TWM308490U - Apparatus for processing a substrate in a physical vapor deposition chamber - Google Patents

Description

M308490 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域] 本創作該等實施例大致關於基材製程系統。更明確而 & ’本創作係關於基材製程系統的化學氣相沈積處理室。 【先前技術】 物理氣相沈積（physicai vapor deposition, PVD)或濺 _ 錢為電子元件製造最常用的製程之一。物理氣相沈積為真 空處理室中執行的電漿製程，於該真空處理室中遭負偏壓 的乾材會暴露於相當高原子（例如氬）之惰性氣體或包含前 述惰性氣體之氣體混合物的電漿中。靶材受到惰性氣體離 子森擊會致使把材材料原子的彈射。彈射的原子會於該處 理室内之基材基座的基材上累積沈積薄膜。 處理室中可設置接地槽板（gr〇und shield)以協助於該 處理室内之所欲區域中界定一與基材有關的製程區域。接 地檔板可幫助將電漿限制在製程區域内。限制往製程區域 的電漿及經彈射原子有助於維持處理室中其他元件不會有 沈積材料，並在高百分比的彈射原子沈積在基材上時促進 數材材料的有效使用。 接地檔板係電性耦接至真空處理室壁，且並與乾材電 性隔絕。就其本身而論，接地檔板通常接附至真空處理室 的壁、或本體。此外，接地檔板的邊緣及靶材間會留有小 間隙’以避免電漿形成在製程區域的外側。然而，—般難 以對齊接地檔版及乾材以於其間維持小間隙，致使耗 5 M308490 維持成本。此影響在 為惡化。例如，用於 15000平方公分及以 設定及為了較佳設備操作所需付出的 為處理大基材而使用較大乾材時會更 製造面板顯示器的基材已成長至約 上。此外’未來亦已預期甚至更大的基材。 因此，業 板仍存有需求 界對用於物理氣相沈積 處理室之改良接地檔 【新型内容】 本創作係提供物理氣相沈積處理室中用於處理基材的 設備。於一實施例中，用於處理物理氣相沈積處理室之設 備具有一無材，設於一蓋組件中；以及一接地處理室壁， 包括一接地框架及一接地檔板。該接地框架係經配置以絕 緣地搞接至該蓋組件，並具有一導電下表面。該接地檔板 具有導電壁，其可經調整及電性耦接至接地框架之導電下 表面。該接地檔板係經配置以圍繞（circumscribe)靶材，且 具有一上邊緣以在組裝時於上邊緣及靶材之周圍邊緣間形 成間隙。 於另一實施例中，用於處理一基材的設備包括一處理 室，其具有一本體及一蓋組件。靶材耦接至該蓋組件。接 地框架耦接至該蓋組件並與靶材電性絕緣。該接地框架具 有一通至本體的導電路徑。導電接地檔板可調整並電性耦 接至接地框架。接地檔板係圍繞該靶材。 於本創作另一態樣中，係提供一種用於處理一基材之 方法’包括可調整地將一接地檔板耦接至一製程處理室之 6 M308490 蓋組件同時開啟該盍組件’並接著關閉該蓋組件。將基材 置入處理室中’並接著於其中形成電漿。該接地檔板可相 對於該靶材作調整’以於該接地檔板及一邊緣以及該靶材 之一飾面突出邊緣間界定出一間隙。該接地檔板更可包括 數個部段，該數個部段之各者可相對於靶材獨立調整以定 義該間隙。

