TWM423354U - Gas concentrations control device of pressure container - Google Patents

Description

M423354 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係有關於氣體濃度控制裝置，特別 ，烤箱裝置中，用以對其之容置空間中之氣體濃; 控制之氣體濃度控制裝置。 進仃 【先前技術】 S夫的除/包烤箱，係、施以高壓與高溫於膠著材 ，溫可使膠著材料的減降低’高壓係可使於踢著材料中已 存在的氣_壓力^騎於膠著材狀外 使膠著材射之氣㈣小，料纽提升產品的品 性二此習知技術係已廣泛應用於半導體封裝製程上，目前多 =-種工業用加_泡烤箱裝置對晶片黏著膠材進行處 烤厂箱裝置之内部係連接至烤箱外部之高壓氣 提供姥^： ’而烤箱内部所需熱能係以一電熱裝置 :烤相Μ具有一驅動馬達，係用以驅動設置於 二:央:-風扇旋轉’該風扇設峨裝置， ： 内部受熱的高溫高壓氣體产叙 阿相 箱争的半導_料㈣=動且μ分佈’進錢放置於烤 體濃，==品之特定製程’其於除跑烤箱内部所需之氣 受度相當有限，在除泡烤^測及控制設備，其厂堅力耐 用，而有予以改良之必要。目南溫高麗的環境下無法使 3 M423354 【新型内容】 本創作之主要目的’係提供—縣力容器之氣體濃度控 制裝置，其適用於-高溫高㈣境中，例如半導體封裝加工 • 所使用之加壓除泡烤箱裝置内部容置空間，用㈣其中之氣 體濃度進行控制。 ~ 本創作解決㈣之技術手段，係提供—種壓力容器之氣 體濃度控制裝置，係用以對—烤箱裝置之—腔體内部所形成 # ^一容置空間中之氣體濃度進行控制；烤箱裝置具有-進氣 官及-出氣管’其係分別與容置空間相連通，以供氣體流入 及流出，·進氣管連接至一氣壓源，進氣管上設置有一第一電 磁閥，出氣管上設置有—第二電磁閥；氣體濃度控制裝置包 括：一氣體含量感測裝置，係用以定時對容置空間中之一氣 體含I進打感測’·-控制單元，連接至氣體含量感測裝置、 第一電磁閥、以及第二電磁閥，係供設職濃度，由該 氣體含量感測裝置之量測結果判斷該容置空間中之氣體濃 φ 度是否到達該預定濃度，並依據判斷結果對該第一電磁閥及 該第一電磁閥進行控制。 右控制單元之判斷結果為尚未到達預定濃度，則開啟第 電磁閥以自氣壓源流入氣體至容置空間内。控制單元係於 肖啟第-電磁閥的同時，開啟第二電磁闊；當控制單元之判 斷結果為已達預定濃度，則關閉第一電磁閥。 在本創作之一較佳實施例中，控制單元係於關閉第一電 磁閥的同時，關閉第二電磁閥。 在本創作之另一較佳實施例中，容置空間中係設置至少 4 M423354 一壓力感測器，以對其中之壓力進行感測，控制單元係供設 定-預定壓力’並依據至少—壓力感測器之感測結果判斷容 置空間t之壓力是否已達預定壓力；#控制單元之判斷結果 為已達預定濃度’但尚未到達預定壓力時，控制單元關閉第 二電磁閥；當判斷結果為已達預定濃度，且已達預定壓力 時，控制單元關閉第一電磁閥。 【實施方式】 请參閱第1圖，其係、本創作之—較佳實施例之示意圖， 如圖所示，本創作之壓力容器之氣體濃度控制裝置，係用以 對-烤箱裝置9之-腔體内部所形成之__容置空間9ι中之 氣體濃度進行控制。 烤相裝置9具有一進氣管91、以及一出氣管92,其係 分別與容置空間9G相連通，以供氣體流人及流出；進氣管 91連接至-氣壓源刚，進氣管91上設置有一第—電磁闊 11，其係用以控制氣體流入容置空間9〇，出氣管92上設置 有第一電磁閥！2、以及一閥門13，第二電磁閥12用以控 制乳體自容置空間9〇流出，閥門13較佳係為一單向閥、或 一逆止閥，用以限制氣體之流向以避免反向流入容置空間 90 ° 在本創作實施例中，烤箱裝置9之容置空間90中之壓 力係大於2大氣壓。烤箱裝置9的腔體中係設置有至少一加 熱模組93 ’錢容置空間9()達到—預定溫度以及—預定升 溫速率。容置空間9〇中係設置有一渦輪風扇94、至少一溫 5 M423354 度感測器96、以及至少-壓力感測器97,洞輪風扇94係由 相連接之一馬達95驅動轉動’進而可使容置空間9〇中的氣 體流動’溫度感測器96與壓力感測器97係分別對容置空間 90中的溫度及壓力進行感測。 氣體濃度控制裝置包括一氣體含量感測裴置8、以及— 控制單元10，氣體含量感測裝置8用以定時對容置空間卯 中之一氣體含量進行感測，控制單元1〇係連接至氣體含量 感測裝置9、第一電磁閥u、以及第二電磁閥12，係供使 用者設定一預定濃度，由氣體含量感測裝置8之量測結果來 判斷容置空間90中的氣體濃度是否已達到使用者所設定之 預定濃度，並依據判斷結果對第一電磁閥u及第二電磁閥 12進行控制。 氣體含量感測裝置8係以一連通管80與容置空間9〇 相連通，其包括一氣體含量感測器81、一氣體參數調節器 82、以及一延伸連通管83，延伸連通管83係與連通管8〇 相連接’氣體參數調節器82係連接於氣體含量感測器81 與延伸連通管83之間。 氣體參數調節器82用以對自延伸連通管83流入的氣體 進行調節，以使流入氣體之例如溫度、壓力、流速等之特定 參數符合氣體含量感測器81的量測範圍，進而供其進行感 測。氣體參數調節器82可包括一流量調速閥821、以及一 第三電磁閥822，其中流量調速閥821用以調整供應至氣體 含量感測器81的氣體流量以及流速，第三電磁閥822在一 控制器（未示）的控制下，可用以控制容置空間90中的待測 6 M423354 氣體是否流入氣體含量感測器8卜氣體 以感測氣體含量。延伸連通f83較佳係為—”，容置= 間如中的待測氣體經過延伸連通f83後，可;溫度降

