TWI840906B - 電子裝置 - Google Patents

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何家齊
曾嘉平
吳彥徵
許耀文
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群創光電股份有限公司
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Abstract

本揭露提供一種電子裝置，包括基板、第一金屬圖案、第一絕緣圖案以及第二金屬圖案。第一金屬圖案設置於基板上。第一絕緣圖案設置於第一金屬圖案上。第二金屬圖案設置於第一金屬圖案以及第一絕緣圖案上。在剖視方向上，第二金屬圖案包括第一接觸部以及第二接觸部，第一接觸部與第二接觸部接觸於第一金屬圖案，且在第一接觸部與第二接觸部之間，第一絕緣圖案接觸第一金屬圖案與第二金屬圖案。

Description

電子裝置
本發明是有關於一種電子裝置，尤其是關於一種天線裝置。
在製造電子裝置的過程中，用於形成電子裝置的構件中的金屬層與基板因包括的材料不同而具有不同的物理性質(例如熱膨脹係數)，使得當其歷經後續的濺鍍製程或高溫製程時將使基板產生翹曲，其例如易導致電子裝置中的訊號傳輸異常，而使此電子裝置的可靠度下降。上述問題在金屬層的厚度越厚時越為明顯。增加基板的厚度雖可減少其產生的翹曲現象，但後續仍須進行將增厚的基板減薄的處理製程，進而增加製程成本。
本揭露提供一種電子裝置，其可減少基板翹曲，提升可靠度。
根據本揭露的一些實施例提供的電子裝置，其包括基板、第一金屬圖案、第一絕緣圖案以及第二金屬圖案。第一金屬 圖案設置於基板上。第一絕緣圖案設置於第一金屬圖案上。第二金屬圖案設置於第一金屬圖案以及第一絕緣圖案上。在剖視方向上，第二金屬圖案包括第一接觸部以及第二接觸部，所述第一接觸部與所述第二接觸部接觸於所述第一金屬圖案，且在第一接觸部與第二接觸部之間，第一絕緣圖案接觸第一金屬圖案與第二金屬圖案。
根據本揭露的另一些實施例提供的電子裝置，其包括基板、第一金屬圖案以及第二金屬圖案。第一金屬圖案設置於基板上且具有第一集膚深度。第二金屬圖案設置於第一金屬圖案上且具有第二集膚深度。在剖視方向上，第二金屬圖案包括第一接觸部及第二接觸部，所述第一接觸部與所述第二接觸部接觸於所述第一金屬圖案，且第一接觸部與第二接觸部中的至少一者的寬度大於或等於第一集膚深度與第二集膚深度中的最大者。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖作詳細說明如下。
10a、10b、10c、10d、10e、10f:電子裝置
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F1-F1’、F2-F2’:剖線
AW:抗翹曲層
AW_TP、M1_TP:頂端點
C12、C12’、C13、C23、C23’、CT1、CT2、CT3、CT4:接觸部
d1:第一方向
d2:第二方向
IL1、IL1’、IL1a、IL2、IL21、IL22、IL3:絕緣圖案
IL2_OP:開口
M1、M2、M21、M22、M3:金屬圖案
M1_BP、M2_BP:底端點
M1E、M2E、M21E、M22E、M3E:邊緣
M1_SLOT、M2_SLOT、SLOT:縫隙
n:法線方向
S、S’:訊號
SB:基板
SI:訊號輸入端
SO:訊號輸出端
TM1、TM2、TM3、TSB:厚度
WCT1、WCT2、WCT3、WCT4:寬度
包含附圖以便進一步理解本揭露，且附圖併入本說明書中並構成本說明書的一部分。附圖說明本揭露的實施例，並與描述一起用於解釋本揭露的原理。
圖1A為本揭露第一實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。
圖1B為依據圖1A的剖線A-A’切出的剖面示意圖。
圖2A為本揭露第二實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。
圖2B為依據圖2A的剖線B-B’切出的剖面示意圖。
圖3A為本揭露第三實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。
圖3B為依據圖3A的剖線C-C’切出的剖面示意圖。
圖4A為本揭露第四實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。
圖4B為依據圖4A的剖線D-D’切出的剖面示意圖。
