KR20230023468A - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 개시의 실시예들은, 표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 다수의 데이터 라인들, 다수의 게이트 라인들, 다수의 서브픽셀들을 포함하고, 상기 다수의 서브픽셀들 각각은 구동 트랜지스터와 발광소자를 포함하며, 상기 다수의 서브픽셀들과 전기적으로 연결되는 다수의 기준전압 라인들을 포함하는 표시패널, 및 상기 다수의 게이트 라인들에 게이트 신호를 공급하기 위해 구성된 게이트 구동 회로를 포함하고, 상기 게이트 구동 회로가 상기 다수의 서브픽셀들 중 어느 하나의 서브픽셀에 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 인가하는 동안, 상기 어느 하나의 서브픽셀과 전기적으로 연결된 기준전압 라인의 전압 상승 기울기가 작아졌다가 복원되는 기간이 3회 이상 존재하는 표시장치를 제공함으로써, 표시패널에 인가되는 고전위 구동전압의 전압 레벨을 최소한으로 낮춘 표시장치를 제공할 수 있다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시의 실시예들은 표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하는 표시장치에 대한 다양한 요구가 증가하고 있으며, 액정 표시장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display; OLED Display) 등과 같은 다양한 유형의 표시장치가 활용되고 있다.
이러한 표시장치는 다수의 서브픽셀이 포함된 표시패널을 포함하며, 다수의 서브픽셀을 구동하기 위해 표시패널에는 고전위 구동전압(EVDD)이 인가된다.
한편, 이러한 고전위 구동전압(EVDD)은 높은 전압 레벨로 표시패널에 인가되는데, 고전위 구동전압(EVDD)의 전압 레벨을 적절히 낮추어 표시패널에 공급하는 방안이 요구되는 실정이다.
본 개시의 실시예들은 고전위 구동전압의 전압레벨을 낮추어 표시패널에 공급하는 표시장치를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은 다수의 데이터 라인들, 다수의 게이트라인들, 다수의 서브픽셀들을 포함하고, 상기 다수의 서브픽셀들 각각은 구동 트랜지스터와 발광소자를 포함하며, 상기 다수의 서브픽셀들과 전기적으로 연결되는 다수의 기준전압 라인들을 포함하는 표시패널, 및 상기 다수의 게이트 라인들에 게이트 신호를 공급하기 위해 구성된 게이트 구동 회로를 포함하고, 상기 게이트 구동 회로가 상기 다수의 서브픽셀들 중 어느 하나의 서브픽셀에 턴-온 레벨의 게이트 신호를 인가하는 동안, 상기 어느 하나의 서브픽셀(SP)과 전기적으로 연결된 기준전압 라인의 전압 상승 기울기가 작아졌다가 복원되는 기간이 3회 이상 존재하는 표시장치를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은 다수의 데이터 라인들, 다수의 게이트 라인들, 다수의 서브픽셀들을 포함하고, 상기 다수의 서브픽셀들 각각은 구동 트랜지스터와 발광소자를 포함하는 표시패널, 및 상기 표시패널을 구동하기 위해 구성된 구동 회로를 포함하고, 상기 구동 회로는, 원시 고전위 구동전압이 입력되는 원시 고전위 구동전압 입력단자, 상기 표시패널로 고전위 구동전압을 출력하며, 상기 원시 고전위 구동전압보다 낮은 전압 레벨의 상기 고전위 구동전압을 출력하는 고전위 구동전압 출력단자, 상기 원시 고전위 구동전압 입력단자와 상기 고전위 구동전압 출력단자 사이를 전기적으로 연결하는 구동전압 경유 배선, 상기 구동전압 경유 배선 상에 위치하는 기준 저항, 상기 구동전압 경유 배선과 전기적으로 연결되는 저항부, 상기 저항부와 저전위 전원 간의 전기적 연결을 스위칭 하는 스위칭부 및 상기 스위칭부를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 의하면, 고전위 구동전압의 전압레벨을 낮추어 표시패널에 공급하는 표시장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 개시에 따른 표시장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 개시에 따른 표시장치를 간략히 표현한 도면이다.
도 3은 세트 보드에서 원시 고전위 구동전압이 출력되어 표시패널에 고전위 구동전압이 입력되기까지의 경로를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 개시에 따른 서브픽셀의 등가회로도와 서브픽셀의 특성치를 보상하기 위한 구성을 간단하게 표시한 도면이다.
도 5는 본 개시에 따른 표시장치의 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 개시에 따른 표시장치의 구동 트랜지스터에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 개시에 따른 표시장치에서 적절한 수준의 구동전압(EVDD)을 산출하기 위한 “다중 샘플링 프로세스(MSP: Multiple Sampling Process)”를 나타내는 도면이다..
도 8은 도 7의 샘플링 시점에 따른 구동 트랜지스터의 드레인 전압(Vds) 및 드레인 전류(Id)를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 9는 컨트롤러가 고전위 구동전압 출력단자에서 출력되는 전압을 조절하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 컨트롤러가 원시 고전위 구동전압 입력단자에 입력되는 전압을 조절하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 개시에 따른 표시장치에서, 고전위 구동전압이 낮아지는 것을 표현한 도면이다.
이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 개시에 따른 표시장치(100)를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 개시에 따른 표시장치(100)는 표시패널(110)과, 표시패널(110)을 구동하기 위한 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)와, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하는 컨트롤러(140)를 더 포함할 수 있다.
표시패널(110)에는 기판 상에 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL) 등의 신호 배선들이 배치될 수 있다. 표시패널(110)에는 다수의 데이터 라인(DL) 및 게이트 라인(GL)과 연결된 다수의 서브픽셀(SP)이 배치될 수 있다.
표시패널(110)은 영상이 표시되는 표시 영역(AA)과 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다. 표시패널(110)에서, 표시영역(AA)에는 영상을 표시하기 위한 다수의 서브픽셀(SP)이 배치되고 비표시영역(NA)에는 데이터 구동 회로(120), 게이트 구동 회로(130)가 실장되거나, 데이터 구동 회로(120) 또는 게이트 구동 회로(130)와 연결되는 패드부가 배치될 수도 있다.
데이터 구동 회로(120)는 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하기 위해 구성된 회로로서, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하기 위해 구성된 회로로서, 다수의 게이트 라인(GL)으로 게이트 신호(Vgate)들을 공급할 수 있다. 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위해 데이터 구동 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터 구동 회로(120)에 공급할 수 있다. 컨트롤러(140)는 게이트 구동 회로(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 구동 타이밍 제어신호(GCS)를 게이트 구동 회로(130)에 공급할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 구동 회로(120)에서 사용하는 데이터신호 형식에 맞게 전환하여, 전환된 영상 데이터(Data)를 데이터 구동 회로(120)에 공급하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 제어할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블 신호(DE: Data Enable), 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다.
컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들(DCS, GCS)을 생성하여 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)로 출력한다.
컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위하여 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 구동 타이밍 제어 신호(GCS: Gate Driving Timing Control Signal)를 출력한다.
컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(140)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock) 등을 포함하는 각종 데이터 구동 타이밍 제어 신호(DCS: Data Driving Timing Control Signal)를 출력한다.
데이터 구동 회로(120)는 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터(Data)를 입력 받아 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다.
데이터 구동 회로(120)는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식으로 표시패널(110)과 연결되거나, 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현되어 표시패널(110)과 연결될 수 있다.
게이트 구동 회로(130)는 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 출력하거나 턴-오프 레벨 전압의 게이트 신호를 출력할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 라인(GL)으로 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동할 수 있다.
게이트 구동 회로(130)는 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식으로 표시패널(110)과 연결되거나, 칩 온 글래스(COG) 방식 또는 칩 온 패널(COP) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 칩 온 필름(COF) 방식에 따라 표시패널(110)과 연결될 수 있다.
게이트 구동 회로(130)는 게이트 인 패널(GIP: Gate In Panel) 타입으로 표시패널(110)의 비표시 영역(NA)에 형성될 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 표시패널(110)의 기판 상에 배치되거나 기판에 연결될 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 게이트 인 패널(GIP) 타입인 경우 기판의 비표시 영역(NA)에 배치될 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 칩 온 글래스(COG) 방식 또는 칩 온 필름(COF) 방식인 경우, 표시패널(110)의 기판에 연결될 수 있다.
데이터 구동 회로(120)는, 게이트 구동 회로(130)에 의해 특정 게이트 라인(GL)이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(Data)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급할 수 있다.
데이터 구동 회로(120)는 표시패널(110)의 일 측(예: 상측 또는 하측)에 연결될 수 있다. 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라, 데이터 구동 회로(120)는 표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 연결되거나, 표시패널(110)의 4 측면 중 2 이상의 측면에 연결될 수도 있다.
게이트 구동 회로(130)는 표시패널(110)의 일측(예: 좌측 또는 우측)에 연결될 수 있다. 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라, 게이트 구동 회로(130)는 표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 연결되거나, 표시패널(110)의 4 측면 중 2 이상의 측면에 연결될 수도 있다.
컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행할 수 있는 제어장치일 수 있으며, 타이밍 컨트롤러와 다른 제어장치일 수 있고, 제어장치 내 회로일 수도 있다. 컨트롤러(140)는 IC(Integrated Circuit), FPGA(Field Programmable Gate Array), ASIC(Application Specific Integrated Circuit), 또는 프로세서(Processor) 등의 다양한 회로나 전자 부품으로 구현될 수 있다.
컨트롤러(140)는 인쇄회로기판, 가요성 인쇄회로 등에 실장되고, 인쇄회로기판, 가요성 인쇄회로 등을 통해 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)와 전기적으로 연결될 수 있다.
컨트롤러(140)는, 미리 정해진 하나 이상의 인터페이스에 따라 데이터 구동 회로(120)와 신호를 송수신할 수 있다. 여기서, 예를 들어, 인터페이스는 LVDS (Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, EPI 인터페이스, SPI (Serial Peripheral Interface) 등을 포함할 수 있다.
컨트롤러(140)는 하나 이상의 레지스터 등의 기억매체를 포함할 수 있다.
본 실시예들에 따른 표시장치(100)는, 액정표시장치 등의 백 라이트 유닛을 포함하는 디스플레이일 수도 있고, OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이, 퀀텀닷(Quantum Dot) 디스플레이, 마이크로 LED (Micro Light Emitting Diode) 디스플레이 등의 자발광 디스플레이일 수 있다.
본 실시예들에 따른 표시장치(100)가 OLED 디스플레이인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 스스로 빛을 내는 유기발광다이오드(OLED)를 발광소자로서 포함할 수 있다. 본 실시예들에 따른 표시장치(100)가 퀀텀닷 디스플레이인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 스스로 빛을 내는 반도체 결정인 퀀텀닷(Quantum Dot)으로 만들어진 발광소자를 포함할 수 있다. 본 실시예들에 따른 표시장치(100)가 마이크로 LED 디스플레이인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 스스로 빛을 내고 무기물을 기반으로 만들어진 마이크로 LED (Micro Light Emitting Diode)를 발광소자로서 포함할 수 있다.
