TWM305440U - Side-emitting light component - Google Patents

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TWM305440U
TWM305440U TW95210538U TW95210538U TWM305440U TW M305440 U TWM305440 U TW M305440U TW 95210538 U TW95210538 U TW 95210538U TW 95210538 U TW95210538 U TW 95210538U TW M305440 U TWM305440 U TW M305440U
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Taiwan
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emitting element
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TW95210538U
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English (en)
Inventor
Shih-Hsiung Chan
Original Assignee
Advanced Optoelectronic Tech
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M305440 八、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 特別是有關於一種薄型之 本創作係關於一種發光組件, 側面出光型發光組件。 【先前技術】 目前發絲件可㈣剌有㈣、§療衛生、驗鈔、 固化、印刷、裝飾、照明、指示或是提供背光源等一種理
想的發光7〇件為發光二極體,因為 ^ 务先一極體具有反應時間 快、使用可命長、操作溫度低 低粍電、H、控制回路 簡早、不易破碎、高耐震性、光頻譜集中、光學上的演色性 佳、組件的體積小以及無汞製程等諸多優點。當應«光二 極體作為背光源時,可提供線光^平面背光源。線光源 主要是將發光二極體排列在一直線 跟上然而,使用發光二極 體提供平面背光源,仍㈣❹線光源搭配—平面的光導 板,其中光導板會將位於光導板側面的線光源轉換為平面光 源0 、田發光一極體做為光導板的側面光源時,這時的發光組件 即為側面出光型發光組件。—種使用發光二極體作為側面出 光型發光組件10之結構示意圖如第丨圖所示。在第丨圖中, 设體40具有一出光口 42作為出光面。一導體基板Μ之大 邛分位於該殼體40内,作為發光二極體!封裝用之基板。導 體基板20延伸出殼體4〇兩側外分別具有一倒角72,使得電 A34276 108216 M3 05440 極70的兩個焊接平面與殼體4〇的出光面垂直。目前的側面 出光型發光元件,除了包含一個或是多個發光二極體丨之 外,還會加裝一個靜電放電保護元件2,例如:齊納二極體。 如第2圖所示,齊納二極體2與發光二極體丨的聯接為反並 作電路。靜電從反向進入發光元件時,電流會流經齊納二 極體2因而保護發光二極體1不會被靜電擊穿。 側面出光型發光元件的尺寸必須與光導板的厚度搭配。特 別是在掌上型或是移動式的元件中需要使用顯示器時,光導 板的厚度就因為會大幅的影響組件的尺寸而變成非常重要。 尤其疋現在的顯示元件,例如手機(m〇biie ρ]^^)、個人數字 助(PDA)王球疋位系統(GPS)或是筆記型電腦(iapt〇p pc) 的顯示器,傾向於更輕薄。