TWM501362U - 複合材改良結構 - Google Patents
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Description
本創作係一種應用於製作鞋前套、鞋後套、皮包……等產品之片狀複合材方面的技術領域,尤指一種可使製作更為簡單、方便及快速以及可使結構更為牢固之複合材改良結構者。
一般習知用於製作鞋前套、鞋後套、皮包……等產品之片狀複合材,其主要係為先於一布質之基材的頂面上塗佈一層黏著劑,然後再於該黏著劑上貼附一層熱可塑性材質之面材而成,以使其因此兼具有布質之柔軟性及熱可塑性材質之防水性。然而,該種利用黏著劑結合該基材與該面材之方式,不但會使整體較為厚重而不符運動鞋等產品之輕薄的需求,而且更是會使其之結合製作較為麻煩、費時及費力而不符經濟效益。尤其是,利用該黏著劑黏著之方式僅適用於將平面狀之面材黏著在平面狀之基材上,對於具有凹凸表面之基材,則該黏著劑黏貼之方式則無法使面材牢固的結合在基材的凹凸表面上,因而易發生分離之情形。
習知的複合材結構係存在著製作麻煩、費時及費力
而不符經濟效益,以及結構較不牢固而易使面材與基材產生分離等諸多問題。
本創作係提供一種複合材改良結構,包括一基材及
一面材。其中,該基材的頂面具有複數凹槽,每一凹槽中形成有一槽底面及由該槽底面周邊延伸到頂面之一槽壁面。該面材係為熱可塑性材質,且使上半部形成一耐高溫層,而下半部形成一低溫熔融層,其中該低溫熔融層的熔點低於該耐高溫層。利用將該面材置於該基材的頂面上,然後對該面材加熱至使該耐高溫層軟化而不融化,但使該低溫熔融層熔化之狀態,再配合負壓作用,便可使該低溫熔融層滲入該基材之接觸面的毛細孔中,以及可使該耐高溫層順著該基材的頂面形狀延展覆蓋住該基材的頂面及該複數凹槽的槽壁面與槽底面。
本創作所提供之複合材改良結構,係可藉由將該下
半部之低溫熔融層的設置成熔點低於該上半部之耐高溫層。如此,只要將該面材置於該基材的頂面上,然後對該面材加熱至使該耐高溫層軟化而不融化,但使該低溫熔融層熔化之狀態,再配合負壓作用,便可使該面材結合在該基材上並順著該基材的頂面形狀延展覆蓋住該基材的頂面及該複數凹槽的槽壁面與槽底面。因此,係可使其之製作更為的簡單、方便及快速,而且亦可使該面材能輕易的結合在具有凹凸表面之基材上。尤其是,該低溫熔融層熔化後係可滲入該基材之接觸面的毛細孔中,因此可使
該面材牢固的結合在該基材上而不易產生分離之情形。而且,該面材與該基材結合後更是不會增加整體的厚度及重量,而非常的適用於作為具有輕薄需求之運動鞋的製作材料。
1‧‧‧基材
10‧‧‧凹槽
11‧‧‧槽底面
12‧‧‧槽壁面
2‧‧‧面材
20‧‧‧耐高溫層
21‧‧‧低溫熔融層
22‧‧‧微細孔
23‧‧‧立體紋路
3‧‧‧表層
1a‧‧‧第一層
1b‧‧‧第二層
1c‧‧‧第三層
10c‧‧‧下凹槽
第1圖係本創作第一實施例之立體分解示意圖。
第2圖係本創作第一實施例之立體組合放大示意圖。
第3圖係本創作第一實施例之組合剖面放大示意圖。
第4圖係本創作之第二實施例。
第5圖係本創作之第三實施例。
第6圖係本創作之第四實施例。
第7圖係本創作之基材的第二種實施態樣。
第8圖係本創作之基材的第三種實施態樣。
請參閱第1~3圖所示,係為本創作所述之複合材改良結構的第一實施例,其係指出該複合材改良結構包括一基材1及一面材2。其中:該基材1係可為織布、不織布或針軋布……等布質材料或是發泡材製成之片狀材料,該基材1的頂面具有任意形狀之複數凹槽10,該些凹槽10係於布質材料編織成型或發泡材發泡成型即因形狀設計而形成,每一凹槽10中形成有一槽底面11及由該槽底面11周邊延伸到頂面之一槽壁面12,該槽底面11係呈貫穿
狀。
該面材2係材質可為TPU、EVA、PU或TPR……等之
熱可塑性材質。該面材2係上半部形成一耐高溫層20,而下半部形成一低溫熔融層21,其中該低溫熔融層21的熔點較該耐高溫層20低於20℃以上。
如此,利用將該面材2置於該基材1的頂面上,然後
對該面材2加熱至使該耐高溫層20呈軟化而不融化之狀態,但使該低溫熔融層21呈熔化之狀態,然後再配合負壓作用,便可使該低溫熔融層21滲入該基材1之接觸面的毛細孔中,以及使該耐高溫層20順著該基材1的頂面形狀延展覆蓋住該基材1的頂面及該複數凹槽10的槽壁面12與槽底面11。
