TWM464739U - 觸控面板 - Google Patents

Description

觸控面板

本新型創作是有關於一種觸控面板，且特別是有關於一種可降低架橋結構之反射率的觸控面板。

隨著資訊技術、無線行動通訊和資訊家電的快速發展與應用，為了達到攜帶便利、體積輕巧化以及操作人性化的目的，許多資訊產品已由傳統之鍵盤或滑鼠等輸入裝置，轉變為使用觸碰面板作為輸入裝置。

一般而言，觸控面板主要可分為電阻式觸控面板與電容式觸控面板。以電容式觸控面板為例，習知的電容式觸控面板包括基板以及設置於基板上的多個第一感測串列、多個第二感測串列與多個絕緣圖案，其中這些第一感測串列與這些第二感測串列分別沿不同的方向延伸並彼此交錯，且透過設置於兩者交錯處的絕緣圖案而彼此電性絕緣。

通常這些第一感測串列與這些第二感測串列由多個感測墊與連接部所構成，其中考量到觸控面板的應用範疇(例如是與顯 示面板搭配使用)，感測墊的材質通常選用光穿透率佳的透明導電材質。另外，由於這些第一感測串列的連接部與這些第二感測串列的連接部相互交錯，這些第一感測串列與這些第二感測串列的其中一者的連接部需要以不同於感測墊的材質來製作。此時，這樣的連接部會以具有導電良好的金屬架橋來構成，金屬架橋以跨越絕緣圖案並將位於金屬架橋相對兩端的感測墊電性連接。然而，由於金屬架橋的反射率遠大於第一感測串列以及第二感測串列中以透明導電材質製作的感測墊的反射率(金屬架橋的反射率通常超過50%)，使得觸控面板的視效受到影響。

本新型創作提供一種觸控面板，其具有良好的視效。

本新型創作的觸控面板，其包括基板、多個第一感測串列以及多個第二感測串列。這些第一感測串列配置於基板上。各第一感測串列沿第一方向延伸。各第一感測串列包括多個第一感測墊以及多個橋接結構。各橋接結構將相鄰兩個第一感測墊沿第一方向串接，其中各橋接結構包括導電圖案以及光學匹配圖案，且光學匹配圖案位於導電圖案面向使用者的表面上，以降低觀看方向上光線在橋接結構所在區域的反射率。這些第二感測串列電性絕緣於這些第一感測串列，並且這些第二感測串列配置於基板上，各第二感測串列沿第二方向延伸，其中第一方向與第二方向相交。各第二感測串列包括多個第二感測墊以及多個連接部，且 各連接部將相鄰兩個第二感測墊沿第二方向串接。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括絕緣層，且絕緣層配置於這些第一感測串列與這些第二感測串列之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的光學匹配圖案位於導電圖案與基板之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的光學匹配圖案的折射率落在1.5至2.5的範圍內，且光學匹配圖案的消光係數落在0.5至2.5的範圍內。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的光學匹配圖案的膜厚大於100Å且小於1000Å。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括這些第一感測串列與這些第二感測串列之間的絕緣層。這些橋接結構、這些第一感測墊以及這些第二感測墊共平面地配置在基板上，且這些橋接結構位在絕緣層與基板之間，使各連接部跨越對應的橋接結構以電性連接相鄰兩個第二感測墊。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括消光層，這些第一感測串列以及這些第二感測串列位於消光層與基板之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括這些第一感測串列與這些第二感測串列之間的絕緣層。這些連接部、這些第一感測墊以及這些第二感測墊共平面地配置在基板 上，且這些連接部位在絕緣層與基板之間，使各橋接結構跨越對應的連接部以電性連接相鄰兩個第一感測墊。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括覆蓋於基板上的消光層，且消光層位於基板與這些第一感測串列之間以及基板與這些第二感測串列之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的導電圖案的側壁以及光學匹配圖案的側壁切齊。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的光學匹配圖案的側壁被導電圖案包覆。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構更包括配置於導電圖案上的保護圖案，且導電圖案位於保護圖案與光學匹配圖案之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的光線在橋接結構所在區域的反射率小於20%。

