TWM359810U - Power source device and plasma apparatus - Google Patents

Description

M359810 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作之實施例大體上是關於從射頻（RF)產生器送至J 匹配網絡的硬式RF餽給線。 【先前技術】 大面積基材常用於製造平面顯示器和太陽能面板等。 這些基材的表面積多超過2平方公尺。沉積材料至大面積 基材的一方法為電黎加強化學氣相沉積（plasma-enhanced chemical vapor deposition ； PECVD)。在 PECVD 室中，係 透過RF匹配網絡供應腔室RF功率。RF功率由PECVD室 外的RF產生器所產生。因此，此技藝需要RF餽給線將 RF產生器所產生的RF功率傳送到RF匹配網絡。 【新型内容】 本創作大體上是關於用於處理設備的RF餽給線。使 用硬式RF餽給線來連接rf產生器與RF匹配網絡可減少 從產生器傳輸到匹配網絡的功率損失。硬式RF餽給線包 含倒J形區段，在維修腔室時，其有利於輕鬆地自匹配網 絡拆開產生器。J形區段具有二平行部分，該些平行部分 係藉由一垂直部分連接在一起。藉由拆開J形區段的二 處，J形區段可像單件组件（〇ne_piece assembly) —樣整 個被拆除。其中一處靠近腔室頂部，另一處則靠近腔室地 面。J形區段與RF餽給線之其餘部分的連接係面朝同一方 5

M359810 向，以確保不需扭曲及/或彎折RF餽給線的任何部分即 輕鬆連接及拆開。 在一實施例中，提出一種用於處理室的電源。電源 含功率產生器、連接處理室的功率輸入、和耦接功率產 器至功率輸入的硬式餽給線。餽給線具有至少一倒J形 段。 在另一實施例中，提出一種電漿設備。設備包含上 組件、設於上蓋組件上的RF匹配網絡、RF產生器、和 接於RF匹配網絡與RF產生器之間的硬式RF餽給線。 在又一實施例中，提出一種連接電源供應器至處理 的方法。方法包含降低硬式RF餽給線以接觸電源供應 和匹配網絡。RF餽給線包含二實質平行部分和一實質垂 於二實質平行部分的部分。方法還包含連接硬式RF餽 線的第一端至電源供應器、以及連接硬式RF餽給線的 二端至匹配網絡。 【實施方式】 本創作大體上是關於用於處理設備的RF餽給線。 然本創作將以取自美國加州聖克拉拉之應用材料公 (Applied Materials, Inc.)之 AKT 子公司的 PECVD 室為 說明於下，但應理解，本創作當可應用到任何需要RF 給線從RF產生器供應電源至匹配網絡的腔室，包括物 氣相沉積（PVD)室。亦應理解，本創作也可應用到其他 應商提供的PECVD室和其他腔室。 能 包 生 區 蓋 耦 室 器 直 給 第 雖 司 例 餽 理 供 6

M359810 第1圖為根據本創作一實施例之處理系統1 Ο 0的立體 示意圖，其具有連接處理室104的硬式RF傀給線。第1 圖所示之處理系統100為一群集式工具（cluster tool)之 實施例，其中複數個處理室104圍繞中央傳送室1 02。一 或多個加載鎖定室106也可連接傳送室102。支撐架112 將各處理室104和加載鎖定室106抬離地面，使傳送室102 的狹縫高度配合處理室104與加載鎖定室106的狹縫。狹 缝為基材在傳送室102、處理室104與加載鎖定室106之 間移動通過的開口。 平台 108可隔開相鄰的處理室 104和加載鎖定室 106。平台108可讓技術人員接近處理室104與加載鎖定室 106的頂部。平台108設在相鄰的處理室104和加載鎖定 室106之間，且置於處理室104的一半高度之處。可經由 梯子110或樓梯或其他適合的裝置而接近平台108的抬高 面。 處理室104可為任一類型的處理室，例如PECVD室、 PVD室、或其他適合的處理室。處理室104可用來處理任 何種類的基材，例如半導體基材、平面顯示器基材、太陽 能面板基材等。控制處理室1 04之進行製程所需的控制器 120設在處理室104下方且位於支撐架112内。 就某些製程而言，需施加RF功率。在一些情況下， RF功率可用於產生電漿。在其他情況下，RF功率可用來 加熱。若RF功率用來產生電漿，則RF功率可在RF產生 器11 6中產生，並通過RF餽給線1 1 8而抵達匹配網絡11 4。 7

