TWM500307U - 觸控面板與具有該觸控面板之觸控裝置 - Google Patents

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TWM500307U TW103223012U TW103223012U TWM500307U TW M500307 U TWM500307 U TW M500307U TW 103223012 U TW103223012 U TW 103223012U TW 103223012 U TW103223012 U TW 103223012U TW M500307 U TWM500307 U TW M500307U
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Chun-Jung Huang
Ying-Fu Wang
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Tpk Touch Solutions Inc
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觸控面板與具有該觸控面板之觸控裝置
本創作係有關觸控技術,特別是關於觸控面板以及具有該觸控面板之觸控裝置。
觸控面板(touch panel)或觸控螢幕(touch screen)逐漸普遍應用於電子裝置中,特別是可攜式或手持式電子裝置,例如個人數位助理(PDA)或行動電話。目前的觸控面板中,有些面板為增加抗反射能力及提高視覺的清晰度,會在其玻璃基板表面(觸控操作表面)鍍上一層抗反射膜,藉以降低玻璃基板表面之反射並增加光線通過玻璃基板之穿透率。此外,就設置有攝像孔的觸控面板而言,該抗反射膜亦有助於提高影像擷取時的影像清晰度。然而隨著電子裝置與觸控面板之演進,高影像清晰度之需求亦不斷提升。如何配置抗反射膜以提高影像清晰度乃觸控面板產業之一項課題。
有鑑於此,本創作的目的在於有效配置抗反射膜,以提高影像清晰度。本創作的實施例提供一種觸控觸控面板,包含一基板、一遮蔽層以及一第一抗反射層。遮蔽層位於基板之表面,且遮蔽層包含一攝像窗, 攝像窗由部分遮蔽層鏤空界定於基板之表面,而第一抗反射層則位於攝像窗內。
本創作的實施例中,遮蔽層將基板劃分為一觸控區域與一圍繞觸控區域的周邊區域,且遮蔽層與攝像窗位於周邊區域之內。
本創作的實施例中,第一抗反射層更覆蓋於部分遮蔽層之表面。
本創作的實施例中,第一抗反射層係限定於攝像窗內。
本創作的實施例中,另包含一第二抗反射層位於基板與遮蔽層之間。
本創作的實施例中,遮蔽層與第一抗反射層係位於第二抗反射層上。
本創作的實施例中,基板具有一第一表面以及一第二表面,第一表面與第二表面位於基板之相反側,且第二抗反射層位於基板之第二表面,另包含一第三抗反射層位於基板之第一表面上。
本創作的實施例中,另包含一功能層位於第三抗反射層上,其中功能層包含一防爆層、一抗眩光層、一硬化層以及一防指紋層的其中之一或其組合。
本創作的實施例中,基板具有一第一表面以及一第二表面,第一表面與第二表面位於基板之相反側,且遮蔽層與攝像窗位於基板之第二表面,其中,另包含一第二抗反射層位於基板之第一表面上。
本創作的實施例中,另包含一功能層位於第二抗反射層上。功能層包含一防爆層、一抗眩光層、一硬化層以及一防指紋層的其中之一 或其組合。
本創作的實施例另提供一種觸控裝置,包含一基板、一顯示模組、一遮蔽層與一第一抗反射層。遮蔽層位於基板之表面,且遮蔽層包含一攝像窗,由部分遮蔽層鏤空界定於基板之表面。顯示模組具有對應至攝像窗的一影像擷取元件,而第一抗反射層位於攝像窗內。
本創作的實施例中,遮蔽層將基板劃分為一觸控區域與一圍繞觸控區域的周邊區域,且遮蔽層與攝像窗位於周邊區域之內。
本創作的實施例中,第一抗反射層更覆蓋於部分遮蔽層之表面。
