TWI852082B

TWI852082B - 電子裝置

Info

Publication number: TWI852082B
Application number: TW111134912A
Authority: TW
Inventors: 林俊賢; 柯瑞峰; 張耕輔
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2022-03-07
Filing date: 2022-09-15
Publication date: 2024-08-11

Abstract

本揭露提供一種電子裝置，其包括面板、覆晶薄膜以及軟性電路板。面板包括第一閘極驅動電路、開關電晶體以及驅動電晶體。開關電晶體的輸出端耦接到驅動電晶體的控制端。第一閘極驅動電路用以接收交流訊號以及直流訊號並根據交流訊號與直流訊號輸出控制訊號到開關電晶體的控制端。覆晶薄膜電性連接到面板，且覆晶薄膜用以將資料訊號傳送到開關電晶體的輸入端，以及將交流訊號傳送到第一閘極驅動電路。軟性電路板電性連接到面板，且軟性電路板用以將電源訊號傳送到驅動電晶體的輸入端，以及將直流訊號傳送到第一閘極驅動電路。

Description

電子裝置

本揭露涉及一種電子裝置，特別是一種透過覆晶薄膜或軟性電路板傳送訊號的電子裝置。

電子裝置通常由一側將多種訊號提供到面板，然而，於大尺寸或解析度高的電子裝置時，可能會因電阻電容延遲(RC delay)問題而影響品質。

本揭露的一實施例提供一種電子裝置，電子裝置包括面板、覆晶薄膜以及軟性電路板。面板包括第一閘極驅動電路、開關電晶體以及驅動電晶體。開關電晶體的輸出端耦接到驅動電晶體的控制端。第一閘極驅動電路用以接收交流訊號以及直流訊號，並根據交流訊號與直流訊號輸出控制訊號到開關電晶體的控制端。覆晶薄膜電性連接到面板，且覆晶薄膜用以將資料訊號傳送到開關電晶體的輸入端，以及將交流訊號傳送到第一閘極驅動電路。軟性電路板電性連接到面板，且軟性電路板用以將電源訊號傳送到驅動電晶體的輸入端，以及將直流訊號傳送到第一閘極驅動電路。

100:面板

110:第一閘極驅動電路

112,152:時鐘訊號線

114,154:起始訊號線

116,156:重置訊號線

118,158:高電壓訊號線

119,159:低電壓訊號線

120:開關電晶體

130:驅動電晶體

140:發光元件

150:第二閘極驅動電路

160:發光電晶體

170:測試電路

200:覆晶薄膜

210:驅動晶片

300:軟性電路板

400:第一電路板

500:第二電路板

A:區域

BUF:緩衝器

CKV1,CKV2,CKV3,CKV4,CKE1,CKE2:時鐘訊號

D1:第一方向

D2:第二方向

DATA,DATA1,DATA2,DATA3:資料訊號

DL:資料線

ED:電子裝置

EL:發光訊號線

EM(1)-EM(N):發光訊號

INV:整流器

PVDD:高電壓源

PVSS:低電壓源

PX:像素

PX1,PX2,PX3:子像素

QR,QG,QB:開啟訊號

QVG:開關控制訊號

R1:工作區域

R2:周邊區域

RST,ERST:重置訊號

SCAN(1)-SCAN(N):掃描訊號

SL:掃描線

SPO(1)-SPO(N),SRO(1)-SRO(N):輸出訊號

SR,ESR:移位寄存器

STV,STE:起始訊號

TFT1,TFT2,TFT3:開關元件

VGH1,VGH2:閘極高電壓

VGL1,VGL2:閘極低電壓

圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的架構示意圖。

圖2為圖1中區域A的局部放大電路的架構示意圖。

圖3為本揭露一實施例的電子裝置的第一閘極驅動電路的局部電路架構示意圖。

圖4為本揭露一實施例的電子裝置的第二閘極驅動電路的局部電路架構示意圖。

圖5為本揭露第二實施例的電子裝置的架構示意圖。

圖6為本揭露第三實施例的電子裝置的架構示意圖。

圖7為本揭露第四實施例的電子裝置的架構示意圖。

下文結合具體實施例和附圖對本揭露的內容進行詳細描述，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

本揭露通篇說明書與申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為...」之意。當在本說明書中使用術語「包含」、「包括」和/或「具有」時，其指定了所述特徵、區域、步驟、操作和/或元件的存在，但並不排除一個或多個其他特徵、區域、步驟、操作、元件和/或其組合的存在或增加。

