TWI835493B

TWI835493B - 阻劑組成物及阻劑圖型形成方法

Info

Publication number: TWI835493B
Application number: TW111150263A
Authority: TW
Inventors: 池田卓也; 道林信弘; 村田茉莉; 山崎広人; 新井雅俊; 小室嘉崇
Original assignee: 日商東京應化工業股份有限公司
Priority date: 2018-05-28
Filing date: 2019-05-27
Publication date: 2024-03-11

Abstract

一種阻劑組成物，其為含有：具有含有經由酸之作用而解離之基的結構單位的樹脂成份，與通式(bd1)所表示之化合物。式(bd1)中，Rx ¹～Rx ⁴表示烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；Ry ¹～Ry ²表示烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；Rz ¹～Rz ⁴表示烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子；M ^m+表示m價之有機陽離子。

Description

阻劑組成物及阻劑圖型形成方法

本發明為有關阻劑組成物及阻劑圖型形成方法。本案為依2018年5月28日於日本申請之特願2018-101875號、特願2018-101874號、特願2018-101880號，及特願2018-101871號為基礎主張優先權，該內容係援用於此說明中。

微影蝕刻技術中，例如於基板上形成由阻劑材料所構成的阻劑膜、對該阻劑膜進行選擇性曝光、施以顯影處理等，而於前述阻劑膜上形成特定形狀之阻劑圖型之步驟。阻劑膜的曝光部變化為可溶解於顯影液之特性的阻劑材料稱為正型、阻劑膜的曝光部變化為不溶解於顯影液之特性的阻劑材料稱為負型。近年來，於半導體元件或液晶顯示元件的製造方法中，因微影蝕刻技術之進步而使圖型急速地邁入微細化。微細化之方法，一般為使曝光光源予以短波長化(高能量化)之方式進行。具體而言，例如：以往為使用以g線、i線所代表的紫外線，現在則已開始進行使用KrF準分子雷射，或ArF準分子雷射的半導體元件之量產。又，對於較該些準分子雷射為更短波長(高能量)的EUV(超紫外線)，或EB(電子線)、X線等，亦已開始進行研究。

阻劑材料，則需求對該些曝光光源之感度、可重現微細尺寸圖型的解析度等的微影蝕刻特性。可滿足該些需求的阻劑材料，以往為使用含有經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份，與經由曝光而產生酸的酸產生劑成份的化學增幅型阻劑組成物。例如上述顯影液為鹼顯影液(鹼顯影製程)之情形時，正型的化學增幅型阻劑組成物，一般為使用含有經由酸的作用而增大對鹼顯影液之溶解性的樹脂成份(基底樹脂)，與酸產生劑成份者。使用由該阻劑組成物所形成的阻劑膜，實施阻劑圖型形成步驟中之擇性曝光時，於曝光部中，該酸產生劑成份會產生酸，並經由該酸的作用而增大基底樹脂之極性，使阻劑膜的曝光部相對於鹼顯影液為可溶。因此，經由鹼顯影時，可使阻劑膜的未曝光部以圖型方式殘留而形成正型圖型。另一方面，該些化學增幅型阻劑組成物，於使用於含有有機溶劑的顯影液(有機系顯影液)的溶劑顯影製程時，因基底樹脂的極性增大，相對地會降低對有機系顯影液之溶解性，使得阻劑膜的未曝光部被有機系顯影液溶解、去除，而形成阻劑膜的曝光部以圖型方式殘留的負型之阻劑圖型。上述形成負型之阻劑圖型的溶劑顯影製程則稱為負型顯影製程。

化學增幅型阻劑組成物中所使用的基底樹脂，一般而言，就提高微影蝕刻特性等的目的，多具有複數之結構單位。例如：為經由酸的作用而增大對鹼顯影液之溶解性的樹脂成份時，為使用含有經由酸產生劑等所產生的酸之作用而分解而增大極性的酸分解性基之結構單位，其他亦併用含有含內酯的環式基之結構單位、含有羥基等的極性基之結構單位等。

又，於阻劑圖型之形成中，經曝光而由酸產生劑成份產生之酸的機制為對微影蝕刻特性產生極大影響的要素之一。化學增幅型阻劑組成物所使用的酸產生劑，目前已有各式各樣物質的提案。已知例如：錪鹽或鋶鹽等之鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸酯系酸產生劑、重氮甲烷系酸產生劑、硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺磺酸酯系酸產生劑、二碸系酸產生劑等。鎓鹽系酸產生劑，例如主要為使用陽離子部具有三苯基鋶等的鎓離子者。鎓鹽系酸產生劑的陰離子部，一般為使用烷基磺酸離子或該烷基之氫原子中的一部份或全部被氟原子取代之氟化烷基磺酸離子。又，就提高阻劑圖型之形成中的高微影蝕刻特性之目的時，鎓鹽系酸產生劑的陰離子部，亦有提出一種具有具有含芳香族環的特定結構之陰離子的鎓鹽系酸產生劑(例如：專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 專利第5149236號公報

[發明所欲解決之問題]

伴隨微影蝕刻技術更進步、阻劑圖型更微細化之過程中，例如於電子線或EUV進行的微影蝕刻中，多以形成數十nm的微細圖型為目標。因此，阻劑圖型尺寸越小時，於阻劑組成物中則被要求對於曝光光源具有更高之感度，及低粗糙度等的良好微影蝕刻特性。但，上述以往的含有鎓鹽系酸產生劑的阻劑組成物，於嘗試使其對EUV等曝光光源形成高感度化時，多會產生無法得到所期待的阻劑圖型形狀等的問題，而難以滿足該些任何的特性。

本發明，為鑑於上述情事而提出者，而以提供一種可形成達到高感度化，且，使粗糙度更降低的良好形狀之阻劑圖型的阻劑組成物及使用該阻劑組成物的阻劑圖型形成方法為目的。 [解決問題之方法]

本發明之第1態樣為，一種阻劑組成物，其為經由曝光而產生酸，且，經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的阻劑組成物；其特徵為含有：經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的樹脂成份(A1)，及下述通式(bd1)所表示之陰離子部與陽離子部所形成的化合物(BD1)；前述樹脂成份(A1)，為含有下述(a)或(b)的樹脂成份： (a)具有於下述通式(a0-1a-1)所表示之化合物中，W ¹部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-1a)的樹脂成份；或 (b)具有由：下述通式(a0-1b-1)所表示之化合物中，W ¹部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-1b)，與下述通式(a0-2-1)所表示之化合物中，W ²部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-2)，及含有下述通式(a0-3)所表示之部份結構的結構單位(a0-3)所成之群所選出之至少1種的結構單位的樹脂成份(但，前述(a)的樹脂成份除外)。

[式中，Rx ¹～Rx ⁴，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；Ry ¹～Ry ²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；為雙鍵或單鍵；Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子；n為1以上之整數；m為1以上之整數，M ^m+表示m價之有機陽離子]。

[式中，W ¹為含有聚合性基之基；Ra ^01a為式中之氧基(-O-)鍵結碳原子而得的酸解離性基，且該碳原子的α位上，具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子；Ra ^01b為下述通式(a01-r-1)或通式(a01-r-2)所表示之酸解離性基]

[式中，Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³各別獨立為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、不具有交聯結構之脂環式基，或芳香族烴基；Ra ⁰¹⁴為部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的直鏈狀或支鏈狀之碳數1～12之脂肪族烴基，或部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的碳數6～12之芳基；Ra ⁰¹⁵為與Ra ⁰¹⁴鍵結的碳原子共同形成單環式脂肪族環式基之基。＊表示鍵結鍵]。

[式中，W ²為含有聚合性基之基；Wa ^x0為可具有取代基之(n _ax0+1)價之具有芳香族性的環狀基。Wa ^x0可與W ²形成縮合環；n _ax0為1～3之整數]

[式中，R ¹為碳數1～12之氟化烷基。R ²為可具有氟原子的碳數1～12之有機基或氫原子。＊表示鍵結鍵]。

本發明之第2態樣為，一種阻劑圖型形成方法，其特徵為具有：使用前述第1態樣之阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟，及使前述曝光後之阻劑膜顯影，而形成阻劑圖型之步驟。 [發明之效果]

本發明之阻劑組成物，可形成達到高感度化，且，更降低粗糙度的良好的形狀之阻劑圖型。 [實施發明之形態]

本說明書及本申請專利範圍中，「脂肪族」為，對芳香族為相對性之概念，定義為不具有芳香族性之基、化合物等之意義者。「烷基」，於無特限定時，為包含直鏈狀、支鏈狀及環狀的1價飽和烴基者。烷氧基中之烷基亦為相同內容。「伸烷基」，於無特限定時，為包含直鏈狀、支鏈狀及環狀的2價飽和烴基者。「鹵化烷基」，為烷基之氫原子中的一部份或全部被鹵素原子取代而得之基，該鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。「氟化烷基」或「氟化伸烷基」，為烷基或伸烷基之氫原子中的一部份或全部被氟原子取代而得之基之意。「結構單位」，為以高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚物)作為結構的單體單位(單體單位)之意。記載為「亦可具有取代基」或「具有取代基亦可」之情形，為包含氫原子(-H)被1價之基取代之情形，與伸甲基(-CH ₂-)被2價之基取代之情形等二者。「曝光」，為包含輻射線照射之全部概念。

「基材成份」，為具有膜形成能力的有機化合物，較佳為使用分子量為500以上之有機化合物。該有機化合物的分子量為500以上時，可提高膜形成能力，此外，亦容易形成奈米程度之阻劑圖型。作為基材成份使用的有機化合物，可大分為非聚合物與聚合物。非聚合物，一般為使用分子量為500以上、未達4000者。以下，稱為「低分子化合物」之情形，為表示分子量500以上、未達4000之非聚合物。聚合物，一般為使用分子量1000以上者。以下，稱為「樹脂」、「高分子化合物」或「聚合物」之情形，為表示分子量1000以上之聚合物。聚合物之分子量，為使用GPC(凝膠滲透色層分析)測得之聚苯乙烯換算的質量平均分子量。

「丙烯酸酯所衍生之結構單位」，為丙烯酸酯之乙烯性雙鍵經開裂而構成的結構單位之意。「丙烯酸酯」，為丙烯酸(CH ₂=CH-COOH)的羧基末端之氫原子被有機基取代而得之化合物。丙烯酸酯中，α位的碳原子所鍵結的氫原子可被取代基所取代。取代該α位的碳原子所鍵結的氫原子之取代基(R ^α0)，為氫原子以外的原子或基，例如碳數1～5之烷基、碳數1～5之鹵化烷基等。又，亦包含取代基(R ^α0)被含有酯鍵結的代基取代而得之依康酸二酯，或取代基(R ^α0)被羥烷基或該羥基經修飾後之基所取代之α羥基丙烯酸基酯。又，丙烯酸酯之α位的碳原子，於無特限定時，係指丙烯酸之羰基所鍵結的碳原子之意。以下，α位的碳原子所鍵結的氫原子被取代基取代而得之丙烯酸酯，亦稱為α取代丙烯酸酯。又，包括丙烯酸酯與α取代丙烯酸酯亦統稱為「(α取代)丙烯酸酯」。

「丙烯酸醯胺所衍生之結構單位」，為丙烯酸醯胺的乙烯性雙鍵經開裂而構成的結構單位之意。丙烯酸醯胺中，α位的碳原子所鍵結的氫原子可被取代基所取代，或丙烯酸醯胺之胺基之氫原子中之一者或二者被取代基所取代皆可。又，丙烯酸醯胺之α位的碳原子，於無特限定時，為丙烯酸醯胺之羰基所鍵結的碳原子之意。取代丙烯酸醯胺之α位的碳原子所鍵結的氫原子之取代基，例如與前述α取代丙烯酸酯中，被列舉作為α位的取代基者(取代基(R ^α0))為相同之內容。

「羥基苯乙烯所衍生之結構單位」，為羥基苯乙烯的乙烯性雙鍵經開裂而構成的結構單位之意。「羥基苯乙烯衍生物所衍生之結構單位」，為羥基苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵經開裂而構成的結構單位之意。「羥基苯乙烯衍生物」，為包含羥基苯乙烯的α位之氫原子被烷基、鹵化烷基等的其他取代基所取代者，及該些的衍生物之概念。該些的衍生物，為α位之氫原子為可被取代基所取代的羥基苯乙烯中的羥基之氫原子而被有機基取代者；α位之氫原子於可被取代基所取代的羥基苯乙烯的苯環上，鍵結羥基以外的取代基者等。又，α位(α位的碳原子)，於無特限定時，為苯環所鍵結的碳原子之意。取代羥基苯乙烯的α位之氫原子之取代基，例如與前述α取代丙烯酸酯中，被列舉作為α位的取代基者為相同之內容。

「由乙烯安息香酸或乙烯安息香酸衍生物所衍生之結構單位」，為乙烯安息香酸或乙烯安息香酸衍生物的乙烯性雙鍵經開裂而構成的結構單位之意。「乙烯安息香酸衍生物」，為包含乙烯安息香酸的α位之氫原子被烷基、鹵化烷基等其他的取代基取代者，及該些的衍生物之概念。該些的衍生物，為α位之氫原子為可被取代基所取代的乙烯安息香酸的羧基之氫原子而被有機基取代者；α位之氫原子於可被取代基所取代的乙烯安息香酸的苯環上，鍵結羥基及羧基以外的取代基者等。又，α位(α位的碳原子)，於無特限定時，為苯環所鍵結的碳原子之意。

「苯乙烯衍生物」，為包含苯乙烯的α位之氫原子被烷基、鹵化烷基等其他的取代基所取代者，及該些的衍生物之概念。該些的衍生物，為α位之氫原子於可被取代基所取代的羥基苯乙烯的苯環上鍵結取代基者等。又，α位(α位的碳原子)，於無特限定時，為苯環所鍵結的碳原子之意。「苯乙烯所衍生之結構單位」、「苯乙烯衍生物所衍生之結構單位」，為苯乙烯或苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵經開裂而構成的結構單位之意。

上述作為α位的取代基之烷基，以直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳，具體而言，例如：碳數1～5之烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基)等。又，作為α位的取代基之鹵化烷基，具體而言，例如：上述「作為α位的取代基之烷基」之氫原子的一部份或全部，被鹵素原子取代而得之基。該鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。又，作為α位的取代基之羥烷基，具體而言，例如：上述「作為α位的取代基之烷基」之氫原子的一部份或全部，被羥基取代而得之基。該羥烷基中的羥基之數，以1～5為佳，以1為最佳。

本說明書及本申請專利範圍中，依化學式所表示之結構內容，會有存在不對稱碳的鏡像異構物(enantiomer)或非鏡像異構物(diastereomer)者。該情形時則以1個化學式代表該些異構物。該些異構物可單獨使用亦可、以混合物方式使用亦可。

(阻劑組成物) 本發明之第1態樣的阻劑組成物，為經由曝光而產生酸，且，經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化者，其特徵為含有：經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份(A)(以下，亦稱為「(A)成份」)，與通式(bd1)所表示之化合物(BD1)(以下，亦稱為「(BD1)成份」)。

該阻劑組成物之一實施形態，可列舉如：含有前述(A)成份，與經由曝光而產生酸的酸產生劑成份(B)(以下，亦稱為「(B)成份」)之阻劑組成物。較佳為例如，除(A)成份及(B)成份以外，再含有可捕集經曝光而由(B)成份產生的酸(即，控制酸的擴散)之鹼成份(以下，亦稱為「(D)成份」)者。本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份，為含有經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的樹脂成份(A1)(以下，亦稱為「(A1)成份」)。 (BD1)成份，可經由選擇分子內的陰離子基之方式，而可作為(B)成份使用，或作為(D)成份使用。

使用本實施形態之阻劑組成物形成阻劑膜，並對該阻劑膜進行選擇性曝光時，該阻劑膜的曝光部中，例如於(B)成份產生酸，並經由該酸的作用而使(A)成份改變對顯影液的溶解性之同時，該阻劑膜的未曝光部中之(A)成份對顯影液的溶解性並未發生變化，而會於曝光部與未曝光部之間產生對顯影液的溶解性之差異。因此，對該阻劑膜進行顯影時，該阻劑組成物為正型時，該阻劑膜曝光部會被溶解去除而形成正型之阻劑圖型，該阻劑組成物為負型時，該阻劑膜未曝光部會被溶解去除而形成負型之阻劑圖型。

本說明書中，阻劑膜曝光部被溶解去除而形成正型阻劑圖型的阻劑組成物稱為正型阻劑組成物、阻劑膜未曝光部被溶解去除而形成負型阻劑圖型的阻劑組成物稱為負型阻劑組成物。本實施形態之阻劑組成物，可為正型阻劑組成物亦可、負型阻劑組成物亦可。又，本實施形態之阻劑組成物，可使用於形成阻劑圖型時，顯影處理為使用鹼顯影液的鹼顯影製程用，或該顯影處理為使用含有有機溶劑的顯影液(有機系顯影液)之溶劑顯影製程用皆可。

本實施形態之阻劑組成物，為具有經由曝光而產生酸的酸發生能力者，除(B)成份以外，(A)成份亦可經由曝光而產生酸。 (A)成份為經由曝光而產生酸之成份時，該(A)成份，則為「經由曝光而產生酸，且，經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份」。 (A)成份為經由曝光而產生酸，且，經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份時，上述(A1)成份，以經由曝光而產生酸，且，經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的高分子化合物為佳。該些高分子化合物，可列舉如：具有經由曝光而產生酸之結構單位之樹脂。可衍生出經由曝光而產生酸之結構單位的單體，可使用公知之單體。

＜(A)成份＞本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份，為經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份，且含有上述(A1)成份者。使用(A1)成份時，因曝光前後的基材成份之極性會發生變化，故不僅鹼顯影製程，於溶劑顯影製程中，亦可得到良好的顯影對比。

使用於鹼顯影製程時，含有該(A1)成份的基材成份，於曝光前對鹼顯影液為難溶性，例如經由曝光而由(B)成份產生酸時，基於該酸之作用而增大極性，進而增大對鹼顯影液之溶解性。因此，於阻劑圖型的形成中，對將該阻劑組成物塗佈於支撐體上所形成的阻劑膜進行選擇性曝光時，阻劑膜曝光部由對鹼顯影液為難溶性轉變為可溶性的同時，因阻劑膜未曝光部仍為鹼難溶性而未有變化，故經鹼顯影時即可形成正型阻劑圖型。

另一方面，使用於溶劑顯影製程時，含有該(A1)成份的基材成份，於曝光前對有機系顯影液具有高度溶解性，例如經由曝光而由(B)成份產生酸時，基於該酸之作用而使極性增高，進而降低對有機系顯影液之溶解性。因此，於阻劑圖型的形成中，對將該阻劑組成物塗佈於支撐體上所形成的阻劑膜進行選擇性曝光時，阻劑膜曝光部對有機系顯影液由可溶性轉變為難溶性的同時，因阻劑膜未曝光部仍為可溶性而未有變化，故經使用有機系顯影液顯影時，可使曝光部與未曝光部之間產生明確對比，而形成負型阻劑圖型。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。

・(A1)成份 (A1)成份為經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的樹脂成份，且具有含有經由酸之作用而解離之基的結構單位(a1)的樹脂成份。 (A1)成份中，除結構單位(a1)以外，必要時，可再具有其他結構單位。

≪結構單位(a1)≫ 結構單位(a1)，為含有經由酸之作用而解離之基的結構單位。經由酸之作用而解離之基(以下，亦稱為「酸解離性基」)為，(i)經由酸之作用，而使該酸解離性基與該酸解離性基相鄰接的原子之間的鍵結形成開裂而具有酸解離性者，或(ii)經由酸之作用，而使部份的鍵結形成開裂之後，再經所生成的去碳酸反應，使該酸解離性基，與，鄰接該酸解離性基的原子之間的鍵結形成開裂者。例如：結構單位(a1)，可列舉如：經由酸之作用，使該酸解離性基由結構單位(a1)部份產生解離之際，可生成較該酸解離性基具有更高極性之極性基者。經生成較該酸解離性基具有更高極性之極性基時，可增大(A1)成份全體之極性。(A1)成份全體的極性增大時，相對的會改變對顯影液的溶解性，於顯影液為鹼顯影液時，將會增大溶解性，顯影液為有機系顯影液時，將會降低溶解性。較該酸解離性基具有更高極性的極性基，例如：羧基、羥基、胺基、磺酸基(-SO ₃H)等。該些之中，又以結構中含有-OH之極性基(以下，亦稱為「含有OH的極性基」)為佳，以羧基或羥基為較佳，以羧基為特佳。

酸解離性基，可列舉如：目前為止被提案作為化學增幅型阻劑組成物用的基底樹脂之酸解離性基者。被提案作為化學增幅型阻劑組成物用的基底樹脂之酸解離性基者，具體而言，例如：以下說明之「縮醛型酸解離性基」、「三級烷酯型酸解離性基」、「三級烷氧羰基酸解離性基」等。

縮醛型酸解離性基：前述極性基中，保護羧基或羥基的酸解離性基，例如：下述通式(a1-r-1)所表示之酸解離性基(以下，亦稱為「縮醛型酸解離性基」)。

[式中，Ra’ ¹、Ra’ ²為氫原子或烷基；Ra’ ³為烴基，且Ra’ ³可與Ra’ ¹、Ra’ ²之任一者鍵結而形成環]。

式(a1-r-1)中，Ra’ ¹及Ra’ ²之中，以至少一者為氫原子為佳，以二者為氫原子為較佳。 Ra’ ¹或Ra’ ²為烷基時，該烷基，可列舉如：與上述α取代丙烯酸酯的說明中，可鍵結於α位的碳原子之取代基所列舉的烷基為相同之內容，又以碳數1～5之烷基為佳。具體而言，例如：以直鏈狀或支鏈狀之烷基為較佳例示。更具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，又以甲基或乙基為較佳，以甲基為特佳。

式(a1-r-1)中，Ra’ ³之烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀之烷基，或環狀之烴基等。該直鏈狀之烷基，以碳數1～5為佳，以碳數1～4為較佳，以碳數1或2為更佳。具體而言，例如：甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該些之中，又以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為較佳。

該支鏈狀之烷基，以碳數3～10為佳，以碳數3～5為較佳。具體而言，例如：異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙丙基、2,2-二甲基丁基等，又以異丙基為佳。

Ra’ ³為環狀之烴基時，該烴基可為脂肪族烴基或芳香族烴基皆可，又可為多環式基或單環式基皆可。單環式基之脂肪族烴基，以由單環鏈烷去除1個氫原子而得之基為佳。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環式基之脂肪族烴基，以由多環鏈烷去除1個氫原子而得之基為佳，該多環鏈烷，以碳數7～12者為佳，具體而言，例如：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

Ra’ ³之環狀烴基為芳香族烴基時，該芳香族烴基，為至少具有1個芳香環之烴基。該芳香環，只要為具有4n+2個π電子的環狀共軛系者時，並未有特別之限定，其可為單環式或多環式皆可。芳香環之碳數以5～30為佳，以碳數5～20為較佳，以碳數6～15為更佳，以碳數6～12為特佳。芳香環，具體而言，例如：苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環，具體而言，例如：吡啶環、噻吩環等。 Ra’ ³中之芳香族烴基，具體而言，例如：由前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子而得之基(芳基或雜芳基)；由含有2個以上芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除1個氫原子而得之基；前述芳香族烴環或芳香族雜環中的1個氫原子被伸烷基取代而得之基(例如：苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳烷基等)等。前述芳香族烴環或芳香族雜環所鍵結的伸烷基之碳數，以1～4為佳，以碳數1～2為較佳，以碳數1為特佳。

Ra’ ³中之環狀烴基，亦可具有取代基。該取代基，例如：-R ^P1、-R ^P2-O-R ^P1、-R ^P2-CO-R ^P1、-R ^P2-CO-OR ^P1、-R ^P2-O-CO-R ^P1、-R ^P2-OH、-R ^P2-CN或-R ^P2-COOH (以下，該些取代基亦統稱為「Ra ⁰⁵」)等。其中，R ^P1為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基、碳數3～20的1價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6～30的1價芳香族烴基。又，R ^P2為單鍵、碳數1～10的2價鏈狀飽和烴基、碳數3～20的2價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6～30的2價芳香族烴基。其中，R ^P1及R ^P2的鏈狀飽和烴基、脂肪族環狀飽和烴基及芳香族烴基所具有的氫原子之一部份或全部，可被氟原子所取代。上述脂肪族環狀烴基可單獨具有1個以上的1種上述取代基，或分別具有1個以上的上述取代基中之複數種。碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基，例如：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。碳數3～20的1價脂肪族環狀飽和烴基，例如：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等的單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛烯基、三環[5.2.1. 0 ^2,6]癸基、三環[3.3.1.1 ^3,7]癸基、四環[6.2.1.1 ^3,6.0 ^2,7]十二烷基、金剛烷基等的多環式脂肪族飽和烴基等。碳數6～30的1價芳香族烴基，例如：由苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等之芳香族烴環去除1個氫原子而得之基等。

Ra’ ³，與Ra’ ¹、Ra’ ²之任一者鍵結形成環時，該環式基，例如：以4～7員環為佳，以4～6員環為較佳。該環式基之具體例如：四氫吡喃基、四氫呋喃基等。

三級烷酯型酸解離性基：上述極性基中，保護羧基的酸解離性基，例如：下述通式(a1-r-2)所表示之酸解離性基等。又，下述式(a1-r-2)所表示之酸解離性基中，為由烷基構成者時，以下，於簡便上亦稱為「三級烷酯型酸解離性基」。

[式中，Ra’ ⁴～Ra’ ⁶分別為烴基，且Ra’ ⁵、Ra’ ⁶可互相鍵結形成環]。

Ra’ ⁴之烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀之烷基、鏈狀或環狀之烯基，或環狀之烴基等。 Ra’ ⁴中，直鏈狀或支鏈狀之烷基、環狀之烴基(單環式基之脂肪族烴基、多環式基之脂肪族烴基、芳香族烴基)，與前述Ra’ ³為相同之內容。 Ra’ ⁴中之鏈狀或環狀之烯基，以碳數2～10之烯基為佳。 Ra’ ⁵、Ra’ ⁶之烴基，例如：與前述Ra’ ³為相同之內容。

保護羧基的酸解離性基中之較佳者，具體而言，例如：下述通式(a1-r2-1)所表示之基、下述通式(a1-r2-2)所表示之基、下述通式(a1-r2-3)所表示之基、下述通式(a1-r2-4)所表示之基等。

[式(a1-r2-1)中，Ra’ ¹⁰表示部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的直鏈狀或支鏈狀之碳數1～12之烷基。Ra’ ¹¹表示可與Ra’ ¹⁰鍵結的碳原子共同形成脂肪族環式基之基。式(a1-r2-2)中，Ya為碳原子；Xa為與Ya共同形成環狀烴基之基；該環狀烴基所具有的氫原子中之一部份或全部可被取代；Ra ⁰¹～Ra ⁰³，各別獨立為氫原子、碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基或碳數3～20的1價脂肪族環狀飽和烴基；該鏈狀飽和烴基及脂肪族環狀飽和烴基所具有的氫原子中之一部份或全部可被取代；Ra ⁰¹～Ra ⁰³中之2個以上可互相鍵結形成環結構；式(a1-r2-3)中，Yaa為碳原子；Xaa為與Yaa共同形成脂肪族環式基之基；Ra ⁰⁴為可具有取代基之芳香族烴基；式(a1-r2-4)中，Ra’ ¹²及Ra’ ¹³，各別獨立為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基或氫原子；該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子中之一部份或全部可被取代；Ra’ ¹⁴為可具有取代基之烴基，或與Ra’ ¹³鍵結而形成可具有雜原子的縮合環。但，＊表示鍵結鍵(以下相同)]。

上述式(a1-r2-1)中，Ra’ ¹⁰為部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的直鏈狀或支鏈狀之碳數1～12之烷基。

Ra’ ¹⁰中之直鏈狀烷基，例如為碳數1～12，又以碳數1～10為佳，以碳數1～5為特佳。具體而言，例如：甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該些之中，又以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為較佳。 Ra’ ¹⁰中之支鏈狀烷基，例如：以碳數3～10為佳，以碳數3～6為特佳。具體而言，例如：異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙丙基、1,1-二甲基丁基、1,1-二甲基戊基、2,2-二甲基丁基等，該些之中，又以異丙基、tert-丁基為佳。

Ra’ ¹⁰中之烷基，其中一部份可被鹵素原子或含有雜原子之基所取代。例如：構成烷基的氫原子中之一部份，可被鹵素原子或含有雜原子之基所取代。又，構成烷基的碳原子(伸甲基等)中之一部份，可被含有雜原子之基所取代。此處所稱之鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。含有雜原子之基，可列舉如：氧原子(-O-)、 -C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-S-、-S(=O) ₂-、-S(=O) ₂-O-等。

式(a1-r2-1)中，Ra’ ¹¹(Ra’ ¹⁰與所鍵結的碳原子共同形成的脂肪族環式基)，以上述式(a1-r-1)中被列舉作為Ra’ ³的單環式基或多環式基之脂肪族烴基之基(由單環鏈烷去除1個氫原子而得之基、由多環鏈烷去除1個氫原子而得之基)為佳。又，此處之脂肪族環式基，可為不飽和脂肪族環式基，可列舉如：由單環烯烴去除1個氫原子而得之基、由聚環烯烴去除1個氫原子而得之基等。 Ra’ ¹¹中之脂肪族環式基，可具有取代基，例如：上述之Ra’ ³中的環狀烴基所可具有的取代基(Ra ⁰⁵)、取代伸甲基(-CH ₂-)中之2個氫原子而得的2價之基(亞甲基(=CH ₂)、亞乙基等)。該2價之基以鍵結於式(a1-r2-1)中的三級碳原子之α位者為佳。

式(a1-r2-2)中，Xa與Ya共同形成環狀之烴基，可列舉如：前述式(a1-r-1)中之Ra’ ³中，被列舉作為單環式基或多環式基之脂肪族烴基之基等。 Xa與Ya共同形成環狀之烴基，可具有取代基。該取代基，可列舉如：與上述Ra’ ³中的環狀之烴基所可具有的取代基為相同之內容。式(a1-r2-2)中，Ra ⁰¹～Ra ⁰³中，碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基，例如：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。 Ra ⁰¹～Ra ⁰³中，碳數3～20的1價脂肪族環狀飽和烴基，例如：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等的單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛烯基、三環[5.2.1. 0 ^2,6]癸基、三環[3.3.1.1 ^3,7]癸基、四環[6.2.1.1 ^3,6.0 ^2,7]十二烷基、金剛烷基等的多環式脂肪族飽和烴基等。 Ra ⁰¹～Ra ⁰³中，就容易合成衍生結構單位(a0-1)的單體化合物之觀點，又以氫原子、碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基為佳，其中，又以氫原子、甲基、乙基為較佳，以氫原子為特佳。