도 2는 본 개시에 따른 표시장치(100)를 간략히 표현한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 개시에 따른 표시장치(100)는 데이터 구동 회로(120)가 다양한 방식들(예: TAB, COG, COF 등) 중 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현된 예시를 나타낸 것이다.
데이터 구동 회로(120)는 하나 이상의 데이터 구동 회로를 포함할 수 있다. 데이터 구동 회로는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 구현될 수 있다. 데이터 구동 회로(120)가 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현되는 경우, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 소스 회로 필름(SF: Source Circuit Film) 상에 실장 될 수 있다.
소스 회로 필름(SF)은 일측이 표시패널(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 회로 필름(SF)에는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 표시패널(110)을 전기적으로 연결하기 위한 배선들이 배치될 수 있다.
본 개시에 따른 표시장치(100)는, 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 다른 장치들 간의 회로적인 연결을 위해서, 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB: Source Printed Circuit Board)과, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다.
소스 회로 필름(SF)의 타측은 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 개시에 따른 표시장치(100)는 게이트 구동 회로(130)가 다양한 방식들(예: TAB, COG, COF, GIP 등) 중 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현된 예시를 나타낸 것이다.
게이트 구동 회로(130)는 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)를 포함할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)가 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현되는 경우, 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 게이트 회로 필름(GF: Gate Circuit Film) 상에 실장 될 수 있다.
게이트 회로 필름(GF)의 일측은 표시패널(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 게이트 회로 필름(GF)에는 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)와 표시패널(110)을 전기적으로 연결하기 위한 배선들이 배치될 수 있다.
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는 컨트롤러(140)와 파워 관리 집적회로(240; PMIC: Power Management IC)가 실장 될 수 있다. 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(120)와 게이트 구동 회로(130)를 제어할 수 있다. 파워 관리 집적회로(240)는 표시패널(110), 데이터 구동 회로(120), 게이트 구동 회로(130)에 구동 전압이나 전류를 공급할 수 있다.
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. 연결 부재는, 예를 들어, 플렉서블 인쇄회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 플렉서블 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable)일 수 있다.
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다.
본 개시에 따른 표시장치(100)는 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)과 전기적으로 연결되는 세트 보드(210)를 더 포함할 수 있다. 세트 보드(210)에는 표시장치(100)의 전체 파워를 관리하는 메인 파워 관리 회로(220)가 배치될 수 있다. 메인 파워 관리 회로(220)는 파워 관리 집적회로(240)와 연동될 수 있다.
세트 보드(210)에서 발생된 구동 전압은 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB) 내의 파워 관리 집적회로(240)에 전달된다. 파워 관리 집적회로(240)는 표시장치(100)의 구동 또는 특성치 센싱(예: 서브픽셀의 특성치 센싱 등)에 필요한 구동 전압을 연결 부재를 통해 소스 인쇄회로기판(SPCB)으로 전달한다. 파워 관리 집적회로(240)는 데이터 구동 회로(120), 게이트 구동 회로(130) 또는 표시패널(110)에 구동 전압을 공급할 수 있다.
도 3은 세트 보드(210)에서 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)이 출력되어 표시패널(110)에 고전위 구동전압(EVDD_out)이 입력되기까지의 경로를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 세트 보드(210)에는 메인 파워 관리 회로(220)가 배치될 수 있다. 메인 파워 관리 회로(220)는 표시장치의 전체 파워를 관리하는 회로일 수 있다.
세트 보드(210)는 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)을 출력한다. 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)은 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에 입력될 수 있다.
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)의 원시 고전위 구동전압 입력단자(310)에는 세트 보드(210)에서 출력된 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)이 입력된다.
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은, 고전위 구동전압 출력단자(320)를 포함할 수 있다. 고전위 구동전압 출력단자(320)에서는 고전위 구동전압(EVDD_out)이 출력된다.
세트 보드(210)는, 표시패널(110)을 구동하기 위해, 미리 설정된 전압 레벨을 갖는 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)을 출력할 수 있다.
한편, 세트 보드(210)는, 표시패널(110)을 안정적으로 구동하기 위해, 실제로 표시패널(110)을 구동하기 위하여 요구되는 최소 전압 레벨보다 더 높은 전압 레벨을 갖는 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)을 출력할 수 있다.
그리고 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은, 입력된 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)과 동일한 전압 레벨의 고전위 구동전압(EVDD_out)을 고전위 구동전압 출력단자(320)에서 출력할 수 있다.
즉, 표시패널(110)을 구동하기 위해 필요한 최소한의 전압과 무관하게, 충분한 마진이 확보된 고전위 구동전압(EVDD_out)이 지속적으로 고전위 구동전압 출력단자(320)에서 출력된다.
고전위 구동전압 출력단다(320)에서 출력된 고전위 구동전압(EVDD_out)은 소스 인쇄회로기판을 거쳐 표시패널(110)에 입력될 수 있다.
아래에서는, 표시패널(110)에 입력된 고전위 구동전압(EVDD_out)은 구동전압(EVDD)으로 호칭한다.
도 4는 본 개시에 따른 서브픽셀(SP)의 등가회로도와 서브픽셀(SP)의 특성치를 보상하기 위한 구성을 간단하게 표시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 개시에 따른 표시장치(100)는 표시패널(110)에 배치된 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 발광소자(ED), 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT) 및 스토리지 캐패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
발광소자(ED)는 픽셀 전극(PE: Pixel Electrode)과 공통 전극(CE: Common Electrode)을 포함하고, 픽셀 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 위치하는 발광층(EL)을 포함할 수 있다.
발광소자(ED)의 픽셀 전극(PE)은 각 서브픽셀(SP)마다 배치되는 전극이고, 공통 전극(CE)은 모든 서브픽셀(SP)에 공통으로 배치되는 전극일 수 있다. 여기서 픽셀 전극(PE)은 애노드 전극이고 공통 전극(CE)은 캐소드 전극일 수 있다. 반대로, 픽셀 전극(PE)은 캐소드 전극이고 공통 전극(CE)은 애노드 전극일 수도 있다.
예를 들어, 발광소자(ED)는 유기발광다이오드(OLED), 발광다이오드(LED) 또는 퀀텀닷 발광소자 등일 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)는 발광소자(ED)를 구동하기 위한 트랜지스터로서, 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3) 등을 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드일 수 있으며, 스캔 트랜지스터(SCT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있으며, 센싱 트랜지스터(SENT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결되고, 발광소자(ED)의 픽셀 전극(PE)과도 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
스캔 트랜지스터(SCT)는 게이트 신호의 일종인 스캔 펄스(SCAN)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 연결될 수 있다. 다시 말해, 스캔 트랜지스터(SCT)는, 게이트 라인(GL)의 한 종류인 스캔 라인(SCL)에서 공급되는 스캔 펄스(SCAN)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되어, 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 간의 연결을 제어할 수 있다.
스캔 트랜지스터(SCT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 스캔 펄스(SCAN)에 의해 턴-온 되어, 데이터 라인(DL)에서 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전달해줄 수 있다.
여기서, 스캔 트랜지스터(SCT)가 n 타입 트랜지스터인 경우, 스캔 펄스(SCAN)의 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다. 스캔 트랜지스터(SCT)가 p 타입 트랜지스터인 경우, 스캔 펄스(SCAN)의 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 양 단의 전압 차이에 해당하는 전하량이 충전되고, 정해진 프레임 시간 동안, 양 단의 전압 차이를 유지하는 역할을 해준다. 이에 따라, 정해진 프레임 시간 동안, 해당 서브픽셀(SP)은 발광할 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 개시에 따른 표시장치(100)의 표시패널(110)에 배치된 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 센싱 트랜지스터(SENT)를 더 포함할 수 있다.
센싱 트랜지스터(SENT)는 게이트 신호의 일종인 센스 펄스(SENSE)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 연결될 수 있다. 다시 말해, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 게이트 라인(GL)의 다른 한 종류인 센스 라인(SENL)에서 공급된 센스 펄스(SENSE)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되어, 센싱 라인(SL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2) 간의 연결을 제어할 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는, 센싱 노드라고도 한다.
센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 센스 펄스(SENSE)에 의해 턴-온 되어, 기준전압 라인(RVL)에서 공급된 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 전달해줄 수 있다. 기준전압 라인(RVL)은 센싱 라인(Sensing Line)이라고도 한다.
초기화 스위치(SPRE)는 기준전압 라인(RVL)과 기준전압 공급 노드(Nref) 사이의 전기적 연결을 스위칭한다. 초기화 스위치(SPRE)는 기준전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결되는 일단과, 기준전압 공급 노드(Nref)에 전기적으로 연결되는 타단을 포함한다.
기준전압 공급 노드(Nref)에는 기준전압(Vref)이 인가된다.
또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 센스 펄스(SENSE)에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 기준전압 라인(RVL)으로 전달해줄 수 있다.
여기서, 센싱 트랜지스터(SENT)가 n 타입 트랜지스터인 경우, 센스 펄스(SENSE)의 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)가 p 타입 트랜지스터인 경우, 센스 펄스(SENSE)의 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다.
센싱 트랜지스터(SENT)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 기준전압 라인(RVL)으로 전달해주는 기능은 서브픽셀(SP)의 특성치를 센싱하기 위한 구동 시 이용될 수 있다. 이 경우, 기준전압 라인(RVL)으로 전달되는 전압은 서브픽셀(SP)의 특성치를 산출하기 위한 전압이거나 서브픽셀(SP)의 특성치가 반영된 전압일 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT) 각각은 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다. 본 발명의 실시예들에서는, 설명의 편의를 위하여, 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT) 각각은 n타입인 것을 예로 든다.
스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드와 소스 노드(또는 드레인 노드) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)일 수 있다.
스캔 라인(SCL) 및 센스 라인(SENL)은 서로 다른 게이트 라인(GL)일 수 있다. 이 경우, 스캔 펄스(SCAN) 및 센스 펄스(SENSE)는 서로 별개의 게이트 신호일 수 있고, 하나의 서브픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 온-오프 타이밍과 센싱 트랜지스터(SENT)의 온-오프 타이밍은 독립적일 수 있다. 즉, 하나의 서브픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 온-오프 타이밍과 센싱 트랜지스터(SENT)의 온-오프 타이밍은 동일할 수도 있고 다를 수 있다.
이와 다르게, 스캔 라인(SCL) 및 센스 라인(SENL)은 동일한 게이트 라인(GL)일 수 있다. 즉, 하나의 서브픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 게이트 노드와 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는 하나의 게이트 라인(GL)에 연결될 수 있다. 이 경우, 스캔 펄스(SCAN) 및 센스 펄스(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수 있고, 하나의 서브픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 온-오프 타이밍과 센싱 트랜지스터(SENT)의 온-오프 타이밍은 동일할 수 있다.
