TWM330569U - LED seal structure - Google Patents

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TWM330569U
TWM330569U TW96216921U TW96216921U TWM330569U TW M330569 U TWM330569 U TW M330569U TW 96216921 U TW96216921 U TW 96216921U TW 96216921 U TW96216921 U TW 96216921U TW M330569 U TWM330569 U TW M330569U
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TW
Taiwan
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light
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electrode
lower portion
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TW96216921U
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Chung-Fu Chen
Cheng-Yi Chang
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Everlight Electronics Co Ltd
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M330569 八、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本創作係提出-種發光二極體封裝結構,特別關於一 種具有弯折扣於同-側的電極之結構對稱的模組化發光二 極體元件。 【先前技術】 傳統之發先二極體元件晶片之封裝,其為包含一晶粒 承載座、一電路基板之發光二極體晶粒、一第一電極及一 第二電極。其中上述第一電極位於晶粒承載座之底部,當 該晶粒與晶粒承載座接合時,發光二極體晶粒與晶粒承載 座上之第一電極接觸區電性連結,再以一打線接合完成第 -電極之電性連結。上述發光二極體其電極係位於晶粒承 載座之不同側,因此,當傳統之發光二極體晶粒在後續產 品製作階段,如錫銲製程時,因其電極係位於晶粒承載座 之不同側,常發生吃錫不良的問題,而影響產品生產的良 率而傳統之發光一極體元件其於承載座外延伸之電極金 屬片,亦會容易造成製程時整體發光二極體元件之傾斜, 除了同樣會造成吃錫不良的問題,更使後續製作的成品信 賴性不佳的缺失。故習知技術需要被改良。 【新型内容】 有鑑於此,本創作係提出一種發光二極體封裝結構, 係至少由一具有特殊形狀之長方立體的基座及彎折扣於基 座同一側的電極所構成。基座之上部、下部及底部的中央 M330569 :各具有平行凸出之突起平台。基座之頂部凹設有反射 曰二供封裝發光二極體晶片。而本創作之封裝結構的電 極係牙設於基座當中,且一部分突出顯露於反射槽中,而 組成導電支架組。其相料組成導電支架組之電極的另一 段,從基座下部穿出,並自基座下部向基座底部彎折,並 扣於基座下部與底部,而構成本創作之結構形狀對稱的發 光二極體封裝結構。 本創作之主要目的在於提供一種結構對稱之模組化的 發光二極體元件。本創作之發光二極體封裝結構利用伸出 於基座下部的電極部分,將其自基座下部向基座底部彎折 並扣於基座底部,因其彎折的部分均位於基座的同一側, 因此當後續產品在製作階段如錫銲製程時可針對基座的同 一側面進行錫銲,改善習知技術吃錫不良的問題。 “本創作之次要目的在於提供一種結構對稱之模組化的 發光二極體元件。本創作之發光二極體封裝結構因具有長 方體之對稱結構,且封裝結構之基座下部與底部的扣合的 電極部分,恰切齊於其基座之下部與底部的突起平台的突 出高度,可使本創作之發光二極體封裝結構均可以基座之 下部或基座之底部平穩置放,使得後續產品在製作階段如 錫銲製程時,本創作之發光二極體元件因可平穩置放,改 善傾斜提高產品的生產良率。 【實施方式】 本創作係提出一種發光二極體封裝結構,以下即以應 用本創作技術之一較佳實施例,配合圖示詳細說明本創作 M330569 之内容及技術。 體的基座11〇’及彎折的第一電極121肖第二電極m所構 成。基座110為形狀對稱之長方立體結構,接下來為方便 首先,配合參照第1A、1BW,係為本創作發光二極 體封裝結構之立體圖。如第1A、1B圖所示,本創作之發 光二極體封裝結構_,係、至少由―具有特殊形狀之長方立 敘述基座11G的上下前後方位,以下將以第1A所示之基座 110 ’定義基S 110的上側為其上部出,基座11〇的下側 為其下部112,基座110的前側為其頂部114,而基座110
的後側則為其底部113。該基座110之上们u、下部112 及底。p 113之中央處,各具有平行凸出之突起平纟⑽,而 於基座110之頂冑114凹設有反射槽14〇,以供封裝發光二 極體晶片。另於基座110之底部113的突起平台中央 處凹設有定位孔15G。第-電極121與第二電極122從基座 110下部112穿出的部分分別為第一彎折部121&及第二彎 折部122a。第一彎折部121a及第二彎折部ma自基座ιι〇 之下部112向底部113彎折,並分別扣於基座ιι〇之下部 112與基座11〇之底部113的同一侧。即如圖所示之本創作 實施例。 接著,配合參照第2A、2B圖,係分別為本創作發光 二極體封裝結構之AA,剖面圖及3方向側視圖。如第2A、 2B圖所示為第1A、1B圖中基座11〇的aa,剖面,本創作 之發光二極體封裝結構100的第一電極121與第二電極 122 ’係分別穿設於基座11G,且—部分突出顯露於反射槽 140中,其顯露於該反射槽14〇中的部分組成一導電支架^ 7 M330569
120。如此’可進-步將發光二極體晶片電性連接至該導電 支架組120’再透過—封裝樹脂封裝於反射槽14〇内的。如 第2B圖之基座㈣㈣方向側視圖所示,其相對於組成導 電支架組120之第—電極121及第二電極122的另一段, 係從基座U0之下部112穿出,且其外露出基座⑽㈣ 分’分別為第-彎折部121a及第二f折部ma。第一彎折 部121a及第二彎折部122a自基座11〇之下部ιΐ2向基座 110之底部113彎折,並分別扣於基座11〇之下部m與底 部113 #同-伽J ’而構成本創作之結構形狀對稱的發光二 極體封裝結構1〇〇。其中,基座110下部112之突起平台 130突起的高度’洽為第一電極121之第一彎折部1213及 第二電極122《第二彎折们22a的厚度。且基座ιι〇底部 113之突起平台130突起的高度,洽為第一電極12丨之第一 彎折部121a及第二電極122之第二彎折部122&的厚度。 藉此,本創作之發光二極體封裝結構因具有長方體之 對稱結構,且基座下部與底部的扣合的電極部分,恰切齊 於其基座之下部與底部的突起平台的突出高度,可使本創 作之發光二極體封裝結構之基座,均可以基座之下部或基 座之底部平穩置放,因此提供本創作之發光二極體元件在 後續的製作產品的階段具有較佳的特性,如:錫銲製程時 可平穩置放,改善傾斜而造成吃錫不良的情況。再者,本 創作發光二極體封裝結構之基座上部中央的突起平台,可 於生產線上模組化製作產品時,提供自動化機具吸取發光 二極體元件之吸取定位點,可改善後續成品之製作良率, 更具有產業上利用的價值。 8 M330569 雖然本創作已以一較佳實施例揭露如上,然其並非用 以限定本創作,任何熟習此技藝者,在不脫離本創作之精 神和範圍内,當可作各種之更動與潤飾,因此本創作之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 M330569 【圖式簡單說明】 為讓本創作之上述和其他目的、特徵、優點與實施例 能更明顯易懂,所附圖式之詳細說明如下: 第ΙΑ、1B圖,係為本創作發光二極體封裝結構之立 體圖。 第2 A圖,係為本創作發光二極體封裝結構之aA’剖面 圖。 第2B圖,係為本創作發光二極體封裝結構之b方向側 視圖。 【主要元件符號說明】 121 :第一電極 121 a :第一彎折部 122:第二電極 122a :第二彎折部 130 :突起平台 14〇 ·反射槽 150 :定位孔 W0 :發光二極體封裝結構 110 ·基座 111 ··上部 m 112:下部 • 113 :底部 114 :頂部 120 :導電支架組