在本新型創作的一實施例中，上述的光線在橋接結構所在區域的反射率小於10%。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的導電圖案的材質包括金、銀、銅、鋁、鉻、鉑、銠、鉬、鈦、鎳、銦、錫或其合金、或上述金屬的氮化物、氧化物、氮氧化物的至少其中一者、或者是導電圖案由上述至少二者的堆疊層。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的光學匹配圖案的材質包括與導電圖案相同的材質。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的光學匹配圖案的材質為導電圖案材質的氧化物、氮化物或氮氧化物。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的光學匹配圖案的膜厚小於1000Å。

在本新型創作的一實施例中，上述的各第一感測墊位於各橋接結構的光學匹配圖案與基板之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的側壁被對應的這些第一感測墊所覆蓋並接觸。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的導電圖案的膜厚大於1000Å。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的光學匹配圖案的光穿透率大於導電圖案的光穿透率。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一感測墊以及第二感測串列的材質包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、網格狀金屬或者是上述至少二者的堆疊層。

在本新型創作的一實施例中，上述的這些第一感測墊以及這些第二感測串列分別包括網格狀金屬層以及光學匹配層，且光學匹配層位於網格狀金屬層面向使用者的表面上。

在本新型創作的一實施例中，上述的基板具有觸控區以及位於觸控區的至少一側的周圍區，且觸控面板更包括裝飾層，其中裝飾層位於周圍區內。

在本新型創作的一實施例中，上述的裝飾層位於基板上與這些第一感測串列以及這些第二感測串列相同的一側。

在本新型創作的一實施例中，上述的裝飾層位於基板上與這些第一感測串列以及這些第二感測串列相對的一側。

基於上述，本新型創作的觸控面板使用導電圖案與光學匹配圖案來實現感測串列的橋接結構並且藉由在導電圖案面向使用者的表面上設置光學匹配圖案，來降低觀看方向上光線在該橋接結構所在區域的反射率。如此一來，則可使觸控面板具有良好的視效，也就是使用者不容易察覺橋接接構的輪廓。

為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100、400、800‧‧‧觸控面板

110、810‧‧‧基板

120、420、820‧‧‧第一感測串列

122、422‧‧‧第一感測墊

124、424‧‧‧橋接結構

124a、424a‧‧‧導電圖案

124b、424b‧‧‧光學匹配圖案

124c、424c‧‧‧保護圖案

130、430、830‧‧‧第二感測串列

132、432‧‧‧第二感測墊

134、434‧‧‧連接部

140、440、840‧‧‧絕緣層

150、450‧‧‧消光層

850‧‧‧裝飾層

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

G‧‧‧間隙

Ha、Hb、Hc‧‧‧膜厚

L‧‧‧光線

A1‧‧‧觸控區

A2‧‧‧周圍區

A-A’、B-B’、C-C’、D-D’‧‧‧剖線

圖1是依照本新型創作的第一實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。

圖2A及圖2B分別是圖1中剖線A-A’及剖線B-B’的剖面示意圖。

圖3A及圖3B是依照本新型創作的第二實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。

圖4是依照本新型創作的第三實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。

圖5A及圖5B分別是圖4中剖線C-C’及剖線D-D’的剖面示意圖。

圖6A及圖6B是依照本新型創作的第四實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。

圖7A及圖7B是依照本新型創作的第五實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。

圖8是依照本新型創作第六實施例的觸控面板的局部上視示意圖。

圖1是依照本新型創作的第一實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。圖2A及圖2B分別是圖1中剖線A-A’及剖線B-B’的剖面示意圖。請參照圖1，本實施例的觸控面板100包括基板110、多個第一感測串列120以及多個第二感測串列130。