圖5A為本揭露第五實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。
圖5B為依據圖5A的剖線E-E’切出的剖面示意圖。
圖6A為本揭露第六實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。
圖6B為依據圖6A的剖線F1-F1’切出的剖面示意圖。
圖6C為依據圖6A的剖線F2-F2’切出的剖面示意圖。
透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中， 「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。
本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
當相應的構件(例如膜層或區域)被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向(orientation)。
術語「大約」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的10%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、其他適合的元件，或上述元件的組合，但不限於此。
在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一值等於第二值，其隱含著第一值與第二值之間可存在著約10%的誤差；若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之 間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
電子元件可具有本揭露實施例的複合層電路結構。本揭露的電子元件所適用之電子裝置可包括天線(例如液晶天線)、顯示、發光、感測、觸控、拼接、其他適合的功能、或上述功能的組合，但不以此為限。電子裝置包括可捲曲或可撓式電子裝置，但不以此為限。顯示裝置可例如包括液晶(liquid crystal)、發光二極體(light emitting diode，LED)、量子點(quantum dot，QD)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他適合之材料或上述之組合。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、微型發光二極體(micro-LED、mini-LED)或量子點發光二極體(QLED、QDLED)，但不以此為限。電子元件可包括電晶體、電路板、晶片(chip)、管芯(die)、積體電路(integrated circuits，IC)或上述元件的組合或其他合適的電子元件，不以此為限。
以下舉例本揭露的示範性實施例，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1A為本揭露第一實施例的電子裝置的局部俯視示意圖，且圖1B為依據圖1A的剖線A-A’切出的剖面示意圖。
請同時參照圖1A以及圖1B，本實施例的電子裝置10a包括基板SB、金屬圖案M1、絕緣圖案IL1以及金屬圖案M2。在本實施例中，電子裝置10a為一種天線裝置，但本揭露不以此為 限。
基板SB例如可做為訊號S的傳輸路徑。舉例而言，在基板SB的其中一側可設置有訊號源(未示出)，其中訊號源可用以提供無線電波、微波或其他具有不同波長範圍的電磁波。在本實施例中，訊號源(未示出)提供的訊號S可從基板SB的訊號輸入端SI沿著第一方向d1傳輸至基板SB的訊號輸出端SO，但本揭露不以此為限。基板SB的材料可例如是玻璃、塑膠或其組合，其可減少訊號S在其中傳輸時的損耗。在本實施例中，基板SB的材料為玻璃，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，基板SB在剖視方向上的厚度TSB可例如為小於1毫米(TSB<1mm)，使基板SB的厚度滿足此範圍亦可減少訊號S在其中傳輸時的損耗。值得說明的是，此處提及的剖視方向可例如為看到剖線A-A’切出的剖面的方向，即，由第二方向d2觀之的方向。後續提及的剖視方向亦可例如視為由第二方向d2觀之的方向，但本揭露不以此為限。在其他的實施例中，剖視方向可為由第一方向d1觀之的方向。在一些實施例中，第一方向d1可與第二方向d2正交，但本揭露不以此為限。