【實施方式】 本創作提供一種改良之接地檔板，其可輕易耦接至物

理氣相沈積處理室之靶材、 材絕緣，且在組裝在物理氣 端。該接地檔板可與乾材輕 蓋件，藉以減低設定時間及 良的校準更可改善物理氣相 具有任一尺寸乾材的物理氣 作之接地檔板，但具較大數 因靶材增加的周圍而受惠， 對於接地檔板來維持。 第1 A圖係繪示製程處f 檔板組件111之實施例。可受 實施例為加州聖塔克拉拉市 沈積處理室。 例示性製程處理室1〇〇 組件106,以定義出可排空二 並與之對齊。該接地檔板與靶 相沈積處理室中時耦接至接地 易對齊’同時可自處理室移除 成本。接地檔板及靶材間所改 沈積製程控制的均勻性。雖然 相沈積處理室皆可受惠於本創 材之物理氣相沈積處理室更可 因其較小、一致的間隙必須相 【室100,其包括本創作一接地 惠於本創作之製程處理室1 〇 〇 AKT公司所上市之物理氣相 包括一處理室本體102及一蓋 ，製程體積160。該處理室本體 M308490 102通常由經焊接之不鏽鋼板或單塊銘製成。處理室本體 1 02通常包括數個側壁1 5 2及底部丨5 4。該等側壁丨5 2及/ 或底部154通常具有數個包括存取埠156及抽氣埠（未示出 之孔徑。其他孔徑（例如遮盤埠（shutter disk port，未示出）） 也可選擇性設於該等側壁152中及或處理室本體ι〇2之底 部154。可密封之存取埠156可作為基材進出製程處理室 100的入口及出口。抽氣埠耦接至一可排空及控制製程體 積160内壓力之抽氣系統（亦未示出）。 基材支撐件104通常設於處理室本體1〇2底部154， 並於製程期間將基材1 1 2支撐其上。該基材支撐件丨〇4通 常由紹、不鏽鋼、陶瓷或其組合物製成。轴桿丨87延伸過 處理室102底部154，並將基材支撐件1〇4耦接至升舉機 構188。升舉機構188經配置以將基材支撐件1〇4移動於 下方位置及上方位置之間。第i A圖中係將基材支撐件i 〇 4 繪示位於中間位置處。蛇腹部1 8 6通常設於基材支撐件1 〇4 及處理室底部1 54之間，並於其間提供可彎曲的密封，藉 以維持處理室體積丨6 〇的真空整體性。 亦可選擇的是，托架i 62及遮蔽框丨5 8可設於處理室 本體102内。托架162可，例如，耦接至處理室本體1〇2 之壁1 52。該遮蔽框1 5 8通常經配置以將沈積限定在基材 112之一部分，即經由遮蔽框158中心暴露出的基材。當 基材支撐件1 04移至上方位置進行製程時，基材11 2之外 緣會位於基材支撐件1 〇4上，囁合該遮蔽框】5 8並將該遮 蔽忙158舉離托架162。或者，也可選擇性使用具有其他 8 M308490 配置的遮蔽框。 基材支撐件104可移至下方位置以自基材支撐件1〇4 裝載及卸載基材。於下方位置中，基材支撐件1〇4係位於 該檔板162及埠口 156下方。基材112可接著經由側壁152 中的埠口 156自處理室100移出或放入，同時清潔該遮蔽 框1 5 8及檔板i 62。升舉銷（未示出）可選擇性經由該基材 支撑件104移動以將基材112間隔該基材支撐件ι〇4，以