本創作的實施例中,另包含一第二抗反射層位於基板與遮蔽層之間。
本創作的實施例中,遮蔽層與第一抗反射層係位於第二抗反射層上。
本創作的實施例中,基板具有一第一表面以及一第二表面,第一表面與第二表面位於基板之相反側,且第二抗反射層位於基板之第二表面。另包含一第三抗反射層位於基板之第一表面上。
本創作的實施例中,另包含一功能層位於第三抗反射層上。功能層包含一防爆層、一抗眩光層、一硬化層以及一防指紋層的其中之一或其組合。
本創作的實施例中,基板具有一第一表面以及一第二表面,第一表面與第二表面位於基板之相反側,且遮蔽層與攝像窗位於基板之第二表面。另包含一第二抗反射層位於基板之第一表面上。
本創作的實施例中,另包含一功能層位於第二抗反射層上,其中功能層包含一防爆層、一抗眩光層、一硬化層以及一防指紋層的其中之一或其組合。
本創作的實施例中,另包含一中介基板位於遮蔽層與顯示模組之間。
在本創作之實施例中,設置於攝像窗內的第一抗反射層有助於提高光通過攝像窗之光穿透率,例如將原本約90±2%之光穿透率提升至約94±2%。此外,第一抗反射層亦有助於提高影像擷取元件擷取影像時之清晰度。又,第一抗反射層可限制在攝像窗之範圍內,因而使第一抗反射層佔較小面積,有助於降低生產成本並提高生產良率。
本創作之技術內容及技術特點已揭示如上,然而本創作所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解,在不背離後附申請專利範圍所界定之本揭露精神和範圍內,本創作之教示及揭示可作種種之替換及修飾。例如,上文揭示之許多元件可以不同之結構實施或以其它相同功能的結構予以取代,或者採用其組合。
此外,本案之權利範圍並不侷限於上文揭示之特定實施例的裝置、元件或結構。本創作所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解,基於本創作教示及揭示裝置、元件或結構,無論現在已存在或日後開發者,其與本案實施例揭示者係以實質相同的方式執行實質相同的功能,而達到實質相同的結果,亦可使用於本揭露。因此,以下之申請專利範圍係用以涵蓋此類裝置、元件或結構。
10‧‧‧觸控面板
11‧‧‧基板
12‧‧‧遮蔽層
14‧‧‧攝像窗
15‧‧‧第一抗反射層
18‧‧‧顯示模組
20‧‧‧觸控面板
25‧‧‧第二抗反射層
30‧‧‧觸控面板
35‧‧‧第二抗反射層
36‧‧‧功能層
40‧‧‧觸控面板
45‧‧‧第三抗反射層
50‧‧‧觸控面板
51‧‧‧中介基板
60‧‧‧觸控面板
70‧‧‧觸控面板
80‧‧‧觸控面板
100‧‧‧觸控裝置
101‧‧‧第一表面
102‧‧‧第二表面
111‧‧‧觸控區域
112‧‧‧周邊區域
185‧‧‧影像擷取元件
200‧‧‧觸控裝置
300‧‧‧觸控裝置
400‧‧‧觸控裝置
500‧‧‧觸控裝置
600‧‧‧觸控裝置
700‧‧‧觸控裝置
800‧‧‧觸控裝置
本創作之前揭摘要以及下文之詳細說明在伴隨各圖式來閱讀時當可更容易瞭解。為達本創作之說明目的,各圖式裏圖繪有現屬較佳之各具體實施例。然而本創作並不限於所繪之精確排置方式及設備裝置,此點應可理解。
圖1A所示為根據本創作之一實施例,觸控面板的俯視示意圖;圖1B所示為根據本創作之一實施例,包含圖1A觸控面板之觸控裝置沿圖1A中AA方向的剖面示意圖;圖1C所示為根據本創作之另一實施例,包含圖1A觸控面板之觸控裝置沿圖1A中AA方向的剖面示意圖;圖2所示為根據本創作之又一實施例,觸控裝置的剖面示意圖;圖3所示為根據本創作之另一實施例,觸控裝置的剖面示意圖;圖4所示為根據本創作之再一實施例,觸控裝置的剖面示意圖;圖5所示為根據本創作之一實施例,觸控裝置的剖面示意圖;圖6所示為根據本創作之又一實施例,觸控裝置的剖面示意圖;圖7所示為根據本創作之另一實施例,觸控裝置的剖面示意圖;以及圖8所示為根據本創作之再一實施例,觸控裝置的剖面示意圖。
