TWM484111U - 光學處理系統 - Google Patents
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Description
本新型創作是有關於一種光學設備,且特別是有關於一種光學處理系統。
隨著科技發展,印刷電路板廣泛地應用在現今的電子產品中。而電子產品現在也都朝向輕、薄、短、小及多功能的方向發展,因此相對也需要更加高密度的印刷電路板來達成。在印刷電路的密度提高的同時,印刷電路板的線寬也需要縮小,而線寬的大小是由曝光過程中藉由曝光機所決定。
在現有的曝光機技術中,為了符合電子產品的演變趨勢,高電路線寬分辨率、快速量產、高對位精準度、高曝光均勻度與高可靠度皆是高端曝光設備需要具備的重要條件,但因現有使用光罩的曝光機存在於生產過程中必須進行”光罩對位”、”光罩定期清潔”等會影響產量的步驟,且存在會因光罩上微粒而在量產中產出大量不良品等問題,因此發展了無光罩式曝光機(maskless lithography)的技術。
現有的無光罩式曝光機雖然能提供更精密的對位校準和
更窄的線寬尺寸,然而對於大多數技術(例如是雷射直接曝光技術)而言,其曝光速度及單位時間基板產出量都無法與傳統的採用光罩之接觸式曝光機比擬。近來更發展了藉由以數位微型反射鏡元件(Digital Micro-mirror Device,DMD)來形成曝光圖案以提昇曝光效率的無光罩式曝光機,DMD中的各單元是由一微小鏡面所組成,藉由微機電晶片獨立控制各鏡面的旋轉與翻轉,以分別控制各光束的行進或遮蔽狀態,以在曝光物上產生圖案的方式來進行曝光。然而,現有技術中之各鏡面因尺度約15微米見方的微型反射鏡與微懸臂樑的結構限制下,現有技術的每個微型反射鏡的擺動時間至少需時44微秒,因此DMD中每個微型反射鏡的擺動時間及其反射率均受到相當的限制。
本新型創作提供一種光學處理系統,其具有更快的光學處理速度及更好的光學處理效率。
本新型創作的實施例提供一種光學處理系統,用以在一像平面上產生一影像圖案。光學處理系統包括至少一影像產生單元以及一光學掃描單元。影像產生單元包括一發光單元模組以及一成像鏡頭。發光單元模組用以發出一影像光束,且包括多個非線性排列或者排成陣列的發光單元,例如發光二極體(Light Emitting Diode,LED)、超發光二極體(Superluminescent Diode,SLD)、雷射二極體(Laser Diode,LD)。成像鏡頭配置於影像光
束的傳遞路徑上,且用以將影像光束投射於像平面上。光學掃描單元配置於影像光束的傳遞路徑上,且用以使影像光束掃描像平面,以產生影像圖案。
在本新型創作的一實施例中,上述的光學處理系統更包括一控制單元,其電性連接至影像產生單元及光學掃描單元。當控制單元命令光學掃描單元將影像光束移動至像平面的一位置時,影像光束在像平面上的一區域產生一區域影像,且當控制單元命令光學掃描單元將影像光束移動至像平面的不同位置時,影像光束在像平面上的不同區域分別產生多個區域影像,且這些區域影像疊合成影像圖案。
在本新型創作的一實施例中,上述的光學掃描單元包括一第一振鏡以及一第二振鏡。第一振鏡配置於影像光束的傳遞路徑上,且適於繞著一第一軸線擺動,第二振鏡配置於來自第一振鏡的影像光束的傳遞路徑上,且適於繞著一第二軸線擺動。發光單元模組中的這些發光單元為自發光式光源,由自發光式光源所發出的影像光束藉由第一振鏡與第二振鏡的擺動而改變影像光束在像平面上的相對照射位置。
在本新型創作的一實施例中,上述的光學掃描單元包括一振鏡,其配置於影像光束的傳遞路徑上,且適於在二個維度上擺動。發光單元模組中的這些發光單元為自發光式光源,由自發光式光源所發出的影像光束藉由振鏡的擺動而改變影像光束在像平面上的相對照射位置。
在本新型創作的一實施例中,上述的光學處理系統更包括一載台,位於像平面處,且用以承載一待處理物,載台適於移動或藉由一致動器推動載台使影像光束掃描像平面上的待處理物。
本新型創作的實施例提供一種光學處理系統,用以在一像平面上產生一影像圖案。光學處理系統包括至少一影像產生單元以及一載台。影像產生單元包括一發光單元模組以及一成像鏡頭。發光單元模組用以發出一影像光束,且包括多個非線性排列或者排成陣列的發光單元,例如發光二極體(Light Emitting Diode,LED)、超發光二極體(Superluminescent Diode,SLD)、雷射二極體(Laser Diode,LD)。成像鏡頭配置於影像光束的傳遞路徑上,且用以將影像光束投射於像平面上。像平面位於載台上,載台用以承載一待反應物,載台適於移動或藉由一致動器推動像平面,使影像光束掃描像平面,以在像平面上產生影像圖案。