도 4에 도시된 서브픽셀(SP)의 구조는 예시들일 뿐, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나 1개 이상의 캐패시터를 더 포함하여 다양하게 변형될 수 있다.
또한, 도 4에서는 표시장치(100)가 자발광 표시장치인 경우를 가정하여 서브픽셀(SP) 구조를 설명하였으나, 표시장치(100)가 액정 표시장치인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 트랜지스터 및 픽셀 전극 등을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 개시에 따른 표시장치(100)는 라인 캐패시터(Crvl)를 포함할 수 있다. 라인 캐패시터(Crvl)는 일단이 기준전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결된 캐패시터 소자이거나, 기준전압 라인(RVL)에 형성된 기생 캐패시터일 수 있다.
도 4를 참조하면, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와 샘플링 스위치(SAM)를 더 포함할 수 있다.
기준전압 라인(RVL)은 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 전기적으로 연결될 수 있다. 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 기준전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 수 있다. 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 센싱하는 전압은 서브픽셀(SP)의 특성치가 반영된 전압일 수 있다.
본 개시에서, 서브픽셀(SP)의 특성치는 구동 트랜지스터(DRT) 또는 발광소자(ED)의 특성치일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및 이동도 등을 포함할 수 있다. 발광소자(ED)의 특성치는 발광소자(ED)의 문턱전압을 포함할 수 있다.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 아날로그 전압을 입력받아 디지털 값으로 변환해 컨트롤러(140)로 출력할 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와 기준전압 라인(RVL) 사이에 위치할 수 있다. 샘플링 스위치(SAM)는 기준전압 라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 사이의 전기적 연결을 스위칭해줄 수 있다.
컨트롤러(140)는 서브픽셀(SP)의 특성치 정보가 저장된 저장부(410) 및 저장부(410)에 저장된 정보를 기초로 서브픽셀(SP)의 특성치 변화를 보상하기 위한 계산을 수행하는 보상 회로(420)를 포함할 수 있다.
저장부(410)에는 서브픽셀(SP)의 특성치를 보상하기 위한 정보가 저장되어 있을 수 있다. 예를 들어, 저장부(410)에는 다수의 서브픽셀(SP) 각각의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및 이동도에 대한 정보와, 서브픽셀(SP)에 포함된 발광소자(ED)의 문턱전압에 대한 정보가 저장될 수 있다.
발광소자(ED)의 문턱전압에 대한 정보는 룩업 테이블(LUT)에 저장될 수 있다.
보상 회로(420)는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)로부터 입력받은 디지털 값과 저장부(410)에 저장된 서브픽셀(SP)의 특성치 정보를 기초로 해당 서브픽셀(SP)의 특성치 변화 정도를 계산한다. 보상 회로(420)는 저장부(410)에는 저장된 서브픽셀(SP)의 특성치를 업데이트한다.
컨트롤러(140)는 보상 회로(420)에서 계산된 서브픽셀(SP)의 특성치 변화를 반영하여, 영상 데이터를 보상하여 데이터 구동 회로(120)를 구동한다.
서브픽셀(SP)의 특성치 변화가 반영된 데이터 전압(Vdata)은 디지털 아날로그 컨버터(DAC)를 통해 해당 데이터 라인(DL)으로 출력될 수 있다.
서브픽셀(SP)의 특성치 변화를 센싱하고 이를 보상하는 상기 과정을, “서브픽셀 특성치 보상 프로세스”라고도 한다.
도 5는 본 개시에 따른 표시장치의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱(Vth Sensing) 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.
초기화 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다.
이러한 초기화 단계에서는, 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은, 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준전압(Vref)으로 초기화된다. (V1=Vdata, V2=Vref)
트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다.
즉, 트래킹 단계는, 문턱전압 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다.
이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 또는 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅(Floating) 된다.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 상승한다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 상승이 이루어지다가 상승 폭이 서서히 줄어들어 포화하게 된다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 편차(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 포화되면, 샘플링 단계가 진행될 수 있다.
샘플링 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압을 측정하는 단계로서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 기준전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 편차(ΔVth)을 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다. 여기서, Vth는 포지티브 문턱전압 또는 네거티브 문턱전압일 수 있다.
도 6은 본 개시에 따른 표시장치의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱(Mobility Sensing) 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.
초기화 단계는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다.
이러한 초기화 단계에서는, 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준전압(Vref)으로 초기화된다. (V1=Vdata, V2=Vref)
트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 이동도 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다.
즉, 트래킹 단계는, 이동도 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다.
이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 되거나 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅(Floating) 된다. 이때, 스캔 트랜지스터(SCT)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)도 플로팅 될 수 있다.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승하기 시작한다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(즉, 이동도)에 따라 달라진다.
전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 더욱 가파르게 상승한다.
트래킹 단계가 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 상승한 이후, 샘플링 단계가 진행될 수 있다.
트래킹 단계 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 속도는, 일정 시간(Δt) 동안의 전압 변화량(ΔV)에 해당한다.
샘플링 단계에서는, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와 기준전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결된다.
이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 기준전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은, 기준전압(Vref)에서 일정 시간(Δt) 동안 전압 변화량(ΔV)만큼 상승된 전압으로서, 이동도에 대응되는 전압이다.
도 5 및 도 6을 참조하여 전술한 바와 같은 문턱전압 또는 이동도 센싱 구동에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 문턱전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값(센싱 값)을 포함하는 센싱데이터를 생성하여 출력한다.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 출력된 센싱데이터는 보상 회로(420)로 제공될 수 있다. 경우에 따라서, 센싱데이터는 저장부(410)를 통해 보상 회로(420)로 제공될 수도 있다.
보상 회로(420)는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 제공된 센싱데이터를 토대로 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화(예: 문턱전압 변화, 이동도 변화)를 파악하고, 특성치 보상 프로세스를 수행할 수 있다.
여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화는 이전 센싱데이터를 기준으로 현재 센싱데이터가 변화된 것을 의미하거나, 초기 보상데이터를 기준으로 현재 센싱데이터가 변화된 것을 의미할 수도 있다.
따라서 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 또는 특성치 변화를 비교해보면, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 파악할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 초기 보상데이터를 기준으로 현재 센싱데이터가 변화된 것을 의미하는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화로부터 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차(즉, 서브픽셀 휘도 편차)를 파악할 수도 있다.
여기서 초기 보상데이터는 표시장치 제조 시에 설정되어 저장된 초기 설정데이터일 수 있다.
특성치 보상 프로세스는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리를 포함할 수 있다.
문턱전압 보상 처리는 문턱전압 또는 문턱전압 편차(문턱전압 변화)를 보상하기 위한 보상데이터를 연산하고, 연산된 보상데이터를 저장부(410)에 저장하거나, 연산된 보상데이터로 해당 영상데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다.
이동도 보상 처리는 이동도 또는 이동도 편차(이동도 변화)를 보상하기 위한 보상데이터를 연산하고, 연산된 보상데이터를 저장부(410)에 저장하거나, 연산된 보상데이터로 해당 영상데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다.
보상 회로(420)는 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상데이터(Data)를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 구동 회로(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다.
이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 보상 회로(420)에서 변경된 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital Analog Converter)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 서브픽셀 특성치 보상(문턱전압 보상, 이동도 보상)이 실제로 이루어지게 된다.
한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)에는 구동전압(EVDD)을 입력받고, 제2 노드(N2)에서는 데이터 전압(Vdata)을 입력받는다. 구동 트랜지스터(DRT)는 제2 노드(N2)-제1 노드(N1) 간 전압 차('소스-게이트 간 전압 차'라고도 함)에 따라 해당 구동 트랜지스터(DRT)와 전기적으로 연결되는 발광소자(ED)에 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
이러한 구동전압(EVDD)은, 구동 트랜지스터(DRT)를 동작시키고, 발광소자(ED)를 구동할 수 있는 전압 레벨을 가지고 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)에 공급된다.
구동 시간이 지남에 따라 발광소자(ED)는 열화되고, 발광소자(ED)를 구동하기 위해 필요한 전압 레벨은 상승한다.
따라서, 구동전압(EVDD)은, 초기 상태의 구동 트랜지스터(DRT)와 발광소자(ED)를 구동하기 위해 필요한 전압 레벨보다 충분히 큰 전압 마진을 가지고 구동 트랜지스터(DRT)에 인가된다.
그러나, 상기와 같은 큰 전압 마진은, 발광소자(ED)의 열화가 일어나지 않은 경우에는 표시장치(100)의 구동에 있어서 불필요하다. 따라서, 구동전압(EVDD)을 적절한 수준으로 낮추는 것이 필요한 실정이다.
도 7은 본 개시에 따른 표시장치(100)에서 적절한 수준의 구동전압(EVDD)을 산출하기 위한 “다중 샘플링 프로세스(MSP: Multiple Sampling Process)”를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 표시장치(100)는 하나의 서브픽셀(SP)에 대하여 다중 샘플링 프로세스(MSP)”를 수행할 수 있다.
이러한 “다중 샘플링 프로세스(MSP)”는, 전원 차단 등의 오프 시퀀스(Off-Sequence)가 진행되기 이전에 수행되는 오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)일 수 있다.
전술한 문턱전압 센싱 구동이 전원 차단 등의 오프 시퀀스(Off-Sequence)가 진행되기 이전에 수행되는 오프-센싱 프로세스로 진행되는 경우, 다중 샘플링 프로세스(MSP)는 문턱 전압 센싱 구동이 진행되지 않는 서브픽셀(SP)에서 진행될 수 있다.
다중 샘플링 프로세스(MSP)는 제1 기간 내지 제4기간(T1~T4)을 포함할 수 있다. 제1 기간 내지 제4 기간(T1~T4)은 서브픽셀(SP)에 포함되는 회로 소자의 동작 타이밍에 따라 구분될 수 있다.
제1 기간 내지 제4 기간(T1~T4) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)에는 변경 전 구동전압(EVDDold)이 인가된다.
아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드로, 제3 노드(N3)는 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드로 가정하여 설명한다.
제1 기간(T1) 동안, 센싱 트랜지스터(SENT)에는 턴-온 레벨 전압의 센스 펄스(SENSE)가 인가되고, 초기화 스위치(SPRE)는 턴-온 된다. 기준전압 라인(RVL)에는 기준전압(Vref)이 인가되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 기준전압(Vref)으로 초기화된다.
센싱 트랜지스터(SENT)에 턴-온 레벨 전압의 센스 펄스(SENSE)가 인가되는 동안, 기준전압 라인(RVL)에는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압의 변화가 반영될 수 있다.
제1 기간(T1) 동안, 스캔 트랜지스터(SCT)에는 턴-오프 레벨 전압의 스캔 펄스(SCAN)가 인가될 수 있다.