上述Ra ⁰¹～Ra ⁰³所表示之鏈狀飽和烴基，或脂肪族環狀飽和烴基所具有的取代基，例如：與上述之Ra ⁰⁵為相同之基等。

由Ra ⁰¹～Ra ⁰³中之2個以上互相鍵結所形成的環結構而產生的含有碳-碳雙鍵之基，例如：環戊烯基、環己烯基、甲基環戊烯基、甲基環己烯基、環亞戊乙烯基、環亞己乙烯基等。該些之中，就容易合成衍生結構單位(a0-1)得單體化合物之觀點，又以環戊烯基、環己烯基、環亞戊乙烯基為佳。

式(a1-r2-3)中，Xaa與Yaa共同形成的脂肪族環式基，以式(a1-r-1)中被列舉作為Ra’ ³的單環式基或多環式基之脂肪族烴基之基為佳。式(a1-r2-3)中，Ra ⁰⁴中之芳香族烴基，可列舉如：由碳數5～30之芳香族烴環去除1個以上的氫原子而得之基等。其中，Ra ⁰⁴又以由碳數6～15之芳香族烴環去除1個以上的氫原子而得之基為佳，以由苯、萘、蒽或菲去除1個以上的氫原子而得之基為較佳，以由苯、萘或蒽去除1個以上的氫原子而得之基為更佳，以由苯或萘去除1個以上的氫原子而得之基為特佳，以由苯去除1個以上的氫原子而得之基為最佳。

式(a1-r2-3)中之Ra ⁰⁴所可具有的取代基，例如：甲基、乙基、丙基、羥基、羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷氧羰基等。

式(a1-r2-4)中，Ra’ ¹²及Ra’ ¹³，各別獨立為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基或氫原子；Ra’ ¹²及Ra’ ¹³中，碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基，可列舉如：上述之Ra ⁰¹～Ra ⁰³中，碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基為相同之內容。該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子中之一部份或全部可被取代； Ra’ ¹²及Ra’ ¹³中，又以氫原子、碳數1～5之烷基為佳，以碳數1～5之烷基為較佳，以甲基、乙基為更佳，以甲基為特佳。上述Ra’ ¹²及Ra’ ¹³所表示之鏈狀飽和烴基被取代時，該取代基，例如與上述之Ra ⁰⁵為相同之基等。

式(a1-r2-4)中，Ra’ ¹⁴為可具有取代基之烴基；Ra’ ¹⁴中之烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀之烷基，或環狀之烴基等。

Ra’ ¹⁴中的直鏈狀之烷基，以碳數1～5為佳，以1～4為較佳，以1或2為更佳。具體而言，例如：甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該些之中，又以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為較佳。

Ra’ ¹⁴中的支鏈狀之烷基，以碳數3～10為佳，以3～5為較佳。具體而言，例如：異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙丙基、2,2-二甲基丁基等，又以異丙基為佳。

Ra’ ¹⁴為環狀之烴基時，該烴基可為脂肪族烴基或芳香族烴基皆可，又可為多環式基或單環式基皆可。單環式基之脂肪族烴基，以由單環鏈烷去除1個氫原子而得之基為佳。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環式基之脂肪族烴基，以由多環鏈烷去除1個氫原子而得之基為佳，該多環鏈烷，以碳數7～12者為佳，具體而言，例如：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

Ra’ ¹⁴中之芳香族烴基，例如：與Ra ⁰⁴中之芳香族烴基為相同之內容。其中，Ra’ ¹⁴又以由碳數6～15之芳香族烴環去除1個以上的氫原子而得之基為佳，以由苯、萘、蒽或菲去除1個以上的氫原子而得之基為較佳，以由苯、萘或蒽去除1個以上的氫原子而得之基為更佳，以由萘或蒽去除1個以上的氫原子而得之基為特佳，以由萘去除1個以上的氫原子而得之基為最佳。 Ra’ ¹⁴所可具有的取代基，例如：與Ra ⁰⁴所可具有的取代基為相同之內容。

式(a1-r2-4)中之Ra’ ¹⁴為萘基時，其與前述式(a1-r2-4)中的三級碳原子之鍵結位置，可為萘基的1位或2位中之任一者皆可。式(a1-r2-4)中之Ra’ ¹⁴為蒽基時，其與前述式(a1-r2-4)中的三級碳原子之鍵結位置，可為蒽基的1位、2位或9位中之任一者皆可。

或，式(a1-r2-4)中之Ra’ ¹⁴可與Ra’ ¹³鍵結，而形成可具有雜原子之縮合環。 Ra’ ¹⁴與Ra’ ¹³鍵結而形成的縮合環之環結構，例如：脂環式烴與芳香族烴之縮合環等。該縮合環，可具有雜原子。雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。 Ra’ ¹⁴與Ra’ ¹³鍵結而形成的縮合環中，脂環式烴部份之環結構，可為單環亦可、多環亦可，亦可具有雜原子。Ra’ ¹⁴與Ra’ ¹³鍵結而形成的縮合環中，芳香族烴部份之環結構，可為單環亦可、多環亦可，亦可具有雜原子。

三級烷氧羰基酸解離性基：前述保護極性基中之羥基的酸解離性基，例如：下述通式(a1-r-3)所表示之酸解離性基(以下，於簡便上，亦稱為「三級烷氧羰基酸解離性基」)等。

[式中，Ra’ ⁷～Ra’ ⁹分別表示烷基]

式(a1-r-3)中，Ra’ ⁷～Ra’ ⁹以分別為碳數1～5之烷基為佳，以碳數1～3之烷基為較佳。又，各烷基之合計碳數，以3～7為佳，以碳數3～5為較佳，以碳數3～4為最佳。

結構單位(a1)，可列舉如：由α位的碳原子所鍵結的氫原子可被取代基所取代丙烯酸酯所衍生之結構單位、由丙烯酸醯胺所衍生之結構單位、由羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物所衍生之結構單位之羥基中的氫原子之至少一部份被含有前述酸分解性基的取代基保護的結構單位、由乙烯安息香酸或乙烯安息香酸衍生物所衍生之結構單位的-C(=O)-OH中的氫原子之至少一部份被含有前述酸分解性基的取代基保護的結構單位等。

本實施形態之阻劑組成物中，結構單位(a1)中之至少一部份，以下述通式(a0-1-1)所表示之結構單位(a0-1a)或結構單位(a0-1b)為佳。結構單位(a0-1a)，為下述通式(a0-1-1)中之Ra ⁰⁰¹為式中之氧基(-O-)鍵結碳原子而得的酸解離性基，且該碳原子的α位具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子之酸解離性基。結構單位(a0-1b)中，下述通式(a0-1-1)中之Ra ⁰⁰¹，為具有後述單環式基或鏈狀的保護基之酸解離性基。

[式中，W ¹為含有聚合性基之基；Ra ⁰⁰¹為酸解離性基]

本實施形態之阻劑組成物所含有的(A1)成份，亦可為具有結構單位(a0-1a)的樹脂成份(以下，亦稱為「(A1a)成份」)。又，(A1)成份，亦可為具有結構單位(a0-1b)，與後述結構單位(a0-2)的樹脂成份(以下，亦稱為「(A1b)成份」)。又，(A1)成份，亦可為具有結構單位(a1)，與後述結構單位(a0-3)的樹脂成份(以下，亦稱為「(A1c)成份」)。(A1c)成份所具有的結構單位(a1)，以結構單位(a0-1a)或結構單位(a0-1b)為佳。

[(A1a)成份] 「A1a」成份，為具有作為結構單位(a1)的結構單位(a0-1a)的樹脂成份。結構單位(a0-1a)，為下述通式(a0-1a-1)所表示之化合物中，聚合性基變換為主鏈的結構單位者。

[式中，W ¹為含有聚合性基之基；Ra ^01a為式中之氧基(-O-)鍵結碳原子而得的酸解離性基，且該碳原子之α位，具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子]。

(A1a)成份中，除結構單位(a0-1a)以外，必要時，可具有其他結構單位者。

≪結構單位(a0-1a)≫ 結構單位(a0-1a)，具體而言，例如：於上述通式(a0-1a-1)所表示之化合物中，聚合性基變換為主鏈的結構單位者。

前述式(a0-1a-1)中，W ¹為含有聚合性基之基； W ¹部位之「聚合性基」，係指具有聚合性基之化合物，可經由自由基聚合等進行聚合之基，例如：包含乙烯性雙鍵等碳原子間的多重鍵結之基。「聚合性基變換為主鏈」，係指聚合性基中的多重鍵結發生開裂而形成主鏈之意。例如：具有乙烯性雙鍵的單體時，係指乙烯性雙鍵發生開裂，而使碳原子間的單鍵形成主鏈之意。

W ¹部位的聚合性基，例如乙烯基、烯丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、氟乙烯基、二氟乙烯基、三氟乙烯基、二氟三氟甲基乙烯基、三氟烯丙基、全氟烯丙基、三氟甲基丙烯醯基、壬基氟丁基丙烯醯基、乙烯醚基、含氟乙烯醚基、烯丙醚基、含氟烯丙醚基、苯乙烯基、乙烯萘基、含氟苯乙烯基、含氟乙烯萘基、降莰基、含氟降莰基、矽烷基等。含有聚合性基之基，例如：僅由聚合性基所構成之基亦可、由聚合性基與該聚合性基以外的其他之基所構成之基亦可。該聚合性基以外的其他之基，可列舉如：可具有取代基之2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基等。

W ¹，例如：以化學式：C(R ^X11)(R ^X12)= C(R ^X13)-Ya ^x0-所表示之基為較佳例示。該化學式中，R ^X11、R ^X12及R ^X13各別為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基，Ya ^x0為單鍵或2價的連結基；

前述化學式中，R ^X11、R ^X12及R ^X13中之碳數1～5之烷基，以碳數1～5之直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳，具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1～5之鹵化烷基，為前述碳數1～5之烷基中之氫原子的一部份或全部被鹵素原子取代而得之基。該鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。該些之中，R ^X11及R ^X12又以各別為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上容易取得之觀點，又以氫原子、甲基為更佳，以氫原子為特佳。又，R ^X13，以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上容易取得之觀點，又以氫原子、甲基為更佳。

前述化學式中，Ya ^x0中的2價之連結基，例如但並未有特別之限定，可列舉如：可具有取代基2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基等為較佳的例示。

・可具有取代基的2價之烴基： Ya ^x0為可具有取代基的2價之烴基時，該烴基，可為脂肪族烴基亦可、芳香族烴基亦可。

・・Ya ^x0中之脂肪族烴基該脂肪族烴基，為不具有芳香族性的烴基之意。該脂肪族烴基，可為飽和者亦可、不飽和者亦可，一般以飽和為佳。前述脂肪族烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，或結構中含有環之脂肪族烴基等。

・・・直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基該直鏈狀之脂肪族烴基，以碳數1～10為佳，以碳數1～6為較佳，以碳數1～4為更佳，以碳數1～3為最佳。直鏈狀之脂肪族烴基，以直鏈狀之伸烷基為佳，具體而言，例如：伸甲基[-CH ₂-]、伸乙基[-(CH ₂) ₂-]、伸三甲基[-(CH ₂) ₃-]、伸四甲基[-(CH ₂) ₄-]、伸五甲基[-(CH ₂) ₅-]等。該支鏈狀之脂肪族烴基，以碳數2～10為佳，以碳數3～6為較佳，以碳數3或4為更佳，以碳數3為最佳。支鏈狀之脂肪族烴基，以支鏈狀之伸烷基為佳，具體而言，例如：-CH(CH ₃)-、-CH(CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₃) ₂-、 -C(CH ₃)(CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₃)(CH ₂CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₂CH ₃) ₂-等的烷基伸甲基；-CH(CH ₃)CH ₂-、-CH(CH ₃)CH(CH ₃)-、 -C(CH ₃) ₂CH ₂-、-CH(CH ₂CH ₃)CH ₂-、-C(CH ₂CH ₃) ₂-CH ₂-等的烷基伸乙基；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH(CH ₃)CH ₂-等的烷基伸三甲基；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂CH ₂-、 -CH ₂CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-等的烷基伸四甲基等的烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，以碳數1～5之直鏈狀之烷基為佳。

前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可具有取代基亦可、不具有取代基亦可。該取代基，可列舉如：氟原子、被氟原子取代而得之碳數1～5之氟化烷基、羰基等。

・・・結構中含有環之脂肪族烴基該結構中含有環之脂肪族烴基，可列舉如：環結構中可含有含雜原子的取代基的環狀之脂肪族烴基(由脂肪族烴環去除2個氫原子而得之基)、前述環狀之脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀脂肪族烴基末端之基、前述環狀之脂肪族烴基介於直鏈狀或支鏈狀脂肪族烴基中途之基等。前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，與前述為相同之內容。環狀之脂肪族烴基，以碳數3～20為佳，以碳數3～12為較佳。環狀之脂肪族烴基，可為多環式基亦可、單環式基亦可。單環式之脂環式烴基，以由單環鏈烷去除2個氫原子而得之基為佳。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，以由多環鏈烷去除2個氫原子而得之基為佳，該多環鏈烷，以碳數7～12者為佳，具體而言，例如：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀之脂肪族烴基，可具有取代基亦可、不具有取代基亦可。該取代基，可列舉如：烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。前述作為取代基之烷基，例如：以碳數1～5之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。前述作為取代基之烷氧基，以碳數1～5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。前述作為取代基之鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。前述作為取代基之鹵化烷基，可列舉如：前述烷基之氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子取代而得之基等。環狀之脂肪族烴基中，構成該環結構的碳原子之一部份可被含有雜原子的取代基所取代。該含有雜原子的取代基，以-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O) ₂-、-S(=O) ₂-O-為佳。

・・Ya ^x0中之芳香族烴基該芳香族烴基，為至少具有1個芳香環之烴基。該芳香環，只要為具有4n+2個π電子的環狀共軛系者時，並未有特別之限定，其可為單環式或多環式皆可。芳香環之碳數以5～30為佳，以碳數5～20為較佳，以碳數6～15為更佳，以碳數6～12為特佳。其中，該碳數為不包含取代基中之碳數者。芳香環，具體而言，例如：苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環，具體而言，例如：吡啶環、噻吩環等。芳香族烴基，具體而言，可列舉如：由前述芳香族烴環或芳香族雜環去除2個氫原子而得之基(伸芳基或雜伸芳基)；由含有2個以上的芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除2個氫原子而得之基；由前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子而得之基(芳基或雜芳基)中的1個氫原子被伸烷基取代而得之基(例如：由苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳烷基中之芳基再去除1個氫原子而得之基)等。前述之芳基或雜芳基所鍵結的伸烷基之碳數，以1～4為佳，以碳數1～2為較佳，以碳數1為特佳。

前述芳香族烴基中，該芳香族烴基所具有的氫原子可被取代基所取代。例如：該芳香族烴基中之芳香環所鍵結的氫原子可被取代基所取代。該取代基，例如：烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。前述作為取代基之烷基，例如：以碳數1～5之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。前述作為取代基之烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基，例如：被列舉作為可取代前述環狀脂肪族烴基所具有的氫原子之取代基所例示之內容。

・含有雜原子的2價之連結基： Ya ^x0為含有雜原子的2價之連結基時，該連結基之較佳者，可列舉如：-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可被烷基、醯基等的取代基所取代)、-S-、-S(=O) ₂-、-S(=O) ₂-O-、通式 -Y ²¹-O-Y ²²-、-Y ²¹-O-、-Y ²¹-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y ²¹-、 -[Y ²¹-C(=O)-O] _m _”-Y ²²-、-Y ²¹-O-C(=O)-Y ²²-或-Y ²¹-S(=O) ₂-O-Y ²²-所表示之基[式中，Y ²¹及Y ²²各別獨立為可具有取代基的2價之烴基；O為氧原子；m”為0～3之整數]等。前述含有雜原子的2價之連結基為-C(=O)-NH-、 -C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，該H可被烷基、醯基等的取代基所取代。該取代基(烷基、醯基等)，以碳數1～10為佳，以1～8為更佳，以1～5為特佳。通式-Y ²¹-O-Y ²²-、-Y ²¹-O-、-Y ²¹-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y ²¹-、-[Y ²¹-C(=O)-O] _m _”-Y ²²-、-Y ²¹-O-C(=O)-Y ²²-或 -Y ²¹-S(=O) ₂-O-Y ²²-中，Y ²¹及Y ²²各別獨立為可具有取代基之2價烴基。該2價之烴基，例如：與前述2價之連結基說明中所列舉的(可具有取代基的2價之烴基)為相同之內容。 Y ²¹，以直鏈狀之脂肪族烴基為佳，以直鏈狀之伸烷基為較佳，以碳數1～5之直鏈狀之伸烷基為更佳，以伸甲基或伸乙基為特佳。 Y ²²，以直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基為佳，以伸甲基、伸乙基或烷基伸甲基為較佳。該烷基伸甲基中之烷基，以碳數1～5之直鏈狀之烷基為佳，以碳數1～3之直鏈狀之烷基為較佳，以甲基為最佳。式-[Y ²¹-C(=O)-O] _m _”-Y ²²-所表示之基中，m”為0～3之整數；以0～2之整數為佳，以0或1為較佳，以1為特佳。即，式-[Y ²¹-C(=O)-O] _m _”-Y ²²-所表示之基，以式-Y ²¹-C(=O)-O-Y ²²-所表示之基為特佳。其中，又以式-(CH ₂) _a’-C(=O)-O-(CH ₂) _b’-所表示之基為佳。該式中，a’為1～10之整數；以1～8之整數為佳，以1～5之整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。b’為1～10之整數；以1～8之整數為佳，以1～5之整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。

上述之中，Ya ^x0又以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、醚鍵結(-O-)、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、芳香族烴基或該些的組合，或單鍵為佳。該些之中，Ya ^x0又以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合，或單鍵為較佳，其中，又以單鍵為特佳。

前述式(a0-1a-1)中，Ra ^01a為式中之氧基(-O-)鍵結碳原子而得的酸解離性基，且該碳原子之α位，具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子之基。「該碳原子之α位」，係指與式(a0-1a-1)中的氧基( -O-)所鍵結的碳原子相鄰接的第1位的碳原子之意。

Ra ^01a中之酸解離性基，例如：上述通式(a1-r-1)所表示之酸解離性基，或上述通式(a1-r-2)所表示之酸解離性基中，氧基鍵結的碳原子之α位，具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子之基等。該些之中，Ra ^01a又以通式(a1-r-2)所表示之酸解離性基，且氧基鍵結的碳原子之α位，具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子之基為較佳。

通式(a1-r-2)所表示之酸解離性基中之較佳者，具體而言，例如：上述通式(a1-r2-1)所表示之基、上述通式(a1-r2-2)所表示之基、上述通式(a1-r2-3)所表示之基、上述通式(a1-r2-4)所表示之基等。

通式(a0-1a-1)中之Ra ^01a，以上述式(a1-r2-1)～(a1-r2-4)之任一者所表示之酸解離性基中，通式(a0-1a-1)中的氧原子鍵結的碳原子之α位，具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子者為佳。更具體而言，例如：以下例示之內容。 (1)上述通式(a1-r2-1)所表示之基中，Ra’ ¹⁰為碳數1～12之烷基；Ra’ ¹¹為，與Ra’ ¹⁰鍵結的碳原子共同形成具有碳-碳不飽和鍵結的脂肪族環式基之基的酸解離性基。其中，Ra’ ¹⁰鍵結的碳原子之α位，具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子。前述脂肪族環式基，以由單環烯烴去除1個氫原子而得之基、由聚環烯烴去除1個氫原子而得之基為佳。前述單環烯烴，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烯、環己烯等。前述聚環烯烴，以碳數7～12者為佳。 (2)上述通式(a1-r2-2)所表示之基。 (3)上述通式(a1-r2-3)所表示之基。但，Yaa(碳原子)之α位，為具有構成芳香族烴環或芳香族雜環之碳原子。 (4)上述通式(a1-r2-4)所表示之基中，Ra’ ¹²及Ra’ ¹³各自為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基，且，Ra’ ¹⁴為可具有取代基的芳香族烴基的酸解離性基，或Ra’ ¹²為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基，且，Ra’ ¹³與Ra’ ¹⁴鍵結而形成可具有雜原子的縮合環之酸解離性基。其中，Ra’ ¹²鍵結的碳原子之α位，具有構成芳香族烴環之碳原子。

前述式(a1-r2-1)所表示之基中，Ra ^01a之酸解離性基的具體例如以下所示。＊表示與通式(a0-1a-1)中之氧基(-O-)的鍵結鍵。

前述式(a1-r2-2)所表示之基中，Ra ^01a之酸解離性基之具體例，例如以下所示。＊表示與通式(a0-1a-1)中的氧基(-O-)之鍵結鍵。

前述式(a1-r2-3)所表示之基中，Ra ⁰⁰¹之酸解離性基之具體例，例如以下所示。＊表示與通式(a0-1a-1)中的氧基(-O-)之鍵結鍵。

前述式(a1-r2-4a)所表示之基中，Ra ^01a之酸解離性基之具體例，例如以下所示。＊表示與通式(a0-1a-1)中的氧基(-O-)之鍵結鍵。

結構單位(a0-1a)的較佳具體例，例如：下述通式(a0-1a-u1)所表示之結構單位等。

[式中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基；Va ⁰¹為可具有醚鍵結的2價之烴基；n _a01為0～2之整數；Ra ^011a為上述通式(a1-r-2)所表示之酸解離性基，且式中之氧基(-O-)所鍵結的碳原子之α位，具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子之基]

前述式(a0-1a-u1)中，R之碳數1～5之烷基，以碳數1～5之直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳，具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1～5之鹵化烷基，為前述碳數1～5之烷基中之氫原子的一部份或全部被鹵素原子取代而得之基。該鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。 R，以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上取得之容易度而言，以氫原子或甲基為最佳。

前述式(a0-1a-u1)中，Va ⁰¹中的2價之烴基，可為脂肪族烴基亦可、芳香族烴基亦可。

Va ⁰¹中作為2價之烴基的脂肪族烴基，可為飽和亦可、不飽和亦可，一般以飽和為佳。該脂肪族烴基，更具體而言，例如：直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，或結構中含有環之脂肪族烴基等。

前述直鏈狀之脂肪族烴基，以碳數1～10為佳，以碳數1～6為較佳，以碳數1～4為更佳，以碳數1～3為最佳。直鏈狀之脂肪族烴基，以直鏈狀之伸烷基為佳，具體而言，例如：伸甲基[-CH ₂-]、伸乙基[-(CH ₂) ₂-]、伸三甲基[-(CH ₂) ₃-]、伸四甲基[-(CH ₂) ₄-]、伸五甲基[-(CH ₂) ₅-]等。前述支鏈狀之脂肪族烴基，以碳數2～10為佳，以碳數3～6為較佳，以碳數3或4為更佳，以碳數3為最佳。支鏈狀之脂肪族烴基，以支鏈狀之伸烷基為佳，具體而言，例如：-CH(CH ₃)-、-CH(CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₃) ₂-、 -C(CH ₃)(CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₃)(CH ₂CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₂CH ₃) ₂-等的烷基伸甲基；-CH(CH ₃)CH ₂-、-CH(CH ₃)CH(CH ₃)-、 -C(CH ₃) ₂CH ₂-、-CH(CH ₂CH ₃)CH ₂-、-C(CH ₂CH ₃) ₂-CH ₂-等的烷基伸乙基；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH(CH ₃)CH ₂-等的烷基伸三甲基；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂CH ₂-、 -CH ₂CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-等的烷基伸四甲基等的烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，例如：以碳數1～5之直鏈狀之烷基為佳。

前述結構中含有環之脂肪族烴基，可列舉如：脂環式烴基(由脂肪族烴環去除2個氫原子而得之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀脂肪族烴基末端之基、脂環式烴基介於直鏈狀或支鏈狀脂肪族烴基中途之基等。前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，例如：與前述直鏈狀之脂肪族烴基或前述支鏈狀之脂肪族烴基為相同之內容。前述脂環式烴基，以碳數3～20為佳，以碳數3～12為較佳。前述脂環式烴基，可為多環式亦可、單環式亦可。單環式之脂環式烴基，以由單環鏈烷去除2個氫原子而得之基為佳。該單環鏈烷以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，以由多環鏈烷去除2個氫原子而得之基為佳，該多環鏈烷以碳數7～12者為佳，具體而言，例如：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

Va ⁰¹中作為2價烴基之芳香族烴基，為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基，以碳數3～30為佳，以5～30為較佳，5～20為更佳，以6～15為特佳，以6～12為最佳。其中，該碳數為不包含取代基中之碳數者。芳香族烴基所具有的芳香環，具體而言，例如：苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。該芳香族烴基，具體而言，例如：由前述芳香族烴環去除2個氫原子而得之基(伸芳基)；由前述芳香族烴環去除1個氫原子而得之基(芳基)中的1個氫原子被伸烷基取代而得之基(例如：由苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳烷基中之芳基再去除1個氫原子而得之基)等。前述伸烷基(芳烷基中之烷鏈)之碳數，以1～4為佳，以1～2為較佳，以1為特佳。

前述式(a0-1a-u1)中，n _a01為0～2之整數；以0或1為佳，以0為較佳。

前述式(a0-1a-u1)中，Ra ^011a為上述式(a1-r-2)所表示之酸解離性基，且式中之氧基(-O-)所鍵結的碳原子之α位，具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子之基。該通式(a1-r-2)所表示之酸解離性基中的較佳者，與上述通式(a0-1a-1)中之Ra ^01a所例示者為相同之內容。

以下為結構單位(a0-1a)之具體例示。以下各式中，R ^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

上述之中，結構單位(a0-1a)，又以由化學式(a0-1a-u101)～(a0-1a-u104)、化學式(a0-1a-u111)～(a0-1a-u143)、化學式(a0-1a-u151)～(a0-1a-u163)、化學式(a0-1a-u171)～(a0-1a-u181)所各別表示之結構單位所成之群所選出之至少1種為佳。

(A1a)成份所具有的結構單位(a0-1a)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1a)成份中，結構單位(a0-1a)之比例，相對於構成該(A1a)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以20～80莫耳%為佳，以35～65莫耳%為較佳，以40～60莫耳%為特佳。結構單位(a0-1a)之比例，於前述較佳範圍的下限值以上時，可提高感度、解析度、改善粗糙度等的微影蝕刻特性。又，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

又，(A1a)，除結構單位(a0-1a)以外，尚具有結構單位(a0-1a)以外的結構單位(a1)(以下，亦稱為「結構單位a1-1a」)時，(A1a)成份中，結構單位(a1)中，結構單位(a0-1a)所佔之比例，相對於結構單位(a1)之合計(100莫耳%)，以50莫耳%以上為佳，以80莫耳%以上為較佳，以90莫耳%以上為更佳，亦可為100莫耳%，又以100莫耳%為特佳。

結構單位(a1-1a)：結構單位(a1-1a)，為結構單位(a0-1a)以外的結構單位(a1)。結構單位(a1-1a)，以由α位的碳原子所鍵結的氫原子可被取代基所取代丙烯酸酯所衍生之結構單位為佳。該結構單位(a1-1a)的較佳具體例，例如：下述通式(a1-1a-1)或(a1-1a-2)所表示之結構單位等。

[式中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基；Va ¹為可具有醚鍵結的2價之烴基；n _a1為0～2之整數；Ra ^1a為上述通式(a1-r-1)或(a1-r-2)所表示之酸解離性基；Wa ¹為n _a2+1價之烴基。n _a2為1～3之整數；Ra ^2a為上述通式(a1-r-1)或(a1-r-3)所表示之酸解離性基。但，前述酸解離性基為式中之氧基(-O-)鍵結碳原子而得的酸解離性基，且該碳原子的α位具有構成碳-碳不飽和鍵結的碳原子者除外]。

前述式(a1-1a-1)中，R之碳數1～5之烷基，以碳數1～5之直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳，具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1～5之鹵化烷基，為前述碳數1～5之烷基中之氫原子的一部份或全部被鹵素原子取代而得之基。該鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。 R，以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上取得之容易度而言，以氫原子或甲基為最佳。

前述式(a1-1a-1)中，Va ¹為可具有醚鍵結的2價之烴基；Va ¹中的2價之烴基，可為脂肪族烴基亦可、芳香族烴基亦可。Va ¹中之2價之烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)，與前述式(a0-1a-u1)中的Va ⁰¹中之2價之烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)為相同之內容。

前述式(a1-1a-2)中，Wa ¹中之n _a2+1價之烴基，可為脂肪族烴基亦可、芳香族烴基亦可。該脂肪族烴基，為不具有芳香族性的烴基之意，其可為飽和亦可、不飽和亦可，一般以飽和為佳。前述脂肪族烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、結構中含有環之脂肪族烴基，或直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基與結構中含有環之脂肪族烴基組合而得之基等。前述n _a2+1價，以2～4價為佳，以2或3價為較佳。

以下為前述式(a1-1a-1)所表示之結構單位之具體例示。以下各式中，R ^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

以下為前述式(a1-1a-2)所表示之結構單位之具體例示。以下各式中，R ^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1a)成份所具有的結構單位(a1-1a)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1a)成份具有結構單位(a-1a)時，該(A1a)成份中的結構單位(a1-1a)之比例，相對於構成(A1a)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以1～50莫耳%為佳，以5～45莫耳%為較佳，以5～30莫耳%為更佳。結構單位(a1-1a)之比例於下限值以上時，可容易製得阻劑圖型。又，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之均衡。

≪其他結構單位≫ (A1a)成份，除上述結構單位(a1)以外，可再具有結構單位(a1)以外的其他結構單位。其他結構單位，例如：於後述通式(a0-2-1)所表示之化合物中，聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-2)；含有含內酯的環式基、含-SO ₂-之環式基或含碳酸酯之環式基的結構單位(a2)(但，相當於結構單位(a1)者除外)；含有含極性基之脂肪族烴基的結構單位(a3)(但，相當於結構單位(a1)或結構單位(a2)者除外)；後述通式(a9-1)所表示之結構單位(a9)；苯乙烯所衍生之結構單位；苯乙烯衍生物所衍生之結構單位(但，相當於結構單位(a0-2)者除外)；含有非酸解離性之脂肪族環式基之結構單位等。

結構單位(a0-2)： (A1a)成份，除上述結構單位(a1)以外，可再具有於下述通式(a0-2-1)所表示之化合物中，聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-2)者。

[式中，W ²為含有聚合性基之基；Wa ^x0為可具有取代基之(n _ax0+1)價之具有芳香族性的環狀基。Wa ^x0可與W ²形成縮合環。n _ax0為1～3之整數]