在本新型創作的一實施例中,上述的光學處理系統更包括一控制單元,其電性連接至影像產生單元及載台或致動器。控制單元命令載台或致動器使影像光束照射到像平面的一位置時,影像光束在像平面上的一區域產生一區域影像,且當控制單元命令載台或致動器使影像光束照射到像平面的不同位置時,影像光束在像平面上的不同區域分別產生多個區域影像,且這些區域影像疊合成影像圖案。
在本新型創作的一實施例中,上述的影像光束沿著一第
一方向掃描像平面,或影像光束沿著第一方向及一不同於第一方向之第二方向掃描像平面,其中第一方向與第二方向構成像平面。
在本新型創作的一實施例中,上述的發光單元模組中的這些發光單元為自發光式光源,包括發光二極體、超發光二極體、或雷射二極體。
在本新型創作的一實施例中,上述的影像光束的波長是落在200奈米至430奈米的範圍內。
基於上述,在本新型創作之實施例的光學處理系統中,發光單元模組發出的影像光束透過成像鏡頭在像平面上對一個區域進行光學處理,且光學掃描單元使影像光束掃描像平面。如此一來,相較於一個時間中只對一個點作光學處理的單點式掃描,本新型創作之實施例採用所採用的區域式掃描是在一個時間中對一個較大範圍的區域進行同步光學處理,藉此可大幅縮短對待處理物體的整體光學處理時間。
為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
d1
、d2、d3、d4‧‧‧方向
L1
、L2
、I1、I2‧‧‧軸線
100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H‧‧‧光學處理系統
110‧‧‧影像產生單元
111‧‧‧影像光束
112‧‧‧發光單元模組
113、117、119A、119B、119C、119D、119E、119F、119G、119H、119I、119J、119K、119L、119M‧‧‧區域
114‧‧‧發光單元
116‧‧‧成像鏡頭
130‧‧‧光學掃描單元
132、134、136‧‧‧振鏡
140‧‧‧像平面
150‧‧‧載台
160‧‧‧待處理物
170‧‧‧致動器
180‧‧‧控制單元
圖1A是本新型創作的一實施例中光學處理系統的示意圖。
圖1B是圖1A中像平面被影像光束投射時的俯視圖。
圖1C是圖1A中發光單元模組的俯視圖。
圖2A是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。
圖2B至圖2D是圖2A中像平面被影像光束投射時的俯視圖。
圖3A是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。
圖3B至圖3C是圖3A中像平面被影像光束投射時的俯視圖。
圖4是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。
圖5A是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。
圖5B至圖5E是圖5A中像平面被影像光束投射時的俯視圖。
圖6是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的立體圖。
圖7是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。
圖8是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。
圖1A是本新型創作的實施例中一種光學處理系統的示意圖。圖1B是圖1A中像平面被影像光束投射時的俯視圖。圖1C是圖1A中發光單元模組的俯視圖。請參照圖1A至圖1C,在本實施例中,光學處理系統100A包括影像產生單元110以及光學掃描單元130,影像產生單元110包括例如由多個發光單元排成陣列所構成的發光單元模組112、以及成像鏡頭116。發光單元模組112包括多個發光單元114,而發光單元模組112用以發出一影像光束111。在如圖1C所繪示的實施例中,多個發光單元114是以陣列的方式進行排列而成一發光單元陣列來進行說明,但本發明並不以此為限,多個發光單元114亦可以以非線性的方式進行排列。