利晶圓傳送裝置（設於製程處理室丨〇〇外側，例如單葉式機 器人’未示出）放置或移出基材112。 該蓋組件106大致包括一靶材164及直接與之耦接的 接地檔板組件1 1 1。於物理氣相沈積製程期間，該靶材i 可提供沈積於基材112上的材料。靶材通常包括一邊緣部 163及一中央部165。該邊緣部163設於處理室壁Η]上 方。靶材164之中央部165可突出或以朝向基材支撐件1〇4 之方向延伸。應、可理解的是也可使用包含背板之乾材，其 中該背板具有與所欲材料結合或連接之巾央部。 料也可包括材料的鄰近牌組（tiles) ;4冲奴以共同形成靶 材。亦可選擇的是’蓋組件106更可包括—磁電管ι“， 以增強製程期間靶材材料的消耗。 乾材i64及基材支撑件1〇4彼此係以電源184相互偏 塵。例如氬氣般的氣體可自氣體源、182經由—或多個孔， (未示出，通常形成在製程處理室1〇〇之壁152幻供應: 製程體積i6"。由氣體形成的電漿則位於基材ιΐ2及靶 材164之間。電漿内的離子會加速朝向靶材164,並致使 9 M308490 材料離開靶材。離開的材料會受吸引朝向基材丨丨2，並於 其上形成薄膜。 接地檔板組件1 1 1包括一接地框架1 0 8及一接地檔板 1 1 0。該接地檔板壞繞乾材1 6 4之中央部1 6 5以於該製程體 積160内界定出一製程區域，其並藉接地框架ι〇8搞接至 靶材1 6 4之周圍部分1 6 3。接地框架1 〇 8可將接地檔板1 j 〇 電性隔絕該靶材1 64，同時提供接地路徑（通常通過側壁 φ 152)予處理室100之本體102。將接地檔板110連接至蓋 組件106之一優點在於，接地檔板11〇及靶材164在將蓋 組件106置放於處理室本體1〇2上之前便可簡單且正確地 對齊，藉以減少對齊接地檔板〖丨〇與靶材丨6 4所需的時間。 此外，一旦接地檔板11 〇連接至蓋組件i 06，該蓋組件i 〇6 可輕易置放於處理室壁156上以完成組裝。因此，無需像 白知處理至般在組裝後需將接地檔板與乾材對齊，這是音 習知處理室並未有可調整之靶材/接地檔板配置。 接地檔板U0可將電聚限制在由接地檔板11〇所環繞 • 之區域内，以確保材料僅由靶材164之中央部165離開。 接地檔板U0也可協助將離開之靶材材料大致沈積在基材 U2上。如此可最大化把材的利用並保護處理室本體1〇2 的其他區域不受沈積或離開物種(或電漿)的侵蝕，藉以強 化使用壽命並減少停機時間及清潔或維持處理室所需成 本。本創作此態樣的另一優點在於可減少自處理室本體 1 0 2離開的粒子f ^丨‘，田、、士# (例如因，尤積薄膜的剝落或處理室本體 102受電聚侵襲戶斤絲aA M -7 \ 所致的離開粒子），並再沈積於基材112表 10 M308490 面，藉以改善產品品質及良率。 之接地框架1 0 8及 I 5 2間的介面。該 •者，接地框架1 0 8 蓋組件 1 0 6，只要 &材 1 6 4作調整即 10隔離乾材164。 材1 6 4之絕緣介面 II 0至處理室本體 框架108具有至本 電路徑124可包括 導電金屬線、引線、 具有一由適當導電 及本體102間的導 材中央部1 6 5及接 式耦接至接地框架 :栓、夾鉗部及類似 1 1 0更可具有一較 特徵以利調整間隙 已調整及對準靶材

第1 B圖係繪示接地檔板組件1 1 1 接地槽板110、把材164及處理室本體 接地框架108通常耦接至靶材164。或 可耦接至背板（未示出）、或其他元件或 接地檔板 1 1 0可定位並依所需相對於与 可。接地框架108通常可將接地檔板1 於一實施例中，接地框架1 0 8具有含靶 122。 接地框架1 0 8也可提供自接地檔板 102的導電路徑。於一實施例中，接地 體102側壁152的導電路徑124。該導 耦接於接地檔板11 〇及本體1 02間之一 帶及類似物。或者，接地框架1 0 8也可 材料製成的下部，以提供接地檔板11 0 電路徑124。 接地檔板11 〇係以可調整及維持靶 地檔板 11 0間之間隙 12 0的適當方 1 0 8。例如，接地檔板11 0可藉螺釘、螺 物耦接至該接地框架1 〇 8。該接地檔板 大尺寸的孔洞、狹孔或形成其中之類似 1 20。應可領會的是也可使用其他機構 1 64中央部及接地檔板11 0間之間隙1 20。 間隙1 2 0在深度上及其長度方向大致一致，亦即，靶 M308490 材164及接地檔板11 0的相對表面可形成相當平行的間 隙。就其本身而論，接地檔板〗i 〇之上邊緣通常係與靶材 1 64之中央部1 6 5的突出邊緣之適配表面相平行。應注意 的是’第1A圖（垂直或9〇度）及第a圖（約45度）所示之 接地4當板11 0及靶材1 64之各自邊緣的角度僅為說明用， 然亦可使用其他適當角度。此外，接地檔板丨丨〇可具有調 整間隙120寬度及其長度之裝置。用於調整的適當裝置可 包括螺釘組、調整螺栓、凸輪、夾鐵、間距物及類似物。 或者’或結合觀之，接地檔板110可包括能獨立相對於靶 材1 64作調整的複數段，此將於下文再作詳述。間隙1 20 通常為任何足以避免靶材1 64及接地檔板11 0間發生電弧 的寬度’以維持靶材丨64及接地檔板丨丨〇間的電漿暗區 (dark space) ’例如，避免輝光放電電漿進入間隙12〇。 第2圖係繪示該接地檔板組件Π 1之接地檔板11 0及 接地框架1 08之實施例的側視截面圖。接地檔板11 0可由 任何具有機械及電特性、真空特性且與製造製程相容的導 電材料製成。例如，接地檔板丨丨〇可由例如不鏽鋼、鋁及 類似物的導電材料製成。或者，接地檐板11 0可由非導電 性材料塗覆適當導電材料的方式（如前文所述）製成。 於一實施例中，接地檔板110包括一壁面202，其以 了維持該壁202上邊緣206及把材164中央部165之突出 邊緣208間之小間隙21〇的方式固定。該壁2〇2之上邊緣 206的形成或固定可使間隙210大致一致且於壁2〇2之邊 緣2〇6及靶材164突出邊緣208間保持平行平行。第2圖 12 M308490 應可理解也可依 1 6 4之突出邊緣 中繪不之上邊緣2 Ο 6的角度僅為例示性。 所欲使用任何角度，以大致平行於靶材 208 〇 ^ 丑食！應足以與靶材164之 中央部165保持齊平。於壁2〇2延伸過㈣164之中央部