前述式(a0-2-1)中，W ²為含有聚合性基之基；W ²中之含有聚合性基之基，與前述式(a0-1a-1)中的W ¹中之含有聚合性基之基為相同之內容。

W ²，例如：上述化學式：C(R ^X11)(R ^X12)= C(R ^X13)-Ya ^x0-所表示之基為較佳之例示。該化學式中，R ^X11、R ^X12及R ^X13各別為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基，Ya ^x0為單鍵或2價的連結基；

前述W ²中，以R ^X11及R ^X12各別為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上容易取得之觀點，又以氫原子、甲基為更佳，以氫原子為特佳。又，前述W ²中之R ^X13，以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上容易取得之觀點，又以氫原子、甲基為較佳，以氫原子為更佳。

前述W ²中之Ya ^x0，以酯鍵結[-C(=O)-O-、 -O-C(=O)-]、醚鍵結(-O-)、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合，或單鍵為佳。該些之中，又以酯鍵結[ -C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合，或單鍵為較佳，以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、單鍵為特佳。

前述式(a0-2-1)中，Wa ^x0為可具有取代基之(n _ax0+1)價之具有芳香族性的環狀基。 Wa ^x0中之具有芳香族性的環狀基，可列舉如：由芳香環去除(n _ax0+1)個氫原子而得之基等。此處所稱之芳香環，只要為具有4n+2個的π電子之環狀共軛系時，並未有特別之限定，其可為單環式或多環式皆可。芳香環之碳數以5～30為佳，以碳數5～20為較佳，以碳數6～15為更佳，以碳數6～12為特佳。芳香環，具體而言，例如：苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環，具體而言，例如：吡啶環、噻吩環等。

Wa ^x0所可具有的取代基，例如：羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷氧羰基等。

前述式(a0-2-1)中，Wa ^x0可與W ²形成縮合環。

W ²與Wa ^x0形成縮合環時，該環結構，例如：脂環式烴與芳香族烴之縮合環等。Wa ^x0與W ²所形成的縮合環，可具有雜原子。 W ²與Wa ^x0所形成的縮合環中，脂環式烴之部份，可為單環亦可、多環亦可。 W ²與Wa ^x0所形成的縮合環，可列舉如：由W ²部位的聚合性基與Wa ^x0形成之縮合環、由W ²部位的聚合性基以外的其他之基與Wa ^x0形成的縮合環。

W ²與Wa ^x0所形成的縮合環，可具有取代基。該取代基，例如：甲基、乙基、丙基、羥基、羥烷基、羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、醯基、烷氧羰基、烷基羰氧基等。

以下為W ²與Wa ^x0所形成的縮合環之具體例示。W ^α表示聚合性基。＊＊表示與羥基之鍵結鍵。

前述式(a0-2-1)中，n _ax0為1～3之整數；以1或2為佳，以1為較佳。

前述結構單位(a0-2)，以下述通式(a0-2-u1)所表示之結構單位為較佳的例示。

[式中，R ^X11、R ^X12及R ^X13各別獨立為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基。Ya ^x1為單鍵或2價的連結基；Wa ^x1為可具有取代基之(n _ax1+1)價之具有芳香族性的環狀基。但，Ya ^x1與Wa ^x1可形成縮合環，或R ^X11與Ya ^x1與Wa ^x1形成縮合環皆可。n _ax1為1～3之整數]

前述式(a0-2-u1)中，R ^X11、R ^X12及R ^X13各別獨立為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基。 R ^X11、R ^X12及R ^X13中之碳數1～5之烷基、碳數1～5之鹵化烷基的說明，與上述為相同之內容。前述式(a0-2-u1)中，R ^X11及R ^X12以各別為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上取得之容易度而言，以氫原子或甲基為較佳，以氫原子為特佳。前述式(a0-2-u1)中，R ^X13以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上取得之容易度而言，以氫原子或甲基為特佳。

前述式(a0-2-u1)中，Ya ^x1為單鍵或2價的連結基； Ya ^x1中的2價之連結基，例如：以可具有取代基的2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基為較佳的例示。Ya ^x1中之可具有取代基2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基，可列舉如：與上述Ya ^x0中的2價之連結基(可具有取代基的2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基)為相同之內容。其中，Ya ^x1又以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、醚鍵結(-O-)、-C(=O)-NH-、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合，或單鍵為佳。該些之中，又以酯鍵結[ -C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合，或單鍵為較佳。以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、單鍵為特佳。

前述式(a0-2-u1)中，Wa ^x1為可具有取代基之(n _ax1+1)價之具有芳香族性的環狀基。 Wa ^x1中之具有芳香族性的環狀基，例如：與前述式(a0-2-1)中的Wa ^x0中之說明為相同之內容。

但，前述式(a0-2-u1)中，Ya ^x1與Wa ^x1可形成縮合環，或R ^X11與Ya ^x1與Wa ^x1形成縮合環亦可。該些縮合環之說明，與上述W ²與Wa ^x0所形成的縮合環(W ²部位的聚合性基與Wa ^x0所形成的縮合環、W ²部位的聚合性基以外的其他之基與Wa ^x0所形成的縮合環)為相同之內容。

以下為前述式(a0-2-u1)中，由R ^X11與Ya ^x1與Wa ^x1形成縮合環時之具體例示。＊＊表示與羥基之鍵結鍵。

以下為前述式(a0-2-u1)中，由Ya ^x1與Wa ^x1形成縮合環時之具體例示。＊表示構成主鏈的碳原子，且與R ^X13鍵結的碳原子之鍵結鍵。＊＊表示與羥基之鍵結鍵。

前述式(a0-2-u1)中，n _ax1為1～3之整數；以1或2為佳，以1為較佳。

前述式(a0-2-u1)中，Ya ^x1未與Wa ^x1形成縮合環時，以下述通式(a0-2-u1-1)所表示之結構單位為較佳的例示。

[式中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基；Ya ^x1為單鍵或2價的連結基；Wa ^x1為(n _ax1+1)價之芳香族烴基。n _ax1為1～3之整數]

前述式(a0-2-u1-1)中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基； R之碳數1～5之烷基，以碳數1～5之直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳，具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。R之碳數1～5之鹵化烷基，為前述碳數1～5之烷基中之氫原子的一部份或全部被鹵素原子取代而得之基。該鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。 R，以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上取得之容易度而言，以氫原子或甲基為最佳。

前述式(a0-2-u1-1)中，Ya ^x1、Wa ^x1，及n _ax1，分別與前述式(a0-2-u1-1)中的Ya ^x1、Wa ^x1，及n _ax1為相同，其較佳例示亦分別為相同。

以下為結構單位(a0-2)之具體例示。下述式中，R ^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

上述例示之中，結構單位(a0-2)又以由化學式(a0-2-u01)～(a0-2-u15)、化學式(a0-2-u21)～(a0-2-u36)、化學式(a0-2-u41)～(a0-2-u45)所各別表示之結構單位所成之群所選出之至少1種為佳。該些之中，結構單位(a0-2)又以由化學式(a0-2-u01)～(a0-2-u12)、化學式(a0-2-u21)～(a0-2-u34)所各別表示之結構單位所成之群所選出之至少1種為特佳。

(A1a)成份所具有的結構單位(a0-2)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1a)成份中，結構單位(a0-2)之比例，相對於構成該(A1a)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，例如為0～80莫耳%，又以10～80莫耳%為佳，以20～70莫耳%為較佳，以30～60莫耳%為特佳。結構單位(a0-2)之比例，於前述較佳範圍的下限值以上時，可提高感度、解析度、改善粗糙度等的微影蝕刻特性。又，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

結構單位(a2)： (A1a)成份中，除結構單位(a1)以外，或結構單位(a1)及結構單位(a0-2)以外，可再具有含內酯的環式基、含 -SO ₂-之環式基或含碳酸酯之環式基的結構單位(a2)(但，相當於結構單位(a1)者除外)。結構單位(a2)之含內酯的環式基、含-SO ₂-之環式基或含碳酸酯之環式基，於(A1a)成份使用於形成阻劑膜時，對於提高阻劑膜對基板的密著度上為有效之成份。又，具有結構單位(a2)時，例如可適當地調整酸的擴散長度、提高阻劑膜對基板的密著性，或適當地調整顯影時的溶解性等的效果，而可使微影蝕刻特性等更良好。

「含內酯的環式基」，為該環骨架中含有含-O-C(=O)-之環(內酯環)的環式基之意。以內酯環作為一個環之方式計數，僅為內酯環之情形稱為單環式基，尚具有其他環結構時，無論其結構為何，皆稱為多環式基。含內酯的環式基，可為單環式基亦可、多環式基亦可。結構單位(a2)中的含內酯的環式基，並無特別之限定，而可使用任意的基團。具體而言，例如：下述通式(a2-r-1)～(a2-r-7)所分別表示之基等。

[式中，Ra’ ²¹各別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO ₂-之環式基；A”為可含有氧原子(-O-)或硫原子(-S-)的碳數1～5之伸烷基、氧原子或硫原子；n’為0～2之整數；m’為0或1]

前述通式(a2-r-1)～(a2-r-7)中，Ra’ ²¹中之烷基，以碳數1～6之烷基為佳。該烷基以直鏈狀或支鏈狀為佳。具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、己基等。該些之中，又以甲基或乙基為佳，以甲基為特佳。 Ra’ ²¹中之烷氧基，以碳數1～6之烷氧基為佳。該烷氧基以直鏈狀或支鏈狀為佳。具體而言，例如：前述Ra’ ²¹中被列舉作為烷基之烷基與氧原子(-O-)連結而得之基等。 Ra’ ²¹中之鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。 Ra’ ²¹中之鹵化烷基，例如：前述Ra’ ²¹中的烷基之氫原子中之一部份或全部被前述鹵素原子取代而得之基等。該鹵化烷基，以氟化烷基為佳，特別是以全氟烷基為佳。

Ra’ ²¹中之-COOR”、-OC(=O)R”中，R”之任一者皆為氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO ₂-含有環式基。 R”中之烷基，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者，其碳數以1～15為佳。 R”為直鏈狀或支鏈狀烷基時，以碳數1～10為佳，以碳數1～5為更佳，以甲基或乙基為特佳。 R”為環狀烷基時，以碳數3～15為佳，以碳數4～12為更佳，以碳數5～10為最佳。具體而言，例如：由可被氟原子或氟化烷基取代或無取代的單環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基；由雙環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等的多環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基等例示。更具體而言，例如：由環戊烷、環己烷等的單環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基；由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基等。 R”中之含內酯的環式基，例如與前述通式(a2-r-1)～(a2-r-7)所分別表示之基為相同之內容。 R”中的含碳酸酯之環式基，例如：與後述含碳酸酯之環式基為相同之內容，具體而言，為通式(ax3-r-1)～(ax3-r-3)所分別表示之基等。 R”中之含-SO ₂-之環式基，例如：與後述之含-SO ₂-之環式基為相同之內容，具體而言，為(a5-r-1)～(a5-r-4)所分別表示之基等。 Ra’ ²¹中之羥烷基，以碳數1～6者為佳，具體而言，例如：前述Ra’ ²¹中的烷基之至少1個氫原子被羥基取代而得之基等。

前述通式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中，A”中的碳數1～5之伸烷基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為佳，例如：伸甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。該伸烷基含有氧原子或硫原子時，其具體例如：前述伸烷基的末端或碳原子間介有-O-或-S-之基等，例如-O-CH ₂-、 -CH ₂-O-CH ₂-、-S-CH ₂-、-CH ₂-S-CH ₂-等。A”以碳數1～5之伸烷基或-O-為佳，以碳數1～5之伸烷基為較佳，以伸甲基為最佳。

下述將列舉通式(a2-r-1)～(a2-r-7)所分別表示之基的具體例。

「含-SO ₂-之環式基」，為其環骨架中含有含-SO ₂-之環的環式基之意，具體而言，-SO ₂-中的硫原子(S)形成為環式基的環骨架之一部份的環式基。以該環骨架中含有-SO ₂-之環作為1個環之方式計數，僅為該環時稱為單環式基，尚具有其他的環結構時，無論其結構為何，皆稱為多環式基。含-SO ₂-之環式基，可為單環式基亦可、多環式基亦可。含-SO ₂-之環式基，特別是該環骨架中含有-O-SO ₂-之環式基，即以含有-O-SO ₂-中的-O-S-形成環骨架的一部份之磺內酯(sultone)環的環式基為佳。含-SO ₂-之環式基，更具體而言，例如：下述通式(a5-r-1)～(a5-r-4)所分別表示之基等。

[式中，Ra’ ⁵¹各別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO ₂-之環式基；A”為可含有氧原子或硫原子的碳數1～5之伸烷基、氧原子或硫原子；n’為0～2之整數]

前述通式(a5-r-1)～(a5-r-2)中，A”與前述通式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”為相同之內容。 Ra’ ⁵¹中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、 -COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基，分別與前述通式(a2-r-1)～(a2-r-7)中之Ra’ ²¹的說明中所列舉者為相同之內容。下述為通式(a5-r-1)～(a5-r-4)所分別表示之基的具體例。式中之「Ac」，為表示乙醯基。

「含碳酸酯之環式基」，為該環骨架中含有含-O-C(=O)-O-之環(碳酸酯環)的環式基之意。以碳酸酯環為1個環之方式計數，僅為碳酸酯環時稱為單環式基，尚含有其他的環結構時，無論其結構為何，皆稱為多環式基。含碳酸酯之環式基，可為單環式基亦可、多環式基亦可。含碳酸酯環之環式基，並未有特別之限定，而可使用任意之基團。具體而言，例如：下述通式(ax3-r-1)～(ax3-r-3)所分別表示之基等。

[式中，Ra’ ^x31各別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO ₂-之環式基；A”為可含有氧原子或硫原子的碳數1～5之伸烷基、氧原子或硫原子；p’為0～3之整數；q’為0或1]

前述通式(ax3-r-2)～(ax3-r-3)中，A”與前述通式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”為相同之內容。 Ra’ ³¹中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、 -COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基，分別與前述通式(a2-r-1)～(a2-r-7)中之Ra’ ²¹的說明中所列舉者為相同之內容。下述為通式(ax3-r-1)～(ax3-r-3)所分別表示之基的具體例。

結構單位(a2)中，又以由α位的碳原子所鍵結的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生之結構單位為佳。該結構單位(a2)，以下述通式(a2-1)所表示之結構單位為佳。

[式中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基；Ya ²¹為單鍵或2價之連結基；La ²¹為-O-、-COO-、-CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-；R’表示氫原子或甲基；其中，La ²¹為-O-時，Ya ²¹不為-CO-；Ra ²¹為含內酯的環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO ₂-之環式基]

前述式(a2-1)中，R與前述為相同之內容。R，以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上取得之容易度而言，以氫原子或甲基為特佳。

前述式(a2-1)中，Ya ²¹的2價連結基，例如但並未有特別之限定，係以可具有取代基的2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基等為較佳之例示。Ya ²¹中，有關具有取代基的2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基的說明，分別與上述Ya ^x0中的2價之連結基(可具有取代基的2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基)之說明為相同之內容。 Ya ²¹，以單鍵、酯鍵結[-C(=O)-O-]、醚鍵結(-O-)、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合為佳。

前述式(a2-1)中，Ra ²¹為含內酯的環式基、含-SO ₂-之環式基或含碳酸酯之環式基。 Ra ²¹中的含內酯的環式基、含-SO ₂-之環式基、含碳酸酯之環式基，分別以前述通式(a2-r-1)～(a2-r-7)所分別表示之基、通式(a5-r-1)～(a5-r-4)所分別表示之基、通式(ax3-r-1)～(ax3-r-3)所分別表示之基為較佳之例示。其中，又以含內酯的環式基或含-SO ₂-之環式基為佳，以前述通式(a2-r-1)、(a2-r-2)、(a2-r-6)或(a5-r-1)所分別表示之基為較佳。具體而言，例如以前述化學式(r-lc-1-1)～(r-lc-1-7)、(r-lc-2-1)～(r-lc-2-18)、(r-lc-6-1)、(r-sl-1-1)、(r-sl-1-18)所分別表示之任一之基為較佳。

(A1a)成份所具有的結構單位(a2)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1a)成份具有結構單位(a2)時，結構單位(a2)之比例，相對於構成該(A1a)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以1～50莫耳%為佳，以5～45莫耳%為較佳，以10～40莫耳%為更佳，以10～30莫耳%為特佳。結構單位(a2)之比例於較佳下限值以上時，因具有前述之效果，故含有結構單位(a2)時可得到充份的效果，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

結構單位(a3)： (A1a)成份中，除結構單位(a1)以外，或結構單位(a1)及結構單位(a0-2)以外，可再具有含有含極性基之脂肪族烴基的結構單位(a3)(但，相當於結構單位(a1)或結構單位(a2)者除外)。(A1a)成份具有結構單位(a3)時，可期待提高(A)成份的親水性、解析度。又，可適當地調整酸的擴散長度。

極性基，可列舉如：羥基、氰基、羧基、烷基的氫原子中之一部份被氟原子取代而得之羥烷基等，特別是以羥基為佳。脂肪族烴基，可列舉如：碳數1～10之直鏈狀或支鏈狀之烴基(較佳為伸烷基)，或環狀之脂肪族烴基(環式基)等。該環式基，可為單環式基亦可、多環式基亦可，例如可由ArF準分子雷射用阻劑組成物用的樹脂中，被多數提案的基團中適當地選擇使用。該環式基以多環式基為佳，以碳數7～30為較佳。其中，又以由含有含羥基、氰基、羧基，或烷基的氫原子中之一部份被氟原子取代而得之羥烷基的脂肪族多環式基的丙烯酸酯所衍生之結構單位為較佳。該多環式基，可列舉如：由雙環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等去除2個以上的氫原子而得之基等例示。具體而言，例如：由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環鏈烷去除2個以上的氫原子而得之基等。該些多環式基之中，又以由金剛烷去除2個以上的氫原子而得之基、由降莰烷去除2個以上的氫原子而得之基、由四環十二烷去除2個以上的氫原子而得之基，就工業上為更佳。

結構單位(a3)，只要為含有含極性基之脂肪族烴基者時，並未有特別之限定，而可使用任意之結構單位。結構單位(a3)，以由α位的碳原子所鍵結的氫原子可被取代基所取代丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含極性基之脂肪族烴基的結構單位為佳。結構單位(a3)，於含極性基之脂肪族烴基中的烴基為碳數1～10之直鏈狀或支鏈狀烴基時，由丙烯酸之羥乙酯所衍生之結構單位為佳。又，結構單位(a3)，於含極性基之脂肪族烴基中的該烴基為多環式基時，以下述式(a3-1)所表示之結構單位、式(a3-2)所表示之結構單位、式(a3-3)所表示之結構單位為較佳之例示。

[式中，R與前述為相同之內容；j為1～3之整數；k為1～3之整數；t’為1～3之整數；l為1～5之整數；s為1～3之整數]

式(a3-1)中，j以1或2為佳，以1為更佳。j為2時，羥基以鍵結於金剛烷基之3位與5位者為佳。j為1時，羥基以鍵結金剛烷基之3位者為佳。 j以1為佳，羥基以鍵結於金剛烷基之3位者為特佳。

式(a3-2)中，k以1為佳。氰基以鍵結於降莰基的5位或6位者為佳。

式(a3-3)中，t’以1為佳；l以1為佳。s以1為佳。該些以丙烯酸的羧基末端，鍵結2-降莰基或3-降莰基者為佳。氟化烷醇以鍵結於降莰基的5或6位者為佳。

(A1a)成份所具有的結構單位(a3)可為1種或2種以上皆可。 (A1a)成份具有結構單位(a3)時，相對於構成該(A1a)成份的全結構單位之合計，以1～40莫耳%為佳，以2～30莫耳%為較佳，以5～25莫耳%為更佳，以5～20莫耳%為特佳。結構單位(a3)之比例於較佳下限值以上時，因具有前述效果，故含有結構單位(a3)時，可得到充份的效果，於較佳上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

結構單位(a9)： (A1a)成份中，除結構單位(a1)以外，或結構單位(a1)及結構單位(a0-2)以外，可再具有下述通式(a9-1)所表示之結構單位(a9)。

[式中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基；Ya ⁹¹為單鍵或2價的連結基；Ya ⁹²為2價之連結基；R ⁹¹為可具有取代基之烴基]

前述式(a9-1)中，R與前述為相同之內容。 R，以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上取得之容易度而言，以氫原子或甲基為特佳。

前述式(a9-1)中，Ya ⁹¹中的2價之連結基，與上述Ya ^x0中的2價之連結基(可具有取代基的2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基)為相同之內容。其中，Ya ⁹¹又以單鍵為佳。

前述式(a9-1)中，Ya ⁹²中的2價之連結基，與上述Ya ^x0中的2價之連結基(可具有取代基的2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基)為相同之內容。 Ya ⁹²中的2價之連結基中，可具有取代基的2價之烴基，以直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基為佳。又，Ya ⁹²中的2價之連結基中，含有雜原子的2價之連結基，可列舉如：-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可被烷基、醯基等的取代基所取代)、-S-、-S(=O) ₂-、-S(=O) ₂-O-、-C(=S)-、通式-Y ²¹-O-Y ²²-、-Y ²¹-O-、-Y ²¹-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y ²¹、[Y ²¹-C(=O)-O] _m’-Y ²²-或-Y ²¹-O-C(=O)-Y ²²-所表示之基[式中，Y ²¹及Y ²²各別獨立為可具有取代基的2價之烴基；O為氧原子；m’為0～3之整數]等。其中，又以-C(=O)-、-C(=S)-為佳。

前述式(a9-1)中，R ⁹¹中之烴基，可列舉如：烷基、1價之脂環式烴基、芳基、芳烷基等。 R ⁹¹中之烷基，以碳數1～8為佳，以碳數1～6為較佳，以碳數1～4為更佳，其可為直鏈狀亦可、支鏈狀亦可。具體而言，例如以甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛基等為較佳之例示。 R ⁹¹中的1價之脂環式烴基，以碳數3～20為佳，以碳數3～12為較佳，其可為多環式亦可、單環式亦可。單環式之脂環式烴基，以由單環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基為佳。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環丁烷、環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，以由多環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基為佳，該多環鏈烷，以碳數7～12者為佳，具體而言，例如：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。 R ⁹¹中之芳基，以碳數6～18者為佳，以碳數6～10者為較佳，具體而言，以苯基為特佳。 R ⁹¹中之芳烷基，以由碳數1～8之伸烷基與上述「R ⁹¹中之芳基」鍵結而得之芳烷基為佳，以碳數1～6之伸烷基與上述「R ⁹¹中之芳基」鍵結而得之芳烷基為較佳，以碳數1～4之伸烷基與上述「R ⁹¹中之芳基」鍵結而之芳烷基為特佳。 R ⁹¹中之烴基，以該烴基之氫原子中之一部份或全部被氟原子取代者為佳，以該烴基之氫原子中之30～100%被氟原子取代者為較佳。其中，又以上述烷基之全部氫原子被氟原子取代而得之全氟烷基為特佳。

R ⁹¹中之烴基，可具有取代基。該取代基，可列舉如：鹵素原子、側氧基(=O)、羥基(-OH)、胺基( -NH ₂)、-SO ₂-NH ₂等。又，構成該烴基的碳原子之一部份可被含有雜原子的取代基所取代。該含有雜原子的取代基，例如：-O-、-NH-、-N=、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O) ₂-、 -S(=O) ₂-O-等。 R ⁹¹中，具有取代基之烴基，例如：前述通式(a2-r-1)～(a2-r-7)所分別表示之含內酯的環式基等。

又，R ⁹¹中，具有取代基之烴基，又可列舉如：前述通式(a5-r-1)～(a5-r-4)分別表示之含-SO ₂-之環式基；下述化學式所表示之取代芳基、1價之雜環式基等。

結構單位(a9)之中，又以下述通式(a9-1-1)所表示之結構單位為佳。

[式中，R與前述為相同之內容，Ya ⁹¹為單鍵或2價之連結基，R ⁹¹為可具有取代基的烴基，R ⁹²為氧原子或硫原子]

通式(a9-1-1)中，Ya ⁹¹、R ⁹¹、R之說明與前述為相同。又，R ⁹²為氧原子或硫原子。

以下為前述式(a9-1)或通式(a9-1-1)所表示之結構單位的具體例示。下述式中，R ^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1a)成份所含有的結構單位(a9)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1a)成份含有結構單位(a9)時，結構單位(a9)之比例，相對於構成該(A1a)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以1～40莫耳%為佳，以3～30莫耳%為較佳，以5～25莫耳%為更佳，以10～20莫耳%為特佳。結構單位(a9)之比例於下限值以上時，例如：可適當地調整酸的擴散長度、提高阻劑膜對基板的密著性、適當地調整顯影時的溶解性、提高耐蝕刻性等的效果，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

阻劑組成物所含有的(A1a)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。本實施形態之阻劑組成物中，(A1a)成份的樹脂成份，為具有結構單位(a0-1)者，其可單獨使用1種聚合物亦可、將2種以上合併使用亦可。例如：(A1a)成份，以含有結構單位(a1)，與必要時所具有其他結構單位的共聚物(以下，該共聚物亦稱為「(A1a-1)成份」)者為較佳之例示。較佳的(A1a-1)成份，例如：具有結構單位(a0-1a)與結構單位(a2)的重複結構之高分子化合物、具有結構單位(a0-1a)與結構單位(a0-2)的重複結構之高分子化合物等。上述2個的各結構單位之組合以外，可配合上述說明的結構單位所期待的效果，再加上的第3個或第3個以上的結構單位予以組合。第3個結構單位較佳為，結構單位(a2)、結構單位(a3)或結構單位(a0-2)等。

該(A1a)成份，可將衍生各結構單位的單體溶解於聚合溶劑中，再於其中，加入例如偶氮雙異丁腈(AIBN)、偶氮雙異丁酸二甲酯(例如V-601等)等的自由基聚合起始劑，使其進行聚合等反應等而製得。或，該(A1a)成份，可將衍生結構單位(a0-1)之單體，與衍生必要時所添加的結構單位(a0-1)以外的結構單位之前驅物單體(官能基被保護之單體)，溶解於聚合溶劑，再於其中加入上述的自由基聚合起始劑進行聚合，隨後，再進行去保護反應等而製得。又，聚合之際，亦可併用例如：HS-CH ₂-CH ₂-CH ₂-C(CF ₃) ₂-OH等鏈移轉劑，以於末端導入-C(CF ₃) ₂-OH基。如此，該導入有烷基的氫原子中之一部份被氟原子取代而得之羥烷基的共聚物，可有效地降低顯影缺陷或降低LER(線路邊緣粗糙度：線路側壁的不均勻凹凸)。

(A1a)成份之質量平均分子量(Mw)(凝膠滲透色層分析(GPC)之聚苯乙烯換算基準)，並未有特別之限定，又以1000～50000為佳，以2000～30000為較佳，以3000～20000為更佳。 (A1a)成份的Mw於此範圍的較佳上限值以下時，作為阻劑使用時，對阻劑溶劑具有充份的溶解性，於此範圍的較佳下限值以上時，可得到良好的耐乾蝕刻性或阻劑圖型斷面形狀。 (A1a)成份之分散度(Mw/Mn)，並未有特別之限定，又以1.0～4.0為佳，以1.0～3.0為較佳，1.1～2.0為特佳。又，Mn表示數平均分子量。

・(A2a)成份本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份，可併用不相當於前述(A1a)成份，且經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份(以下，亦稱為「(A2a)成份」)。 (A2a)成份，並未有特別之限定，其可任意選擇使用以往已知作為作學增幅型阻劑組成物用的基材成份之多數成份。 (A2)成份，可單獨使用1種高分子化合物或低分子化合物，或將2種以上組合使用皆可。

(A)成份中的(A1a)成份之比例，相對於(A)成份的總質量，以25質量%以上為佳，以50質量%以上為較佳，75質量%以上為更佳，亦可為100質量%。該比例為25質量%以上時，容易形成具有高感度化或解析度、改善粗糙度等各種優良微影蝕刻特性的阻劑圖型。該些效果，於電子線或EUV進行的微影蝕刻中為特別顯著。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份之含量，可配合所欲形成的阻劑膜厚度等進行調整。

[(A1b)成份] 「A1b」成份，為具有作為結構單位(a1)之結構單位(a0-1b)，且具有結構單位(a0-2)的樹脂成份。結構單位(a0-1b)，為下述通式(a0-1-1b)所表示之化合物中，聚合性基變換為主鏈的結構單位者。結構單位(a0-2)，與上述[(A1a)成份]的說明中之結構單位(a0-2)為相同之內容。

[式中，W ¹為含有聚合性基之基；Ra ^01b為下述通式(a01-r-1)或通式(a01-r-2)所表示之酸解離性基]

[式中，Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³各別獨立為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、不具有交聯結構之脂環式基，或芳香族烴基；Ra ⁰¹⁴為部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的直鏈狀或支鏈狀之碳數1～12之脂肪族烴基，或部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的碳數6～12之芳基。Ra ⁰¹⁵為與Ra ⁰¹⁴鍵結的碳原子共同形成單環式脂肪族環式基之基。＊表示鍵結鍵]。

≪結構單位(a0-1b)≫ 結構單位(a0-1b)，具體而言，例如：具有於上述通式(a0-1b-1)所表示之化合物中，聚合性基變換為主鏈的結構單位者。

前述式(a0-1b-1)中，W ¹為含有聚合性基之基，其與上述式(a0-1a-1)中的W ¹為相同之內容。此處之W ¹，可列舉如：化學式：C(R ^X11)(R ^X12)= C(R ^X13)-Ya ^x0-所表示之基為較佳之例示。該化學式中，R ^X11、R ^X12及R ^X13各別為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基，Ya ^x0為單鍵或2價的連結基；

其中，R ^X11及R ^X12又以各別為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上容易取得之觀點，又以氫原子、甲基為更佳，以氫原子為特佳。此處之R ^X13，以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上容易取得之觀點，又以氫原子、甲基為更佳，甲基為特佳。

此處之Ya ^x0，以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、醚鍵結(-O-)、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合為佳，該些之中，又以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合為較佳。以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基與酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]之組合為特佳。

前述式(a0-1b-1)中，Ra ^01b為上述通式(a01-r-1)或上述通式(a01-r-2)所表示之酸解離性基。

前述式(a01-r-1)中，Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³各別獨立為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、不具有交聯結構之脂環式基，或芳香族烴基；

Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³中之脂肪族烴基，可為飽和脂肪族烴基亦可、不飽和脂肪族烴基亦可，又以飽和脂肪族烴基為佳。Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³中之飽和脂肪族烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀之烷基等。

Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³中之直鏈狀之烷基，以碳數1～20為佳，以碳數1～15為較佳，以碳數1～10為更佳，以碳數1～5為特佳。具體而言，例如：甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該些之中，又以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為較佳。 Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³中之支鏈狀之烷基，以碳數3～20為佳，以碳數3～15為較佳，以碳數3～10為更佳，以碳數3～5為特佳。具體而言，例如：異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙丙基、2,2-二甲基丁基等，該些之中，又以異丙基為佳。

Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³中之不具有交聯結構之脂環式基，可為單環式基亦可、多環式基亦可。單環式之脂環式基，可列舉如：由單環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基等。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式基，可列舉如：由多環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基等。該多環鏈烷，例如：十氫萘、氫化薁(perhydro azulene)、氫化蒽、具有膽固醇骨架之環結構等縮合環系的具有多環式骨架之多環鏈烷。該些之中，又以單環式之脂環式基為佳，以由環戊烷或環己烷去除1個以上的氫原子而得之基為較佳。

Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³中之芳香族烴基，為至少具有1個芳香環之烴基。該芳香環，只要為具有4n+2個π電子的環狀共軛系者時，並未有特別之限定，其可為單環式或多環式皆可。芳香環之碳數以5～30為佳，以碳數5～20為較佳，以碳數6～15為更佳，以碳數6～12為特佳。此芳香環，具體而言，例如：苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環，具體而言，例如：吡啶環、吡咯環、噻吩環等。 Ra ⁰¹¹～Ra ⁰¹³中之芳香族烴基，具體而言，例如：由前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子而得之基(芳基或雜芳基)；由含有2個以上芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除1個氫原子而得之基；前述芳香族烴環或芳香族雜環中的1個氫原子被伸烷基取代而得之基(例如苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳烷基等)等。前述芳香族烴環或芳香族雜環所鍵結的伸烷基之碳數，以1～4為佳，以碳數1～2為較佳，以碳數1為特佳。

前述式(a01-r-2)中，Ra ⁰¹⁴為部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的直鏈狀或支鏈狀之碳數1～12之脂肪族烴基，或部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的碳數6～12之芳基。

Ra ⁰¹⁴中之脂肪族烴基，可為飽和脂肪族烴基亦可、不飽和脂肪族烴基亦可。Ra ⁰¹⁴中之飽和脂肪族烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀之烷基等。Ra ⁰¹⁴中之不飽和脂肪族烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀之烯基等。

Ra ⁰¹⁴中之直鏈狀之烷基，例如為碳數1～12，又以碳數1～10為佳，以碳數1～5為特佳。具體而言，例如：甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該些之中，又以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為較佳。 Ra ⁰¹⁴中之支鏈狀烷基，以碳數3～10為佳，以碳數3～6為特佳。具體而言，例如：異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙丙基、1,1-二甲基丁基、1,1-二甲基戊基、2,2-二甲基丁基等，該些之中，又以異丙基、tert-丁基為佳。

Ra ⁰¹⁴中之直鏈狀或支鏈狀之烯基，例如為碳數2～12，又以碳數2～10為佳，以碳數2～5為較佳，以碳數2～4為更佳，以碳數2為特佳。直鏈狀之烯基，例如：乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁炔基等。支鏈狀之烯基，例如：1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。該些之中，又以直鏈狀之烯基為佳，以乙烯基、丙烯基為較佳，以乙烯基為特佳。

Ra ⁰¹⁴中之直鏈狀或支鏈狀之碳數1～12之脂肪族烴基，其中一部份可被鹵素原子或含有雜原子之基所取代。例如：構成脂肪族烴基的氫原子之一部份，可被鹵素原子或含有雜原子之基所取代。又，構成脂肪族烴基的碳原子(伸甲基等)之一部份，可被含有雜原子之基所取代。此處所稱鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。含有雜原子之基，可列舉如：氧原子(-O-)、 -C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-S-、-S(=O) ₂-、-S(=O) ₂-O-等。

Ra ⁰¹⁴中之芳基之碳數為6～12，具體而言，為苯、萘等。該芳基可具有作為取代基之烷基(較佳為碳數1～5之烷基)。 Ra ⁰¹⁴中之芳基，其中一部份可被鹵素原子或含有雜原子之基所取代。例如：構成芳基的氫原子之一部份，可被鹵素原子或含有雜原子之基所取代。又，構成芳基的碳原子之一部份，可被含有雜原子之基所取代(即，亦可為雜芳基)。該鹵素原子、雜原子、含有雜原子之基，與上述為相同之內容。

前述式(a01-r-2)中，Ra ⁰¹⁵為與Ra ⁰¹⁴鍵結的碳原子共同形成單環式脂肪族環式基之基。該單環式之脂肪族環式基，可列舉如：由單環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基等。該單環鏈烷，以碳數3～8者為佳，具體而言，可列舉如：環戊烷、環己烷、環辛烷等。該單環式之脂肪族環式基，可具有取代基。該取代基，可列舉如：烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羥烷基、醯基、烷基羰氧基、羰基(側氧基)等。

前述通式(a01-r-1)所表示之酸解離性基之具體例，例如以下內容。＊表示鍵結鍵。

前述通式(a01-r-2)所表示之酸解離性基之具體例，例如以下內容。＊表示鍵結鍵。

結構單位(a0-1b)的較佳具體例，例如：下述通式(a0-1b-u1)所表示之結構單位等。

[式中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基；Va ⁰¹為可具有醚鍵結的2價之烴基；n _a01為0～2之整數；Ra ^011b為上述通式(a01-r-1)或通式(a01-r-2)所表示之酸解離性基]

前述通式(a0-1b-u1)中，R、Va ⁰¹，及n _a01，與上述通式(a0-1a-u1)中之R、Va ⁰¹，及n _a01為相同，較佳例示亦為相同。前述通式(a0-1b-u1)中，Ra ^011b，與上述通式(a01-r-1)或通式(a01-r-2)所表示之酸解離性基、通式(a0-1b-1)中之Ra ^01b為相同之內容。

以下為結構單位(a0-1b)之具體例示。下述式中，R ^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1b)成份所具有的結構單位(a0-1b)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1b)成份中，結構單位(a0-1b)之比例，相對於構成該(A1b)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以30～70莫耳%為佳，以35～65莫耳%為較佳，以40～60莫耳%為特佳。結構單位(a0-1b)之比例，於前述較佳範圍的下限值以上時，可容易製得阻劑圖型，使感度、解析度、降低粗糙度等的微影蝕刻特性更向上提升，於前述較佳範圍的上限值以下時，可容易取得與其他結構單位之平衡。

≪結構單位(a0-2)≫ 結構單位(a0-2)，為上述通式(a0-2-1)所表示之化合物中，聚合性基變換為主鏈的結構單位。結構單位(a0-2)，與上述[(A1a)成份]所說明的結構單位(a0-2)為相同，較佳例示亦為相同。

(A1b)成份所具有的結構單位(a0-2)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1b)成份中，結構單位(a0-2)之比例，相對於構成該(A1b)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以20～70莫耳%為佳，以25～65莫耳%為較佳，以30～60莫耳%為特佳。結構單位(a0-2)之比例，於前述較佳範圍的下限值以上時，可提高感度、解析度，或改善粗糙度等的微影蝕刻特性。又，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

≪其他結構單位≫ (A1b)成份中，可具有上述結構單位(a0-1)及結構單位(a0-2)以外的其他結構單位。其他結構單位，例如：結構單位(a0-1b)以外的結構單位(a1)(以下，亦稱為「結構單位(a1-1b)」)、含有含內酯的環式基、含-SO ₂-之環式基或含碳酸酯之環式基的結構單位(a2)(但，相當於結構單位(a1)者除外)、含有含極性基之脂肪族烴基的結構單位(a3)(但，相當於結構單位(a0-2)、結構單位(a1)或結構單位(a2)者除外)、前述通式(a9-1)所表示之結構單位(a9)、由苯乙烯所衍生之結構單位、由苯乙烯衍生物所衍生之結構單位(但，相當於結構單位(a0-2)者除外)、含有非酸解離性之脂肪族環式基之結構單位等。

結構單位(a1-1b)：結構單位(a1-1b)，為結構單位(a0-1b)以外的結構單位(a1)。結構單位(a1-1b)中之酸解離性基，可列舉如：目前為止被提案作化學增幅型阻劑用基底樹脂的酸解離性基者(但，不包含上述通式(a01-r-1)所表示之酸解離性基，及通式(a01-r-2)所表示之酸解離性基)。被提案作化學增幅型阻劑用基底樹脂的酸解離性基，具體而言，例如：上述「縮醛型酸解離性基」、「三級烷酯型酸解離性基」、「三級烷氧羰基酸解離性基」等。

結構單位(a1-1b)之三級烷酯型酸解離性基，例如：下述通式(a1-r-2b)所表示之酸解離性基等。

[式中，Ra’ ^4b為具有交聯結構之脂環式基。Ra’ ^5b及Ra’ ^6b各別為烴基。其中，Ra’ ^5b與Ra’ ^6b可相互鍵結形成環]。

Ra’ ^4b中之具有交聯結構之脂環式基，可列舉如：環狀不飽和脂環式基，或交聯環系的具有多環式骨架之多環鏈烷等。 Ra’ ^4b中之環狀不飽和脂環式基，例如：以碳數2～10之烯基為佳。Ra’ ⁴中之交聯環系的具有多環式骨架之多環鏈烷，例如：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。 Ra’ ^5b、Ra’ ^6b之烴基，例如：與前述Ra’ ^3b為相同之內容。

Ra’ ^5b與Ra’ ^6b相互鍵結形成環時，以下述通式(a1-r2-1b)所表示之基為較佳之例示。另一方面，Ra’ ^5b未與Ra’ ^6b相互鍵結時，以下述通式(a1-r2-2b)所表示之基為較佳之例示。

[式(a1-r2-1b)中，Ra’ ^10b表示碳數1～10之烷基。Ra’ ^11b表示與Ra’ ^10b鍵結的碳原子共同形成具有交聯結構的脂環式基之基。式(a1-r2-2)中，Ra’ ^12b為具有交聯結構之脂環式基。Ra’ ^13b及Ra’ ^14b，各別獨立為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基或氫原子；該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子中之一部份或全部可被取代；＊表示鍵結鍵(以下相同)]。

前述式(a1-r2-1b)中，Ra’ ^10b中之碳數1～10之烷基，可為直鏈狀亦可、支鏈狀亦可。 Ra’ ^10b中之直鏈狀之烷基，以碳數1～5為佳，以碳數1～4為較佳，以碳數1或2為更佳。具體而言，例如：甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該些之中，又以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為較佳。 Ra’ ^10b中之支鏈狀之烷基，以碳數3～10為佳，以碳數3～5為較佳。具體而言，例如：異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙丙基、2,2-二甲基丁基等，又以異丙基為佳。

前述式(a1-r2-1b)中，Ra’ ^11b與Ra’ ^10b鍵結的碳原子共同形成之具有交聯結構的脂環式基，以由具有交聯結構之多環鏈烷去除1個氫原子而得之基為佳，該多環鏈烷，以碳數7～12者為佳，具體而言，例如：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。其中，又以由金剛烷去除1個氫原子而得之基為特佳。

前述式(a1-r2-2b)中，Ra’ ^12b中之具有交聯結構的脂環式基，可列舉如：與上述之Ra’ ^11b為與Ra’ ^10b鍵結的碳原子共同形成的具有交聯結構的脂環式基為相同之內容。 Ra’ ^13b及Ra’ ^14b中，碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基，各自獨立以碳數1～10之烷基為佳，可列舉如：與前述式(a1-r2-1b)中之Ra’ ^10b中之碳數1～10之烷基為相同之內容。該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子中之一部份或全部可被取代。

前述式(a1-r2-1b)所表示之基的具體例示，係如以下所示。＊表示鍵結鍵(以下，於本說明書中皆為相同表示方式)。

前述式(a1-r2-2b)所表示之基的具體例示，係如以下所示。

結構單位(a1-1b)，可列舉如：由α位的碳原子所鍵結的氫原子可被取代基所取代丙烯酸酯所衍生之結構單位、由丙烯酸醯胺所衍生之結構單位、由羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物所衍生之結構單位之羥基中的氫原子之至少一部份被含有前述酸分解性基的取代基保護的結構單位、由乙烯安息香酸或乙烯安息香酸衍生物所衍生之結構單位的-C(=O)-OH中的氫原子之至少一部份被含有前述酸分解性基的取代基保護的結構單位等。

結構單位(a1-1b)，於上述之中，又以由α位的碳原子所鍵結的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生之結構單位為佳。該結構單位(a1-1b)的較佳具體例，例如：下述通式(a1-1b-1)或(a1-1b-2)所表示之結構單位等。

[式中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基；Va ¹為可具有醚鍵結的2價之烴基，n _a1為0～2，Ra ^1b為上述式(a1-r-1b)或(a1-r-2)所表示之酸解離性基。Wa ¹為n _a2+1價之烴基，n _a2為1～3，Ra ^2b為上述式(a1-r-1b)或(a1-r-3)所表示之酸解離性基]

前述式(a1-1b-1)中，R、Va ¹，及n _a1，與上述通式(a1-1a-1)中之R、Va ¹，及n _a1為相同，其較佳例示亦為相同。前述式(a1-1b-1)中，Ra ^1b為上述式(a1-r-1b)或(a1-r-2)所表示之酸解離性基。

前述式(a1-1b-2)中，R、Wa ¹，及n _a2，與上述通式(a1-1b-1)中之R、Wa ¹，及n _a2為相同，其較佳例示亦為相同。前述式(a1-1b-2)中，Ra ^2b為上述式(a1-r-1b)或(a1-r-3)所表示之酸解離性基。

以下為前述式(a1-1b-1)所表示之結構單位之具體例示。以下各式中，R ^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

以下為前述式(a1-2b-1)所表示之結構單位之具體例示。

(A1b)成份所具有的結構單位(a1-1b)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1b)成份具有結構單位(a1-1b)時，(A1b)成份中，結構單位(a1-1b)之比例，相對於構成(A1b)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以1～50莫耳%為佳，以5～45莫耳%為較佳，以5～30莫耳%為更佳。結構單位(a1-1b)之比例於下限值以上時，可提高感度、解析度，或改善粗糙度等的微影蝕刻特性。又，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

結構單位(a2)： (A1b)成份中，除結構單位(a0-1)及結構單位(a0-2)以外，可再具有結構單位(a2)(但，相當於結構單位(a1)者除外)。結構單位(a2)，與上述[(A1a)成份]所說明的結構單位(a2)為相同，其較佳例示亦為相同。結構單位(a2)之含內酯的環式基、含-SO ₂-之環式基或含碳酸酯之環式基，於(A1b)成份使用於阻劑膜之形成時，對於提高阻劑膜對基板的密著度上為有效之成份。又，具有結構單位(a2)時，具有可適當地調整酸的擴散長度、提高阻劑膜對基板的密著性，或適當地調整顯影時的溶解性等的效果，而可使微影蝕刻特性等更良好。

(A1b)成份所具有的結構單位(a2)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1b)成份具有結構單位(a2)時，結構單位(a2)之比例，相對於構成該(A1b)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以1～50莫耳%為佳，以5～45莫耳%為較佳，以10～40莫耳%為更佳，以10～30莫耳%為特佳。結構單位(a2)之比例於較佳下限值以上時，因具有前述效果，故含有結構單位(a2)時，可得到充份的效果，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

結構單位(a3)： (A1b)成份中，除結構單位(a0-1)及結構單位(a0-2)以外，可再具有結構單位(a3)(但，相當於結構單位(a1)或結構單位(a2)者除外)。結構單位(a3)，與上述[(A1a)成份]所說明的結構單位(a3)為相同，其較佳例示亦為相同。(A1b)成份具有結構單位(a3)時，可提高(A1b)成份之親水性、提升解析度。又，可適當地調整酸的擴散長度。

(A1b)成份所具有的結構單位(a3)可為1種或2種以上皆可。 (A1b)成份具有結構單位(a3)時，相對於構成該(A1b)成份的全結構單位之合計，以1～40莫耳%為佳，以2～30莫耳%為較佳，以5～25莫耳%為更佳，以5～20莫耳%為特佳。結構單位(a3)之比例於較佳的下限值以上時，含有結構單位(a3)時，可得到充份的效果，另一方面，於較佳的上限值以下時，可容易取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

結構單位(a9)： (A1b)成份中，除結構單位(a0-1)及結構單位(a0-2)以外，可再具有結構單位(a9)。結構單位(a9)，與上述[(A1a)成份]所說明的結構單位(a9)為相同，其較佳例示亦為相同。

(A1b)成份所含有的結構單位(a9)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1b)成份含有結構單位(a9)時，結構單位(a9)之比例，相對於構成該(A1)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以1～40莫耳%為佳，以3～30莫耳%為較佳，以5～25莫耳%為更佳，以10～20莫耳%為特佳。結構單位(a9)之比例於下限值以上時，可得到例如：可適當地調整酸的擴散長度、提高阻劑膜對基板的密著性、適當地調整顯影時的溶解性，或提高耐蝕刻性等的效果；於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

阻劑組成物含有的(A1b)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。本實施形態之阻劑組成物中，(A1b)成份的樹脂成份，為具有結構單位(a0-1)與結構單位(a0-2)者，其可單獨使用1種聚合物，或將2種以上合併使用皆可。例如：(A1b)成份，以含有結構單位(a0-1)與結構單位(a0-2)，與必要時具有的其他結構單位之共聚物(以下，該共聚物亦稱為「(A1b-1)成份」)為較佳例示。又，(A1b)成份，例如：各別含有結構單位(a0-1)，與必要時具有其他結構單位的聚合物(以下，該聚合物亦稱為「(A1b-21)成份」)及結構單位(a0-2)，與必要時具有其他結構單位的聚合物(以下，該聚合物亦稱為「(A1b-22)成份」)者(混合樹脂)。該些之中，阻劑組成物所含有的(A1b)成份，又以含有(A1b-1)成份者為較佳。

較佳的(A1b-1)成份，例如：由結構單位(a0-1)與結構單位(a0-2)之重複結構所形成的高分子化合物、具有結構單位(a0-1)與結構單位(a0-2)與其他結構單位之重複結構的高分子化合物等。其他結構單位，較佳為例如，結構單位(a2)及結構單位(a3)之至少一者。

該(A1b)成份，可將衍生各結構單位的單體溶解於聚合溶劑中，再於其中，加入例如偶氮雙異丁腈(AIBN)、偶氮雙異丁酸二甲酯(例如V-601等)等的自由基聚合起始劑，使其進行聚合等反應等而製得。或，該(A1)成份，可將衍生結構單位(a0-1)之前驅物單體，與衍生結構單位(a0-2)之單體，與必要時添加的衍生該些以外的結構單位之單體，溶解於聚合溶劑，再於其中加入上述的自由基聚合起始劑進行聚合，隨後，再進行去保護反應等而製得。又，聚合之際，亦可併用例如：HS-CH ₂-CH ₂-CH ₂-C(CF ₃) ₂-OH等鏈移轉劑，以於末端導入-C(CF ₃) ₂-OH基。如此，該導入有烷基的氫原子中之一部份被氟原子取代而得之羥烷基的共聚物，可有效地降低顯影缺陷或降低LER (線路邊緣粗糙度：線路側壁的不均勻凹凸)。

(A1b)成份之質量平均分子量(Mw)(凝膠滲透色層分析(GPC)之聚苯乙烯換算基準)，並未有特別之限定，又以1000～50000為佳，以2000～30000為較佳，以3000～20000為更佳。 (A1b)成份的Mw於此範圍的較佳上限值以下時，作為阻劑使用時，對阻劑溶劑具有充份的溶解性，於此範圍的較佳下限值以上時，可得到良好的耐乾蝕刻性或阻劑圖型斷面形狀。 (A1b)成份之分散度(Mw/Mn)，並未有特別之限定，又以1.0～4.0為佳，以1.0～3.0為較佳，1.1～2.0為特佳。又，Mn表示數平均分子量。

・(A2b)成份本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份中，可併用不相當於前述(A1b)成份，且經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份(以下，亦稱為「(A2b)成份」)。 (A2b)成份，並未有特別之限定，其可任意選擇使用以往已知作為作學增幅型阻劑組成物用的基材成份之多數成份。 (A2b)成份，可單獨使用1種高分子化合物或低分子化合物，或將2種以上組合使用皆可。

(A)成份中，(A1b)成份之比例，相對於(A)成份的總質量，以25質量%以上為佳，以50質量%以上為較佳，以75質量%以上為更佳，亦可為100質量%。該比例為25質量%以上時，容易形成具有高感度化或解析度、改善粗糙度等各種優良微影蝕刻特性的阻劑圖型。該些效果，於電子線或EUV進行的微影蝕刻中為特別顯著。

[(A1c)成份] (A1c)成份，為具有結構單位(a1)，與含有下述通式(a0-3)所表示之部份結構的結構單位(a0-3)的樹脂成份。

前述式(a0-3)中，R ¹為碳數1～12之氟化烷基。碳數1～12之氟化烷基，為碳數1～12之烷基之氫原子中之一部份或全部被氟原子取代而得之基。前述烷基可為直鏈狀亦可、支鏈狀亦可。碳數1～12之直鏈狀之氟化烷基，具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基之氫原子中之一部份或全部被氟原子取代而得之基等。碳數1～12之支鏈狀之氟化烷基，具體而言，例如：1-甲乙基、1,1-二甲乙基、1-甲丙基、2-甲丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基之氫原子中之一部份或全部被氟原子取代而得之基等。

R ¹之碳數1～12之氟化烷基，於上述之中，又以碳數1～5之氟化烷基為較佳，具體而言，以三氟甲基為特佳。

前述式(a0-3)中，R ²為可具有氟原子的碳數1～12之有機基或氫原子。

R ²之可具有氟原子的碳數1～12之有機基，可列舉如：可具有取代基之1價之烴基等。烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀之烷基，或環狀之烴基等。該直鏈狀或支鏈狀之烷基，例如：與R ¹之碳數1～12之氟化烷基為相同之內容。

R ²為環狀之烴基時，該烴基可為脂肪族烴基或芳香族烴基皆可，又可為多環式基或單環式基皆可。單環式基之脂肪族烴基，以由單環鏈烷去除1個氫原子而得之基為佳。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環式基之脂肪族烴基，以由多環鏈烷去除1個氫原子而得之基為佳，該多環鏈烷，以碳數7～12者為佳，具體而言，例如：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

R ²為環狀烴基為芳香族烴基時，該芳香族烴基，為至少具有1個芳香環之烴基。該芳香族烴基，具體而言，例如：由苯、萘、蒽、菲、聯苯、茀等之芳香族烴環去除1個氫原子而得之基等。

R ²之碳數1～12之有機基，可具有氟原子以外的取代基。該取代基，可列舉如：羥基、羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷氧羰基等。

R ²為碳數1～12之氟化烷基為佳，以碳數1～5之氟化烷基為較佳，以三氟甲基為更佳。

含有通式(a0-3)所表示之部份結構的結構單位(a0-3)，以下述通式(a0-3-1)所表示之化合物中，W ³部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-3-1)，或下述通式(a0-3-2)所表示之化合物中，W ⁴部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-3-2)為佳。

[式中，R ¹為碳數1～12之氟化烷基。R ²為可具有氟原子的碳數1～12之有機基或氫原子。W ³及W ⁴為含有聚合性基之基；Y _a01 ^x0為單鍵或(n _a01+1)價之連結基。Y _a01 ^x0與W ³可形成縮合環。Y _a02 ^x0為單鍵或(n _a02+1)價之連結基。n _a01及n _a02為1～3之整數]

前述式(a0-3-1)及(a0-3-2)中，R ¹及R ²與上述(a0-3)所說明者為相同之內容。

前述式(a0-3-1)及(a0-3-2)中，W ³及W ⁴為含有聚合性基之基；W ³及W ⁴中之含有聚合性基之基，與前述式(a0-1a-1)中的W ¹中之含有聚合性基之基為相同之內容。

W ³及W ⁴部位的聚合性基，例如乙烯基、烯丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、氟乙烯基、二氟乙烯基、三氟乙烯基、二氟三氟甲基乙烯基、三氟烯丙基、全氟烯丙基、三氟甲基丙烯醯基、壬基氟丁基丙烯醯基、乙烯醚基、含氟乙烯醚基、烯丙醚基、含氟烯丙醚基、苯乙烯基、乙烯萘基、含氟苯乙烯基、含氟乙烯萘基、降冰片烯基(norbornenyl)、含氟降冰片烯基、矽烷基等。含有聚合性基之基，僅由聚合性基所構成之基亦可、由聚合性基與該聚合性基以外的其他的基所構成之基亦可。該聚合性基以外的其他的基，可列舉如：可具有取代基之2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基等。

W ³及W ⁴，例如以化學式：CH ₂=C(R)-Ya ^x0-所表示之基為較佳之例示。該化學式中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基，Ya ^x0為單鍵或2價的連結基；

前述化學式中，R中之碳數1～5之烷基，以碳數1～5之直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳，具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1～5之鹵化烷基，為前述碳數1～5之烷基中之氫原子的一部份或全部被鹵素原子取代而得之基。該鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。R，以氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之氟化烷基為佳，就工業上容易取得之觀點，又以氫原子、甲基為更佳，甲基為特佳。

前述化學式中，Ya ^x0中的2價之連結基，例如：與上述通式(a0-1a-1)中的W ¹中之說明的Ya ^x0為相同之內容。其中，W ³及W ⁴中之Ya ^x0，又以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、醚鍵結(-O-)、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合，或單鍵為佳。該些之中，又以酯鍵結[ -C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或該些的組合，或單鍵為較佳。以酯鍵結[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、單鍵為特佳。

前述式(a0-3-1)中，Y _a01 ^x0為單鍵或(n _a01+1)價，即2價、3價或4價之連結基。

Y _a01 ^x0中的2價之連結基，與上述Ya ^x0所說明者為相同之內容。

Y _a01 ^x0中之3價之連結基，可列舉如：由前述Y _a01 ^x0中的2價之連結基去除1個氫原子而得之基、由前述2價之連結基再鍵結前述2價之連結基而得之基等。

Y _a01 ^x0中之4價之連結基，可列舉如：由前述Y _a01 ^x0中的2價之連結基去除2個氫原子而得之基等。

Y _a01 ^x0與W ³可形成縮合環。 Y _a01 ^x0與W ³形成縮合環時，該環結構，例如：脂環式烴與芳香族烴之縮合環等。Y _a01 ^x0與W ³所形成的縮合環，可具有雜原子。 Y _a01 ^x0與W ³所形成的縮合環中之脂環式烴之部份，可為單環亦可、多環亦可。 Y _a01 ^x0與W ³所形成的縮合環，可列舉如：由W ³部位的聚合性基與Y _a01 ^x0所形成的縮合環、由W ³部位的聚合性基以外的其他的基與Y _a01 ^x0所形成的縮合環等。具體而言，例如：環烯烴與芳香族環之2環縮合環、環烯烴與2個芳香族環之3環縮合環、具有取代基的聚合性基之環鏈烷與芳香族環之2環縮合環、具有取代基的聚合性基之環鏈烷與芳香族環之3環縮合環等。

Y _a01 ^x0與W ³所形成的縮合環，可具有取代基。該取代基，例如：甲基、乙基、丙基、羥基、羥烷基、羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、醯基、烷氧羰基、烷基羰氧基等。

以下為由Y _a01 ^x0與W ³所形成的縮合環之具體例示。W ^α表示聚合性基。＊＊表示與式(a0-3)所表示之基之鍵結鍵。

前述式(a0-3-2)中，Y _a02 ^x0為單鍵或(n _a02+1)價之連結基。Y _a02 ^x0，與上述Ya ^x0及Y _a01 ^x0所說明者為相同之內容。

前述式(a0-3-1)及(a0-3-2)中，n _a01及n _a02為1～3之整數；以1或2為佳，以1為較佳。

含有通式(a0-3)所表示之部份結構的結構單位(a0-3)，以下述通式(a0-3-1-1)所表示之化合物中，W ³部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-3-1-1)為較佳。

[式中，R ¹為碳數1～12之氟化烷基。R ²為可具有氟原子的碳數1～12之有機基或氫原子。W ³為含有聚合性基之基。Y _a01 ^x1為單鍵或2價之連結基；Y _a01 ^x2為可具有取代基之(n _a01+1)價之芳香族烴基。W ³與Y _a01 ^x1可形成縮合環、W ³與Y _a01 ^x1與Y _a01 ^x2亦可形成縮合環。n _a01為1～3之整數]

前述式(a0-3-1-1)中，R ¹及R ²與上述(a0-3)所說明者為相同之內容。

前述式(a0-3-1-1)中，W ³與上述(a0-3-1)及(a0-3-2)所說明者為相同之內容。

前述式(a0-3-1-1)中，Y _a01 ^x1為單鍵或2價之連結基，其與上述Ya ^x0及Y _a01 ^x0所說明者為相同之內容。

前述式(a0-3-1-1)中，Y _a01 ^x2為可具有取代基之(n _a01+1)價之芳香族烴基。 Y _a01 ^x2中之芳香族烴基，例如：由芳香環去除(n _a01+1)個氫原子而得之基等。此處所稱之芳香環，只要為具有4n+2個的π電子之環狀共軛系時，並未有特別之限定，其可為單環式或多環式皆可。芳香環之碳數以5～30為佳，以碳數5～20為較佳，以碳數6～15為更佳，以碳數6～12為特佳。芳香環，具體而言，例如：苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環，具體而言，例如：吡啶環、噻吩環等。

Y _a01 ^x2所可具有的取代基，例如：羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷氧羰基等。

前述式(a0-3-1-1)中，W ³與Y _a01 ^x1可形成縮合環、W ³與Y _a01 ^x1與Y _a01 ^x2亦可形成縮合環。W ³與Y _a01 ^x1所形成的縮合環、W ³與Y _a01 ^x1與Y _a01 ^x2所形成的縮合環，與前述式(a0-1)中之Y _a01 ^x0與W ³所形成的縮合環所說明者為相同之內容。

前述式(a0-3-1-1)中，n _a01為1～3之整數；以1或2為佳，以1為較佳。

以下為結構單位(a0-3)之具體例示。下述式中，R ^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

上述例示中，結構單位(a0-3)又以由化學式(a0-3-11)～(a0-3-18)所各別表示之結構單位所成之群所選出之至少1種為佳。該些之中，結構單位(a0-3)又以由具有芳香族烴基的化學式(a0-3-12)、(a0-3-14)所各別表示之結構單位所成之群所選出之至少1種為更佳。

