TWM509099U - 太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴 - Google Patents

Description

太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴

本創作係關於一種噴砂製程用噴嘴，尤指一種太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴。

現代可利用能源之種類，一般分為使用石油、天然氣及核能等不可再生能源，與利用自然界之水力、風力及太陽能等可再生能源，近年來，隨著科技進步及環保意識的高漲，可再生能源於發電過程中不會產生二氧化碳等溫室氣體且不會對環境造成污染，因此可再生能源的利用開始被社會大眾所重視。

其中，太陽能能源是在半導體太陽能電池中，利用自然界中的矽元素，製成P型及N型半導體作正負極，在半導體吸收太陽能後，透過適當的能階設計產生電位差而產生直流電，再經過轉換器變成交流電，供一般民生電器使用。

由於能量來源是所吸收的太陽能，對於太陽能電池來說最重要的參數是轉換效率，降低太陽能晶圓表面之光反射率為提高轉換效率之重要製程，因此在切割太陽 能矽晶棒時，大多數是使用鋸片或多線鋸(Wire Saw)切削製程，鋸片製程是以具有齒痕或鑲有鑽石顆粒之鋸片進行切割，多線鋸則是以鋼線加上研磨顆粒進行研磨切割，而在將太陽能矽晶棒切片時，為了降低切片完成品的晶圓表面光反射率，大多使用多線鋸製程來提高晶圓表面粗糙度。

而為了獲得更佳的晶圓表面粗糙度，本創作人思及噴砂製程加工之方式，但一般噴砂製程用之噴嘴多為圓形，應用於方形之太陽能單晶矽晶圓上時，需要將噴嘴進行XY軸方向移動來施行噴砂製程，加上噴砂用之清潔乾燥空氣(CDA：Clean Dry Air)也有氣壓不穩定之問題，使得噴砂製程耗時且有表面粗糙度均勻性不一致之問題。

創作人緣因於此，本於積極創作之精神，亟思一種可以解決上述問題之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，幾經研究實驗終至完成本創作。

本創作之主要目的係在提供一種太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，可以提高晶圓表面粗糙度及改善噴砂用氣體壓力不安定之問題，本創作者思及以下方式。

為達成上述目的，本創作之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，包括有：一氣室部、一左擋部、一右擋部、一上蓋部、一扁平噴嘴部及二擋片。氣室部包括有相互固設之一左室構件及一右室構件，右室構件具有一 進氣口構體，左擋部係固設於左室構件上，右擋部係固設於右室構件上，上蓋部係固設於左擋部及右擋部上並具有複數進料口構體，扁平噴嘴部包括有相互固設之一左噴嘴構件及一右噴嘴構件，左擋部固設於左噴嘴構件上且右擋部固設於右噴嘴構件，二擋片分別固設於氣室部、左擋部、右擋部及扁平噴嘴部之前側及後側。藉此結構設計，可達到太陽能晶圓表面粗糙度均勻化及噴砂壓力穩定化之目的。

上述氣室部更可包括有依序與進氣口構體相通之一第一氣室、複數第一氣道、一第二氣室、一第二氣道及一排氣口，且每一第一氣道之間隙寬度係大於第二氣道之間隙寬度，如此可提高CDA之氣壓穩定性。

扁平噴嘴部更可包括有依序相通之一噴砂入口、一噴砂通道及一噴砂出口，而左室構件更可包括有複數溝槽且右室構件更可包括有一凹槽，使研磨料可進入進料口構體後，經由溝槽及凹槽相通至噴砂入口。

前述噴砂入口、噴砂通道及噴砂出口之寬度係大於或等於一太陽能晶圓之寬度，因此對太陽能晶圓進行噴砂時，可僅移動單軸方向來實施噴砂製程，排氣口係位於噴砂入口之上方，以將CDA導入噴砂入口與研磨料進行混合。

另外，上述之氣室部、左擋部、右擋部、上蓋部、扁平噴嘴部及擋片係以螺絲鎖合相互固設，達到容易拆卸維修之目的。

以上概述與接下來的詳細說明皆為示範性質，是為了進一步說明本創作的申請專利範圍。而有關本創作的其他目的與優點，將在後續的說明與圖示加以闡述。

1‧‧‧氣室部

11‧‧‧左室構件

111‧‧‧溝槽

12‧‧‧右室構件

121‧‧‧進氣口構體

122‧‧‧第一氣室

123‧‧‧第一氣道

124‧‧‧第二氣室

125‧‧‧第二氣道

126‧‧‧排氣口

127‧‧‧凹槽

2‧‧‧左擋部

3‧‧‧右擋部

4‧‧‧上蓋部

41‧‧‧進料口構體

5‧‧‧扁平噴嘴部

51‧‧‧左噴嘴構件

52‧‧‧右噴嘴構件

53‧‧‧噴砂入口

54‧‧‧噴砂通道

55‧‧‧噴砂出口

6‧‧‧擋片

W‧‧‧寬度

G1‧‧‧間隙寬度

G2‧‧‧間隙寬度

圖1係本創作一較佳實施例之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴之完全組合示意圖。

圖2係本創作一較佳實施例之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴之分解示意圖。

圖3係圖1之A-A處剖面示意圖。

請參閱圖1至圖3，其分別為本創作一較佳實施例之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴之完全組合示意圖、分解示意圖及圖1之A-A處剖面示意圖。

本實施例之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，包括有：一氣室部1、一左擋部2、一右擋部3、一上蓋部4、一扁平噴嘴部5及二擋片6。其中，氣室部1由相互固設之一左室構件11及一右室構件12構成，左室構件11包括有複數溝槽111。

