TWM478028U - 用於一沉積腔體之擴散件 - Google Patents
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Description
本創作之實施例大體上是有關於一種氣體分佈板組件及用於在一處理腔體中分佈氣體之方法。
液晶顯示器或平面面板通常係用於主動矩陣顯示器，例如是電腦及電視螢幕。電漿輔助化學氣相沉積(Plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)一般係應用於沉積薄膜於基板上，例如是用於平面顯示器之透明基板或半導體晶圓。PECVD一般係藉由導引前驅氣體(precursor gas)或混合氣(gas mixture)到包含基板之真空腔體中。前驅氣體或混合氣特別是向下導引通過一分佈板，此分佈板位於接近腔體之頂部的位置。藉由從耦合於腔體之一或多個射頻(radio frequency，RF)源供應RF電力至腔體，在腔體中之前驅氣體或混合氣係活化(energized)(例如是激化(excited))成電漿。激發氣體或混合氣係反應而形成一材料層於基板的一表面上，此基板係擺置於溫度控制基板支撐件上。在反應期間產生之揮發副產物係藉由排氣系統從腔體排出。
藉由PECVD技術處理之平面面板一般係大的，時
常超過4平方公尺。用於在平面面板上提供均勻之處理氣體流的氣體分佈板(或氣體擴散板)係在尺寸上比較大，特別是相較於用於200mm及300mm之半導體晶圓處理的氣體擴散板。再者，由於基板係為矩形，基板之邊緣所經歷的狀態可能不同於基板之其他部分所經歷之狀態，基板之邊緣例如是其側邊及角落。此些不同的狀態影響了處理參數，例如是膜厚、沉積均勻度及/或膜應力。
由於基板之尺寸在平面顯示器產業中係持續地增加，對大面積PECVD之膜厚及膜均勻度控制成為一議題。薄膜電晶體(Thin film transistor，TFT)及主動矩陣有機發光二極體(active matrix organic light emitting diode，AMOLED)係用於形成平面顯示器之兩種形式的裝置。在基板之中央與邊緣間的沉積率及/或膜特性之差異變得重要，膜特性例如是膜厚或應力。
因此，改善的氣體分佈板組件係有需有的，改善的氣體分佈組件係改善膜沉積厚度與膜特性之均勻度。
本創作一般係有關於一種氣體分佈板，氣體分佈板係設計以確保實質上均勻沉積於一基板上。氣體分佈板可補償在基板之數個角落區域中及基板之數個邊緣的不均勻度。為了補償不均勻度，氣體通道之孔可根據需求改變成不同的尺寸，使得更多氣體係允許流過特定、策略性擺置之氣體通道，以增加基板上之數個區域中之沉積，基板設置於氣體分佈板之下。孔之尺寸可
變化以形成孔之直徑的梯度或數個直徑之混合，而產生實質上均勻的沉積。
於一實施例中，一種用於一沉積腔體之擴散件包括一板，具有數個邊緣區域及數個角落區域，以及數個氣體通道，此些氣體通道形成於此板之一上側及一下側之間，其中位在此些邊緣區域及此些角落區域之一者或兩者中的此些氣體通道之一部分係包括一第一孔洞及一第二孔洞，第一孔洞具有一第一直徑，第二孔洞具有一第二直徑，且剩餘之數個孔洞包括一第三直徑，第一直徑大於第二直徑與第三直徑。
於另一實施例中，一種用於一沉積腔體之擴散件係提供。擴散件包括一板，具有一第一主要邊緣區域，主要邊緣區域相對於一第二主要邊緣區域；一次要邊緣區域，相鄰於此些第一及第二主要邊緣區域之各者；一角落區域，位於此些第一及第二主要邊緣區域及次要邊緣區域之交叉處；以及數個氣體通道，形成於板之一上側與一下側之間，其中形成於第一及第二主要邊緣區域與角落區域之一者或兩者中之氣體通道包括一區域流動梯度結構。為了對本創作之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
1-6‧‧‧列
100‧‧‧PEVCD腔體
102‧‧‧牆
104‧‧‧底部
105‧‧‧基板
108‧‧‧可密封狹縫閥
109‧‧‧真空幫浦
110‧‧‧擴散件
111‧‧‧氣體通道
112‧‧‧背板
