TWI836144B - 陶瓷加熱器及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明涉及一種提高了可靠性的陶瓷加熱器，其特徵在於，包括：加熱器主體部，該加熱器主體部具備以網型的金屬材質形成的高頻電極、接觸該高頻電極的下面的電極柱連接構件；及加熱器支撐部，該加熱器支撐部加裝於該加熱器主體部的下部，支撐該加熱器主體部；且該高頻電極包括具有金屬線型網結構的第一電極構件和具有片型網結構的第二電極構件。

Description

陶瓷加熱器及其製造方法

本發明涉及陶瓷加熱器及其製造方法，更具體而言，涉及一種提高了可靠性的陶瓷加熱器及其製造方法。

一般而言，半導體裝置或顯示裝置以將包括電介質層及金屬層的複數個薄膜層依次層疊於玻璃基板、柔性基板或半導體晶片基板上後進行圖案化的方式製造。這些薄膜層藉由化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition：CVD)物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition：PVD)製程依次沉積於基板上。作為該CVD製程，有低壓化學氣相沉積(Low Pressure CVD：LPCVD)製程、等離子體強化化學氣相沉積(Plasma Enhanced CVD：PECVD)製程、有機金屬化學氣相沉積(Metal Organic CVD：MOCVD)製程等。

在這種CVD裝置及PVD裝置中配置有用於支撐玻璃基板、柔性基板、半導體晶片基板等並施加既定熱的加熱器。該加熱器也在支撐基板上形成的薄膜層的蝕刻製程(etching process)與光刻膠(photoresist)的燒成製程等中，用於基板加熱。該CVD裝置及PVD裝置中安裝的加熱器，根據準確的溫度控制、半導體元件的配線微細化及半導體晶片基板的精密熱處理要求，廣泛使用陶瓷加熱器(Ceramic Heater)。

圖1a是繪示習知技術的陶瓷加熱器的構成的圖。如圖1a所示，陶瓷加熱器1在半導體製造製程中，可以支撐諸如晶片(wafer)等的基板，用於將該基板加熱到製程溫度，例如，加熱到執行CVD製程或PVD製程所需的溫度。

以往的陶瓷加熱器1由具有圓形的板狀結構的陶瓷本體10和加裝於該陶瓷本體10下部的陶瓷支撐部20構成。其中，該陶瓷本體10包括：高頻電極(或接地電極)11，該高頻電極11在生成等離子體時，使陶瓷加熱器1充電的電流接地(ground)放電；發熱體13，該發熱體13生成用於加熱基板的熱能；第一柱連接構件12，該第一柱連接構件12電氣連接高頻電極11與接地柱21；第二柱連接構件14，該第二柱連接構件14電氣連接發熱體13與發熱體柱23。該陶瓷支撐部20包括將高頻電極11連接到接地的接地柱21和將發熱體13連接於外部電源(圖上未示出)的發熱體柱23。

這種陶瓷加熱器1中埋設的高頻電極11以能發揮等離子體接地(Plasma ground)作用的高融點的金屬材質形成，一般而言，製造成由沿第一方向排列的金屬絲與沿第二方向排列的金屬絲彼此垂直交叉而形成為織物形態的金屬線型網(Wire Type Mesh)結構。

第一柱連接構件12接觸具有這種金屬線型網結構的高頻電極11的一個表面。可是，當長期使用原有陶瓷加熱器1時，存在在高頻電極11與第一柱連接構件12間的接觸部位經常發生裂隙(crack)的問題。

假如如圖1b所示，原有陶瓷加熱器1藉由熱壓(hot press)製程製造，在該熱壓步驟時，為了陶瓷粉末的燒結，向一軸方向(假定圖式的豎直方向)傳遞既定壓力。此時，具有金屬線型網形狀的高頻電極11與第一柱連接構 件12間的接觸部位由於三維形狀導致的結構性阻礙而造成壓力傳遞不均一，因而在該接觸部位存在細小裂隙(micro crack)。

這種陶瓷加熱器1在半導體製程中反復進行溫度上升(heat up)及下降(heat down)過程，此時，因金屬材質的高頻電極11及第一柱連接構件12的熱膨脹導致的熱應力直接傳遞給陶瓷本體10。因此，存在高頻電極11與第一柱連接構件12間的接觸部位存在的細小裂隙逐漸長大而抵達陶瓷本體10表面的問題。