(R ¹)成份所具有的結構單位(a0-3)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1c)成份中，結構單位(a0-3)之比例，相對於構成該(A1c)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以10～80莫耳%為佳，以10～65莫耳%為較佳，以10～50莫耳%為特佳。結構單位(a0-3)之比例，於前述較佳範圍的下限值以上時，可提高對顯影液之溶解性及對基板之密著性，於前述較佳範圍的上限值以下時，可容易取得與其他結構單位之平衡。

≪結構單位(a1)≫ (A1c)成份中，除結構單位(a0-3)以外，可具有結構單位(a1)。 (A1c)成份所具有的結構單位(a1)中之酸解離性基，並未有特別之限定，可列舉如：目前為止被提案作為化學增幅型阻劑用的基底樹脂之酸解離性基者。被提案作為化學增幅型阻劑用的基底樹脂之酸解離性基，具體而言，例如：上述「縮醛型酸解離性基」、「三級烷酯型酸解離性基」、「三級烷氧羰基酸解離性基」等。

結構單位(a1)，於上述之中，又以由α位的碳原子所鍵結的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生之結構單位為佳。該結構單位(a1)的較佳具體例如：下述通式(a1-1)或(a1-2)所表示之結構單位等。

[式中，R為氫原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基；Va ¹為可具有醚鍵結的2價之烴基；n _a1為0～2之整數；Ra ¹為上述通式(a1-r-1)或(a1-r-2)所表示之酸解離性基；Wa ¹為n _a2+1價之烴基，n _a2為1～3之整數；Ra ²為上述通式(a1-r-1)或(a1-r-3)所表示之酸解離性基]

前述式(a1-1)中，R、Va ¹，及n _a1，分別與上述通式(a1-1a-1)中之R、Va ¹，及n _a1為相同，其較佳例示亦分別為相同。前述式(a1-1)中，Ra ¹為上述式(a1-r-1)或(a1-r-2)所表示之酸解離性基。

前述式(a1-2)中，R、Wa ¹，及n _a2，分別與上述通式(a1-1a-2)中之R、Wa ¹，及n _a2為相同，其較佳例示亦分別為相同。前述式(a1-2)中，Ra ²為上述通式(a1-r-1)或(a1-r-3)所表示之酸解離性基。

以下為前述式(a1-1)所表示之結構單位的具體例示。以下各式中，R ^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

以下為前述式(a1-2)所表示之結構單位的具體例示。

(A1c)成份所具有的結構單位(a1)，可為1種亦可、2種以上亦可。結構單位(a1)，就更容易提高使用電子線或EUV進行微影蝕刻時之特性(感度、形狀等)等目的，以前述式(a1-1)所表示之結構單位為較佳。其中，結構單位(a1)，又以含有下述通式(a1-1-1)所表示之結構單位者為特佳。

[式中，Ra ¹”為通式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)或(a1-r2-4)所表示之酸解離性基]

前述式(a1-1-1)中，R、Va ¹及n _a1，與前述式(a1-1)中之R、Va ¹及n _a1為相同之內容。通式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)或(a1-r2-4)所表示之酸解離性基之說明，係如上述內容。

其中，結構單位(a1)，又以上述結構單位(a0-1a)或結構單位(a0-1b)為佳。

(A1c)成份所具有的結構單位(a1)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1c)成份中的結構單位(a1)之比例，相對於構成(A1c)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以5～80莫耳%為佳，以10～75莫耳%為較佳，以30～70莫耳%為更佳。結構單位(a1)之比例於下限值以上時，可提高感度、解析度，或改善粗糙度等的微影蝕刻特性。又，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

≪其他結構單位≫ (A1c)成份，可具有上述結構單位(a0-3)及結構單位(a1)以外的其他結構單位。其他結構單位，例如：上述之結構單位(a0-2)、結構單位(a2)(但，相當於結構單位(a1)者除外)、結構單位(a3)(但，結構單位(a0-2)、相當於結構單位(a1)或結構單位(a2)者除外)、結構單位(a9)、由苯乙烯所衍生之結構單位、由苯乙烯衍生物所衍生之結構單位(但，相當於結構單位(a0-2)者除外)、含有非酸解離性之脂肪族環式基之結構單位等。

結構單位(a0-2)： (A1c)成份，除結構單位(a0-3)，及結構單位(a1)以外，以再具有結構單位(a0-2)者為佳。結構單位(a0-2)，與上述[(A1a)成份]所說明的結構單位(a0-2)為相同，其較佳例示亦為相同。

(A1c)成份所具有的結構單位(a0-2)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1c)成份中，結構單位(a0-2)之比例，相對於構成該(A1c)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，例如為0～80莫耳%，又以10～80莫耳%為佳，以20～70莫耳%為較佳，以30～60莫耳%為特佳。結構單位(a0-2)之比例，於前述較佳範圍的下限值以上時，可提高感度、解析度，或改善粗糙度等的微影蝕刻特性。又，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

結構單位(a2)： (A1c)成份中，除結構單位(a0-3)及結構單位(a1)以外，可再具有結構單位(a2)(但，相當於結構單位(a1)者除外)。結構單位(a2)，與上述[(A1a)成份]所說明的結構單位(a2)為相同，其較佳例示亦為相同。結構單位(a2)之含內酯的環式基、含-SO ₂-之環式基或含碳酸酯之環式基，於(A1c)成份使用於阻劑膜之形成時，對於提高阻劑膜對基板的密著度上為有效之成份。又，具有結構單位(a2)時，具有可適當地調整酸的擴散長度、提高阻劑膜對基板的密著性，或適當地調整顯影時的溶解性等的效果，而可使微影蝕刻特性等更良好。

(A1c)成份所具有的結構單位(a2)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1c)成份具有結構單位(a2)時，結構單位(a2)之比例，相對於構成該(A1)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以1～50莫耳%為佳，以5～45莫耳%為較佳，以10～40莫耳%為更佳，以10～30莫耳%為特佳。結構單位(a2)之比例於較佳下限值以上時，因具有前述效果，故含有結構單位(a2)時，可得到充份的效果，於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

結構單位(a3)： (A1c)成份中，除結構單位(a0-3)及結構單位(a1)以外，可再具有結構單位(a3)(但，相當於結構單位(a1)、結構單位(a2)者除外)。結構單位(a3)，與上述[(A1a)成份]所說明的結構單位(a3)為相同，其較佳例示亦為相同。 (A1c)成份具有結構單位(a3)時，可期待提高(A)成份的親水性、解析度。又，可適當地調整酸的擴散長度。

(A1c)成份所具有的結構單位(a3)可為1種或2種以上皆可。 (A1c)成份具有結構單位(a3)時，相對於構成該(A1)成份的成全結構單位之合計，以1～40莫耳%為佳，以2～30莫耳%為較佳，以5～25莫耳%為更佳，以5～20莫耳%為特佳。結構單位(a3)之比例於較佳的下限值以上時，含有結構單位(a3)時，可得到充份的效果，另一方面，於較佳的上限值以下時，可容易取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

結構單位(a9)： (A1c)成份中，亦可具有結構單位(a9)。結構單位(a9)，與上述[(A1a)成份]所說明的結構單位(a9)為相同，其較佳例示亦為相同。

(A1c)成份所含有的結構單位(a9)，可為1種亦可、2種以上亦可。 (A1c)成份含有結構單位(a9)時，結構單位(a9)之比例，相對於構成該(A1)成份的全結構單位之合計(100莫耳%)，以1～40莫耳%為佳，以3～30莫耳%為較佳，以5～25莫耳%為更佳，以10～20莫耳%為特佳。結構單位(a9)之比例於下限值以上時，可得到例如：適當地調整酸的擴散長度、提高阻劑膜對基板的密著性、適當地調整顯影時的溶解性，或提高耐蝕刻性等的效果；於上限值以下時，可取得與其他結構單位之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

阻劑組成物所含有的(A1c)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。本實施形態之阻劑組成物中，(A1)成份的樹脂成份，為具有結構單位(a0-3)者，其可單獨使用1種聚合物，或將2種以上合併使用皆可。例如：(A1c)成份，以含有結構單位(a0-3)，與必要時具有的其他結構單位之共聚物(以下，該共聚物亦稱為「(A1c-1)成份」)為較佳例示。

較佳的(A1c-1)成份，例如：由結構單位(a0-3)與結構單位(a1)之重複結構所形成的高分子化合物、由結構單位(a0-3)與結構單位(a2)之重複結構所形成的高分子化合物、具有結構單位(a0-3)與結構單位(a0-2)與其他結構單位之重複結構的高分子化合物、由結構單位(a0-3)與結構單位(a1)與結構單位(a2)之重複結構所形成的高分子化合物、由結構單位(a0-3)與結構單位(a1)與結構單位(a0-2)之重複結構所形成的高分子化合物等。其他結構單位，以結構單位(a1)為佳，以結構單位(a1)及(a10)、結構單位(a1)及(a2)，或結構單位(a1)及(a0-2)之組合為較佳。結構單位(a1)，以結構單位(a0-1a)或結構單位(a0-1b)為佳。

該(A1c)成份，可將衍生各結構單位的單體溶解於聚合溶劑中，再於其中，加入例如偶氮雙異丁腈(AIBN)、偶氮雙異丁酸二甲酯(例如V-601等)等的自由基聚合起始劑，使其進行聚合等反應等而製得。或該(A1c)成份，可將衍生結構單位(a0-3)的前驅物單體，與必要時添加的可衍生該些以外的結構單位之單體，溶解於聚合溶劑中，再於其中加入上述的自由基聚合起始劑進行聚合，隨後，再進行去保護反應等而製得。

(A1c)成份之質量平均分子量(Mw)(凝膠滲透色層分析(GPC)之聚苯乙烯換算基準)，並未有特別之限定，又以1000～50000為佳，以2000～30000為較佳，以3000～20000為更佳。 (A1c)成份的Mw於此範圍的較佳上限值以下時，作為阻劑使用時，對阻劑溶劑具有充份的溶解性，於此範圍的較佳下限值以上時，可得到良好的耐乾蝕刻性或阻劑圖型斷面形狀。 (A1c)成份之分散度(Mw/Mn)，並未有特別之限定，又以1.0～4.0為佳，以1.0～3.0為較佳，1.1～2.0為特佳。又，Mn表示數平均分子量。

・(A2c)成份本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份可併用不相當於前述(A1c)成份，且經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份(以下，亦稱為「(A2c)成份」)。 (A2c)成份，並未有特別之限定，其可任意選擇使用以往已知作為作學增幅型阻劑組成物用的基材成份之多數成份。 (A2c)成份，可單獨使用1種高分子化合物或低分子化合物，或將2種以上組合使用皆可。

(A)成份中，(A1c)成份之比例，相對於(A)成份的總質量，以25質量%以上為佳，以50質量%以上為較佳，以75質量%以上為更佳，亦可為100質量%。該比例為25質量%以上時，容易形成具有高感度化或解析度、改善粗糙度等各種優良微影蝕刻特性的阻劑圖型。該些效果，於電子線或EUV進行的微影蝕刻中為特別顯著。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份為含有(A1)成份。(A1)成份，可為上述(A1a)成份亦可、(A1b)成份亦可、(A1c)成份亦可，或將2種以上的該些成份組合使用亦可。本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份可合併使用不相當於(A1)成份，且經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份(以下，亦稱為「(A2)成份」)。(A2)成份，為不相當於(A1a)成份、(A1b)成份，及(A1c)成份之任一者的基材成份。 (A2)成份，並未有特別之限定，其可任意選擇使用以往已知作為作學增幅型阻劑組成物用的基材成份之多數成份。 (A2)成份，可單獨使用1種高分子化合物或低分子化合物，或將2種以上組合使用皆可。

(A)成份中，(A1)成份之比例，相對於(A)成份的總質量，以25質量%以上為佳，以50質量%以上為較佳，以75質量%以上為更佳，亦可為100質量%。該比例為25質量%以上時，容易形成具有高感度化或解析度、改善粗糙度等各種優良微影蝕刻特性的阻劑圖型。該些效果，於電子線或EUV進行的微影蝕刻中為特別顯著。

＜化合物(BD1)＞本實施形態之阻劑組成物中，(BD1)成份，為由下述通式(bd1)所表示之陰離子部與陽離子部所形成的化合物。

・陰離子部前述式(bd1)中，Rx ¹～Rx ⁴，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構； Ry ¹～Ry ²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構； Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；

Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中之烴基，可分別為脂肪族烴基亦可、芳香族烴基亦可，環狀之烴基亦可、鏈狀之烴基亦可。例如：Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中，可具有取代基之烴基，可列舉如：可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基等。

可具有取代基之環式基：該環式基，以環狀之烴基為佳，該環狀之烴基，可為芳香族烴基亦可、脂肪族烴基亦可。脂肪族烴基，為不具有芳香族性的烴基之意。又，脂肪族烴基，可為飽和亦可、不飽和亦可，一般以飽和為佳。又，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中的環狀之烴基，可如雜環般含有雜原子。

Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中之芳香族烴基，為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基之碳數，以3～30為佳，以碳數5～30為較佳，以碳數5～20為更佳，以碳數6～15為特佳，以碳數6～12為最佳。但，該碳數為不包含取代基中之碳數者。 Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中之芳香族烴基所具有的芳香環，具體而言，例如：苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯，或構成該些芳香環的碳原子中之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉如：氧原子、硫原子、氮原子等。Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中之芳香族烴基所具有的芳香環，就與(A)成份的相溶性之觀點，以不含有雜原子者為佳，以苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯等之芳香環為較佳。 Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中之芳香族烴基，具體而言，例如：由前述芳香環去除1個氫原子而得之基(芳基例如：苯基、萘基等)、前述芳香環中之1個氫原子被伸烷基取代而得之基(例如：苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳烷基等)等。前述伸烷基(芳烷基中之烷鏈)之碳數，以1～4為佳，以碳數1～2為較佳，以碳數1為特佳。

Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中之環狀脂肪族烴基，例如：結構中含有環之脂肪族烴基等。該結構中含有環之脂肪族烴基，可列舉如：脂環式烴基(由脂肪族烴環去除1個氫原子而得之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀脂肪族烴基末端之基、脂環式烴基介於直鏈狀或支鏈狀脂肪族烴基中途之基等。前述脂環式烴基，以碳數3～20為佳，以碳數3～12為較佳。前述脂環式烴基，可為多環式基亦可、單環式基亦可。單環式之脂環式烴基，以由單環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基為佳。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，以由多環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基為佳，該多環鏈烷，以碳數7～30者為佳。其中，該多環鏈烷，又以金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等交聯環系的具有多環式骨架之多環鏈烷；具有膽固醇骨架的環式基等縮合環系的具有多環式骨架之多環鏈烷為較佳。

其中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中之環狀之脂肪族烴基，以由單環鏈烷或多環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基為佳，以由單環鏈烷去除1個氫原子而得之基為較佳，以由環戊烷或環己烷去除1個氫原子而得之基為特佳。

可鍵結於脂環式烴基的直鏈狀之脂肪族烴基，以碳數1～10為佳，以碳數1～6為較佳，以碳數1～4為更佳，以碳數1～3為最佳。直鏈狀之脂肪族烴基，以直鏈狀之伸烷基為佳，具體而言，例如：伸甲基[-CH ₂-]、伸乙基[-(CH ₂) ₂-]、伸三甲基[-(CH ₂) ₃-]、伸四甲基[-(CH ₂) ₄-]、伸五甲基[-(CH ₂) ₅-]等。可鍵結於脂環式烴基的支鏈狀之脂肪族烴基，以碳數2～10為佳，以碳數3～6為較佳，以碳數3或4為更佳，以碳數3為最佳。支鏈狀之脂肪族烴基，以支鏈狀之伸烷基為佳，具體而言，例如：-CH(CH ₃)-、-CH(CH ₂CH ₃)-、 -C(CH ₃) ₂-、-C(CH ₃)(CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₃)(CH ₂CH ₂CH ₃)-、 -C(CH ₂CH ₃) ₂-等的烷基伸甲基；-CH(CH ₃)CH ₂-、 -CH(CH ₃)CH(CH ₃)-、-C(CH ₃) ₂CH ₂-、-CH(CH ₂CH ₃)CH ₂-、 -C(CH ₂CH ₃) ₂-CH ₂-等的烷基伸乙基；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-、 -CH ₂CH(CH ₃)CH ₂-等的烷基伸三甲基； -CH(CH ₃)CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-等的烷基伸四甲基等的烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，例如：以碳數1～5之直鏈狀之烷基為佳。

又，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴之該環式基，可列舉如：於-COOR ^XYZ、-OC(=O)R ^XYZ中，R ^XYZ為含內酯的環式基、含碳酸酯之環式基或含-SO ₂-之環式基者。

Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴等環式基中的取代基，可列舉如：烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、硝基、羰基等。作為取代基之烷基，以碳數1～5之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。作為取代基之烷氧基，以碳數1～5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。作為取代基之鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。作為取代基之鹵化烷基，例如碳數1～5之烷基，如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等的氫原子中之一部份或全部被前述鹵素原子取代而得之基等。作為取代基之羰基，為取代構成環狀烴基的伸甲基( -CH ₂-)之基。其中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴的環式基中之取代基，就與(A)成份的相溶性之觀點，以烷基、鹵素原子、鹵化烷基等為佳，以烷基為較佳。

可具有取代基之鏈狀烷基： Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴的鏈狀之烷基，可為直鏈狀或支鏈狀之任一者皆可。直鏈狀之烷基，以碳數1～20為佳，以碳數1～15為較佳，以碳數1～10為最佳。具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、異十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、異十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基等。支鏈狀之烷基，以碳數3～20為佳，以碳數3～15為較佳，以碳數3～10為最佳。具體而言，例如：1-甲乙基、1,1-二甲乙基、1-甲丙基、2-甲丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

可具有取代基之鏈狀烯基： Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴的鏈狀之烯基，可為直鏈狀或支鏈狀之任一者皆可，又以碳數2～10為佳，以碳數2～5為較佳，以碳數2～4為更佳，以碳數3為特佳。直鏈狀之烯基，例如：乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁炔基等。支鏈狀之烯基，例如：1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。鏈狀之烯基，於上述之中，又以直鏈狀之烯基為佳，以乙烯基、丙烯基為較佳，以乙烯基為特佳。

Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴的鏈狀之烷基或烯基中的取代基，例如：烷氧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中的環式基等。其中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴的鏈狀之烷基或烯基中的取代基，就與(A)成份的相溶性之觀點，例如：以鹵素原子、鹵化烷基、上述Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中被列舉作為環式基之基等為佳，以上述Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中被列舉作為環式基之基為較佳。

Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中之烴基，於上述烴基之中，又以可具有取代基之環式基、可具有取代基的鏈狀之烷基為佳。

前述式(bd1)中，Ry ¹～Ry ²，可相互鍵結形成環結構；該Ry ¹～Ry ²所形成的環結構，為共有式(bd1)中的六員環之一邊(Ry ¹及Ry ²為各自鍵結的碳原子之間的鍵結)的環結構，該環結構可為脂環式烴亦可、芳香族烴亦可。又，該環結構，亦可為與其以外的環結構所形成的多環結構。

Ry ¹～Ry ²所形成的脂環式烴，可為多環亦可、單環亦可。該單環的脂環式烴，以單環鏈烷為佳。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環的脂環式烴，以多環鏈烷為佳。該多環鏈烷，以碳數7～30者為佳，具體而言，以金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等交聯環系的具有多環式骨架之多環鏈烷；具有膽固醇骨架的環式基等縮合環系的具有多環式骨架之多環鏈烷為較佳。

Ry ¹～Ry ²所形成的芳香族烴環，可列舉如：苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯，或構成該些芳香環的碳原子中之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。Ry ¹～Ry ²所形成的芳香族烴環，就與(A)成份的相溶性之觀點，以不含有雜原子者為佳，以苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯等之芳香環為較佳。

Ry ¹～Ry ²所形成的環結構(脂環式烴、芳香族烴)，可具有取代基。此處之取代基，例如與上述Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴之環式基中之取代基(例如：烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、硝基、羰基等)為相同之內容。其中，Ry ¹～Ry ²所形成的環結構中之取代基，就與(A)成份的相溶性之觀點，以烷基、鹵素原子、鹵化烷基等為佳，以烷基為較佳。

Ry ¹～Ry ²所形成的環結構，其中，就縮短曝光所產生之酸的擴散度、酸擴散的控制性等觀點，又以可具有取代基的芳香族烴為較佳。

前述式(bd1)中，Rz ¹～Rz ⁴中之2個以上可相互鍵結形成環結構；例如：Rz ¹可與Rz ²～Rz ⁴之任一者共同形成環結構。具體而言，例如：共有式(bd1)中的六員環之一邊(Rz ¹與Rz ²所鍵結的碳原子，與Rz ³與Rz ⁴所鍵結的碳原子之鍵結)的環結構、Rz ¹與Rz ²鍵結而形成的環結構、Rz ³與Rz ⁴鍵結而形成的環結構等。該Rz ¹～Rz ⁴中的2個以上所形成的環結構，可為脂環式烴亦可、芳香族烴亦可，又以芳香族烴為特佳。又，該環結構，亦可為與其以外的環結構所形成的多環結構。

Rz ¹～Rz ⁴中的2個以上所形成的脂環式烴，可為多環亦可、單環亦可。該單環的脂環式烴，以單環鏈烷為佳。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環的脂環式烴，以多環鏈烷為佳。該多環鏈烷，以碳數7～30者為佳，具體而言，以金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等交聯環系的具有多環式骨架之多環鏈烷；具有膽固醇骨架的環式基等縮合環系的具有多環式骨架之多環鏈烷為較佳。亦可為碳原子的一部份被雜原子取代而得的雜環結構，又以含氮雜環為特佳，具體例如：環狀醯亞胺等。

Rz ¹～Rz ⁴中的2個以上所形成的芳香族烴環，可列舉如：苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯，或構成該些芳香環的碳原子中之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。Rz ¹～Rz ⁴中的2個以上所形成的芳香族烴環，就與(A)成份的相溶性之觀點，以不含有雜原子者為佳，以苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯等之芳香環為較佳。

Rz ¹～Rz ⁴所形成的環結構(脂環式烴、芳香族烴)，可具有取代基。此處之取代基，例如與上述Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴之環式基中之取代基(例如：烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、硝基、羰基等)為相同之內容。其中，Rz ¹～Rz ⁴所形成的環結構中之取代基，就與(A)成份的相溶性之觀點，以烷基、鹵素原子、鹵化烷基等為佳，以烷基為較佳。

Rz ¹～Rz ⁴中的2個以上所形成的環結構，其中，就控制經由曝光而產生之酸的擴散性之觀點，以共有式(bd1)中的六員環之一邊(Rz ¹與Rz ²所鍵結的碳原子，與Rz ³與Rz ⁴所鍵結的碳原子之鍵結)的環結構為佳，以芳香環結構為較佳。

又，前述式(bd1)中，「於原子價容許時」係如以下所述內容。即，Rz ¹與Rz ²所鍵結的碳原子，與Rz ³與Rz ⁴所鍵結的碳原子，所形成的鍵結為單鍵時，則Rz ¹、Rz ²、Rz ³與Rz ⁴為全部存在。Rz ¹與Rz ²所鍵結的碳原子，與Rz ³與Rz ⁴所鍵結的碳原子，所形成的鍵結為雙鍵時，Rz ¹或Rz ²僅存在其中之一者，且，Rz ³與Rz ⁴僅存在其中之一者。又，例如Rz ¹與Rz ³鍵結形成芳香環結構時，則不存在Rz ²與Rz ⁴。

前述式(bd1)中，Rx ¹～Rx ⁴中之2個以上可相互鍵結形成環結構；例如：Rx ¹可與Rx ²～Rx ⁴之任一者共同形成環結構。該Rx ¹～Rx ⁴中的2個以上所形成的環結構，可為脂環式烴亦可、芳香族烴亦可。又，該環結構，亦可為與其以外的環結構所形成的多環結構。

Rx ¹～Rx ⁴中的2個以上所形成的脂環式烴，可為多環亦可、單環亦可。該單環的脂環式烴，以單環鏈烷為佳。該單環鏈烷，以碳數3～6者為佳，具體而言，例如：環戊烷、環己烷等。多環的脂環式烴，以多環鏈烷為佳。該多環鏈烷，以碳數7～30者為佳，具體而言，以金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等交聯環系的具有多環式骨架之多環鏈烷；具有膽固醇骨架的環式基等縮合環系的具有多環式骨架之多環鏈烷為較佳。

Rx ¹～Rx ⁴中的2個以上所形成的芳香族烴環，可列舉如：苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯，或構成該些芳香環的碳原子中之一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。Rx ¹～Rx ⁴中的2個以上所形成的芳香族烴環，就與(A)成份的相溶性之觀點，以不含有雜原子者為佳，以苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯等之芳香環為較佳。

Rx ¹～Rx ⁴所形成的環結構(脂環式烴、芳香族烴)，可具有取代基。此處之取代基，例如與上述Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴之環式基中之取代基(例如：烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、硝基、羰基等)為相同之內容。其中，Rx ¹～Rx ⁴所形成的環結構中之取代基，就與(A)成份的相溶性之觀點，以烷基、鹵素原子、鹵化烷基等為佳，以烷基為較佳。

Rx ¹～Rx ⁴中的2個以上所形成的環結構，其中，就控制酸的擴散性之觀點，以脂環式烴為佳。又，Rx ¹～Rx ⁴中的2個以上所形成的環結構，其中，就控制酸的擴散性之觀點，又以前述Rx ¹～Rx ²中的至少1個，與前述Rx ³～Rx ⁴中的至少1個，相互鍵結而形成交聯的環結構者為佳，又以該環結構為脂環式烴者為較佳。

前述Rx ¹～Rx ²中的至少1個，與前述Rx ³～Rx ⁴中的至少1個，相互鍵結形成環結構時，構成二環式結構(亦包含Ry ¹、Ry ²、Rz ¹與Rz ²、Rz ³與Rz ⁴相互鍵結之碳原子的環結構)之碳數，以7～16為佳。

前述式(bd1)中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子；n為1以上之整數。 (BD1)成份，可經由選擇分子內的陰離子基之方式，可於阻劑組成物中，作為可產生對基材成份(A)發生作用的酸之酸產生劑成份(B)，或作為捕集經由曝光而由(B)成份產生之酸(控制酸之擴散)的鹼成份(D)之作用。 (BD1)成份中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴可分別為前述的陰離子基。(BD1)成份中，Rx ¹～Rx ⁴中的2個以上相互鍵結形成環結構時，形成該環結構的碳原子或該碳原子鍵結的氫原子，可被前述陰離子基所取代。Ry ¹～Ry ²中的2個以上相互鍵結形成環結構時，形成該環結構的碳原子或該碳原子鍵結的氫原子，可被前述陰離子基所取代。Rz ¹～Rz ⁴中的2個以上相互鍵結形成環結構時，形成該環結構的碳原子或該碳原子鍵結的氫原子，可被前述陰離子基所取代。

Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴所具有的陰離子基，可列舉如：具有磺酸陰離子結構、羧酸陰離子結構、醯亞胺陰離子結構、甲基化陰離子(Methide Anion)結構、碳陰離子結構、硼酸陰離子結構、鹵素陰離子結構、磷酸陰離子結構、銻酸陰離子結構、砷酸陰離子結構等者。該些之中，又以具有磺酸陰離子結構者、具有羧酸陰離子結構者為佳。

前述具有羧酸陰離子的陰離子基，例如：以＊-V’ ¹⁰-COO ^-(V’ ¹⁰為單鍵或碳數1～20之伸烷基)為較佳之例示。

前述具有磺酸陰離子結構的陰離子基，例如：以＊-V’ ¹¹-SO ₃ ^-(V’ ¹¹為單鍵或碳數1～20之伸烷基)及下述通式(bd1-r-an1)所表示之陰離子基為較佳。式(bd1-r-an1)中，＊表示鍵結鍵。＊表示與Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴鍵結的碳原子之鍵結鍵之意。

[式中，R ^b01表示碳數1～5之氟化烷基或氟原子。V ^b01表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。Y ^b01表示2價之連結基或單鍵]。

前述式(bd1-r-an1)中，R ^b01表示碳數1～5之氟化烷基或氟原子。R ^b01以碳數1～5之全氟烷基或氟原子為佳，以氟原子為較佳。

前述式(bd1-r-an1)中，V ^b01表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。 V ^b01中之伸烷基、氟化伸烷基，各自以碳數1～4為佳，以碳數1～3為較佳。V ^b01中之氟化伸烷基，例如：伸烷基之氫原子中之一部份或全部被氟原子取代而得之基等。其中，V ^b01又以碳數1～4之伸烷基、碳數1～4之氟化伸烷基或單鍵為佳。

前述式(bd1-r-an1)中，Y ^b01表示2價之連結基或單鍵。 Y ^b01中的2價之連結基，例如：以含有氧原子的2價之連結基為較佳之例示。 Y ^b01為含有氧原子的2價之連結基時，該Y ^b01亦可含有氧原子以外的原子。氧原子以外的原子，可列舉如：碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。含有氧原子的2價之連結基，例如：氧原子(醚鍵結：-O-)、酯鍵結(-C(=O)-O-)、氧羰基(-O-C(=O)-)、醯胺鍵結(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)、碳酸酯鍵結(-O-C(=O)-O-)等的非烴系中的含有氧原子之連結基；該非烴系中的含有氧原子之連結基與伸烷基之組合等。該組合中，可再連結磺醯基(-SO ₂-)。該含有氧原子的2價之連結基，例如：下述通式(y-al-1)～(y-al-8)分別表示之連結基等。

[式中，V’ ¹⁰¹為單鍵或碳數1～5之伸烷基；V’ ¹⁰²為碳數1～30的2價飽和烴基]

V’ ¹⁰²中的2價之飽和烴基，以碳數1～30之伸烷基為佳，以碳數1～10之伸烷基為較佳，以碳數1～5之伸烷基為更佳。

V’ ¹⁰¹及V’ ¹⁰²中之伸烷基，可為直鏈狀之伸烷基亦可、支鏈狀之伸烷基亦可，又以直鏈狀之伸烷基為佳。 V’ ¹⁰¹及V’ ¹⁰²中之伸烷基，具體而言，例如：伸甲基[ -CH ₂-]；-CH(CH ₃)-、-CH(CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₃) ₂-、 -C(CH ₃)(CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₃)(CH ₂CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₂CH ₃) ₂-等的烷基伸甲基；伸乙基[-CH ₂CH ₂-]；-CH(CH ₃)CH ₂-、 -CH(CH ₃)CH(CH ₃)-、-C(CH ₃) ₂CH ₂-、-CH(CH ₂CH ₃)CH ₂-等的烷基伸乙基；伸三甲基(n-伸丙基)[-CH ₂CH ₂CH ₂-]； -CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH(CH ₃)CH ₂-等的烷基伸三甲基；伸四甲基[-CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂-]；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂CH ₂-、 -CH ₂CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-等的烷基伸四甲基；伸五甲基[ -CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂-]等。又，V’ ¹⁰¹或V’ ¹⁰²中，前述伸烷基中的一部份之伸甲基，可被碳數5～10的2價脂肪族環式基所取代。該脂肪族環式基，以伸環己基、1,5-伸金剛烷基、2,6-伸金剛烷基為佳。

