TWM515290U - 防輻射防靜電面料及防輻射防靜電服裝 - Google Patents
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Description
本新型涉及一種防輻射防靜電面料以及使用該防輻射防靜電面料的服裝。
國內外醫學專家的研究表明，長期、過量的靜電、電磁輻射會對人體生殖系統、神經系統和免疫系統造成直接傷害，係心血管疾病、糖尿病、癌突變的主要誘因，並可直接影響未成年人的身體組織與骨骼的發育，引起視力、記憶力下降和肝臟造血功能下降，嚴重者可導致癌變。靜電輻射以及電磁輻射已經成為繼空氣污染、水污染和噪音污染後的第四種污染，靜電輻射以及電磁輻射的防護已經刻不容緩。
先前，防輻射防靜電面料大多採用直徑較小的金屬絲作為遮罩層，然而金屬絲存在品質重、不耐彎折等問題。
有鑒於此，確有必要提供一種質輕、耐彎折的防輻射防靜電面料以及使用該防輻射防靜電面料的服裝。
本新型提供一種防輻射防靜電面料，包括一基片以及一遮罩層，所述遮罩層設置於所述基片的至少一表面，該遮罩層包
括一奈米碳管複合導線，該奈米碳管複合導線包括一奈米碳管單紗以及一金屬層，所述奈米碳管單紗由複數個奈米碳管沿該奈米碳管單紗軸向旋轉加撚構成，該奈米碳管單紗的撚度為10轉/釐米到300轉/釐米，該奈米碳管單紗的直徑為1微米到30微米；所述金屬層包覆於所述奈米碳管單紗的外表面，該金屬層厚度為1微米到5微米。
本新型提供一種防輻射防靜電面料，包括一基片以及一遮罩層，所述遮罩層設置於所述基片的至少一表面，該遮罩層包括一奈米碳管結構，該奈米碳管結構包括複數個奈米碳管，且所述複數個奈米碳管形成一閉合回路。
本新型提供一種防輻射防靜電服裝，由一防輻射防靜電面料直接剪裁而成或將所述的防輻射防靜電面料設置於普通衣物的夾層中形成，所述防輻射防靜電面料，包括一基片以及一遮罩層，所述遮罩層設置於所述基片的至少一表面，該遮罩層包括一奈米碳管複合導線，該奈米碳管複合導線包括一奈米碳管單紗以及一金屬層，所述奈米碳管單紗由複數個奈米碳管沿該奈米碳管單紗軸向旋轉加撚構成，該奈米碳管單紗的撚度為10轉/釐米到300轉/釐米，該奈米碳管單紗的直徑為1微米到30微米；所述金屬層包覆於所述奈米碳管單紗的外表面，該金屬層厚度為1微米到5微米。
本新型提供一種防輻射防靜電服裝，由一防輻射防靜電面料直接剪裁而成或將所述的防輻射防靜電面料設置於普通衣物的夾層中形成，所述防輻射防靜電面料，包括一基片以及一遮罩層，所述遮罩層設置於所述基片的至少一表面，該遮罩
層包括一奈米碳管結構，該奈米碳管結構包括複數個奈米碳管，且所述複數個奈米碳管形成一閉合回路。
與先前技術相比，本新型提供的防輻射防靜電面料以及防輻射防靜電服裝具有以下優點：由於奈米碳管具有較好的導電性，從而使所述防輻射防靜電面料以及防輻射防靜電服裝具有較好的防輻射以及防靜電的效果；又由於奈米碳管具有較好的機械強度、柔韌性，以及質輕等特點，因此，採用奈米碳管結構做遮罩層的防輻射防靜電服與金屬絲做遮罩層的防輻射防靜電服相比還具有質輕、耐彎折且使用壽命較長的特點。
100‧‧‧防輻射防靜電面料
11‧‧‧基片
12‧‧‧遮罩層
13‧‧‧非扭轉的奈米碳管線
14‧‧‧奈米碳管
15‧‧‧奈米碳管單紗
16‧‧‧金屬層
17‧‧‧奈米碳管複合導線
18‧‧‧織物層
200‧‧‧防輻射防靜電肚兜
300‧‧‧防輻射防靜電上衣
31‧‧‧衣服本體
圖1係本新型提供的防輻射防靜電面料的剖面示意圖。
圖2係本新型提供的防輻射防靜電面料中非扭轉的奈米碳管線的結構示意圖。
圖3係本新型提供的防輻射防靜電面料中奈米碳管單紗的結構示意圖。
圖4係本新型提供的防輻射防靜電面料中奈米碳管複合導線的掃描電鏡照片。
圖5係本新型提供的防輻射防靜電面料中奈米碳管複合導線的拉伸應力曲線。
圖6係本新型提供的防輻射防靜電面料中遮罩層的結構示意圖。