當光導板的厚度降低時,側面出 光型發光組件的厚度也會跟著降低。然而,當側面出光組件 的厚度必須降低時,不可避免的其組件殼體的支撐強度也會 下降。以目前的產品,其形成方式主要是以射出成型的方式 製造设體。當侧面出光組件的厚度降低時,殼體的壁的厚度 也會跟著降低。過薄的壁會有差的支撐強度,組件的應用上 就會降低其可靠性。 然而,即使殼體可以提供較薄的壁,發光二極體與齊納二 極體的尺寸就產品的需求而言A無法跟著縮小尺寸的,因為 發光一極體的表面積與發光亮度成正相關,降低發光二極體 ^4276 108216 M305440 的尺寸無可避免的降低出光強度。另外,齊納二極體的體積 景^響到靜電放電的保護效益,降低齊納二極體的體積會減低 靜電放電的保護效益。再者,當發光組件的殼體4〇的尺寸無 限的縮小時’發光二極體焊接的基板的面積也會減少,就會 發生不易打線或甚至是無法打線的箸境,如第3圖所示。 另外,齊納二極體2與發光二極體1分別位於基板座2〇-1 及20-2同一高度平面上,對於發光元件而言,會有較低的出 光效果。這是因為齊納二極體2會吸收或是遮蔽一部分從發 光二極體1發射的光線,如第4圖所示。對於目前作為許多 平面顯示器,例如薄膜電晶體液晶顯示器,這種平面背光源 而言是不理想的。 因此,亟需設計一種側面出光型發光組件以解決上述所 屬諸多的缺點與不足。 【新型内容】 本創作之目的係提供一種側面出光型發光組件,其係將 發光二極體與靜電放電保護元件焊接至不同的平面。就出 光的方向,發光二極體較靜電放電保護元件高,也比較接 近出光面’因此靜電放電保護元件不會遮蔽或是吸收發光 二極體所發射的光線。 本創作之目的係提供一種利於生產製造之側面出光型發 光組件,其係將導體基板分成兩個部份,分別與兩個電極 相互電性連接。導體基板的兩個部份之間的分隔面並非單 一平面,可以是具有兩次或是兩次以上之轉折的平面、斜 A34276 108216 M305440 面或是曲面。這種設計可以增加發光二極體與靜電放電保 護元件的打線面積。 本創作之目的係提供一種具有突出的側面出光型發光組 件,由於侧面發光元件主要是應用在背光源元件上,會與 一光導板連接,因此突出的出光面可以與光導板有更好的 接觸,可以增進光導出至光導板的效益。另外,可以在產 品的應用與使用上做定位或是對準。 • 本創作之目的係提供一種易於脫模的側面出光型發光組 件,由於主體的底座具有易脫模的斜面,在模具脫模時會 比較容易脫模,在製造上有較佳的良率。易脫模的斜面, 主要是與主體外殼之間有不同的角度。主體外殼的外形愈 方正,愈規律,製造上愈不易脫模。易脫模的斜面,可以 讓主體的外觀降低其規律性。在本創作中,最簡單的設計 • 就是在底座的轉彎楚或是不同平面之間使用三角形的斜 面,或是在底座的兩端底部設計一接近三角型的斜面。另 • 外,主體的底座具有導圓角,在模具脫模與使用時相對於 直角不會累積雜物。 本創作之目的係提供一種出光率佳的側面出光型發光組 件,殼體出光口的兩端,從出光面方向來看,具有傾斜的 側壁,可以協助將光線導出。側壁傾斜的角度約為2_15度。 即便設於出光口的長邊,亦可以設計成具有傾斜角的側 壁。殼體出光口的形狀可以具有一個或是一個以上的導圓 角’可以增加殼體支撐強度,同時在射出成型時具有較高 的良率。 A34276 108216 M3 05440 本創作之目的係提供一種強度佳之側面出光型發光組 件,其殼體兩側具有支撐部,可以加強殼體支撐強度。 為達上述目的,本創作揭示一種侧面出光型發光組件, 其包含-導體基板、—發光:極體一靜電保護元件、一 主體以及兩電極。