Y ^b01以含有酯鍵結的2價之連結基，或含有醚鍵結的2價之連結基為佳，以上述式(y-al-1)～(y-al-6)分別表示之連結基為較佳。

前述式(bd1-r-an1)所表示之陰離子基的具體例，例如： Y ^b01為單鍵時，可列舉如：-CH ₂CF ₂SO ₃ ^-、-CF ₂CF ₂SO ₃ ^-、三氟甲烷磺酸酯陰離子或全氟丁烷磺酸酯陰離子等的氟化烷基磺酸酯陰離子。 Y ^b01為含有氧原子的2價之連結基時，可列舉如：下述式(bd1-r-an11)～(bd1-r-an13)之任一者所表示之陰離子。

[式中，V” ¹⁰¹為單鍵、碳數1～4之伸烷基，或碳數1～4之氟化伸烷基；R ¹⁰²為氟原子或碳數1～5之氟化烷基；v”各別獨立為0～3之整數；q”各別獨立為1～20之整數；n”為0或1]

前述式(bd1-r-an11)～(bd1-r-an13)中，V” ¹⁰¹為單鍵、碳數1～4之伸烷基，或碳數1～4之氟化伸烷基；V” ¹⁰¹以單鍵、碳數1之伸烷基(伸甲基)，或碳數1～3之氟化伸烷基為佳。

前述式(bd1-r-an11)～(bd1-r-an13)中，R ¹⁰²為氟原子或碳數1～5之氟化烷基；R ¹⁰²以碳數1～5之全氟烷基或氟原子為佳，以氟原子為較佳。

前述式(bd1-r-an11)～(bd1-r-an13)中，v”為0～3之整數，較佳為0或1。 q”為1～20之整數，較佳為1～10之整數，更佳為1～5之整數，更佳為1、2或3，特佳為1或2。 n”為0或1，較佳為0。

(BD1)成份中，陰離子基之數，可為1個亦可、2個以上亦可，又以1個為佳。 (BD1)成份，為而使陰離子部全體為n價之陰離子。n為1以上之整數；以1或2為佳，以1為較佳。

(BD1)成份中之陰離子部，就控制酸的擴散性之觀點，以下述通式(bd1-an1)所表示之陰離子為佳。

[式中，Rx ⁵～Rx ⁶各別獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子；Rx ⁷～Rx ⁸，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；p為1或2；p=2時，複數的Rx ⁷～Rx ⁸可互相為相異者；Ry ¹～Ry ²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；為雙鍵或單鍵；Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx ⁵～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子；n為1以上之整數]

前述式(bd1-an1)中，Rx ⁵～Rx ⁶各別獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子；Rx ⁵～Rx ⁶中，可具有取代基之烴基，與上述的前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴中，可具有取代基之烴基的說明為相同之內容。

前述式(bd1-an1)中，Rx ⁷～Rx ⁸，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；該Rx ⁷～Rx ⁸，與上述的前述式(bd1)的Rx ¹～Rx ⁴之說明為相同之內容。

前述式(bd1-an1)中，p為1或2；p=2時，複數的Rx ⁷～Rx ⁸可互相為相異者；通式(bd1-an1)所表示之陰離子中，p=1時，為具有雙環庚烷環之結構；p=2時，為具有雙環辛烷環之結構。

前述式(bd1-an1)中，Ry ¹～Ry ²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；該Ry ¹～Ry ²，與上述的前述式(bd1)的Ry ¹～Ry ²為相同之內容。 Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；該Rz ¹～Rz ⁴，與上述的前述式(bd1)的Rz ¹～Rz ⁴為相同之內容。

但，前述式(bd1-an1)中，Rx ⁵～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子；n為1以上之整數。

上述之中，(BD1)成份中之陰離子部，就控制酸的擴散性之觀點，又以前述式(bd1-an1)中的p=2所表示之陰離子，即，以下述通式(bd1-an2)所表示之陰離子為較佳。

[式中，Rx ⁵～Rx ⁶各別獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子；複數的Rx ⁷～Rx ⁸，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；Ry ¹～Ry ²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；為雙鍵或單鍵；Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx ⁵～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子；n為1以上之整數]

前述式(bd1-an2)中，Rx ⁵～Rx ⁶、Rx ⁷～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴，與上述內容的前述式(bd1-an1)中之Rx ⁵～Rx ⁶、Rx ⁷～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴分別為相同之內容。

但，前述式(bd1-an2)中，Rx ⁵～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子；n為1以上之整數。

前述之式(bd1)、式(bd1-an1)、式(bd1-an2)中，Ry ¹～Ry ²就縮短經由曝光而產生的酸之擴散、控制酸的擴散性之觀點，以相互鍵結形成環結構者為佳，所形成的環結構，以可具有取代基的芳香族烴(芳香環、芳香族雜環)為較佳。

前述之式(bd1)、式(bd1-an1)、式(bd1-an2)中，Rz ¹～Rz ⁴就控制經由曝光而產生的酸的擴散性之觀點，以相互鍵結形成環結構者為佳，以所形成的環結構，為共有式中的六員環之一邊(Rz ¹與Rz ²所鍵結的碳原子，與Rz ³與Rz ⁴所鍵結的碳原子之鍵結)的環結構為佳，以可具有取代基之芳香族烴(芳香環、芳香族雜環)為較佳。

前述之式(bd1-an1)、式(bd1-an2)中，Rx ⁷～Rx ⁸就縮短經由曝光而產生的酸之擴散、控制酸的擴散性之觀點，以相互鍵結形成環結構者為佳，所形成的環結構，以可具有取代基的芳香族烴(芳香環、芳香族雜環)為較佳。前述式(bd1-an2)中，Rx ⁷～Rx ⁸中所形成的環結構，以共有式中的六員環之一邊(Rx ⁷及Rx ⁸所鍵結的同一個碳原子之間的鍵結)的環結構為佳，以可具有取代基之芳香族烴(芳香環、芳香族雜環)為較佳。

前述之式(bd1-an2)所表示之陰離子全體中，於該Rx ⁷～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴的各個基團中，其相互鍵結所形成的環結構之個數，可為1個或2個以上皆可，又以2個或3個為佳。

特別是(BD1)成份中的陰離子部，以下述通式(bd1-an3)所表示之陰離子為較佳之例示。

[式中，Rx ⁵～Rx ⁶各別獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子；為雙鍵或單鍵；Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx ⁵～Rx ⁶與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子；n為1以上之整數；R ⁰²¹為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基或硝基；n1為1～3之整數；n11為0～8之整數；R ⁰²²為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基或硝基；n2為1～3之整數；n21為0～8之整數]

前述式(b1-an3)中，Rx ⁵～Rx ⁶、Rz ¹～Rz ⁴，與前述式(b1-an1)中之Rx ⁵～Rx ⁶、Rz ¹～Rz ⁴分別為相同之內容。

前述式(b1-an3)中，R ⁰²¹為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基或硝基； R ⁰²¹中之烷基，以碳數1～5之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。 R ⁰²¹中之烷氧基，以碳數1～5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。 R ⁰²¹中之鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。 R ⁰²¹中之鹵化烷基，例如：碳數1～5之烷基，例如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等的氫原子中之一部份或全部被前述鹵素原子取代而得之基等。其中，R ⁰²¹就與(A)成份的相溶性之觀點，又以烷基、鹵素原子、鹵化烷基等為佳，以烷基為較佳。

前述式(b1-an3)中，n1為1～3之整數，較佳為1或2，特佳為1。前述式(b1-an3)中，n11為0～8之整數，較佳為0～4之整數，更佳為0、1或2，特佳為0或1。

前述式(b1-an3)中，R ⁰²²為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基或硝基，其分別與前述的R ⁰²¹為相同之內容。其中，R ⁰²²就與(A)成份的相溶性之觀點，又以烷基、鹵素原子、鹵化烷基等為佳，以烷基為較佳。前述式(b1-an3)中，n2為1～3之整數，較佳為1或2，特佳為1。前述式(b1-an3)中，n21為0～8之整數，較佳為0～4之整數，更佳為0、1或2，特佳為0或1。

但，前述式(b1-an3)中，Rx ⁵～Rx ⁶與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子；n為1以上之整數。陰離子基，例如：以由上述＊-V’ ¹⁰-COO ^-(V’ ¹⁰為單鍵或碳數1～5之伸烷基)、通式(bd1-r-an1)所表示之陰離子基為較佳。

前述之式(bd1)、式(bd1-an1)、式(bd1-an2)、式(b1-an3)中，就使本發明效果更優良之觀點，前述Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個，以具有陰離子基者為佳。前述Rz ¹～Rz ⁴中的2個以上相互鍵結形成環結構時，形成該環結構的碳原子或該碳原子鍵結的氫原子，可被前述陰離子基所取代。

或，前述之式(bd1-an1)、式(bd1-an2)、式(b1-an3)中，就使本發明效果更優良之觀點，前述Rx ⁵～Rx ⁶中的至少1個，以具有陰離子基者為佳。

或，前述之式(bd1-an1)、式(bd1-an2)、式(b1-an3)中，就使本發明效果更優良之觀點，前述Rx ⁵～Rx ⁶與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個，以具有陰離子基者為佳。

以下為記載化合物(BD1)中的陰離子部之具體例。

・陽離子部((M ^m+) _1/m) 前述式(bd1)中，M ^m+表示m價之有機陽離子。m為1以上之整數。

M ^m+之有機陽離子，以鋶陽離子、錪陽離子為佳。又，(BD1)成份作為鹼成份(D)使用時，亦可使用例如銨陽離子等。

較佳的陽離子部((M ^m+) _1/m)，可列舉如：下述通式(ca-1)～(ca-4)所各別表示之有機陽離子。

[式中，R ²⁰¹～R ²⁰⁷及R ²¹¹～R ²¹²各別獨立表示：可具有取代基之芳基、可具有取代基之烷基，或可具有取代基之烯基；R ²⁰¹～R ²⁰³、R ²⁰⁶～R ²⁰⁷、R ²¹¹～R ²¹²可分別相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環；R ²⁰⁸～R ²⁰⁹各別獨立表示氫原子或碳數1～5之烷基，或相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環；R ²¹⁰為可具有取代基之芳基、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基，或可具有取代基之含-SO ₂-之環式基；L ²⁰¹表示-C(=O)-或-C(=O)-O-；複數個Y ²⁰¹各別獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基；x為1或2；W ²⁰¹表示(x+1)價之連結基]。

R ²⁰¹～R ²⁰⁷及R ²¹¹～R ²¹²中之芳基，可列舉如：碳數6～20之芳基等，又以苯基、萘基為佳。 R ²⁰¹～R ²⁰⁷及R ²¹¹～R ²¹²中之烷基，例如：以鏈狀或環狀之烷基，且為碳數1～30者為佳。 R ²⁰¹～R ²⁰⁷及R ²¹¹～R ²¹²中之烯基，例如：以碳數2～10者為佳。 R ²⁰¹～R ²⁰⁷及R ²¹¹～R ²¹²可具有的取代基，例如：烷基、鹵素原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、下述通式(ca-r-1)～(ca-r-7)所分別表示之基等。

[式中，R’ ²⁰¹各別獨立為：氫原子、可具有取代基之環式基、可具有取代基的鏈狀之烷基，或可具有取代基的鏈狀之烯基]

R’ ²⁰¹之可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀之烷基，或可具有取代基的鏈狀之烯基，除與上述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴之說明為相同內容外，可具有取代基之環式基或可具有取代基的鏈狀之烷基，又例如與上述式(a1-r-2)所表示之酸解離性基為相同之內容。

R ²⁰¹～R ²⁰³、R ²⁰⁶～R ²⁰⁷、R ²¹¹～R ²¹²可分別相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環； R ²⁰¹～R ²⁰³、R ²⁰⁶～R ²⁰⁷、R ²¹¹～R ²¹²分別相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環時，於鏈中可介由硫原子、氧原子、氮原子等的雜原子，或羰基、-SO-、-SO ₂-、-SO ₃-、-COO-、-CONH-或-N(R _N)-(該R _N為碳數1～5之烷基)等的官能基形成鍵結。所形成之環，於式中的硫原子包含於該環骨架中所形成的1個環，包含硫原子，以3～10員環為佳，以5～7員環為特佳。形成之環的具體例，例如：噻吩環、噻唑環、苯併噻吩環、噻蒽環、苯併噻吩環、二苯併噻吩環、9H-硫環、氧硫環、噻蒽環、啡噁噻環、四氫噻吩鎓環、四氫硫代吡喃鎓環等。

R ²⁰⁸～R ²⁰⁹，各別獨立表示氫原子或碳數1～5之烷基，又以氫原子或碳數1～3之烷基為佳，為烷基時，其可相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環；

R ²¹⁰為可具有取代基之芳基、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基，或可具有取代基之含 -SO ₂-之環式基。 R ²¹⁰中之芳基，可列舉如：碳數6～20之無取代之芳基等，又以苯基、萘基為佳。 R ²¹⁰中之烷基，以鏈狀或環狀之烷基，且為碳數1～30者為佳。 R ²¹⁰中之烯基，以碳數2～10者為佳。 R ²¹⁰中，可具有取代基之含-SO ₂-之環式基，以「含 -SO ₂-之多環式基」為佳，以上述通式(a5-r-1)所表示之基為較佳。

Y ²⁰¹各別獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。 Y ²⁰¹中之伸芳基，可列舉如：由上述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中之芳香族烴基所例示的芳基再去除1個氫原子而得之基等。 Y ²⁰¹中之伸烷基、伸烯基，可列舉如：由上述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴中的鏈狀之烷基、鏈狀之烯基所例示的基團再去除1個氫原子而得之基等。

前述式(ca-4)中，x為1或2； W ²⁰¹為(x+1)價，即為2價或3價之連結基。 W ²⁰¹中的2價之連結基，以可具有取代基的2價之烴基為佳，其可列舉如：與上述Ya ^x0為相同的可具有取代基之2價之烴基。W ²⁰¹中的2價之連結基，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者，又以環狀為佳。其中，又以伸芳基的兩端與2個羰基組合而得之基為佳。伸芳基，可列舉如：伸苯基、伸萘基等，又以伸苯基為特佳。 W ²⁰¹中的3價之連結基，例如：由前述W ²⁰¹中的2價之連結基去除1個氫原子而得之基、由前述2價之連結基再鍵結前述2價之連結基而得之基等。W ²⁰¹中的3價之連結基，以伸芳基鍵結2個羰基而得之基為佳。

前述式(ca-1)所表示之較佳的陽離子，具體而言，例如：下述化學式(ca-1-1)～(ca-1-78)、(ca-1-101)～(ca-1-169)所各別表示之陽離子。下述化學式中，g1表示重複之數，g1為1～5之整數。g2表示重複之數，g2為0～20之整數。g3表示重複之數，g3為0～20之整數。

[式中，R” ²⁰¹為氫原子或取代基。該取代基，可列舉如：上述R ²⁰¹～R ²⁰⁷及R ²¹¹～R ²¹²可具有的取代基所列舉的烷基、鹵素原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、通式(ca-r-1)～(ca-r-7)所分別表示之基等]。

前述式(ca-2)所表示之較佳的陽離子，具體而言，例如：下述式(ca-2-1)～(ca-2-2)所各別表示之陽離子、二苯基錪陽離子、雙(4-tert-丁苯基)錪陽離子等。

前述式(ca-3)所表示之較佳的陽離子，具體而言，例如：下述式(ca-3-1)～(ca-3-7)所各別表示之陽離子。

前述式(ca-4)所表示之較佳的陽離子，具體而言，例如：下述式(ca-4-1)～(ca-4-2)所各別表示之陽離子。

又，(BD1)成份作為鹼成份(D)使時的銨陽離子，可列舉如：NH ₄ ⁺，或其氮原子所鍵結的H，與被可具有雜原子的烴基取代而得之陽離子(一～四級銨陽離子)或該氮原子共同形成環之環狀陽離子等。

上述之中，陽離子部((M ^m+) _1/m)，又以通式(ca-1)所表示之陽離子為佳，以化學式(ca-1-1)～(ca-1-78)、(ca-1-101)～(ca-1-169)所各別表示之陽離子為較佳。

上述(BD1)成份中，可產生對(A)成份作用之酸的酸產生劑成份(B)(以下，其亦稱為「(B1)成份」)的較佳化合物之具體例，係如以下所列舉者。

本實施形態之阻劑組成物中，(B1)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。本實施形態之阻劑組成物中，(B1)成份之含量，相對於(A)成份100質量份，以5～65質量份為佳，以5～55質量份為較佳，以10～45質量份為更佳，以10～40質量份為特佳。阻劑組成物中，於可產生對(A)成份作用的酸之酸產生劑成份(B)成份全體中，上述(B1)成份之比例，例如為50質量%以上，較佳為70質量%以上，更佳為95質量%以上，亦可為100質量%。 (B1)成份之含量，於前述較佳範圍的下限值以上時，於阻劑圖型之形成中，可使感度、解析度能、降低LWR(線路寬之粗糙度)、形狀等的微影蝕刻特性更向上提升。另一方面，於較佳範圍的上限值以下時，使阻劑組成物的各成份溶解於有機溶劑之際，可容易得到均勻的溶液，且能再提高阻劑組成物的保存安定性。又，阻劑組成物中，於同時含有前述(B1)成份及(D)成份((D1)～(D3)成份之至少一種)時，就容易得到良好的微影蝕刻特性及阻劑圖型形狀之觀點，該比例(莫耳比)，例如(B1)：(D)=100：0～50：50，又以(B1)：(D)=99：1～51：49為較佳，以(B1)：(D)=90：10～60：40為更佳。

又，上述(BD1)成份中，可捕集經由曝光而由(B)成份所產生的酸(控制酸之擴散)之鹼成份(D)(以下，亦稱為「(D1)成份」)之較佳的化合物的具體例如以下所示。

本實施形態之阻劑組成物中，(D1)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。本實施形態之阻劑組成物中，(D1)成份之含量，相對於(A)成份100質量份，以1～35質量份為佳，以2～25質量份為較佳，以3～20質量份為更佳，以3.5～15質量份為特佳。阻劑組成物中，可捕集經由曝光而由(B)成份所產生的酸(控制酸之擴散)之鹼成份(D)全體中，上述(D1)成份之比例，例如：50質量%以上，較佳為70質量%以上，更佳為95質量%以上。又，亦可為100質量%。 (D1)成份之含量，於較佳範圍的下限值以上時，可容易得到良好的微影蝕刻特性及阻劑圖型形狀。另一方面，於較佳範圍的上限值以下時，可取得與其他成份之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。又，阻劑組成物中，於同時含有前述(D1)成份及(B)成份((B1)～(B2)成份之至少一種)時，就容易得到良好的微影蝕刻特性及阻劑圖型形狀之觀點，該比例(莫耳比)，例如(B)：(D1)=100：0～50：50，又以(B)：(D1)=99：1～51：49為較佳，以(B)：(D1)=90：10～60：40為更佳。

≪(B1d)成份≫ 上述(B1)成份的較佳態樣，可列舉如：下述通式(b1)所表示之化合物(B1d)(以下，亦稱為「(B1d)成份」)。

[式中，Rx ¹～Rx ⁴，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；Ry ¹～Ry ²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；為雙鍵或單鍵；Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有下述通式(an-1)所表示之陰離子基，且而使陰離子部全體為n價之陰離子，陰離子部全體中，羰基之數為1個或0個。n為1以上之整數；m為1以上之整數，M ^m+表示m價之有機陽離子]。

[式中，R ^b01d為氟原子或碳數1～5之氟化烷基；Y ^b01d為單鍵或2價之連結基；其中，Y ^b01d為2價之連結基時，Y ^b01d所含有的羰基之數為1個或0個。V ^b01為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。＊表示鍵結鍵]。

・陰離子部前述通式(b1)中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²，與Rz ¹～Rz ⁴，分別與上述通式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²，與Rz ¹～Rz ⁴為相同，其較佳例示亦分別為相同。

前述通式(b1)中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有下述通式(an-1)所表示之陰離子基，且而使陰離子部全體為n價之陰離子，陰離子部全體中，羰基之數為1或0個。

[式中，R ^b01d為氟原子或碳數1～5之氟化烷基；Y ^b01d為單鍵或2價之連結基；其中，Y ^b01d為2價之連結基時，Y ^b01d所含有的羰基之數為1個或0個。V ^b01d為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。＊表示鍵結鍵]。

(B1d)成份中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴可分別為前述的陰離子基。或，Rx ¹～Rx ⁴中的2個以上相互鍵結形成環結構時，形成該環結構的碳原子或該碳原子鍵結的氫原子，可被前述陰離子基所取代。Ry ¹～Ry ²中的2個以上相互鍵結形成環結構時，形成該環結構的碳原子或該碳原子鍵結的氫原子，可被前述陰離子基所取代。Rz ¹～Rz ⁴中的2個以上相互鍵結形成環結構時，形成該環結構的碳原子或該碳原子鍵結的氫原子，可被前述陰離子基所取代。

前述式(an-1)中，R ^b01d表示碳數1～5之氟化烷基或氟原子。R ^b01d又以碳數1～5之全氟烷基或氟原子為佳，以氟原子為較佳。

前述式(an-1)中，V ^b01d表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。 V ^b01d中之伸烷基、氟化伸烷基，各自以碳數1～4為佳，以碳數1～3為較佳。V ^b01d中之氟化伸烷基，例如：伸烷基之氫原子中之一部份或全部被氟原子取代而得之基等。其中，V ^b01d又以碳數1～4之伸烷基、碳數1～4之氟化伸烷基或單鍵為佳。

前述式(an-1)中，Y ^b01d表示2價之連結基或單鍵。其中，Y ^b01d為2價之連結基時，Y ^b01d所含有的羰基之數為1個或0個。 Y ^b01d中的2價之連結基，例如：以含有氧原子的2價之連結基為較佳之例示。 Y ^b01d為含有氧原子的2價之連結基時，該Y ^b01d亦可含有氧原子以外的原子。氧原子以外的原子，可列舉如：碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。含有氧原子的2價之連結基，例如：氧原子(醚鍵結：-O-)、酯鍵結(-C(=O)-O-)、氧羰基(-O-C(=O)-)、醯胺鍵結(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)、碳酸酯鍵結(-O-C(=O)-O-)等的非烴系中的含有氧原子之連結基；該非烴系中的含有氧原子之連結基與伸烷基之組合等。該組合中，可再連結磺醯基(-SO ₂-)。該含有氧原子的2價之連結基，例如：上述通式(y-al-1)、(y-al-3)～(y-al-8)各別表示的連結基等。

Y ^b01d中的2價之連結基，以含有1個酯鍵結的2價之連結基，或含有醚鍵結的2價之連結基為佳，以上述式(y-al-1)～(y-al-5)各別表示的連結基為較佳。

前述式(an-1)所表示之陰離子基的具體例，例如：Y ^b01d為單鍵時，可列舉如：-CH ₂CF ₂SO ₃ ^-、 -CF ₂CF ₂SO ₃ ^-、三氟甲烷磺酸酯陰離子或全氟丁烷磺酸酯陰離子等的氟化烷基磺酸酯陰離子等。 Y ^b01d為含有氧原子的2價之連結基時，前述式(an-1)所表示之陰離子基之具體例如：下述式(an-11)～(an-13)之任一者所表示之陰離子基等。

[式中，V” ¹⁰¹為單鍵、碳數1～4之伸烷基，或碳數1～4之氟化伸烷基；R ¹⁰²為氟原子或碳數1～5之氟化烷基；v”各別獨立為0～3之整數；q”為0～20之整數；p”為1～20之整數]

前述式(an-11)～(an-13)中，V” ¹⁰¹、R ¹⁰²、v”、q”、p”，分別與上述通式(bd1-r-an11)～(bd1-r-an13)中的V” ¹⁰¹、R ¹⁰²、v”、q”、p”為相同內容，其較佳之例示亦分別為相同。

上述之中，前述式(an-1)所表示之陰離子基，又以前述式(an-11)或(an-12)所表示之基為佳。

通式(an-1)所表示之陰離子基的較佳具體例，如以下所示。下述式中，k為0～3之整數；k’為0～20之整數。＊表示鍵結鍵。

(B1d)成份中，陰離子基之數，可為1個亦可、2個以上亦可，又以1個為佳。(B1d)成份中的陰離子基之數為2個以上時，該2個以上之陰離子基所含有的羰基之數，於全體中為1個或0個。以前述通式(b1)中，Rx ¹～Rx ⁴與Rz ¹～Rz ⁴之任一者具有陰離子基者為佳，以Ry ¹～Ry ⁴不具有陰離子基者為佳。又，(B1d)成份，以不具有前述通式(an-1)所表示之陰離子基以外之陰離子基者為佳。 (B1d)成份，為而使陰離子部全體為n價之陰離子。n為1以上之整數；以1或2為佳，以1為較佳。 (B1d)成份中，於陰離子部全體中，羰基之數為1個或0個。陰離子部含有1個羰基時，以Rx ¹～Rx ⁴與Rz ¹～Rz ⁴之任一者含有該羰基者為佳，以Ry ¹～Ry ⁴不含羰基者為佳。又，(B1d)成份中，含有1個羰基時，該羰基以包含於前述通式(an-1)所表示之陰離子基者為佳。

(B1d)成份中之陰離子部，就控制酸的擴散性之觀點，以下述通式(b1-an1)所表示之陰離子為佳。

[式中，Rx ⁵～Rx ⁶各別獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子；Rx ⁷～Rx ⁸，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；p為1或2；p=2時，複數的Rx ⁷～Rx ⁸可互相為相異者；Ry ¹～Ry ²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；為雙鍵或單鍵；Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx ⁵～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有前述通式(an-1)所表示之陰離子基，且而使陰離子部全體為n價之陰離子，陰離子部全體中，羰基之數為1個或0個。n為1以上之整數]

前述式(b1-an1)中，Rx ⁵～Rx ⁶、Rx ⁷～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴，及p，分別與上述通式(bd1-an1)中之Rx ⁵～Rx ⁶、Rx ⁷～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴，及p為相同，其較佳之例示亦為相同。

但，前述式(b1-an1)中，Rx ⁵～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有前述通式(an-1)所表示之陰離子基，且而使陰離子部全體為n價之陰離子，陰離子部全體中，羰基之數為1個或0個。n為1以上之整數。

上述之中，(B1d)成份中之陰離子部，就控制酸的擴散性之觀點，又以前述式(b1-an1)中的p=2所表示之陰離子，即，以下述通式(b1-an2)所表示之陰離子為較佳。

[式中，Rx ⁵～Rx ⁶各別獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子；複數的Rx ⁷～Rx ⁸，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；Ry ¹～Ry ²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；為雙鍵或單鍵；Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx ⁵～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有前述通式(an-1)所表示之陰離子基，且而使陰離子部全體為n價之陰離子，陰離子部全體中，羰基之數為1個或0個。n為1以上之整數]

前述式(b1-an2)中，Rx ⁵～Rx ⁶、Rx ⁷～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴，與上述內容的前述式(bd1-an1)中之Rx ⁵～Rx ⁶、Rx ⁷～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴分別為相同之內容。

但，前述式(b1-an2)中，Rx ⁵～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有前述通式(an-1)所表示之陰離子基，而使陰離子部全體為n價之陰離子，陰離子部全體中，羰基之數為1個或0個。n為1以上之整數。

前述之式(b1)、式(b1-an1)、式(b1-an2)中，Ry ¹～Ry ²就縮短經由曝光而產生的酸之擴散、控制酸的擴散性之觀點，以相互鍵結形成環結構者為佳，所形成的環結構，以可具有取代基之芳香族烴(芳香環、芳香族雜環，更佳為芳香環)為較佳。

前述之式(b1)、式(b1-an1)、式(b1-an2)中，Rz ¹～Rz ⁴就控制經由曝光而產生的酸的擴散性之觀點，以相互鍵結形成環結構者為佳，以所形成的環結構，為共有式中的六員環之一邊(Rz ¹與Rz ²所鍵結的碳原子，與Rz ³與Rz ⁴所鍵結的碳原子之鍵結)的環結構為佳，以可具有取代基之芳香族烴(芳香環、芳香族雜環，更佳為芳香環)為較佳。

前述之式(b1-an1)、式(b1-an2)中，Rx ⁷～Rx ⁸就縮短經由曝光而產生的酸之擴散、控制酸的擴散性之觀點，以相互鍵結形成環結構者為佳，所形成的環結構，以可具有取代基的芳香族烴(芳香環、芳香族雜環)為較佳。前述式(b1-an2)中，Rx ⁷～Rx ⁸中所形成的環結構，以共有式中的六員環之一邊(Rx ⁷及Rx ⁸所鍵結的同一個碳原子之間的鍵結)的環結構為佳，以可具有取代基之芳香族烴(芳香環、芳香族雜環，更佳為芳香環)為較佳。

前述之式(b1-an2)所表示之陰離子全體中，該Rx ⁷～Rx ⁸、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴的各個基團中，其相互鍵結所形成的環結構之個數，可為1個或2個以上皆可，又以2個或3個為佳。

前述之式(b1-an1)及式(b1-an2)中，就使本發明效果更優良之觀點，以Rx ⁵～Rx ⁶與Rz ¹～Rz ⁴之任一者具有陰離子基者為佳，以Rx ⁷～Rx ⁸及Ry ¹～Ry ²不具有陰離子基者為佳。

特別是(B1d)成份中之陰離子部，以下述通式(b1-an3)所表示之陰離子為較佳之例示。

[式中，Rx ⁵～Rx ⁶各別獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子；為雙鍵或單鍵；Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx ⁵～Rx ⁶與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有前述通式(an-1)所表示之陰離子基，而使陰離子部全體為n價之陰離子，陰離子部全體中，羰基之數為1個或0個。n為1以上之整數；R ⁰²¹為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基，或硝基。n1為1～3之整數；n11為0～8之整數；R ⁰²²為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基，或硝基。n2為1～3之整數；n21為0～8之整數]

前述式(b1-an3)中，Rx ⁵～Rx ⁶、Rz ¹～Rz ⁴，分別與上述式(bd1-an1)中之Rx ⁵～Rx ⁶、Rz ¹～Rz ⁴為相同之內容。

前述式(b1-an3)中，R ⁰²¹、R ⁰²²、n1、n11、n2，及n21，分別與上述式(bd1-an3)中之R ⁰²¹、R ⁰²²、n1、n11、n2，及n21為相同之內容。

