TWI849137B - 鍍覆裝置 - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 254
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 98
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 19
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 5
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 4
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101000827703 Homo sapiens Polyphosphoinositide phosphatase Proteins 0.000 description 1
- 102100023591 Polyphosphoinositide phosphatase Human genes 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/008—Current shielding devices
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/004—Sealing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/028—Electroplating of selected surface areas one side electroplating, e.g. substrate conveyed in a bath with inhibited background plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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Abstract
本發明提供一種在基板的附近處調節基板上的電位分佈的遮蔽板。根據
一實施方式,提供一種用於對基板進行鍍覆處理的鍍覆裝置,具有:基板保持架,用於保持基板;遮蔽板,與所述基板保持架相鄰配置;以及移動機構,用於使所述遮蔽板向靠近所述基板保持架的方向以及遠離所述基板保持架的方向移動,所述遮蔽板構成為,能夠通過所述移動機構來向所述基板保持架側移動,從而與所述基板保持架接觸。
Description
本發明關於一種鍍覆裝置。本發明的主張基於2019年6月13日申請的日本專利申請號第2019-110430號的優先權。包含日本專利申請號第2019-110430號的說明書、請求項書、附圖以及摘要在內的所有公開內容通過參照作為整體引用於本發明。
人們一直在進行如下事項:在半導體器件、電子元件用基板的表面形成Cu等的金屬鍍膜。例如,有時在基板保持架保持作為鍍覆對象的基板,並使基板連同基板保持架一起浸漬於收容有鍍覆液的鍍覆槽中而進行電鍍。基板保持架以露出基板的鍍覆面的方式保持基板。在鍍覆液中,以與基板的露出面對應的方式配置陽極,能夠對基板與陽極之間施加電壓而在基板的露出面形成電鍍膜。
[現有技術文獻]
專利文獻1:日本特開2016-79504號公報
在電鍍裝置中,為了對基板均勻地進行鍍覆處理,有時具備用於調節基板上的電位分佈的遮蔽板(也稱為調節板)。遮蔽板配置於陽極與基板之間,並具有允許從陽極流向基板的電流通過的開口。為了調節基板的外周附近的電位分佈,有時想要在基板的極近處配置遮蔽板。若在基板的極近處配置遮蔽板,則在將保持有基板的基板保持架配置於鍍覆槽內時,存在基板保持架與遮蔽板碰撞的可能性。