上述之導體基板具有-第-部份與一第 一邛伤,该第一部份與該第二部份電性隔離,該第一部份 之面積較該第二部份之面積大,該第—部份與該第二部份 位於不同平面。上述之發光二極體位於該基板之該第一部 份上。上述之靜電保護元件位於該基板之該第二部份上。 上述之主體具有一殼體位於該殼體兩側之兩個支撐部,以 及兩電極。上述之殼體位於該導體基板上,具有一開口使 得該發光二極體與該靜電保護元件位於該開口内,該發光 一極體經由該開口發射光線之方向為第一方向。上述之兩 個支撐部係用以提供該主體的支撐。上述之底座位於該基 板下。上述之電極與該發光二極體以及該靜電保護元件電 性連接,從該導體基板延伸出該主體之兩支撐部,並且彎 曲至第二方向,其中該第二方向與該第一方向垂直,使得 汶兩電極可焊接至一電路板,該開口與該電路板大致垂 直’該第一方向與該電路板大致平行。 此外,上述之殼體可以為長方體,且上述之兩電極從該 兩支撐部之同一側延伸出。上述之導體基板之第一部份相 較於該第二部份接近該出光面,導體基板之第一部份與該 第一邛份之分隔面包含至少兩次轉折面,該轉折面可為轉 折平面轉折斜面或是轉折曲面。上述之發光二極體與該 A34276 108216 M305440 靜電保護元件電性上反並聯。上述之出光口具有至少一個 導圓角,且該出光口的兩端具有傾斜的側壁,傾斜的角度 約為2-15度。上述之底座具有導圓角。上述之底座具有至 少一個三角形之斜面。 【實施方式】 本創作的一些實施例會詳細描述如下。然而,除了詳細 描述的實施例外,本創作還可以廣泛地在其他的實施例中 施行,且本創作的範圍不受限定,其以之後的申請專利範 圍為准。 再者,為提供更清楚的描述及更易理解本創作,圖示内 各部分並沒有依照其相對尺寸緣圖,某些尺寸與其他相關 尺度相比已經被誇張,不相關之細節部分也未完全繪出, 以求圖不的簡潔。 本創作之導體基板120,如第5圖所示,具有第一部份 120-1以及第二部份120_2等兩部份之電性隔離的部份。第一 部份120-1的面積較第二部份120-2的面積大,並且第一部份 120_1與第二部份120-2的高度不同,通常第一部份12〇_1較 接近出光面。第一部份120-1主要是提供發光二極體1〇1焊 接的區域,而第二部份120-2是提供給靜電放電保護元件 102焊接的區域。由於本創作是避免靜電放電保護元件 吸收或疋遮蔽發光二極體1 〇 1所發射的光線,所以較低的第 二部份120-2可以避免這類缺失與不足之處。 導體基板120之間的分隔並非是單一的平面,如圖6所 示,可以是具有兩次或是兩次以上的轉折面144,其中轉折 A34276 108216 -10- M3 05440 面144可以是平面、曲面或是斜面。這種設計讓導體基板120 的第一部份120-1與第二部份12〇_2分別具有一塊凸出以及 凹陷的區域。兩個凸出的區域可以分別提供發光二極體i i 以及靜電放電保護元件1〇2打線的區域。 相較於殼體140兩側電極17〇-1及700-2内的支撐部15〇, 有一凸出的出光面142,如7(a)圖所示,該出光面142在應用 的時候具有幾個優點。首先,由於侧面發光組件主要是應 用在一光導板的側光源,凸出的出光面可以與光導板之 間有更好的接觸,可以增進光線從發光二極體發射至光導 板的效益,因為可以降低光線從發光二極體與空氣,以及 空氣與光導板之間的反射。另外,將光導板2〇〇與側面發光 元件之間接觸的位置形成對應的凹面202,如第7(^)圖所 ' 示,這樣可以對準側面出光型組件的位置;亦即,提供了 . 較佳的對準的方式而不需要另外設計對準的制程。 主體130的底座160,如圖8所示,具有易脫模的斜面μ], • 在模具脫模時會比較容易脫模,在產品的製造上有較佳的 良率。