圖1A所示為根據本創作之一實施例,觸控面板10的俯視示意圖。圖1B所示為根據本創作之一實施例,包含圖1A觸控面板10之觸控裝 置100沿圖1A中AA方向的剖面示意圖。請同時參照圖1A及圖1B,觸控裝置100包含觸控面板10以及一顯示模組18。觸控面板10包含一基板11、一遮蔽層12、一攝像窗14與一第一抗反射層15。其中,遮蔽層12設置於基板11的表面,並將基板11其劃分為一觸控區域111與一圍繞觸控區域111的周邊區域112。遮蔽層12亦將部分基板11的表面周邊區域112鏤空界定為攝像窗14,做為影像擷取之窗口。觸控區域111內設置有觸控感測電極層(未繪示於圖中),用以感測觸控面板10上之觸碰位置或軌跡。此外,周邊區域112內亦設置有信號接線(未繪示於圖中),其電性連接觸控感測電極層。
顯示模組18具有對應至攝像窗14的一影像擷取元件185,例如是電荷耦合元件(charge-coupled device;CCD)、互補式金屬氧化物半導體主動像素感測器(CMOS active pixel sensor)或紅外線感測器(infrared sensor)。
在本創作之一實施例中,基板11可為一硬式透光基板或一可撓式透光基板,其材料可選自玻璃、壓克力(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)等透明材料。
基板11具有一第一表面101以及一第二表面102,且第一表面101與第二表面102位於基板11之相反側。第一表面101做為觸控裝置100使用者觸碰之介面,而例如在第二表面102上之觸控區域111內設置有觸控感測電極層,以感測使用者觸碰於第一表面101之相關觸碰位置或軌跡。觸控感測電極層包含第一軸向電極與第二軸向電極。電極的材料可包括各種透明導電材料,例如,氧化銦錫(indium tin oxide;ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide;IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide;CTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide;AZO)、氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide;ITZO)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化鉿(hafnium oxide;HfO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide;InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide;InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide;InGaMgO)或氧化銦鎵鋁(indium gallium aluminum oxide;InGaAlO)。在一實施例中,電極的材料可包括不透明導電材料,例如,由金屬材料構成的金屬網格(Metal Mesh)。
遮蔽層12位於基板11第二表面102的周邊區域112之內。遮蔽層12通常採用不透明材料製成,以遮蔽觸控區域111外之元件例如信號接線。在本創作之一實施例中,遮蔽層12的材料可選自黑色光阻材料、黑色樹脂、黑色油墨、低反射率的薄膜或具有其他顏色的類似材料。
攝像窗14由部分該遮蔽層12鏤空界定於基板11的第二表面102的周邊區域112之內。詳言之,係將部分周邊區域112中未經遮蔽層12遮覆之部分界定為攝像窗14。攝像窗14之位置相對應於影像擷取元件185,以俾影像擷取元件185透過攝像窗14擷取影像。