圖7係本新型提供的防輻射防靜電面料中奈米碳管拉膜的掃描電鏡照片。
圖8係本新型提供的防輻射防靜電面料中奈米碳管絮化膜的掃描電鏡照片。
圖9係本新型提供的防輻射防靜電面料中奈米碳管碾壓膜的掃描電鏡照片。
圖10係本新型提供的防輻射防靜電肚兜的結構示意圖。
圖11係本新型提供的防輻射防靜電上衣的結構示意圖。
下面將結合附圖及具體實施例對本新型提供的防輻射防靜電面料以及防輻射防靜電服裝作進一步的詳細說明。
請參閱圖1，本新型第一實施例提供一種防輻射防靜電面料100，包括一基片11以及一遮罩層12。該遮罩層12設置於所述基片11的至少一表面。
所述基片11的材料可以係普通服裝的任意面料，例如棉、麻、纖維、尼龍、氨綸、聚酯、聚丙烯晴、羊毛和蠶絲等。所述纖維包括碳纖維、化學纖維、人造纖維等。本實施例中，所述基片11的材料係人造纖維。
所述基片11用於支撐所述遮罩層12，所述遮罩層12與所述基片11可通過縫紉或黏結的方式結合在一起。具體地，當所述遮罩層12與所述基片11通過縫製的方式結合在一起時，可採用縫紉線按任意圖樣從所述基片11遠離所述遮罩層12的表面
起穿過基片11至所述遮罩層12遠離所述基片11的表面。當所述遮罩層12與所述基片11通過黏結的方式結合在一起時，所述黏結劑可為非導電黏結劑。該黏結劑可將所述遮罩層12與所述基片11緊密結合在一起。優選地，為增強所述防輻射防靜電面料100的耐用性，所述黏結劑可具有較好的防水性能，以便於所述防輻射防靜電面料100的洗滌。
所述遮罩層12包括一奈米碳管結構，該奈米碳管結構包括複數個奈米碳管形成一導電的閉合回路。由於奈米碳管具有較好的導電性，當所述閉合回路的一部份奈米碳管在磁場中作切割磁感線運動時，此閉合回路中的磁通量會發生變化，在閉合回路中就產生了感應電動勢，從而產生了感應電流，由該感應電流產生反向電磁場對外部磁場進行遮罩。複數個奈米碳管之間形成複數個孔，所述孔的尺寸優選地小於電磁波波長的四分之一。更優選的，所述孔的尺寸為20奈米到400奈米之間。
由於所述奈米碳管具有良好的導電性，當複數個奈米碳管形成的導電的閉合回路表面的電場強度超過某一臨界值時，使空氣中原有離子具備了足夠的動能，撞擊其他不帶電分子，使後者也離子化，最後形成空氣的部分導電，進而產生電暈放電。電暈放電可以消除外部電荷，從而達到防止靜電的效果。而且由於奈米碳管具有良好的導電性，使基片表面形成導電層，從而降低基片的表面電阻率，使已經產生的靜電荷迅速洩漏，也可以達到防止靜電的效果。
所述奈米碳管結構可以由至少一奈米碳管線、至少一奈米碳
管複合線、至少一奈米碳管膜和/或至少一奈米碳管複合膜形成。所述奈米碳管結構中奈米碳管線、奈米碳管複合線、奈米碳管膜以及奈米碳管複合膜設置方式不限，只要能使所述奈米碳管結構形成一導電的閉合回路即可。
所述奈米碳管線可以為非扭轉的奈米碳管線或奈米碳管單紗。
請參閱圖2，所述非扭轉的奈米碳管線13包括複數個沿該非扭轉的奈米碳管線長度方向排列的奈米碳管14。非扭轉的奈米碳管線13可通過將奈米碳管拉膜通過有機溶劑處理得到。所謂奈米碳管拉膜即為從奈米碳管陣列中直接拉取獲得的一種具有自支撐性的奈米碳管膜。具體地，該奈米碳管拉膜包括複數個奈米碳管片段，該複數個奈米碳管片段通過凡得瓦力首尾相連，每一奈米碳管片段包括複數個相互平行並通過凡得瓦力緊密結合的奈米碳管。該奈米碳管片段具有任意的長度、厚度、均勻性及形狀。該非扭轉的奈米碳管線長度不限，直徑為0.5奈米-100微米。具體地，可將有機溶劑浸潤所述奈米碳管拉膜的整個表面，在揮發性有機溶劑揮發時產生的表面張力的作用下，奈米碳管拉膜中的相互平行的複數個奈米碳管通過凡得瓦力緊密結合，從而使奈米碳管拉膜收縮為一非扭轉的奈米碳管線。該有機溶劑為揮發性有機溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。通過有機溶劑處理的非扭轉奈米碳管線與未經有機溶劑處理的奈米碳管膜相比，比表面積減小，黏性降低。