易脫模的斜面,主要是產生與主要殼體14〇之間不同 角度的斜面。主體外殼的外形愈方正、愈規律,製造上兪 不易脫模。易脫模的斜面,可以讓主體的外觀降低其規律 性。在第八圖中,一種簡單的設計就是在底座的轉彎處或 是不同平面之間使用三角形的斜面。另一種方式,是在底 座的兩端底部設計一接近三角型的斜面。 主體110的底座160,如圖8所示,具有導圓角164,在模 具脫模與使用時相對於直角不會累積雜物。 、 A34276 108216 -11 - M305440 殼體開口丨42的兩端,如圖9所示,從出光面方向來看, 具有傾斜的側壁丨46,可以協助將光線導出。側壁146傾斜 的角度’約為2]5度。傾斜的側壁146可以增加光線從側面 出光組件發射之後向左右兩端分佈。這對於側面出光元件 的使用是相當的重要。因為從產品的設計而言,尤其是對 於移動式的掌上型電子顯示裝置,產品的尺寸與電力的消 耗是很關鍵的。當產品的尺寸與電力的消耗變成關鍵時, _ 不可能使用許多的侧面出光元件作為背光源。較可能的設 計會是盡可能的減少側面出光元件的使用,但是這會造成 光線在光導板的分佈不均勻。一種好的解決方式,是設計 側面出光元件的光場分佈傾向於左右兩端有較多的光線分 佈而出光正面的光線強度是可以降低,如圖l〇(a)〜 l〇(b)所 - 示。依照侧壁的傾斜角度,以及光線的反射原理,仿真後 . 的光場分佈如第11圖所示。實際上量測的光場分佈,與第 11圖相當接近。 _ 殼體出光口的形狀,具有一個或是一個以上的導圓角, 可以增加殼體支撐強度,同時在射出成型時具有較高的良 率。目前市面上所見的側面出光型發光組件的出光口的形 狀主要為矩形,這是因為具有最大的出光面積,但是,殼 壁的厚度就會相當的薄,整體的支撐強度就會不足。因此, 將出光口的四個角的其中一個或是一個以上形成導圓角, 可以適度的增加整體的支撐強度,而減少的出光面積並不 會對產品的應用產生重要的影響。 再者,導圓角的設計,可以讓樹脂在射出成型的製程中 -12 - A34276 M3Q5440 谷易填滿模具,產品的良率可以提升。這是因為直角或是 八他的角度,流體需要填滿模具的路徑與時間較長,製程 ㈣件不容易控制。許多設計成直角或是其他角度的產 往往3在轉角的頂端有破損或是強度不足等缺點。 兩個電極分職主體的支撐部延伸出來,分別與導體基 板的第-部份與第二部份電性的聯#,並且向出光面^ 曲。由於電極弯向出光面’電極與電路板的焊接可以讓出 • 《面與電路板的平面平行’成為所謂的侧面出光1極的 彎曲可以使用精密加工,例如衝屢的方式形成。在本創作 的設計中,兩個電極有向側面出光型組件的兩端的另一面 f曲。這種設計提供另一種使用用途,側面出光型元件的 焊接位置可以從側面的電極轉移到兩端的部位。再者,第 • 一次的彎曲可以讓電極在侧面出光型元件的侧面具有較佳 的形狀。 在本創作中所使用的發光元件可以是發光二極體,或是 • 相關的發光二極體,例如:有機發光二極體(OLED)、共振 腔發光二極體(RCLED)或者甚至是雷射半導體(LD)亦可。 發光元件的光束可以是紅外光、紅光、紅黃光、黃光、琥 珀色光、綠光、藍綠光、藍光、紫光、白光或是紫外光。 發光二極體的組成可以是砷化鎵族系的三五族化合物、磷 化鎵族系的三五族化合物、氮化鎵族系的三五族化合物或 疋其他的一六族半導體化合物。各種族系的化合物可為三 兀或是四兀材料,例如··氮化鋁銦鎵、砷化鋁銦鎵、磷化 鋁銦鎵、氮化鋁鎵、砷化鋁鎵、磷化鋁鎵、氮化銦鎵、砷 A34276 108216 •13- M305440 化銦鎵或是鱗化銦鎵等。使用的材料取決於所需發射的光 束波長。選取的光束波長愈短,所需材料的能階愈高。