제2 기간(T2) 동안, 데이터 라인(DL)에는 데이터 전압(Vdata)이 인가되고, 스캔 트랜지스터(SCT)에는 턴-온 레벨 전압의 스캔 펄스(SCAN)가 인가된다. 이러한 데이터 전압(Vdata)은, 다중 샘플링 프로세스용 전압 레벨일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)의 전압은 다중 샘플링 프로세스용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화 될 수 있다.
상기 제2 기간(T2) 동안, 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)의 전압 레벨은 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱 구동용 데이터 전압의 전압 레벨과 같을 수 있다.
상기 제2 기간(T2) 동안, 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)의 전압 레벨은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압의 전압 레벨보다 높을 수 있다.
상기 제2 기간(T2) 동안, 데이터 라인(DL)에는 직류 전압이 인가된다. 상기 제2 기간(T2) 동안 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)은, 영상 표시 기간 동안 영상 표시를 위해 데이터 라인(DL)에 인가되는 교류의 데이터 전압(Vdata)과 그 파형이 상이할 수 있다.
제2 기간(T2) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)의 전압은 다중 샘플링 프로세스용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화 되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 기준전압(Vref)으로 초기화된다.
제3 기간(T3) 동안, 스캔 트랜지스터(SCT)에 턴-오프 레벨 전압의 스캔 펄스(SCAN)가 인가될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에는 스토리지 캐패시터(Cst)로부터 공급되는 전압이 인가된다.
제4 기간(T4) 동안, 초기화 스위치(SPRE)는 턴-오프 된다. 제4 기간(T4) 동안, 센싱 트랜지스터(SENT)에는 턴-온 레벨 전압의 센스 펄스(SENSE)가 인가된다.
제4 기간(T4) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)는 턴-온 되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 플로팅 되며, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 기준전압(Vref)으로부터 점차 상승한다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은, 특정 시점(t=T)까지 시간(t)에 따라 일정하게 변화할 수 있다. 즉, 특정 시점(t=T)까지, 시간(t)에 대한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압의 변화량은, 일정할 수 있다. 특정 시점(t=T)까지, 단위 시간당 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압의 변화량은, 일정할 수 있다.
특정 시점(t=T)을 지나면, 단위 시간당 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압의 변화량은, 특정 시점(t=T) 이전에 비해 줄어들 수 있다.
즉, 특정 시점(t=T)을 기점으로, 단위 시간당 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기는 작아질 수 있다.
특정 시점(t=T) 이전에, 구동 트랜지스터(DRT)는 포화 영역(Saturation Region)에서 구동되는 것일 수 있다.
특정 시점(t=T) 이후에, 구동 트랜지스터(DRT)는 트라이오드 영역(Triode Region)에서 구동되는 것일 수 있다.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 제4 기간(T4) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 3회 이상 샘플링 할 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)는, 기준전압 라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 사이의 전기적 연결을 스위칭 한다. 샘플링 스위치(SAM)는, 제4 기간(T4) 동안, 3회 이상 스위칭 될 수 있다.
이에, 제4 기간(T4) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결된 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승이 중단되는 시점은 3회 이상 존재할 수 있다.
제4 기간(T4) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결된 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승은 세 번 이상 중단되었다가 재개될 수 있다. 도 7을 참조하면, 샘플링 스위치(SAM)는 제4 기간(T4) 동안, 4회 스위칭 될 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)가 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st)에 턴-온 되고, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 아날로그 전압을 입력받는다.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st)에 입력된 아날로그 전압을 디지털 값으로 변환하여 컨트롤러(140)에 출력한다.
도 7을 참조하면, 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st) 직전까지 기준전압 라인(RVL)의 전압은 일정한 기울기로 상승할 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)의 동작에 따라, 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기는, 작아졌다가 복원될 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기는 작아질 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)가 턴-오프 되면, 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기는, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되기 이전의 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기와 같은 값으로 복원될 수 있다.
게이트 신호(Vgate)로서 턴-온 레벨 전압의 센스 펄스(SENSE)가 서브픽셀(SP)에 입력되는 기간 동안, 기준전압 라인(RVL)에는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기가 반영될 수 있다.
아래에서는, 서브픽셀(SP)에 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호(Vgate)가 입력되는 기간 동안 해당 서브픽셀(SP)과 전기적으로 연결된 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기는, 턴-온 레벨 전압의 센스 펄스(SENSE)가 입력되는 기간 동안 해당 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기와 같은 의미로 보고 설명한다.
더욱 구체적으로는, 제4 기간(T4) 동안 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기와, 제4 기간(T4) 동안 해당 서브픽셀(SP)과 전기적으로 연결된 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기를 같은 의미로 보고 설명한다. .
샘플링 스위치(SAM)의 턴-온 및 턴-오프에 따라 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기는 작아졌다가 복원된다. 이는, 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역이 포화 영역(Saturation Region)에서 트라이오드 영역(Triode Region)으로 달라짐에 따라 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기가 작아지고 다시 복원되지 않는 특징과 구별될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역에 대한 설명은 후술한다.
첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st) 직후에 기준전압 라인(RVL)의 전압 파형은, 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st) 직전의 기준전압 라인(RVL)의 파형과 다를 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되는 순간, 샘플링 스위치(SAM)의 일단에 전기적으로 연결된 기준전압 라인(RVL)은, 샘플링 스위치(SAM)의 타단과 전기적으로 연결될 수 있다. 기준전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결된 라인 캐패시터(Crvl)에 저장된 전하는, 샘플링 스위치(SAM)의 타단으로 흐를 수 있다.
이에 따라, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되는 시점에, 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승은 일시적으로 중단된다.
기준전압 라인(RVL)의 전압은, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-오프 되는 시점에 맞춰 다시 상승할 수도 있고, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-오프 되기 전이라도 다시 상승할 수도 있다.
기준전압 라인(RVL)의 전압 상승이 중단되었다가 전압 상승이 재개되는 경우, 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 레벨 상승 폭은 전압 상승이 중단되기 전과 같을 수 있다.
즉, 전압 상승이 일시적으로 중단되기 전에 소정의 기간 동안 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 레벨의 상승 폭은, 전압 상승이 재개된 이후에 소정의 기간 동안 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 레벨의 상승 폭과 같을 수 있다.
즉, 전압 상승이 재개된 이후에 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기는, 전압 상승이 일시 중단되기 이전의 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기와 같을 수 있다.
도 7을 참조하면, 제4 기간(T4) 동안 기준전압 라인(RVL)은 전압이 상승하고, 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st)에 전압 상승이 일시적으로 중단되었다가, 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승이 재개된다.
첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st) 전에 소정의 기간 동안 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 레벨의 상승 폭은, 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st)에서 중단된 전압 상승이 재개된 이후에 소정의 기간 동안 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 레벨의 상승 폭과 같다.
즉, 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승이 중단되기 전에 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 상승 폭은, 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승이 재개된 이후에 기준전압 라인의 단위 시간 당 전압 상승 폭과 같을 수 있다.
여기서, 전압 상승 폭이 같다는 것은, 전압 상승 폭이 완전히 동일한 경우 또는, 전압 상승 폭이 오차 범위 이내에서 동일한 경우를 모두 의미할 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)는 두 번째 샘플링 시점(SAM 2nd)에 턴-온 되고, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 아날로그 전압을 입력받는다.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 두 번째 샘플링 시점(SAM 2nd)에 입력된 아날로그 전압을 디지털 값으로 변환하여 컨트롤러(140)에 출력한다.
컨트롤러(140)는, 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st)과 두 번째 샘플링 시점(SAM 2nd)의 시간 간격(Δt1)과, 각각의 샘플링 타이밍에 센싱한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 기초로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 첫 번째 전압 상승 기울기를 산출할 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)는 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에 턴-온 되고, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 아날로그 전압을 입력받는다.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에 입력된 아날로그 전압을 디지털 값으로 변환하여 컨트롤러(140)에 출력한다.
컨트롤러(140)는, 두 번째 샘플링 시점(SAM 2nd)과 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)의 시간 간격(Δt2)과, 각각의 샘플링 시점에 센싱한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 기초로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 두 번째 전압 상승 기울기를 산출할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 산출된 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 두 번째 전압 상승 기울기를, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 첫 번째 전압 상승 기울기와 비교할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 두 번째 전압 상승 기울기가, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 첫 번째 전압 상승 기울기와 동일하거나, 산출된 두 기울기의 차이가 미리 설정된 오차 범위 이내라고 판단하면, 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역은 포화 영역(Saturation Region)이라고 판단할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 두 번째 전압 상승 기울기가, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 첫 번째 전압 상승 기울기와 상이하거나, 산출된 두 기울기의 차이가 미리 설정된 오차 범위 밖이라고 판단하면, 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역은 트라이오드 영역(Saturation Region)이라고 판단할 수 있다.
도 7에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 두 번째 전압 상승 기울기는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 첫 번째 전압 상승 기울기와 동일하고, 이를 바탕으로, 컨트롤러(140)는 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역은 포화 영역(Saturation Region)이라고 판단할 수 있다.
한편, 두 번째 샘플링 시점(SAM 2nd)과 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)의 시간 간격(Δt2)은, 전술한 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st)과 두 번째 샘플링 시점(SAM 2nd)의 시간 간격(Δt1)과 같을 수 있다. 이 경우, 컨트롤러(140)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 정도만을 비교하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역이 포화 영역(Saturation Region)인지 트라이오드 영역(Triode Region)인지 여부를 판단할 수도 있다.
샘플링 스위치(SAM)는 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에 턴-온 되고, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 아날로그 전압을 입력받는다.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에 입력된 아날로그 전압을 디지털 값으로 변환하여 컨트롤러(140)에 출력한다.
컨트롤러(140)는, 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)과 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)의 시간 간격(Δt3)과, 각각의 샘플링 시점에 센싱한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 기초로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 세 번째 전압 상승 기울기를 산출한다.
컨트롤러(140)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기를, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 첫 번째 전압 상승 기울기와 비교할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 세 번째 전압 상승 기울기가, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 첫 번째 전압 상승 기울기와 동일하거나, 두 기울기의 차이가 미리 설정된 오차 범위 이내라고 판단하면, 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역은 포화 영역(Saturation Region)이라고 판단할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 세 번째 전압 상승 기울기가, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 첫 번째 전압 상승 기울기와 상이하거나, 두 기울기의 차이가 미리 설정된 오차 범위 밖이라고 판단하면, 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역은 트라이오드 영역(Saturation Region)이라고 판단할 수 있다.
도 7에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기는, 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)과 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th) 사이의 특정 시점(t=T)을 기점으로 작아진다. 따라서, 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 바탕으로 산출한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 세 번째 전압 상승 기울기는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 첫 번째 전압 상승 기울기보다 작다. 컨트롤러(140)는, 이를 바탕으로, 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역은 트라이오드 영역(Triode Region)이라고 판단할 수 있다.