第一抗反射層15則位於攝像窗14內。在本創作之一實施例中,係將一抗反射膜貼附於攝像窗14內來形成第一抗反射層15。在本創作之另一實施例中,則以噴塗或濺鍍之方式於攝像窗14內形成第一抗反射層15。第一抗反射層15之設置有助於提高光通過攝像窗14之光穿透率,以滿足影像擷取元件185對光穿透率之要求。在本創作之一實施例中,第一抗反射層15的材料可選自鉻(Cr)或氟化物例如鐵氟龍膠與氟化鈣(CaF2 )。
在本實施例中,遮蔽層12與第一抗反射層15係接觸並且位於 基板10之第二表面102上。又,在本創作之一實施例中,第一抗反射層15係限定於攝像窗14與該部分遮蔽層之間。經此配置,由於第一抗反射層15的面積較小,僅需限制在攝像窗14之範圍內,有助於降低生產成本並提高生產良率。
在本創作之另一實施例中,如圖1C所示,第一抗反射層15更覆蓋於部分遮蔽層12之表面。經此配置,第一抗反射層15能夠更完整覆蓋攝像窗14,有助於提高攝像窗14整體之光穿透率。
在本創作之實施例中,顯示模組18可包含液晶顯示(liquid crystal display;LCD)面板、電激發光(electroluminescent;EL)顯示面板例如有機發光二極體(OLED)顯示面板、電潤溼(electrowetting)顯示面板、電泳(electrophoretic)顯示面板或其它各種類型之自發光型顯示面板、非自發光型顯示面板、硬式顯示面板或可撓式顯示面板。此外,顯示模組18與觸控面板10可利用一黏著層(未繪示於圖中)加以黏合。舉例而言,該黏著層係使用一框形膠或口字膠,其僅設置在顯示模組18與觸控面板10之間的周邊區域112。惟在其它變化實施例中,黏著層亦可為一完整的膠層。黏著層可包含光學膠(Optical Clear Resin;OCR)或光學膠帶(Optical Clear Adhesive;OCA)。又,光學膠可以是水膠或光學透明的特殊雙面膠。
圖2所示為根據本創作之又一實施例,觸控裝置200的剖面示意圖。請參照圖2,觸控裝置200的元件與結構類同於圖1B所示之觸控裝置100,惟觸控裝置200之觸控面板20另包含一第二抗反射層25位於基板11與遮蔽層12之間。在本實施例中,遮蔽層12與第一抗反射層15係接觸並且位於第二抗反射層25上。第二抗反射層25之設置有助於提高基板11之光穿透 率並降低基板11之光反射。在本創作之一實施例中,第二抗反射層25的材料可選自鉻(Cr)或氟化物例如鐵氟龍膠與氟化鈣(CaF2 )。
圖3所示為根據本創作之另一實施例,觸控裝置300的剖面示意圖。請參照圖3,觸控裝置300的元件與結構類同於圖1B所示之觸控裝置100,惟觸控裝置300之觸控面板30另包含一第二抗反射層35位於基板11的第一表面101上。第二抗反射層35之設置有助於提高基板11之光穿透率並降低基板11之光反射。在本創作之一實施例中,第二抗反射層35的材料可選自鉻(Cr)或氟化物例如鐵氟龍膠與氟化鈣(CaF2 )。
又,觸控裝置300之觸控面板30另包含一功能層36位於第二抗反射層35上。功能層36可包含但不限定於一防爆層(anti-split;AS)、一抗眩光層(anti-glare;AG)、一硬化層(hard coat;HC)以及一防指紋層(anti-fingerprint;AF)的其中之一或其組合。
當功能層36做為防爆用途時,功能層36的材料可選自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、三聚醋酸纖維素(TAC)、聚酯(PET)、聚丙稀(PP)、聚烃基(COP)、或以所述材料組合製作。
當功能層36做為抗眩光用途時,功能層36的材料可選自二氧化矽。該抗眩光膜的霧度(haze)約介於1%~2%之間,用以散射光線並防止牛頓環的現象產生。
當功能層36做為硬化用途時,功能層36的材料可選自感光性樹脂或二氧化矽(SiO2 ),使得表面硬度例如高於2H、穿透率例如高於91%、翹曲例如不高於10mm。