成像鏡頭116及光學掃描單元130配置於影像光束111的傳遞路徑上,其中光學掃描單元130可以讓影像光束111在像平面140上掃描。
更具體來說,請一併參照圖1A及圖1B,本實施例中影像光束111自發光單元模組112發出,經過成像鏡頭116後,再經由光學掃描單元130到達像平面140,並在像平面140產生區域影像。其中,成像鏡頭116適於讓影像光束111投射並成像在像平面140的一待處理物上,而藉由成像在像平面140的影像光束111在像平面140的區域117上對待處理物進行光學處理,在區域113上則不進行光學處理,但不限於此。在其他實施例中,光學處理系統100A更可以使像平面上區域117不進行光學處理,而區域113進行光學處理。在另一實施例中,光學處理系統100A更可以對像平面上的區域113及區域117有不同光強度的光學處理。在另一實施例中,發光單元模組112所發出的影像光束更可以具有不同的波長組合來適於對待處理物進行光學處理。更具體來說,本實施例中的影像光束的波長例如是落在200奈米至430奈米的範圍內,但不限於此,在其他實施例中發光單元模組112所發出的影像光束111可以是其他適於對像平面140作光學處理(例如曝光或光蝕刻)之具有其他波長的光束。
進一步來說,請參照圖1A及圖1B,在本實施例中,待處理物例如是一覆蓋有光阻層的金屬層、其他待蝕刻層或基板,而光學處理系統100A例如是曝光機,以使區域113的光阻層進行
光學處理,例如是曝光處理,而曝光後的光阻層再藉由顯影製程來形成預定的圖案,以作為接下來蝕刻金屬層、其他待蝕刻層或離子佈植基板時的阻擋層,進而來使待處理物中的金屬層、其他待蝕刻層或基板也具有對應到區域113及區域117的圖案,但不限於此。在其他實施例中,待處理物可以是不具有光阻層的金屬層或待蝕刻層,而光學處理系統例如為一蝕刻機台,其所發出的影像光束直接對金屬層進行光學處理,例如是直接對金屬層的區域117進行光學蝕刻來產生類似於圖1B所繪示的影像圖案之金屬層圖案。
請參照圖1A、圖1B及圖1C,本實施例中藉由發光單元模組112(在圖1C中例如繪示以12×12的發光單元模組為例,但本新型創作不以此為限)發出一影像光束111,再藉由成像鏡頭116讓影像光束111成像在像平面140上,在成像鏡頭116和像平面140之間再藉由光學掃描單元130來改變光路並使影像光束可以在像平面上產生影像圖案,因此可以提供較高的光能量。本實施例中藉由發光單元模組112直接發出光束並搭配成像鏡頭116和光學掃描單元130來直接在像平面140上成像、掃描並進行光學處理,因此光學處理系統100A直接對像平面140上的區域進行光學處理,同時因為發光單元模組112所提供的影像光束111具有較高的光能量,因此可以提昇在像平面140上的光學處理效率(例如曝光效率或光蝕刻效率)。另一方面,相較於採用數位微鏡元件來作為影像源的光學處理系統,本實施例的光學處理系統
100A由於採用可自發光的發光單元模組112(例如發光二極體陣列,亦即發光單元114例如是發光二極體)來提供影像光束111,相較於單一微機電鏡(即數位微鏡元件中的一個微反射鏡)尺寸約14微米見方的大小,LED尺寸未定,透過光學設計,一個像素對應的LED大小可遠大於14微米見方,因此可對應遠大於微機電鏡可處理的光功率,因此可以提供更高強度的光學處理效果,進而縮短處理時間,增加量產率。同時因為上述實施例的光學處理系統可以藉由控制發光單元模組112中各自發光單元114的開關,不但可避免光源強度因微鏡的反射時所導致的能量的損失,發光單元模組112也因為不用長時間驅動全部發光單元114而減少能量的損失。相較之下,採用數位微鏡元件的曝光機,無論某一微鏡是否欲將光反射至鏡頭,光源皆需保持開啟,也就是說,採用數位微鏡元件的曝光機的光利用效率較本實施例之光學處理系統100A的光利用效率低。
此外,數位微鏡元件中的微鏡的作動方式是機械式的擺動,其相較於發光二極體的發光反應時間較慢。因此,本實施例之採用可自發光的發光單元模組112之光學處理系統100A的光學掃描單元130可以用較快的速度掃描(因發光單元模組112的反應時間短,且所提供的光功率高),進而縮短整體處理時間。舉例而言,當以100×100的發光二極體陣列作為發光單元模組112時,由於掃描速度較快的原因,光學處理系統100A掃描完整個像平面的時間還低於採用具有1024×768個微鏡的數位微鏡元件之光學處