在本實施例中，這些第一感測串列120以及這些第二感測串列130配置於基板110的同一表面上，其中基板110的材質可為玻璃、藍寶石玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、碳酸丙烯酯(propylene carbonate，PC)、三乙醯纖維素(cellulose triacetate，TAC)或由上述二者堆疊而成的基板。

此外，各第一感測串列120沿第一方向D1延伸且彼此電性絕緣。各第二感測串列130沿第二方向D2延伸且彼此電性絕 緣，其中第一方向D1與第二方向D2相交，且本實施例的第一方向D1例如是垂直於第二方向D2，但本新型創作不限於此。

具體而言，各第一感測串列120包括多個第一感測墊122以及多個橋接結構124，其中各橋接結構124將相鄰兩個第一感測墊122沿第一方向D1串接。各第二感測串列130包括多個第二感測墊132以及多個連接部134，且各連接部134將相鄰兩個第二感測墊132沿第二方向D2串接。

在本實施例中，觸控面板100可進一步包括絕緣層140。絕緣層140配置於這些第一感測串列120與這些第二感測串列130之間，以使這些第一感測串列120與這些第二感測串列130彼此電性絕緣。具體而言，本實施例的絕緣層140例如包括多個島狀的絕緣結構，且這些絕緣結構配置於彼此交錯的橋接結構124與對應的連接部134之間，但本新型創作並不用以限定絕緣層140的形狀。在其他實施例中，絕緣層140也可以是條狀的絕緣結構或是整面地覆蓋於觸控區(即這些第一感測串列120與這些第二感測串列130所在的區域)中。此外，本實施例的絕緣層140的材質例如為有機材料或透明光阻，其折射率約落在1.5至1.9的範圍內，而其厚度約落在1um(微米)至2um的範圍內。

請參照圖1、圖2A及圖2B，在本實施例中，於基板110上形成這些第一感測串列120、這些第二感測串列130以及絕緣層140的順序例如是先形成第一感測串列120的各橋接結構124，接而形成絕緣層140，最後形成這些第一感測串列120的第一感測墊 122以及第二感測串列130。

換言之，本實施例的第一感測串列120的第一感測墊122與第二感測串列130的第二感測墊132以及連接部134可以是同時形成且可具有相同的材質，且第二感測串列130的第二感測墊132以及連接部134例如是一體成形。舉例而言，第一感測墊122以及第二感測串列130的材質可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物等可導電且光穿透率佳的金屬氧化物、或是網格狀金屬、或者是上述至少二者之堆疊層。在本實施例中，第一感測墊122以及第二感測串列130的材質以可導電且光穿透率佳的金屬氧化物舉例說明。

另一方面，本實施例的第一感測串列120的各橋接結構124與第一感測墊122以及第二感測串列130不為同時形成，且各橋接結構124的材質不同於第一感測墊122的材質。舉例而言，各橋接結構124的材質可以是導電良好的金屬材質。

進一步而言，本實施例的這些橋接結構124、這些第一感測墊122以及這些第二感測墊132共平面地配置在基板110上，且這些橋接結構124位在這些絕緣層140與基板110之間，使各連接部134跨越對應的橋接結構124以電性連接相鄰兩個第二感測墊132。此外，各橋接結構124的側壁被對應的這些第一感測墊122所覆蓋並接觸(如圖2A所示)，而各島狀的絕緣結構(絕緣層140)的側壁被對應的這些連接部134所覆蓋並接觸(如圖2B所示)。

在本實施例中，各橋接結構124包括導電圖案124a以及 光學匹配圖案124b，其中光學匹配圖案124b配置導電圖案124a面向使用者的表面上，以降低觀看方向上光線L在橋接結構124所在區域的反射率。在本實施例中，使用者例如是從基板110的外表面進行觸控，亦即是基板110的外表面(與上述元件配置面相對的表面)為觸控面。因此，本實施例的光學匹配圖案124b例如是位於導電圖案124a與基板110之間。在其他實施例中，當使用者是由上述元件配置面的一側進行觸控時，則藉由將導電圖案124a設置於光學匹配圖案124b與基板110之間(使得光學匹配圖案124b位於導電圖案124a面向使用者的表面上)，來降低觀看方向上光線L在橋接結構124所在區域的反射率。