114‧‧‧懸架
116‧‧‧中央支撐件
120‧‧‧氣體源
122‧‧‧射頻電力源
124‧‧‧遠程電漿源
130‧‧‧基板支撐件
131‧‧‧接地帶
132‧‧‧基板接收表面
133‧‧‧遮蔽框
134‧‧‧軸部
136‧‧‧舉升系統
138‧‧‧舉栓
139‧‧‧加熱及/或冷卻元件
140‧‧‧下表面
202‧‧‧上側
204‧‧‧下側
210‧‧‧第一孔
212‧‧‧第二孔
214、405、410、415、420、425、430‧‧‧孔洞
216‧‧‧角度
218、220‧‧‧底部
230、232‧‧‧深度
234‧‧‧長度
236‧‧‧直徑
280‧‧‧距離
282‧‧‧邊緣
300A-300D‧‧‧側
305A-305D‧‧‧角落
310、315‧‧‧區域
400‧‧‧次區域
510‧‧‧群組
505A、605A‧‧‧第一孔洞
505B、605B、605C、605D‧‧‧第二孔洞
為了可詳細地了解本創作上述之特點，簡要摘錄於上之本創作更特有的說明可參照實施例，部分之實施例係繪示於所附之圖式中。然而，值得注意的是，由於本創作可承認其他相
等之等效實施例，所附之圖式僅繪示本創作之特定實施例，而非用以作為其範圍上之限制。
第1圖繪示PECVD腔體之一實施例的剖面圖。
第2圖繪示第1圖之擴散件之一部分的剖面圖。
第3圖繪示第1及2圖之擴散件之剖面平面圖。
第4圖繪示第3圖之擴散件之一部分的剖面平面圖。
第5圖繪示第3圖的擴散件之一部分的剖面平面圖而顯示出一角落區域之一實施例。
第6圖繪示第3圖的擴散件之一部分的剖面平面圖而顯示出一角落區域之另一實施例。
為了有利於了解，相同之參考號碼係在可能的情況下使用，以標示出在數個圖式之共通的相同之元件。可理解的是，一實施例之數個元件及特性可在無需其他引述之下，有利地合併於其他實施例中。
本創作一般係有關於一種氣體分佈板，此氣體分佈板係設計以確保於基板上實質上均勻的沉積。氣體分佈板可補償在基板之角落區域中與基板之邊緣之不均勻度。根據此處所述之實施例，藉由調整氣體流動通過位於沉積不均勻之區域中的氣體分佈板，氣體分佈板係補償不均勻度。於一實施例中，為了補償不均勻度，在氣體分佈板中之一或多個部分中之區域流動梯度(local flow gradient)可調整，以提供相對於氣體分佈板之其他部
分之較大流速來通過氣體分佈板之數個部分。於一方面中，氣體通道之孔可根據需求而調整成不同之尺寸，使得更多氣體係允許流過特定、策略性配置之氣體通道，以增加基板上之數個區域中的沉積，基板係位於氣體分佈板之下方。孔之尺寸可變化，以形成孔之直徑的梯度或數個直徑之混合，而產生實質上均勻之沉積。
此處之實施例係參照PECVD系統說明性描述於下，PECVD系統係配置以處理大面積基板，例如是取自AKT之PECVD系統，AKT係為位於加州聖塔克拉拉之應用材料公司(Applied Materials,Inc.,Santa Clara,California)之子公司。然而，應理解的是，本創作於其他系統配置中具有利用性，例如是蝕刻系統、其他化學氣相沉積系統及其他需要於處理腔體中分佈氣體之系統，包括設置以處理圓基板之系統。
第1圖繪示用於形成電子裝置之PEVCD腔體100之一實施例的剖面圖，電子裝置例如是TFT及AMOLED。值得注意的是，第1圖僅為一範例性設備，此範例性設備可用於形成基板上之電子裝置。合適之PECVD腔體係自位於加州聖塔克拉拉之應用材料公司取得。可理解的是，包括來自其他製造商之其他沉積腔體可用以實現本創作。
PECVD腔體100一般係包括數個牆102、底部104、氣體分佈板或擴散件110、及基板支撐件130，牆102、底部104、擴散件110、及基板支撐件130定義一製程容積(process