한편, 컨트롤러(140)는, 바로 직전의 샘플링 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역이 포화 영역(Saturation Region)이라고 판단한 경우, 해당 샘플링 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기를, 바로 직전의 샘플링 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기와 비교할 수도 있다. 그리고, 비교 결과를 바탕으로, 해당 샘플링 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역이 포화 영역(Saturation Region)인지, 또는 트라이오드 영역(Triode Region)인지 여부를 판단할 수도 있다.
예를 들면, 컨트롤러(140)는, 전술한 바와 같이 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역이 포화 영역(Saturation Region)인 것을 판단할 수 있다. 컨트롤러(140)는, 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기를, 직전 시점인 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 전압 상승 기울기와 비교할 수도 있다. 컨트롤러(140)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 세 번째 전압 상승 기울기가, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 두 번째 전압 상승 기울기를 비교하며, 비교한 결과, 세 번째 전압 상승 기울기는 두 번째 전압 상승 기울기보다 작다고 판단할 수 있다. 이와 같은 비교 결과를 기초로, 컨트롤러(140)는 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역은 트라이오드 영역(Saturation Region)이라고 판단할 수 있다.
도 7을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기는, 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)과 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th) 사이의 특정 시점(t=T)에 달라진다.
따라서, 컨트롤러(140)는, 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st), 두 번째 샘플링 시점(SAM 2nd) 및 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에 구동 트랜지스터(DRT)는 포화 영역(Saturation Region)에서 구동하고, 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에 구동 트랜지스터(DRT)는 트라이오드 영역(Triode Region)에서 구동한다고 판단할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 여러 번의 샘플링 시점에 얻어진 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 값으로부터, 구동 트랜지스터(DRT)가 포화 영역(Saturation Region)에서 구동되는 마지막 샘플링 시점을 알 수 있다.
컨트롤러(140)는, 구동 트랜지스터(DRT)가 포화 영역(Saturation Region)에서 구동하는 마지막 샘플링 시점에 센싱한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을, 저장부(410)에 “구동전압 산출변수”로 저장할 수 있다.
도 7을 참조하면, 컨트롤러(140)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에 센싱한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을, “구동전압 산출변수”로 저장할 수 있다.
도 8은 도 7의 샘플링 시점에 따른 구동 트랜지스터의 드레인 전압(Vds)과 드레인 전류(Id)를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전압(Vds)에 따른 드레인 전류(Id)의 관계가 개시된다.
도 7과 도 8을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)에 변경 전 구동전압(EVDDold)이 인가되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 점차 상승한다.
도 8을 참조하면, 첫 번째 샘플링 시점(SAM 1st)부터 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)까지, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전압(Vds)은 점차 작아지지만, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전류(Id)는 일정하게 유지된다.
세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)과 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th) 사이에, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전압(Vds)이 작아짐에 따라 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전류(Id) 값이 작아지는 구간이 존재한다.
이에 따르면, 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd)에 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전압(Vds) 값은 구동 트랜지스터(DRT)가 포화 영역(Saturation Region)에서 구동되는 드레인 전압(Vds) 값이고, 네 번째 샘플링 시점(SAM 4th)에 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전압(Vds) 값은 구동 트랜지스터(DRT)가 트라이오드 영역(Triode Region)에서 구동되는 드레인 전압(Vds) 값이다.
도 8을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)를 포화 영역(Saturation Region)에서 구동하면 드레인 전압(Vds)이 드레인 전류(Id)에 영향을 주지 않는다. 이에, 게이트 전압만을 조절하여 드레인 전류(Id)를 조절할 수 있어, 안정적인 화상 표시가 가능하다.
따라서, 구동전압(EVDD)을 최소화하되, 구동 트랜지스터(DRT)를 포화 영역(Saturation Region)에서 구동할 수 있는 전압 레벨의 구동전압(EVDD)이 요구된다.
3회 이상 샘플링 한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 기초로, 구동 트랜지스터(DRT)를 포화 영역(Saturation Region)에서 구동하기 위한 목표 구동전압(EVDDgoal)은 다음과 같다.
Figure pat00001
상기 수학식 1에서, “EVDDgoal”은 구동 트랜지스터(DRT)를 포화 영역(Saturation Region)에서 구동하고, 발광소자(ED)를 구동하기 위한 최소한의 구동전압(EVDD)이다.
“EVDDold”는, 앞서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 여러 번 샘플링 하는 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)에 인가된 구동전압(EVDD)의 전압 값이다.
“V(구동전압 산출변수)”는, 구동 트랜지스터(DRT)가 포화 영역(Saturation Region)에서 구동하는 것으로 판단된 마지막 샘플링 시점에 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 아날로그 전압 값이다.
“발광소자 구동전압”은, 발광소자(ED)를 구동하기 위해 필요한 전압 값이다. “발광소자 구동전압”은 컨트롤러(140)에 룩업 테이블(LUT)로 저장된 값으로부터 읽어올 수 있다.
상기 수학식 1에서, “EVDDold-V(구동전압 산출변수)”는, 구동 트랜지스터(DRT)를 포화 영역(Saturation Region)에서 구동하기 위한 최소한의 드레인 전압(Vds) 값에 해당한다.
컨트롤러(140)는, 위 수학식1에 따라 "목표 구동전압(EVDDgoal)"의 값을 산출할 수 있다.
도 7과 도 8을 참조하면, 컨트롤러(140)는 제4 기간(T4) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 4번 샘플링 할 수 있다. 이와 달리, 컨트롤러(140)는, 같은 시간 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을, 더 짧은 시간 간격을 두고, 더 많은 횟수로 샘플링 할 수도 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 더 짧은 시간 간격으로 더 많이 샘플링 할 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 구동 영역이 포화 영역(Saturation Region)에서 트라이오드 영역(Triode Region)으로 전환되는 특정 시점(t=T)을 더욱 정밀하게 알 수 있다.
상기 정밀한 센싱을 통해, 구동 트랜지스터(DRT)가 포화 영역(Saturation Region)에서 구동하기 위한 구동전압(EVDD)의 전압 마진을 더욱 줄일 수 있다. 이에 따라, 표시패널(EVDD)에 인가되는 구동전압(EVDD)의 전압 레벨을 더욱 낮출 수 있다.
반대로, 구동 트랜지스터(DRT)의 전압을 제4 기간(T4) 동안, 같은 시간 동안 더 긴 시간 간격을 두고, 3회만 샘플링 할 수도 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 더 긴 시간 간격으로 3회만 샘플링 할 경우, 구동 트랜지스터(DRT)를 포화 영역(Saturation Region)에서 구동하기 위한 구동전압(EVDD)의 전압 마진은, 4회 이상 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)를 샘플링 하는 경우보다는 다소 높아질 수 있으나, 표시패널(110)에는, 변경 전 구동전압(EVDDold)의 전압 마진보다는 작은 전압 마진을 갖는 구동전압(EVDD)이 인가될 수 있다.
컨트롤러(140)는, 다수의 서브픽셀(SP)에 대하여 “다중 샘플링 프로세스(MSP)”를 수행하고, 다수의 서브픽셀(SP)에서 산출된 “구동전압 산출변수”에 기초하여, 목표 구동전압(EVDDgoal)을 산출할 수도 있다.
컨트롤러(140)는, 목표 구동전압(EVDDgoal) 산출 시, 다수의 서브픽셀(SP)의 “구동전압 산출변수” 중, 가장 작은 값을 사용할 수 있다.
“구동전압 산출변수”가 가장 작은 서브픽셀(SP)은, 시간에 따른 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 변화량이 가장 작은 서브픽셀(SP)일 수 있다. 이러한 서브픽셀(SP)은, 상기 이동도 센싱을 수행한 결과, 이동도가 가장 작은 서브픽셀(SP) 일 수 있다.
컨트롤러(140)는, 이동도가 가장 작은 서브픽셀(SP)에 대해서만 “다중 샘플링 프로세스(MSP)”를 수행하고, 해당 서브픽셀(SP)의 “다중 샘플링 프로세스(MSP)”에서 산출된 “구동전압 산출변수”를 이용하여, 목표 구동전압을 산출할 수도 있다.
이에 따라, 목표 구동전압(EVDDgoal)은 보수적으로 산출된다. 표시패널(110)은 안정적으로 구동될 수 있다.
특히, 제4 기간(T4) 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 짧은 시간 간격으로 다수 회 샘플링 하는 경우에, 센싱한 구동트랜지스터(DRT)의 개별적인 특성치가 반영될 여지가 있다. 이 경우, 목표 구동전압(EVDDgoal)을 보수적으로 산출하는 것이 더욱 효과적일 수 있다.
이에 따라, 컨트롤러(140)는 목표 구동전압(EVDDgoal)을 산출할 수 있다.
도 9는 컨트롤러(140)가 고전위 구동전압 출력단자(320)에서 출력되는 전압(EVDD_out)을 조절하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 9를 참조하면, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB) 상에 컨트롤러(140)가 실장될 수 있다. 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB) 상에는 스위칭부(910), 저항부(920), 원시 구동전압 입력단자(310), 고전위 구동전압 출력단자(320), 구동전압 경유 배선(940)이 위치할 수 있다. 전술한 구성들은, 표시패널을 구동하기 위한 “구동 회로”로 호칭될 수 있다. “구동 회로”는, 인쇄회로기판(PCB)과, 인쇄회로기판(PCB) 상에 위치하는 각종 회로들을 모두 포함할 수 있다. 이러한 인쇄회로기판(PCB)은, 일례로, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)일 수 있다.
도 9를 참조하면, 원시 고전위 구동전압 입력단자(310)에는 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)이 입력된다. 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)은 전술한 세트 보드에서 출력된 것일 수 있다.
고전위 구동전압 출력단자(320)는, 구동전압 경유 배선(940)을 통해 원시 고전위 입력단자(310)와 전기적으로 연결된다. 구동전압 경유 배선(940) 상에는 기준 저항(950)이 위치한다.
한편, 경유 배선(940)에는 저항부(920)가 전기적으로 연결될 수 있다. 저항부(920)는 적어도 하나의 저항(R)을 포함한다.
저항(R)은, 원시 구동전압 분배 노드(930)와 전기적으로 연결되는 일단과, 스위칭부(910)와 전기적으로 연결되는 타단을 포함한다.
스위칭부(910)는, 저항부(920)와 저전위 전원 사이의 연결을 스위칭하는 스위칭 소자(SW)를 포함한다. 저전위 전원에서는 그라운드 레벨 전압이 공급될 수 있다.
도 9를 참조하면, 저항부(920)는 크기가 다른 둘 이상의 저항(R)을 포함할 수 있다. 스위칭부(910)는, 저항부(920)에 포함된 저항(R)의 개수와 동일한 개수의 스위칭 소자(SW)를 포함할 수 있다. 저항부(920)가 둘 이상의 저항(R)을 포함하는 경우, 둘 이상의 저항(R)은 구동전압 경유 배선(940)에 병렬로 연결된다.