請參閱圖3，所述奈米碳管單紗15由複數個奈米碳管14基本
平行排列並沿該奈米碳管單紗的軸向旋轉加撚構成。所述奈米碳管單紗15可以通過將所述非扭轉的奈米碳管線13的兩端相對回轉形成。在將所述非扭轉的奈米碳管線13的兩端相對回轉的過程中，該非扭轉的奈米碳管線13中的奈米碳管14會沿奈米碳管線的軸向方向螺旋狀排列，且在延伸方向通過凡得瓦力首尾相連，進而形成所述奈米碳管單紗15。所述奈米碳管單紗為S撚或Z撚。另外，在將所述非扭轉的奈米碳管線13的兩端相對回轉的過程中，所述非扭轉的奈米碳管線13中沿徑向方向相鄰的奈米碳管之間的間距會變小，接觸面積增大，從而使所述奈米碳管單紗15中沿徑向方向相鄰的奈米碳管之間的凡得瓦力顯著增加，並緊密相連。所述奈米碳管單紗15中沿徑向方向相鄰的奈米碳管之間的間距小於等於10奈米。優選地，所述奈米碳管單紗15中沿徑向方向相鄰的奈米碳管之間的間距小於等於5奈米。更優選地，所述奈米碳管單紗15中沿徑向方向相鄰的奈米碳管之間的間距小於等於1奈米。由於所述奈米碳管單紗15中沿徑向方向相鄰的奈米碳管之間的間距較小且通過凡得瓦力緊密相連，故，所述奈米碳管單紗15具有光滑且緻密的表面結構。
所述奈米碳管單紗15的直徑可以根據實際需要設定。優選地，所述奈米碳管單紗15的直徑為1微米到30微米。所述奈米碳管單紗15的撚度為10轉/釐米到300轉/釐米。所述撚度係指單位長度奈米碳管線回轉的圈數。當所述奈米碳管單紗的直徑確定時，適當的撚度可以使所述奈米碳管單紗具有較好的機械性能。例如，當所述奈米碳管單紗15的直徑小於10微米時，所述奈米碳管單紗的撚度優選為250轉/釐米到300轉/
釐米；而當所述奈米碳管單紗的直徑為10微米到20微米時，所述奈米碳管單紗15的撚度優選為200轉/釐米到250轉/釐米；而當所述奈米碳管單紗15的直徑為25微米到30微米時，所述奈米碳管單紗15的撚度優選為100轉/釐米到150轉/釐米。所述奈米碳管單紗15的機械強度可以達到相同直徑的金線的機械強度的5-10倍。
所述奈米碳管複合線可以由所述奈米碳管線與金屬、聚合物、非金屬或其他材料複合形成。請參閱圖4，本實施例中，所述奈米碳管結構包括複數個奈米碳管複合導線17，且所述奈米碳管複合導線17由一奈米碳管單紗15以及包覆於奈米碳管單紗15表面的金屬層16形成，且所述奈米碳管單紗的直徑約為25微米，撚度約為100轉/釐米。由於奈米碳管具有較好的機械性能，金屬具有較好的導電性能，在奈米碳管單紗15表面包覆一層金屬層16可以提高遮罩層12的導電性，在有磁場通過時可以產生較大的感應電流，提高遮罩層的防輻射效率。另外，還可以提高遮罩層的電暈放電，使得該遮罩層12能更好的中和外部電荷，以及更大程度的減小基片表面的電阻率，使已經產生的靜電荷更好的洩漏，有利於提高遮罩層12的防靜電效率。
所述金屬層16可以通過電鍍、化學鍍、蒸鍍等方法形成於所述奈米碳管單紗15的外表面，進而形成所述奈米碳管複合導線17。由於所述奈米碳管單紗15具有光滑且緻密的表面結構，故，所述金屬層16可以和所述奈米碳管單紗15形成良好的結合，不易脫落。所述金屬層16的材料可以為金、銀、銅等
導電性較好的金屬或合金。當所述奈米碳管單紗15的直徑為1微米到30微米時，所述金屬層16的厚度優選為1微米到5微米。此時，所述奈米碳管複合導線17的電導率可以到達所述金屬層16中金屬的電導率的50%以上。另外，當所述金屬層16的厚度太小時，例如小於1微米，一方面不能顯著提高所述奈米碳管複合導線17的電導率，另一方面，還會使得該金屬層16在使用時容易被氧化，進一步降低所述奈米碳管複合導線17的電導率及使用壽命。另外，實驗證明當所述金屬層16的厚度大於一定值時，例如大於5微米，所述奈米碳管複合導線17的電導率不但不會顯著增加，還會額外增加所述奈米碳管複合導線17的直徑。本實施例中，所述金屬層16為厚度約為5微米的銅，從而使該奈米碳管複合導線17的電導率可以達到4.39×17S/m，為金屬銅的電導率的75%左右。