M359810 RF產生器I16設置在平台108下方。藉由將 設置在平台108下方’可盡量縮短RF功碑 11 6傳送到RF匹配網絡11 4的距離。由於 與匹配網絡11 4間的距離縮至最小，因此從 傳輸到RF匹配網絡11 4的功率損失巧*減至 呈最短距離，RF餽給線118可設置穿過平 I 22。在一實施例中，RF餽給線11 8在RF RF匹配網絡11 4間的長度為约2〇英尺。 第2圖為第1圖處理室104的側祝圖’ 的硬式RF餽給線118。第3圖為第1圖處 圖，其具有連接RF產生器116與RFGE配餓 RF餽給線。RF產生器116透過接腳206接 II 8具有複數個沿著RF餽給線11 8全長 2〇4a »在一實施例中，聯結器204a可以利用 構而固定在一起。單向連結機構可為任一 構，其能接合二零件（在此實施例為二RF餽 以拆開二者，聯結器204a為單向連結機構， 員拆開聯結器204a處的RF魏給線jig。 另一方面’聯結器204b由容易連接及奶 固定在一起。在一實施例中，聯結器2〇4b台 組件。聯結器204b協助技術人員拆開rf儀 結器204b、而非單向聯結器204a。 其中一個聯結器204b可設在平台1〇8 實施例中，聯結器204b位於平台1〇8上方袭 RF產生器Π6 k從RF產生器 RF產生器116 RF產生器116 .最低。為確定 台108的開口 產生器116與 具有與之相連 ^理室的背面視 I絡1 1 4的硬式 地。RF餽給線 配置的聯結器 一單向連結機 已知的連結機 給線區段）且難 可防止技術人 :開的連結機構 ,含螺帽與螺拴 L給線11 8和聯 的正上方。在一 勺5英叫·處。另 8

M359810 一聯結器204b可設在處理室104的蓋子202上方。如第2 圖所示，RF餽給線11 8在聯結器204b之間的部分實質上 呈倒” J”形。第3圖顯示RF餽給線1 1 8的垂直部分沿著 平行軸排列，如此當拆開聯結器204b時，藉由抬高倒” J' 區段即能拆除RF餽給線11 8的倒” J”區段。此僅抬高RF 餽給線118的倒” J”區段，而不需彎折RF餽給線118。 故RF傀給線118可為實質不變形的剛硬結構。反之，若 拆開聯結器204a，則可能會彎折RF餽給線11 8並弄斷之》 拆開聯結器204b及拆除倒” J”區段後，可移開處理室1 04 的蓋子202且不會破壞RF餽給線11 8。 第4圖為根據本創作一實施例之硬式RF餽給線的立 體示意圖，其連接匹配網絡404與RF產生器402。系統 400包含複數個由聯結器406、408而連接在一起的管子 410、 412、 414、 416、 418、 420、 422、 424、 426。聯結器 40 6為單向聯結器，其將管子410、412、414、416、418、 420、422、424、426連接在一起。聯結器408容許輕鬆連 接及拆開管子4 1 4、4 1 6、和輕鬆連接及拆開管子422、424。 藉著拆開管子414、416及拆開管子422、424，則可拆除 RF餽給線的倒” J”區段。倒” J”區段包含二平行部分和 另一垂直於平行部分的部分。彎管422的垂直部分係平行 於管子416 »管子420垂直於管子416和彎管422的垂直 部分》因此，管子416、418、420、422構成RF餽給線的 倒” J”區段。 第5圖為第4圖RF餽給線之倒” J”區段的分解示意 9