此外，本實施例的光學匹配圖案124b與導電圖案124a具有實質上相同的輪廓。具體而言，各橋接結構124的導電圖案124a的側壁例如是與光學匹配圖案124b的側壁切齊。

在習知技術中，以金屬材料製作連接兩相鄰感測墊的橋接結構，而此金屬橋接結構亦稱為金屬架橋。金屬架橋的反射率高，造成光線在金屬架橋處大部分被反射，而導致觸控面板的視效不好(例如是在金屬架橋所在的區域看到亮點)。相較之下，本實施例可透過在導電圖案124a與基板110之間設置光學匹配圖案124b，利用導電圖案124a與光學匹配圖案124b之折射率的匹配，藉以降低導電圖案124a所在區域的反射率。

具體而言，導電圖案124a由金屬製作而成，而具有低的光穿透率。各橋接結構124的光學匹配圖案124b的光穿透率則相 對地大於導電圖案124a的光穿透率。因此，當光線L由基板110朝向第一感測串列120照射時，光線L會穿過光學匹配圖案124b並照射至導電圖案124a。也就是說，光學匹配圖案124b並非刻意用來阻擋光線L的構件，而是可以允許光線L通過的構件。另外，由於金屬材質製作的導電圖案124a可視為一反射面，因此光線L不容易通過導電圖案124a，而受到導電圖案124a的阻擋。如此一來，本實施例可以不用考慮位於導電圖案124a上方膜層對光線L所造成的反射作用，而可以僅考慮位於基板110與導電圖案124a間的光學匹配圖案124b的反射率，來判斷在橋接結構124所在位置處的視覺效果。

詳細而言，透過下述反射率公式(包括式1、式2及式3)，本實施例可推導出光學匹配圖案124b之折射率範圍以及消光係數範圍，藉以使得光線L由基板110朝向第一感測串列120照射時，光線L在橋接結構124所在區域的反射率大致相同於光線L在橋接結構124以外區域的反射率。

N ₁ =n ₁ +ik ₁ (式3)其中，R為反射率，r ₀₁ 為光線L在基板110與光學匹配圖案124b交界處的反射係數，r ₁₂ 為光線L在光學匹配圖案124b與導電圖案124a交界處的反射係數，λ 為光線L的波長，d ₁ 為光學匹配圖案 124b的厚度，n ₁ 為光學匹配圖案124b的折射率，而k ₁ 為光學匹配圖案124b的消光係數。

經由模擬結果，在光學匹配圖案124b的折射率落在1.5至2.5的範圍內，而光學匹配圖案124b的消光係數落在0.5至2.5的範圍內等條件下，光線L在橋接結構124所在區域的反射率可小於20%。再者，在上述條件下，若使得各橋接結構124的光學匹配圖案124b的膜厚Hb大於100Å且小於1000Å，則可將光線L在橋接結構124所在區域的反射率進一步降低至10%以下。也就是說，本實施例可藉由導電圖案124a與光學匹配圖案124b的折射率、消光係數與厚度的匹配，來降低導電圖案124a(橋接結構124)所在區域的反射率，並使得光線L由基板110朝向第一感測串列120照射時，光線L在橋接結構124所在區域的反射率大致相同於光線L在橋接結構124以外區域的反射率。如此一來，則可使本實施例的觸控面板100具有良好的視效。