請參照圖5，本實施例中，所述奈米碳管複合導線17的拉伸應力可以達到900MPa以上，為相同直徑下金線的9倍左右。
當所述奈米碳管結構由所述奈米碳管線或奈米碳管複合導線17形成時，所述奈米碳管線或奈米碳管複合導線17可以編制或纏繞設置形成。
請參閱圖6，本實施例中，所述遮罩層12係由複數個奈米碳管複合導線17編織形成的一網狀結構，所述網狀結構的橫向和縱向方向均包括平行且等間隔設置的複數個奈米碳管複合導線17，且沿橫向設置和縱向設置的奈米碳管複合導線17相互交叉。可以理解，可以通過控制橫向設置和縱向設置的奈米碳管複合導線17之間的間距，從而使所述網狀結構的網孔
大小比較均勻，進而可以使遮罩層12的防輻射和防靜電性更加均勻。另外，由於所述網狀結構中包括複數個網孔，故，還可以增加防輻射防靜電面料100的透氣性。
所述奈米碳管膜可以係拉膜、碾壓膜、絮化膜等。
請參見圖7，所述每一奈米碳管拉膜包括複數個基本相互平行且基本平行於奈米碳管拉膜表面排列的奈米碳管。具體地，所述奈米碳管拉膜包括複數個所述奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連且基本沿同一方向擇優取向排列。所述奈米碳管拉膜可通過從奈米碳管陣列中直接拉取獲得，為一自支撐結構。所謂“自支撐結構”即該奈米碳管拉膜無需通過一支撐體支撐，也能保持自身特定的形狀。由於該自支撐結構的奈米碳管拉膜中大量奈米碳管通過凡得瓦力相互吸引，從而使奈米碳管拉膜具有特定的形狀，形成一自支撐結構。所述奈米碳管拉膜的厚度為0.5奈米~100微米，寬度與拉取該奈米碳管拉膜的奈米碳管陣列的尺寸有關，長度不限。所述奈米碳管拉膜的結構及其製備方法請參見范守善等人於2007年2月12日申請的，於2010年7月11日公告的公告號為TWI327177的台灣公告專利申請。為節省篇幅，僅引用於此，但所述申請所有技術揭露也應視為本新型申請技術揭露的一部分。
請參閱圖8，所述奈米碳管絮化膜包括複數個相互纏繞且均勻分佈的奈米碳管。所述奈米碳管之間通過凡得瓦力相互吸引、纏繞，形成網路狀結構，以形成一自支撐的奈米碳管絮化膜。所述奈米碳管絮化膜各向同性。該奈米碳管絮化膜可通過對一奈米碳管陣列絮化處理而獲得。所述奈米碳管絮化
膜的結構及製備方法請參見范守善等人於2007年5月11日申請，並於2013年10月11日公告的公告號為TWI411573的台灣公告專利申請。為節省篇幅，僅引用於此，但所述申請所有技術揭露也應視為本新型申請技術揭露的一部分。
請參閱圖9，所述奈米碳管碾壓膜包括複數個奈米碳管無序排列、沿一個方向擇優取向排列或沿複數個方向擇優取向排列，相鄰的奈米碳管通過凡得瓦力結合。該奈米碳管碾壓膜可以採用一平面壓頭沿垂直於上述奈米碳管陣列生長的基底的方向擠壓上述奈米碳管陣列而獲得，此時所述奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管無序排列，該奈米碳管碾壓膜各向同性；所述奈米碳管碾壓膜也可以採用一滾軸狀壓頭沿某一固定方向碾壓上述奈米碳管陣列而獲得，此時所述奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管在所述固定方向擇優取向；所述奈米碳管碾壓膜還可以採用滾軸狀壓頭沿不同方向碾壓上述奈米碳管陣列而獲得，此時所述奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管沿不同方向擇優取向。所述奈米碳管碾壓膜的結構及製備方法請參見范守善等人於2007年6月29日申請，於2010年12月21日公告的公告號為TWI334851的台灣公告專利申請。為節省篇幅，僅引用於此，但所述申請所有技術揭露也應視為本新型申請技術揭露的一部分。