金屬圖案M1例如設置於基板SB上。金屬圖案M1的材料可例如包括銅、鋁或其他合適的金屬，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，金屬圖案M1可用於減少訊號S穿透基板SB的情況。詳細地說，金屬圖案M1可例如作為訊號S的傳輸路徑的牆壁，當訊號S在基板SB中行進至金屬圖案M1時，金屬圖案 M1可例如將訊號S反射回基板SB，使訊號S繼續在基板SB中傳輸。在本實施例中，金屬圖案M1具有在剖視方向上的集膚深度(skin depth)，且金屬圖案M1在剖視方向上的厚度TM1大於或等於金屬圖案M1的集膚深度。值得說明的是，金屬圖案M1的集膚深度例如是從基板SB的法線方向n上量測，其中基板SB的法線方向n與第一方向d1以及第二方向d2正交。從數學意義來看，金屬圖案M1具有的集膚深度例如是金屬圖案M1中的電流密度減小到其的表面的電流密度的1/e(e=2.71828183)處的深度。從物理意義來看，金屬圖案M1中的電流會幾乎集中在金屬圖案M1的表面至金屬圖案M1的集膚深度的此區域。此種電流分佈不均勻的現象稱為集膚效應(skin effect)。根據前述的集膚效應，金屬圖案M1中的交變電磁場(例如由訊號S產生)的強度將隨著進入其的深度而呈指數遞減，基於此，當金屬圖案M1在剖視方向上的厚度TM1大於或等於集膚深度時，可減少訊號S穿透基板SB的情況，以降低訊號S在基板SB中傳輸時的損耗。值得說明的是，集膚深度可例如由以下等式得出：DM=(ρ/πfμ)1/2，其中DM為金屬圖案的集膚深度，ρ為金屬圖案的電阻率，π為圓周率，f為訊號S的頻率，且μ為金屬圖案的絕對磁導率。
在一些實施例中，金屬圖案M1在剖視方向上的厚度TM1可為0.1微米至1微米(0.1μm<TM1<1μm)。值得說明的是，金屬圖案M1的厚度TM1例如是從基板SB的法線方向n上量測。由於金屬圖案M1具有的熱膨脹係數大於基板SB具有的熱膨脹係數， 當金屬圖案M1與基板SB歷經例如高溫製程時，基板SB有朝向面對金屬圖案M1的方向翹曲的趨勢。當金屬圖案M1的厚度滿足上述範圍時，可減少在基板SB中產生的翹曲現象。
絕緣圖案IL1例如設置於金屬圖案M1上。在一些實施例中，絕緣圖案IL1在基板SB的法線方向n上暴露出部分的金屬圖案M1。舉例而言，在本實施例中，絕緣圖案IL1設置在金屬圖案M1的中央區域上，而未設置有絕緣圖案IL1的金屬圖案M1的邊緣區域則被暴露，但本揭露不以此為限。絕緣圖案IL1的材料可例如包括無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)或上述之組合，但本揭露不以此為限。
金屬圖案M2例如設置於金屬圖案M1或/及絕緣圖案IL1上。金屬圖案M2的材料可與金屬圖案M1的材料相同或不同，本揭露不以此為限。在一些實施例中，金屬圖案M2在剖視方向上的厚度TM2可為0.1微米至1微米(0.1μm<TM2<1μm)。值得說明的是，金屬圖案M2的厚度TM2例如是從基板SB的法線方向n上量測。舉例來說，厚度TM2可例如於法線方向n上，金屬圖案M2於絕緣圖案IL1上方的厚度，但不以此為限。在一些實施例中，金屬圖案M2可與金屬圖案M1一同用於減少訊號S穿透基板SB的情況，其原理如前所述，於此不再贅述。即，金屬圖案M2具有在剖視方向上的集膚深度，且金屬圖案M2在剖視方向上的厚度TM2大於或等於金屬圖案M2的集膚深度。
在本實施例中，金屬圖案M2包括接觸部CT1以及接觸部CT2，接觸部CT1與接觸部CT2接觸於金屬圖案M1，且在接觸部CT1與接觸部CT2之間，絕緣圖案IL1接觸金屬圖案M1與金屬圖案M2。詳細地說，金屬圖案M2例如在基板SB的法線方向n上覆蓋絕緣圖案IL1，而金屬圖案M2超出絕緣圖案IL1的部分會與被絕緣圖案IL1暴露的金屬圖案M1接觸，使金屬圖案M2與金屬圖案M1電性連接，其中金屬圖案M2還可包括與金屬圖案M1接觸的接觸部C12，且絕緣圖案IL1在第一方向d1上位於接觸部CT1與接觸部CT2之間。接觸部CT1以及接觸部CT2例如各自鄰近訊號S在基板SB中傳輸的終端(terminal)，接觸部C12例如位於接觸部CT1與接觸部CT2之間，且接觸部C12的兩端例如在第一方向d1上各自與接觸部CT1以及接觸部CT2連接。在本實施例中，接觸部CT1鄰近訊號S在基板SB中的訊號輸入端SI，接觸部CT2鄰近訊號S在基板SB中的訊號輸出端SO。