出的該等實施例中，帛2〇2可維持大致垂直靶材164或 與靶材164保持-角度。例如，於第2圖所示實施例中， 壁202係維持大致垂直於靶材164。或者，壁2〇2可呈朝 向或遠離處理室1〇〇中心之角度。 接地檔板no係藉接地框架108與靶材164維持定 位。接地檔板11〇可以任何適當方式耦接至接地框架1〇8。 於一實施例中，一凸緣204係自接地檔板u〇之壁2〇2延 伸出。凸緣204具有一孔洞205穿通形成，以藉螺栓222 耦接至接地框架108。為促使維持間隙21〇，孔洞2〇5可尺 寸更大或呈狹孔狀以在拴緊螺栓2 2 2之前讓接地檔板n 〇 對齊靶材164。應可理解的是，也可利用其他校準及調整 機構。例如，螺釘組、調整螺栓、凸輪、夾鐵、間距物及 類似物等也可單獨或結合使用，以提供間隙210之間距的 適當調整。 此外，或者結合此處所述之其他實施例，接地檔板i i 〇 更可包括有利於沿接地檔板11 〇之上表面及靶材邊緣2 〇 6 間之邊緣作間隙210局部對齊的複數部段、模組或部件。 此可有利的補償蓋組件及/或其組裝之零件容差及精確度。 例如，第3圖係繪示第2圖之接地檔板丨丨〇連接至蓋 13 M308490 組件1 Ο 6的俯視圖。於第3 笫3圖所不κ施例中，接地檔板i j 〇 包括數個部段3 02，其可挑别u ^、』排列以％繞靶材1 64。該等部段 3 02之每一者係經由螺栓 祸接至導電框架212。數個部 段3 02可允許間隙21〇局 ^ 4^ P維持（p ’維持在接地框架丨工〇 之特定部段302鄰近區域中）。 部段3 0 2可彼此鄰把 v> 砷抵，或者，可於各部段3〇6間留 小間隙304。該間隙3〇4 應夠乍以避免電漿輝光放電 間隙3 0 4。該間隙3 0 4旛~r /ζ» & 障應可作各部段302的獨立角度調整， 以較精確地維持各部段之 ϋ2及靶材164之突出邊緣 2〇δ間的間隙210。各部 逻啄 玟302之壁202側可為平直或具 度。例如，壁2 〇 2之側 3〇6為千直（即與凸緣2〇4 對齊）或與壁202之表面312大致矛古^ 12大致垂直。或者，該