但，前述式(b1-an3)中，Rx ⁵～Rx ⁶與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有前述通式(an-1)所表示之陰離子基，而使陰離子部全體為n價之陰離子，陰離子部全體中，羰基之數為1個或0個。n為1以上之整數。

前述式(b1-an1)及(b1-an2)及(b1-an3)中，n以1或2為佳，以1為較佳。前述式(b1-an1)、(b1-an2)及(b1-an3)中，Rx ⁵～Rx ⁶與Rz ¹～Rz ⁴之任一者，以具有前述通式(an-1)所表示之陰離子基者為佳。

以下為化合物(B1d)中的陰離子部之具體例。

・陽離子部((M ^m+) _1/m) 前述式(b1)中，M ^m+表示m價之有機陽離子。m為1以上之整數。前述式(b1)中之M ^m+，與上述式(bd1)中之M ^m+為相同，較佳例示亦為相同。陽離子部((M ^m+) _1/m)，以前述通式(ca-1)所表示之陽離子為佳，以前述式(ca-1-1)～(ca-1-78)、(ca-1-101)～(ca-1-169)所各別表示之陽離子為較佳。

上述(B1d)成份中，較佳者例如：上述內容的前述式(b1-an3-1)～(b1-an3-18)之任一者所表示之陰離子，與前述式(ca-1-1)～(ca-1-78)、(ca-1-101)～(ca-1-169)之任一者所表示之陽離子的各種組合。組合之具體例如以下所示，但並不僅限定於該些內容。

本實施形態之阻劑組成物中，(B1d)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。本實施形態之阻劑組成物中，(B1d)成份之含量，相對於(A)成份100質量份，以5～65質量份為佳，以5～55質量份為較佳，以10～45質量份為更佳，以10～40質量份為特佳。阻劑組成物中，於可產生對(A)成份作用的酸之酸產生劑成份(B)成份全體中，上述(B1d)成份之比例，例如：50質量%以上，較佳為70質量%以上，更佳為95質量%以上。又，亦可為100質量%。 (B1d)成份之含量，於前述較佳範圍的下限值以上時，於阻劑圖型之形成中，可使感度、解析度能、降低LWR(線路寬之粗糙度)、形狀等的微影蝕刻特性更向上提升。另一方面，於較佳範圍的上限值以下時，使阻劑組成物的各成份溶解於有機溶劑之際，可容易得到均勻的溶液，且能再提高阻劑組成物的保存安定性。又，阻劑組成物中，於同時含有前述(B1d)成份及(D)成份((D1)～(D3)成份之至少一種)時，就容易得到良好的微影蝕刻特性及阻劑圖型形狀之觀點，該比例(莫耳比)，例如(B1d)：(D)=100：0～50：50，(B1d)：(D)=99：1～51：49為較佳，(B1d)：(D)=90：10～60：40為更佳。

[化合物(BD1)的製造方法] (BD1)成份，可使用公知的方法製得。 (BD1)成份的製造方法，例如：如下述反應式所示般，於共軛二烯(下述反應式中之(起始原料1))上附加烯烴或炔烴(下述反應式中之(起始原料2))而生成的環結構(下述反應式中之(中間體))之狄耳士-阿德爾反應(Diels-Alder reaction)的方法等。具體而言，例如：於經狄耳士-阿德爾反應而生成的產物(中間體)，導入所期待的陰離子基而製得前驅物之後，經由鹼交換反應而導入所期待的陽離子，而製得目的之(BD1)成份。或將含有由所期待的陰離子基所衍生的取代基(可導入所期待的陰離子基之取代基)之烯烴、炔烴或共軛二烯進行狄耳士-阿德爾反應，於製得中間體之後，導入所期待的陰離子基而製得前驅物，再經由鹼交換反應導入所期待的陽離子，而製得目的之(BD1)成份。共軛二烯，可配合目的化合物((BD1)成份)作適當之選擇，例如：可使用蒽或其衍生物、三蝶烯或其衍生物等即可。導入陰離子基之方法，例如：使用酯化反應之方法；使具有導入甲苯磺醯基的陰離子基之銨鹽，與具有陰離子部骨架(由狄耳士-阿德爾反應產生者)之環結構的鋰化合物進行反應之方法，或將含有鹵素原子的中間體施以亞磺酸化而製得亞磺酸鹽後，再使其氧化而製得磺酸鹽之方法等。

使用酯化反應導入陰離子基之方法，例如：製造上述通式(bd1)所表示之化合物[具有通式(bd1-r-an1)所表示的陰離子基之化合物，Y ^b01=-C(=O)-O-]之方法，可列舉如以下所示之包含第1～2步驟的實施形態之製造方法。又，通式(bd1-r-an1)所表示之陰離子基中，Y ^b01= -C(=O)-O-者，將標記為「通式(b1-r-an10)所表示之陰離子基」。依包含該第1～2步驟的實施形態之製造方法所製得的目的化合物，則標記為化合物(B1-0)。各步驟所使用的原料，可使用市售者亦可、合成者亦可。第1～2步驟所使用的有機溶劑，只要可以溶解各步驟所使用的化合物，且，不與該些化合物發生反應者即可，例如：二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿、四氫呋喃、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基磺酸酯、乙腈、丙腈等。

・第1步驟第1步驟為，將中間體與化合物(I)溶解於有機溶劑(二氯甲烷等)，並於鹼存在下進行反應。隨後，施以過濾、濃縮等處理而製得前驅物(Bpre)。

[式中，R ^b01及V ^b01分別與上述式(bd1-r-an1)中之R ^b01及V ^b01為相同之內容。(M ₁” ^m+) _1/m為銨陽離子。Rx ⁵、Rx ⁶、Rz ¹～Rz ⁴、R ⁰²¹、n1、n11、R ⁰²²、n2及n21分別與上述式(bd1-an3)中之Rx ⁵、Rx ⁶、Rz ¹～Rz ⁴、R ⁰²¹、n1、n11、R ⁰²²、n2及n21為相同之內容。其中，Rx ⁵～Rx ⁶與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有通式(b1-r-an10)所表示之陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子。n為1以上之整數]

第1步驟中添加之鹼，例如：三乙胺、4-二甲胺基吡啶、吡啶、乙基二異丙胺基碳二亞胺(carbodiimide)(EDCI)鹽酸鹽、二環己基羧基醯亞胺(DCC)、二異丙基碳二亞胺、碳二咪唑等的有機鹼；氫化鈉、K ₂CO ₃、Cs ₂CO ₃等的無機鹼等。化合物(I)之陽離子部，可為由脂肪族胺產生的銨陽離子，亦可為由芳香族胺產生的銨陽離子。

化合物(I)之使用量，對中間體以使用約1～3當量為佳，以1～2當量為較佳。反應溫度，以0～50℃為佳，以5～40℃為較佳。

・第2步驟第2步驟為，將前驅物(Bpre)與鹼交換用之化合物(II)，經於水、二氯甲烷、乙腈、氯仿等的溶劑下進行反應，使前驅物(Bpre)與化合物(II)中之有機陽離子進行鹼交換之方式，而製得目的化合物(B1-0)。

[式中，R ^b01及V ^b01，與上述式(b1-r-an10)中之R ^b01及V ^b01為相同之內容。(M ₁” ^m+) _1/m為銨陽離子。Rx ⁵、Rx ⁶、Rz ¹～Rz ⁴、R ⁰²¹、n1、n11、R ⁰²²、n2及n21分別與上述式(bd1-an3)中之Rx ⁵、Rx ⁶、Rz ¹～Rz ⁴、R ⁰²¹、n1、n11、R ⁰²²、n2及n21為相同之內容。其中，Rx ⁵～Rx ⁶與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有通式(b1-r-an10)所表示之陰離子基，且使陰離子部全體為n價的陰離子。n為1以上之整數。Z ^-為非親核性離子。(M ^m+) _1/m為m價的有機陽離子，其與上述為相同內容]

Z ^-，例如溴離子、氯離子等的鹵素離子；可形成酸性度較前驅物(Bpre)為更低之酸之離子、BF ₄ ^-、AsF ₆ ^-、SbF ₆ ^-、PF ₆ ^-或ClO ₄ ^-等。反應溫度，以0～100℃左右為佳，以0～50℃左右為較佳。反應時間，依前驅物(Bpre)與鹼交換用化合物(II)之反應性或反應溫度等等而有所差異，一般以10分鐘以上、24小時以下為佳，以10分鐘以上、12小時以下為較佳。

鹼交換反應結束後，可將反應液中的化合物單離、精製。單離、精製，其可使用以往公知之方法，例如：可適當地組合使用濃縮、溶劑萃取、蒸餾、結晶化、再結晶、色層分析等方法。上述方法製得的化合物之結構，可使用 ¹H-核磁共振(NMR)圖譜法、 ¹³C-NMR圖譜法、 ¹⁹F-NMR圖譜法、紅外線吸收(IR)圖譜法、質量分析(MS)法、元素分析法、X線結晶繞射法等的一般有機分析法予以鑑識。

中間體，可配合目的化合物(B1-0)作適當之選擇，例如：下述反應式所表示之狄耳士-阿德爾反應所得之產物等。下述反應式中的(起始原料1)，可使用蒽或其衍生物。下述反應式中的(起始原料2)，可使用丙烯酸酯等的具有乙烯性雙鍵之化合物。又，中間體又可列舉如：三蝶烯或其衍生物等。

[式中，Rx ₁’～Rx ₄’與前述Rx ¹～Rx ⁴為相同之內容。Ry ₁’～Ry ₂’與前述Ry ¹～Ry ²為相同之內容。為三鍵或雙鍵。為雙鍵或單鍵；Rz ₁’～Rz ₄’與前述Rz ¹～Rz ⁴為相同之內容。其中，Rx ₁’～Rx ₄’、Ry ₁’～Ry ₂’與Rz ₁’～Rz ₄’中的至少1個為含有導入前述陰離子基而得的解離基之基]

含有導入陰離子基而得的解離基之基，例如：鹵素原子、含有鹵素原子之基、具有可脫水縮合的取代基(羥基、羧基等)之基等。

導入陰離子基之方法中，於使用酯化反應時，含有前述解離基之基，可列舉如：可脫水縮合之取代基等。前述第1步驟所示反應式中的中間體，例如以具有可脫水縮合之取代基(羥基或羧基等)者為佳。經該第1步驟中之酯化反應，而製得前驅物(Bpre)之磺酸銨鹽。

導入陰離子基之方法中，於使用將具有導入甲苯磺醯基的陰離子基之銨鹽，與具有陰離子部骨架(由狄耳士-阿德爾反應產生者)之環結構的鋰化合物進行反應之際，含有前述解離基之基，可列舉如：鹵素原子，或含有鹵素原子之基等，較佳為溴原子。含有鹵素原子(較佳為溴原子)的中間體經Li化而形成Li化合物之後，再與具有導入甲苯磺醯基的陰離子基之銨鹽進行反應之方式，而可製得前驅物之磺酸銨鹽。

導入陰離子基之方法中，使用將含有鹵素原子的中間體施以亞磺酸化，製得亞磺酸鹽之後，使其氧化而製得磺酸鹽之方法時，含有前述解離基之基，可列舉如：鹵素原子，或含有鹵素原子之基等，較佳為溴原子。將含有鹵素原子(較佳為溴原子)的中間體，於胺的存在下使用亞磺酸化劑之方式，而形成亞磺酸銨鹽，再與氧化劑反應結果，即製得前驅物之磺酸銨鹽。

經對各個前驅物之磺酸銨鹽，進行上述第2步驟的鹼交換結果，即可製得目的化合物((BD1)成份)。

＜任意成份＞本實施形態之阻劑組成物，可再含有上述(A)成份及化合物(BD1)((B1)成份、(D1)成份)以外的成份(任意成份)。該任意成份，例如：以下所示之(B2)成份、(D2)成份、(D3)成份、(E)成份、(F)成份、(S)成份等。

≪(B2)成份≫ 本實施形態之阻劑組成物，於無損本發明效果之範圍內，可含有上述(B1)成份以外的酸產生劑成份(以下，亦稱為「(B2)成份」)。 (B2)成份，並未有特別之限定，其可使用目前為止被提案作為化學增幅型阻劑組成物用的酸產生劑者。該些酸產生劑，可列舉如：錪鹽或鋶鹽等之鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸酯系酸產生劑；雙烷基或雙芳基磺醯基重氮甲烷類、聚(雙磺醯基)重氮甲烷類等之重氮甲烷系酸產生劑；硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺磺酸酯系酸產生劑、二碸系酸產生劑等多種成份。

鎓鹽系酸產生劑，例如：下述通式(b-1)所表示之化合物(以下，亦稱為「(b-1)成份」)、通式(b-2)所表示之化合物(以下，亦稱為「(b-2)成份」)或通式(b-3)所表示之化合物(以下，亦稱為「(b-3)成份」)等。又，(b-1)成份，視為不含有相當於上述(B1)成份之化合物。

[式中，R ¹⁰¹、R ¹⁰⁴～R ¹⁰⁸各別獨立為可具有取代基環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基；R ¹⁰⁴、R ¹⁰⁵可相互鍵結形成環；R ¹⁰²為氟原子或碳數1～5之氟化烷基；Y ¹⁰¹為單鍵，或含有氧原子的2價之連結基；V ¹⁰¹～V ¹⁰³各別獨立為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基；L ¹⁰¹～L ¹⁰²各別獨立為單鍵或氧原子；L ¹⁰³～L ¹⁰⁵各別獨立為單鍵、-CO-或-SO ₂-；m為1以上之整數，且M’ ^m+為m價之鎓陽離子]

｛陰離子部｝・(b-1)成份之陰離子部式(b-1)中，R ¹⁰¹為可具有取代基環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基。該R ¹⁰¹之說明，與前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²、Rz ¹～Rz ⁴(以下，亦標記為「Rx ¹～Rx ⁴等」)中之可具有取代基之烴基(可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基)之說明為相同之內容。其中，R ¹⁰¹以可具有取代基環式基為佳，以可具有取代基之環狀之烴基為較佳。更具體而言，例如：由苯基、萘基、多環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基；前述通式(a2-r-1)、(a2-r-3)～(a2-r-7)各別表示的含內酯之環式基；前述通式(a5-r-1)～(a5-r-4)各別表示的含-SO ₂-之環式基等為佳。

前述式(b-1)中，Y ¹⁰¹為單鍵或含有氧原子的2價之連結基。 Y ¹⁰¹為含有氧原子的2價之連結基時，該Y ¹⁰¹可含有氧原子以外的原子。氧原子以外的原子，可列舉如：碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。該含有氧原子的2價之連結基，例如：上述通式(y-al-1)～(y-al-8)各別表示的連結基等。 Y ¹⁰¹以含有酯鍵結的2價之連結基，或含有醚鍵結的2價之連結基為佳，以上述通式(y-al-1)～(y-al-5)各別表示的連結基為較佳。

前述式(b-1)中，V ¹⁰¹為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。V ¹⁰¹中之伸烷基、氟化伸烷基，以碳數1～4為佳。V ¹⁰¹中之氟化伸烷基，可列舉如：V ¹⁰¹中的伸烷基之氫原子的一部份或全部被氟原子取代而得之基等。其中，V ¹⁰¹以單鍵，或碳數1～4之氟化伸烷基為佳。

前述式(b-1)中，R ¹⁰²為氟原子或碳數1～5之氟化烷基；R ¹⁰²以氟原子或碳數1～5之全氟烷基為佳，以氟原子為較佳。

(b-1)成份之陰離子部之具體例，例如：Y ¹⁰¹為單鍵時，可列舉如：三氟甲烷磺酸酯陰離子或全氟丁烷磺酸酯陰離子等的氟化烷基磺酸酯陰離子等；Y ¹⁰¹為含有氧原子的2價之連結基時，可列舉如：下述式(an1)～(an3)之任一者所表示之陰離子。

[式中，R” ¹⁰¹為可具有取代基脂肪族環式基、上述化學式(r-hr-1)～(r-hr-6)各別表示的1價之雜環式基，或可具有取代基之鏈狀烷基。R” ¹⁰²為可具有取代基脂肪族環式基、前述通式(a2-r-1)、(a2-r-3)～(a2-r-7)各別表示的含內酯之環式基，或前述通式(a5-r-1)～(a5-r-4)各別表示的含 -SO ₂-含有環式基。R” ¹⁰³為可具有取代基芳香族環式基、可具有取代基脂肪族環式基，或可具有取代基之鏈狀烯基。V” ¹⁰¹為碳數1～4之伸烷基，或碳數1～4之氟化伸烷基。R ¹⁰²為氟原子或碳數1～5之氟化烷基；v”各別獨立為0～3之整數；q”各別獨立為1～20之整數；n”為0或1]

R” ¹⁰¹、R” ¹⁰²及R” ¹⁰³之可具有取代基的脂肪族環式基，以前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等中的環狀脂肪族烴基所例示之基為佳。前述取代基，例如：與可取代前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等中的環狀脂肪族烴基之取代基為相同之內容。

R” ¹⁰³中的可具有取代基之芳香族環式基，以前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等中的環狀烴基中之芳香族烴基所例示之基為佳。前述取代基，例如：與可取代前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等中的該芳香族烴基之取代基為相同之內容。

R” ¹⁰¹中的可具有取代基之鏈狀烷基，以前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等中的鏈狀之烷基所例示之基為佳。R” ¹⁰³中的可具有取代基之鏈狀烯基，以前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等中的鏈狀之烯基所例示之基為佳。

・(b-2)成份之陰離子部式(b-2)中，R ¹⁰⁴、R ¹⁰⁵各別獨立為可具有取代基環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基，其分別與前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等中的可具有取代基環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基為相同之內容。又，R ¹⁰⁴、R ¹⁰⁵可相互鍵結形成環； R ¹⁰⁴、R ¹⁰⁵以可具有取代基之鏈狀烷基為佳，以直鏈狀或支鏈狀之烷基，或直鏈狀或支鏈狀之氟化烷基為較佳。該鏈狀之烷基之碳數以1～10為佳，較佳為碳數1～7，更佳為碳數1～3。R ¹⁰⁴、R ¹⁰⁵的鏈狀烷基之碳數，於上述碳數之範圍內時，就也可對阻劑用溶劑具有良好溶解性等的理由，以越小越好。又，R ¹⁰⁴、R ¹⁰⁵之鏈狀烷基中，以被氟原子取代的氫原子數越多時，其酸之強度越強，而為更佳。前述鏈狀之烷基中，氟原子之比例，即氟化率，較佳為70～100%，更佳為90～100%，最佳為全部的氫原子被氟原子取代而得之全氟烷基。式(b-2)中，V ¹⁰²、V ¹⁰³各別獨立為單鍵、伸烷基，或氟化伸烷基，其分別與式(b-1)中的V ¹⁰¹為相同之內容。式(b-2)中，L ¹⁰¹、L ¹⁰²各別獨立為單鍵或氧原子。

・(b-3)成份之陰離子部式(b-3)中，R ¹⁰⁶～R ¹⁰⁸各別獨立為可具有取代基環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基，其分別與前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等中的可具有取代基環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基為相同之內容。 L ¹⁰³～L ¹⁰⁵各別獨立為單鍵、-CO-或-SO ₂-。

｛陽離子部｝式(b-1)、(b-2)及(b-3)中，m為1以上之整數，且M’ ^m+為m價之鎓陽離子。M’ ^m+以鋶陽離子、錪陽離子為較佳例示，例如上述化學式(ca-1-1)～(ca-1-78)、(ca-1-101)～(ca-1-169)所各別表示之陽離子等。

又，式(b-1)、(b-2)及(b-3)中之M’ ^m+，又可列舉如：二苯基錪陽離子、雙(4-tert-丁苯基)錪陽離子、上述化學式(ca-2-1)～(ca-2-2)所各別表示之陽離子、上述化學式(ca-3-1)～(ca-3-7)所各別表示之陽離子、上述化學式(ca-4-1)～(ca-4-2)所各別表示之陽離子等。

上述之中，陽離子部[(M’ ^m+) _1/m]又以化學式(ca-1-1)～(ca-1-78)、(ca-1-101)～(ca-1-169)所各別表示之有機陽離子為較佳。

本實施形態之阻劑組成物中，(B2)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。阻劑組成物含有(B2)成份時，阻劑組成物中，(B2)成份之含量，相對於(A)成份100質量份，以50質量份以下為佳，以1～40質量份為較佳，以5～30質量份為更佳。又，阻劑組成物含有(B2)成份時，阻劑組成物中，於可產生對(A)成份發生作用的酸之酸產生劑成份(B)全體中，(B2)成份之含量，例如為50質量%以下，又以30質量%以下為較佳，以0質量%以上、5質量%以下為更佳。 (B2)成份之含量於上述範圍時，可充份地進行圖型之形成。

≪(D2)成份≫ (D2)成份，為鹼成份，且為經由曝光而分解而喪失酸擴散控制性之光崩壞性鹼(但，相當於上述(D1)成份者除外)。含有(D2)成份的阻劑組成物，於形成阻劑圖型之際，可使阻劑膜的曝光部與未曝光部之對比再向上提升。

(D2)成份，只要為經由曝光而分解而喪失酸擴散控制性者時，並未有特別之限定，又以由下述通式(d2-1)所表示之化合物(以下，亦稱為「(d2-1)成份」)、下述通式(d2-2)所表示之化合物(以下，亦稱為「(d2-2)成份」)及下述通式(d2-3)所表示之化合物(以下，亦稱為「(d2-3)成份」)所成之群所選出之1種以上的化合物為佳。 (d2-1)～(d2-3)成份，於阻劑膜的曝光部中，並不具有作為可分解而喪失酸擴散控制性(鹼性)的抑制劑之作用，而於阻劑膜的未曝光部中，具有作為抑制劑之作用。

[式中，Rd ¹～Rd ⁴為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基；但，通式(d2-2)中之Rd ²中，S原子鄰接的碳原子為不與氟原子鍵結者；Yd ¹為單鍵或2價之連結基；m為1以上之整數，且M’ ^m+各別獨立為m價之鎓陽離子]

｛(d2-1)成份｝・陰離子部式(d2-1)中，Rd ¹為可具有取代基環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基，其各別與前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等為相同之內容。該些之中，Rd ¹又以可具有取代基之芳香族烴基、可具有取代基脂肪族環式基，或可具有取代基之鏈狀烷基為佳。該些之基可具有的取代基，可列舉如：羥基、側氧基、烷基、芳基、氟原子、氟化烷基、上述通式(a2-r-1)～(a2-r-7)各別表示的含內酯之環式基、醚鍵結、酯鍵結，或該些之組合等。含有醚鍵結或酯鍵結作為取代基時，可無須介有伸烷基，該情形之取代基，例如：以上述式(y-al-1)～(y-al-5)各別表示的連結基為佳。前述芳香族烴基，例如：以苯基、萘基、含有雙環辛烷骨架的多環結構(例如：由雙環辛烷骨架之環結構與其以外的環結構所形成的多環結構等)為較佳例示。前述脂肪族環式基，例如：以由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的多環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之基為較佳。前述鏈狀之烷基，例如：以碳數1～10為佳，具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之直鏈狀之烷基；1-甲乙基、1-甲丙基、2-甲丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等的支鏈狀之烷基等。

前述鏈狀之烷基之取代基為氟原子或具有氟化烷基的氟化烷基時，氟化烷基之碳數，以1～11為佳，以1～8為較佳，以1～4為更佳。該氟化烷基，可含有氟原子以外的原子。氟原子以外的原子，例如氧原子、硫原子、氮原子等。 Rd ¹，以構成直鏈狀烷基的一部份或全部的氫原子被氟原子取代而得之氟化烷基為佳，以構成直鏈狀烷基的全部氫原子被氟原子取代而得之氟化烷基(直鏈狀的全氟烷基)為特佳。

以下為(d2-1)成份之陰離子部的較佳具體例示。

・陽離子部式(d2-1)中，M’ ^m+為m價之鎓陽離子。 M’ ^m+之鎓陽離子，可由與(D1)成份相異，且與前述式(b-1)～(b-3)中的M’ ^m+之相同成份中適當地選擇。 (d2-1)成份，可單獨使用1種、將2種以上組合使用亦可。

｛(d2-2)成份｝・陰離子部式(d2-2)中，Rd ²為可具有取代基環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基，其與前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等為相同之內容。其中，Rd ²中，S原子鄰接的碳原子為不鍵結氟原子(未被氟所取代)者。如此，可使(d2-2)成份之陰離子形成適度的弱酸陰離子，而可提高(D2)成份之抑制能力。 Rd ²，以可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之脂肪族環式基為佳。鏈狀之烷基，例如：以碳數1～10為佳，以3～10為較佳。脂肪族環式基，例如：由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等去除1個以上的氫原子而得之基(可具有取代基)；又以由樟腦等去除1個以上的氫原子而得之基為較佳。 Rd ²之烴基可具有取代基，該取代基，例如：與前述式(d2-1)的Rd ¹中之烴基(芳香族烴基、脂肪族環式基、鏈狀之烷基)可具有的取代基為相同之內容。

以下為(d2-2)成份之陰離子部的較佳具體例示。

・陽離子部式(d2-2)中，M’ ^m+為m價之鎓陽離子，其與前述式(d2-1)中的M’ ^m+為相同之內容。 (d2-2)成份，可單獨使用1種、將2種以上組合使用亦可。

｛(d2-3)成份｝・陰離子部式(d2-3)中，Rd ³為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基，其與前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等為相同之內容，又以含有氟原子之環式基、鏈狀之烷基，或鏈狀之烯基為佳。其中，又以氟化烷基為佳，以與前述Rd ¹之氟化烷基為相同者為較佳。

式(d2-3)中，Rd ⁴為可具有取代基環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基，其與前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等為相同之內容。其中，又以可具有取代基之烷基、烷氧基、烯基、環式基為佳。 Rd ⁴中之烷基，以碳數1～5之直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳，具體而言，例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。Rd ⁴之烷基的氫原子中之一部份可被羥基、氰基等所取代。 Rd ⁴中之烷氧基，以碳數1～5之烷氧基為佳，碳數1～5之烷氧基，具體而言，例如：甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基等。其中，又以甲氧基、乙氧基為佳。

Rd ⁴中之烯基，可列舉如：與前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等為相同內容，又以乙烯基、丙烯基(烯丙基)、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基為佳。該些的基所再具有的取代基，可具有碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基。

Rd ⁴中之環式基，可列舉如：與前述式(bd1)中之Rx ¹～Rx ⁴等為相同內容，又以由環戊烷、環己烷、金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之環鏈烷去除1個以上的氫原子而得之脂環式基，或苯基、萘基等之芳香族基為佳。Rd ⁴為脂環式基時，經由使阻劑組成物良好地溶解於有機溶劑，而可使微影蝕刻特性良好。

式(d2-3)中，Yd ¹為單鍵或2價的連結基； Yd ¹中的2價之連結基，並未有特別之限定，可列舉如：可具有取代基2價之烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)、含有雜原子的2價之連結基等。該些分別與上述Ya ^x0中的2價之連結基的說明中所列舉之可具有取代基2價之烴基、含有雜原子的2價之連結基為相同之內容。 Yd ¹，以羰基、酯鍵結、醯胺鍵結、伸烷基或該些的組合為佳。伸烷基，例如：以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為較佳，以伸甲基或伸乙基為更佳。

以下為(d2-3)成份之陰離子部的較佳具體例示。

・陽離子部式(d2-3)中，M’ ^m+為m價之鎓陽離子，其與前述式(d2-1)中的M’ ^m+為相同之內容。 (d2-3)成份，可單獨使用1種、將2種以上組合使用亦可。

(D2)成份可僅使用上述(d2-1)～(d2-3)成份之任一種亦可、將2種以上組合使用亦可。阻劑組成物含有(D2)時，阻劑組成物中，(D2)成份之含量，相對於(A)成份100質量份，以0.5～10質量份為佳，以0.5～8質量份為較佳，1～6質量份為更佳。又，阻劑組成物含有(D2)時，阻劑組成物中，於可捕集經由曝光而由(B)成份所產生的酸(控制酸之擴散)之鹼成份(D)全體中，(D2)成份之含量，例如為50質量%以下，又以30質量%以下為較佳，以0質量%以上、5質量%以下為更佳。 (D2)成份之含量於較佳下限值以上時，特別是容易得到良好的微影蝕刻特性及阻劑圖型形狀。另一方面，於上限值以下時，可取得與其他成份之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

(D2)成份的製造方法：前述(d2-1)成份、(d2-2)成份的製造方法，並未有特別之限定，其可使用公知方法予以製造。又，(d2-3)成份的製造方法，亦未有特別之限定，例如可使用與US2012-0149916號公報記載之相同方法予以製造。

≪(D3)成份≫ (D3)成份，為鹼成份，且為阻劑組成物中作為酸擴散控制劑作用之含氮有機化合物成份(但，相當於上述(D1)成份及(D2)成份者除外)。

(D3)成份，只要為作為酸擴散控制劑作用者，且，不相當於(D1)成份及(D2)成份者時，則未有特別之限定，例如：由陰離子部與陽離子部所形成的化合物、脂肪族胺等。

(D3)成份中，由陰離子部與陽離子部所形成的化合物，可列舉如：上述(d2-1)～(d2-3)成份中的陽離子部為銨陽離子者等。其中，該銨陽離子，可列舉如：NH ₄ ⁺，或其氮原子所鍵結的H，與被可具有雜原子的烴基取代而得之陽離子(一～四級銨陽離子)或該氮原子共同形成環之環狀陽離子等。

脂肪族胺，其中，又以二級脂肪族胺或三級脂肪族胺為佳。脂肪族胺，為具有1個以上的脂肪族基之胺，該脂肪族基以碳數1～12為佳。脂肪族胺，可列舉如：氨NH ₃之氫原子中的至少1個，被碳數12以下之烷基或羥烷基取代而得之胺(烷胺或烷醇胺)或環式胺等。烷胺及烷醇胺之具體例如：n-己胺、n-庚胺、n-辛胺、n-壬胺、n-癸胺等的單烷胺；二乙胺、二-n-丙胺、二-n-庚胺、二-n-辛胺、二環己胺等的二烷胺；三甲胺、三乙胺、三-n-丙胺、三-n-丁胺、三-n-戊胺、三-n-己胺、三-n-庚胺、三-n-辛胺、三-n-壬胺、三-n-癸胺、三-n-十二烷胺等的三烷胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二-n-辛醇胺、三-n-辛醇胺等之烷醇胺。該些之中，又以碳數5～10之三烷胺為更佳，以三-n-戊胺或三-n-辛胺為特佳。