另外，在本實施例中，在剖視方向上，第二金屬圖案M2的邊緣M2E內縮於第一金屬圖案M1的邊緣M1E，但本揭露不以此為限。值得說明的是，此處提及的金屬圖案M2的邊緣M2E內縮於金屬圖案M1的邊緣M1E意指：在剖視方向上，金屬圖案M2的邊緣M2E至少未超出金屬圖案M1的邊緣M1E。另外，在一些實施例中，絕緣圖案IL1可具有較薄的厚度，例如介於5微米到100微米之間(即，5μm≦絕緣圖案IL1的厚度≦100μm)，但不以此為限。具有較薄的厚度的絕緣圖案IL1可使得被絕緣圖 案IL1分隔的部分金屬圖案M2可與金屬圖案M1耦接(coupling)，更進一步降低訊號S傳輸時的損耗，但本揭露不以此為限。值得說明的是，絕緣圖案IL1的厚度例如是從基板SB的法線方向n上量測。
在一些實施例中，接觸部CT1在第一方向d1(訊號S傳輸的方向)上的寬度WCT1以及接觸部CT2在第一方向d1上的寬度WCT2大於或等於金屬圖案M1的集膚深度與金屬圖案M2的集膚深度中的最大者。或者，在另一些實施例中，接觸部CT1與接觸部CT2中的至少一者在第一方向d1上的寬度大於或等於金屬圖案M1的集膚深度與金屬圖案M2的集膚深度中的最大者。根據前述的集膚效應，接觸部CT1及/或接觸部CT2中的交變電磁場(例如由訊號S產生)的強度除了進入其的深度之外亦隨著進入其的寬度而呈指數遞減，基於此，當接觸部CT1在第一方向d1上的寬度WCT1以及接觸部CT2在第一方向d1上的寬度WCT2大於或等於金屬圖案M1的集膚深度與金屬圖案M2的集膚深度中的最大者時，亦可減少訊號S穿透基板SB的情況，以減少訊號S在基板SB中傳輸時的損耗。
基於上述，本實施例的電子裝置10a將金屬層分割為金屬圖案M1與金屬圖案M2，且在金屬圖案M1與金屬圖案M2之間設置有與其接觸的絕緣圖案IL1，通過上述的設計，可在不增加基板SB的厚度的情況下減少在基板SB中產生的翹曲現象。再者，本實施例的電子裝置10a通過使金屬圖案M1與金屬圖案M2 各自具有的厚度TM1以及厚度TM2大於或等於其自身具有的集膚深度，可減少訊號S穿透基板SB的情況，而降低訊號S在基板SB中傳輸時的損耗。另外，本實施例的電子裝置10a的接觸部CT1以及接觸部CT2各自具有的寬度WCT1以及寬度WCT2大於或等於金屬圖案M1的集膚深度與金屬圖案M2的集膚深度中的最大者，亦可減少訊號S穿透基板SB的情況，而降低訊號S在基板SB中傳輸時的損耗。
另外，本實施例的電子裝置10a還可包括有抗翹曲層AW以及絕緣圖案IL2。
抗翹曲層AW例如設置於金屬圖案M1與基板SB之間，其中抗翹曲層AW可例如為包括無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)或上述之組合，但本揭露不以此為限。抗翹曲層AW可例如為單層或多層結構，但本揭露不以此為限。抗翹曲層AW可選用包括適當的熱膨脹係數的材料，或與金屬圖案歷經例如高溫製程時應力相反的材料，以減少在基板SB中產生的翹曲現象。在本實施例中，抗翹曲層AW的邊緣與金屬圖案M1的邊緣M1E切齊(即，金屬圖案M1的底端點M1_BP例如與抗翹曲層AW的頂端點AW_TP相接)，使得抗翹曲層AW在第一方向d1上的長度大致上等於金屬圖案M1在第一方向d1上的長度，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，抗翹曲層AW在第一方向d1上的長度大於金屬圖案M1在第一方 向上的長度，或者更進一步與基板SB在第一方向的長度大致上相同，進而更加有效的減少基板SB翹曲現象。值得說明的是，在其他的實施例中，可不設置有抗翹曲層AW。
絕緣圖案IL2例如設置於金屬圖案M2上。在一些實施例中，絕緣圖案IL2在基板SB的法線方向n上覆蓋金屬圖案M2以及金屬圖案M1，以用於保護金屬圖案M2以及金屬圖案M1，但本揭露不以此為限。絕緣圖案IL2的材料可例如包括無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)或上述之組合，但本揭露不以此為限。
圖2A為本揭露第二實施例的電子裝置的局部俯視示意圖，且圖2B為依據圖2A的剖線B-B’切出的剖面示意圖。須說明的是，圖2A以及圖2B的實施例可各自沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
請同時參照圖2A與圖2B，本實施例的電子裝置10b與前述的電子裝置10a的主要差異在於：在剖視方向上，金屬圖案M2的邊緣M2E超出金屬圖案M1的邊緣M1E。詳細地說，金屬圖案M2在基板SB的法線方向n上覆蓋金屬圖案M1，使得金屬圖案M2的邊緣M2E在基板SB的法線方向n上超出金屬圖案M1圖案的邊緣M1E。在本實施例中，抗翹曲層AW例如設置於金屬圖案M1與基板SB之間，抗翹曲層AW的邊緣與金屬圖案M2的 邊緣M2E切齊(即，金屬圖案M2的底端點M2_BP例如與抗翹曲層AW的頂端點AW_TP相接)，使得抗翹曲層AW在第一方向d1上的長度大致上等於金屬圖案M2在第一方向d1上的長度，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，抗翹曲層AW在第一方向d1上的長度大於金屬圖案M2在第一方向上的長度，或者更進一步與基板SB在第一方向的長度大致上相同，進而更加有效的減少基板SB翹曲現象。值得說明的是，在其他的實施例中，可不設置有抗翹曲層AW。