當元件或膜層被稱為在另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。

本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。

術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。

說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。

本揭露所述的電子裝置可包括顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。電子裝置可例如包括被動元件與主動元件等電子元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。

須知悉的是，在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。

請參考圖1、圖2與圖3。圖1為本揭露一實施例的電子裝置的架構示意圖。圖2為圖1中區域A的局部放大電路的架構示意圖。圖3為本揭露一實施例的電子裝置的第一閘極驅動電路的局部電路架構示意圖。如圖1、圖2與圖3所示，本揭露一實施例的電子裝置ED包括面板100、覆晶薄膜(chip on film)200以及軟性電路板(flexible circuit board)300。面板100可例如包括發光二極體面板(LED面板)或有機發光二極體面板OLED面板，但不以上述為限。面板100的基板(未繪示)可包括硬性材料及/或軟性材料，例如包括玻璃、石英、藍寶石、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他合適的材料或上述組合，但不限於此。覆晶薄膜200電性連接到面板100，且軟性電路板300電性連接到面板100。在一些實施例中，覆晶薄膜200與軟性電路板300可分別設置在面板100的相對兩側。舉例覆晶薄膜200可設置在面板100的下側，軟性電路板300可設置在面板100的上側，且覆晶薄膜200及軟性電路板300分別與面板100連接，但不以此為限。

面板100具有工作區域R1及周邊區域R2，周邊區域R2鄰近工作區域R1，例如周邊區域R2可位在工作區域R1的周圍或至少一側，但不以此為限。工作區域R1可根據電子裝置的應用而不同，例如包括顯示區、偵測區、觸控區、發光區、其他應用或上述之組合。面板100可包括第一閘極驅動電路110、開關電晶體120以及驅動電晶體130，但不限於此。第一閘極驅動電路110可設置在周邊區域R2且電性連接到覆晶薄膜200與軟性電路板300。第一閘極驅動電路110可設置在位於工作區域R1的一側(例如左側或右側)的周邊區域R2內，但不以此為限。在一些實施例中，面板100可包括兩個第一閘極驅動電路110，分別設置在位於工作區域R1相對兩側(例如左側及右側)的周邊區域R2內，且各第一閘極驅動電路110可分別電性連接到不同的覆晶薄膜200與軟性電路板300，但不以此為限。開關電晶體120及驅動電晶體130可設置在工作區域R1內。具體而言，面板100可包括多個像素PX例如以多個行(column)與多個列(row)的陣列方式設置在工作區域R1內，但不限於此。像素PX可例如包括多個子像素(例如子像素PX1、子像素PX2及/或子像素PX3)。在一些實施例中，子像素PX1、子像素PX2及/或子像素PX3可分別為紅色子像素、綠色子像素及/或藍色子像素，但不以此為限，可根據其他需求包括其他不同顏色的子像素。各像素PX中的多個子像素可分別包括開關電晶體120及驅動電晶體130。開關電晶體120及驅動電晶體130分別具有控制端、輸入端與輸出端，其中開關電晶體120或驅動電晶體130的控制端可例如為閘極，輸入端可為源極與汲極的其中一個，而輸出端可為源極與汲極的其中另一個，但不以此為限。開關電晶體120的輸出端耦接到驅動電晶體130的控制端。在一些實施例中，開關電晶體120及/或驅動電晶體130可例如為薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)，但不以此為限。