理系統掃描完整個像平面的時間。另外,由於發光單元模組112所發出的影像光束111可以對像平面140的一區域進行光學處理,減少了影像光源111在像平面140上所需移動的距離,因此上述實施例之光學處理系統100A中,可利用光學掃描單元130來對像平面上的待處理物作掃描,而可以不用利用載台移動來使待處理物移動而進行掃描。簡單來說,本實施例之光學處理系統100A的架構可以較為簡化,所以可以具有較小的體積與較低的成本。
此外,舉例而言,配合適當的電路驅動,LED的反應時間可控制於10奈秒(nanosecond,ns)以下,相較現有DMD所具有的44微秒(microsecond,μs)之反應時間,本實施例具有快了約4000倍的技術效果。另外,DMD因受限於其中微型反射鏡之反射率而使得DMD可承受光強度約在20W(瓦)。對於以375奈米波長、280平方微米的LED為例,其發光功率為5.5mW(毫瓦)。換言之,當本發明的一實施例之光學處理系統中的發光單元模組排列為100×100陣列時,光強度為55W,相較於以DMD作為光學處理系統的光強度,本發明的實施例之光學處理系統相較於先前技術在光強度的表現上具有2.8倍之倍數成長的技術效果。因此相較於DMD,利用本發明之光學處理系統(以100×100 LED陣列晶片為例)在處理速度的表現上亦可發揮處理速度快約3倍的功效。
然而,在其他實施例中,發光單元114可以是有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)、雷射二極體、超
發光二極體或其他適當的發光的元件。在其他實施例中,發光單元模組中的發光單元也可以以例如是以蜂巢狀、同心圓狀、放射狀排列或其他交錯或非線性的方式排列。
在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。
圖2A是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖,圖2B至圖2D是圖2A中像平面被影像光束投射時的俯視圖。請參照圖2A至圖2D,本實施例中的光學處理系統100B與圖1A所繪示的實施例中的光學處理系統100A類似,惟不同處在於本實施例中的光學處理系統100B更包括一載台150,用以承載待處理物160,且本實施例中的光學掃描系統130可以讓影像光束111沿著第一方向d1
對像平面140掃描。
更具體來說,請參照圖2B,本實施例中的光學處理系統100B例如可以於第一時間利用一次光學處理在像平面140的區域119A形成區域影像,而光學掃描系統130可以讓影像光束111在像平面140形成區域影像的位置沿著第一方向d1
移動。請參照圖2B及圖2C,在本實施例中,光學掃描系統130使影像光束111沿著第一方向d1
移動的同時,影像產生單元110也同時根據位置的變化來使區域影像改變,因此可以在第二時間利用一次光學處理或掃描像平面140中區域119B的同時,同步對部份或全部的區
域119A繼續地進行光學處理並疊合成影像圖案,換言之,在第一時間已形成影像圖案的區域119A可在第二時間進行二度光學處理時增強部份或全部圖案的照光量,藉以加強光學處理程度。請參照圖2B至圖2D,在本實施例中,光學處理系統100B依序藉由上述的方式沿著第一方向d1
掃描來完成位於像平面140的待處理物160上的影像圖案,因此可以提供較高的處理效率及較佳的處理品質,並可以依據圖案、線寬等設計而於像平面140上控制不同的照光量。在本實施例中,上述光學處理例如是對待處理物160中的一光阻層進行曝光,但不限於此。在其他實施例中,上述光學處理例如是對待處理物中的一金屬層或待蝕刻層作光學蝕刻。
圖3A是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖,圖3B至圖3C是圖3A中像平面被影像光束投射時的俯視圖。請參照圖3A,本實施例的光學處理系統100C與圖1A所繪示的實施例中的光學處理系統100A類似,惟不同之處在於本實施例中具有多個影像產生單元110(例如這邊繪示三個),而光學處理系統100C具有多個發光單元模組112及多個成像鏡頭116,而各發光單元模組112各自透過成像鏡頭116來經過光學掃描單元130在像平面140上產生區域影像,其中本實施例的光學掃描單元130使多個影像光束111沿著第一方向d1
掃描。請參照圖3B及圖3C,在本實施例中光學處理系統100C在第一時間可以同時對像平面140的區域119D、119E、119F產生區域影像,再藉由光學掃描系統130的掃描使像平面140上的照射區域可以沿著第一方向d1