本發明目的在於解決前述問題及其他問題。另一目的在於提供一種提高了可靠性的陶瓷加熱器及其製造方法。

又一目的在於提供一種具備由具有金屬線型網結構的第一電極構件與具有片型的網結構的第二電極構件結合的高頻電極的陶瓷加熱器及其製造方法。

為了達成該或其他目的，根據本發明一個方面，提供一種陶瓷加熱器，其特徵在於，包括：加熱器主體部，該加熱器主體部具備以網型的金屬材質形成的高頻電極、接觸該高頻電極的下面的電極柱連接構件；及加熱器支撐部，該加熱器支撐部加裝於該加熱器主體部的下部，支撐該加熱器主體部；且該高頻電極包括具有金屬線型網結構的第一電極構件和具有片型網結構的第二電極構件。

較佳地，其特徵在於，該第一電極構件由沿第一方向排列的複數個線型金屬與沿第二方向排列的複數個線型金屬垂直交叉形成。另外，其特徵在於，該第一電極構件具備與第二電極構件的形狀對應的開口部。另外，其特徵在於，該開口部與電極柱連接構件的位置對應形成。

較佳地，其特徵在於，該第二電極構件係大於在第一電極構件形成的開口部的尺寸。另外，其特徵在於，該第二電極構件配置得覆蓋在第一電極構件形成的開口部。另外，其特徵在於，該第二電極構件係大於電極柱連接構件與高頻電極間的接觸面積。

較佳地，其特徵在於，該第二電極構件由沿第一方向排列的複數個片型金屬和沿第二方向排列的複數個片型金屬垂直交叉形成。另外，其特徵在於，該第二電極構件具有比第一電極構件更薄的厚度。另外，其特徵在於，該第二電極構件藉由熱壓製程而與第一電極構件接合。

根據本發明實施例中至少一者，具有可以提供一種提高了可靠性的陶瓷加熱器及其製造方法的優點。另外，根據本發明實施例中至少一者，具有可以提供一種具備由具有金屬線型網結構的第一電極構件與具有片型網結構的第二電極構件結合的高頻電極的陶瓷加熱器及其製造方法。

另外，根據本發明實施例中至少一者，具備由具有金屬線型網結構的第一電極構件與具有片型網結構的第二電極構件一體結合的高頻電極，從而在利用熱壓(hot press)製程製造陶瓷加熱器時，可以誘導壓力向該高頻電極與第一柱連接構件間的接觸部位均一傳遞，因而具有可以有效防止在該接觸部位發生裂隙(crack)的優點。

另外，根據本發明實施例中至少一者，具備由具有金屬線型網結構的第一電極構件與具有片型網結構的第二電極構件一體結合的高頻電極，從而具有可以使陶瓷加熱器內部或表面裂隙的發生實現最小化，提高制品可靠性的優點。

不過，本發明實施例的陶瓷加熱器及其製造方法可以達成的效果不限於以上提及的內容，未提及的其他效果是本發明所屬技術領域的具有通常知識者可以從以下記載明確理解的。

1:陶瓷加熱器

10:陶瓷本體

11:高頻電極

12:第一柱連接構件

13:發熱體

14:第二柱連接構件

20:陶瓷支撐部

21:接地柱

23:發熱體柱

100:陶瓷加熱器

110,800:加熱器主體部

111:凹陷區域

112,500,600,940:高頻電極

112a,510,610,930:第一電極構件

112b,520,620,910:第二電極構件

113,920:第一柱連接構件

114,840:發熱體

115:第二柱連接構件

120:加熱器支撐部

121:第一柱

123:第二柱

515,615,935:開口部

710:成型模具

720:加壓模具

820,900:陶瓷成型體

810:第一陶瓷粉末層

830:第二陶瓷粉末層

850:第三陶瓷粉末層

d1~d4:直徑

d5:柱孔

S710~S770:步驟

圖1a是繪示習知技術的陶瓷加熱器的構成的圖；圖1b是上下倒轉第1a圖所示A部分並放大的圖；圖2是繪示本發明一個實施例的陶瓷加熱器的外形的立體圖；圖3是繪示本發明一個實施例的陶瓷加熱器的構成的剖面圖；圖4是上下倒轉圖3所示B部分並放大的圖；圖5是繪示本發明一個實施例的高頻電極的形狀的圖；圖6是繪示本發明另一實施例的高頻電極的形狀的圖；圖7是說明構成圖3陶瓷加熱器的加熱器主體部的製造方法的順序圖；圖8是為了說明構成圖3陶瓷加熱器的加熱器主體部的製造方法而參照的圖；圖9a至圖9e是說明本發明一個實施例的陶瓷成型體的製造方法的圖。