在本實施例中，導電圖案124a可以是單層結構。所述單層結構的材質可以選自於金、銀、銅、鋁、鉻、鉑、銠、鉬、鈦、鎳、銦、錫或其合金、或上述金屬的氮化物、氧化物、氮氧化物。又或者，導電圖案124a可以是多層堆疊層，且此些堆疊層具有不同的材質，而這些材質可選自於上述單層結構的材質。另一方面，各橋接結構124的光學匹配圖案124b的材質可以選用與上述單層結構相同的材質。然而，光學匹配圖案124b的材質與導電圖案124a的材質需具有不同的混合比，以具有不同的折射率，藉以在兩者 之折射率相匹配下，降低導電圖案124a(橋接結構124)所在區域的反射率。

舉例而言，在一般橋接結構為鉬鋁鉬或鋁鉬的結構下，光線L於橋接結構的反射率高達50~90%。相較之下，若採用本實施例的設計將鉬鋁鉬或鋁鉬結構中最接近使用者的鉬改以光學匹配圖案(例如為鉬的氧化物、氮化物或氮氧化物)來配置時，則光線L於橋接結構124的反射率將降為20%以下，或是在鉬鋁鉬或鋁鉬結構的結構下，在最接近使用者的鉬上再配置光學匹配圖案(例如為鉬的氧化物、氮化物或氮氧化物)，則反射率將可再降為10%以下。此外，考量到導電圖案124a的導電性，以使觸控面板100維持一定的感測靈敏度，導電圖案124a的膜厚Ha例如是大於1000Å，而光學匹配圖案124b的膜厚Hb例如是小於1000Å。

另外，本實施例的各橋接結構124可進一步包括配置於導電圖案124a上的保護圖案124c。亦即是，導電圖案124a位於保護圖案124c與光學匹配圖案124b之間。保護圖案124c可以用來保護導電圖案124a、增加橋接結構124的結構強度並避免導電圖案124a氧化等。此外，保護圖案124c還可以用來增加導電圖案124a與絕緣層140之間的附著性。因此，保護圖案124c可選用具較佳附著效果的材質，例如是前述光學匹配圖案124b的材質。另外，保護圖案124c的膜厚Hc例如是小於1000Å。

需說明的是，上述橋接結構124中的導電圖案124a與光學匹配圖案124b的設計概念也可適用於第一感測墊122以及第二 感測串列130。具體而言，在其他實施例中，當第一感測墊122以及第二感測串列130的材質採用的是反射率相對高的網格狀金屬時，這些第一感測墊122以及這些第二感測串列130可進一步包括光學匹配層。也就是，這些第一感測墊122以及這些第二感測串列130分別包括網格狀金屬層以及光學匹配層，且光學匹配層位於網格狀金屬層面向使用者的表面上。如此一來，藉由網格狀金屬層與光學匹配層的折射率、消光係數與厚度的匹配，可降低觀看方向上光線在網格狀金屬層所在區域的反射率，而使觸控面板具有良好的視效。

另一方面，除了金屬架橋會影響觸控面板的視效之外，這些第一感測串列120與這些第二感測串列130的輪廓也可能影響觸控面板的視效。因此，在另一實施例中，如圖3A及圖3B所示，前述的觸控面板100還可進一步包括消光層150，其中消光層150例如是全面地覆蓋於觸控面板100的觸控區(即第一感測串列120與第二感測串列130所在的區域)上，且本實施例的這些第一感測串列120以及這些第二感測串列130例如是位於消光層150與基板110之間，但本新型創作不限於此。在其他實施例中，消光層150也可以是覆蓋於基板110上，且位於基板110與這些第一感測串列120以及基板110與這些第二感測串列130之間。此外，消光層150的材質可以是一般的絕緣材質，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、矽鋁氧化物或上述至少二種材料的堆疊層。

