TWM375985U - Structure LED structure - Google Patents

Description

M375985 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係關於-種發光二極體結構’特別是指—種增設有齊納二極體 以達到靜電放電防護功能的發光二極體結構。 【先前技術】 • &於發光二極體⑽：L咖Emitting _e)具有體積小、耗電低以 .及壽命長...紐點，因此目前已廣泛應用於家電、轉、電腦週邊產品、 癱通訊產品以及照明產品…等上，發光二極體已然成為新世代的光源，其重 要性不言可喻。 然而，發光二極體卻很容易在製造或使用過程中受到靜電放電 (Electrostatic Discharge，ESD)的影響而損壞。 為了解決上述的靜電放制題，習知已有_齊納二極齡 di〇de) 電性連接於發光二極體上的解決方案，如下。 請參閱第1圖所示習知的發光二極體丄，係具有—承座工丄，該承座 鲁-11則由基板（包含第-、二基板電極i i i、1i 2)以及形成於該基 -板上的反射杯1 1 3所組成，第-基板電極i、第二基板電極丄工2 以及反射杯1 i 3之間則藉由㈣極化膜i 3來彼此分隔。兩個後電極工 2 a 12 b係刀別形成於該承座1 1的底側，且分別電性連接至第一和 第-基板電極111、1 12。發光晶片14和齊納二極體15則分別設 置在第-基板電極1 11和第二基板電極i12上，以保護發光晶片工4 免於文到靜電放電影響。至於透鏡16係配置於反射杯1丄3上’以聚集 發光晶4 1 4所發出的光。惟，此等方案一卻因為增設了齊納二極體丄5， M375985 反而造成發光晶片1 4所發出的光會被齊納二極體i 5給吸收掉約2〇%的 重大缺失。 因此，如何設計出一種能既能利用齊納二極體來保護發光晶片免於受 到靜電放電影響’又能將光被齊納二鋪魏掉的_給降至最低（相對 而&就提⑤了發光{的亮度），乃為本_作人所企欲解決的 一大課題。 【新型内容】

本創作的主要目的在於提供—種發光二極體結構，藉由將齊納二極體 給埋入於承翻’以大幅降低齊納二極體吸收發光晶片之光的比例，相對 而。乃提升發光晶>1的讀，從而眺制齊納二健來制靜電放電防 護功能’又能大幅降低齊納二極體吸收發光晶片之光的比例。 為達上述目的’本創作係提供一種發光二極體結構，包括：一承座、 第-導電架、—第二導電架、發光晶片、—導電膠以及—齊納二極體。 該承座’具有-基底和—形成於該基底上的反射杯，該基底的内底面 係。又有f-凹部和-第二凹部；該第—導電架，係設置於該第一凹部内；