下面參照圖式，詳細說明本說明書公開的實施例，與圖式符號無關，相同或類似的構成要素賦予相同的圖式標記，省略對此的重復說明。下面，在本發明實施例的說明方面，對於記載為各層(膜)、區域、圖案或結構物在基板、各層(膜)、區域、墊或圖案的「上/上面(on)」或「下/下面(under)」形成，「上/上面(on)」和「下/下面(under)」全部包括「直接(directly)」或「插入其他層(indirectly)」形成的情形。另外，關於各層的上/上面或下/下面的基準，以圖式為基準進行說明。在圖式中，為了說明的便利及明確性，各層的厚度或大小誇張或省略或概略地圖示。另外，各構成要素的大小並非全面反映實際大小。

另外，在說明本說明書公開的實施例方面，當判斷認為對相關習知技術的具體說明可能不必要地混淆本說明書公開的實施例的要旨時，則省略該詳細說明。另外，圖式只用於使得能夠容易地理解本說明書公開的實施例，本說明書公開的思想不限於圖式，應理解為包括本發明的思想及技術範圍內包含的所有變更、均等物以及替代物。

本發明提出一種提高了可靠性的陶瓷加熱器及其製造方法。另外，本發明提出一種具備由具有金屬線型網結構的第一電極構件與具有片型的網結構的第二電極構件結合的高頻電極的陶瓷加熱器及其製造方法。

下面參照圖式，對本發明的多樣實施例進行詳細說明。

圖2是繪示本發明一個實施例的陶瓷加熱器的外形的立體圖，圖3是繪示本發明一個實施例的陶瓷加熱器的構成的剖面圖，圖4是上下倒轉圖3所示的B部分並放大的圖。

如果參照圖2至圖4，本發明一個實施例的陶瓷加熱器100是支撐諸如半導體晶片、玻璃基板、柔性基板等多樣目的的熱處理對象體，將相應熱處理對象體加熱為預先決定的溫度的半導體裝置。

陶瓷加熱器100包括：加熱器主體部110，該加熱器主體部110穩定地支撐熱處理對象體(圖上未示出)並傳遞熱；加熱器支撐部120，該加熱器支撐部120加裝於該加熱器主體部110的下部。另一方面，雖然圖中未示出，在加熱器主體部110與加熱器支撐部120之間可以形成有黏著層(圖上未示出)。

加熱器主體部110可以以具有預先決定的形狀的板狀結構物形成。作為一個示例，該加熱器主體部110可以以圓形的板狀結構物形成，但並非必須限定於此。

在加熱器主體部110的上部可以形成有具有以既定錯層凹陷的結構的凹陷區域(或空腔區域)111，以便諸如晶片的熱處理對象體可以穩定地貼裝。與該凹陷區域相應的加熱器主體部110的上面可以形成得具有優秀的平坦度。這是為了使安裝於腔室內的熱處理對象體不向一側傾斜而是水平地配置。

加熱器主體部110由以導熱性優秀的陶瓷材質形成的複數個陶瓷板(圖上未示出)構成，可以針對該複數個陶瓷板執行壓縮燒結製程而成型。其中，該陶瓷材質可以為Al2O3、Y2O3、Al2O3/Y2O3、ZrO2、AlC(Autoclaved lightweight concrete：蒸壓輕質混凝土)、TiN、AlN、TiC、MgO、CaO、CeO2、TiO2、BxCy、BN、SiO2、SiC、YAG、Mullite、AlF3中至少一種物質，較佳地，可以為氮化鋁(AlN)。

加熱器主體部110可以包括高頻電極112、接觸該高頻電極112的下面的第一柱連接構件113、配置於該高頻電極112下方的發熱體114及接觸該發熱體114的下面的第二柱連接構件115。

高頻電極(或接地電極)112埋設於加熱器主體部110的上部，可以以圓形的板形狀形成。該高頻電極112作為用於等離子體強化化學氣相沉積的電極層，可以選擇性地連接於RF(射頻)電源或接地(ground)。