凊參照第2圖’其係本創作之—較佳實施例之控制流程 圖。使用者依據所需’於㈣單元1G設定—狀濃度，氣 體含量感測裝置續進行感測（步驟Sigi);控制單元 10依據氣體含量感測裝^ 8之感測結果判斷是否已達到使 用者所設定之預定濃度（步驟隨）；^是，則返回步驟 S101;若否’則控制單元10開啟第—電磁閥U以及第二電 磁閥12(步驟S103)，如此，氣體係經由進氣管91自氣壓源 100流入容置空間90,並經由出氣管92流出；當控制單元 1〇判斷已達預定濃度時，即同時關閉第一電磁閥u及第二 電磁閥12(步驟S104) ’以使容置空間保持於預定濃度，氣 體含量感測裝置係持續進行感測。

請參照第3圖，其係本創作之另一較佳實施例之控制流 程圖。使用者依據所需，於控制單元1〇設定一預定濃度、 以及一預定壓力，氣體含量感測裝置8、以及壓力感測器97 係持續進行感測（步驟S2〇1);控制單元10依據氣體含量感 /則裝置8之感測結果判斷是否已達到使用者所設定之預定 濃度（步驟S202);若否，則控制單元1〇開啟第一電磁閥n 以及第二電磁閥12(步驟S203)，如此，氣體係經由進氣管 91自氣壓源1 〇〇流入容置空間9〇 ’並經由出氣管92流出； 當控制單元10判斷已達預定濃度時，即關閉第二電磁閥 12(步驟S204);接著控制單元1〇係依據壓力感測器97之感 7 M423354 測結果判斷是否已達使用者所設定之預定壓力，並當判斷已 達預定壓力時關閉第一電磁閥11(步驟S205)。 由以上之實施例可知，本創作所提供之氣體濃度控制裝 置確具產業上之利用價值，故本創作業已符合於專利之要 件。惟以上之敘述僅為本創作之較佳實施例說明，凡精於此 項技藝者當可依據上述之說明而作其它種種之改良，惟這些 改變仍屬於本創作之創作精神及以下所界定之專利範圍中。 【圖式簡單說明】 第1圖係本創作之一較佳實施例之示意圖。 第2圖係本創作之一較佳實施例之控制流程圖。 第3圖係本創作之另一較佳實施例之控制流程圖。 【主要元件符號說明】

10 100 控制单元 氣壓源 第一電磁閥 第二電磁閥 閥門 8 80 81 82 氣體含量感測裝置 連通管 氣體含量感測器 氣體參數調節器 流量調速闕 8 821 M423354 822 第三電磁閥 83 延伸連通管 9 烤箱裝置 90 容置空間 91 進氣管 92 出氣管 93 加熱模組 94 滿輪風扇 95 馬達 96 溫度感測器 97 壓力感測器 S101-S104 步驟 S201-S205 步驟