透過消光層150的設置，光線L在感測墊(包括第一感測 墊122以及第二感測墊132)之間的間隙G(請參照圖1)與感測串列(指第一感測串列120與第二感測串列130)兩者之間的反射率差異可獲得補償。如此一來，可降低各感測串列120與130的輪廓對於人眼的可視性，而進一步提升觸控面板100的視效。另外當第一感測墊122以及第二感測串列130是網格狀金屬，例如是以與導電圖案相同材質所構成時，同樣可在第一感測墊122以及第二感測串列130對應觀看方向上(也就是使用者與第一感測墊122以及第二感測串列130之間)配置上述的光學匹配圖案，以降低觸控面板的反射率。

圖4是依照本新型創作的第三實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。圖5A及圖5B分別是圖4中剖線C-C’及剖線D-D’的剖面示意圖。請參照圖4、圖5A及圖5B，本實施例的觸控面板400與前述觸控面板100具有相似的膜層、相似的材料以及相似的功效。兩者的差異主要在於，觸控面板400的這些第一感測串列420、這些第二感測串列430以及絕緣層440的形成順序為：先形成這些第一感測串列420的第一感測墊422以及這些第二感測串列430，接而形成絕緣層440，最後形成第一感測串列420的各橋接結構424，其中上述第一感測串列420、第二感測串列430、絕緣層440的材質以及構造可參照前述觸控面板100之第一感測串列120、第二感測串列130、絕緣層140的材質及構造，於此便不再贅述。

進一步而言，本實施例的這些連接部434、這些第一感測 墊422以及這些第二感測墊432共平面，且這些連接部434位在絕緣層440與基板110之間，使各橋接結構424跨越對應的連接部434以電性連接相鄰兩個第一感測墊422。亦即是，本實施例的各連接部434的部分區域被對應的橋接結構424所覆蓋。(如圖5B所示)。此外，各第一感測墊422的部分區域位於各橋接結構424的光學匹配圖案424b與基板110之間(如圖5A所示)。

另外，本實施例的各橋接結構424的光學匹配圖案424b與導電圖案424a具有實質上相同的輪廓。具體而言，各橋接結構424的導電圖案424a的側壁例如是與光學匹配圖案424b的側壁切齊，但本新型創作不限於此。在另一實施例中，如圖6A及6B所示，各橋接結構424的光學匹配圖案424b的側壁亦可以被導電圖案包覆，圖5A、圖5B與圖6A、圖6B的差異在於各橋接結構424的光學匹配圖案424b與導電圖案424a是否為同時圖案化而成，本新型創作並不用以限定各橋接結構424的製作方法(例如製程數目的多寡)。

在圖5A、圖5B與圖6A、圖6B的實施例中，透過光學匹配圖案424b的設置，以及上述參數的設計下(指各光學匹配圖案424b的膜厚Hb大於100Å且小於1000Å，且折射率落在1.5至2.5的範圍內，而消光係數落在0.5至2.5的範圍內)，光線L在橋接結構424所在區域的反射率也可小於20%。也就是說，本實施例也可藉由導電圖案424a與光學匹配圖案424b之折射率、消光係數與厚度的匹配，來降低導電圖案424a(橋接結構124)所在區域 的反射率，並使得光線L由基板110朝向第一感測串列420照射時，光線L在橋接結構424所在區域的反射率大幅降低。如此一來，則可使本實施例的觸控面板400具有良好的視效。

此外，觸控面板400的橋接結構424可進一步包括配置於導電圖案424a上的保護圖案424c，用來保護導電圖案424a、增加橋接結構424的結構強度、避免導電圖案424a氧化(此處保護圖案424c並不會與絕緣層440直接接觸)。保護圖案424c的材質以及膜厚Hc可與圖2A及圖2B中的保護圖案124c的材質以及膜厚Hc相同，於此便不再贅述。

另外，如圖7A及圖7B所示，在另一實施例中，觸控面板400可進一步包括覆蓋於基板110上的消光層450，且本實施例的消光層450位於基板110與這些第一感測串列420之間以及基板110與這些第二感測串列430之間。然而，在其他實施例中，消光層450也可以覆蓋在這些第一感測串列420以及這些第二感測串列430上，而使得這些第一感測串列420以及這些第二感測串列430位於消光層450與基板110之間。