圖3A為本揭露第三實施例的電子裝置的局部俯視示意圖，且圖3B為依據圖3A的剖線C-C’切出的剖面示意圖。須說明的是，圖3A以及圖3B的實施例可各自沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
請同時參照圖3A與圖3B，本實施例的電子裝置10c與前述的電子裝置10a的主要差異在於：在剖視方向上，金屬圖案M2的邊緣M2E與金屬圖案M1的邊緣M1E切齊。詳細地說，金屬圖案M2的邊緣M2E在基板SB的法線方向n上與金屬圖案M1的邊緣M1E切齊，其中金屬圖案M2的底端點M2_BP例如與金屬圖案M1的頂端點M1_TP相接，如圖3B中所示，但本揭露不以此定義為限。在本實施例中，抗翹曲層AW例如設置於金屬圖案M1與基板SB之間，抗翹曲層AW的邊緣與金屬圖案M1的邊緣M1E切齊(即，金屬圖案M1的底端點M1_BP例如與抗翹曲層 AW的頂端點AW_TP相接)，使得抗翹曲層AW在第一方向d1上的長度大致上等於金屬圖案M1在第一方向d1上的長度，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，抗翹曲層AW在第一方向d1上的長度大於金屬圖案M1在第一方向上的長度，或者更進一步與基板SB在第一方向的長度大致上相同，進而更加有效的減少基板SB翹曲現象。值得說明的是，在其他的實施例中，可不設置有抗翹曲層AW。
值得說明的是，在電子裝置10a、電子裝置10b以及電子裝置10c中各自示出了(1)金屬圖案M2的邊緣M2E內縮於金屬圖案M1的邊緣M1E；(2)金屬圖案M2的邊緣M2E超出金屬圖案M1的邊緣M1E；以及(3)金屬圖案M2的邊緣M2E與金屬圖案M1的邊緣M1E切齊的實施例。然而，本揭露並不以該些實施例為限。舉例而言，在其他的實施例中，在第一方向d1上，金屬圖案M2的一側的邊緣M2E可內縮於金屬圖案M1的邊緣M1E，金屬圖案M2的另一側的邊緣M2E可超出金屬圖案M1的邊緣M1E。或者，在第一方向d1上，金屬圖案M2的一側的邊緣M2E可與金屬圖案M1的邊緣M1E切齊，金屬圖案M2的另一側的邊緣M2E可超出金屬圖案M1的邊緣M1E。即，本揭露並未限制金屬圖案M2的各邊緣與金屬圖案M1的各邊緣之間須同時存在內縮、超出或切齊的關係。
圖4A為本揭露第四實施例的電子裝置的局部俯視示意圖，且圖4B為依據圖4A的剖線D-D’切出的剖面示意圖。須說明 的是，圖4A以及圖4B的實施例可各自沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
請同時參照圖4A與圖4B，本實施例的電子裝置10d與前述的電子裝置10a的主要差異在於：電子裝置10d在剖視方向上還包括絕緣圖案IL1’，其中絕緣圖案IL1’設置於金屬圖案M1上且與絕緣圖案IL1相鄰，且金屬圖案M2還設置於絕緣圖案IL1’上。
詳細地說，絕緣圖案IL1’可例如與絕緣圖案IL1通過相同的製程一同形成於金屬圖案M1上，其中在剖視方向上，絕緣圖案IL1’例如在第一方向d1上與絕緣圖案IL1相鄰，但本揭露不以此為限。在本實施例中，通過相同的製程一同形成於金屬圖案M1上的絕緣圖案IL1’與絕緣圖案IL1，可例如在基板SB的俯視方向(即，由法線方向n觀之)形成“口”的形狀，但本揭露不以此為限。因此，在接觸部CT1與接觸部CT2之間，絕緣圖案IL1’亦例如接觸金屬圖案M1與金屬圖案M2。另外，在本實施例中，金屬圖案M2在基板SB的法線方向n上覆蓋絕緣圖案IL1’，因此，金屬圖案M2亦超出絕緣圖案IL1’。
在本實施例中，金屬圖案M2還包括接觸部C12’，其中接觸部C12’與金屬圖案M1接觸。詳細地說，由於絕緣圖案IL1’與絕緣圖案IL1由基板SB的法線方向n觀之，可例如形成“口”的形狀，金屬圖案M2的接觸部C12’可例如在絕緣圖案IL1’與絕 緣圖案IL1形成的“口”的形狀內與暴露出的金屬圖案M1接觸，即，接觸部C12’在第一方向d1上位於絕緣圖案IL1與絕緣圖案IL1’之間。另外，接觸部C12’在第一方向d1上亦例如位於接觸部CT1與接觸部CT2之間。