第一閘極驅動電路110用以接收交流訊號(例如時鐘訊號(例如CKV1、CKV2、CKV3或CKV4)、起始訊號STV及/或重置訊號RST)以及直流訊號(例如閘極高電壓VGH1與閘極低電壓VGL1)，並根據交流訊號與直流訊號輸出控制訊號(例如掃描訊號)到開關電晶體120的控制端。具體而言，以圖3所示的第一閘極驅動電路110為例，第一閘極驅動電路110可包括多條時鐘訊號線112、起始訊號線114、重置訊號線116、高電壓訊號線118、低電壓訊號線119及/或多個移位寄存器SR，其中第一閘極驅動電路110可例如為掃描驅動電路(scan driver)，用以提供掃描訊號。多條時鐘訊號線112可例如將所接收的時鐘訊號CKV1、時鐘訊號CKV2、時鐘訊號CKV3及時鐘訊號CKV4分別傳送到多個移位寄存器SR，例如多條時鐘訊號線112的其中兩條可將所接收的時鐘訊號CKV1、時鐘訊號CKV2、時鐘訊號CKV3及時鐘訊號CKV4的其中兩個分別傳送到多個移位寄存器SR的其中一個，但不限於此。多個移位寄存器SR的其中一個可透過起始訊號線114接收起始訊號STV，重置訊號線116將所接收的重置訊號RST傳送到多個移位寄存器SR，高電壓訊號線118將所接收的閘極高電壓VGH1傳送到多個移位寄存器SR，且低電壓訊號線119將所接收的閘極低電壓VGL1傳送到多個移位寄存器SR，但不限於此。須特別注意的是，在本揭露中所指的時鐘訊號CKV1、時鐘訊號CKV2、時鐘訊號CKV3、時鐘訊號CKV4、起始訊號STV及/或重置訊號RST例如為交流訊號，閘極高電壓VGH1及/或閘極低電壓VGL1例如為直流訊號。

多個移位寄存器SR可根據上述的時鐘訊號(例如時鐘訊號CKV1、時鐘訊號CKV2、時鐘訊號CKV3及/或時鐘訊號CKV4)、起始訊號STV、重置訊號RST、閘極高電壓VGH1與閘極低電壓VGL1分別產生輸出訊號SPO(1)、輸出訊號SPO(2)、輸出訊號SPO(3)...至輸出訊號SPO(N)，且可例如(但不限於)經由整流器INV及/或緩衝器BUF以分別輸出掃描訊號SCAN(1)、掃描訊號SCAN(2)、掃描訊號SCAN(3)、...至掃描訊號SCAN(N)到所連接的開關電晶體120的控制端。舉例而言，電子裝置ED的面板100可包括多條掃描線SL，且第一閘極驅動電路110可例如將輸出的掃描訊號SCAN(1)、掃描訊號SCAN(2)、掃描訊號SCAN(3)、...至掃描訊號SCAN(N)分別透過對應的掃描線SL傳送到各像素PX的子像素(例如子像素PX1、子像素PX2及/或子像素PX3)的開關電晶體120的控制端(如圖2所示)。N可為正整數，例如N可為1080且移位寄存器SR的數量可對應為1080個，但不以此為限。此外，移位寄存器SR所產生的輸出訊號SPO(1)、輸出訊號SPO(2)、輸出訊號SPO(3)、...至輸出訊號SPO(N-1)可例如作為下一級移位寄存器SR的起始脈衝訊號(start pulse output)，但不以此為限。在一些實施例中，各移位寄存器SR中還可包括緩衝器(未繪示)，前述的緩衝器BUF及/或移位寄存器SR中的緩衝器可用以增強並推動訊號，但不以此為限。圖3所示的第一閘極驅動電路110僅為舉例，但不限於此。

在一些實施例中，覆晶薄膜200可用以將資料訊號DATA傳送到開關電晶體120的輸入端，以及將交流訊號(例如時鐘訊號、起始訊號及/或重置訊號)傳送到第一閘極驅動電路110，但不限於此。具體而言，電子裝置ED的面板100可包括多條資料線DL，如圖2所示，掃描線SL可例如沿著第一方向D1延伸，資料線DL可例如沿著第二方向D2延伸，第一方向D1與第二方向D2舉例可大致互相垂直，但不以此為限。覆晶薄膜200可例如將資料訊號DATA透過對應的資料線DL分別傳送到各像素PX的子像素中的開關電晶體120的輸入端。如圖1所示，在一些實施例中，覆晶薄膜200可將時鐘訊號CKV1、時鐘訊號CKV2、時鐘訊號CKV3、時鐘訊號CKV4、起始訊號STV及/或重置訊號RST透過走線傳送到第一閘極驅動電路110，但不限於此。在一些實施例中，資料訊號DATA可包括資料訊號DATA1、資料訊號DATA2及/或資料訊號DATA3，覆晶薄膜200可例如將資料訊號DATA1透過對應的資料線DL傳送到紅色子像素PX1、將資料訊號DATA2透過對應的資料線DL傳送到綠色子像素PX2及/或將資料訊號DATA3透過對應的資料線DL傳送到藍色子像素PX3，但不以此為限。在一些實施例中，如圖1所示，覆晶薄膜200可包括驅動晶片210，驅動晶片210可用以提供資料訊號DATA，但不以此為限。在一些實施例中，如圖1所示，電子裝置ED更可包括第一電路板400，第一電路板400可電性連接到覆晶薄膜200，且第一電路板400可用以提供一些交流訊號(如時鐘訊號CKV1、時鐘訊號CKV2、時鐘訊號CKV3、時鐘訊號CKV4、起始訊號STV及/或重置訊號RST)，並將此些交流訊號透過覆晶薄膜200傳送到第一閘極驅動電路110，但不以此為限。