因此,開發了一種基板保持架,其不是將遮蔽板配置於基板保持架的極其附近,而是具有作為遮蔽板的功能。例如,專利文獻1公開了一種基板保持架,其具有用於調節陽極與基板之間的電場的調節環。這樣的基板保持架在基板的前表面的外周附近具有呈凸緣狀伸出的調節環,因此能夠調節基板的極其附近的電場。但是,由於具備向基板的前表面伸出的構造,因此基板保持架具備錯綜複雜的機械形狀。因此,在使基板保持架浸漬於鍍覆槽內的鍍覆液時,有時會在基板保持架、調節環與基板之間殘留空氣、氣泡,存在對均勻地鍍覆基板帶來不良影響的風險。另外,在將基板保持架從鍍覆槽提起時,有時會在基板保持架、調節環與基板之間殘留鍍覆液。本申請的一個目的在於,解決或緩和這些問題的至少一部分。
根據一實施方式,提供一種用於對基板進行鍍覆處理的鍍覆裝置,該鍍覆裝置具有:基板保持架,用於保持基板;遮蔽板,與所述基板保持架相鄰配置;以及移動機構,用於使所述遮蔽板向靠近所述基板保持架的方向以及遠離所述基板保持架的方向移動,所述遮蔽板構成為,能夠通過所述移動機構來向所述基板保持架側移動而與所述基板保持架接觸。
10:鍍覆槽
11:基板保持架
16:外槽
30:陽極保持架
31:陽極
110:主體部
112:臂部
114:電接點
152:支承部件
153:凹部
154:遮蔽板
155:連結銷
156:開口部
157:流體彈簧
155a:軸部
155b:頭部
155c:頭部
W:基板
圖1是表示基於一實施方式的鍍覆裝置的示意圖。
圖2是表示在一實施方式所涉及的鍍覆裝置中使用的基板保持架的一個例子的立體圖。
圖3是表示將基於一實施方式的保持有基板的基板保持架配置於鍍覆槽時的情形的立體圖。
圖4是表示基於一實施方式的配置有基板保持架的狀態的鍍覆槽的圖。
圖5是從圖4中的箭頭5的方向觀察的圖。
圖6是放大表示圖4所示的遮蔽板的移動機構的周邊的圖。
圖7A是沿著圖6中的箭頭7AB切出的局部剖視圖。
圖7B是沿著圖6中的箭頭7AB切出的局部剖視圖。
以下,結合附圖來說明本發明關於鍍覆裝置的實施方式。在附圖中,對相同或類似的要素標注相同或類似的參照符號,在各實施方式的說明中,有時省略與相同或類似的要素有關的重複的說明。另外,在各實施方式中教示的特徵只要不相互矛盾則也能夠應用於其他實施方式。
圖1是表示鍍覆裝置的一實施方式的示意圖。如圖1所示,鍍覆裝置具有:架台101;控制鍍覆裝置的運轉的控制裝置103;對基板W(參照圖2)進行裝載和卸載的裝載/卸載部170A;基板放置部(機械室)170B,該基板放置部(機械室)170B將基板W放置於基板保持架11(參照圖2),並且從基板保持架11拆下基板W;對基板W進行鍍覆的處理部(前處理室、鍍覆室)170C;收納
基板保持架11的保持架收納部(堆料室)170D;以及對鍍覆後的基板W進行清洗和乾燥的清洗部170E。本實施方式所涉及的鍍覆裝置是通過使電流流過鍍覆液而利用金屬對基板W的表面進行鍍覆的電鍍裝置。另外,作為本實施方式的處理物件的基板W例如是半導體封裝基板等。
如圖1所示,架台101由多個架台部件101a~101h構成,這些架台部件101a~101h構成為能夠連結。裝載/卸載部170A的構成要素配置在第一架台部件101a上,基板放置部170B的構成要素配置在第二架台部件101b上,處理部170C的構成要素配置在第三架台部件101c~第六架台部件101f上,保持架收納部170D的構成要素配置在第七架台部件101g和第八架台部件101h上。
在裝載/卸載部170A設置有:裝載台105,該裝載台105搭載有收納了鍍覆前的基板W的盒體(未圖示);以及卸載台107,該卸載台107搭載有接收由處理部170C鍍覆後的基板W的盒體(未圖示)。並且,在裝載/卸載部170A還配置有輸送基板W的由輸送用機械手構成的基板輸送裝置122。此外,可以在裝載台105直接放置鍍覆前的基板W,也可以在卸載台107直接放置鍍覆後的基板W。
基板輸送裝置122構成為,訪問搭載於裝載台105的盒體而從盒體取出鍍覆前的基板W、或者拿取放置於裝載台105的基板W,將基板W傳遞給基板放置部170B。在基板放置部170B中,將鍍覆前的基板W放置於基板保持架11,從基板保持架11取出鍍覆後的基板W。
