TWM325867U - Exhaust processing device - Google Patents

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TWM325867U
TWM325867U TW96211662U TW96211662U TWM325867U TW M325867 U TWM325867 U TW M325867U TW 96211662 U TW96211662 U TW 96211662U TW 96211662 U TW96211662 U TW 96211662U TW M325867 U TWM325867 U TW M325867U
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Taiwan
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TW96211662U
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Gau-Ying Huang
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Gau-Ying Huang
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  • Treating Waste Gases (AREA)

Description

M325867 ‘ 八、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本創作與廢氣_裝置錢,尤其有關於—種可有效 去除氣狀汙染物與粒狀汙染物的麼氣處理裝置。 【先前技術】 化工廠、半導體薇與煉鋼廠在製造的過程中,或多或 乂-疋會產生廢氣’廢氣中含有對人體與環境有害的氣狀 鲁 汙染物’如硫酸、氯化氫、硝酸、氟化氫等,還有如粉塵 等的粒狀汙染物。 為了維護空氣品質’確保人體的健康,含有氣狀汗染 物與粒狀汙染物的廢氣必須經過處理將濃度降低至安全標 準才能排放’目前習知處理廢氣秘置,—般係用對應的 吸收溶液吸收氣狀汗染物,或是利用燃燒的方式將氣狀汗 染物燃燒殆盡’接著利用各種過據層,收集粒狀汙染物, 同時藉由煙_高度將未能處理乾淨的氣狀汙染物與粒狀 • 〉于染物於高空中排放’以藉由高空的氣流快速稀釋之,以 ' 使濃度降低至安全標準而減少其危害。 白知的廢氣處理裝置,其未能有效吸收處理廢氣中的 氣狀汗染物與粒狀汗染物,雖然可藉_於高空中排放廢 氣,將廢氣中的有害物質濃度降至安全範圍,但其不能真 正的過濾吸收氣狀汙染物與粒狀汗染物,仍然對人體健康 與環境有不可忽視的影響,在環保要求曰益嚴苛的現在, 其仍有改善的空間與必要。 【新型内容】 5 M325867
一 ·一,八N乳處理裝置, 置,以避免廢氣 爰此, 的氣狀汙染: 危害人體健康與環境。
道管設有-入口與-出口’該廢氣係由該入口進入該氣體 流道管,並由該出口離開該氣體流道管,該氣狀物吸收層 設於該氣體流道管内且接近該入口,又該氣狀物吸收層内 设有至少一喷灑裝置,該喷灑裝置用於喷灑一霧化的吸收 溶液,且該吸收溶液用於吸收該複數氣狀汙染物。 該除霧層設於該氣體流道管内且位於該氣狀物吸收層 之後,又該除霧層設有一多孔填充材,該多孔填充材用於 過滤該廢氣中的水氣’該高壓放電層設於該氣體流道管内 且位於該除霧層之後,又該高壓放電層設一放電元件,該 放電元件可產生一南速移動的電子群,該電子群用於撞擊 該複數粒狀汙染物,以使該複數粒狀汙染物帶電,該靜電 集塵層設於該氣體流道管内且接近該出口並位於該高壓放 電層之後,該靜電集塵層設有一極板,該極板帶有與該複 數粒狀汙染物相反的電荷,該極板用於吸引該帶電的複數 粒狀汙染物,以使該帶電的複數粒狀汙染物附著在該極板 之上。 據此,廢氣中的複數氣狀汗染物與複數粒狀汙染物, M325867 〜 分別會被該霧化的吸收溶液與該具電磁吸引力的極板所溶 解與吸附,因而其可有效過濾,以避免廢氣危害人體健康。 【實施方式】 為俾使貴委員對本創作之特徵、目的及功效,有著 更加深入之瞭解與認同,茲列舉一較佳實施例並配合圖式 說明如后: 請參閱「第1圖」所示,本創作之廢氣處理裝置,其包 含一氣體流道管10、一氣狀物吸收層20、一除霧層30、一 > 高壓放電層40與一靜電集塵層5〇,其用於處理一廢氣,該 廢氣具有複數氣狀汙染物與複數粒狀汙染物。 其中該氣體流道管10設有一入口 11與一出口 12,該廢 氣係由該入口 11進入該氣體流道管1〇,並由該出口 12離開 該氣體流道管10,該氣狀物吸收層2〇設於該氣體流道管 内且接近该入口 11,又該氣狀物吸收層2〇内設有至少一喷 灑裝置21,該贺灑裝置21用於喷灑一霧化的吸收溶液22, , 且該吸收溶液22用於吸收該複數氣狀汙染物,一般而言, 該複數氣狀汗染物為如硫酸、氣化氩、;g肖酸、氟化氫等氣 體,而該吸收溶液22為鹼性液體,因此為節省成本並讓吸 收該複數氣狀汙染物的效率維持一定水準,該氣狀物吸收 層20更可設有一PH控制器23,該PH控制器23具一PH量測元 件231與一開關控制器232,該PH量測元件231用於量測該霧 化的吸收溶液22的酸鹼度,並依據酸鹼度藉該開關控制器 232控制該喷灑裝置21是否喷灑該吸收溶液22,其可讓酸鹼 度保持在適當的數值,以發揮最大的效益。 7 M325867 - 又該氣狀物吸收層20亦可設有一吸收槽道24,該吸收槽道 24係為耐酸鹼腐蝕的材質製成,且為來回彎曲狀,該廢氣 流經該吸收槽道24,且該霧化的吸收溶液22設於該吸收槽 道24内,因而可增加吸收溶液22與氣狀汙染物的接觸時 間,以提高吸收效率。 該除霧層30設於該氣體流道管1 〇内且位於該氣狀物吸 , 收層20之後,又該除霧層30設有一多孔填充材31,該多孔 填充材31用於過濾該廢氣中的水氣,該多孔填充材31可以 B 為海綿、發泡棉等軟性多孔的材質製成,以吸收過濾水氣。 該高壓放電層40設於該氣體流道管1 〇内且位於該除霧 層30之後,又該高壓放電層40設一放電元件41,該放電元 件41可產生一高速移動的電子群411,該電子群411用於撞 擊該複數粒狀汙染物,以敲出電子,而使該複數粒狀汙染 物帶電。 該靜電集塵層50設於該氣體流道管1〇内且接近該出口 12並位於該高壓放電層40之後,該靜電集塵層50設有一極 板51,該極板51帶有與該複數粒狀汙染物相反的電荷,以 讓該極板51用於吸引該帶電的複數粒狀汙染物,以使該帶 電的複數粒狀汙染物附著在該極板51之上。又該靜電集塵 層50設有一空氣喷射元件52,該空氣喷射元件52用於喷出 咼壓氣體’將該極板51上的該複數粒狀汙染物收集至一收 集槽53 ’以避免該極板51吸受過多的粒狀汙染物而降低吸 覆效果。或者,請再參閱「第2圖」所示,該靜電集塵層50 亦可設有一震盪器54,該震盪器54用於震盪該極板51,其 8 M325867 - 同樣可以m嫌板5i上m懷汙騎收集至收觸53内。 斤述本創作藉由氣狀物吸收層2〇内霧化的吸收 溶液22,可有效率的吸收廢齡的氣狀汙染物,接著透過 該除霧層30將該廢氣中的水氣濾除,並藉該放電元件幻產 生電子群411麟複餘狀輯鱗電,以獅該極板51 有=吸職複數錄汗雜,_本齡可大量減少排放 到環境中的錄汙染物絲狀汗染物,而不必藉煙函的高 工擴放將濃度降至安全範IU,真正的敎廢麟環境造成 危害。 綜上所述僅為本新型的較佳實施例而已,並非用來限 定本新型之實施範圍,即凡依本新型申請專利範圍之内容 所為的等效變化與修飾,皆應為本新型之技術範疇。 【圖式簡單說明】 第1圖,係本創作系統構造示意圖。 第2圖,係本創作系統構造之另一實施方式示意圖。 【主要元件符號說明】 10 :氣體流道管 11 :入口 12 :出π 20 :氣狀物吸收層 21 ··喷灑裝置 22 :吸收溶液 23 : HI控制器 231 : PH量測元件 M325867 232 :開關控制器 24 :吸收槽道 30 :除霧層 31 :多孔填充材 40 :高壓放電層 41 :放電元件 411 :電子群 50 :靜電集塵層 51 :極板 52 :空氣喷射元件 53 :收集槽 54 :震盪器

