擷取時的光源是來自於第一發光區域301a，因此，所述初始灰階值是低於255；於本實施例圖中，是以初始灰階值落在128為例，但不以此為限。於實際應用中，通過第一發光區域301a直接進入線掃描相機10的光束，經處理後所得到的灰階值是大於100且小於250。

請一併參閱圖2、圖5及圖5A，圖5顯示為透光基材F可能存在的其中一種瑕疵態樣，此種瑕疵是透光基材F表面呈現為凸出狀結構F1，且該凸出狀結構F1中不包覆有任何雜質。當圖5所示的瑕疵通過第二發光區域301b時，由第二發光區域301b所發出光束，將通過所述凸出狀結構F1的折射，而進入線掃描相機10中，線掃描相機10所對應轉換出的灰階圖(如圖5A所示)，將會呈現出一個尖峰值P1；相對地，當透光基材F的凸出狀結構F1移動至第一發光區域301c時，通過第一發光區域301c的光束，將被凸出狀結構F1折射而進入線掃描相機10，因此，線掃描相機10所轉換出的灰階圖，將對應出現另一個尖峰值P2(如圖5A所示)。是以，相關人員或是相關處理裝置(例如電腦)即可從圖5A所呈現的灰階圖中判斷出透光基材F存在有內部未包覆有雜質的凸出狀結構F1。在實際應用中，可以是透過調整通過第一發光區域301a的光束亮度及第二發光區域301b、301c的光束亮度彼此間的倍數關係，以對應調整前述初始灰階值及前述尖峰值P1、P2，以使相關人員或是處理裝置更容易地判讀。

請一併參閱圖2、圖6及圖6A，圖6顯示為透光基材F可能存在的另一種瑕疵態樣，此種瑕疵是透光基材F表面呈現為凸出狀結構F1，且該凸出狀結構F1中包覆有不透光雜質F2。如圖2及圖6A所示，當圖6所示的瑕疵通過第二發光區域301b時，由第二發光區域301b所發出光束，將通過所述凸出狀結構F1的折射，而進入線掃描相機10中，因此，線掃描相機10所對應轉換出的灰階圖(如圖6A所示)，將會呈現出一個尖峰值P1；相對地， 當透光基材F的凸出狀結構F1移動至第一發光區域301c時，通過第一發光區域301c的光束，將被凸出狀結構F1折射而進入線掃描相機10，因此，線掃描相機10所轉換出的灰階圖，將對應出現另一個尖峰值P2。如圖2及圖6A所示，當凸出狀結構F1所包覆的雜質F2進入第一發光區域301a時，雜質F2將對應遮蔽由第一發光區域301a射出的光束，因此，線掃描相機10對應轉換形成的灰階圖，將會出現低於初始灰階值的一低谷值P3。

是以，相關人員或是相關處理裝置(例如電腦)即可從圖6A所呈現的灰階圖中判斷出透光基材F存在有內部包覆有雜質F2的凸出狀結構F1。在實際應用中，可以是透過調整第一發光區域301a及第二發光區域301b、301c的亮度的倍數關係，以對應調整前述初始灰階值、前述尖峰值P1、P2及低谷值P3，以使相關人員或是處理裝置更容易地判讀。

特別說明的是，線掃描相機10的鏡頭的尺寸定義為W，線掃描相機10使用的光圈值定義為F，透光基材F與光源裝置30彼此間的垂直距離定義為L1，線掃描相機10與透光基材F彼此間的垂直距離定義為L2，所述第一發光區域301a寬度定義為D，則在較佳的實施例中D≧L1/L2*W/F。在實際應用中，線掃描相機10及光源裝置30可以是分別設置於一活動機構(圖未示，例如可以是滑軌等結構)，而使用者可以是透過不同的活動機構，而對應調整線掃描相機10與透光基材F彼此間的垂直距離L1、L2，以及光源裝置30與透光基材F彼此間的垂直距離L1、L2，藉此，相關使用者可以相對方便地界定出所述第一發光區域301a的寬度。

請參閱圖7及圖8，其顯示為本創作的基材檢測系統的另一實施例的示意圖。如圖所示，光源裝置30可以是包含有多個發光單元31a、31b、31c，多個發光單元31a、31b、31c依據其所發出的亮度的不同分別定義為第一發光單元31a及第二發光單元31b、31c；第一發光單元31a所發出的光束對應由第一發光區域301a 射出，第二發光單元31b、31c所發出的光束則對應由第二發光區域301b、301c射出；亦即，第一發光單元31a所發出的光束的亮度是小於第二發光單元31b、31c所發出的光束的亮度。