透過消光層450的設置，光線L在感測墊(包括第一感測墊422以及第二感測墊432)之間的間隙G(請參照圖4)與感測串列(指第一感測串列420與第二感測串列430)兩者之間的反射率差異可獲得補償。如此一來，可降低各感測串列對於人眼的可視性，而進一步提升觸控面板400的視效。

圖8是依照本新型創作第六實施例的觸控面板的局部上 視示意圖。請參照圖8，本實施例的觸控面板800包括基板810、多個第一感測串列820以及多個第二感測串列830，其中基板810可作為蓋板(cover lens)使用。也就是說，在實際操作時，這些第一感測串列820、這些第二感測串列830以及絕緣層840位於基板810的內表面，而使用者觸碰的是基板810的外表面。具體而言，基板810具有觸控區A1以及位於觸控區A1的至少一側的周圍區A2，且這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830位於觸控區A1內。在本實施例中，這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830可採用前述第一實施例至第五實施例任一者中相似構件的配置關係，且本實施例的觸控面板800可進一步包括絕緣層840以使這些第一感測串列820與這些第二感測串列830電性絕緣。再者，本實施例的觸控面板800也可選擇性地包括前述的消光層以提升觸控面板800的視效。

與前述第一實施例至第五實施例的差異在於，本實施例的觸控面板800還包括裝飾層850，其中裝飾層850位於周圍區A2內。具體地，裝飾層850力如試用來遮蔽位於周圍區A2內的遮光元件(未繪示)。在其他實施例中，周圍區A2內也可視需要選擇性地設置觸控元件。

在本實施例中，裝飾層850例如位於基板810上與這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830相同的一側。也就是說，本實施例的裝飾層810、這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830位於基板810的同一表面(內表面)上。然而，在其他實施例中，裝飾層850也可以設置在基板810上與這些第一感測串列820 以及這些第二感測串列830相對的一側，也就是裝飾層850也可以位於基板810的外表面(觸控面)上。另外，在其他實施例中，觸控面板800可進一步包括一承板(未標示)設置在基板810上與這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830相對的一側，也就是承板配置在基板810的外表面(觸控面)上，且裝飾層850例如是設置在承板上並位於基板810與承板之間，其中裝飾層850在基板810上的正投影位於基板810的周圍區A2內。

綜上所述，本新型創作的觸控面板使用導電圖案與光學匹配圖案來實現感測串列的橋接結構並且藉由在導電圖案面向使用者的表面上設置光學匹配圖案，來降低觀看方向上光線在橋接結構所在區域的反射率，進而讓使用者不容易察覺橋接接構的輪廓，而使觸控面板具有良好的視效。

雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

110‧‧‧基板

122‧‧‧第一感測墊

124‧‧‧橋接結構

124a‧‧‧導電圖案

124b‧‧‧光學匹配圖案

124c‧‧‧保護圖案

134‧‧‧連接部

140‧‧‧絕緣層

Ha、Hb、Hc‧‧‧膜厚

L‧‧‧光線

A-A’‧‧‧剖線

Claims (28)