M359810 圖。管子416的一端5 02已脫離管子414的一端5 04。此 外，管子424的一端506已脫離管子422的一端508。彎 管422的末端508和管子416的末端502處於不同高度。 故當管子416與彎管422的垂直部分平行時，末端502、 508處於不同高度。 第6A圖為根據本創作一實施例之用於硬式RF餽給線 之聯結器600的截面圖。在第6A圖中，RF餽給線的上區 段622連接至RF餽給線的下區段624。上、下區段622、 624各包含外管602和内接線610。應理解雖然内接線610 在此是指金屬線，但其也可為任一適合傳輸RF電流的構 件。外管602包含銅，並且提供返回路徑讓RF餽給線接 地。間隔部6 1 2隔開外管6 0 2和内接線6 1 0。在一實施例 中，間隔部612包含空氣。外管602與内接線610間的空 氣當作介電質，以免沿著RF產生器與RF匹配網絡間之 RF餽給線傳送的功率損失。内接線6 1 0置於外管602内的 間隔部6 1 2中央。 在區段622、624的末端，内接線61 0由電氣絕緣聯結 器6 1 4連接至外管6 0 2。因此，電氣絕緣聯結器6 1 4只供 單向連接外管602和内接線6 1 0。電氣絕緣聯結器6 14可 設於聯結器600。凸緣604自聯結器600處的外管602延 伸。固定構件可設置穿過凸緣604而耦接上區段622和下 區段624。在一實施例中，固定構件包含螺栓606與螺帽 6 0 8組件。 第6B圖為第6A圖聯結器600分離後的示意圖。如第 10 M359810 6B圖所示，凸緣6 04内含通道62 0以供固定構件耦接上區 段622和下區段624。自上區段622延伸的公連接器618 可將内接線610連接在一起，其並連接至下區段624的母 接收器616中》在一實施例中，公連接器618設於下區段 母接收器616設於上區段622。聯結器600可做為第 圖所示的聯結器4〇8、2〇4b。倒】區段的兩端應設置相 同的聯結器。例如，麵"區段的兩端包含公連接器618。 或者’倒J區段的兩端包含母接收器616。 為避免在拆開倒” J”區段與RF餽給線時拆除了内接 線61〇 ’電氣絕緣聯結器614宜固接於内接《61〇和外管 二2:在一實施例中’電氣絕緣聯結胃614焊接至内接線 6 W應小心谭接電氣絕緣聯結器614至内接線 外管602 ’以確保不會碰到焊接 置，則外管602和内接線61〇將雪自 若接觸烊接位 流通外管術1 氣相連’導致主動電流 卜管602或者，外管6〇2與内接 氏〇1<；電氣相連時’ 生器與RF匹配網絡間的功率將有所損失。 使用具可拆除甸” j”形區段 RF產4装盥R p nr 飞RF餽給線可減少 接及拆開RF產生器與處理室、並 =失、可輕鬆連

匹配網絡的間距。 產生器與RF 雄然本創作已以較佳實施例揭露如 限定本創作，任何熟習此技藝者，在 並非用以 :範固内’當可作各種之更動㈣飾，=作之精神 範園當視後附之申請專利範園所界此本創作之保護 11

M359810 【圖式簡單說明】 為讓本創作之上述特徵更明顯易懂，可配合參考實施 例說明，其部分乃繪示如附圖式。須注意的是，雖然所附 圖式揭露本創作特定實施例，但其並非用以限定本創作之 精神與範圍，任何熟習此技藝者，當可作各種之更動與潤 飾而得其他等效實施例。 第1圖為根據本創作一實施例之系統的立體示意圖， 其具有連接處理室的硬式RF餽給線。 第2圖為第1圖處理室的側視圖，其具有與之相連的 硬式RF餽給線。 第3圖為第1圖處理室的背面視圖，具有連接於RF 產生器與RF匹配網絡之間的硬式RF餽給線。 第4圖為根據本創作一實施例之硬式RF餽給線的立 體示意圖，其連接於匹配網絡與RF產生器之間。 第5圖為第4圖RF餽給線之倒J區段的分解示意圖。 第6A圖為根據本創作一實施例之用於硬式RF餽給線 之聯結器的截面圖。 第6B圖為第6A圖聯結器分離後的示意圖。 為助於了解，圖式中相同的元件符號代表相似的元 件。應理解某一實施例的元件當可併入其他實施例，而不 需另行贅述。 【主要元件符號說明】 12 M359810 100、 400 系 統 102 傳送室 104 處理室 106 加載鎖定室 108 平台 110 梯子 112 支撐架 114 、404 匹配網 116、 402 產 生器 118 魏給線 120 控制器 122 開口 202 蓋子 204a 、204b 、 406、 408 ' 600 聯 結器 206 接腳