3〇8具角度，即未與凸绥W 之侧31 〇對齊（非平行）、戋 與該壁202之表面312非 ’ 非呈垂直。該側308之角度可 何足以避免「視線（line … S1ght)」通過間隙Μ*之角度， 例如’該側3 〇 8可與壁2 π 〇 * 士 J ” 土 2〇2之表面312非呈垂直。凸 之側310也可與該壁2〇2 、’ / tΛ 之表面3 1 2成非垂直。例如，該 側3 0 8及該側3丨〇可以 ° Α , 相问角度形成。於第3圖所示實施 例中’邊、緣308之角度約為45度。 各部段3 〇 2之寬声w X^ 可依特定應用而選擇。例如，若 不欲過夕零件、或若靶材及 , r 302 ^ ^ ^ °卩奴02之容差已知欲較精確 piI t. w ^ 了1又大。或者，若欲較多部段302， 則X度W可較小。實许 ,,,. 又也可依據靶材164尺寸作選擇。 例如，由於靶材丨64尺 、评 、及部段302之寬度w所控制之校 14 M308490 準所欲彈性，部段3 02之寬度W也可經選擇以平衡該等部 段所欲的全部數量。

部段3 02也應考慮接地框架1 1 0為模組系統之一部 分’以配合使用不同尺寸之靶材，藉以降低操作處理室（具 有不同尺寸之靶材）所需之零件數量及成本。應理解的是， 並非所有的部段3 02都需有相同寬度W。例如，可使用因 應具角度靶材之角落區域、或多種寬度部段之特別部段以 於該等部段302之配置中、或與不同尺寸之多乾材使用時 取得較大彈性。應更可理解的是，雖然此處所示實施例係 顯示矩形數材164，但接地檔板110及部段302也可以任 何所欲形狀（例如，多邊形或曲形）製造，以配合所使用的 乾材形狀，並維持所選擇靶材邊緣的小間隙。 再回到第2圖，於一實施例中，接地框架1 〇 8可提供 接地槽板1 1 〇及接地處理室壁1 5 2間的接地路徑，同時以 設導電框架2 1 2及絕緣板2 1 4的方式隔絕接地稽板丨丨〇與 靶材1 64。導電框架2 1 2可直接耦接至接地檔板n 〇，例如 以螺栓222的方式。接地框架108的導電部（例如，導電框 架2 1 2)可由與接地檔板11 〇相同之導電材料製成。 絕緣板2 1 4係設於蓋組件1 〇 6之導電框架2丨2及把材 1 64之間。該絕緣板2 1 4係由非導電性材料製成，並用以 電性隔絕導電框架2 1 2及靶材1 64。絕緣板2〖4可以任何 適當之製程相容方式維持定位。於第2圖所示實施例中， 絕緣板214係以數個螺栓（僅示出一螺栓220)固定於導電 框架2 1 2。該絕緣板2 14可由任何製程相容、具有適當機 15 M308490 械、電子及真空特性的材料製成。例如，絕緣板2i4可由 聚醚驗酮（polyether ether ketone，PEEK)、平斤 ’ 灰氟乙婦 (PVC)、聚四氯乙烯（PTFE)、玻璃強化塑膠（例如，G1〇)、 聚甲醛均聚物（acetal homopolymer，DELRIN⑧）及類似物製 成。

接地框架1 08係經配置以將接地檔板丨丨〇支撐定位， 並以任何適當之製程相容方式固定至靶材164。於第2圖 所示實施例中，螺栓218是用以將接地框架1〇8固定至靶 材164。絕緣環軸216可用在螺218為導電材料的實施 例中，以維持靶材164與導電框架212的電性隔絕。絕緣 環軸216可由與絕緣板214相同之材料製成。於第η圖 所示實施例中’接地㈣1〇8為一可環繞靶材之组件。然 而應可理解的A，該接地框架1G8可具有適於在組裝後將 接地檔板110相對於靶材164固定定位的替代配置。 108與接地檔板11〇連接） 導電框架2 1 2及接地處理 該蓋組件106(以接地框架 係設於處理室102之壁152上 室壁152之間的直接接觸可提供接地樓板川電性接地路 徑。該接地框架1〇8可簡單置於處理室1〇2之壁152上。 或者，數個固定物（例如螺栓、攻舲^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 灭鉗物及類似者）可用以將 蓋組件106固定至處理宮辟 处埋至壁152。亦可選擇的是，一或多 個定位銷2 3 0或其他機構可用 例傅」用以協助蓋組件j 〇6相對於處 理室102之壁152的校準及固定。 、 框架108及壁152間的 持製程體積160中的真空。 介面應夠緊，以於製程期間維 亦可選擇的是，壁152及導電 16