在處理部170C配置有預濕槽126、預浸槽128、第一洗滌槽130a、鼓風槽132、第二洗滌槽130b、第一鍍覆槽10a、第二鍍覆槽10b、第三洗滌槽130c、以及第三鍍覆槽10c。這些槽126、128、130a、132、130b、10a、10b、130c、10c以該順序配置。
在預濕槽126中,作為前處理準備,將基板W浸漬在純水中。在預浸槽128中,通過藥液來對形成於基板W的表面的籽晶層等導電層的表面的氧化膜進行蝕刻去除。在第一洗滌槽130a中,利用清洗液(例如,純水)對預浸後的基板W進行清洗。
在第一鍍覆槽10a、第二鍍覆槽10b以及第三鍍覆槽10c中的至少一個鍍覆槽10中,對基板W進行鍍覆。此外,在圖1所示的實施方式中,鍍覆槽10為三個,但作為其他的實施方式,也可以具有任意數量的鍍覆槽10。
在第二洗滌槽130b中,由第一鍍覆槽10a或者第二鍍覆槽10b鍍覆後的基板W與基板保持架11一同由清洗液(例如,純水)進行清洗。在第三洗滌槽130c中,由第三鍍覆槽10c鍍覆後的基板W與基板保持架11一同由清洗液(例如,純水)進行清洗。在鼓風槽132中,進行清洗後的基板W的脫液。
預濕槽126、預浸槽128、洗滌槽130a~130c以及鍍覆槽10a~10c是能夠在它們的內部貯存處理液(液體)的處理槽。這些處理槽具有貯存處理液的多個處理單元,但不限定於該實施方式,這些處理槽也可以具有單一的處理單元。並且,也可以是,這些處理槽的至少一部分具有單一的處理單元,其他的處理槽具有多個處理單元。
鍍覆裝置還具有對基板保持架11進行輸送的輸送機140。輸送機140構成為能夠在鍍覆裝置的構成要素之間移動。輸送機140具有:固定基座142,該固定基座142從基板放置部170B到處理部170C沿水準方向延伸;以及多個傳送裝置141,該多個傳送裝置141構成為能夠沿著固定基座142移動。
這些傳送裝置141構成為分別具有用於保持基板保持架11的可動部(未圖示),對基板保持架11進行保持。傳送裝置141構成為,在基板放置部170B、保持架收納部170D以及處理部170C之間輸送基板保持架11,進一步使基板保持架11與基板W一同上下移動。作為傳送裝置141的移動機構,能夠舉出例
如電動機與齒輪齒條的組合。此外,在圖1所示的實施方式中,設置有三個傳送裝置,但作為其他的實施方式也可以採用任意數量的傳送裝置。
參照圖2來對基板保持架11的結構進行說明。圖2是表示在一實施方式所涉及的鍍覆裝置中使用的基板保持架的一例的立體圖。如圖2所示,基板保持架11具備保持基板W的主體部110和設置於主體部110的上端的臂部112。主體部110由第一部件110a和第二部件110b構成。基板保持架11通過利用第一部件110a以及第二部件110b夾持基板W來保持基板W。如圖所示,第一部件110a劃定開口部,被保持為基板W的表面的被鍍覆面露出。換言之,第一部件110a僅與基板W的外周部接觸而保持基板W。基板保持架11在臂部112保持於傳送裝置141的狀態下被輸送。圖示的基板保持架11用於保持四邊形的基板W,但並不限定於此,也可以保持圓形的基板。在該情況下,形成於第一部件110a的開口部也根據基板W的形狀而成為圓形。或者,也可以將基板W設為具有六邊形等多邊形或其他形狀的基板。在該情況下,形成於第一部件110a的開口部也根據基板W的形狀而成為多邊形等。
主體部110具備以與基板W的周緣部接觸的方式構成的電接點。電接點構成為與基板W的周緣部的整體接觸。例如,在為如圖所示保持四邊形的基板W的基板保持架11的情況下,電接點為四邊形的環形狀,以便與四邊形的基板W的周緣部接觸。作為其他實施方式,在為保持圓形的基板W的基板保持架11的情況下,電接點為圓形的環形狀,以便與圓形的基板W的周緣部接觸。在一實施方式中,基板保持架11構成為在基板W被基板保持架11的第一部件110a和第二部件110b夾持而被保持時,電接點與基板W的導電層接觸。基板保持架11的電接點設置於由基板保持架11的密封件包圍的、液體不侵入的封閉空間,並構成為在鍍覆處理中鍍覆液不會與基板保持架11的電接點接觸。