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍： :觀力容H之氣體濃度控制裝置，制以對 置之-腔體内部所形成之—容置空間中之氣體 仃控制；該烤箱裝置具有—進氣管及一出氣f，复= :與該容置空間相連通，以供氣體流入及流出；該t 管連接至-氣_，該進氣管上設置有—第—電磁t =氣管上設置有一第二電磁閥;該氣體濃度控制裝置 —氣體含量感測裝置，係用以定時對該容置空間中之— 氣體含量進行感測； —控制單元，連接至該氣體含量感測裝置、該第一電磁 閥、以及該第二電磁閥，係供設定一預定濃度，由該 氣體含量感測裝置之量測結果判斷該容置空間中之 氣體濃度是否到達該預定濃度，並依據判斷結果對該 第一電磁閥及該第二電磁閥進行控制。 2·，申請專利範圍第i項所述之壓力容器之氣體濃度控制 裝置，其中，當該控制單元之判斷結果為尚未到達該預 定濃度，則開啟該第一電磁閥以自該氣壓源流入氣體至 該容置空間内。 3 •如申請專利範圍第1項所述之壓力容器之氣體濃度控制 裝置’其中’當該控制單元之判斷結果為已達該預定濃 度，則關閉該第一電磁閥。 4.如申請專利範圍第1項所述之壓力容器之氣體濃度控制 10 M423354 裝置，其中該控制單元係於開啟該第一電磁閥的同時， 開啟該第二電磁閥。 5·如申請專利範圍第4項所述之壓力容器之氣體濃度控制 裂置，其中該控制單元係於關閉該第一電磁閥的同時， 關閉該第二電磁閥。 6.如申請專利範圍第4項所述之壓力容器之氣體濃度控制 裝置，其中該容置空間中係設置至少一壓力感測器，以

   對其中之壓力進行感測，該控制單元係供設定一預定壓 力，並依據該至少一壓力感測器之感測結果判斷該容置 空間中之壓力是否已達該預定壓力；當該控制單元之判 畸結果為已達該預定濃度，但尚未到達該預定壓力時， 叇控制單元關閉該第二電磁閥；當判斷結果為已達該預 定濃度，且已達該預定壓力時，該控制單元關閉該第一 電磁閥。 如申凊專利範圍第1項所述之壓力容器之氣體濃度控制

   骏置，其中該出氣管上更設置有一閥門，其係為一單向 閱、或一逆止閥，用以限制氣體之流向。 如申請專利範圍第i項所述之壓力容器之氣體濃度控制 骏置’其中該氣體含量感測裝置係以一連通管與該容置 空間相連通，其包括一氣體含量感測器、以及一氣體參 數調節器，該氣體含量感測器用以感測—氣體含量，該 軋體參數5周節器連接於該連通管與該氣體含量感測器之 ]用以對自該連通管流入之氣體進行調節，以使該氣 體中的一個或多個特定參數符合該氣體含量感測器之量 11 9洌範圍，進而供該氣體含量感測器進行感測。 9,如申請專利範圍第8項所述之壓力容器之氣體濃度控制 j置’其中該氣體含量感測裝置更包括有一延伸連通 s，連接於該連通管與該氣體參數調節器之間，該延伸 連通管係為—盤管，用以降低由該連通管流入之氣體之 溫度。 10·如申請專利範圍第8項所述之壓力容器之氣體濃度控制 裝置’其中該氣體參數調節器包括一流量調速閥、以及 一第三電磁閥，該流量調速閥用以調整流入氣體之流量 以及流速，該第三電磁閥用以控制待測氣體是否流入氣 體含量感測器。 U.如申請專利範圍第8項所述之壓力容器之氣體濃度控制 裝置，其中該容置空間中係設置至少一溫度感測器，以 對°亥谷置空間中之溫度進行感測，進而據以控制該氣體 參數調節器。 12_如申請專利範圍第1項所述之壓力容器之氣體濃度控制 裝置’其中該烤箱裝置之壓力大於2大氣壓。 13.如申請專利範圍第丨項所述之壓力容器之氣體濃度控制 裝置’其中該腔體中設置有至少一加熱模組，以使該容 置空間達到一預定溫度以及一預定升溫速率。 14 ·如申請專利範圍第1項所述之壓力容器之氣體濃度控制 裂置’其中該容置空間中設置一渦輪風扇，其係由一馬 達驅動轉動，以使該容置空間中之氣體流動。 12