M308490 框架2 1 2間可設密封件’以確保壁1 5 2及導 不會有空氣沿介面泡漏。該密封件可包括襯 其他業界已知的適當機構。於第2圖所示實 件234係設於壁152及導電框架212之間， 密封。此外，密封件可選擇性用以減少製程 第1A圖中）及製程體積100外側大氣間（即％ 及接地框架10 8間之介面處）的洩漏。於一實 件2 2 8係設於接地框架1 0 8及靶材1 6 4之間 可選擇性以任何適當方式（例如數個螺栓，第 一者）將非導電性固定物226固定至導電框聋 226可由與絕緣板214相同材料製成。或者 別設於沿絕緣板2 1 4及靶材1 64、及絕緣板 架2 1 2間之介面所形成之溝槽中，而無須固 參照第1圖，通常控制器190係與製程 面連通並可對其進行控制。該控制器1 90通 處理單元（CPU)194、支援電路196及記憶體 1 9 4可為電腦處理器之任何一種，以用於控 及子處理器的工業設定中。記憶體丨9 2輕接 記憶體1 9 2或電腦可讀取媒體則可為一或 體，例如隨機存取記憶體（RAM)、唯讀記憶 碟、硬碟或任何其他形式之數位儲存器、區 器。支援電路196耦接至CPu 194以依習知 器。此等電路包括快取、電源供應器、時§ 輸出電路、子系統及類似物。該控制器丄9〇 電框架2 1 2間 墊、〇型環或 施例中，密封 以於其間形成 體積160(示於 r著蓋組件1 〇 6 施例中，密封 。該密封件2 2 8 2圖中僅示出 ί 2 1 2。固定物 ，密封件可分 2 1 4與接地框 定物226。 處理室1 0 0介 常包括一中央 192。該 CPU 制不同處理室 至 CPU 194。 多種現存記憶 體（ROM)、軟 域或遠端儲存 方式支援處理 良電路、輸入/ 可用以控制製 17 M308490 私處理室1 〇〇之操作，包括任何執行於其中的沈積製程。 因此本創作提供一種改良之接地檔板。該接地檔板係 直接耦接至盍組件，藉以有利地促進接地檔板與靶材的正 確杈準。此外，也可排除在蓋組件安裝後調整接地檔板及 靶材的而求，因在將盍組件置放於處理室之前已設定好間 隙。此外，接地檔板可包括數個部段以沿靶材周圍有更精 確的間隙杈準。再纟’亦可免除需精密加工的定位銷及/ 或部件的成本，因習知處理室未具有可調整靶材/接地檔板 配置。 雖然前述係關於本創作之該等實施例，但本創作進一 步的實施例亦可於不背離其基本精神下提出，π其範圍應 由下文申請專利範圍界定之。 【圖式簡單說明】 前述方式可詳細瞭解本創作特徵，本創作進一步的說 明可參照實施方式及附L圖- 八及附加圖不，其等若干係說明於附加申 請專利範圍。然應注意的是， 尺 附加圖不僅用於說明本案之 一般實施例，故不應視為1欸 Μ祝马其乾圍之限制，且本創作亦涵蓋 其他任何等效實施例。 第1Α圖係具有本創作 下之接地檔板的物理氣相沈積處 理室之簡化截面圖。 弟1B圖係接地檔板、知 乾材以及物理氣相沈積處理室 之處理室本體間界面的概要細節。 第2圖係接地樓板另-實施例之截面圖。 18 M308490 第3圖係第2圖接地檔板之俯視圖。 為便於瞭解，圖中儘可能以相同參考號標示相同元件