在一些實施例中，軟性電路板300可用以將電源訊號(例如高電壓源PVDD及/或低電壓源訊號PVSS)傳送到驅動電晶體130的輸入端，及/或將直流訊號(例如閘極高電壓VGH1與閘極低電壓VGL1)傳送到第一閘極驅動電路110，但不限於此。具體而言，軟性電路板300可將高電壓源PVDD及低電壓源PVSS傳送到各像素PX的子像素，例如可將高電壓源PVDD透過走線(未繪示)傳送到像素PX的子像素(例如子像素PX1、子像素PX2或子像素PX3)的驅動電晶體130的輸入端，且將低電壓源PVSS透過走線(未繪示)提供到像素PX的子像素(例如子像素PX1、子像素PX2或子像素PX3)的驅動電晶體130的輸出端。在一些實施例中，軟性電路板300可將閘極高電壓VGH1與閘極低電壓VGL1分別透過走線(未繪示)傳送到第一閘極驅動電路110，但不限於此。在一些實施例中，如圖1所示，電子裝置ED更可包括第二電路板500，第二電路板500可電性連接到軟性電路板300，且第二電路板500可用以提供電源訊號(如高電壓源PVDD或低電壓源 PVSS)，並將電源訊號透過軟性電路板300傳送到驅動電晶體130的輸入端。在一些實施例中，第二電路板500可用以提供直流訊號(如閘極高電壓VGH1及/或閘極低電壓VGL1)，並將直流訊號(如閘極高電壓VGH1及/或閘極低電壓VGL1)透過軟性電路板300傳送到第一閘極驅動電路110，但不限於此。

本揭露中所述的電源訊號或直流訊號可例如為大電流訊號，而交流訊號與資料訊號可例如為小電流訊號，但不限於此。根據上述電子裝置ED的架構設計，透過設置在例如面板100的上側的軟性電路板300傳送具較大電流的電源訊號及/或直流訊號，並透過設置在例如面板100的下側的覆晶薄膜200傳送具較小電流的交流訊號及/或資料訊號，可增加傳送訊號的靈活性，有利於訊號傳送的設計彈性，但不限於此。

請參考圖1、圖2與圖4。圖4為本揭露一實施例的電子裝置的第二閘極驅動電路的電路架構局部示意圖。如圖1、圖2與圖4所示，在一些實施例中，電子裝置ED的面板100的各像素PX的子像素(例如子像素PX1、子像素PX2或子像素PX3)可包括發光元件140(示於圖2)，且驅動電晶體130的輸出端可耦接到發光元件140，以使發光元件140可接收自軟性電路板300傳送的電源訊號，例如來自軟性電路板300所傳送到驅動電晶體130的高電壓源PVDD可例如傳送到發光元件140的一端，而來自軟性電路板300所傳送的低電壓源PVSS可例如傳送到發光元件140的另一端，但不以此為限。再者，電子裝置ED的面板100可包括第二閘極驅動電路150及/或發光電晶體160。在一些實施例中，第二閘極驅動電路150可設置在周邊區域R2且電性連接到覆晶薄膜200及/或軟性電路板300，例如第二閘極驅動電路150可設置在位於工作區域R1的一側(例如左側或右側)的周邊區域R2內，且可設置在第一閘極電路110的一側，例如第一閘極電路110可位在第二閘極驅動電路150與工作區域R1之間，但不以此為限。在一些實施例中(未繪示)，第二閘極驅動電路150可例如位在第一閘極電路110與工作區域R1之間。在一些實施例中，面板100可包括多個第二閘極驅動電路150，例如包括兩個第二閘極驅動電路150，分別設置在位於工作區域R1的兩側(例如左側及右側)的周邊區域R2內，且兩個第二閘極驅動電路150可分別電性連接到不同的覆晶薄膜200及/或軟性電路板300，但不以此為限。在一些實施例中，發光電晶體160可設置在工作區域R1內，具體而言，各像素PX的子像素(例如子像素PX1、子像素PX2或子像素PX3)可包括發光電晶體160，發光電晶體160具有控制端、輸入端與輸出端。在一些實施例中，發光電晶體160的控制端可例如為閘極，且輸入端可為源極與汲極的其中一個，而輸出端可為源極與汲極的其中另一個，但不以此為限。在一些實施例中，驅動電晶體130的輸出端可耦接到發光電晶體160的輸入端，且發光電晶體160的輸出端可耦接到發光元件140，但不限於此。在一些實施例中，發光電晶體160可例如為薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)，但不以此為限。