該第二導電架，係設置於該第 二凹部内；該導電膠，係設置於該第二凹部 内的内底面上導電膠係電性接觸於該第二導電架.該發光晶片，係 »又置於該帛#電架上，該發光晶片的兩電極係分別與第―、二導電架電 係設置於該導電膠上，該齊納二極體的一 而該齊納二極體的另一電極則藉由—導線 性連接在一起；該齊納二極體， 電極乃與導電膠彼此電性相通， 來電性連接於該第一導電架。 為了能夠更進-步瞭解本創作之特徵、特點和技納容請參閱以下 有關本創作之詳細說明與附圖，惟所附圖式僅提供參考與說明用，非用以 M375985 限制本創作。 【實施方式】 本創作係提供一種發光二極體結構，特別是指一種增設有齊納二極體 以達到靜電放電（Electrostatic Discharge, ESD)防護功能的發光二極體 結構。 請參閱第2圖所示之本創作第一實施例的剖面圖，該發光二極體2 0 0包括一承座2、一第一導電架3、一第二導電架4、發光晶片5、一導 φ 電膠6以及一齊納二極體7。 該承座2係具有一基底21以及一形成於該基底21上的反射杯2 2 ’該反射杯2 2内係形成凹杯狀，藉以容置所述發光晶片5、導電膠6 和背納—極體7。該基底21係具有一内底面21〇，該内底面21〇則 »又有第—凹部211和一第二凹部212。 該第-導電架3係設置於該第_凹部2 i内，該第二導電架4和導 電膠6則-起設置於該第二凹部2 i 2内，且導電膠6除了設置於第二凹 ♦部2!2的内底面2丄〇上以外’還進—步電性接觸於該第二導電架4。 —較佳者，第―、二凹部211 ' 212之間係形成有—分隔體2丄3，導 電膠6則設置於該分隔體2 i 3與第二導電架彳之間的第二凹部2㈣ 内底面21〇上。 、發光“5細於第—咖片5的兩電極（ r片Γ別與第―、二導電架3'4電性連接在一起，如圖所示者， 曰曰片5的兩電極係分別藉由第—導線51和第二導線52來電 一、二導電架3、4。 M375985 έχ4納一極體了係设置於該導電膠6上，齊納二極體7亦具有兩電極 (圖未示），其中—電極係藉由齊納二極體7的設置於導電膠6上而彼此 電性相通，其中另—電極則藉由導線7 0來電性連接於第__導電架3。 如圖所示’藉由承座2的基底21係設有第一、二凹部2工工、2丄 2，且—起設置於第二凹部212⑽第二導電架4和導電㈣又彼此電 -性相通’而齊納二極體7又係設置於導電黟6上而使其一電極與導電膠6 •電性連接，另—電極則藉由導線7◦來與第—導電架3電性相通，從而使 _齊納二極體7能被導通喊生靜電放電防護功能；同時，雜因為齊納二 極體7係被設置於承座2之第二凹部2 i 2内的内底面2 i 〇上，藉以大 幅降低齊納二極體7吸收掉發光晶片5之光的比例。 k佳者，承座2係可為PpA(Polyphthalamide，聚對苯二酰對苯二胺） 材質、聚醜胺(Nylon- P〇iyamide)材質、或 Lcp(Liquid ㈣加 p〇lymer， 液晶樹脂)材質；發光晶片5係可為藍光晶片⑻ue Chip);承座2的反射 杯2 2内係還封裝有螢光層2 3 ;至於導電膠6則可為銀膠。 本創作發光一極體結構的特點在於：藉由在承座2的基底21上設有 第-、二凹部21 1、212，導電膠6與第二導電架4一起設置於第二 凹部212内’且導電膝6與第二導電架4還彼此電性相通，而齊納二極 體7又係設置於導電膠6上，從而導通齊納二極體7而產生靜電放電防護 功能；同時，則還能因為齊納二極體7係被設置於承座2之第二凹部2工 2内的内底面210上，簡言之，也就是在承座2的内底面21〇處係埋 入有該齊納二極體7，以大幅降低齊納二極體7吸收掉發光晶片5之光的 M375985 丨換。之本創作發光一極體結構既能利用齊納二極體7來保護發光 晶片5免於受到靜電放電影響，又能將光被齊納二極體7吸收掉的比例給 降至^低，相對而言就提高了發光晶片5的亮度特別是發光晶片5係為 藍光晶片時，將能有效應用藍光晶片的發光效率。 請參閱第3圖所示之本創作第二實施例的剖面圖，第一、二實施例之 間的不同處在於：（第一）、承座2的第二凹部212内係進-步設有一第 一凹°卩2 1 4 ’且第三凹部2 1 4所凹人於内底面2 i⑽深度係大於第 _二凹部212的凹人深度；（第二）、第二導電架4係進—步具有一凸體4 1第-導電架4乃因此而狀似L形’且第二導電架4的凸體4丄還係凸 出於第三凹部2工4内；（第三）、導電膠6則係設置於第三凹部2工4内 的内底面21〇上，且導電膠6還電性接觸於第二導電架4的凸體4丄。 藉此乃能達到與第一實施例相同的功效。 請參閱第4圖所示之本創作第三實施例的剖面圖，第二、三實施例之 間的不同處在於：（第―）、在第三凹部2 i 4内係進—步填滿白膠（或透 膠亦可）8，白勝8乃包覆住導電膠6和齊納二極體7，而藉由白膠8 則能讓光反射，從而使第三實施例之發光晶片5的亮度和發光效率均優於 第―、二實施例；（第二）、本第三實施例係還能在承座2的第一、三凹部 211、214之間形成有-分隔體213，白膠8乃係填入於分隔體2 13與第二導電架4之間的第三凹部2 i 4内；（第三）、承座2的反射杯 2 2内則可填滿有螢光膠2 4，或亦可在反射杯2 2内封裝—螢光層2 3 - (第4圖未示）。 - 以上所述者，僅為本創作之較佳可行實施例而已，非因此即偈限本創 M375985 作之專利範圍，舉凡運用本創作說明書及圖式内容所為之等效結構變化， 均理同包含於本創作之權利範圍内，合予陳明。 M375985 【圖式簡單說明】 第1圖為習知發光二極體的剖面圖。 第2圖為本創作發光二極體第一實施例的剖面圖 第3圖為本創作發光二極體第二實施例的剖面圖 第4圖為本創作發光二 二極體第三實施例的剖面圖 【主要元件符號說明】 1、發光二極體 1 1、承座 1 1 1、第一基板電極 1 13、反射杯 1 12、第二基板電極 12 a、後電極 13、 鋁陽極化膜 14、 發光晶片 15、 齊納二極體 1 6、透鏡 12 b、後電極 2 0 0、發光二極體 2、承座 2 1、基底 210、内底面 2 1 1、第一凹部 212、第二凹部 213、分隔體 214、第三凹部 M375985 2 2、反射杯 2 3、螢光層 3、 第一導電架 4、 第二導電架 5、 發光晶片 5 1、第一導線 6、 導電膠 7、 齊納二極體 8、 白膠 2 4、螢光膠 4 1、凸體 5 2、第二導線 7 0、導線