410、 412、 414、 416、 418、 420、 422、 424、 426 管子 502、 504、 506 ' 508 端 602 外 管 604 凸 緣 606 螺 栓 608 螺 帽 610 内 接 線 612 間 隔 部 614 聯 結 器 616 接 收 器 618 連 接 器 620 通 道 622、 624 區

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Claims (1)

1. M359810

   第f7>o糾'丨號專^案化年丄戶' 九、申請專利範圍： 1. 一種用於一處理室的電源裝置，包含： 一功率產生器； 一功率輸入，連接該處理室；以及 ——硬式媿給線，耦接該功率產生器與該功率輸入。 2.如申請專利範圍第1項所述之電源裝置，其中該硬式餽 給線具有至少一倒J形區段。

   3.如申請專利範圍第2項所述之電源裝置，其中該倒J形 區段包含： 一連接器，設置於該倒J形區段的各末端，其中各個該 些末端具有一實質相同的連接器。 4.如申請專利範圍第1項所述之電源裝置，其中該硬式餽 給線包含：

   複數個第一連接器，其中該些第一連接器包含多個可拆 除之緊固件；以及 複數個第二連接器，其中該些第二連接器包含多個固定 之緊固件。 5.如申請專利範圍第1項所述之電源裝置，其中該硬式餽 給線更包含： 一或多個連接器；以及 14 M359810

   一第一銅管，係圍繞一電子傳輸接線，其中該第一 與該電子傳輸接線為間隔設置，且其中該第一銅管和 子傳輸接線係在該或該些連接器之處藉由一介電材料 接在一起。 銅管 該電 而連 6.如申請專利範圍第5項所述之電源裝置，其中該第 管與該電子傳輸接線只在各連接器處連接在一起。 一銅

   7.如申請專利範圍第1項所述之電源裝置，其中該硬 給線包含不等長的二平行部分，且一垂直於該二平行 的部分係將該二平行部分連接在一起。 式餽 部分 8. —種電漿設備，包含： 一處理室，具有一相連的上蓋組件； 一 RF匹配網絡，設置於該上蓋組件上； 一 RF產生器，設置在該RF匹配網絡下方；以及 一硬式RF餽給線，耦接在該RF匹配網絡與該RF

   9.如申請專利範圍第8項所述之電漿設備，其中該 RF餽給線包含至少一倒J形區段。 1 0.如申請專利範圍第9項所述之電漿設備，其中該倒 區段包含： 產生 硬式 J形 15 M359810

   一連接器，設置於該倒j形區段的各末端，其中各個該 些末端具有一相同的連接器。 1 1.如申請專利範圍第1 0項所述之電漿設備，更包含一平 台組件，該平台組件位於該處理室之一高度的一半，其中 該倒 J形區段的至少一端實質上位於該平台組件之一高 度。

   12.如申請專利範圍第1 1項所述之電漿設備，其中該倒J 形區段的至少一固定連接件位於該平台組件上方約5英吋 處。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項所述之電漿設備，其中該RF 產生器設置在該平台組件下方。 14.如申請專利範圍第8項所述之電漿設備，其中該硬式 RF飽給線更包含： 一或多個連接器；以及 一第一銅管，係圍繞一電子傳輸接線，其中該第一銅管 與該電子傳輸接線為間隔設置，且其中該第一銅管和該電 子傳輸接線係在該或該些連接器之處藉由一介電材料而連 接在一起。 1 5.如申請專利範圍第1 4項所述之電漿設備，其中該第一 16 M359810

   銅管與該電子傳輸接線只在各連接器處連接在一起。 16. 如申請專利範圍第8項所述之電漿設備，其中該電漿設 備為一電漿加強化學氣相沉積設備。 17. 如申請專利範圍第8項所述之電漿設備，其中該硬式 RF餽給線包含不等長的二平行部分，且一垂直於該二平行 部分的部分係將該二平行部分連接在一起。

   18.如申請專利範圍第8項所述之電襞設備，其中該硬式 RF魏給線包含： 複數個第一連接器，其中該些第一連接器包含多個可拆 除之緊固件；以及 複數個第二連接器，其中該些第二連接器包含多個固定 之緊固件。 17