本創作所提供之複合材改良結構,係可藉由將該下
半部之低溫熔融層21的熔點設置成低於該上半部之耐高溫層20。因此,只要將該面材2置於該基材1的頂面上,使該低溫熔融層與該基材1的頂面接觸,然後對該面材2加熱至使該耐高溫層20軟化而不融化,但使該低溫熔融層21熔化之狀態,再配合負壓作用,便可使該面材2結合在該基材1上,而且並順著該基材1的頂面形狀延展覆蓋住該基材1的頂面及該複數凹槽10的槽壁面12與槽底面11。因此,係可使其之製作更為的簡單、方便及快速,而且亦可使該面材2能輕易的結合在具有凹凸表面之基材1上。尤其是,該低溫熔融層21熔化後係可滲入該基材1之接觸面的毛細孔中,因此可使該面材2牢固的結合在該基材1上而不易產生脫離之
情形。而且,亦可使該面材2與該基材1結合後不會增加整體的厚度及重量,而非常的適用於作為有輕薄需求之運動鞋等產品的製作材料。
請參閱第4圖所示,係為本創作所述之複合材改良
結構的第二實施例,其之結構與上述之第一實施例大致相同,差別在於第二實施例之複合材改良結構在將該面材2與該基材1結合後,係再利用一針板(圖中未示)於其上穿設出貫穿該面材2與該基材1進而貫通該複合材上、下側面之複數微細孔22,該複數微細孔22的孔徑係為0.001mm~1.0mm,藉由該些微細孔22係可使該複合材具有良好的透氣性。
請參閱第5圖所示,係為本創作所述之複合材改良
結構的第三實施例,其之結構與上述實施例大致相同,差別在於第三實施例之面材2的頂面係具有複數立體紋路23,以使其結合在該基材1上後能讓該複合材因此具有良好的觸感、手感以及視覺上之美感。
請參閱第6圖所示,係為本創作所述之複合材改良
結構的第四實施例,其之結構與上述實施例大致相同,差別在於第四實施例之複合材改良結構更包括有一表層3。該表層3係電鍍、雷射鍍膜、噴塗……等方式結合覆蓋於該面材2之耐高溫層20的頂面,而且該複數微細孔22亦貫穿該表層3。在本創作中,該表層3係可為電鍍膜、雷射膜或反光膜……等,以藉此可使該複合材具有特殊且多變化之花樣,而且更是能產生各種不同之視
覺效果及觸感與手感。在本實施例中,亦可依需要而不設有該複數微細孔22,此不再另加以贅述。
請參閱第7圖所示,係為本創作所述之複合材改良
結構中該基材1的第二種實施態樣,其中係指出該基材1包含有一第一層1a及一第二層1b。該複數凹槽10係形成於該第一層1a的頂面,該第二層1b的頂面係結合或一體成型於該第一層1a的底面,以使該複數凹槽10的槽底面11因此呈封閉狀。該面材2係熱融結合於該第一層1a的頂面、該複數凹槽10的槽壁面12及該第二層1b的頂面對應該些凹槽10之槽底面11處。而且,其中該第一層1a及該第二層1b可皆為布質或發泡材,亦可以兩者之其中一者為布質,而另一者為發泡材。
請參閱第8圖所示,係為本創作所述之複合材改良
結構中該基材1的第三種實施態樣,其之結構與上述之基材1的第二種實施態樣大致相同,差別在於該基材1之第三種實施態樣更包含有一第三層1c。該第三層1c的頂面係結合於或一體成型於該第二層1b的底面,該第三層1c的底面係具有複數下凹槽10c,而其中該第三層1c可為布質或發泡材之其中任一者。
1‧‧‧基材
10‧‧‧凹槽
11‧‧‧槽底面
12‧‧‧槽壁面
2‧‧‧面材
20‧‧‧耐高溫層
21‧‧‧低溫熔融層
Claims (18)
- 一種複合材改良結構,包括:一基材,係頂面具有複數凹槽,每一凹槽中形成有一槽底面及由該槽底面周邊延伸到頂面之一槽壁面;以及一面材,係為熱可塑性材質,且使其之上半部形成一耐高溫層,而下半部形成一低溫熔融層,其中該低溫熔融層的熔點低於該耐高溫層,利用將該面材置於該基材的頂面上,然後對該面材加熱至使該耐高溫層軟化而不融化但使該低溫熔融層熔化之狀態,再配合負壓作用使該低溫熔融層滲入該基材之接觸面的毛細孔中及使該耐高溫層順著該基材的頂面形狀延展覆蓋住該基材的頂面、該複數凹槽的槽壁面及該凹槽的槽底面。
- 如請求項1所述之複合材改良結構,其中該面材與該基材結合後係利用針板於該複合材上穿設出貫穿上、下之複數微細孔,以使其具有透氣性。
- 如請求項2所述之複合材改良結構,其中該微細孔之孔徑為0.001mm~1.0mm。
- 如請求項1或2所述之複合材改良結構,其中該低溫熔融層的熔點係低於耐高溫層20℃以上。
- 如請求項1或2所述之複合材改良結構,其中該面材的材質可為TPU、EVA、PU或TPR之其中任一者。