而上述右室構件包括有依序相連之一進氣口構體121、一第一氣室122、複數第一氣道123、一第二氣室124、一第二氣道125、一排氣口126及一凹槽127，由 於氣室部1有兩個氣室，CDA可由第一氣室122及第二氣室124得到緩衝效果，也就是說，當CDA的進氣量有所變動時，排氣口126的CDA壓力不易隨進氣量變動而變化，因此可獲得氣壓穩定效果，且第一氣道123之間隙寬度G1為大於第二氣道125之間隙寬度G2，更加強了CDA氣壓穩定效果。

左擋部2固設於左室構件11上，右擋部3固設於右室構件12上，上蓋部4固設於左擋部2及右擋部3上並具有複數進料口構體41，扁平噴嘴部5包括有相互固設之一左噴嘴構件51與一右噴嘴構件52、依序相通之一噴砂入口53、一噴砂通道54及一噴砂出口55。

此外，左擋部2亦同時固設於左噴嘴構件51上且右擋部3亦同時固設於右噴嘴構件52上，二擋片6分別固設於氣室部1、左擋部2、右擋部3及扁平噴嘴部5之前側及後側，如此構造可將氣室部1包圍在本實施例之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴之中央部，並且在氣室部1上方、兩側及下方製造出密閉空間供研磨料利用。

在本實施例中，研磨料由上蓋部4之三進料口構體41進入至氣室部1及上蓋部4之間的密閉空間，再經由位於左擋部2與左室構件11之間的複數溝槽111及右擋部3與右室構件12之間的凹槽127而向下流至扁平噴嘴部5之噴砂入口53處。

接著，再透過位於扁平噴嘴部5之噴砂入口53上方處氣室部1之排氣口126，將CDA氣體及研磨料互相 混合在噴砂入口53處的同時，利用CDA之氣體壓力，經由噴砂通道54及噴砂出口55進行噴砂作業。

本實施例之進料口構體41為三個，但本創作並不侷限於此，以可對應噴砂製程所需研磨料用量之數量為主。

而扁平噴嘴部5之噴砂入口53、噴砂通道54及噴砂出口55之寬度W為大於或等於一太陽能晶圓之寬度，較佳為略大於太陽能晶圓之寬度，如此可於進行太陽能晶圓之噴砂製程時，僅進行單軸移動即可施行太陽能晶圓全表面之噴砂作業，進而提升晶圓表面粗糙度均勻化之程度。

另外，本實施例將氣室部1、左擋部2、右擋部3、上蓋部4、扁平噴嘴部5及二擋片6固設之方法為利用螺絲鎖合，由於考慮到本創作之內部結構設計有研磨料之流通路徑，採用螺絲鎖合方式可方便拆卸以維修及清潔內部結構。

由上述內容可知，本創作之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，藉由氣室部1之第一氣室122、第一氣道123、第二氣室124及第二氣道125與第一氣道123間隙寬度G1大於第二氣道125間隙寬度G2之結構設計，使CDA氣體壓力穩定化，而扁平噴嘴部5之噴砂入口53、噴砂通道54及噴砂出口55之寬度W略大於太陽能晶圓寬度之結構設計，使噴砂作業更加省時且改善了太陽能晶圓表面粗糙度均勻化之問題，進而降低光反射率並提升了太陽 能晶圓的能源吸收率。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

11‧‧‧左室構件

111‧‧‧溝槽

12‧‧‧右室構件

121‧‧‧進氣口構體

122‧‧‧第一氣室

123‧‧‧第一氣道

124‧‧‧第二氣室

125‧‧‧第二氣道

126‧‧‧排氣口

127‧‧‧凹槽

2‧‧‧左擋部

3‧‧‧右擋部

4‧‧‧上蓋部

41‧‧‧進料口構體

51‧‧‧左噴嘴構件

52‧‧‧右噴嘴構件

53‧‧‧噴砂入口

54‧‧‧噴砂通道

55‧‧‧噴砂出口

G1‧‧‧間隙寬度

G2‧‧‧間隙寬度

Claims (8)

1. 一種太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，包括有：一氣室部，包括有相互固設之一左室構件及一右室構件，該右室構件具有一進氣口構體；一左擋部，係固設於該左室構件上；一右擋部，係固設於該右室構件上；一上蓋部，係固設於該左擋部及該右擋部上並具有複數進料口構體；一扁平噴嘴部，包括有相互固設之一左噴嘴構件及一右噴嘴構件，該左擋部固設於該左噴嘴構件上且該右擋部固設於該右噴嘴構件上；以及二擋片，分別固設於該氣室部、該左擋部、該右擋部及該扁平噴嘴部之前側及後側。
2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，其中，該氣室部更包括有依序與該進氣口構體相通之一第一氣室、複數第一氣道、一第二氣室、一第二氣道及一排氣口。
3. 如申請專利範圍第2項所述之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，其中，該每一第一氣道之間隙寬度係大於該第二氣道之間隙寬度。
4. 如申請專利範圍第2項所述之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，其中，該扁平噴嘴部更包括有依序相通之一噴砂入口、一噴砂通道及一噴砂出口。
5. 如申請專利範圍第4項所述之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，其中，該左室構件更包括有複數溝槽且該右室構件更包括有一凹槽，該進料口構體經由該溝槽及該凹槽相通至該噴砂入口。
6. 如申請專利範圍第4項所述之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，其中，該噴砂入口、該噴砂通道及該噴砂出口之寬度係大於或等於一太陽能晶圓之寬度。
7. 如申請專利範圍第4項所述之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，其中，該排氣口係位於該噴砂入口之上方。
8. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能晶圓濕式噴砂製程用扁平式噴嘴，其中，該氣室部、該左擋部、該右擋部、該上蓋部、該扁平噴嘴部及該擋片係以螺絲鎖合相互固設。