高頻電極112可以由具有金屬線型網(wire type mesh)結構的第一電極構件112a和具有片型網(sheet type mesh)結構的第二電極構件112b構成。其中，該金屬線型的網結構作為具有三維形狀的結構，是由沿第一方向排列的複數個金屬線型金屬與沿第二方向排列的複數個金屬線型金屬彼此垂直交叉形成的網結構。而且，片型的網結構作為具有二維形狀的結構，是由沿第一方向排列的複數個片型金屬與沿第二方向排列的複數個片型金屬彼此垂直交叉形成的網結構，或是在金屬片上有槽的結構。

第一電極構件112a可以以圓形的板形狀形成。在該第一電極構件112a的中央部分，可以形成有與第二電極構件112b的形狀對應的開口部(opening)。可以以覆蓋在該第一電極構件112a的中央部分形成的開口部的方式，在該中央部分結合有第二電極構件112b。因此，第一電極構件112a與第二電極構件112b一體結合而形成一個高頻電極112。

第二電極構件112b可以以具有預先決定的直徑d1的圓形板形狀形成。此時，該第二電極構件112b的直徑d1係可大於第一柱連接構件113的接觸面的直徑d2。

高頻電極112可以以鎢(W)、鉬(Mo)、銀(Ag)、金(Au)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、氮化鋁(AlN)或他們的合金形成，較佳地，可以以鉬(Mo)形成。

這種高頻電極112可以選擇性地執行RF(Radio Frequency：射頻)接地功能及靜電吸盤(Electrostatic Chuck)功能中某一種功能。

其中，所謂「RF接地功能」，是指在晶片沉積製程時，使因腔室內部的等離子體而在加熱器主體部110帶電的電流向外部接地放電的功能。而且，所謂「靜電吸盤功能」，是指利用電場(electric field)而使諸如晶片等的熱處理對象體貼緊加熱器主體部110上面的功能。

發熱體114埋設於加熱器主體部110的下部，可以以與熱處理對象體的形狀對應的形狀形成。該發熱體114可以在高頻電極112下方部分，從高頻電極112隔開既定距離配置。

發熱體114可以埋設於與熱處理對象體的位置對應的加熱器主體部110。另外，發熱體114為了整體均一地加熱熱處理對象體，可以與該熱處理對象體平行地埋設於加熱器主體部110，以便不僅可以根據位置而均一地控制加熱溫度，而且使向熱處理對象體傳遞熱的距離幾乎在所有位置保持既定。

發熱體114可以以基於發熱線(或電阻線)的板狀線圈形態或平坦板形態形成。另外，發熱體114為了精密的溫度控制而可以以多層結構形成。

這種發熱體114為了在半導體製造製程中順利執行沉積製程及蝕刻製程，執行將位於加熱器主體部110的上部面的熱處理對象體加熱為既定溫度的功能。

第一柱連接構件(或電極柱連接構件)113接觸高頻電極112的下部面，執行電氣連接該高頻電極112與第一柱121的功能。

第一柱連接構件113可以接觸第二電極構件112b的一個表面，該第二電極構件112b位於高頻電極112的下部面，具有片型網結構。此時，該第一柱連接構件113可以藉由釬焊(brazing)製程附著於第二電極構件112b，但並非必須限定於此。

第二柱連接構件(或發熱體柱連接構件)115接觸發熱體114的下部面，執行電氣連接該發熱體114與第二柱123的功能。

第一及第二柱連接構件113、115可以以導電性優秀的金屬物質形成。作為一個示例，該第一及第二柱連接構件113、115可以以鎢(W)、鉬(Mo)、銀(Ag)、金(Au)、鈮(Nb)、鈦(Ti)或他們的合金形成，較佳地，可以以鉬(Mo)形成。

加熱器支撐部120加裝於加熱器主體部110的下部，執行支撐該加熱器主體部110的作用。因此，該加熱器支撐部120與加熱器主體部110結合，構成整體上具有T字形狀的陶瓷加熱器100。

加熱器支撐部120可以以在內部具有空餘空間的圓筒形狀的管(tube)形態形成。這是為了藉由加熱器支撐部120，安裝連接於加熱器主體部110的高頻電極112及發熱體114的複數個柱121、123。