發 光二極體的形成一般會採用有機金屬化學氣相沉基法,其 中制程的壓力可以是低壓環境,也可以是常壓的環境。 發光元件可以是一個發光二極體或是一個以上的發光二 極體。當使用一個以上的發光二極體,可以使用相同波長 的發光二極體或是不同波長的發光二極體以混光。使用三 個發光二極體時可以考慮使用紅色、綠色以及藍色等三色 ® 光元混合成白光。當使用白光發光二極體時,可以使用藍 色發光二極體加上黃色的螢光粉混成白光,其中黃色的螢 光粉可以是乙鋁石榴石(YAG)、TAG或是以銪致活化之矽酸 鹽族群之黃色螢光粉等。另外,亦可以使用紫外光源激發 • 紅綠藍二色螢光粉提供白色光源。螢光粉的製作主要是採 . 用高溫陶瓷燒結,例如固態反應法、檸檬酸鹽凝膠法或是 共沉澱法。 Φ 靜電放電保護元件可以使用齊納二極體。齊納二極體的 形成方式可以在矽基板上分別摻雜N型導電區域p與型導電 區域以形成PN二極體,其製程為一般的半導體製程。 ‘發光一極體與靜電放電保護元件打線固接之後,還會 使用透光性的樹脂將發光二極體與靜電放電保護元件密封 在殼體内。一般會摻雜有擴散子(diffuser)182,如圖9所示。 擴散子182會將發光二極體所發射的光束散射出去,當擴散 子182均勾分佈在透光性的環氧樹脂内,可以改善出光元件 的光場分佈。與擴散子182 一起分佈在環氧樹脂内的尚有上 A34276 108216 -14- M305440 述的瑩光粉184。螢光粉184在環氧樹脂内的分佈,可以s 聚集在發光二極體表面附近,或是與擴散子182_般均勻: 分佈,或是讓螢光粉184同時提供擴散子的功能。二的 封裝後的超薄型側面出光元件,可以在出光表面增加一 聚光透鏡或是散光,提供特定用途。在本創作中,^的 形成方式可以採用射出成型的方式。 、 製造一超薄型侧面出光元件的其中一方法,包含以下之 步驟。首先,分別以有機金屬化學氣相沉基法形成發光2 極體以及半導體的光學微影與離子植入的方式形成齊納二 極體。將-金屬片衝壓後行成一包含金屬基板之導線架。 然後,將導線架放在模中以射出成型的方式形成主體γ再 度進行一次金屬衝壓,將延伸出的電極包覆主體的支撐 邛。之後,以打線將發光二極體與齊納二極體固定在金屬 基板上。接著,將環氧樹脂填入殼體内完成封裝。如有需 要螢光粉,可以先將螢光粉與環氧樹脂混合後再行封裝。 根據以上所述之創作内容,提出以下之實施例。 第一實施例。圖12(a)〜12(c)係顯示應用本創作之一實施 例,其中圖12(a)為超薄型發光組件lu的侧視圖。在本實施 例中,採用矩形的出光面,希望獲取最大出光面。圖i2(b) 係從出光面正視超薄型發光組件lu,從出光面可看出發光 元件與靜電保護元件的位置,其中兩者位置不同高度,發 光組件較接近出光面。殼體兩端側壁具有傾斜角度。在本 實施例中,傾斜較度較低,約2-5度左右。圖12(勹系從電極 焊接面正視超薄型發光組件1U。脫模斜面位於底座的兩 A34276 108216 -15- M3 05440 側’其形狀為兩邊直線,一邊是弧線。在底座兩側具有導 圓角。 第二實施例,圖13(a)〜13(c)係應用本創作之一實施例, 其中圖13⑷為超薄型出發光組件112的側視圖。圖係 從出光面正視超薄型出光組件,從出光面可看出發光元件 與靜電保護元件的位置,其中兩者位置不同高度,發光組 件較接近出光面。在本實施例中,殼體兩端側壁具有較大 傾斜角度,約5-10度左右。本實施例中,傾斜角度較大, 會有較佳的光場分佈。但是,較大的傾斜角度會造成基板 的面積減少,打線固接的面積也會減少,對於打線的難度 會增加。圖13(c)係從電極焊接面正視超薄型出光組件。脫 模斜面位於底座的兩侧,其形狀為兩邊直線,一邊是弧線。 在底座兩側具有導圓角。 