CN204604117U - 太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴 - Google Patents

Abstract

一种太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，包括有：一气室部、一左挡部、一右挡部、一上盖部、一扁平喷嘴部及二挡片。气室部包括有相互固设的一左室构件及一右室构件，左挡部系固设于左室构件上，右挡部固设于右室构件上，上盖部固设于左挡部及右挡部上，扁平喷嘴部包括有相互固设的一左喷嘴构件及一右喷嘴构件，左挡部固设于左喷嘴构件上且右挡部固设于右喷嘴构件上，二挡片分别固设于气室部、左挡部、右挡部及扁平喷嘴部的前侧及后侧。由此，可达到太阳能硅片表面粗糙度均匀化及喷砂压力稳定化的目的。

Description

太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴

技术领域

本实用新型是关于一种喷砂工艺用喷嘴，尤其指一种太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴。

背景技术

现代可利用能源的种类，一般分为使用石油、天然气及核能等不可再生能源，与利用自然界的水力、风力及太阳能等可再生能源，近年来，随着科技进步及环保意识的高涨，可再生能源于发电过程中不会产生二氧化碳等温室气体且不会对环境造成污染，因此可再生能源的利用开始被社会大众所重视。

其中，太阳能能源是在半导体太阳能电池中，利用自然界中的硅元素，制成P型及N型半导体作正负极，在半导体吸收太阳能后，通过适当的能阶设计产生电位差而产生直流电，再经过转换器变成交流电，供一般民生电器使用。

由于能量来源是所吸收的太阳能，对于太阳能电池来说最重要的参数是转换效率，降低太阳能硅片表面的光反射率为提高转换效率的重要工艺，因此在切割太阳能硅晶棒时，大多数是使用锯片或多线锯(Wire Saw)切削工艺，锯片工艺是以具有齿痕或镶有钻石颗粒的锯片进行切割，多线锯则是以钢线加上研磨颗粒进行研磨切割，而在将太阳能硅晶棒切片时，为了降低切片完成品的硅片表面光反射率，大多使用多线锯工艺来提高硅片表面粗糙度。

而为了获得更佳的硅片表面粗糙度，本实用新型人思及喷砂工艺加工的方式，但一般喷砂工艺用的喷嘴多为圆形，应用于方形的太阳能单晶硅硅片上时，需要将喷嘴进行XY轴方向移动来施行喷砂工艺，加上喷砂用的清洁干燥空气(CDA：Clean Dry Air)也有气压不稳定的问题，使得喷砂工艺耗时且有表面粗糙度均匀性不一致的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，可以提高硅片表面粗糙度及改善喷砂用气体压力不安定的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，包括有：一气室部、一左挡部、一右挡部、一上盖部、一扁平喷嘴部及二挡片。气室部包括有相互固设的一左室构件及一右室构件，右室构件具有一进气口构体，左挡部固设于左室构件上，右挡部固设于右室构件上，上盖部固设于左挡部及右挡部上并具有复数进料口构体，扁平喷嘴部包括有相互固设的一左喷嘴构件及一右喷嘴构件，左挡部固设于左喷嘴构件上且右挡部固设于右喷嘴构件，二挡片分别固设于气室部、左挡部、右挡部及扁平喷嘴部的前侧及后侧。以此结构设计，可达到太阳能硅片表面粗糙度均匀化及喷砂压力稳定化的目的。

上述气室部还可包括有依序与进气口构体相通的一第一气室、复数第一气道、一第二气室、一第二气道及一排气口，且每一第一气道的间隙宽度系大于第二气道的间隙宽度，如此可提高CDA的气压稳定性。

扁平喷嘴部还可包括有依序相通的一喷砂入口、一喷砂通道及一喷砂出口，而左室构件还可包括有复数沟槽且右室构件更可包括有一凹槽，使研磨料可进入进料口构体后，经由沟槽及凹槽相通至喷砂入口。

前述喷砂入口、喷砂通道及喷砂出口的宽度大于或等于一太阳能硅片的宽度，因此对太阳能硅片进行喷砂时，可仅移动单轴方向来实施喷砂工艺，排气口位于喷砂入口的上方，以将CDA导入喷砂入口与研磨料进行混合。

另外，上述的气室部、左挡部、右挡部、上盖部、扁平喷嘴部及挡片是以螺丝锁合相互固设，达到容易拆卸维修的目的。

以上概述与接下来的详细说明皆为示范性质，是为了进一步说明本实用新型的申请专利范围。而有关本实用新型的其他目的与优点，将在后续的说明与附图加以阐述。

附图说明

图1是本实用新型一较佳实施例的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴的完全组合示意图。

图2是本实用新型一较佳实施例的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴的分解示意图。

图3是图1的A-A处剖面示意图。

附图中符号说明

1气室部，11左室构件，111沟槽，12右室构件，121进气口构体，122第一气室，123第一气道，124第二气室，125第二气道，126排气口，127凹槽，2左挡部，3右挡部，4上盖部，41进料口构体，5扁平喷嘴部，51左喷嘴构件，52右喷嘴构件，53喷砂入口，54喷砂通道，55喷砂出口，6挡片，W宽度，G1间隙宽度，G2间隙宽度。

具体实施方式

请参阅图1至图3，其分别为本实用新型一较佳实施例的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴的完全组合示意图、分解示意图及图1的A-A处剖面示意图。

