TWM506436U - 多振膜喇叭 - Google Patents

Description

多振膜喇叭

本新型係有關一種多振膜喇叭，尤指一種單一磁迴構件驅動多振膜之喇叭設計者。

按，如〔圖1〕、〔圖2〕所示，一般喇叭10通常至少具有一振膜11、一音圈12、一磁迴構件13(包含磁鐵131、導磁軛鐵132與導磁板133)、一支架14以及一音箱15，結合成一完整的喇叭結構；其中，該支架14通常會在相對該振膜11開設有排氣孔141，俾當振膜11作動時能順利排出該振膜11作動時產生的氣流，而該音箱15讓透過該排氣孔141所排出的氣體能在該音箱15內部產生共振，加強聲音表現的效果。

然而，囿於物理上的限制，一個喇叭要發出高、中、低音且各音域表現都同時兼顧，實際上是難以達成的；因為，一個優質的高音喇叭就不會是一個優質的低音喇叭，反之亦然；因此，喇叭之設計通常就會有高音喇叭與低音喇叭之區分，再透過不同音域屬性喇叭之搭配，結合成一可兼顧各音域表現的喇叭系統。

本新型之主要目的，係欲提供一種多振膜喇叭，而具有一喇叭多音域表現之功效。

本新型之另一目的，則具有強化中低音表現之功效。

為達上述功效，本新型之結構特徵，係包括有：一音箱底座，形成有一第一揚聲口；一第一支架，設置於該第一揚聲口，而該第一支架形成有一環狀通氣口；一磁迴構件，設置於該第一支架，而該磁迴構件包含一第一磁鐵與第一導磁板、一第二磁鐵與第二導磁板以及一導磁軛鐵，該導磁軛鐵與該第一磁鐵間形成有第一磁間隙，該導磁軛鐵與該第二磁鐵間形成有第二磁間隙；一第一振膜，外周緣固定於該第一支架，該第一振膜外部朝向該第一揚聲口，該第一振膜內部連結一第一音圈，而該第一音圈位於該第一磁間隙內；一第二支架，連結於該第一支架；一第二振膜，外周緣固定於該第二支架，該第二振膜內部連結一第二音圈，而該第二音圈位於該第二磁間隙內；一音箱上蓋，連結於該音箱底座，該音箱上蓋頂面形成有一第二揚聲口與一環狀之第三揚聲口，而該第二揚聲口恰位於該第二振膜外部；以及一環狀之第三振膜，內、外周緣固定於該第三揚聲口者。

此外，該第三振膜之外觀結構為圓環型、方環型或跑道型。再者，該音箱底座為盒形之結構型態，該第一振膜為低音部振膜，該第二振膜為高音部振膜，該第三振膜為被動振膜；其中，該第三振膜之剖面結構為兩個半圓之懸邊間連接一平坦部而搭配有配重體之型態，或是該第三振膜之剖面結構為一個半圓之型態。另者，該音箱底座為內中空錐形之結構型態，該第一振膜為具備較高輸出功率之全音域振膜，該第二振膜為全音域振膜，該第三振膜為被動振膜，而於該第一音圈與該第一支架之間連結一彈波。

首先，請參閱〔圖3〕～〔圖5〕所示，本新型之第一實施例係包括有：一音箱底座20，底面形成有一第一揚聲口21，而該音箱底座20為一個盒形之結構型態，底部進一步設置有緩衝材22，該緩衝材22可使喇叭貼附於物體上，並避免喇叭作動時所產生之振動會傳導喇叭以外的物體，同時也墊高出一個空間，讓從該第一揚聲口21所推動的空氣，能有流動的空間；一第一支架30，設置於該第一揚聲口21，而該第一支架30形成有一環狀通氣口32；一磁迴構件40，設置於該第一支架30，而該磁迴構件40至少包含一第一磁鐵41、一第二磁鐵42與一導磁軛鐵43，該導磁軛鐵43與該第一磁鐵41間形成有第一磁間隙44，該導磁軛鐵43與該第二磁鐵42間形成有第二磁間隙45，又進一步令該第一磁鐵41搭配有第一導磁板46，該第二磁鐵42搭配有第二導磁板47；一第一振膜50，外周緣固定於該第一支架30，該第一振膜50外部朝向該第一揚聲口21，該第一振膜50內部連結一第一音圈51，而該第一音圈51位於該第一磁間隙44內，該第一振膜50可為低音部振膜；一第二支架60，連結於該第一支架30；一第二振膜70，外周緣固定於該第二支架60，該第二振膜70內部連結一第二音圈71，而該第二音圈71位於該第二磁間隙45內，該第二振膜70可為高音部振膜；一音箱上蓋80，連結於該音箱底座20，該音箱上蓋80頂面形成有一第二揚聲口81與一環狀之第三揚聲口82，而該第二揚聲口81恰位於該第二振膜70外部；以及一環狀之第三振膜90，內、外周緣固定於該第三揚聲口82，而該第三振膜90之剖面結構為兩個半圓之懸邊間連接一平坦部之型態，該第三振膜90之外觀結構為圓環型，進一步令該第三振膜90搭配有配重體91，當該配重體91質量愈重時，整體的低音表現愈好，因此調整該配重體91的質量可以調整低音表現，該第三振膜90可為被動振膜，該第三振膜90係透過該環狀通氣口32而隨著該第一振膜50所產生之振動氣流而被動產生振動反應者。