加熱器支撐部120可以以主要成分與加熱器主體部110相同的陶瓷材質形成。作為一個示例，該加熱器支撐部120可以以Al2O3、Y2O3、Al2O3/Y2O3、ZrO2、AlC(Autoclaved lightweight concrete)、TiN、AlN、TiC、MgO、CaO、CeO2、TiO2、BxCy、BN、SiO2、SiC、YAG、Mullite、AlF3中至少一種物質形成，較佳地，可以以氮化鋁(AlN)形成。

第一柱(或電極柱)121安裝於加熱器支撐部120的內部，可以執行將第一柱連接構件113與外部接地(圖上未示出)之間電氣連接的功能。因此，埋設於加熱器主體部110的高頻電極112可以藉由第一柱121而與RF電源或外部接地電氣連接。

第二柱(或發熱體柱)123安裝於加熱器支撐部120的內部，可以執行將第二柱連接構件115與外部電源裝置(圖上未示出)之間電氣連接的功能。因此，埋設於加熱器主體部110的發熱體114可以藉由第二柱123而與外部電源裝置電氣連接。

第一及第二柱121、123可以以導電性優秀的金屬物質形成。作為一個示例，該第一及第二柱121、123可以以銅(Cu)、鋁(Al)、鐵(Fe)、鎢(W)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鈮(Nb)、鈦(Ti)或他們的合金形成，較佳地，可以以鎳(Ni)形成。

如上所述，本發明一個實施例的陶瓷加熱器具備由具有金屬線型網結構的第一電極構件與具有片型網結構的第二電極構件一體結合的高頻電極，從而在利用熱壓(hot press)製程製造陶瓷加熱器時，可以誘導壓力向該高頻電極與第一柱連接構件間的接觸部位均一傳遞，因此，可以有效防止在該接觸部位發生裂隙(crack)。

另一方面，下表1是表示習知技術的陶瓷加熱器與本實施例的陶瓷加熱器是否發生裂隙的實驗結果的表。其中，比較例是習知技術的陶瓷加熱器的實驗示例，實施例1是包括具有第一直徑(6mm)的片型網結構的電極構件的陶瓷加熱器的實驗示例，實施例2是包括具有第二直徑(9mm)的片型網結構的電極構件的陶瓷加熱器的實驗示例。另外，在該比較例及實施例中，針對具 有彼此相同的柱孔大小(6mm)的陶瓷加熱器進行了實驗。其中，柱孔d5的大小如圖4所示，是指為了將第一柱121插入於加熱器主體部110而在相應主體部110形成的開口的大小。

如上表1所示，比較例的陶瓷加熱器(即，不包括片型網結構的電極構件的陶瓷加熱器)可以確認在相應陶瓷加熱器的內部及表面發生裂隙。另一方面，本實施例的陶瓷加熱器(即，包括片型網結構的電極構件的陶瓷加熱器)可以確認在相應陶瓷加熱器的內部及表面完全不發生裂隙。

圖5是繪示本發明一個實施例的高頻電極的形狀的圖。

如果參照圖5，本發明一個實施例的高頻電極500包括具有金屬線型網結構的第一電極構件510和具有片型網結構的第二電極構件520。

第一電極構件510可以以由沿第一方向排列的複數個金屬線型金屬與沿第二方向排列的複數個金屬線型金屬彼此垂直交叉的網結構形成。

第一電極構件510可以以圓形的板形狀形成。在該第一電極構件510的中央部分，可以形成有與第二電極構件520的形狀對應的開口部515。作為一個示例，該開口部515可以以圓形形成。

在第一電極構件510的中央部分形成的開口部515的位置，可以根據與高頻電極500接觸的第一柱連接構件(圖上未示出)的埋設位置而變化。

第一電極構件510的厚度可以為0.5公厘(mm)至1.0mm，較佳地，可以為0.7mm。另外，第一電極構件510的直徑d3可以為300mm至350mm，較佳地，可以為320mm。

第二電極構件520可以以由沿第一方向排列的複數個片型金屬與沿第二方向排列的複數個片型金屬彼此垂直交叉的網結構形成。

第二電極構件520可以以具有預先決定的直徑d1的圓形板形狀形成。此時，該第二電極構件520的直徑d1可以比第一柱連接構件(圖上未示出)的接觸面的直徑。另外，該第二電極構件520的直徑d1係可大於在第一電極構件510上形成的開口部515的直徑d4。