예를 들면, 저항부(920)는 크기가 다른 세 개의 저항(R1, R2, R3)을 포함할 수 있다. 세 개의 저항(R1, R2, R3)에 대하여, 제1 저항(R1)의 저항의 크기가 가장 크고, 제3 저항의 저항의 크기가 가장 작을 수 있다. 즉, 세 개의 저항(R1, R2, R3)에 대하여, 저항의 크기는 R1>R2>R3를 만족할 수 있다.
스위칭부(910)는, 세 개의 저항(R1, R2, R3) 각각과, 저전위 전원 사이의 전기적 연결을 스위칭 하는 세 개의 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 스위칭부(910)를 제어할 수 있다.
스위칭부(910)는, 파워 관리 회로에 포함되어, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에 실장될 수 있다. 이 경우, 컨트롤러(140)는 I2C 통신방식으로 스위칭부(910)를 제어할 수 있다.
스위칭부(910)에 포함된 세 개의 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)의 동작에 따라, 세 개의 저항(R1, R2, R3) 각각의 원시 구동전압 분배 노드(930a, 930b, 930c)에 인가되는 전압의 크기가 달라진다.
이에 따라, 고전위 구동전압 출력 단자(EVDD_out)에서 출력되는 전압의 전압 레벨은 낮아질 수 있다.
컨트롤러(140)는, 고전위 구동전압 출력단자(320)에서 출력되는 전압의 전압 레벨이, 전술한 목표 구동전압(EVDDgoal)과 가장 가까운 범위까지 작아지도록, 스위칭부(910)를 제어한다.
예를 들어, 컨트롤러(140)는, 세 개의 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)를 포함하는 스위칭부(910)를 제어할 수 있다. 이에 따라, 컨트롤러(140)는, 고전위 구동전압 출력단자(320)에서 출력되는 전압을, 8단계(EVDD_1~EVDD_8)로 구분하여 세밀하게 조절할 수 있다.
한편, 컨트롤러(140)는, 고전위 구동전압 출력단자(320)에서 출력되는 전압을 8단계(EVDD_1~EVDD_8)로 구분하되, 목표 구동전압(EVDDgoal)보다 같거나 큰 범위에서 목표 구동전압(EVDDgoal)과 가장 가까운 전압이 고전위 구동전압 출력단자(320)에서 출력되도록, 스위칭부(910)를 제어할 수 있다.
이를 통해, 고전위 구동전압 출력단자(320)에서는 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)보다 전압 레벨이 낮아진 고전위 구동전압(EVDD_out)을 출력할 수 있다. 그리고, 이러한 고전위 구동전압(EVDD_out)은 목표 구동전압(EVDDgoal)보다 같거나 큰 범위에서 목표 구동전압(EVDDgoal)과 가장 가까운 값으로, 구동전압(EVDD)에 적절한 마진을 확보할 수 있다.
“다중 샘플링 프로세스(MSP)”가 전원 차단 등의 오프 시퀀스(Off-Sequence)가 진행되기 이전에 수행되는 오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)로 수행되는 경우, 컨트롤러(140)는, 표시장치의 전원이 차단되었다가 표시장치의 전원이 처음으로 턴-온 될 때 스위칭부(910)를 제어할 수 있다.
즉, 오프 시퀀스 이전에 고전위 구동전압 출력단자(320)가 출력하는 고전위 구동전압(EVDD_out)의 전압 레벨은, 다중 샘플링 프로세스(MSP) 이후 표시장치가 처음으로 턴-온 될 때 고전위 구동전압(EVDD_out)의 전압 레벨과 다를 수 있다.
도 10은 컨트롤러(140)가 원시 고전위 구동전압 입력단자(310)에 입력되는 전압(EVDD_in)을 조절하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 10을 참조하면, 컨트롤러(140)는 세트 보드(210)에 포함된 메인 파워 관리 회로(220)를 제어할 수 있다.
컨트롤러(140)가 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에 실장되고, 메인 파워 관리 회로(220)가 세트 보드(210)에 실장되는 경우, 컨트롤러(140)는 I2C 통신 방식을 통해 세트 보드(210)에서 출력되는 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨이 낮아지도록 메인 파워 관리 회로(220)를 제어할 수 있다.
세트 보드(210)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 변경 전 구동전압(EVDDold)보다 전압 레벨이 낮은 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)을 출력할 수 있다.
세트 보드(210)에서 출력하는 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨은, 일례로, 목표 구동전압(EVDDgoal)의 전압 레벨과 같을 수 있다.
원시 고전위 구동전압 입력단자(310)는, 전압 레벨이 낮아진 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)을 입력받아, 구동전압 경유 배선(940)을 통해 고전위 구동전압 출력단자(320)로 출력한다.
고전위 구동전압 출력단자(320)는, 고전위 구동전압(EVDD_out)을 표시패널로 출력한다.
이에 따라, 전압 레벨이 적절한 수준으로 낮아진 구동전압(EVDD)을 인가할 수 있다.
이에 따라, 세트 보드(210)에서 출력되는 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨을 낮추어, 전력 소모를 줄일 수 있다.
“다중 샘플링 프로세스(MSP)”가 전원 차단 등의 오프 시퀀스(Off-Sequence)가 진행되기 이전에 수행되는 오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)로 수행되는 경우, 컨트롤러(140)는, 표시장치의 전원이 차단되었다가 표시장치의 전원이 처음으로 턴-온 될 때 메인 파워 관리 회로(220)를 제어할 수 있다.
즉, 오프 시퀀스 이전에 원시 고전위 구동전압 입력단자(310)에 입력되는 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨은, 다중 샘플링 프로세스(MSP) 이후 표시장치가 처음으로 턴-온 될 때 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨과 다를 수 있다.
도 11은 본 개시에 따른 표시장치에서, 고전위 구동전압(EVDD_out)이 낮아지는 것을 표현한 도면이다.
본 개시에 따른 표시장치는, 고전위 구동전압 출력단자에서 출력되는 고전위 구동전압(EVDD_out)의 전압 레벨을 낮출 수 있다.
본 개시에 따른 표시장치는, “다중 샘플링 프로세스(MSP)” 기간 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 3회 이상 샘플링 함으로써, 구동전압(EVDD)의 전압 레벨을 낮추되, 구동 트랜지스터(DRT)를 포화 영역(Saturation Region)에서 구동할 수 있는 목표 구동전압(EVDDgoal)을 산출할 수 있다.
본 개시에 따른 표시장치는, 다수의 서브픽셀(SP)에 대하여 “다중 샘플링 프로세스(MSP)”를 수행하여, 표시패널을 안정적으로 구동하기 위한 목표 구동전압(EVDDgoal)을 산출할 수 있다.
본 개시에 따른 표시장치는, 원시 고전위 구동전압 입력단자에 입력된 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨을 낮추어, 전압 레벨이 낮아진 목표 구동전압(EVDDgoal)에 가깝게 낮아진 고전위 구동전압(EVDD_out)을 표시패널에 입력할 수 있다.
본 개시에 따른 표시장치는, 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨을 목표 구동전압(EVDDgoal)의 전압 레벨까지 낮출 수 있다.
이에 따라, 구동전압(EVDD)의 전압 레벨을 표시패널의 상태에 기초하여 적응적으로 낮출 수 있다.
구동전압(EVDD)의 전압 레벨을 표시패널의 상태에 기초하여 적응적으로 낮춤으로써, 구동 트랜지스터에 필요 이상으로 높은 전압 레벨의 구동전압(EVDD)이 지속적으로 인가되지 않을 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 완화 될 수 있다.
이상에서 설명한 본 개시의 실시예들을 간략하게 설명하면 아래와 같다.
본 개시의 실시예들은, 다수의 데이터 라인(DL)들, 다수의 게이트 라인(GL)들, 다수의 서브픽셀(SP)들을 포함하고, 다수의 서브픽셀(SP)들 각각은 구동 트랜지스터(DRT)와 발광소자(ED)를 포함하며, 상기 다수의 서브픽셀(SP)들과 전기적으로 연결되는 다수의 기준전압 라인(RVL)들을 포함하는 표시패널(110); 및 상기 다수의 게이트 라인(GL)들에 게이트 신호(Vgate)를 공급하기 위해 구성된 게이트 구동 회로(130)를 포함하고, 상기 게이트 구동 회로(130)가 상기 다수의 서브픽셀(SP)들 중 어느 하나의 서브픽셀(SP)에 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호(Vgate)를 인가하는 동안, 상기 어느 하나의 서브픽셀(SP)과 전기적으로 연결된 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기가 작아졌다가 복원되는 기간이 3회 이상 존재하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 다수의 기준전압 라인(RVL)들 각각과 기준전압 공급 노드(Nref) 사이의 전기적 연결을 스위칭 하기 위해 구성된 초기화 스위치(SPRE); 상기 다수의 기준전압 라인(RVL)들의 전압을 샘플링 하기 위해 구성된 아날로그 디지털 컨버터(ADC); 및 상기 아날로그 디지털 컨버터와 상기 다수의 기준전압 라인(RVL)들 각각 사이의 전기적 연결을 스위칭 하기 위해 구성된 샘플링 스위치(SAM)를 포함하는 데이터 구동 회로(120)를 더 포함하고, 상기 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되었다가 턴-오프 되면, 상기 샘플링 스위치(SAM)와 전기적으로 연결되는 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승기울기가 작아졌다가 복원되며, 상기 데이터 구동 회로(120)가 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압을 3회 이상 샘플링 하는 동안, 상기 3회 이상 샘플링 중 두 번째 샘플링 시점 이후인 특정 샘플링 시점에, 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기가, 상기 특정 샘플링 시점 이전의 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기와 달라지면, 상기 특정 샘플링 시점 직전의 샘플링 시점에 상기 기준전압 라인(RVL)에 인가되는 전압에 따라 상기 표시패널에 인가되는 고전위 구동전압의 전압 레벨이 가변되는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 게이트 구동 회로와 상기 데이터 구동 회로(120)를 구동하기 위해 구성된 컨트롤러(140)를 더 포함하고, 상기 컨트롤러(140)는, 상기 3회 이상 샘플링 중 두 번째 샘플링이 진행되는 두 번째 샘플링 시점 이후부터, 해당 샘플링 시점에서 샘플링된 전압과 직전 샘플링 시점에서 샘플링된 전압의 전압차로부터, 해당 샘플링 시점에서 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기를 산출하고, 상기 3회 이상 샘플링 중 세 번째 샘플링 시점(SAM 3rd) 이후의 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기를, 두 번째 샘플링 시점(SAM 2nd)에서 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기와 비교하며, 비교 결과에 따라, 상기 표시패널(110)에 인가되는 고전위 