值得說明的是，在電子裝置10d示出了金屬圖案M2的邊緣M2E內縮於金屬圖案M1的邊緣M1E的實施例。然而，本揭露並不以該些實施例為限。舉例而言，在其他的實施例中，在第一方向d1上，金屬圖案M2的邊緣M2E可超出於金屬圖案M1的邊緣M1E。或者，在第一方向d1上，金屬圖案M2的邊緣M2E可與金屬圖案M1的邊緣M1E切齊。另外，如前述實施例所陳述，本揭露並未限制金屬圖案M2的各邊緣與金屬圖案M1的各邊緣之間須同時存在內縮、超出或切齊的關係。
圖5A為本揭露第五實施例的電子裝置的局部俯視示意圖，且圖5B為依據圖5A的剖線E-E’切出的剖面示意圖。須說明的是，圖5A以及圖5B的實施例可各自沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
請同時參照圖5A與圖5B，本實施例的電子裝置10e與前述的電子裝置10a的主要差異在於：(1)電子裝置10e中的金屬圖案M2包括金屬圖案M21以及金屬圖案M22；(2)電子裝置10e還包括絕緣圖案IL1a、金屬圖案M3以及絕緣圖案IL3。
在本實施例中，電子裝置10e中的金屬圖案M2包括彼此 在第一方向d1上分隔且相鄰的金屬圖案M21以及金屬圖案M22，且電子裝置10e還包括絕緣圖案IL1a，其中絕緣圖案IL1a與絕緣圖案IL1在第一方向d1上彼此分隔且相鄰。金屬圖案M21例如設置於絕緣圖案IL1上且覆蓋絕緣圖案IL1，且金屬圖案M22例如設置於絕緣圖案IL1a上且覆蓋絕緣圖案IL1a。
因此，金屬圖案M21可包括與金屬圖案M1接觸的接觸部CT1以及接觸部C12，且金屬圖案M22可包括與金屬圖案M1接觸的接觸部CT2以及接觸部C12’。另外，在本實施例中，在剖視方向上，金屬圖案M21的邊緣M21E內縮於金屬圖案M1的邊緣M1E，且金屬圖案M22的邊緣M22E內縮於金屬圖案M1的邊緣M1E，但本揭露不以此為限。
在本實施例中，絕緣圖案IL2設置於金屬圖案M2上，且暴露出部分的金屬圖案M1。詳細地說，絕緣圖案IL2例如包括有開口IL2_OP，其中開口IL2_OP暴露出部分的金屬圖案M1。在本實施例的剖視方向上，絕緣圖案IL2包括在第一方向d1上相鄰的絕緣圖案IL21以及絕緣圖案IL22，但本揭露不以此為限。在本實施例的俯視方向(即，由基板SB的法線方向n上觀之)，絕緣圖案IL21以及絕緣圖案IL22可例如大致上形成“口”的形狀，絕緣圖案IL2在“口”的形狀內暴露出金屬圖案M1，但本揭露不以此為限。絕緣圖案IL21例如設置於金屬圖案M21上，且絕緣圖案IL22例如設置於金屬圖案M22上。在本實施例中，絕緣圖案IL21以及絕緣圖案IL22各自暴露出的部分包括部分金屬圖案M2，金 屬圖案M3包含接觸部C23以及接觸部C23’，其中，接觸部C23以及接觸部C23’與金屬圖案M2接觸，且絕緣圖案IL21以及絕緣圖案IL22各自覆蓋的部分包括一部分的接觸部C12以及接觸部C12’，但本揭露不以此為限。另外，在本實施例中，絕緣圖案IL2亦暴露出部分的金屬圖案M2。
在本實施例中，金屬圖案M3設置於絕緣圖案IL2上。金屬圖案M3的材料可與金屬圖案M1以及金屬圖案M2的材料相同或不同，本揭露不以此為限。在一些實施例中，金屬圖案M3在剖視方向上的厚度TM3可為0.1微米至1微米(0.1μm<TM3<1μm)。值得說明的是，金屬圖案M3的厚度TM3例如是從基板SB的法線方向n上量測。舉例來說，厚度TM3可例如為於法線方向n上，金屬圖案M3於絕緣圖案IL2上方的厚度，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，金屬圖案M3可與金屬圖案M1以及金屬圖案M2一同用於減少訊號S穿透基板SB的情況，其原理如前所述，於此不再贅述。即，金屬圖案M3具有在剖視方向上的集膚深度，且金屬圖案M3在剖視方向上的厚度TM3大於或等於金屬圖案M3的集膚深度。
金屬圖案M3可例如與金屬圖案M1及/或金屬圖案M2接觸。在本實施例中，金屬圖案M3可同時與金屬圖案M1以及金屬圖案M2接觸，但本揭露不以此為限。在其他的實施例中，金屬圖案M3與金屬圖案M1或金屬圖案M2接觸。詳細地說，金屬圖案M3包括接觸部C13，其中接觸部C13與被絕緣圖案IL2暴露出 的金屬圖案M1接觸，且金屬圖案M3還包括接觸部C23以及接觸部C23’，其中接觸部C23以及接觸部C23’與被絕緣圖案IL2暴露出的金屬圖案M2接觸，但本揭露不以此為限。另外，在剖視方向上，金屬圖案M3的邊緣M3E內縮於金屬圖案M2的邊緣M2E，即，金屬圖案M3的兩邊緣M3E各自內縮於金屬圖案M21的邊緣M21E以及金屬圖案M22的邊緣M22E，但本揭露不以此為限。