第二實施例’如圖14(a)〜14(c)所示,係應用本創作之一 實施例’其中圖14(a)為超薄型出光組件113的側視圖。圖 14(b)係從出光面正視超薄型出光組件113,從出光面可看 出發光元件與靜電保護元件的位置,其中兩者位置不同高 度,發光組件較接近出光面。殼體兩端侧壁具有傾斜角度。 在本實施例中,傾斜較度較低,約2-5度左右。與電極相對 的一端之殼體的側壁亦具有傾斜角度。圖14(c)係從電極焊 接面正視超薄型出光組件。脫模斜面位於底座的兩側,其 形狀為兩邊直線,一邊是弧線。在底座兩側具有導圓角。 第四實施例,如圖15(a)〜15(c)所示,係應用本創作之一 實施例,其中圖15(a)為超薄型出光組件114的侧視圖。圖 A34276 108216 -16- M3 05440 15(b)系從出光面正視超薄型出光組件114,從出光面可看出 發光元件與靜電保護元件的位置,其中兩者位置不同高 度,發光組件較接近出光面。殼體兩端側壁具有傾斜角度。 在本實施例中,傾斜較度較低,約2-5度左右。與電極相對 的一端之殼體的侧壁亦具有傾斜角度。本實施例中,傾斜 角度較大,會有較佳的光場分佈。但是,較大的傾斜角度 會造成基板的面積減少,打線固接的面積也會減少,對於 打線的難度會增加。圖15(c)係從電極焊接面正視超薄型出 光組件。脫模斜面位於底座的兩側,其形狀為兩邊直線, 一邊是弧線。在底座兩侧具有導圓角。 第五實施例,如圖16(a)〜16(c)所示,係應用本創作之一 實施例,其中圖16(a)為超薄型出光組件115的侧視圖。圖 16(b)係從出光面正視超薄型出光組件115,從出光面可看 出發光元件與靜電保護元件的位置,其中兩者位置不同高 度,發光組件較接近出光面。在本實施例中,出光面具有 兩個導圓角。圖16(c)係從電極焊接面正視超薄型出光組 件。脫模斜面為三角形斜面,位於底座與殼體近鄰之處, 不在底座的兩側。在底座兩端具有導圓角。 第六實施例,如圖17(a)〜17(c)所示,係應用本創作之— 實施例’其中圖17⑷為超薄型出光組件116的側視圖。圖 17(b)係從出光面正視超薄型出光組件,從出光面可看出發 光凡件與靜電保護元件的位置,其中兩者位置不同高度, 發光組件較接近出光面。出光面具有兩個導圓角。殼體兩 端侧壁具有傾斜角度。在本實施例中,傾斜較度較低,約 A34276 108216 •17· M305440 2 5度左右。圖1 7(c)係從電極焊接面正視超薄型出光組件。 脫模斜面為三角形斜面,位於底座與殼體近鄰之處,不在 底座的兩側。在底座兩端具有導圓角。 第七實施例,如圖18(a)〜18(g)所示,係應用本創作之一 實施例,其中圖18(a)為超薄型出光組件117從出光面正視的 正視圖,其兩電極臨近之端部系呈平行四邊形。圖l8(b)係 從電極焊接面正視超薄型出光組件117,上方有梯形凸起, • 下方則是梯形凹陷。脫模斜面為梯形斜面,位於底座與殼 體近鄰之處。圖18(c)係從殼底正視超薄型出光組件,殼體 兩端侧壁具有傾斜角度。在本實施例中,傾斜較度較低, 約2-5度左右。圖18(d)為超薄型出光組件中間部位之剖面 圖。可以看到出光的反射面角度及電極。圖18(e)是超薄型 • 出光組件的另一侧視圖,電極在左下方,上方出光面上左 • 右有兩凸部。圖18(f)是超薄型出光組件的剖面圖。圖18(g) 是超薄型出光組件相對於電極焊接面之背面的正視圖。 參 第八實施例,如圖19(a)〜19(d)所示,係應用本創作之一 實施例,其中圖19(a)為超薄型出光組件118的侧視圖。圖 19(b)係圖19(a)之相對面正視超薄型出光組件,可看出發 光兀件與靜電保護元件的位置不同高度,發光組件較接近 出光面。