Claims (1)

  1. M330569 九、申請專利範圍: 1 · 一種發光二極體封裝結構,至少包含·· 一基座,為一長方立體結構,於該基座之長邊的一上 部、一下部及一底部之中央處各具有平行凸出之一突起平 台,而於該基座之一頂部凹設一反射槽;以及 一第一電極、一第二電極,分別穿設於該基座且一部 分突出顯露於該反射槽中而組成一導電支架組,該第一電 極及該第二電極自該基座之該下部分別向外伸出二第一彎 折部及-第二彎折部,且該第一彎折部及該第二彎折部自 該基座之該下部向該底部彎折,而分別扣於該底部。 2·如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體封裝結 構,其中該突起平台突起於該基座之該下部的高度,洽為 心第,聲折邛及該第一彎折部扣於該基座之該下部的厚 度。 •如申睛專利範圍第1項所述之發光二極體封裝结 冓其中該大起平台突起於該基座之該底部的高度,洽為 1 考折#及該第一彎折部扣於該基座之該底部的厚 度。 4·如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體封裝結 構’其更包含一發光二極體晶片設於該反射槽中。 11 M330569
    5 ·如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結 構,其中該發光二極體晶片係透過一接合焊線(bonding wire) 電性連接至該導線架組。 6·如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝結 . 構,其更包含於該反射槽封裝一封裝樹脂。 7·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 # 構’其中該基座的該底部之該突起平台中央,更包含凹設 一定位孔。 8· —種發光二極體元件,至少包含: 一基座,為一長方立體結構,於該基座之長邊的一上 部、一下部及一底部之中夹處各具有平行凸出之一突起平 台,而於該基座之一頂部凹設一反射槽; 一第一電極、一第二電極,分別穿設於該長方體基座 • 且一部分突出顯露於該反射槽中而組成一導電支架組,該 ' 第一電極及該第二電極自談基座之該下部分別向外伸出一 . f—彎折部及-第二彎折部,且該第-,折部及該第二彎 折部自該基座之該下部向該底部彎折,而分別扣於該底 部;以及 發光-極體日日片於該反射槽中並電性連接至該 其 9·如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件, 12 M330569 ,突起平台突起於該基座之該下部的、高度,洽為該第 f折π卩及該第二彎折部扣於該基座之該下部的厚度。 iO·如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件, 其中該突起平台突起於該基座之該底部的高度,洽為該第 一彎折部及該第二彎折部扣於該基座之該下部的厚度。 11·如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件, 其中該發光二極體晶片更包含透過一接合焊線(bonding wire)電性連接至該導線架組。 12·如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件, 其更包含於該反射槽封裝一封裝樹脂。 13.如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件’ 其中該基座的該底部之該突起平台中央,更包含凹設一定 位孔。 13
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