值得說明的是，在電子裝置10e示出了金屬圖案M3的邊緣M3E內縮於金屬圖案M2的邊緣M2E的實施例。然而，本揭露並不以該些實施例為限。舉例而言，在其他的實施例中，在第一方向d1上，金屬圖案M3的邊緣M3E可超出於金屬圖案M2的邊緣M2E。或者，在第一方向d1上，金屬圖案M3的邊緣M3E可與金屬圖案M2的邊緣M2E切齊。另外，如前述實施例所陳述，本揭露並未限制金屬圖案M3的各邊緣與金屬圖案M2的各邊緣之間須同時存在內縮、超出或切齊的關係。
另外，雖然電子裝置10e示出了金屬圖案M3同時與金屬圖案M1以及金屬圖案M2接觸的實施例。然而，本揭露並不以該些實施例為限。舉例而言，在其他的實施例中，金屬圖案M3可未與金屬圖案M1接觸(或未與金屬圖案M2接觸)，而通過金屬圖案M2與金屬圖案M1電性連接(或通過金屬圖案M1與金屬圖案M2電性連接)。
此外，雖然電子裝置10e示出了在剖視方向上，金屬圖案M1、金屬圖案M2與金屬圖案M3重疊的部分在其中二者之間 設置有絕緣圖案，但本揭露不以此為限。即，在其他的實施例中，金屬圖案M1、金屬圖案M2與金屬圖案M3重疊的部分中的任二者之間可未設置有絕緣圖案。
圖6A為本揭露第六實施例的電子裝置的局部俯視示意圖，圖6B為依據圖6A的剖線F1-F1’切出的剖面示意圖，且圖6C為依據圖6A的剖線F2-F2’切出的剖面示意圖。須說明的是，圖6A至圖6C的實施例可各自沿用圖4A以及圖4B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
請同時參照圖6A至圖6C，本實施例的電子裝置10f與前述的電子裝置10d的主要差異在於：(1)電子裝置10f中的金屬圖案M1在基板SB的法線方向n包括縫隙M1_SLOT，且金屬圖案M2在基板SB的法線方向n包括縫隙M2_SLOT；(2)電子裝置10f還包括絕緣圖案IL1a。
在本實施例中，金屬圖案M1在基板SB的法線方向n包括縫隙M1_SLOT，且金屬圖案M2在基板SB的法線方向n包括縫隙M2_SLOT，其中縫隙M1_SLOT與縫隙M2_SLOT連通而形成縫隙SLOT。基於此，在連通的縫隙SLOT中並未設置有金屬圖案，使得訊號S可從連通的縫隙SLOT輸出，即，縫隙SLOT為訊號輸出端SO。為減少訊號S未從連通的縫隙SLOT輸出的情況，鄰近訊號輸出端SO的金屬圖案M2的接觸部CT3在第一方向d1(訊號S傳輸的方向)上的寬度WCT3大於或等於金屬圖案M1 的集膚深度與金屬圖案M2的集膚深度中的最大者，其中接觸部CT3與金屬圖案M1接觸。在本實施例中，金屬圖案M2可更進一步包含鄰近訊號輸出端SO的接觸部CT4，接觸部CT4在第一方向d1上的寬度WCT4亦大於或等於金屬圖案M1的集膚深度與金屬圖案M2的集膚深度中的最大者，可使得未透過訊號輸出端SO輸出的剩餘訊號S’得以減少穿透基板SB的情況，其中接觸部CT4與金屬圖案M1接觸。根據前述的集膚效應，接觸部CT3以及接觸部CT4中的交變電磁場(例如由訊號S產生)的強度除了進入其的深度之外亦隨著進入其的寬度而呈指數遞減，基於此，當接觸部CT3以及接觸部CT4在第一方向d1上各自具有的寬度WCT3以及寬度WCT4大於或等於金屬圖案M1的集膚深度與金屬圖案M2的集膚深度中的最大者時，可減少訊號S從接觸部CT3及/或剩餘訊號S’從接觸部CT4穿透基板SB的情況。
在本實施例中，電子裝置10f還包括絕緣圖案IL1a。絕緣圖案IL1a例如設置於金屬圖案M1上，且在第一方向d1上與絕緣圖案IL1以及絕緣圖案IL1’分隔。在一些實施例中，絕緣圖案IL1、絕緣圖案IL1’以及絕緣圖案IL1a以此順序沿著第一方向d1排列，但本揭露不以此為限。在本實施例中，金屬圖案M2在基板SB的法線方向n上覆蓋絕緣圖案IL1a。
綜上所述，本揭露的一些實施例將電子裝置中的金屬層在剖視方向上分割為至少兩個金屬圖案，且在任兩個金屬圖案之間設置有與其接觸的絕緣圖案，通過上述的設計，可在不增加基 板的厚度的情況下減少在基板中產生的翹曲現象。再者，本揭露的另一些實施例的電子裝置通過使各金屬圖案具有的厚度大於任一金屬圖案具有的集膚深度，可減少訊號穿透基板的情況，而降低訊號在基板中傳輸時的損耗。另外，本揭露的又一些實施例的電子裝置通過使位於訊號的輸入端與訊號的輸出端彼此接觸的兩個金屬圖案在訊號傳輸的方向上的寬度大於其自身具有的集膚深度，亦可減少訊號穿透基板的情況，而降低訊號在基板中傳輸時的損耗。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，所屬領域中具通常知識者應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。各實施例間的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