volume)106。製程容積106係藉由貫穿牆102而形成的可密封狹縫閥(slit valve)108來具有通道，使得基板可傳送至PECVD腔體100內或傳送至PECVD腔體100外。基板支撐件130包括基板接收表面132，基板接收表面132用以支撐基板105，且軸部134耦接於舉升系統136，以升起及降低基板支撐件130。在處理期間，遮蔽框133可置於基板105的周圍之上方。舉栓138可移動地設置貫穿基板支撐件130，以移動基板105至基板接收表面132且自基板接收表面132移動基板105而有利於基板傳輸。基板支撐件130可亦包括加熱及/或冷卻元件139，以保持基板支撐件130及位於其上之基板105於所需之溫度。基板支撐件130可亦包括接地帶131，以於基板支撐件130之周圍提供RF接地。
擴散件110藉由懸架114在其周圍耦接於背板112。擴散件110可亦藉由一或數個中央支撐件116耦接於背板112，以有助於避免下彎(sag)及/或控制擴散件110之平直度(straightness)/曲率。氣體源120耦接於背板112，以經由背板112提供氣體至數個氣體通道111且提供至基板接收表面132，此些氣體通道111形成於擴散件110中。真空幫浦109耦接於PECVD腔體100，以控制製程容積106中的壓力。射頻(RF)電力源122耦接於背板112及/或擴散件110，以提供RF電力至擴散件110來在擴散件110及基板支撐件130之間產生電場，使得電漿可自擴散件110及基板支撐件130之間的氣體產生。多種RF頻率可使用，例如是約0.3MHz與約200MHz之間的頻率。於一實施例
中，RF電力源122係提供13.56MHz之頻率的電力至擴散件110。
遠程電漿源124可亦耦接於氣體源120與背板112之間，遠程電漿源124例如是感應式耦合之遠程電漿源。在處理基板期間，清潔氣體可提供到遠程電漿源124且激發以形成遠程電漿，解離(dissociated)之清潔氣體種類係自遠程電漿產生並提供以清潔腔體元件。清潔氣體可進一步藉由流經擴散件110之RF電力源122激發，以減少已解離之清潔氣體種類再結合。合適之清潔氣體包括NF3、F2、與SF6，但不限於此些氣體。
於一實施例中，在約攝氏400度或更少之沉積期間，加熱及/或冷卻元件139可用以維持基板支撐件130及於其上之基板105的溫度。於一實施例中，加熱及/或冷卻元件139可用以控制基板溫度到少於約攝氏100度，例如是約攝氏20度及約攝氏90度之間。
於沉積期間，在設置於基板接收表面132上之基板105之上表面和擴散件110之下表面140之間的空間可為400mil及約1200mil之間，例如是400mil與約800mil之間。於一實施例中，擴散件110之下表面140可包括凹形曲度，其中中央區域係較其之周圍區域薄，如第1圖之剖面圖中所示。
藉由PECVD製程，PEVCD腔體100可用於以稀釋於氧化亞氮(N2O)中的矽烷(SiH4)氣體來沉積氧化矽(SiOx)，氧化矽係廣泛地使用做為TFT及AMOLED中之閘絕緣膜、用於散熱之緩衝層及蝕刻停止層。氧化膜之均勻度(也就是厚度)對最終裝
置的表現具有重要的影響，且因而在製程發展中係為關鍵的，最終裝置的表現例如是遷移率及汲極電流均勻度。基板之整個表面以及排除最少程度邊緣之約5%或更少之膜均勻度係需要的。當朝向此目標係已有許多進展時，基板之數個區域的此均勻度係無法達到。舉例來說，基板之邊緣係具有較低之沉積率，而使得此些區域之膜厚係少於其他區域，基板之邊緣例如是基板之角落區域及側邊。雖然不希望受限於理論，在邊緣區域中之較低的沉積率的原因係歸咎於相鄰於此些區域之電磁場變化及/或氣體分佈。有創造性之擴散件110係已經發展且測試，以克服此些作用且減少形成在基板105上之膜的不均勻性。
第2圖繪示第1圖之擴散件110之一部分的剖面圖。擴散件110包括第一或上側202及相對之第二或下側204，上側202面對背板112(繪示於第1圖中)，下側204面對基板支撐件130(繪示於第1圖中)。各氣體通道111係由藉由孔洞214耦接於第二孔212之第一孔210來定義，第一孔210、孔洞214及第二孔212係結合以形成通過擴散件110的流體路徑。第一孔210從擴散件110之上側202延伸第一深度230至底部218。第一孔210之底部218可為錐形、斜面(beveled)、導角(chamfered)或圓角(rounded)，以在氣體自第一孔210流入孔洞214時縮減對流動之限制。第一孔210一般具有約0.093至約0.218英吋之直徑，且於一實施例中係為約0.156英吋。