將保持於基板保持架11的基板W浸漬於各處理槽內的處理液時,臂部112配置於各處理槽的臂支承部件(未圖示)上。在本實施方式中,鍍覆槽10a~10c是電鍍槽,因此當設置於臂部112的供電接點(連接器部)114與設置於鍍覆槽10的臂支承部件的電接點(未圖示)接觸時,能夠從外部電源向基板W的表面供給電流。
鍍覆後的基板W與基板保持架11一起由傳送裝置141輸送至基板放置部170B,在基板放置部170B中從基板保持架11被取出。該基板W由基板輸送裝置122輸送至清洗部170E,由清洗部170E進行清洗和乾燥。然後,基板W通過基板輸送裝置122返回到搭載於卸載台107的盒體,或者直接返回到卸載台107。
圖3是表示將基於一實施方式的保持有基板W的基板保持架11配置於鍍覆槽10時的情形的立體圖。如圖3所示,在鍍覆槽10內配置有陽極31。陽極31可設為與作為鍍覆對象的基板W同樣的形狀,若基板W為四邊形,則陽極31也可設為四邊形,若基板W為圓形,則陽極31也可設為圓形。另外,陽極31被陽極保持架30保持。陽極31以及陽極保持架30能夠設為任意的構造,例如能夠設為公知的任意的構造。
如圖3所示,保持有基板W的基板保持架11被配置成與鍍覆槽10中的陽極31相對。當基板保持架11配置於鍍覆槽10時,基板W的表面朝向陽極31側。如圖3所示,在基板保持架11與陽極保持架30之間配置有遮蔽板154,該遮蔽板154用於對形成於基板W與陽極31之間的電場進行限制或調節。此外,在一實施方式中,也可以在陽極保持架30與遮蔽板154之間配置用於攪拌鍍覆槽10中的鍍覆液的槳葉。在一實施方式中,如圖3所示,鍍覆槽10具備用於接收從鍍覆槽10溢出的鍍覆液的外槽16。此外,在圖3中,為了使圖示變得清楚明白,鍍覆槽10、外槽16以及陽極保持架30的一部分被示出為是透明的。
圖4是表示基於一實施方式的配置有基板保持架11的狀態的鍍覆槽10的圖。在圖4中,為了使圖示變得清楚明白而省略了陽極保持架30以及陽極31的圖示。圖5是從圖4中的箭頭5的方向觀察的圖。即,圖5是從正面觀察遮蔽板154的圖。如圖4、5所示,遮蔽板154劃定開口部156。遮蔽板154的開口部156的形狀是與作為鍍覆對象的基板W以及被基板保持架11的主體部110劃定的開口部對應的形狀。例如,在如圖示的實施方式那樣基板W為四邊形、基板保持架11的主體部110的開口部為四邊形的情況下,遮蔽板154的開口部156也為四邊形。另外,在基板W為圓形、基板保持架11的主體部110的開口部為圓形的情況下,遮蔽板154的開口部156也為圓形。
如圖5所示,遮蔽板154的開口部156的開口面積比基板保持架11的主體部110的開口部的開口面積小。更具體而言,按如下方式確定遮蔽板154的開口部156和基板保持架11的主體部110的開口部的尺寸及配置:如圖5所示,在從陽極31側觀察遮蔽板154及基板保持架11時,保持於基板保持架11的基板W的外周的一部分與遮蔽板154重疊。
在一實施方式中,遮蔽板154具備用於使其向靠近基板保持架11的方向以及遠離基板保持架的方向移動的移動機構。圖6是放大表示圖4所示的遮蔽板154的移動機構的周邊的圖。在圖示的實施方式中,移動機構具備配置於鍍覆槽10的內側側面的支承部件152。如圖4、圖6所示,基於一實施方式的支承部件152能夠設為在鍍覆槽10的側面從開口的上端延伸至鍍覆槽10的底面所在的下端的板狀的部件。如圖4所示。支承部件152配置於鍍覆槽10的兩側的內側側面。如圖示,遮蔽板154被支承部件152支承。基於一實施方式的遮蔽板154如圖示那樣配置於支承部件152的一個面。遮蔽板154構成為,能夠在被支承部件152支承著的狀態下,在鍍覆槽10內沿與配置於基板保持架11的基板W的表面垂直的方向移動。