구동전압(EVDD_out)의 전압 레벨이 낮아지는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 컨트롤러(140)는, 특정 샘플링 시점에서 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기가, 두 번째 샘플링 시점(SAM 2nd)에서 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기보다 작으면, 상기 특정 샘플링 시점의 직전 샘플링 시점에서 샘플링 된 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압에 기초하여, 목표 구동전압(EVDDgoal)을 산출하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 다수의 서브픽셀(SP)들 각각은, 상기 게이트 신호 중 스캔 펄스(SCAN)에 의해 제어되고, 상기 다수의 데이터 라인(DL)들 중 하나의 데이터 라인에서 공급된 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전달하기 위해 구성된 스캔 트랜지스터(SCT); 및 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)에 각각 전기적으로 연결되는 스토리지 캐패시터(Cst)를 더 포함하고, 상기 구동 트랜지스터(DRT)는 제2 노드(N2)에서 상기 발광소자(ED)의 제1 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 구동 트랜지스터(DRT)는 제3 노드(N3)에서 구동전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결되며, 상기 구동전압 라인(DVL)에는 상기 구동 트랜지스터(DRT)를 동작시키고 상기 발광소자(ED)를 구동하기 위한 구동전압(EVDD)이 인가되고, 상기 센싱 트랜지스터는 상기 게이트 신호(Vgate) 중 센스 펄스(SENSE)에 의해 제어되는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 게이트 구동 회로와 상기 데이터 구동 회로(120)를 구동하기 위한 컨트롤러(140)를 더 포함하고, 상기 표시장치(100)는 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압을 3회 이상 샘플링 하기 위한 다중 샘플링 프로세스(MSP)가 진행되는 기간이 존재하며, 상기 다중 샘플링 프로세스 기간은 제1 기간 내지 제4 기간을 포함하고, 제1 기간(T1) 동안 상기 센싱 트랜지스터(SENT)에 턴-온 레벨 전압의 센스 펄스가 인가되고, 상기 초기화 스위치는 턴-온 되며, 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 기준전압(Vref)으로 초기화되고, 제2 기간(T2) 동안 상기 스캔 트랜지스터(SCT)에는 턴-온 레벨 전압의 스캔 펄스(SCAN)가 인가되고, 상기 데이터 라인(Vdata)에는 데이터 전압(Vdata)이 인가되며, 제3 기간(T3) 동안 상기 스캔 트랜지스터(SCT)는 턴 오프 되고, 제4 기간(T4) 동안 상기 초기화 스위치(SPRE)는 턴 오프 되고, 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 상승하며, 상기 제2 노드(N2)의 전압이 상승하는 동안, 상기 샘플링 스위치(SAM)는 3회 이상 스위칭 되는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 컨트롤러(140)는, 샘플링 된 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 값에 기초하여, 샘플링 된 시점에서 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승 기울기를 산출하며, 상기 전압 상승 기울기가 작아지기 직전에 샘플링 된 전압 값을 구동전압 산출 변수로 저장하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 컨트롤러(140)는, 상기 다수의 서브픽셀(SP) 각각에 대해 상기 구동 전압 산출 변수를 산출하고, 저장하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 컨트롤러(140)는, 상기 다수의 서브픽셀(SP)들 각각에 대해 산출된 상기 구동전압 산출 변수 중 가장 작은 값을 이용하여, 목표 구동전압(EVDDgoal)을 산출하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 게이트 구동 회로(130)를 구동하기 위해 구성된 컨트롤러(140)를 더 포함하고, 상기 컨트롤러(140)는, 상기 다수의 서브픽셀(SP)들 중 이동도가 가장 작은 서브픽셀(SP)에 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호(Vgate)를 공급하도록 상기 게이트 구동 회로(130)를 제어하고, 상기 이동도가 가장 작은 서브픽셀(SP)과 전기적으로 연결된 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기는 3회 이상 작아졌다가 복원되는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기가 작아졌다가 복원되는 세 번의 기간 각각에 대하여, 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승기울기가 작아지기 전에 상기 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 상승 폭은, 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기가 복원된 이후에 상기 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 상승 폭과 같은 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 표시패널(110)을 구동하기 위한 구동 회로를 포함하고, 상기 구동 회로는, 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)이 입력되는 원시 고전위 구동전압 입력단자(310); 상기 표시패널(110)로 고전위 구동전압(EVDD_out)을 출력하는 고전위 구동전압 출력단자(320); 상기 원시 고전위 구동전압 입력단자(310)와 고전위 구동전압 출력단자(320) 사이를 전기적으로 연결하는 구동전압 경유 배선(940); 상기 구동전압 경유 배선(940) 상에 위치하는 기준 저항(950); 상기 구동전압 경유 배선(940)과 전기적으로 연결되는 저항부(920); 상기 저항부(920)와 저전위 전원 간의 연결을 스위칭 하는 스위칭부(910)를 포함하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 고전위 구동전압(EVDD_out)의 전압 레벨은, 상기 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨보다 낮은 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 저항부(920)는 크기가 다른 둘 이상의 저항(R)들을 포함하고, 상기 둘 이상의 저항(R)들 각각은, 상기 구동 전압 경유 배선(940)에 전기적으로 연결되는 일단과, 상기 스위칭부(910)에 전기적으로 연결되는 타단을 포함하며, 상기 둘 이상의 저항(R)들은 각각 상기 구동전압 경유 배선(940)에 병렬로 연결되고, 상기 스위칭부(910)는 상기 저항부(920)에 포함된 저항(R)들의 개수와 동일한 개수의 스위칭 소자(SW)들을 포함하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 컨트롤러(140)는, 상기 목표 구동전압(EVDDgoal)의 전압 레벨보다 같거나 높은 전압 레벨의 범위에서 상기 고전위 구동전압(EVDD_out)의 전압 레벨이 낮아지도록 상기 스위칭부(910)를 제어하되, 상기 고전위 구동전압(EVDD_out)과 상기 목표 구동전압(EVDDgoal)의 전압 레벨 차이가 가장 작아지도록 상기 스위칭부(910)를 제어하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨을 조절하는 메인 파워 관리 회로(220)를 더 포함하고, 상기 컨트롤러(140)는, 상기 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)의 전압 레벨이 상기 목표 구동전압(EVDDgoal)의 전압 레벨과 같아지도록 상기 메인 파워 관리 회로(220)를 제어하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 다수의 데이터라인(DL)들, 다수의 게이트라인(GL)들, 다수의 서브픽셀(SP)들을 포함하고, 상기 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 구동 트랜지스터(DRT)와 발광소자(ED)를 포함하는 표시패널(110); 및 상기 표시패널(110)을 구동하기 위해 구성된 구동 회로를 포함하고, 상기 구동 회로는, 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)이 입력되는 원시 고전위 구동전압 입력단자(310); 상기 표시패널(110)로 고전위 구동전압(EVDD_out)을 출력하며, 상기 원시 고전위 구동전압(EVDD_in)보다 낮은 전압 레벨의 상기 고전위 구동전압(EVDD_out)을 출력하는 고전위 구동전압 출력단자(320); 상기 원시 고전위 구동전압 입력단자(310)와 상기 고전위 구동전압 출력단자(320) 사이를 전기적으로 연결하는 구동전압 경유 배선(940); 상기 구동전압 경유 배선과 전기적으로 연결되는 기준 저항(950); 상기 구동전압 경유 배선(940)과 전기적으로 연결되는 저항부(920); 상기 저항부(920)와 저전위 전원 간의 전기적 연결을 스위칭하는 스위칭부(910); 및 상기 스위칭부(910)를 제어하는 컨트롤러(140)를 포함하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 구동 회로는 인쇄회로기판(PCB)을 더 포함하고, 상기 컨트롤러(140)는 상기 인쇄회로기판(PCB) 상에 실장되며, 상기 원시 고전위 구동전압 입력단자(310), 상기 고전위 구동전압 출력단자(320), 상기 구동전압 경유 배선(940), 상기 기준 저항(950), 상기 저항부(920) 및 상기 스위칭부(910)는 상기 인쇄회로기판(PCB) 상에 위치하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 다수의 게이트 라인(GL)들에 게이트 신호(Vgate)를 공급하기 위해 구성된 게이트 구동 회로(130)를 더 포함하고, 상기 게이트 구동 회로(130)가 상기 다수의 서브픽셀(SP)들 중 어느 하나의 서브픽셀(SP)에 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호(Vgate)를 인가하는 동안, 상기 어느 하나의 서브픽셀(SP)과 전기적으로 연결된 기준전압 라인(RVL)의 전압 상승 기울기가 작아졌다가 복원되는 기간이 3회 이상 존재하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 상기 컨트롤러(140)는, 상기 3회 이상 샘플링 중 특정 샘플링 시점에서 산출한 상기 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 변화량이, 상기 두 번째 샘플링 시점에서 산출한 상기 기준전압 라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 변화량보다 작으면, 상기 특정 샘플링 시점의 직전에 샘플링한 시점에서 샘플링 된 상기 기준전압 라인(RVL)의 전압에 기초하여 목표 구동전압(EVDDgoal)을 산출하고, 상기 목표 구동전압(EVDDgoal)의 전압 레벨보다 같거나 높은 범위에서 상기 고전위 구동전압 출력단자(320)에서 출력되는 전압의 전압 레벨이 낮아지도록 상기 스위칭부(910)를 제어하는 표시장치(100)를 제공할 수 있다.