擴散件110之厚度係為約0.8英吋到約3.0英吋之
間，舉例而言，約0.8英吋到約2.0英吋之間。第二孔212係形成於擴散件110中且從下側(或端)204延伸約0.10英吋到約2.0英吋之深度232。於一實施例中，深度232係約0.1英吋到約1.0英吋之間。第二孔212之直徑236一般約0.1英吋到約1.0英吋，且可以約10度到約50度之角度216展開。於一實施例中，直徑236係約0.1英吋到約0.5英吋之間，且展開之角度216係20度至約40度之間。第二孔212之表面約0.05平方英吋到約10平方英吋之間，且於一實施例中係約0.05平方英吋到約5平方英吋之間。第二孔212的直徑係意指相交於下側204之直徑。用於處理1500mm乘1850mm之基板的擴散件110之一例子係具有直徑為0.250英吋且展開之角度216為約22度之第二孔212。相鄰第二孔212之邊緣282之間的距離280係約0.0英吋到約0.6英吋之間，且於一實施例中係約0.0英吋到約0.4英吋之間。第一孔210的直徑通常係至少相等或小於第二孔212之直徑，但不限於此。第二孔212之底部220可為錐形、斜面、導角或圓角，以減少氣體從孔洞214流出且流入第二孔212的壓力。再者，由於孔洞214到接近下側204之附近係縮減第二孔212與面對基板之下側204之暴露的表面積，暴露於氟的擴散件110之下表面係縮減，因而減少氟汙染發生於沉積膜，氟係於腔體清潔期間提供。
孔洞214一般係耦接於第一孔210之底部218及第二孔212之底部220。孔洞214一般係具有約0.01英吋到約0.3英吋之直徑，舉例為約0.01英吋到約0.1英吋，且特別是具有約
0.02英吋到約0.1英吋之長度234，舉例為約0.02英吋到約0.5英吋。孔洞214之長度234及直徑(或其他幾何屬性(geometric attribute))係擴散件110及背板112(繪示於第1圖中)之間的體積中的主要反壓源頭，此主要反壓源頭甚至促使氣體通過擴散件110之上側202的分佈。孔洞214特別是均勻地配置於數個氣體通道111；然而，在孔洞214之限制可不同地配置於數個氣體通道111，以促使更多氣體相對擴散件110之一區域或範圍流經擴散件110之另一區域或範圍。舉例來說，在接近PECVD腔體100之牆102(繪示於第1圖中)之擴散件110的那些氣體通道111中，孔洞214可具有較大之直徑及/或較短之長度234，使得更多氣體流過擴散件110之邊緣，以增加基板105之邊緣區域部分的沉積率。
第3圖繪示第1及2圖之擴散件110之剖面平面圖而顯示出形成於其中之孔洞214。擴散件110包括四個相鄰之側300A-300D，側300A-300D連接於角落305A-305D。側300A及300C定義擴散件110之主要邊緣，且側300B及300D定義擴散件110之次要邊緣。
區域310係由在擴散件110之側300A的曲、虛線所標示。區域310包括擴散件110之一範圍，其中孔洞214包括不同於擴散件110中之其他孔洞214之一流動限制屬性。雖然區域310係僅繪示於側300A，然而側300B-300D之一者或全部可包括區域310。擴散件110亦包括區域315，區域315由鄰近於角
落305A之曲、虛線所標示。區域315包括擴散件110之一範圍，其中孔洞214包括不同於擴散件110中之其他孔洞214之一流動限制屬性。雖然區域315係僅繪示在鄰近於角落305A之位置，然而角落305B-305D之一者或全部可包括區域315。
區域310、315可定義擴散件110之數個部分，其中根據此處所述之實施例的區域流動梯度係提供。此區域流動梯度可包括由一或多個孔洞214所組成的結構，此或此些孔洞214包括一流動限制屬性，此流動限制屬性不同於擴散件110中之其他孔洞214。此區域流動梯度可包括由具有第一直徑之一個孔洞214組成的結構，具有第二直徑之其他孔洞214圍繞具有第一直徑之孔洞214，第二直徑不同於第一直徑。此區域流動梯度可亦包括由具有第一直徑之孔洞214之群組所組成的結構，具有第二直徑之的其他孔洞214鄰近具有第一直徑之孔洞214，第二直徑不同於第一直徑。此外，區域流動梯度可包括由一或多個孔洞214的群組所組成之結構，此或此些孔洞214具有第一直徑且散佈於具有第二直徑之其他孔洞214之間，第二直徑不同於第一直徑。