在不同的實施例中，基材檢測系統1還可以是包含有一處理裝置(圖未示)，其電性連接多個發光單元31a、31b、31c，而處理裝置能對應控制各個發光單元31a、31b、31c所發出的光束的亮度。如此，相關使用者即可透過處理裝置對應調整第一發光區域301a及第二發光區域301b、301c所發出的光束的亮度。當然，處理裝置還可以是電性連接前述實施例所述的活動機構，而處理裝置可以控制不同的活動機構(圖未示)，以對應調整線掃描相機10與透光基材F之間的垂直距離L1(如圖1所示)，及光源裝置30與透光基材F之間的垂直距離L2(如圖2所示)。

綜上所述，本創作的基材檢測系統能於對應產出的灰階圖中，顯示透光基材上所存在的不同種類的瑕疵，特別是能區隔出內部包覆有不透光雜質的凸出狀結構及內部未包覆有不透光雜質的凸出狀結構。

以上所述僅為本創作的較佳可行實施例，非因此侷限本創作的專利範圍，故舉凡運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本創作的保護範圍內。

Claims (8)

1. 一種基材檢測系統，其用以檢測一透光基材，所述基材檢測系統包含：一線掃描相機，其用以對所述透光基材進行影像擷取；一光源裝置，其設置於所述線掃描相機的下方，所述光源裝置包含有一發光面及至少一發光單元，所述發光面面對所述線掃描相機設置，且所述發光單元所發出的光束能通過所述發光面向外射出；所述發光面定義有一第一發光區域及一第二發光區域，通過所述第一發光區域的向外射出的光束亮度小於通過所述第二發光區域向外射出的光束亮度；以及一輸送裝置，其設置於所述線掃描相機及所述光源裝置之間，所述輸送裝置用以輸送所述透光基材；其中，所述線掃描相機對所述透光基材進行影像擷取所需的光源，是由通過所述第一發光區域的光束提供；通過所述第一發光區域的光束直接進入所述線掃描相機，經處理後所得到的灰階值大於100且小於250。
2. 如請求項1所述的基材檢測系統，其中，所述光源裝置包含有多個發光單元，多個所述發光單元定義有多個第一發光單元及多個第二發光單元，多個所述第一發光單元所發出的光束能對應由所述第一發光區域射出，多個所述第二發光單元所發出的光束能對應由所述第二發光區域射出；其中，多個所述第一發光單元及多個所述第二發光單元所發出的光束亮度能被控制調整。
3. 如請求項1所述的基材檢測系統，其中，所述光源裝置包含有一低透光單元，所述低透光單元設置於所述發光面；其中，所述發光面被所述低透光單元遮蔽的區域定義為所述第 一發光區域。
4. 如請求項3所述的基材檢測系統，其中，所述低透光單元可拆卸地設置於所述光源裝置，且多個所述低透光單元能相互堆疊地設置於所述發光面。
5. 如請求項1所述的基材檢測系統，其中，所述發光面塗佈有一低透光材料，塗佈有所述低透光材料的區域定義為所述第一發光區域。
6. 如請求項1至5其中任一項所述的基材檢測系統，其中，所述線掃描相機的鏡頭的尺寸定義為W，所述線掃描相機使用的光圈值定義為F，所述透光基材與所述光源裝置彼此間的垂直距離定義為L1，所述線掃描相機與所述透光基材彼此間的垂直距離定義為L2，所述第一發光區域的寬度定義為D，則D≧L1/L2*W/F。
7. 如請求項1所述的基材檢測系統，其中，所述所述基材檢測系統還包含有一處理裝置，其電性連接所述線掃描相機；所述線掃描相機對所述透光基材進行影像擷取時，能對應產生一影像擷取資訊，所述處理裝置能接收所述影像擷取資訊，並對應產生一灰階值；當所述透光基材未存在有凸出狀結構時，所述處理模組對應產生的灰階值定義為一初始灰階值；當所述透光基材存在有一凸出狀結構，且所述凸出狀結構內不包覆有不透光雜質時，所述處理模組對應產生的灰階值定義為一尖峰值；當所述透光基材存在有內部包覆有不透光雜質的凸出狀結構時，所述處理模組對應產生的灰階值則定義為一低谷值；其中，所述尖峰值大於所述初始灰階值，所述低谷值小於所述初始灰階值。
8. 如請求項1所述的基材檢測系統，其中，所述線掃描相機及 所述光源裝置分別設置於一活動機構，各個所述活動機構能被控制，以對應改變所述線掃描相機與所述透光基材之間的垂直距離或對應改變所述透光基材與所述光源裝置之間的垂直距離。