A-A’:剖線
AW:抗翹曲層
AW_TP:頂端點
CT1、CT2:接觸部
d1:第一方向
d2:第二方向
IL1、IL2:絕緣圖案
M1、M2:金屬圖案
M1_BP:底端點
M1E、M2E:邊緣
n:法線方向
S:訊號
SB:基板
SI:訊號輸入端
SO:訊號輸出端
TM1、TM2、TSB:厚度
WCT1、WCT2:寬度

Claims (19)

  1. 一種電子裝置，包括：基板；第一金屬圖案，設置於所述基板上，且具有第一集膚深度；第一絕緣圖案，設置於所述第一金屬圖案上；以及第二金屬圖案，設置於所述第一金屬圖案以及所述第一絕緣圖案上，且具有第二集膚深度，其中，在剖視方向上，所述第二金屬圖案包括第一接觸部以及第二接觸部，所述第一接觸部與所述第二接觸部接觸於所述第一金屬圖案，且在所述第一接觸部與所述第二接觸部之間，所述第一絕緣圖案接觸所述第一金屬圖案與所述第二金屬圖案，其中，在所述剖視方向上，所述第一金屬圖案的厚度大於或等於所述第一集膚深度，且所述第二金屬圖案的厚度大於或等於所述第二集膚深度。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一接觸部在第一方向上的寬度以及所述第二接觸部在第一方向上的寬度大於或等於所述第一集膚深度與所述第二集膚深度中的最大者。
  3. 如請求項1所述的電子裝置，其中在所述剖視方向上，所述第二金屬圖案的邊緣內縮於所述第一金屬圖案的邊緣。
  4. 如請求項1所述的電子裝置，其中在所述剖視方向上，所述第二金屬圖案的邊緣與所述第一金屬圖案的邊緣切齊。
  5. 如請求項1所述的電子裝置，其中在所述剖視方向上，所述第二金屬圖案的邊緣超出所述第一金屬圖案的邊緣。
  6. 如請求項1所述的電子裝置，其中在所述剖視方向上，還包括第二絕緣圖案，所述第二絕緣圖案設置於所述第一金屬圖案上且與所述第一絕緣圖案相鄰，其中，所述第二金屬圖案還設置於所述第二絕緣圖案上。
  7. 如請求項6所述的電子裝置，其中所述第二金屬圖案還包括第三接觸部，其中，在所述剖視方向上，所述第三接觸部位於所述第一絕緣圖案與所述第二絕緣圖案之間。
  8. 如請求項6所述的電子裝置，其中在所述第一接觸部與所述第二接觸部之間，所述第二絕緣圖案接觸所述第一金屬圖案與所述第二金屬圖案。
  9. 如請求項1所述的電子裝置，其更包括：第三絕緣圖案，設置於所述第二金屬圖案上；以及第三金屬圖案，設置於所述第三絕緣圖案上。
  10. 如請求項9所述的電子裝置，其中所述第三金屬圖案具有第三厚度，所述第三厚度大於或等於所述第三金屬圖案的第三集膚深度。
  11. 如請求項9所述的電子裝置，其中所述第三金屬圖案接觸於所述第一金屬圖案與所述第二金屬圖案的至少其中一者。
  12. 一種電子裝置，包括： 基板；第一金屬圖案，設置於所述基板上，且具有第一集膚深度；以及第二金屬圖案，設置於所述第一金屬圖案上，且具有第二集膚深度，其中，在剖視方向上，所述第二金屬圖案包括第一接觸部及第二接觸部，所述第一接觸部與所述第二接觸部接觸於所述第一金屬圖案，所述第一接觸部與所述第二接觸部中的至少一者在第一方向上的寬度大於或等於所述第一集膚深度與所述第二集膚深度中的最大者。
  13. 如請求項12所述的電子裝置，其中所述第一金屬圖案具有第一厚度，所述第一厚度大於或等於所述第一集膚深度，且所述第二金屬圖案具有第二厚度，所述第二厚度大於或等於所述第二集膚深度。
  14. 如請求項12所述的電子裝置，其更包括第一絕緣圖案，所述第一絕緣圖案設置於所述第一金屬圖案與所述第二金屬圖案之間，且於所述第一接觸部與所述第二接觸部之間，所述第一絕緣圖案與所述第一金屬圖案以及所述第二金屬圖案接觸。
  15. 如請求項12所述的電子裝置，其中在所述剖視方向上，所述第二金屬圖案的邊緣內縮於所述第一金屬圖案的邊緣。
  16. 如請求項12所述的電子裝置，其中在所述剖視方向上，所述第二金屬圖案的邊緣與所述第一金屬圖案的邊緣切齊。
  17. 如請求項12所述的電子裝置，其中在所述剖視方向上，所述第二金屬圖案的邊緣超出所述第一金屬圖案的邊緣。
  18. 如請求項12所述的電子裝置，其更包括：第三絕緣圖案，設置於所述第二金屬圖案上；以及第三金屬圖案，設置於所述第三絕緣圖案上。
  19. 如請求項18所述的電子裝置，其中所述第三金屬圖案具有第三厚度，所述第三厚度大於或等於所述第三金屬圖案的第三集膚深度。
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