移
動,當照射區域沿著第一方向d1
到達像平面140的邊界後再藉由載台150的移動,使照射區域可以往回掃描至區域119G、119H、119I再到達區域119D、119E、119F之間的區域來疊合完成影像圖案。因此,本實施例中的光學處理系統100C可以藉由多個影像產生單元110來對像平面140上的多個區域同時產生區域影像,藉以更加提昇處理效率。在其他實施例中,光學處理系統更可以具有七個或是其他數量的多個影像產生單元,這些影像產生單元同時在像平面上例如是以錯開的區域位置對像平面做掃描來產生影像圖案。
圖4是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。請參照圖4,本實施例的光學處理系統100D相似於圖2A所繪示的實施例中的光學處理系統100B,惟不同之處在於本實施例的光學處理系統100D中,更包括一致動器170,其連接至載台150,而致動器170驅使載台150沿著第一方向d1
或前述第二方向移動,但不限於此。在其他實施例中,致動器170更可以連接載台150並驅使其沿著其他方向移動,更可以使載台150作沿厚度方向作上下移動。在其他實施例中,光學處理系統更可以包括多個致動器,而這些致動器使載台可以沿著多個方向移動。請參照圖4,在本實施例中,藉由載台150的移動可以使產生在像平面140的區域影像也一併有相對的位置移動,並藉此完成影像圖案。在另一實施例中,光學處理系統更可以同時藉由光學掃描單元130沿著第一方向d1
掃描,而載台藉由致動器170沿著與第一方向d1
不同的第二方向移動,藉此來改變影像光束111在像平面140上的照射位置。此外,光學掃描單元130也可以是以多旋轉(rotating polygon)的方式來改變影像光束111的方向。
圖5A是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。圖5B至圖5E是圖5A中像平面被影像光束投射時的俯視圖。請參照圖5A,本實施例的光學處理系統100E相似於圖1A所繪示的實施例中的光學處理系統100A,惟不同之處在於本實施例中光學掃描單元130包括第一振鏡132及第二振鏡134,其中第一振鏡132及第二振鏡134配置於影像光束111的傳遞路徑上,而第一振鏡132適於繞著第一軸線L1
擺動,第二振鏡134配置於來自第一振鏡132的影像光束111的傳遞路徑上,並適於繞著第二軸線L2
擺動。藉由第一振鏡132及第二振鏡134的擺動及配置,可以使影像光束111在像平面上成像的位置可以沿著第一方向d1
及第二方向d2
移動。更具體來說,請參照圖5A至圖5E,藉由上述第一振鏡132及第二振鏡134的配置,可以在像平面140上的區域119J產生區域影像,並藉由第一振鏡132及第二振鏡134的擺動可以使影像光束111在像平面140上產生區域影像的位置從區域119J移動到區域119K,再繼續移動到119L,最後移動到119M來完成影像圖案,其中在移動的同時影像產生單元110也對應改變其所能投影出的區域影像,藉以使各區域影像疊合成影像圖案並加強光處理效果。在其他實施例中,光學處理系統100E更可以是藉由其他方向及路線對像平面140做掃描來疊合成影像圖案。
請參照圖5A,在本實施例中光學處理系統100E可以使影像光束111在像平面上成像的位置可以沿著第一方向d1
及第二方向d2
移動,且第一方向d1
實質上垂直於第二方向d2
,但不限於此。在其他實施例中,光學處理系統中的光學掃描單元更可以藉由其他多個方向來移動影像光束111在像平面的照射位置。
圖6是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的立體圖。請參照圖6,本實施例的光學處理系統100F相似於圖2A所繪示的實施例中的光學處理系統100B,惟不同之處在於本實施例中的光學處理系統100F更包括控制單元180,其電性連接至影像產生單元110及光學掃描單元130,其中當控制單元180命令光學掃描單元130將影像光束111移動至像平面140的一位置時,影像光束111在像平面140上的一區域產生一區域影像,且當控制單元180命令光學掃描單元130將影像光束111移動至像平面140的不同位置時,影像光束111在像平面140上的不同區域分別產生多個區域影像,且這些區域影像疊合成影像圖案。因此,本實施例的光學處理系統100F可以藉由控制單元180來對像平面140輕易完成高效率的光學處理。