接著，請參閱〔圖6〕、〔圖7〕所示，本新型之第二實施例與第一實施例之不同處在於：該第三振膜90a之剖面結構為一個半圓之型態；另，請參閱〔圖8〕所示，本新型之第三實施例與第二實施例之不同處在於：該第三振膜90b之外觀結構為方環型。

再者，請參閱〔圖9〕所示，本新型之第四實施例與第一實施例之不同處在於：該音箱底座20a為一個內中空錐形之結構型態，該第一振膜50a為一具備較高輸出功率之全音域振膜，朝下發出聲音(以中低音為主，因為低音較無指向性)，透過底部平面的聲音反射後，讓中低聲音從底部向四周散發出來，高功率的振膜其推動氣體的位移量大，所以透過底部平面的反射後，可以補強相當之中低音；其次，由於該音箱底座20a具有相當之音箱空間，因此聲音於音箱空間共振後，也可以強化中低音的效果，然後透過該第三(被動)振膜90，直接將中低音輻射給喇叭前方聽者；然而，與該第三振膜90同側的該第二振膜70a亦為一全音域振膜，而透過與該第三振膜90輻射的低音相結合，再搭配該第一振膜50a所反射出來的中低音，可以進一步強化中低音域的表現與音量，達到在有限的空間中，展現出相當之震撼感。

因此，本新型之第四實施例中共用該磁迴構件40之該第一振膜50a不一定要低音的設計結構，也可以使用一般全音域的振膜，可發出全音域的聲音，該第二振膜70a也不必然一定是高音振膜，也可以是全音域振膜；但不變的是，與該第三振膜90同側的該第二振膜70a，其尺寸與輸出功率必然小於該第一振膜50a，提供該第三振膜90的貢獻，主要還是設於另一面之該第一振膜50a；另因為輸出功率較高，因此還特別設計了彈波52(呈波浪狀，非必要構件)來降低失真，該彈波52連結於該第一音圈51與該第一支架30之間。

基於如是之構成，本新型包括共用該磁迴構件40之該第一振膜50、50a與該第二振膜70、70a以及該第三(被動)振膜90，各該振膜各自表現出不同的音域，具有一喇叭多音域表現之功效；此外，該第三(被動)振膜90之設計與該音箱底座20a設計為內中空錐形之結構型態，則皆具有強化中低音表現之功效。

綜上所述，本新型所揭示之構造，為昔所無，且確能達到功效之增進，並具可供產業利用性，完全符合新型專利要件，祈請  鈞局核賜專利，以勵創新，無任德感。

惟，上述所揭露之圖式、說明，僅為本新型之較佳實施例，大凡熟悉此項技藝人士，依本案精神範疇所作之修飾或等效變化，仍應包括在本案申請專利範圍內。

10‧‧‧喇叭
11‧‧‧振膜
12‧‧‧音圈
13‧‧‧磁迴構件
131‧‧‧磁鐵
132‧‧‧導磁軛鐵
133‧‧‧導磁板
14‧‧‧支架
141‧‧‧排氣孔
15‧‧‧音箱
20、20a‧‧‧音箱底座
21‧‧‧第一揚聲口
22‧‧‧緩衝材
30‧‧‧第一支架
32‧‧‧環狀通氣口
40‧‧‧磁迴構件
41‧‧‧第一磁鐵
42‧‧‧第二磁鐵
43‧‧‧導磁軛鐵
44‧‧‧第一磁間隙
45‧‧‧第二磁間隙
46‧‧‧第一導磁板
47‧‧‧第二導磁板
50、50a‧‧‧第一振膜
51‧‧‧第一音圈
52‧‧‧彈波
60‧‧‧第二支架
70、70a‧‧‧第二振膜
71‧‧‧第二音圈
80‧‧‧音箱上蓋
81‧‧‧第二揚聲口
82‧‧‧第三揚聲口
90、90a、90b‧‧‧第三振膜
91‧‧‧配重體