【主要元件符號說明】 100 製程處理室 102 處理室本體 104 基材支撐件 106 蓋組件 108 接地框架 110 接地槽板 111 接地檔板組件 112 基材 120 間隙 122 絕緣介面 124 導電路徑 152 側壁 154 底部 156 存取埠 158 遮蔽框 160 製程體積 162 托架 163 邊緣部 164 靶材 165 中央部 166 磁電管 182 氣體源 184 電源 186 蛇腹部 187 軸桿 188 升舉機構 190 控制器 192 記憶體 194 中央處理單元 196 支援電路 202 壁面 204 凸緣 206 上邊緣 208 突出邊緣 210 間隙 212 導電框架 214 絕緣板 216 絕緣環軸 218 螺栓 220 螺栓 19 M308490 222 螺栓 226 非導電性固定物 228 密封件 230 定位銷 234 密封件 302 部段 304 間隙 306 側 308 側 3 10 側 3 12 表面

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Claims (1)

1. M308490 ;95, 11 1 ιΐ 十、申請專利範圍： 1. 一種用於處理一置於一物理氣相沈積處理室中之基材 的設備，該處理室具有一設於一蓋組件中之靶材及一接 地檔板，其至少包含： 一本體，可提供該處理室至少一部份的導電路徑， 該本體包括：

   一壁，界定出一矩形孔徑；以及 一凸緣，自該壁往外延伸，且具有數個安裝孔穿 通其中。 2.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該壁更包括： 一 °刺σ八狀（flared)上部。 3.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該本體包括至 少一導電材料或導電塗層。

   4.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該本體包括至 少一不鏽鋼或鋁。 5.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該本體包括一 導電塗層。 6.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該等孔徑係形 21

   M308490 成於該凸緣中之狹孔（slot)。 7.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該接地檔板更 包括： 一上緣，經配置以按大致平行間隔關係與靶材之一 鄰近表面平行。

   8.如申請專利範圍第1項所述之設備，其更包含： 一接地框架，具有一下側，其經配置以與該接地檔 板之凸緣配合。 9.如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該接地框架更 包括： 一絕緣板，經配置以與接地框架之一上側配合。 1 〇.如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該絕緣板包括 聚甲酸均聚物（acetal homopolymer)、 聚醚醚酮 (polyether ether ketone，PEEK)、聚四氣乙烯（PTFE)、 聚氯乙烯（P VC)或玻璃強化塑膠之至少一者。 1 1.如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該接地框架更 包括= 一絕緣板，用以耦接至該蓋組件；以及 22

   M308490 一導電框架，經配置以配合該絕緣板。 1 2.如申請專利範圍第1 1項所述之設備，其中該導電框架 包括至少一不鏽鋼或鋁。 1 3 .如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該接地檔板更 包括：

   數個部段。 1 4.如申請專利範圍第1 3項所述之設備，其中該等部段之 各者更包括· 一導電壁，具有一表面部，其可界定該内壁之一下 方部；以及 該内壁之一上方部，鄰設於該導電壁、該上方部非 平行且非垂直於該導電壁之該表面。 15.—種用於處理一置於一物理氣相沈積處理室中之基材 的設備，該處理室具有一設於一蓋組件中之靶材及一接 地檔板，其至少包含： 一環形本體，適於提供該處理室至少一部份的導電 路徑，該本體包括： 一壁，具有一下方内表面及一上方内表面，其 中該下方内表面可界定出一矩形孔徑，而上方内表面之 23 95.11 M308490 角度係自該下方内表面朝外；以及 一凸緣，自該壁往外延伸出，且具有數個安裝 孔穿通其中。 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之設備，其中該本體更包 括： 數個部段。

   1 7 .如申請專利範圍第1 6項所述之設備，其更包括： 一接地框架，環繞（circumscribing)該本體並與該凸 緣配合。 1 8.如申請專利範圍第1 7項所述之設備，其中數個部段之 各者可相對於該接地框架獨立調整。

   1 9.如申請專利範圍第1 5項所述之設備，其中該接地檔板 包括至少一不鏽鋼或铭。 2 0 .如申請專利範圍第1 5項所述之設備，其中該接地檔板 係塗覆導電材料。 2 1 .如申請專利範圍第1 5項所述之設備，其更包括： 一導電接地框架，環繞該本體並具有一具凹槽部 24

   M308490 (notched portion)，其可經配置以接收該接地檔板之凸緣。 25