Claims (1)

  1. M325867 九、申請專利範園: ^ 1、一種廢氣處理裝置,用於處理一廢氣,該廢氣具有 複數氣狀汙染物與複數粒狀汙染物,其包含: 一氣體流道管,該氣體流道管設有一入口與一出口, 該茛氣係由該入口進入該氣體流道管,並由該出口離開該 氣體流道管; 一氣狀物吸收層,該氣狀物吸收層設於該氣體流道管 I 内且接近該入口,又該氣狀物吸收層内設有至少一喷麗裝 置,該喷灑裝置用於喷灑一霧化的吸收溶液,該吸收溶液 用於吸收該複數氣狀汙染物; —除霧層,該除霧層設於該氣體流道管内且位於該氣 狀物吸收層之後,又該除霧層設有一多孔填充材,該多孔 填充材用於過濾該廢氣中的水氣; 一高壓放電層,該高壓放電層設於該氣體流道管内且 _ 位於該除霧層之後,又該高壓放電層設一放電元件,該放 電元件可產生一高速移動的電子群,該電子群用於撞擊該 複數粒狀汙染物,以使該複數粒狀汙染物帶電; 一靜電集塵層,該靜電集塵層設於該氣體流道管内且 接近該出口並位於該高壓放電層之後,該靜電集塵層設有 一極板,該極板帶有與該複數粒狀汙染物相反的電荷,該 極板用於吸引該帶電的複數粒狀汙染物,以使該帶電的複 數粒狀汙染物附著在該極板之上。 2、如申請專利範圍第1項所述之廢氣處理裝置,其中 該氣狀物吸收層更設有一PH控制器,該PH控制器具一PH量 11 M325867 二::與一開,制器,該PH量測元件用於量測該霧化的 口洛液’並驗_㈣馳繼喷難置是否 吸收溶液。 •々3如申明專利範圍第^所述之廢氣處理裝置,其中 該靜,集麟設有—錢儒元件,該空氣儒元件用於 嘴出问壓氣體’將該極板上的該複數粒狀汗染物收集至一 收集槽。 . 如申凊專利範圍第1項所述之廢氣處理裝置,其中 該靜電集塵層設有-震盪H,該震盪器用於震肋極板, 將該極板上的該複數粒狀汗染物收集至一收集槽。 5、 如申請專利範圍第1項所述之廢氣處理裝置,其中 該氣狀物吸收層設有一吸收槽道,該廢氣係流經該吸收槽 道,且該務化的吸收溶液設於該吸收槽道内。 6、 如申請專利範圍第5項所述之廢氣處理裝置,其中 該吸收槽道為來回彎曲狀。 12
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI413203B (zh) * 2008-11-07 2013-10-21 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device

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