圖7是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。請參照圖7,本實施例的光學處理系統100G相似於圖5A所繪示的實施例中的光學處理系統100E,惟不同之處在於本實施例中光學掃描單元130包括振鏡136,其配置於影像光束111的傳遞路徑上,且適於在二個維度上擺動。更具體來說,振鏡136適於
繞著軸線I1
沿著第三方向d3
擺動,也適於繞著軸線I2
沿著第四方向d4
擺動,因此藉由振鏡136可以在兩個維度上的擺動,讓光學處理系統100G可以在像平面上受到影像光束111照射的位置也有兩個維度的移動,並藉以在不同區域產生區域影像,並藉由這些區域影像來疊合成影像圖案。
圖8是本新型創作的另一實施例中光學處理系統的示意圖。請參照圖8,本實施例的光學處理系統100H相似於圖4所繪示的實施例中光學處理系統100D,惟不同之處在於本實施例中影像光束111穿透成像鏡頭116後是直接到達像平面140,而基板150藉由致動器170來移動使位於像平面140的待處理物160可以沿著第一方向d1
移動,使像平面例如是以圖2B至圖2D的流程來疊合成影像圖案。在其他實施例中,光學處理系統更可以藉由一個或多個致動器或其他方式來使載台可以沿著一個或多個方向移動,藉以使影像光束在像平面上的區域影像可以疊合成影像圖案。
在另一實施例中,光學處理系統可以相似於圖8所繪示的光學處理系統,惟不同之處在於本實施例更包括一控制單元,控制單元電性連接載台150、致動器170和影像產生單元中的發光單元模組112,當控制單元命令載台150或致動器170將影像光束移動至像平面140的一位置時,影像光束111在像平面140上的一區域產生一區域影像。當控制單元命令載台150或致動器170將影像光束111移動至像平面140的不同位置時,影像光束111在像平面140上的不同區域分別產生多個區域影像,且這些區域
影像疊合成影像圖案。
綜上所述,本新型創作的實施例中的光學處理系統藉由發光單元模組搭配成像鏡頭來對一像平面產生一區域圖案,因此可以免除不必要的光源浪費(如經由DMD時所產生的光損失,以及經由控制各發光單元的開關)。以發光單元模組所包括的多個發光單元來產生具有較高光能量的影像光束,並藉以提昇光學處理效率。同時,再藉由光學掃描單元來對像平面的各區域位置產生區域影像,其中各區域位置的區域影像也根據位置的改變來改變並疊合成影像圖案,因此可以使光學處理的效率更加提昇。
雖然本新型創作已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本新型創作,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本新型創作的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100F‧‧‧光學處理系統
110‧‧‧影像產生單元
111‧‧‧影像光束
112‧‧‧發光單元模組
116‧‧‧成像鏡頭
130‧‧‧光學掃描單元
132、134‧‧‧振鏡
140‧‧‧像平面
150‧‧‧載台
160‧‧‧待處理物
180‧‧‧控制單元
Claims (10)
- 一種光學處理系統,用以在一像平面上產生一影像圖案,該光學處理系統包括:至少一影像產生單元,該影像產生單元包括:一發光單元模組,用以發出一影像光束,且包括多個非線性排列或者排成陣列的發光單元;一成像鏡頭,配置於該影像光束的傳遞路徑上,且用以將該影像光束投射於該像平面上;以及一光學掃描單元,配置於該影像光束的傳遞路徑上,且用以使該影像光束掃描該像平面,以產生該影像圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述的光學處理系統,更包括一控制單元,電性連接至該影像產生單元及該光學掃描單元,其中當該控制單元命令該光學掃描單元將該影像光束移動至該像平面的一位置時,該影像光束在該像平面上的一區域產生一區域影像,且當該控制單元命令該光學掃描單元將該影像光束移動至該像平面的不同位置時,該影像光束在該像平面上的不同區域分別產生多個區域影像,且該些區域影像疊合成該影像圖案。