如圖1及圖4，在一些實施例中，第二閘極驅動電路150可用以接收另一交流訊號(例如時鐘訊號(例如CKE1或CKE2)、起始訊號STE及/或重置訊號ERST)以及另一直流訊號(例如閘極高電壓VGH2及/或閘極低電壓VGL2)，並根據此另一交流訊號與此另一直流訊號輸出另一控制訊號(例如發光訊號)到發光電晶體160的控制端，但不限於此。具體而言，以圖4所示的第二閘極驅動電路150為例，第二閘極驅動電路150可包括多條時鐘訊號線152、起始訊號線154、重置訊號線156、高電壓訊號線158、低電壓訊號線159及/或多個移位寄存器ESR，其中第二閘極驅動電路150可例如為發光驅動電路(emission driver)，用以驅動發光元件140作動。在一些實施例中，多條時鐘訊號線152可將所接收的時鐘訊號CKE1及時鐘訊號CKE2分別傳送到多個移位寄存器ESR。在一些實施例中，多個移位寄存器ESR的其中一個可透過起始訊號線154接收起始訊號STE，重置訊號線156可將所接收的重置訊號ERST傳送到多個移位寄存器ESR，高電壓訊號線158可將所接收的閘極高電壓VGH2傳送到多個移位寄存器ESR，低電壓訊號線159可將所接收的閘極低電壓VGL2傳送到多個移位寄存器ESR。本揭露中所指的時鐘訊號CKE1、時鐘訊號CKE2、起始訊號STE及/或重置訊號ERST可例如為交流訊號，而閘極高電壓VGH2及/或閘極低電壓VGL2可例如為直流訊號。

在一些實施例中，多個移位寄存器ESR可根據上述的時鐘訊號CKE1、時鐘訊號CKE2、起始訊號STE、重置訊號ERST、閘極高電壓VGH2及/或閘極低電壓VGL2產生輸出訊號SRO(1)、輸出訊號SRO(2)、輸出訊號SRO(3)、...至輸出訊號SRO(N)，且可例如(但不限於)經由緩衝器BUF以分別輸出發光訊號EM(1)、發光訊號EM(2)、發光訊號EM(3)、...至發光訊號EM(N)到所連接的發光電晶體160的控制端，藉此可透過發光電晶體160以控制發光元件140的開啟或關閉，但不限於此。舉例而言，電子裝置ED可包括多條發光訊號線EL，且第二閘極驅動電路150可將輸出的發光訊號EM(1)、發光訊號EM(2)、發光訊號EM(3)、...至發光訊號EM(N)分別透過對應的發光訊號線EL傳送到各像素PX的子像素(例如子像素PX1、子像素PX2或子像素PX3)的發光電晶體160的控制端(如圖2所示)。其中，N可為正整數，例如N可為1080且移位寄存器ESR的數量可對應為1080個，但不以此為限。在一些實施例中，移位寄存器ESR所產生的輸出訊號SRO(1)、輸出訊號SRO(2)、輸出訊號SRO(3)、...至輸出訊號SRO(N-1)可例如作為下一級移位寄存器ESR的起始脈衝訊號(start pulse output)，但不以此為限。