第4圖繪示第3圖之擴散件110的區域310之一部分的剖面平面圖。所繪示之數個孔洞405、410、415、420、425及430係表示繪示於第3圖中之孔洞214的一實施例。列1-6係繪示做為區域310之次區域400且包括具有不同之流動限制屬性之孔洞405、410、415、420、425及430，其包括區域流動梯度結構之一實施例。孔洞405係包括於列1中，且可包括第一直徑，
第一直徑大於列2之孔洞410之直徑。孔洞415係包括於列3中，且可包括第二直徑，第二直徑大於列4之孔洞420之直徑。於一實施例中，第一直徑可大於具有最小直徑之擴散件110的孔洞n的直徑約30%。於另一實施例中，第二直徑可大於具有最小直徑之擴散件110的孔洞n的直徑約20%。於一實施例中，擴散件110之孔洞n的直徑(也就是最小直徑)係約17mils到約22mils，例如是約18mils到約20mils。孔洞405、410、415、420、425及430的直徑差異的形態可在區域310中變化。於一實施例中，孔洞405、410、415、420、425及430的直徑在區域310中從側300A減少到擴散件110之中央。於另一實施例中，孔洞405包括第一直徑，第一直徑大於孔洞410、415、420、425及430之一者或組合的直徑。於另一實施例中，在次區域400中之選擇的數個列可包括一或多個孔洞，此或此些孔洞具有類似於孔洞405的直徑，孔洞405的直徑大於孔洞410、415、420、425及430的直徑。於另一實施例中，具有不同直徑之孔洞405、410、415、420、425及430可混合於各列1-6中。
第5圖繪示第3圖之擴散件110之一部分的剖面平面圖而顯示出區域315之一實施例。數個第一孔洞505A係繪示於數個第二孔洞505B之間，第二孔洞505B具有第二直徑，其包括區域流動梯度結構之另一實施例。於一實施例中，第二直徑係小於第一直徑。於一方面中，第一孔洞505A的直徑大於第二孔洞505B的直徑約20%到約30%。於一實施例中，此些第一孔洞
505A包括一群組510且一或多個此些群組510可包括於區域315中。
第6圖繪示第3圖之擴散件之一部分的剖面平面圖而顯示出區域315之另一實施例。於此實施例中，所繪示之數個第一孔洞605A係設置於數個第二孔洞605B、605C及605D的附近，其包括區域流動梯度結構之另一實施例。於一實施例中，各第一孔洞605A包括一直徑，此直徑少於各第二孔洞605B、605C及605D之直徑。於另一實施例中，部分的第二孔洞具有一直徑，此直徑大於第一孔洞605A的直徑約20%至約30%。於另一實施例中，部分之第二孔洞，例如是第二孔洞605B，之直徑係大於第一孔洞605A的直徑及剩餘之第二孔洞605C及605D的直徑。於另一實施例中，部分之第二孔洞，例如是第二孔洞605B，之直徑係大於第一孔洞605A的直徑及剩餘之第二孔洞605C及605D的直徑，且剩餘之第二孔洞605C及605D係相同的尺寸。
此處所述具有變化之孔洞的擴散件110之實施例係增加氣體流動且補償在基板之角落區域及/或邊緣區域的低沉積率。因此，整個膜厚均勻度係改善。於一改進製程中，擴散件110可根據此處所述之實施例製造或此處所述之孔洞可增加到現存之擴散件。
類似於擴散件110的擴散件之角落區域係進行測試，且具創造性之擴散件係顯示出在沉積率有15%的增加。此外，因此，在15mm之邊緣排除的情況中，在角落具有一個增大孔洞
之角落對角評估(corner diagonal profile)係從96%改善至98%。