〔圖1〕係一般喇叭單體之結構剖示圖。 〔圖2〕係一般喇叭之結構剖示圖。 〔圖3〕係本新型第一實施例之結構分解圖。 〔圖4〕係本新型第一實施例之結構剖示圖。 〔圖5〕係本新型第一實施例之局部結構分解圖。 〔圖6〕係本新型第二實施例之結構剖示圖。 〔圖7〕係本新型第二實施例之結構俯視圖。 〔圖8〕係本新型第三實施例之結構俯視圖。 〔圖9〕係本新型第四實施例之結構剖示圖。

20‧‧‧音箱底座

22‧‧‧緩衝材

30‧‧‧第一支架

32‧‧‧環狀通氣口

40‧‧‧磁迴構件

41‧‧‧第一磁鐵

42‧‧‧第二磁鐵

43‧‧‧導磁軛鐵

44‧‧‧第一磁間隙

45‧‧‧第二磁間隙

46‧‧‧第一導磁板

47‧‧‧第二導磁板

50‧‧‧第一振膜

51‧‧‧第一音圈

60‧‧‧第二支架

70‧‧‧第二振膜

71‧‧‧第二音圈

80‧‧‧音箱上蓋

90‧‧‧第三振膜

91‧‧‧配重體

Claims (10)

1. 一種多振膜喇叭，係包括有： 一音箱底座，形成有一第一揚聲口； 一第一支架，設置於該第一揚聲口，而該第一支架形成有一環狀通氣口； 一磁迴構件，設置於該第一支架，而該磁迴構件包含一第一磁鐵與一第一導磁板、一第二磁鐵與一第二導磁板以及一導磁軛鐵，該導磁軛鐵與該第一磁鐵間形成有第一磁間隙，該導磁軛鐵與該第二磁鐵間形成有第二磁間隙； 一第一振膜，外周緣固定於該第一支架，該第一振膜外部朝向該第一揚聲口，該第一振膜內部連結一第一音圈，而該第一音圈位於該第一磁間隙內； 一第二支架，連結於該第一支架； 一第二振膜，外周緣固定於該第二支架，該第二振膜內部連結一第二音圈，而該第二音圈位於該第二磁間隙內； 一音箱上蓋，連結於該音箱底座，該音箱上蓋頂面形成有一第二揚聲口與一環狀之第三揚聲口，而該第二揚聲口恰位於該第二振膜外部；以及 一環狀之第三振膜，內、外周緣固定於該第三揚聲口者。
2. 如申請專利範圍第1項所述之多振膜喇叭，其中，該第三振膜之外觀結構為圓環型、方環型或跑道型。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之多振膜喇叭，其中，該音箱底座為盒形之結構型態，該音箱底座底部進一步設置有緩衝材。
4. 如申請專利範圍第1或2項所述之多振膜喇叭，其中，該音箱底座為內中空錐形之結構型態，該音箱底座底部進一步設置有緩衝材。
5. 如申請專利範圍第3項所述之多振膜喇叭，該第一振膜為低音部振膜，該第二振膜為高音部振膜，該第三振膜為被動振膜。
6. 如申請專利範圍第4項所述之多振膜喇叭，該第一振膜為具備較高輸出功率之全音域振膜，該第二振膜為全音域振膜，該第三振膜為被動振膜。
7. 如申請專利範圍第5項所述之多振膜喇叭，該第三振膜之剖面結構為兩個半圓之懸邊間連接一平坦部之型態。
8. 如申請專利範圍第5項所述之多振膜喇叭，該第三振膜之剖面結構為一個半圓之型態。
9. 如申請專利範圍第6項所述之多振膜喇叭，該第一音圈與該第一支架之間連結一彈波。
10. 如申請專利範圍第7項所述之多振膜喇叭，進一步令該第三振膜搭配有配重體。