在一實施方式中,如圖6所示,在支承部件152配置有流體彈簧157。流體彈簧157配置於被支承部件152支承的遮蔽板154側的面。流體彈簧157遍及支承部件152的整個高度地延伸。另外,如圖6所示,流體彈簧157配置在形成於支承部件152的遮蔽板154側的面的凹部內。流體彈簧157與支承部件152及遮蔽板154連結。流體彈簧157與未圖示的流體流路和流體源連接。當流體被供給到流體彈簧157時,流體彈簧157膨脹,使遮蔽板154向遠離基板保持架11的表面的一側移動。另外,當流體從流體彈簧157排出時,流體彈簧157收縮,使遮蔽板154朝向基板保持架11的表面移動。此外,“基板保持架的表面”是指與保持於基板保持架的基板的被鍍覆面平行的基板保持架的面。在一實施方式中,流體彈簧157可以設為空氣彈簧。另外,在一實施方式中,也可以代替流體彈簧157而利用凸輪機構等來使遮蔽板154移動。此外,流體彈簧157只要被配置成能夠使遮蔽板154如上述那樣移動即可,不一定必須遍及遮蔽板154的整個高度地延伸。例如,也可以將多個流體彈簧157以規定的間隔配置在遮蔽板154的高度方向上。
另外,在一實施方式中,如圖5、圖6所示,支承部件152和遮蔽板154通過連結銷155連結。在圖6所示的實施方式中,連結銷155在支承部件152的高度方向上配置有多個。圖7A和圖7B是沿著圖6中的箭頭7AB切出的局部剖視圖。如圖7A、7B所示,連結銷155具有軸部155a和位於軸部155a的兩端部的頭部155b、155c。軸部155a是圓柱形狀的部件。頭部155b、155c是半徑比軸部155a的半徑大的圓板形狀或圓柱形狀的部件。如圖7A、7B所示,一方的頭部155b配置於遮蔽板154的與基板保持架11相反的一側的面,軸部155a貫通遮蔽板154而延伸至形成于支承部件152的凹部153。相反側的頭部155c配置在形成于支承部件152的凹部153。如圖7A、7B所示,在支承部件152的凹部153內以包圍軸部155a的方式配置有彈簧159、例如螺旋彈簧。彈簧159被配置成對連結銷155向將其拉入凹部153的內側的方向施力。
當流體被供給到流體彈簧157時,流體彈簧157膨脹,克服彈簧159的作用力而使遮蔽板154向遠離基板保持架11的一側移動。另一方面,當流體從流體彈簧157排出時,流體彈簧157收縮,通過彈簧159的作用力而使遮蔽板154朝向基板保持架11的側面移動。圖7A表示流體彈簧157膨脹而遮蔽板154處於從基板保持架11離開的位置的狀態。圖7B表示流體彈簧157收縮而遮蔽板154處於靠近基板保持架11的位置的狀態。
此外,在一實施方式中,也可以構成為,將上述的支承部件152、流體彈簧157、連結銷155以及彈簧159配置於遮蔽板154的相反側的面,從而在流體彈簧157發生膨脹時使遮蔽板154靠近基板保持架11。另外,在圖7A、7B所示的實施方式中也可以構成為,不使用連結銷155以及彈簧159而通過流體彈簧157的膨脹以及收縮來使遮蔽板154如上述那樣移動。並且,在圖7A、7B所示的實施方式中也可以構成為,除了通過流體彈簧157的膨脹以及收縮的作用之外,還通過連結銷155以及彈簧159的作用來使遮蔽板154如上述那樣移動。
在基於上述實施方式的鍍覆裝置中,能夠使遮蔽板154向接近基板W的方向以及遠離基板W的方向移動。在將基板保持架11配置於鍍覆槽10時,遮蔽板154預先配置成處於遠離基板保持架11的位置。因此,在將基板保持架11配置於電鍍槽10時,能夠減輕基板保持架11與遮蔽板154碰撞的風險。另外,在將基板保持架11配置於鍍覆槽10之後,使遮蔽板154向靠近基板保持架11的方向移動。因此,能夠使遮蔽板154接近基板W。在一實施方式中,能夠使遮蔽板154向基板保持架11側移動,直至與基板保持架11接觸。另外,在一實施方式中,也可以在遮蔽板154與基板保持架11接觸的部分配置密封部件。密封部件可以配置於遮蔽板154和基板保持架11中的任一個。通過使遮蔽板154接近保持於基板保持架11的基板W,從而能夠調節基板W的外周附近的電位分佈。基板W的外周附近由於接近基板保持架11的電接點,因此電位容易集中。因此,基板的外周部分
在鍍覆處理中存在膜厚變大的傾向。在基於本公開的實施方式的鍍覆裝置中,能夠在非常接近基板W的位置處利用遮蔽板154來調節基板的外周部的電位分佈。另外,在一實施方式中,可以在鍍覆處理中使遮蔽板154與基板保持架11的距離變化。例如,可以在鍍覆處理中使遮蔽板154以遠離基板保持架11的方式移動。在一實施方式中,能夠通過鍍覆裝置的控制裝置103來控制遮蔽板154的移動機構,例如控制向流體彈簧157供給的流體的壓力、凸輪機構的動作,從而在鍍覆處理中控制遮蔽板154的位置。