當功能層36做為防指紋用途時,功能層36的材料可選自高分 子薄膜、金屬氧化物薄膜或奈米溶膠薄膜。
圖4所示為根據本創作之再一實施例,觸控裝置400的剖面示意圖。請參照圖4,觸控裝置400的元件與結構類同於圖2所示之觸控裝置200,惟觸控裝置400之觸控面板40另包含一第三抗反射層45位於基板11的第一表面101上。並且,第二抗反射層25位於基板11的第二表面102上。第三抗反射層45之設置有助於提高基板11之光穿透率並降低基板11之光反射。在本創作之一實施例中,第三抗反射層45的材料可選自鉻(Cr)或氟化物例如鐵氟龍膠與氟化鈣(CaF2 )。
又,觸控裝置400之觸控面板40另包含一功能層36位於第三抗反射層45上。功能層36可包含但不限定於一防爆層(anti-split;AS)、一抗眩光層(anti-glare;AG)、一硬化層(hard coat;HC)以及一防指紋層(anti-fingerprint;AF)的其中之一或其組合。
圖5所示為根據本創作之一實施例,觸控裝置500的剖面示意圖。請參照圖5,觸控裝置500的元件與結構類同於圖1B所示之觸控裝置100,惟觸控裝置500之觸控面板50另包含一中介基板51位於遮蔽層12與顯示模組18之間。中介基板51之材料類同於基板11之材料。此外,中介基板51與基板11可利用一黏著層(未繪示於圖中)加以黏合。又,中介基板51與顯示模組18可利用另一黏著層(未繪示於圖中)加以黏合。黏著層之結構與材料如前文實施例所述,於此不另贅敘。
中介基板51之設置有助於使觸控感測電極層之電極之配置多樣化,以俾觸控裝置500做不同之運用。舉例而言,觸控感測電極層之第一軸向電極可設置於基板11上,而第二軸向電極則設置於中介基板51上。 再舉例而言,觸控感測電極層之第一軸向電極可設置於中介基板51靠近基板11之表面,而第二軸向電極則設置於中介基板51靠近顯示模組18之表面。
圖6所示為根據本創作之又一實施例,觸控裝置600的剖面示意圖。請參照圖6,觸控裝置600的元件與結構類同於圖2所示之觸控裝置200,惟觸控裝置600之觸控面板60另包含一中介基板51位於遮蔽層12與顯示模組18之間。中介基板51之功用如前文實施例所述,於此不另贅敘。
圖7所示為根據本創作之另一實施例,觸控裝置700的剖面示意圖。請參照圖7,觸控裝置700的元件與結構類同於圖3所示之觸控裝置300,惟觸控裝置700之觸控面板70另包含一中介基板51位於遮蔽層12與顯示模組18之間。
圖8所示為根據本創作之再一實施例,觸控裝置800的剖面示意圖。請參照圖8,觸控裝置800的元件與結構類同於圖4所示之觸控裝置400,惟觸控裝置800之觸控面板80另包含一中介基板51位於遮蔽層12與顯示模組18之間。
在本創作之實施例中,設置於攝像窗14內的第一抗反射層15有助於提高光通過攝像窗14之光穿透率,例如將原本約90±2%之光穿透率提升至約94±2%。此外,第一抗反射層15亦有助於提高影像擷取元件185擷取影像時之清晰度。又,第一抗反射層15因面積較小,僅需限制在攝像窗14之範圍內,有助於降低生產成本並提高生產良率。
本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上,然而本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解,在不背離後附申請專利範圍所界定之本揭露精神和範圍內,本揭露之教示及揭示可作種種之替換及修飾。例如, 上文揭示之許多元件可以不同之結構實施或以其它相同功能的結構予以取代,或者採用上述二種方式之組合。
此外,本案之權利範圍並不侷限於上文揭示之特定實施例的裝置、元件或結構。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解,基於本揭露教示及揭示裝置、元件或結構,無論現在已存在或日後開發者,其與本案實施例揭示者係以實質相同的方式執行實質相同的功能,而達到實質相同的結果,亦可使用於本揭露。因此,以下之申請專利範圍係用以涵蓋此類裝置、元件或結構。