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光學處理系統,其中該光學掃描單元包括:一第一振鏡,配置於該影像光束的傳遞路徑上,且適於繞著一第一軸線擺動;以及一第二振鏡,配置於來自該第一振鏡的該影像光束的傳遞路 徑上,且適於繞著一第二軸線擺動,該發光單元模組中的該些發光單元為自發光式光源,由該自發光式光源所發出的該影像光束藉由該第一振鏡與該第二振鏡的擺動而改變該影像光束在該像平面上的相對照射位置。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光學處理系統,其中該掃描單元包括一振鏡,配置於該影像光束的傳遞路徑上,且適於在二個維度上擺動,該發光單元模組中的該些發光單元為自發光式光源,由該自發光式光源所發出的該影像光束藉由該振鏡的擺動而改變該影像光束在該像平面上的相對照射位置。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光學處理系統,更包括一載台,位於該像平面處,且用以承載一待處理物,該載台適於移動或藉由一致動器推動該載台使該影像光束掃描該像平面上的該待處理物。
- 一種光學處理系統,用以在一像平面上產生一影像圖案,該光學處理系統包括:至少一影像產生單元,該影像產生單元包括:一發光單元模組,用以發出一影像光束,且包括多個非線性排列或者排成陣列的發光單元;一成像鏡頭,配置於該影像光束的傳遞路徑上,且用以將該影像光束投射於該像平面上;以及一載台,該像平面位於該載台上,該載台用以承載一待反應物,該載台適於移動或藉由一致動器推動該像平面,使該影像光 束掃描該像平面,以在該像平面上產生該影像圖案。
- 如申請專利範圍第6項所述的光學處理系統,更包括一控制單元,電性連接至該影像產生單元及該載台或該致動器,其中當該控制單元命令該載台或該致動器使該影像光束照射到該像平面的一位置時,該影像光束在該像平面上的一區域產生一區域影像,且當該控制單元命令該載台或該致動器使該影像光束照射到該像平面的不同位置時,該影像光束在該像平面上的不同區域分別產生多個區域影像,且該些區域影像疊合成該影像圖案。
- 如申請專利範圍第1項或第2項或第6項或第7項所述的光學處理系統,其中該影像光束沿著一第一方向掃描該像平面,或該影像光束沿著該第一方向及一不同於該第一方向之第二方向掃描該像平面,其中該第一方向與該第二方向構成該像平面。
- 如申請專利範圍第1項或第2項或第6項或第7項所述的光學處理系統,其中該發光單元模組中的該些發光單元為自發光式光源,包括發光二極體、超發光二極體、或雷射二極體。
- 如申請專利範圍第1項或第2項或第6項或第7項所述的光學處理系統,其中該影像光束的波長落在200奈米至430奈米的範圍內。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
TW103203088U TWM484111U (zh) | 2014-02-21 | 2014-02-21 | 光學處理系統 |
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TW103203088U TWM484111U (zh) | 2014-02-21 | 2014-02-21 | 光學處理系統 |
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TWM484111U true TWM484111U (zh) | 2014-08-11 |
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Family Applications (1)
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TW103203088U TWM484111U (zh) | 2014-02-21 | 2014-02-21 | 光學處理系統 |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TWM484111U (zh) |
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2014
- 2014-02-21 TW TW103203088U patent/TWM484111U/zh not_active IP Right Cessation
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