鍍覆處理結束後,使遮蔽板154向遠離基板保持架11的方向移動,然後再將基板保持架11從鍍覆槽10提起,由此能夠減輕基板保持架11與遮蔽板154接觸的風險。
而且,基於本公開的實施方式的鍍覆裝置由於在基板保持架11不具備用於調節電位分佈的調節環,因此不會具備向基板保持架11的前表面伸出的構造。當在基板保持架設置開口比被保持的基板稍小的調節環時,會在基板保持架的前表面形成口袋狀的區域,但根據基於本公開的實施方式,能夠消除這樣的口袋狀的區域。因此,在使基板保持架11浸漬於鍍覆液時,氣泡殘留於基板保持架11的風險變小。另外,在將基板保持架11從鍍覆液中提起時,鍍覆液殘留於基板保持架11的交錯構造的內部的風險變小。
以上,基於幾個例子對本發明的實施方式進行了說明,但上述的發明的實施方式用於使本發明的理解變得容易,並非限定本發明。本發明當然可以在不脫離其主旨的情況下進行變更、改良並且在本發明中包含其等同物。另外,能夠在可解決上述課題的至少一部分的範圍、或者起到效果的至少一部分的範圍內進行所要求保護的範圍以及說明書中記載的各構成要素的任意的組合或者省略。
從上述的實施方式至少掌握以下的技術思想。
〔方式1〕根據方式1,提供一種用於對基板進行鍍覆處理的鍍覆裝置,該鍍覆裝置具有:基板保持架,該基板保持架用於保持基板;遮蔽板,該遮蔽板與所述基板保持架相鄰配置;以及移動機構,該移動機構用於使所述遮蔽板向靠近所述基板保持架的方向以及遠離所述基板保持架的方向移動,所述遮蔽板構成為,能夠通過所述移動機構來向所述基板保持架側移動,從而與所述基板保持架接觸。
[方式2]根據方式2,在基於方式1的鍍覆裝置中,所述遮蔽板具有能夠與所述基板保持架接觸的密封部件。
[方式3]根據方式3,在基於方式1或方式2的鍍覆裝置中,所述基板保持架具有能夠與所述遮蔽板接觸的密封部件。
[方式4]根據方式4,在基於方式1至方式3中的任一方式的鍍覆裝置中,所述基板保持架劃定使所保持的基板的一部分露出的開口,所述遮蔽板劃定開口,所述遮蔽板的所述開口的尺寸比所述基板保持架的開口小。
[方式5]根據方式5,在基於方式1至方式4中的任一方式的鍍覆裝置中,所述移動機構包括流體彈簧。
[方式6]根據方式6,在基於方式1至方式5中的任一方式的鍍覆裝置中,還具有能夠容納所述基板保持架以及所述遮蔽板的鍍覆槽。
[方式7]根據方式7,在基於方式6的鍍覆裝置中,所述鍍覆槽具有用於支承所述遮蔽板的支承部件。
[方式8]根據方式8,在基於方式1至方式7中的任一方式的鍍覆裝置中,所述移動機構構成為能夠在鍍覆處理中變更所述基板保持架與所述遮蔽板之間的距離。
[方式9]根據方式9,在基於方式8的鍍覆裝置中,具有用於控制所述移動機構的動作的控制裝置。
10:鍍覆槽
11:基板保持架
16:外槽
110:主體部
112:臂部
152:支承部件
154:遮蔽板
Claims (8)
- 一種鍍覆裝置,用於對基板進行鍍覆處理,具有:基板保持架,用於保持基板;遮蔽板,與所述基板保持架相鄰配置;移動機構,用於使所述遮蔽板向靠近所述基板保持架的方向以及遠離所述基板保持架的方向移動;以及鍍覆槽,容納所述基板保持架以及所述遮蔽板,所述遮蔽板構成為,能夠通過所述移動機構來向所述基板保持架側移動,從而與所述基板保持架接觸,所述基板保持架劃定使所保持的基板的一部分露出的開口,所述遮蔽板劃定開口,所述遮蔽板的所述開口的尺寸比所述基板保持架的開口小,所述鍍覆槽具有用於支承所述遮蔽板的支承部件,所述移動機構與所述支承部件及所述遮蔽板連結。
- 根據請求項1所述的鍍覆裝置,其中:所述遮蔽板具有能夠與所述基板保持架接觸的密封部件。
- 根據請求項1所述的鍍覆裝置,其中:所述基板保持架具有能夠與所述遮蔽板接觸的密封部件。
- 根據請求項1所述的鍍覆裝置,其中:所述移動機構包括流體彈簧。
- 根據請求項1所述的鍍覆裝置,其中:所述移動機構構成為能夠在鍍覆處理中變更所述基板保持架與所述遮蔽板之間的距離。
- 根據請求項5所述的鍍覆裝置,其具有用於控制所述移動機構的動作的控制裝置。