綜上所述，雖然本創作已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型。本新型所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本新型之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
110‧‧‧擴散件
300A、300D‧‧‧側
305A‧‧‧角落
315‧‧‧區域
510‧‧‧群組
605A‧‧‧第一孔洞
605B、605C、605D‧‧‧第二孔洞
Claims (21)
- 一種用於一沉積腔體之擴散件，包括：一板，具有複數個邊緣區域及複數個角落區域，以及複數個氣體通道，該些氣體通道形成於該板之一上側及一下側之間，其中位在該些邊緣區域及該些角落區域之一者或兩者中的該些氣體通道之一部分係包括一第一孔洞及一第二孔洞，該第一孔洞具有一第一直徑，該第二孔洞具有一第二直徑，且剩餘之複數個孔洞包括一第三直徑，該第一直徑大於該第二直徑與該第三直徑。
- 如申請專利範圍第1項所述之擴散件，其中該第一直徑大於該第三直徑約30%。
- 如申請專利範圍第1項所述之擴散件，其中剩餘之該些孔洞包括一第四直徑，該第四直徑係小於該第三直徑。
- 如申請專利範圍第3項所述之擴散件，其中該第二直徑及該第三直徑係實質上相同。
- 如申請專利範圍第3項所述之擴散件，其中該第一直徑大於該第四直徑約30%。
- 如申請專利範圍第5項所述之擴散件，其中該第二直徑及該第三直徑係實質上相同。
- 如申請專利範圍第6項所述之擴散件，其中該第二直徑及該第三直徑係大於該第四直徑約20%。
- 如申請專利範圍第7項所述之擴散件，其中該第一直徑大 於該第四直徑約30%。
- 如申請專利範圍第1項所述之擴散件，其中位於該些角落區域中之該些氣體通道之該部分包括具有該第一直徑的複數個第一孔洞之一群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之擴散件，其中位於該些邊緣區域中之該些氣體通道之該部分包括一或複數個第一列的複數個第一孔洞以及一或複數個第二列的複數個第二孔洞，該或該些第二列的該些第二孔洞係位在該或該些第一列的該些第一孔洞之內側。
- 一種用於一沉積腔體之擴散件，包括：一板，具有一第一主要邊緣區域，該主要邊緣區域相對於一第二主要邊緣區域；一次要邊緣區域，相鄰於該些第一及第二主要邊緣區域之各者；一角落區域，位於該些第一及第二主要邊緣區域及該次要邊緣區域之交叉處；以及複數個氣體通道，形成於該板之一上側與一下側之間，其中形成於該些第一及第二主要邊緣區域與該角落區域之一者或兩者中之該些氣體通道包括一區域流動梯度結構。
- 如申請專利範圍第11項所述之擴散件，其中該區域流動梯度結構包括一第一孔洞及一第二孔洞，該第一孔洞具有一第一直徑，該第二孔洞具有一第二直徑，且剩餘之複數個孔洞包括一 第三直徑，該第一直徑大於該第二直徑與該第三直徑。
- 如申請專利範圍第12項所述之擴散件，其中該第一直徑大於該第三直徑約30%。
- 如申請專利範圍第12項所述之擴散件，其中剩餘之該些孔洞包括一第四直徑，該第四直徑係小於該第三直徑。
- 如申請專利範圍第14項所述之擴散件，其中該第二直徑及該第三直徑係實質上相同。
- 如申請專利範圍第14項所述之擴散件，其中該第一直徑大於該第四直徑約30%。
- 如申請專利範圍第16項所述之擴散件，其中該第二直徑及該第三直徑係實質上相同。
- 如申請專利範圍第17項所述之擴散件，其中該第二直徑及該第三直徑係大於該第四直徑約20%。
- 如申請專利範圍第18項所述之擴散件，其中該第一直徑大於該第四直徑約30%。
- 如申請專利範圍第12項所述之擴散件，其中位於該角落區域中之該些氣體通道之一部分包括具有該第一直徑的複數個第一孔洞之一群組。
- 如申請專利範圍第12項所述之擴散件，其中位於該些第一及第二主要邊緣區域中之該些氣體通道之一部分包括一或複數個第一列之複數個第一孔洞以及一或複數個第二列之複數個第二孔洞，該或該些第二列的該些第二孔洞係位在該或該些第一 列的該些第一孔洞之內側。
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