- 如請求項1或2所述之複合材改良結構,其中該面材的頂面係具有複數立體紋路。
- 如請求項1所述之複合材改良結構,更包括有一表層結合覆蓋 於該面材之耐高溫層的頂面。
- 如請求項2所述之複合材改良結構,更包括有一表層結合覆蓋於該面材之耐高溫層的頂面,且該複數微細孔係貫穿該表層。
- 如請求項7或8所述之複合材改良結構,其中該表層可為電鍍膜、雷射膜或反光膜之其中任一者。
- 如請求項1或2所述之複合材改良結構,其中該基材係為布質。
- 如請求項10所述之複合材改良結構,其中該布質的基材係可為織布、不織布或針軋布之其中任一者。
- 如請求項1或2所述之複合材改良結構,其中該基材係為發泡材。
- 如請求項1或2所述之複合材改良結構,其中該基材之複數凹槽的槽底面係呈貫穿狀。
- 如請求項1或2所述之複合材改良結構,其中該基材係包含有一第一層及一第二層,該複數凹槽係形成於該第一層的頂面,該第二層的頂面係結合於該第一層的底面,並使該複數凹槽的槽底面呈封閉狀,該面材係熱融結合於該第一層的頂面、該複數凹槽的槽壁面及該第二層的頂面對應該些凹槽之槽底面處。
- 如請求項14所述之複合材改良結構,其中該第一層及該第二層之其中一者為布質,另一者為發泡材。
- 如請求項14所述之複合材改良結構,其中該基材更包含有一第三層,該第三層的頂面係結合於該第二層的底面,該第三層的底面係具有複數下凹槽。
- 如請求項16所述之複合材改良結構,其中該第一層及該第二 層之其中一者為布質,另一者為發泡材。
- 如請求項17所述之複合材改良結構,其中該第三層可為布質或發泡材之其中任一者。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW103220298U TWM501362U (zh) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | 複合材改良結構 |
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TW103220298U TWM501362U (zh) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | 複合材改良結構 |
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TWM501362U true TWM501362U (zh) | 2015-05-21 |
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Family Applications (1)
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TW103220298U TWM501362U (zh) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | 複合材改良結構 |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TWM501362U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI614538B (zh) * | 2016-11-22 | 2018-02-11 | Huang Chen Cheng | 反光膜 |
CN111464755A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-07-28 | 北京理工大学 | 星载相机短曝光图像序列信噪比实时处理方法及系统 |
-
2014
- 2014-11-14 TW TW103220298U patent/TWM501362U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI614538B (zh) * | 2016-11-22 | 2018-02-11 | Huang Chen Cheng | 反光膜 |
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