所述奈米碳管複合膜可以由所述奈米碳管膜與金屬、聚合物、非金屬或其他材料複合形成。所述金屬層可以通過電鍍、化學鍍、蒸鍍等方法形成於所述奈米碳管膜的外表面，進而形成所述奈米碳管複合膜。所述金屬層的材料可以為金、銀
、銅等導電性較好的金屬或合金。
當所述奈米碳管結構由複數個奈米碳管膜或複數個奈米碳管複合膜形成時，所述奈米碳管膜或奈米碳管複合膜可以層疊設置或並排設置。
所述防輻射防靜電面料100可以進一步包括一織物層18。該織物層18可以與所述基片11共同夾持所述遮罩層12，從而起到保護所述遮罩層12的作用。所述織物層18的材料可選自與所述基片11相同的材料。該織物層18為可選結構。
所述織物層18與所述遮罩層12可通過縫紉或黏結的方式結合在一起。
本實施例提供的防輻射防靜電面料100具有以下優點：首先，由於所述金屬層16具有較大的厚度，從而可以使所述金屬層16具有較好的抗氧化性能及耐用性能，進而提高防輻射防靜電面料100的耐用性；其次，由於所述金屬層16具有較大的厚度，因此，所述奈米碳管複合導線17在使用時，所述金屬層16起主要的導電作用，即，電流主要通過奈米碳管複合導線17的表層傳導，即通過金屬層16傳導，形成類似驅膚效應，故，可以顯著提高所述奈米碳管複合導線17的電導率，進而使防輻射防靜電面料100具有較好的防輻射防靜電性能，提高防輻射防靜電面料100的工作效率；最後，通過優化所述奈米碳管單紗15的直徑和撚度，從而可以使所述奈米碳管複合導線17在較小直徑下具有較好的機械性能，使所述防輻射防靜電面料100具有更好的耐彎、耐折性以及更好的舒適度。另外，所述奈米碳管複合導線在使用時，即使所述金
屬層16折斷，由於奈米碳管具有良好的機械性能，所述奈米碳管單紗15不會輕易折斷，從而還可以使所述奈米碳管複合導線保持通路狀態，進而提高所述防輻射防靜電面料100的耐用性。
本新型進一步提供一應用上述防輻射防靜電面料100的防輻射防靜電服裝，所述防輻射防靜電服裝可為一肚兜、一內衣、一上衣、一褲子、一睡衣，或其他衣物。所述防輻射防靜電服裝可以通過所述防輻射防靜電面料100直接剪裁而成或將所述防輻射防靜電面料100縫合於衣物的夾層中形成。
請參閱圖10，本新型實施例進一步提供一防輻射防靜電肚兜200。該防輻射防靜電肚兜200為將所述防輻射防靜電面料100直接裁剪並縫製而成。
請參閱圖11，本新型實施例進一步提供一防輻射防靜電上衣300。該防輻射防靜電上衣300包括所述防輻射防靜電面料100和衣服本體31，所述防輻射防靜電面料100縫合於所述衣服本體31中。所述防輻射防靜電面料100可以覆蓋所述衣服本體31的整個表面或部分表面。
本實施例提供的防輻射防靜電服裝採用奈米碳管結構作為遮罩層，由於奈米碳管具有較好的導電性，奈米碳管結構形成一閉合回路，當所述閉合回路的一部份奈米碳管在磁場中作切割磁感線運動時，此閉合回路中的磁通量會發生較大變化，在閉合回路中可以產生較大感應電動勢，從而產生較大的感應電流，由該感應電流產生反向電磁場對外部磁場進行遮罩，另外，所述奈米碳管結構可以產生較大的電暈放電消除
外部電荷，或者通過降低服裝表面的電阻率使產生的電荷迅速洩漏，達到防止靜電的效果，從而使得所述防輻射防靜電面料以及防輻射防靜電服裝具有較好的防輻射以及防靜電的效果；又由於奈米碳管具有較好的機械強度、柔韌性，以及質輕等特點，因此，採用奈米碳管結構做遮罩層的防輻射防靜電服裝還具有質輕、耐彎折且使用壽命較長的特點。
綜上所述，本新型確已符合新型專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本新型之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本新型之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