本实施例的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，包括有：一气室部1、一左挡部2、一右挡部3、一上盖部4、一扁平喷嘴部5及二挡片6。其中，气室部1由相互固设的一左室构件11及一右室构件12构成，左室构件11包括有复数沟槽111。

而上述右室构件包括有依序相连的一进气口构体121、一第一气室122、复数第一气道123、一第二气室124、一第二气道125、一排气口126及一凹槽127，由于气室部1有两个气室，CDA可由第一气室122及第二气室124得到缓冲效果，也就是说，当CDA的进气量有所变动时，排气口126的CDA压力不易随进气量变动而变化，因此可获得气压稳定效果，且第一气道123的间隙宽度G1为大于第二气道125的间隙宽度G2，更加强了CDA气压稳定效果。

左挡部2固设于左室构件11上，右挡部3固设于右室构件12上，上盖部4固设于左挡部2及右挡部3上并具有复数进料口构体41，扁平喷嘴部5包括有相互固设的一左喷嘴构件51与一右喷嘴构件52、依序相通的一喷砂入口53、一喷砂通道54及一喷砂出口55。

此外，左挡部2亦同时固设于左喷嘴构件51上且右挡部3亦同时固设于右喷嘴构件52上，二挡片6分别固设于气室部1、左挡部2、右挡部3及扁平喷嘴部5的前侧及后侧，如此构造可将气室部1包围在本实施例的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴的中央部，并且在气室部1上方、两侧及下方制造出密闭空间供研磨料利用。

在本实施例中，研磨料由上盖部4的三进料口构体41进入至气室部1及上盖部4之间的密闭空间，再经由位于左挡部2与左室构件11之间的复数沟槽111及右挡部3与右室构件12之间的凹槽127而向下流至扁平喷嘴部5的喷砂入口53处。

接着，再通过位于扁平喷嘴部5的喷砂入口53上方处气室部1的排气口126，将CDA气体及研磨料互相混合在喷砂入口53处的同时，利用CDA的气体压力，经由喷砂通道54及喷砂出口55进行喷砂作业。

本实施例的进料口构体41为三个，但本实用新型并不局限于此，以可对应喷砂工艺所需研磨料用量的数量为主。

而扁平喷嘴部5的喷砂入口53、喷砂通道54及喷砂出口55的宽度W为大于或等于一太阳能硅片的宽度，较佳为略大于太阳能硅片的宽度，如此可于进行太阳能硅片的喷砂工艺时，仅进行单轴移动即可施行太阳能硅片全表面的喷砂作业，进而提升硅片表面粗糙度均匀化的程度。

另外，本实施例将气室部1、左挡部2、右挡部3、上盖部4、扁平喷嘴部5及二挡片6固设的方法为利用螺丝锁合，由于考虑到本实用新型的内部结构设计有研磨料的流通路径，采用螺丝锁合方式可方便拆卸以维修及清洁内部结构。

由上述内容可知，本实用新型的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，由气室部1的第一气室122、第一气道123、第二气室124及第二气道125与第一气道123间隙宽度G1大于第二气道125间隙宽度G2的结构设计，使CDA气体压力稳定化，而扁平喷嘴部5的喷砂入口53、喷砂通道54及喷砂出口55的宽度W略大于太阳能硅片宽度的结构设计，使喷砂作业更加省时且改善了太阳能硅片表面粗糙度均匀化的问题，进而降低光反射率并提升了太阳能硅片的能源吸收率。

上述实施例仅为了方便说明而举例而已，本实用新型所主张的权利范围自应以申请专利范围所述为准，而非仅限于上述实施例。

Claims (8)

1.一种太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，其特征是，包括有：

一气室部，包括有相互固设的一左室构件及一右室构件，该右室构件具有一进气口构体；

一左挡部，固设于该左室构件上；

一右挡部，固设于该右室构件上；

一上盖部，固设于该左挡部及该右挡部上并具有复数进料口构体；

一扁平喷嘴部，包括有相互固设的一左喷嘴构件及一右喷嘴构件，该左挡部固设于该左喷嘴构件上且该右挡部固设于该右喷嘴构件上；以及

二挡片，分别固设于该气室部、该左挡部、该右挡部及该扁平喷嘴部的前侧及后侧。

2.根据权利要求1所述的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，其特征是，该气室部包括有依序与该进气口构体相通的一第一气室、复数第一气道、一第二气室、一第二气道及一排气口。

3.根据权利要求2所述的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，其特征是，该每一第一气道的间隙宽度大于该第二气道的间隙宽度。

4.根据权利要求2所述的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，其特征是，该扁平喷嘴部包括有依序相通的一喷砂入口、一喷砂通道及一喷砂出口。

5.根据权利要求4所述的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，其特征是，该左室构件包括有复数沟槽且该右室构件包括有一凹槽，该进料口构体经由该沟槽及该凹槽相通至该喷砂入口。

6.根据权利要求4所述的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，其特征是，该喷砂入口、该喷砂通道及该喷砂出口的宽度大于或等于一太阳能硅片的宽度。

7.根据权利要求4所述的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，其特征是，该排气口位于该喷砂入口的上方。

8.根据权利要求1所述的太阳能硅片湿式喷砂工艺用扁平式喷嘴，其特征是，该气室部、该左挡部、该右挡部、该上盖部、该扁平喷嘴部及该挡片以螺丝锁合相互固设。