在一些實施例中，覆晶薄膜200可例如將時鐘訊號CKE1、時鐘訊號CKE2、起始訊號STE及/或重置訊號ERST等交流訊號透過所對應的走線(未繪示) 傳送到第二閘極驅動電路150，但不限於此。在一些實施例中，軟性電路板300可將閘極高電壓VGH2及/或閘極低電壓VGL2等直流訊號透過所對應的走線(未繪示)傳送到第二閘極驅動電路150，但不限於此。在一些實施例中，如圖1所示，電子裝置ED的第一電路板400可用以提供交流訊號(如時鐘訊號CKE1、時鐘訊號CKE2、起始訊號STE與重置訊號ERST)，並將此些交流訊號透過覆晶薄膜200傳送到第二閘極驅動電路150，但不以此為限。在一些實施例中，電子裝置ED的第二電路板500可用以提供直流訊號(如閘極高電壓VGH2與閘極低電壓VGL2)，並將直流訊號透過軟性電路板300傳送到第二閘極驅動電路150，但不以此為限。

如圖1與圖2所示，在一些實施例中，電子裝置ED的面板100更可包括測試電路170，測試電路170可例如耦接到各像素PX的子像素(例如子像素PX1、子像素PX2或子像素PX3)的發光元件140，用以對各像素PX的子像素(例如子像素PX1、子像素PX2或子像素PX3)進行測試。具體而言，測試電路170可包括多個開關元件，例如可包括開關元件TFT1、開關元件TFT2及/或開關元件TFT3，分別電連接至對應到每一列的像素PX的子像素(例如子像素PX1、子像素PX2或子像素PX3)，其中開關元件TFT1、開關元件TFT2及/或開關元件TFT3可例如為薄膜電晶體，但不以此為限。在一些實施例中，測試電路170可例如接收自覆晶薄膜200傳送的開關控制訊號QVG、開啟訊號QR、開啟訊號QG及/或開啟訊號QB。開關控制訊號QVG可例如傳送到開關元件TFT1、開關元件TFT2及/或開關元件TFT3的控制端，用以控制其開啟或關閉。開啟訊號QR可例如傳送到開關元件TFT1的輸入端，開啟訊號QG可例如傳送到開關元件TFT2的輸入端，開啟訊號QB可例如傳送到開關元件TFT3的輸入端，但不限於此。當開關元件TFT1開啟時，可透過對應的或所連接的資料線DL傳送開啟訊號QR到紅色子像素(例如子像素PX1)，以控制對應一列的子像素中的紅色子像素(例如子像素PX1)中的發光元件140開啟；當開關元件TFT2開啟時，可透過對應的或所連接的資料線DL傳送開啟訊號QG到綠色子像素(例如子像素PX2)，以控制對應一列的子像素中的綠色子像素(例如子像素PX2)中的發光元件140開啟；當開關元件TFT3開啟時，可透過對應的資料線DL傳送開啟訊號QB到藍色子像素(例如子像素PX3)，以控制對應一列的子像素中的藍色子像素(例如子像素PX3)中的發光元件140開啟。透過上述設計，可使用測試電路170對面板100中的子像素進行測試，且在測試完成後，可選擇性關閉或移除測試電路170，但不以此為限。