殼體兩端側壁具有傾斜角度。在本實施例中,傾 斜較度較低,約2-5度左右。圖19⑷是超薄型出光組件之側 部。圖19⑷是製造超薄型出光組件時,—部分支架及超薄 型出光組件之安置情形。 第九實施例,如圖20(a)〜20(c)所示,係應用本創作之一 A34276 108216 -18- M305440 實施例,其中圖20(a)為超薄型出光組件119的側視圖。圖 20(b)系圖20(a)相對面之正視圖,上方中央有弧形凸起。殼 體兩端側壁具有傾斜角度。在本實施例中,傾斜較度較低, 約2-5度左右。圖20(c)係從出光面正視超薄型出光組件。出 光窗兩側為圓角。圖20(d)是圖20(c)相對面之正視圖。圖2〇(e) 是超薄型出光組件之侧部。 第十實施例,如圖21(a)〜21(e)所示,係應用本創作之一 實施例’其中圖21 (a)係從出光面正視超薄型出光組件11 a。 第圖21(b)係從電極焊接面正視超薄型出光組件lla,從出光 面可看出發光元件與靜電保護元件的位置,其中兩者位置 不同回度’發光組件較接近出光面。出光面具有兩個導圓 角。殼體兩端側壁具有傾斜角度。在本實施例中,傾斜較 度較低,約2-5度左右。圖21(c)係從出光面相對面正視超薄 型出光組件。圖21(d)為超薄型出光組件之側部。圖21(〇是 製造超薄型出光組件時,一部分支架及超薄型出光組件之 安置情形。 本創作之技術内容及技術特點已揭示如上,然而熟悉本 項技術之人士仍可能基於本創作之教示及揭示而作種種不 身離本創作精神之替換及修飾。因此,本創作之保護範圍 應不限於實施例所揭示者,而應包括各種不背離本創作之 替換及修飾,並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 圖1係一習知的側面出光型發光二極體的封裝結構示意 圖; A34276 108216 -19- M3 05440 圖2係習知發光二極體與靜電放電保護元件之電路圖; 圖3係習知的侧面出光型發光二極體封裝結構在尺寸縮 小後打線固晶時之示意圖; 圖4係習知側面出光型發光二極體封裝結構固晶打線後 靜電放電保護元件遮蔽或是吸收光線所產生的缺點的結構 示意圖;
圖5係本創作解決靜電放電保護元件遮蔽或是吸收光線 所產生之缺點的結構示意圖; 圖6係本創作解決打線面積不足之結構示意圖; 圖7(a)係本創作側面出光型發光二極體的封裝之外觀^吉 構示意圖; 圖7(b)係本創作側面出光型發光二極體的封裝與光4才反 結合後形成背光模組之應用的示意圖; 圖8係本創作側面出光型發光二極體的封裝結構彳則#見# 意圖; 圖9係本創作侧面出光型發光二極體的封裂剖面# f 圖; 圖10(a)係本創作侧面出光型發光二極體的封裝# $ $ 產生之光場分佈示意圖; 圖10(b)係本創作側面出光型發光二極體的封裝結$戶斤 產生之側面光場分佈示意圖; 的封裝結構所仿真 圖11係本創作側面出光型發光二極體 计异後產生之光場分佈圖, 圖12(a)〜12(c)係本創作第一實施例外觀結構示意_
-20- M305440
圖13(a)〜13(c)係本創作第二實施例外觀結構示意圖; 圖14(a)〜14(c)係本創作第三實施例外觀結構示意圖 圖15(a)〜15(c)係本創作第四實施例外觀結構示意圖 圖16(a)〜1 6(c)係本創作第五實施例外觀結構示思圖 圖17(a)〜17(c)係本創作第六實施例外觀結構示意圖 圖18(a)〜18(g)係本創作第七實施例外觀結構示意圖 圖19(a)〜19(d)係本創作第八實施例外觀結構示意圖’ 圖20(a)〜20(e)係本創作第九實施例外觀結構示意圖; 圖21(a)〜20(e)係本創作第十實施例外觀結構示意圖 【主要元件符號說明】