이상의 설명은 본 개시의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 개시에 개시된 실시예들은 본 개시의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 개시의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시장치 110: 표시패널
120: 데이터 구동회로 130: 게이트 구동부
140: 컨트롤러 210: 세트 보드
220: 메인 파워 관리 회로 240: 파워 관리 회로
310: 원시 고전위 구동전압 입력단자 320: 고전위 구동전압 출력단자
410: 저장부 420: 보상 회로
910: 스위칭부 920: 저항부
930: 원시 구동전압 분배 노드 940: 구동전압 경유 배선
950: 기준 저항

Claims (20)

  1. 다수의 데이터 라인들, 다수의 게이트 라인들, 다수의 서브픽셀들을 포함하고, 상기 다수의 서브픽셀들 각각은 구동 트랜지스터와 발광소자를 포함하며, 상기 다수의 서브픽셀들과 전기적으로 연결되는 다수의 기준전압 라인들을 포함하는 표시패널; 및
    상기 다수의 게이트 라인들에 게이트 신호를 공급하기 위해 구성된 게이트 구동 회로를 포함하고,
    상기 게이트 구동 회로가 상기 다수의 서브픽셀들 중 어느 하나의 서브픽셀에 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 인가하는 동안,
    상기 어느 하나의 서브픽셀과 전기적으로 연결된 기준전압 라인의 전압 상승 기울기가 작아졌다가 복원되는 기간이 3회 이상 존재하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 기준전압 라인들 각각과 기준전압 공급 노드 사이의 전기적 연결을 스위칭 하기 위해 구성된 초기화 스위치;
    상기 다수의 기준전압 라인들의 전압을 샘플링 하기 위해 구성된 아날로그 디지털 컨버터; 및
    상기 아날로그 디지털 컨버터와 상기 다수의 기준전압 라인들 각각 사이의 전기적 연결을 스위칭 하기 위해 구성된 샘플링 스위치;
    를 포함하는 데이터 구동 회로를 더 포함하고,
    상기 샘플링 스위치가 턴-온 되었다가 턴-오프 되면, 상기 샘플링 스위치와 전기적으로 연결되는 상기 기준전압 라인의 전압 상승 기울기가 작아졌다가 복원되며,
    상기 데이터 구동 회로가 상기 기준전압 라인의 전압을 3회 이상 샘플링 하는 동안, 상기 3회 이상 샘플링 중 두 번째 샘플링 시점 이후인 특정 샘플링 시점에, 상기 기준전압 라인의 전압 상승 기울기가, 상기 특정 샘플링 시점 직전의 샘플링 시점에서 상기 기준전압 라인의 전압 상승 기울기와 달라지면,
    상기 특정 샘플링 시점 직전의 샘플링 시점에서 상기 기준전압 라인에 인가되는 전압에 따라, 상기 표시패널에 인가되는 고전위 구동전압의 전압 레벨이 가변되는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 게이트 구동 회로와 상기 데이터 구동 회로를 구동하기 위해 구성된 컨트롤러를 더 포함하고,
    상기 컨트롤러는,
    상기 3회 이상 샘플링 중 두 번째 샘플링이 진행되는 두 번째 샘플링 시점 이후부터,
    해당 샘플링 시점에서 샘플링 된 전압과 직전 샘플링 시점에서 샘플링 된 전압의 전압차로부터, 해당 샘플링 시점에서 상기 기준전압 라인의 전압 상승 기울기를 산출하고,
    상기 3회 이상 샘플링 중 세 번째 샘플링 시점 이후의 상기 기준전압 라인의 전압 상승 기울기를, 상기 두 번째 샘플링 시점에서 상기 기준전압 라인의 전압 상승 기울기와 비교하며,
    비교 결과에 따라, 상기 표시패널에 인가되는 고전위 구동전압의 전압 레벨이 낮아지는 표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 컨트롤러는,
    특정 샘플링 시점에서 상기 기준전압 라인의 전압 상승 기울기가, 상기 두 번째 샘플링 시점에서 상기 기준전압 라인의 전압 상승 기울기보다 작으면,
    상기 특정 샘플링 시점의 직전 샘플링 시점에서 샘플링 된 상기 기준전압 라인의 전압에 기초하여, 목표 구동전압을 산출하는 표시장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 다수의 서브픽셀들 각각은,
    상기 게이트 신호 중 스캔 펄스에 의해 제어되고, 상기 다수의 데이터 라인들 중 하나의 데이터 라인에서 공급된 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드에 전달하기 위해 구성된 스캔 트랜지스터; 및
    상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드에 각각 전기적으로 연결되는 스토리지 커패시터를 더 포함하고,
    상기 구동 트랜지스터는 제2 노드에서 상기 발광소자의 제1 전극과 전기적으로 연결되고,
    상기 구동 트랜지스터는 제3 노드에서 구동전압 라인과 전기적으로 연결되며,
    상기 구동전압 라인에는 상기 구동 트랜지스터를 동작시키고 상기 발광소자를 구동하기 위한 구동전압이 인가되고,
    상기 센싱 트랜지스터는 상기 게이트 신호 중 센스 펄스에 의해 제어되는 표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 게이트 구동 회로와 상기 데이터 구동 회로를 구동하기 위해 구성된 컨트롤러를 더 포함하고,
    상기 표시장치는 상기 기준전압 라인의 전압을 3회 이상 샘플링 하기 위한 다중 샘플링 프로세스가 진행되는 기간이 존재하며,
    상기 다중 샘플링 프로세스 기간은 제1 기간 내지 제4 기간을 포함하고,
    제1 기간 동안 상기 센싱 트랜지스터에 턴-온 레벨 전압의 센스 펄스가 인가되고, 상기 초기화 스위치는 턴-온 되며, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드의 전압은 기준전압으로 초기화되고,
    제2 기간 동안 상기 스캔 트랜지스터에는 턴-온 레벨 전압의 스캔 펄스가 인가되고, 상기 데이터 라인에는 데이터 전압이 인가되며,
    제3 기간 동안 상기 스캔 트랜지스터는 턴 오프 되고,
    제4 기간 동안 상기 초기화 스위치는 턴 오프 되고, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드의 전압은 상승하며, 상기 제2 노드의 전압이 상승하는 동안, 상기 샘플링 스위치는 3회 이상 스위칭 되는 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 샘플링 된 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드의 전압 값에 기초하여, 샘플링 된 시점에서 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드의 전압 상승 기울기를 산출하며, 상기 전압 상승 기울기가 작아지기 직전에 샘플링 된 전압 값을 구동전압 산출 변수로 저장하는 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 다수의 서브픽셀들 각각에 대해 상기 구동전압 산출 변수를 산출하고, 저장하는 표시장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 다수의 서브픽셀들 각각에 대해 산출된 상기 구동전압 산출 변수 중 가장 작은 값을 이용하여, 목표 구동전압을 산출하는 표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 구동 회로를 구동하기 위해 구성된 컨트롤러를 더 포함하고,
    상기 컨트롤러는,
    상기 다수의 서브픽셀들 중 이동도가 가장 작은 서브픽셀에 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 공급하도록 상기 게이트 구동 회로를 제어하고,
    상기 이동도가 가장 작은 서브픽셀과 전기적으로 연결된 기준전압 라인의 전압 상승 기울기는 3회 이상 작아졌다가 복원되는 표시장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기준전압 라인의 전압 상승 기울기가 작아졌다가 복원되는 세 번의 기간 각각에 대하여,
    상기 기준전압 라인의 전압 상승기울기가 작아지기 전에 상기 기준전압 라인의 단위 시간 당 전압 상승 폭은, 상기 기준전압 라인의 전압 상승기울기가 복원된 이후에 상기 기준전압 라인의 단위 시간 당 전압 상승 폭과 같은 표시장치.
  12. 제4항에 있어서,
    상기 표시패널을 구동하기 위한 구동 회로를 포함하고,
    상기 구동 회로는,
    원시 고전위 구동전압이 입력되는 원시 고전위 구동전압 입력단자;
    상기 표시패널로 고전위 구동전압을 출력하는 고전위 구동전압 출력단자;
    상기 원시 고전위 구동전압 입력단자와 상기 고전위 구동전압 출력단자 사이를 전기적으로 연결하는 구동전압 경유 배선;
    상기 구동전압 경유 배선 상에 위치하는 기준 저항;
    상기 구동전압 경유 배선과 전기적으로 연결되는 저항부; 및
    상기 저항부와 저전위 전원 간의 연결을 스위칭 하는 스위칭부를 포함하는 표시장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 고전위 구동전압의 전압 레벨은, 상기 원시 고전위 구동전압의 전압 레벨보다 낮은 표시장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 저항부는 크기가 다른 둘 이상의 저항들을 포함하고,
    상기 둘 이상의 저항들 각각은, 상기 구동전압 경유 배선에 전기적으로 연결되는 일단과, 상기 스위칭부에 전기적으로 연결되는 타단을 포함하며,
    상기 둘 이상의 저항들은 각각 상기 구동전압 경유 배선에 병렬로 연결되고,
    상기 스위칭부는 상기 저항부에 포함된 저항들의 개수와 동일한 개수의 스위칭 소자들을 포함하는 표시장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 컨트롤러는,
    상기 목표 구동전압의 전압 레벨보다 같거나 높은 전압 레벨의 범위에서 상기 고전위 구동전압의 전압 레벨이 낮아지도록 상기 스위칭부를 제어하되,
    상기 고전위 구동전압과 상기 목표 구동전압의 전압 레벨 차이가 가장 작아지도록 상기 스위칭부를 제어하는 표시장치.
  16. 제4항에 있어서,
    원시 고전위 구동전압의 전압 레벨을 조절하는 메인 파워 관리 회로를 더 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 원시 고전위 구동전압의 전압 레벨이 상기 목표 구동전압의 전압 레벨과 같아지도록 상기 메인 파워 관리 회로를 제어하는 표시장치.
  17. 다수의 데이터 라인들, 다수의 게이트 라인들, 다수의 서브픽셀들을 포함하고, 상기 다수의 서브픽셀들 각각은 구동 트랜지스터와 발광소자를 포함하는 표시패널; 및
    상기 표시패널을 구동하기 위해 구성된 구동 회로를 포함하고,
    상기 구동 회로는,
    원시 고전위 구동전압이 입력되는 원시 고전위 구동전압 입력단자;
    상기 표시패널로 고전위 구동전압을 출력하며, 상기 원시 고전위 구동전압보다 낮은 전압 레벨의 상기 고전위 구동전압을 출력하는 고전위 구동전압 출력단자;
    상기 원시 고전위 구동전압 입력단자와 상기 고전위 구동전압 출력단자 사이를 전기적으로 연결하는 구동전압 경유 배선;
    상기 구동전압 경유 배선 상에 위치하는 기준 저항;
    상기 구동전압 경유 배선과 전기적으로 연결되는 저항부;
    상기 저항부와 저전위 전원 간의 전기적 연결을 스위칭 하는 스위칭부; 및
    상기 스위칭부를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 표시장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 구동 회로는 인쇄회로기판을 더 포함하고,
    상기 컨트롤러는 상기 인쇄회로기판 상에 실장되며,
    상기 원시 고전위 구동전압 입력단자, 상기 고전위 구동전압 출력단자, 상기 구동전압 경유 배선, 상기 기준 저항, 상기 저항부 및 상기 스위칭부는 상기 인쇄회로기판 상에 위치하는 표시장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 다수의 게이트 라인들에 게이트 신호를 공급하기 위해 구성된 게이트 구동 회로Y 더 포함하고,
    상기 게이트 구동 회로가 상기 다수의 서브픽셀들 중 어느 하나의 서브픽셀에 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 인가하는 동안,
    상기 어느 하나의 서브픽셀과 전기적으로 연결된 기준전압 라인의 전압 상승 기울기가 작아졌다가 복원되는 기간이 3회 이상 존재하는 표시장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 컨트롤러는,
    상기 3회 이상 샘플링 중 세 번째 샘플링 시점 이후인 특정 샘플링 시점에서 산출한 상기 기준전압 라인의 단위 시간 당 전압 변화량이, 상기 두 번째 샘플링 시점에서 산출한 상기 기준전압 라인의 단위 시간 당 전압 변화량보다 작으면,
    상기 특정 샘플링 시점의 직전 샘플링 시점에 샘플링한 상기 기준전압 라인의 전압에 기초하여 목표 구동전압을 산출하고,
    상기 목표 구동전압의 전압 레벨보다 같거나 높은 범위에서 상기 고전위 구동전압 출력단자에서 출력되는 전압의 전압 레벨이 낮아지도록 상기 스위칭부를 제어하는 표시장치.
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