1. 一種觸控面板，包括：一基板；多個第一感測串列，配置於該基板上，各該第一感測串列沿一第一方向延伸，各該第一感測串列包括多個第一感測墊以及多個橋接結構，各該橋接結構將相鄰兩個第一感測墊沿該第一方向串接，其中各該橋接結構包括一導電圖案以及一光學匹配圖案，且該光學匹配圖案配置於使用者與導電圖案之間，以降低觀看方向上光線在該橋接結構所在區域的反射率；以及多個第二感測串列，電性絕緣於該些第一感測串列，並且該些第二感測串列配置於該基板上，各該第二感測串列沿一第二方向延伸，該第一方向與該第二方向相交，各該第二感測串列包括多個第二感測墊以及多個連接部，且各該連接部將相鄰兩個第二感測墊沿該第二方向串接。
2. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括一絕緣層，該絕緣層配置於該些第一感測串列與該些第二感測串列之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該光學匹配圖案位於該導電圖案與該基板之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該光學匹配圖案的折射率落在1.5至2.5的範圍內，且各該光學匹配圖案的消光係數落在0.5至2.5的範圍內。
5. 如申請專利範圍第4項所述的觸控面板，其中各橋接結構 的該光學匹配圖案的膜厚大於100Å且小於1000Å。
6. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括一絕緣層，配置於該些第一感測串列與該些第二感測串列之間，該些橋接結構、該些第一感測墊以及該些第二感測墊共平面地配置在該基板上，且該些橋接結構位在該絕緣層與該基板之間，使各該連接部跨越對應的該橋接結構以電性連接相鄰兩個第二感測墊。
7. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括一消光層，該些第一感測串列以及該些第二感測串列位於該消光層與該基板之間。
8. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括一絕緣層，該絕緣層配置於該些第一感測串列與該些第二感測串列之間，該些連接部、該些第一感測墊以及該些第二感測墊共平面地配置在該基板上，且該些連接部位在該絕緣層與該基板之間，使各該橋接結構跨越對應的該連接部以電性連接相鄰兩個第一感測墊。
9. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括一消光層，覆蓋於該基板上，且位於該基板與該些第一感測串列之間以及該基板與該些第二感測串列之間。
10. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的該導電圖案的側壁以及該光學匹配圖案的側壁切齊。
11. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的該光學匹配圖案的側壁被該導電圖案包覆。
12. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構更包括一保護圖案，配置於該導電圖案上，且該導電圖案位於該保護圖案與該光學匹配圖案之間。
13. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該光線在該橋接結構所在區域的反射率小於20%。
14. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該光線在該橋接結構所在區域的反射率小於10%。
15. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的該導電圖案的材質包括金、銀、銅、鋁、鉻、鉑、銠、鉬、鈦、鎳、銦、錫或其合金、或上述金屬的氮化物、氧化物、氮氧化物的至少其中一者、或者是上述至少二者之堆疊層。
16. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的該光學匹配圖案的材質包括與該導電圖案相同的材質。
17. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的該光學匹配圖案的材質為該導電圖案材質的氧化物、氮化物或氮氧化物。
18. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的該光學匹配圖案的膜厚小於1000Å。
19. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該第一感測墊位於各該橋接結構的該光學匹配圖案與該基板之間。
20. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的側壁被對應的該些第一感測墊所覆蓋並接觸。
21. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的該導電圖案的膜厚大於1000Å。
22. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的該光學匹配圖案的光穿透率大於該導電圖案的光穿透率。
23. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該第一感測墊以及第二感測串列的材質包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、網格狀金屬或者是上述至少二者之堆疊層。
24. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該些第一感測墊以及該些第二感測串列分別包括一網格狀金屬層以及一光學匹配層，且該光學匹配層位於該網格狀金屬層面向使用者的表面上。
25. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該基板具有一觸控區以及一位於該觸控區的至少一側的周圍區，該觸控面板更包括一裝飾層，且該裝飾層位於該周圍區內。
26. 如申請專利範圍第25項所述的觸控面板，其中該裝飾層位於該基板上與該些第一感測串列以及該些第二感測串列相同的一側。
27. 如申請專利範圍第25項所述的觸控面板，其中該裝飾層位於該基板上與該些第一感測串列以及該些第二感測串列相對的一側。
28. 如申請專利範圍第25項所述的觸控面板，更包括一承板， 該承板位於該基板上與該些第一感測串列以及該些第二感測串列相對的一側，且該裝飾層配置於該承板上，並位於該基板與該承板之間，其中該裝飾層在該基板上的正投影位於該周圍區內。