1 發光二極體 1〇 側面出光組件 40 殼體 70 電極 102 齊納二極體 2 齊納二極體 20-1、20-2 基板座 50支撐部 101 發光二極體 110〜119、lla側面出光組件 120 基板 120-2 第二部份 140 殼體 144 轉折面 160 底座 164 導圓角 180 環氧樹脂 120-1 第一部份 130 主體 142 出光面 150 兩側支撐部 162 脫模斜面 170-1 、170-2 電 182 擴散子 M3 05440 光導板 184 螢光粉 200
-22-

Claims (1)

  1. M305440 九、申請專利範圍: 1. 一種側面出光型發光組件,包含·· 一發光元件; 一導體基板,具有一第一部份與一第二部份,該第一 部份與該第二部份電性隔離,該第一部份之面積較=第二 部份之面積大,該第一部份與該第二部份位於不同平 其中該發光元件係位於該基板之該第一部份上,而該第一 部份系用以放置一靜電保護元件; 一主體,具有: 一殼體,位於該導體基板上,具有一 丹男 開口使得該 發光元件與該靜電保護元件位於該開口内,該發光元 件經由該開口發射光線之方向為第一方向; 兩侧支撐部位於該殼體兩侧,用以提供該主體的 支撐;以及
    一底座,位於該導體基板下;以及 兩電極,與該發光元件以及該靜電保護元件電性連 接,從該導體基板延伸出該主體之兩支撐部,並且彎曲至 第二方向,其中該第二方向與該第一方向垂直,使得該兩 電極可焊接至-電路板,該開口與該電路板大致垂直,該 第一方向與該電路板大致平行。 根據請求項1之侧面出光型發光組件,其中該殼體為長方 體。 3·根據請求項2之側面出光型發光組件,其中該兩電極從該 兩支撐部之同一側延伸出。 A34276 -23· M305440 4.根據請求項丨之侧面出光型發光組件,其中該導體基板之 第一部份相較於該第二部份接近該出光面。 5·根據請求項4之侧面出光型發光組件,其中該導體基板之 第一部份與該第二部份之分隔面包含至少兩次轉折面,該 轉折面可為轉折平面、轉折斜面或是轉折曲面。 6·根據請求項丨之側面出光型發光元件,其中該發光元件與 該靜電保護元件電性上反並聯。 藝 7·根據請求項丨之側面出光型發光元件,其中該出光口具有 至少一個導圓角,且該出光口的兩端具有傾斜的側壁,傾 斜的角度約為2-15度。 8·根據請求項1之側面出光型發光元件,其中該底座具有導 > 圓角。 、 -9·根據請求項1之側面出光型發光元件,其中該底座具有至 , 少一個三角形之斜面。 1 0 · —種側面出光型發光元件,包含: # 一導體基板,具有一第一部份與一第二部份,該第一 部份與該第二部份電性隔離,該第一部份之面積較該第二 部份之面積大,該第一部份與該第二部份位於不同平面; 一發光元件,位於該導體基板之該第一部份上; 一靜電保護元件,位於該導體基板之該第二部份上丨 一主體,具有: 一殼體,位於該導體基板上,具有一開口使得該 發光元件與該靜電保護元件位於該開口内,該發光元 件經由該開口發射光線之方向為第一方向; A34276 108216 -24- M305440 兩個支撐部位於該殼體兩側,用以提供該主體的支 撐;以及 底厘,位於該基板下
    一第一電極與一第二電極,與該發光元件以及該靜電 ’、蔓元件電性連接,從該導體基板延伸出該主體之兩支撐 部,並且彎曲至第二方向,其中該第二方向與該第一方向 垂直,使得該第一電極與該第二電極可焊接至一電路板, 與該電路板大致垂直,該第—方向與該電路板大致 平行。
    A34276 108216 -25-
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