10‧‧‧觸控面板
11‧‧‧基板
12‧‧‧遮蔽層
14‧‧‧攝像窗
15‧‧‧第一抗反射層
18‧‧‧顯示模組
100‧‧‧觸控裝置
101‧‧‧第一表面
102‧‧‧第二表面
185‧‧‧影像擷取元件

Claims (20)

  1. 一種觸控面板,包含:一基板;一遮蔽層,位於該基板之表面,其中該遮蔽層包含一攝像窗,由部分該遮蔽層鏤空界定於該基板之表面;以及一第一抗反射層,位於該攝像窗內。
  2. 根據請求項1的觸控面板,其中該遮蔽層將該基板劃分為一觸控區域與一圍繞該觸控區域的周邊區域,且該遮蔽層與該攝像窗位於該周邊區域之內。
  3. 根據請求項1的觸控面板,其中該第一抗反射層更覆蓋於部分該遮蔽層之表面。
  4. 根據請求項1的觸控面板,其中該第一抗反射層係限定於該攝像窗內。
  5. 根據請求項1的觸控面板,另包含一第二抗反射層位於該基板與該遮蔽層之間。
  6. 根據請求項5的觸控面板,其中該遮蔽層與該第一抗反射層係位於該第二抗反射層上。
  7. 根據請求項5的觸控面板,其中該基板具有一第一表面以及一第二表面,該第一表面與該第二表面位於該基板之相反側,且該第二抗反射層位於該基板之第二表面,其中,另包含一第三抗反射層位於該基板之第一表面上。
  8. 根據請求項7的觸控面板,另包含一功能層位於該第三抗反射層上,其中該功能層包含一防爆層、一抗眩光層、一硬化層以及一防指紋層的其中之一或其組合。
  9. 根據請求項1的觸控面板,其中該基板具有一第一表面以及一第二表面,該第一表面與該第二表面位於該基板之相反側,且該遮蔽層與該攝像窗位於該基板之第二表面,其中,另包含一第二抗反射層位於該基板之第一表面上。
  10. 根據請求項9的觸控面板,另包含一功能層位於該第二抗反射層上,其中該功能層包含一防爆層、一抗眩光層、一硬化層以及一防指紋層的其中之一或其組合。
  11. 一種觸控裝置,包含:一基板;一遮蔽層,位於該基板之表面,其中該遮蔽層包含一攝像窗,由部分該遮蔽層鏤空界定於該基板之表面;一顯示模組,具有對應至該攝像窗的一影像擷取元件;以及一第一抗反射層,位於該攝像窗內。
  12. 根據請求項11的觸控裝置,其中該遮蔽層將該基板劃分為一觸控區域與一圍繞該觸控區域的周邊區域,且該遮蔽層與該攝像窗位於該周邊區域之內。
  13. 根據請求項11的觸控裝置,其中該第一抗反射層更覆蓋於部分該遮蔽層之表面。
  14. 根據請求項11的觸控裝置,另包含一第二抗反射層位於該基板與該遮蔽層之間。
  15. 根據請求項14的觸控裝置,其中該遮蔽層與該第一抗反射層係位於該第二抗反射層上。
  16. 根據請求項14的觸控裝置,其中該基板具有一第一表面以及一第二表面,該第一表面與該第二表面位於該基板之相反側,且該第二抗反射層位於該基板之第二表面,其中,另包含一第三抗反射層位於該基板之第一表面上。
  17. 根據請求項16的觸控裝置,另包含一功能層位於該第三抗反射層上,其中該功能層包含一防爆層、一抗眩光層、一硬化層以及一防指紋層的其中之一或其組合。
  18. 根據請求項11的觸控裝置,其中該基板具有一第一表面以及一第二表面,該第一表面與該第二表面位於該基板之相反側,且該遮蔽層與該攝像窗位於該基板之第二表面,其中,另包含一第二抗反射層位於該基板之第一表面上。
  19. 根據請求項18的觸控裝置,另包含一功能層位於該第二抗反射層上,其中該功能層包含一防爆層、一抗眩光層、一硬化層以及一防指紋層的其中之一或其組合。
  20. 根據請求項11的觸控裝置,另包含一中介基板位於該遮蔽層與該顯示模組之間。
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