Claims (1)

1. M375985 六、申請專利範圍： 1、一種發光二極體結構，包括： 承座’具有-基底和-形献底上的反射杯，絲底的内底 面係設有一第一凹部和一第二凹部； 一第一導電架’係設置於該第一凹部内； 一第二導電架，係設置於該第二凹部内； ，且該導電膠係電性

   一導電膠，係設置於該第二凹部内的内底面上 接觸於該第二導電架； -發光晶片’係設置於該第—導電架上，該發光晶片的兩電極係分 別與第一、二導電架電性連接在一起；以及 知、.’内一極體’係§史置於②導電膠上’該齊納二極體的—電極乃與 導電膠彼此電性相通’而該齊納二減的另_電酬藉由一導線 來電性連接於該第一導電架。 2、 如申請專利範項所述之發光二極體結構，其中該承座的反射 杯内係進一步封裝有一螢光層。 3、 如申請專利範圍第χ項所述之發光二極體結構，其中該承座的第一、 一凹部之間係形成有一分隔體。 4、 如中請專利範圍第3項所述之發光二極體結構，其巾該導電膠係設 置於該分隔體與第二導電架之間的第二凹部的内底面上。 5、 如申請專利範圍第工項所述之發光二極體結構，其中該發光晶片係 為藍光晶片。 如申請專娜圍第1項所述之發光二極聽構，其巾該導電膠係為 11 M375985 銀膠。 7、 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構’其中該承座係為 PPA(Polyphthalamide，聚對笨二跌對笨二胺)材質' 聚酰胺(Nylon-Polyamide)材質、和 LCP(Liquid Crystal Polymer，液晶樹脂）材 質的其中之一。 8、 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構’其中該發光晶片的 兩電極係分別以一第一導線和一第二導線來電性連接於該第一、二 導電架。 9、 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該承座的第二 凹部内係進一步設有一第三凹部，該第三凹部所凹入於内底面的深 度係大於該第二凹部的凹入深度；該第二導電架係具有一凸體，該 第二導電架的凸體係凸出於該第三凹部内；該導電膠則設置於該第 二凹部内的内底面上，且該導電膠還電性接觸於該第二導電架的凸 體。 10、 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體結構，其中該第三凹部 内係進-步填滿白膠，齡扉包覆住該導電膠和齊納二極體。 11、 如中晴專利範圍第1G項所述之發光二極體結構，其中該承座的 第—凹部之間係形成有一分隔體，該白膠係填入於該分隔體與 該第一導電架之間的第三凹部内。 12、 如W專利範圍第1Q項所述之發光二極體結構，其中該承座的 反射杯内係填滿有鸯光膠。 12