100‧‧‧防輻射防靜電面料
11‧‧‧基片
12‧‧‧遮罩層
18‧‧‧織物層
Claims (15)
- 一種防輻射防靜電面料，包括一基片以及一遮罩層，所述遮罩層設置於所述基片的至少一表面，其改良在於，該遮罩層包括一奈米碳管複合導線，該奈米碳管複合導線包括一奈米碳管單紗以及一金屬層，所述奈米碳管單紗由複數個奈米碳管沿該奈米碳管單紗軸向旋轉加撚構成，該奈米碳管單紗的撚度為10轉/釐米到300轉/釐米，該奈米碳管單紗的直徑為1微米到30微米；所述金屬層包覆於所述奈米碳管單紗的外表面，該金屬層厚度為1微米到5微米。
- 如請求項第1項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述遮罩層包括複數個網孔，所述網孔的尺寸小於電磁波波長的四分之一。
- 如請求項第1項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述遮罩層由至少一奈米碳管複合導線編制或纏繞設置形成。
- 如請求項第1項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述奈米碳管單紗為S撚或Z撚。
- 如請求項第1項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述奈米碳管單紗具有光滑且緻密的表面結構。
- 如請求項第1項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述奈米碳管單紗的直徑小於10微米，所述奈米碳管單紗的撚度為250轉/釐米到300轉/釐米。
- 如請求項第1項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述奈米碳管單紗的直徑為25微米到30微米，所述奈米碳管單紗的撚 度為100轉/釐米到150轉/釐米。
- 如請求項第1項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述奈米碳管與其徑向方向上相鄰的奈米碳管之間的間距小於10奈米。
- 一種防輻射防靜電面料，包括一基片以及一遮罩層，所述遮罩層設置於所述基片的至少一表面，其改良在於，該遮罩層包括一奈米碳管結構，該奈米碳管結構包括複數個奈米碳管，且所述複數個奈米碳管形成一閉合回路。
- 如請求項第9項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述奈米碳管結構由至少一奈米碳管線、至少一奈米碳管複合線、至少一奈米碳管膜和/或至少一奈米碳管複合膜形成。
- 如請求項第10項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述奈米碳管結構由至少一奈米碳管線和/或至少一奈米碳管複合線編制或纏繞設置形成。
- 如請求項第10項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述奈米碳管結構由至少一奈米碳管膜和/或至少一奈米碳管複合膜層疊或並排設置形成。
- 如請求項第10項所述之防輻射防靜電面料，其中，所述奈米碳管複合線為奈米碳管線與金屬、聚合物或非金屬複合形成；所述奈米碳管複合膜為奈米碳管膜與金屬、聚合物或非金屬複合形成。
- 一種防輻射防靜電服裝，為由如請求項1至13中任一項所述的防輻射防靜電面料直接構成或由如請求項1至13中任一項所述的防輻射防靜電面料以及一普通衣物構成，且所述的防輻射防靜電面料設置於所述普通衣物的夾層中。
- 如請求項第14項所述之防輻射防靜電服裝，其中，所述防輻射防靜電服裝為肚兜、內衣、上衣、褲子或睡衣。
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