請參考圖5，並配合圖3與圖4。圖5為本揭露第二實施例的電子裝置的架構示意圖。在一些實施例中，如圖5、圖3與圖4所示，覆晶薄膜200可用以將起始訊號STV(交流訊號)傳送到第一閘極驅動電路110，且在第一閘極驅動電路110中的多個移位寄存器SR的其中一個透過起始訊號線114接收起始訊號STV，而此移位寄存器SR可相較於其他移位寄存器SR更靠近覆晶薄膜200。因此，接收起始訊號STV的第一級的移位寄存器SR所對應輸出的掃描訊號SCAN(1)與其對應的掃描線SL可最為靠近覆晶薄膜200，而最後一級的移位寄存器SR所對應輸出的掃描訊號SCAN(N)與其對應的掃描線SL可最為遠離覆晶薄膜200，但不限於此。或者最後一級的移位寄存器SR所對應輸出的掃描訊號SCAN(N)與其對應的掃描線SL可例如最為靠近軟性電路板300，但不限於此。在一些實施例中，覆晶薄膜200可用以將起始訊號STE傳送到第二閘極驅動電路150，且在第二閘極驅動電路150中的多個移位寄存器ESR的其中一個透過起始訊號線154接收起始訊號STE，而此移位寄存器ESR可相較於其他移位寄存器ESR更靠近覆晶薄膜200。因此，接收起始訊號STE的第一級的移位寄存器ESR所對應輸出的發光訊號EM(1)與其對應的發光訊號線EL可例如最為靠近覆晶薄膜200，而最後一級的移位寄存器ESR所對應輸出的發光訊號EM(N)與其對應的發光訊號線EL可例如最為遠離覆晶薄膜200，但不限於此。或者最後一級的移位寄存器ESR所對應輸出的發光訊號EM(N)與其對應的發光訊號線EL可最為靠近軟性電路板300，但不限於此。透過上述設計，本實施例中電子裝置ED的面板100的掃描方式可為由最靠近覆晶薄膜200處(例如下側)往最靠近軟性電路板300處(例如上側)進行，此由下到上的掃描方式可例如稱為反向掃描。透過使第一閘級驅動電路110所輸出掃描訊號SCAN(1)的起始端鄰近於用以傳送起始訊號STV的覆晶薄膜200，可減少訊號傳送的路徑，以提升訊號的傳送效率或品質。另外，透過使第二閘級電路150所輸出發光訊號EM(1)的起始端鄰近於用以傳送起始訊號STE的覆晶薄膜200，可減少訊號傳送的路徑，以提升訊號的傳送效率或品質。

請參考圖6，並配合圖3與圖4。圖6為本揭露第三實施例的電子裝置的架構示意圖。在一些實施例中，如圖6、圖3與圖4所示，軟性電路板300可例如用以將起始訊號STV傳送到第一閘極驅動電路110，且在第一閘極驅動電路110中的多個移位寄存器SR的其中一個透過起始訊號線114接收起始訊號STV，而此移位寄存器SR可例如相較於其他移位寄存器SR更靠近軟性電路板300，但不限於此。因此，接收起始訊號STV的第一級的移位寄存器SR所對應輸出的掃描訊號SCAN(1)與其對應的掃描線SL可例如最為靠近軟性電路板300，而最後一級的移位寄存器SR所對應輸出的掃描訊號SCAN(N)與其對應的掃描線SL例如可最為遠離軟性電路板300，但不限於此。或者最後一級的移位寄存器SR所對應輸出的掃描訊號SCAN(N)與其對應的掃描線SL可最為靠近覆晶薄膜200。在一些實施例中，軟性電路板300可用以將起始訊號STE傳送到第二閘極驅動電路150，且在第二閘極驅動電路150中的多個移位寄存器ESR的其中一個透過起始訊號線154接收起始訊號STE，而此移位寄存器ESR可例如相較於其他移位寄存器ESR更靠近軟性電路板300。因此，接收起始訊號STE的第一級的移位寄存器ESR所對應輸出的發光訊號EM(1)與其對應的發光訊號線EL可例如最為靠近軟性電路板300，而最後一級的移位寄存器ESR所對應輸出的發光訊號EM(N)與其對應的發光訊號線EL可例如最為遠離軟性電路板300，但不限於此。或者最後一級的移位寄存器ESR所對應輸出的發光訊號EM(N)與其對應的發光訊號線EL可最為靠近覆晶薄膜200，但不限於此。透過上述設計，本實施例中電子裝置ED的面板100的掃描方式可為由最靠近軟性電路板300處(例如上側)往最靠近覆晶薄膜200處(例如下側)進行，此由上到下的掃描方式可稱為正向掃描。透過使第一閘級驅動電路110輸出掃描訊號SCAN(1)的起始端鄰近於用以傳送起始訊號STV的軟性電路板300，可減少訊號傳送的路徑，以提升訊號的傳送效率或品質。另外，透過使第二閘級電路150輸出發光訊號EM(1)的起始端鄰近於用以傳送起始訊號STE的軟性電路板300，可減少訊號傳送的路徑，以提升訊號的傳送效率或品質。