第二電極構件520可以形成得覆蓋在第一電極構件510的中央部分形成的整個開口部515。此時，該第二電極構件520的邊緣區域可以與第一電極構件510的開口部周邊區域重疊地配置。此時，第一電極構件510與第二電極構件520之間的重疊區域如果過大，則該重疊區域中的電極面積發生變化，因而相應重疊區域的大小較佳以1mm至10mm形成。

第二電極構件520的網間隔(即，打孔槽大小)可以與第一電極構件510的網間隔相同或類似地形成。作為一個示例，該第二電極構件520的網間隔可以具有第一電極構件510網間隔的±50%的範圍。

第二電極構件520可以形成得具有比第一電極構件510更薄的厚度。作為一個示例，該第二電極構件112b的厚度可以為0.1至0.5mm，較佳地，可以為0.2mm。另外，第二電極構件112b的直徑可以為1mm至10mm，較佳地，可以為5mm。

圖6是繪示本發明另一實施例的高頻電極的形狀的圖。

如果參照圖6，本發明另一實施例的高頻電極600包括具有金屬線型網結構的第一電極構件610與具有片型網結構的第二電極構件620。

另一方面，高頻電極600的第一及第二電極構件610、620與上述圖5的第一及第二電極構件510、520類似，因而以其差異為中心進行說明。

第一電極構件610可以以圓形的板形狀形成。在該第一電極構件610的中央部分，可以形成有與第二電極構件620的形狀對應的開口部615。作為一個示例，該開口部615可以以正方形開關形成。

第二電極構件620可以以正方形的板形狀形成。此時，該第二電極構件620的寬度d1係可大於第一柱連接構件(圖上未示出)的接觸面的直徑。另外，該第二電極構件620的直徑d1係可大於在第一電極構件610上形成的開口部615的直徑d4。

第二電極構件620可以形成得覆蓋在第一電極構件610的中央部分形成的整個開口部615。此時，該第二電極構件620的邊緣區域可以與第一電極構件610的開口部周邊區域重疊地配置。此時，第一電極構件610與第二電極構件620之間的重疊區域如果過大，則該重疊區域的電極面積發生變化，因而相應重疊區域的大小較佳以1mm至10mm形成。

圖7是說明構成圖3陶瓷加熱器的加熱器主體部的製造方法的順序圖，圖8是為了說明構成圖3陶瓷加熱器的加熱器主體部的製造方法而參照的圖。

如果參照圖7及圖8，可以配備與構成本發明一個實施例的陶瓷加熱器100的加熱器主體部的整體形狀對應的成型模具(或收納模具)710和向該成型模具710中填充的陶瓷粉末施加壓力的加壓模具720、S710。

可以將第一陶瓷粉末填充於成型模具710，形成第一陶瓷粉末層810、S720。可以對埋設了高頻電極(圖上未示出)的陶瓷成型體820進行預先加工，層疊於成型模具710內第一陶瓷粉末層810的上部S730。此時，該陶瓷成型體820可以以按既定壓力進行加壓而能夠保持形狀的成型體形態提供。

然後，可以將第二陶瓷粉末填充於成型模具710內陶瓷成型體820的上部，形成第二陶瓷粉末層830、S740。而且，可以對具有螺旋形態或網形態的板狀結構的發熱體840進行預先加工，埋設於第二陶瓷粉末層830的上部S750。

然後，可以將第三陶瓷粉末填充於成型模具710內發熱體840的上部，形成第三陶瓷粉末層850、S760。該第一至第三陶瓷粉末為氮化鋁(AlN)粉末，選擇性地可以包含0.1至10%左右的氧化釔粉末，較佳地，可以包含約1至5%左右的氧化釔粉末。

在依次層疊第一陶瓷粉末層810、陶瓷成型體820、第二陶瓷粉末層830、發熱體840及第三陶瓷粉末層850後，在利用加壓模具720按既定壓力加壓的同時，提供高溫度的熱，從而可以燒結該陶瓷粉末層而成型加熱器主體部800、S770。作為一個示例，該加熱器主體部800可以在約0.01至0.3噸/cm²左右的壓力與約1600至1950℃左右的溫度下壓縮燒結。

下面對構成上述加熱器主體部800的要素中的可以執行RF接地功能或靜電吸盤功能的陶瓷成型體820的製造方法進行詳細說明。

圖9a至圖9e是說明本發明一個實施例的陶瓷成型體的製造方法的圖。

如果參照圖9a，可以製造具有由沿第一方向排列的複數個片型金屬與沿第二方向排列的複數個片型金屬彼此垂直交叉形成的片型網結構的第二電極構件910。此時，該複數個片型金屬可以以導電性優秀的鉬(Mo)形成。