- 根據請求項1所述的鍍覆裝置,其中:所述支承部件為從所述鍍覆槽的上端延伸至下端的板狀的部件。
- 根據請求項4所述的鍍覆裝置,其中:所述流體彈簧遍及所述支承部件的整個高度地延伸。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019110430A JP7193418B2 (ja) | 2019-06-13 | 2019-06-13 | めっき装置 |
JP2019-110430 | 2019-06-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202104677A TW202104677A (zh) | 2021-02-01 |
TWI849137B true TWI849137B (zh) | 2024-07-21 |
Family
ID=73734992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109118929A TWI849137B (zh) | 2019-06-13 | 2020-06-05 | 鍍覆裝置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11339496B2 (zh) |
JP (1) | JP7193418B2 (zh) |
KR (1) | KR20200143257A (zh) |
CN (1) | CN112080781B (zh) |
TW (1) | TWI849137B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11608563B2 (en) * | 2019-07-19 | 2023-03-21 | Asmpt Nexx, Inc. | Electrochemical deposition systems |
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JP7014553B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2022-02-01 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
-
2019
- 2019-06-13 JP JP2019110430A patent/JP7193418B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-01 KR KR1020200065648A patent/KR20200143257A/ko unknown
- 2020-06-02 US US16/890,780 patent/US11339496B2/en active Active
- 2020-06-05 TW TW109118929A patent/TWI849137B/zh active
- 2020-06-12 CN CN202010533757.2A patent/CN112080781B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11339496B2 (en) | 2022-05-24 |
JP7193418B2 (ja) | 2022-12-20 |
CN112080781B (zh) | 2024-06-04 |
CN112080781A (zh) | 2020-12-15 |
JP2020200526A (ja) | 2020-12-17 |
KR20200143257A (ko) | 2020-12-23 |
TW202104677A (zh) | 2021-02-01 |
US20200392641A1 (en) | 2020-12-17 |
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