在一些實施例中，如圖5或圖6所示，位在面板100的兩側(例如左右兩側)的兩個第一閘級驅動電路110可例如同時驅動所電連接的掃描線，以分別由兩側(例如左右兩側)往中間逐列提供掃描訊號SCAN(1)至掃描訊號SCAN(N)，但不限於此。在一些實施例中，位在面板100的兩側(例如左右兩側)的兩個第二閘級驅動電路150可同時驅動以由的兩側(例如左右兩側)往中間逐列提供發光訊號EM(1)至發光訊號EM(N)，但不限於此。透過上述設計，電子裝置ED的面板100的掃描方式可架構為相向式(head-to-head)逐列掃描，但不以此為限。

請參考圖7。圖7為本揭露第四實施例的電子裝置的架構示意圖。在一些實施例中，如圖7所示，位在面板100的兩側(例如左右兩側)的兩個第一閘級驅動電路110可例如獨立驅動，例如位在面板100的右側的第一閘級驅動電路110可由右往左提供奇數列的掃描訊號SCAN(1)至掃描訊號SCAN(N-1)等，而位在面板100的左側的第一閘級驅動電路110可由左往右提供偶數列的掃描訊號SCAN(2)至掃描訊號SCAN(N)等，但不限於此。在其他實施例(未繪示)，例如位在面板100的右側的第一閘級驅動電路110可由右往左提供偶數列的掃描訊號SCAN(2)至掃描訊號SCAN(N)等，而位在面板100的左側的第一閘級驅動電路110可由左往右提供奇數列的掃描訊號SCAN(1)至掃描訊號SCAN(N-1)等，但不限於此。在其他實施例(未繪示)，位在面板100的右側的第一閘級驅動電路110所連接的掃描線的數量可例如相同或不同於位在面板100的左側的第一閘級驅動電路110連接的掃描線的數量，但不限於此。

在一些實施例中，位在面板100的不同側(例如左右兩側)的兩個第二閘級驅動電路150可例如獨立驅動，例如位在面板100的右側的第二閘級驅動電路150可由右往左提供奇數列的發光訊號EM(1)至發光訊號EM(N-1)等，而例如位在面板100的左側的第二閘級驅動電路150可由左往右提供偶數列的發光訊號EM(2)至發光訊號EM(N)等，但不限於此。在其他實施例(未繪示)，例如位在面板100右側的第二閘級驅動電路150可由右往左提供偶數列的發光訊號EM(2)至發光訊號EM(N)等，而位在面板100的左側的第二閘級驅動電路150可由左往右提供奇數列的發光訊號EM(1)至發光訊號EM(N-1)等，但不限於此。在其他實施例(未繪示)，位在面板100的右側的第二閘級驅動電路150所連接的發光訊號線的數量可例如相同或不同於位在面板100的左側的第二閘級驅動電路150連接的發光訊號線的數量，但不限於此。

透過上述設計，電子裝置ED的面板100的掃描方式可架構為交錯式(interlace)掃描，但不以此為限。此外，在圖7所示的電子裝置ED中，是由覆晶薄膜200將起始訊號STV傳送到第一閘極驅動電路110及/或將起始訊號STE傳送到第二閘極驅動電路150，而面板100的掃描方式可例如為由最靠近覆晶薄膜200處(例如下側)往最靠近軟性電路板300處(例如上側)進行，即面板100的掃描方式為反向掃描，但不限於此。在其他實施例中也可改為由軟性電路板300將起始訊號STV傳送到第一閘極驅動電路110及/或將起始訊號STE傳送到第二閘極驅動電路150，而面板100的掃描方式可例如為由最靠近軟性電路板300處(例如上側)往最靠近覆晶薄膜200處(例如下側)進行，即面板100的掃描方式可為正向掃描，但不限於此。

綜上所述，根據本揭露的電子裝置，透過覆晶薄膜及/或軟性電路板分別提供訊號，且覆晶薄膜及/或軟性電路板例如分別設置在面板的不同側，可增加傳送訊號與走線配置的靈活性。此外，透過電子裝置中元件在空間上的排列與分配，可提升訊號的傳送效率或品質。

以上所述僅為本揭露的實施例而已，並不用於限制本揭露，對於本領域的技術人員來說，本揭露可以有各種更改和變化。凡在本揭露的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本揭露的保護範圍之內。