如果參照圖9b，可以在具有片型網結構的第二電極構件910的一個表面的中央部分附著第一柱連接構件920。此時，該第一柱連接構件920可以藉由釬焊(brazing)製程附著於第二電極構件910，但並非必須限定於此。

如果參照圖9c，可以製造具有由沿第一方向排列的複數個金屬線型金屬與沿第二方向排列的複數個金屬線型金屬彼此垂直交叉形成的金屬線型網結構的第一電極構件930。此時，該複數個金屬線型金屬可以以導電性優秀的鉬(Mo)形成。

然後，可以將第一電極構件930的中央部分截斷成預先決定的形狀而形成開口部935。此時，在該第一電極構件930上形成的開口部935的位置與接觸高頻電極940的第一柱連接構件920的埋設位置對應。

如果參照圖9d，可以在附著有第一柱連接構件920的第二電極構件910上，配置形成有預先決定形狀的開口部935的第一電極構件930。此時，該第二電極構件910可以配置得覆蓋在第一電極構件930上形成的開口部935。另外，可以利用真空夾(binder)來固定第一電極構件930與第二電極構件910的位置。

如果參照圖9e，在配置於成型模具(圖上未示出)內的電極組裝體周邊填充陶瓷粉末，將該成型模具內層疊的結構物藉由熱壓(hot press)製程進行燒結而製造了陶瓷成型體900。此時，第一電極構件930與第二電極構件910 利用該熱壓製程而物理接合。因此，第二電極構件910與第一電極構件930結合成一體而形成一個高頻電極940。

另一方面，以上就本發明的具體實施例進行了說明，但在不超出本發明範圍的限度內，可以有多種變形。因此，本發明的範圍不局限於說明的實施例，應根據後述的申請專利範圍及與申請專利範圍均等的內容確定。

110:加熱器主體部

112:高頻電極

112a:第一電極構件

112b:第二電極構件

113:第一柱連接構件

121:第一柱

d1,d2:直徑

d5:柱孔

Claims (10)

1. 一種陶瓷加熱器，其包括：一加熱器主體部，該加熱器主體部設有以網型金屬材質形成的一高頻電極以及接觸該高頻電極的下面的一電極柱連接構件；一加熱器支撐部，該加熱器支撐部裝設於該加熱器主體部的下部且支撐該加熱器主體部；以及其中該高頻電極包括具有金屬線型網結構的一第一電極構件和具有片型網結構的一第二電極構件，且將該高頻電極投影於該加熱器主體部的上部並觀察時，該電極柱連接構件係連接於該第二電極構件的一部分區域，該第一電極構件係連接於其餘區域的至少一部分。
2. 如申請專利範圍第1項所述的陶瓷加熱器，其中，該第一電極構件由沿一第一方向排列的複數個線型金屬與沿一第二方向排列的複數個線型金屬垂直交叉形成。
3. 如申請專利範圍第1項所述的陶瓷加熱器，其中，該第一電極構件具有與該第二電極構件的形狀對應的一開口部。
4. 如申請專利範圍第3項所述的陶瓷加熱器，其中，該開口部與該電極柱連接構件的位置對應形成。
5. 如申請專利範圍第3項所述的陶瓷加熱器，其中，該第二電極構件係大於該開口部的尺寸。
6. 如申請專利範圍第3項所述的陶瓷加熱器，其中，該第二電極構件係配置以覆蓋在該第一電極構件形成的一開口部。
7. 如申請專利範圍第1項所述的陶瓷加熱器，其中，該第二電極構件 由沿一第一方向排列的複數個片型金屬和沿一第二方向排列的複數個片型金屬垂直交叉形成。
8. 如申請專利範圍第1項所述的陶瓷加熱器，其中，該第二電極構件係大於該電極柱連接構件與該高頻電極間的一接觸面積。
9. 如申請專利範圍第1項所述的陶瓷加熱器，其中，該第二電極構件具有比該第一電極構件更薄的厚度。
10. 如申請專利範圍第1項所述的陶瓷加熱器，其中，該第二電極構件藉由熱壓製程而與該第一電極構件接合。