環式胺，例如：含有作為雜原子的氮原子之雜環化合物等。該雜環化合物，可為單環式者(脂肪族單環式胺)亦可、多環式者(脂肪族多環式胺)亦可。脂肪族單環式胺，具體而言，例如：哌啶、哌嗪等。脂肪族多環式胺，以碳數6～10者為佳，具體而言，例如：1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯、伸六甲基四胺、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷等。

其他脂肪族胺，可列舉如：三(2-甲氧基甲氧乙基)胺、三｛2-(2-甲氧基乙氧基)乙基｝胺、三｛2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基｝胺、三｛2-(1-甲氧基乙氧基)乙基｝胺、三｛2-(1-乙氧基乙氧基)乙基｝胺、三｛2-(1-乙氧基丙氧基)乙基｝胺、三[2-｛2-(2-羥基乙氧基)乙氧基｝乙基]胺、三乙醇胺三乙酸酯等，又以三乙醇胺三乙酸酯為佳。

又，(D3)成份，亦可使用芳香族胺。芳香族胺，可列舉如：4-二甲胺基吡啶、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑或該些的衍生物、三苄胺、2,6-二異丙基苯胺、N-tert-丁氧羰基吡咯啶等。

(D3)成份，可單獨使用1種、將2種以上組合使用亦可。阻劑組成物含有(D3)成份時，阻劑組成物中，(D3)成份，相對於(A)成份100質量份，一般為使用0.01～5質量份之範圍。於上述範圍時，可取得與其他成份之平衡，而可使各種微影蝕刻特性更為良好。

≪(E)成份：由有機羧酸及磷之含氧酸及其衍生物所成之群所選出之至少1種的化合物≫ 本實施形態之阻劑組成物中就防止感度劣化，或提高阻劑圖型形狀、存取時之存放安定性(temporal stability)等目的，可再含有作為任意成份之由有機羧酸及磷之含氧酸及其衍生物所成之群所選出之至少1種的化合物(E)(以下，亦稱為「(E)成份」)。有機羧酸，例如：以乙酸、丙二酸、枸椽酸、蘋果酸、琥珀酸、安息香酸、水楊酸等為佳。磷之含氧酸，可列舉如：磷酸、膦酸(phosphonic acid)、次膦酸(phosphine acid)等，該些之中，特別是以膦酸為佳。磷之含氧酸之衍生物，例如：上述含氧酸之氫原子被烴基取代而得之酯等，前述烴基，可列舉如：碳數1～5之烷基、碳數6～15之芳基等。磷酸之衍生物，例如：磷酸二-n-丁酯、磷酸二苯酯等的磷酸酯等。膦酸之衍生物，例如：膦酸二甲酯、膦酸-二-n-丁酯、膦酸苯酯、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等的膦酸酯等。次膦酸之衍生物，例如：次膦酸酯或次膦酸苯酯等。本實施形態之阻劑組成物中，(E)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。阻劑組成物含有(E)成份時，(E)成份之含量，相對於(A)成份100質量份，一般為使用0.01～5質量份之範圍。

≪(F)成份：氟添加劑成份≫ 本實施形態之阻劑組成物，就賦予阻劑膜撥水性，或提高微影蝕刻特性等觀點，可含有氟添加劑成份(以下，亦稱為「(F)成份」)。 (F)成份，例如：可使用特開2010-002870號公報、特開2010-032994號公報、特開2010-277043號公報、特開2011-13569號公報、特開2011-128226號公報記載之含氟高分子化合物。 (F)成份，更具體而言，例如：具有下述式(f1-1)所表示之結構單位(f1)之聚合物。該聚合物，以僅由下述式(f1-1)所表示之結構單位(f1)所形成之聚合物(均聚物)；該結構單位(f1)與前述結構單位(a1)之共聚物；該結構單位(f1)與丙烯酸或甲基丙烯酸所衍生之結構單位與前述結構單位(a1)之共聚物為佳。其中，與該結構單位(f1)共聚的前述結構單位(a1)，以由1-乙基-1-環辛基(甲基)丙烯酸酯所衍生之結構單位、由1-甲基-1-金剛烷基(甲基)丙烯酸酯所衍生之結構單位為佳。

[式中，R與前述為相同之內容；Rf ¹⁰²及Rf ¹⁰³各別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1～5之烷基或碳數1～5之鹵化烷基；Rf ¹⁰²及Rf ¹⁰³可為相同或相異皆可；nf ¹為1～5之整數；Rf ¹⁰¹為含有氟原子的有機基]

式(f1-1)中，α位的碳原子所鍵結的R，與前述為相同之內容。R以氫原子或甲基為佳。式(f1-1)中，Rf ¹⁰²及Rf ¹⁰³之鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。Rf ¹⁰²及Rf ¹⁰³之碳數1～5之烷基，例如：與上述R之碳數1～5之烷基為相同之內容，又以甲基或乙基為佳。Rf ¹⁰²及Rf ¹⁰³之碳數1～5之鹵化烷基，具體而言，例如：碳數1～5之烷基之氫原子的一部份或全部，被鹵素原子取代而得之基等。該鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。其中，Rf ¹⁰²及Rf ¹⁰³又以氫原子、氟原子，或碳數1～5之烷基為佳，以氫原子、氟原子、甲基，或乙基為佳。式(f1-1)中，nf ¹為1～5之整數，又以1～3之整數為佳，以1或2為較佳。

式(f1-1)中，Rf ¹⁰¹為含有氟原子的有機基，又以含有氟原子之烴基為佳。含有氟原子之烴基，例如：可為直鏈狀、支鏈狀或環狀之任一者皆可，又以碳數1～20為佳，以碳數1～15為較佳，以碳數1～10為特佳。又，含有氟原子之烴基，以該烴基中的氫原子之25%以上被氟化者為佳，以50%以上被氟化者為較佳，又以60%以上被氟化者，可提高浸漬曝光時之阻劑膜的疏水性，而為特佳。其中，Rf ¹⁰¹又以碳數1～6之氟化烴基為較佳，以三氟甲基、-CH ₂-CF ₃、-CH ₂-CF ₂-CF ₃、-CH(CF ₃) ₂、-CH ₂-CH ₂-CF ₃、-CH ₂-CH ₂-CF ₂-CF ₂-CF ₂-CF ₃為特佳。

(F)成份的質量平均分子量(Mw)(凝膠滲透色層分析之聚苯乙烯換算基準)，以1000～50000為佳，以5000～40000為較佳，以10000～30000為最佳。於此範圍的上限值以下時，作為阻劑使用時對阻劑用溶劑具有充份的溶解性，於此範圍的下限值以上時，可使阻劑膜具有良好的撥水性。 (F)成份之分散度(Mw/Mn)，以1.0～5.0為佳，以1.0～3.0為較佳，以1.2～2.5為最佳。

本實施形態之阻劑組成物中，(F)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。阻劑組成物含有(F)成份時，(F)成份之含量，相對於(A)成份100質量份，一般為使用0.5～10質量份之比例。

≪(S)成份：有機溶劑成份≫ 本實施形態之阻劑組成物，可將阻劑材料溶解於有機溶劑成份(以下，亦稱為「(S)成份」)而可製得。 (S)成份，只要可溶解所使用的各成份、形成均勻溶液者即可，其可由以往作為化學增幅型阻劑組成物的溶劑之公知內容中，適當地選擇使用任意之成份。 (S)成份，例如：γ-丁內酯等的內酯類；丙酮、甲乙酮、環己酮、甲基-n-戊酮、甲基異戊酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯，或二丙二醇單乙酸酯等的具有酯鍵結之化合物、前述多元醇類或前述具有酯鍵結之化合物的單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚等的單烷醚或單苯醚等的具有醚鍵結的化合物等的多元醇類之衍生物[該些之中，又以丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)為佳]；二噁烷等的環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄醚、甲苯酚甲醚、二苯醚、二苄醚、苯乙醚、丁基苯醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、三甲苯等之芳香族系有機溶劑、二甲基磺酸酯(DMSO)等。本實施形態之阻劑組成物中，(S)成份，可單獨使用1種亦可，以2種以上之混合溶劑方式使用亦可。其中，又以PGMEA、PGME、γ-丁內酯、EL、環己酮為佳。又，PGMEA與極性溶劑混合而得之混合溶劑亦佳。其添加比(質量比)，可於考量PGMEA與極性溶劑之相溶性等之後，作適當之決定即可，較佳為1：9～9：1，更佳為於2：8～8：2之範圍內為佳。更具體而言，例如：添加作為極性溶劑之EL或環己酮時，PGMEA：EL或環己酮之質量比，較佳為1：9～9：1，更佳為2：8～8：2。又，添加作為極性溶劑之PGME時，PGMEA：PGME之質量比，較佳為1：9～9：1，更佳為2：8～8：2，特佳為3：7～7：3。又，PGMEA與PGME與環己酮之混合溶劑亦佳。又，(S)成份，其他例如：由PGMEA及EL中所選出之至少1種與γ-丁內酯之混合溶劑亦佳。該情形中，混合比例依前者與後者之質量比時，較佳為70：30～95：5。 (S)成份之使用量，並未有特別之限定，可於塗佈於基板等之濃度內，對應塗佈膜厚度作適當之設定。一般為使阻劑組成物的固形成份濃度為0.1～20質量%，較佳為0.2～15質量%之範圍內使用(S)成份。

本實施形態之阻劑組成物中，可再配合期待之目的，適當地添加含有具有混和性的添加劑，例如改善阻劑膜之性能所附加的樹脂、溶解抑制劑、可塑劑、安定劑、著色劑、抗暈劑、染料等。

本實施形態之阻劑組成物，可將上述阻劑材料溶解於(S)成份後，再使用聚醯亞胺多孔質膜、聚醯胺醯亞胺多孔質膜等，去除雜質等。例如：可使用由聚醯亞胺多孔質膜所構成的過濾器、聚醯胺醯亞胺多孔質膜所構成的過濾器、聚醯亞胺多孔質膜及聚醯胺醯亞胺多孔質膜所構成的過濾器等，過濾阻劑組成物。前述聚醯亞胺多孔質膜及前述聚醯胺醯亞胺多孔質膜，可列舉如：特開2016-155121號公報記載之內容等。

本實施形態之阻劑組成物，為含有上述(A1)成份，與(BD1)成份，與必要時添加的前述任意成份者。例如：(BD1)成份作為(B1)成份使用時，以含有(A1)成份，與(B1)成份，與(D2)成份或(D3)成份之阻劑組成物為較佳例示。例如：(BD1)成份作為(D1)成份使用時，以含有(A1)成份，與(B2)成份，與(D1)成份之阻劑組成物為較佳例示。此外，例如：(BD1)成份分別作為(B1)成份及(D1)成份使用時，以含有(A1)成份，與(B1)成份，與(D1)成份之阻劑組成物為較佳例示。

以上說明的本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份為含有上述(A1a)成份、(A1b)成份，或(A1c)成份。

含有(A1a)成份的本實施形態之阻劑組成物，為含有：具有結構單位(a0-1a)的樹脂成份(A1a)，與通式(bd1)所表示之化合物(BD1)。該(BD1)成份，因具有主要由烴所形成的特定之結構(巨大結構)的陰離子部，故可相對地提高疏水性。如此，可提高化合物(BD1)與樹脂成份(A1)之相溶性，又，可適當地控制阻劑膜內的酸擴散性。此外，樹脂成份(A1a)中，因含有特定之結構單位(a0-1a)(經由酸之作用而解離之基中，具有碳-碳不飽和鍵結部位的結構單位)，故更能提高化合物(BD1)與樹脂成份(A1)之相乘效果。因此，推測可使實施形態之阻劑組成物更向上提升微影蝕刻特性(降低粗糙度等)，同時可達到高感度化。

又，使用含有(A1a)成份的阻劑組成物於形成阻劑圖型中，不易受到曝光後加熱處理時的燒焙溫度之影響，而可使感度的變化受到抑制，而可安定地形成微細尺寸的阻劑圖型，即，可擴大其PEB寬容度。此外，使用含有(A1a)成份的阻劑組成物時，於所形成的阻劑膜內，可提高化合物(BD1)的均勻性，而容易形成高解析度且可降低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。

含有(A1b)成份的本實施形態之阻劑組成物，為含有：具有結構單位(a0-1b)及結構單位(a0-2)的樹脂成份(A1b)，與通式(bd1)所表示之化合物(BD1)。該(BD1)成份，因具有主要由烴所形成的特定結構(巨大結構)之陰離子部，故可相對地提高疏水性。如此，可提高化合物(BD1)與樹脂成份(A1b)之相溶性，又，可適當地控制阻劑膜內的酸擴散性。此外，樹脂成份(A1b)，因由特定的結構單位組合者，故更能提高化合物(BD1)與樹脂成份(A1b)之相乘效果。因此，推測可使實施形態之阻劑組成物的微影蝕刻特性(降低粗糙度等)更向上提升，同時可達到高感度化。

又，使用含有(A1b)成份的阻劑組成物時，於所形成的阻劑膜內，可提高化合物(BD1)的均勻性、而容易形成高解析度且可降低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。

含有(A1c)成份的阻劑組成物，為含有：具有結構單位(a0-3)的樹脂成份(A1c)，與通式(bd1)所表示之化合物(BD1)。該(BD1)成份，因具有主要由烴所形成的特定結構(巨大結構)之陰離子部，故可相對地提高疏水性。如此，可提高化合物(BD1)與樹脂成份(A1c)之相溶性，又，可適當地控制阻劑膜內的酸擴散性。此外，樹脂成份(A1c)，因具有特定的結構單位(a0-3)，故可於適當地調整對顯影液之溶解性的同時，並提高對基板的密著性，而可改善阻劑圖型的斷面形狀。此外，經由化合物(BD1)與樹脂成份(A1c)的相乘效果，可使(BD1)成份於阻劑膜內形成均勻的分佈。因此，本實施形態之阻劑組成物，推測可使微影蝕刻特性(降低粗糙度等)更向上提升，同時可改善阻劑圖型的斷面形狀之矩形性。

又，使用含有(A1c)成份的阻劑組成物時，於所形成的阻劑膜內，可提高化合物(BD1)的均勻性，而容易形成高解析度且可降低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。

又，本實施形態之阻劑組成物中，(B1)成份以含有通式(b1)所表示之化合物(B1d)為佳。該化合物(B1d)，因具有主要由烴所形成的特定結構(巨大結構)之陰離子部，故可相對地提高疏水性。如此，可提高化合物(B1d)與基材成份(A)之相溶性，又，可適當地控制阻劑膜內的酸擴散性。又，推測因含有該陰離子部與陽離子部所形成的(B1d)成份，故可使微影蝕刻特性(降低粗糙度等)更向上提升，同時可達到高感度化。又，使用含有化合物(B1d)的阻劑組成物時，於所形成的阻劑膜內，因可提高化合物(B1d)的均勻性，而容易形成高解析度且可降低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。

(阻劑組成物：其他的實施形態) 本發明之實施形態的阻劑組成物，為含有：經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份(A)，與經由曝光而產生酸的酸產生劑成份(B)；前述酸產生劑成份(B)可含有上述通式(b1)所表示之化合物(B1d)。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份，可單獨使用1種亦可、將2種以上合併使用亦可。本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份，以前述(A-1)成份為佳。即，本實施形態之阻劑組成物，以於鹼顯影製程中形成正型阻劑圖型之「鹼顯影製程用正型阻劑組成物」，或於溶劑顯影製程中形成負型阻劑圖型之「溶劑顯影製程用負型阻劑組成物」為佳。(A)成份，可使用高分子化合物及低分子化合物中之至少一者。 (A)成份為(A-1)成份時，(A-1)成份，以含有(A1)成份者為佳。 (A1)成份，以含有具有結構單位(a1)的高分子化合物(A1d)(以下，亦稱為「(A1d)成份」)為佳。較佳的(A1d)成份，例如：具有上述之結構單位(a1)與結構單位(a0-2)之重複結構的高分子化合物、具有結構單位(a1)與結構單位(a3)之重複結構的高分子化合物、具有結構單位(a1)與結構單位(a2)之重複結構的高分子化合物等。上述2個的各結構單位之組合以外，可配合上述說明的結構單位所期待的效果，再加上的第3個或第3個以上的結構單位予以組合。3個以上的結構單位之組合，例如：結構單位(a1)與結構單位(a0-2)與結構單位(a3)之組合、結構單位(a1)與結構單位(a0-2)與結構單位(a2)之組合、結構單位(a1)與結構單位(a0-2)與結構單位(a2)與結構單位(a3)之組合等。

該(A1d)成份，可將衍生各結構單位的單體溶解於聚合溶劑中，再於其中，加入例如偶氮雙異丁腈(AIBN)、偶氮雙異丁酸二甲酯(例如V-601等)等的自由基聚合起始劑，使其進行聚合等反應等而製得。或，該(A1d)成份，可將衍生結構單位(a1)的單體，與必要時添加的可衍生結構單位(a1)以外的結構單位之單體的前驅物(該單體的官能基被保護之單體)，溶解於聚合溶劑中，再於其中加入上述的自由基聚合起始劑進行聚合，隨後，再進行去保護反應等而製得。又，聚合之際，亦可併用例如：HS-CH ₂-CH ₂-CH ₂-C(CF ₃) ₂-OH等鏈移轉劑，以於末端導入 -C(CF ₃) ₂-OH基。如此，該導入有烷基的氫原子中之一部份被氟原子取代而得之羥烷基的共聚物，可有效地降低顯影缺陷或降低LER(線路邊緣粗糙度：線路側壁的不均勻凹凸)。

(A1d)成份之質量平均分子量(Mw)(凝膠滲透色層分析(GPC)之聚苯乙烯換算基準)，並未有特別之限定，又以1000～50000為佳，以2000～30000為較佳，以3000～20000為更佳。 (A1d)成份的Mw於此範圍的較佳上限值以下時，作為阻劑使用時，對阻劑溶劑具有充份的溶解性，於此範圍的較佳下限值以上時，可得到良好的耐乾蝕刻性或阻劑圖型斷面形狀。 (A1d)成份之分散度(Mw/Mn)，並未有特別之限定，又以1.0～4.0為佳，以1.0～3.0為較佳，1.1～2.0為特佳。又，Mn表示數平均分子量。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成份可併用不相當於前述(A1d)成份，且經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成份(以下，亦稱為「(A2)成份」)。 (A2)成份，並未有特別之限定，其可任意選擇使用以往已知作為作學增幅型阻劑組成物用的基材成份之多數成份。 (A2)成份，可單獨使用1種高分子化合物或低分子化合物，或將2種以上組合使用皆可。

(A)成份中，(A1d)成份之比例，相對於(A)成份的總質量，以25質量%以上為佳，以50質量%以上為較佳，以75質量%以上為更佳，亦可為100質量%。該比例為25質量%以上時，容易形成具有高感度化或解析度、改善粗糙度等各種優良微影蝕刻特性的阻劑圖型。該些效果，於電子線或EUV進行的微影蝕刻中為特別顯著。

本實施形態之阻劑組成物，為含有上述(A)成份，與(B1d)成份，與必要時添加的前述任意成份者。例如：以含有(A)成份，與(B1d)成份，與(D1)成份之阻劑組成物為較佳例示。又，例如：以含有(A)成份，與(B1d)成份，與(D2)成份或(D3)成份之阻劑組成物為較佳例示。

以上說明的本實施形態之阻劑組成物，為含有通式(b1)所表示之化合物(B1d)。因含有由該陰離子部與陽離子部所形成的(B1d)成份，故與上述實施態樣所說明的理由相同般，推測可使微影蝕刻特性(降低粗糙度等)更向上提升，同時可達到高感度化。又，使用實施形態之阻劑組成物時，於所形成的阻劑膜內，因可提高化合物(B1d)的均勻性，而容易形成高解析度且可降低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。

(阻劑圖型形成方法) 本發明之第2態樣的阻劑圖型形成方法，為具有：使用上述實施形態之阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟，及使前述曝光後之阻劑膜顯影，而形成阻劑圖型之步驟的方法。該阻劑圖型形成方法的一實施形態，例如：依以下方式進行的阻劑圖型之形成方法。

首先，將上述實施形態之阻劑組成物，使用旋轉塗佈器等塗佈於支撐體上，例如於80～150℃的溫度條件，施以40～120秒鐘，較佳為60～90秒鐘的燒焙(Post Apply Bake(PAB))處理，而形成阻劑膜。其次，使用例如電子線描繪裝置、EUV曝光裝置等的曝光裝置，介由形成特定圖型的遮罩(遮罩圖型)對該阻劑膜進行曝光，或不介由遮罩圖型而使用電子線直接照射進行描繪等的選擇性曝光之後，再例如80～150℃的溫度條件，施以40～120秒鐘，較佳為60～90秒鐘的燒焙(Post Exposure Bake(PEB))處理。其次，對前述阻劑膜施以顯影處理。顯影處理，於鹼顯影製程時，為使用鹼顯影液，於溶劑顯影製程時，為使用含有有機溶劑的顯影液(有機系顯影液)進行。顯影處理後，較佳為進行洗滌處理。洗滌處理，於鹼顯影製程時，以使用純水之水洗滌為佳，於溶劑顯影製程時，以使用含有有機溶劑的洗滌液為佳。於溶劑顯影製程時，於前述顯影處理或洗滌處理之後，對圖型上所附著的顯影液或洗滌液，可使用超臨界流體施以去除處理。於顯影處理後或洗滌處理之後，進行乾燥處理。又，依實際情況之不同，亦可於上述顯影處理後進行燒焙處理(後燒焙)。依此方式，即可形成阻劑圖型。

支撐體，並未有特別之限定，其可使用以往公知之內容，例如：電子零件用之基板，或於其上形成特定配線圖型者等。更具體而言，例如：矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等的金屬製的基板，或玻璃基板等。配線圖型之材料，例如：可使用銅、鋁、鎳、金等。又，支撐體，亦可為於上述基板上，設置無機系及/或有機系之膜者。無機系之膜，可列舉如：無機抗反射膜(無機BARC)。有機系之膜，可列舉如：有機抗反射膜(有機BARC)，或多層阻劑法中的底層有機膜等的有機膜。其中，多層阻劑法為，於基板上，設置至少一層的有機膜(底層有機膜)，與至少一層的阻劑膜(上層阻劑膜)，並以上層阻劑膜所形成的阻劑圖型作為遮罩，對底層有機膜進行圖型形成(Patterning)之方法，而可形成高長徑比的圖型。即，使用多層阻劑法時，因可以底層有機膜確保所需之厚度，故可使阻劑膜薄膜化，而形成高長徑比的微細圖型。多層阻劑法中，基本尚可大致區分為：上層阻劑膜，與底層有機膜之二層結構之方法(2層阻劑法)，與於上層阻劑膜與底層有機膜之間，設置一層以上的中間層(金屬薄膜等)而形成三層以上的多層結構之方法(3層阻劑法)。

曝光所使用的波長，並未有特別之限定，例如：可使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、F ₂準分子雷射、EUV(超紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等的輻射線。前述阻劑組成物，對於KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EB或EUV用等具有高度的有用性，對ArF準分子雷射、EB或EUV用等具有更高的有用性，對EB或EUV用等具有特高的有用性。即，本實施形態之阻劑圖型形成方法，對於對阻劑膜進行曝光之步驟中，包含使用EUV(超紫外線)或EB(電子線)對前述阻劑膜進行曝光操作之情形，為特別有用之方法。

阻劑膜之曝光方法，可為於空氣或氮氣等惰性氣體中進行的一般曝光(乾式曝光)亦可、浸潤曝光(Liquid Immersion Lithography)亦可。浸潤曝光為，預先於阻劑膜與曝光裝置的最下位置的透鏡之間，充滿具有較空氣的折射率為更大折射率的溶劑(浸潤媒介)，並於該狀態下進行曝光(浸潤曝光)之曝光方法。浸潤媒介，以具有較空氣的折射率為更大、且較被曝光的阻劑膜之折射率為更小的折射率之溶劑為佳。該溶劑的折射率，於前述範圍內時，並未有特別之限制。具有較空氣的折射率為更大，且較前述阻劑膜的折射率為更小折射率的溶劑，例如：水、氟系惰性液體、矽系溶劑、烴系溶劑等。氟系惰性液體之具體例如：C ₃HCl ₂F ₅、C ₄F ₉OCH ₃、C ₄F ₉OC ₂H ₅、C ₅H ₃F ₇等的氟系化合物作為主成份的液體等，又以沸點為70～180℃者為佳，以80～160℃者為較佳。氟系惰性液體具有上述範圍之沸點時，於曝光結束後，可以簡便的方法去除浸潤時所使用的媒介。氟系惰性液體，特別是以烷基之全部氫原子被氟原子取代而得之全氟烷基化合物為佳。全氟烷基化合物，具體而言，例如：全氟烷醚化合物、全氟烷胺化合物等。又，更具體而言，例如：前述全氟烷醚化合物為全氟(2-丁基-四氫呋喃)(沸點102℃)，前述全氟烷胺化合物為全氟三丁胺(沸點174℃)等。浸潤媒介，就費用、安全性、環境問題、廣用性等的觀點，以使用水為較佳。

鹼顯影製程中的顯影處理所使用的鹼顯影液，例如：0.1～10質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液等。溶劑顯影製程中的顯影處理所使用的有機系顯影液所含有的有機溶劑，只要可溶解(A)成份(曝光前之(A)成份)者即可，其可由公知的有機溶劑中適當地選擇。具體而言，例如：酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等的極性溶劑、烴系溶劑等。酮系溶劑，為結構中含有C-C(=O)-C之有機溶劑。酯系溶劑，為結構中含有C-C(=O)-O-C之有機溶劑。醇系溶劑，為結構中含有醇性羥基之有機溶劑。「醇性羥基」，為脂肪族烴基的碳原子所鍵結的羥基之意。腈系溶劑，為結構中含有腈基之有機溶劑。醯胺系溶劑，為結構中含有醯胺基的有機溶劑。醚系溶劑，為結構中含有C-O-C的有機溶劑。有機溶劑中，亦存在有結構中包含複數種具有上述各溶劑之特徴的官能基之有機溶劑，於該情形中，則相當於含有該有機溶劑所具有的官能基之任一個溶劑之種類。例如：二乙二醇單甲醚，於上述分類中，可相當於醇系溶劑、醚系溶劑之任一者。烴系溶劑，為由可被鹵化之烴所構成，為不具有鹵素原子以外的取代基之烴溶劑。鹵素原子，可列舉如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。有機系顯影液所含有的有機溶劑，於上述之中，又以極性溶劑為佳，以酮系溶劑、酯系溶劑、腈系溶劑等為佳。

酮系溶劑，例如：1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、乙醯基丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮、二丙酮醇、乙醯基卡必醇、苯乙酮、甲基萘酮、異佛爾酮、伸丙基碳酸酯、γ-丁內酯、甲基戊酮(2-庚酮)等。該些之中，酮系溶劑，又以甲基戊酮(2-庚酮)為佳。

酯系溶劑，例如：乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等。該些之中，酯系溶劑，又以乙酸丁酯為佳。

腈系溶劑，例如：乙腈、丙腈、戊腈、丁腈等。

有機系顯影液中，必要時，可摻合公知的添加劑。該添加劑，例如界面活性劑等。界面活性劑，並未有特別之限定，例如可使用離子性或非離子性之氟系及/或矽系界面活性劑等。界面活性劑，以非離子性之界面活性劑為佳，以非離子性之氟系界面活性劑，或非離子性之矽系界面活性劑為較佳。摻合界面活性劑時，其摻合量，相對於有機系顯影液之全量，一般為0.001～5質量%，又以0.005～2質量%為佳，以0.01～0.5質量%為較佳。

顯影處理，可使用公知的顯影方法予以實施，例如：將支撐體浸漬於顯影液中維持特定時間之方法(浸漬法)、以表面張力使顯影液覆蓋支撐體表面並靜止特定時間之方法(攪練(puddle)法)、將顯影液對支撐體表面噴霧之方法(噴霧法)、由依特定速度掃描中的顯影液塗出噴嘴，持續塗出於特定迴轉速度的支撐體上之方法(Dynamicdispense法)等。

溶劑顯影製程中，於顯影處理後的洗滌處理使用的洗滌液所含有有機溶劑，例如：可由前述有機系顯影液所使用的有機溶劑所列舉的有機溶劑中，適當地選擇不易溶解阻劑圖型者。一般為使用由烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑所選出之至少1種的溶劑。該些之中，又以由烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醯胺系溶劑所選出之至少1種為佳，以由醇系溶劑及酯系溶劑所選出之至少1種為較佳，以醇系溶劑為特佳。洗滌液所使用的醇系溶劑，以碳數6～8之單元醇為佳，該單元醇可為直鏈狀、分支狀或環狀之任一者。具體而言，例如：1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、苄醇等。該些之中，又以1-己醇、2-庚醇、2-己醇為佳，以1-己醇、2-己醇為較佳。該些的有機溶劑，可單獨使用任一種，或將2種以上合併使用皆可。又，亦可與上述以外的有機溶劑或水混合使用。但，就考慮顯影特性時，洗滌液中的水之摻合量，相對於洗滌液全量，以30質量%以下為佳，以10質量%以下為較佳，以5質量%以下為更佳，以3質量%以下為特佳。洗滌液中，必要時，可摻合公知的添加劑。該添加劑，例如界面活性劑等。界面活性劑，例如與前述為相同之內容，又以非離子性之界面活性劑為佳，以非離子性之氟系界面活性劑，或非離子性之矽系界面活性劑為較佳。摻合界面活性劑時，其摻合量相對於洗滌液之全量，一般為0.001～5質量%，又以0.005～2質量%為佳，以0.01～0.5質量%為較佳。

使用洗滌液之洗滌處理(洗淨處理)，可使用公知洗滌方法予以實施。該洗滌處理之方法，例如：將洗滌液持續塗出於依特定速度迴轉的支撐體上之方法(迴轉塗佈法)、將支撐體浸漬於洗滌液中維持特定時間之方法(浸漬法)、將洗滌液對支撐體表面噴霧之方法(噴霧法)等。

以上說明的本實施形態之阻劑圖型形成方法中，因使用上述第1態樣的阻劑組成物，故於形成阻劑圖型之際，可使感度提高，而形成具有更良好的微影蝕刻特性(降低粗糙度等)之阻劑圖型。此外，本實施形態之阻劑圖型形成方法中，於曝光後的加熱處理之際，不易受到燒焙溫度之影響。如此，可使感度的變化受到抑制，而可安定地形成微細尺寸之阻劑圖型(具有良好且寬廣的PEB寬容度)。

(化合物) 本發明之第3態樣之化合物，為由下述通式(b1)所表示之陰離子部與陽離子部所形成者。

[式中，Rx ¹～Rx ⁴，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；Ry ¹～Ry ²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；為雙鍵或單鍵；Rz ¹～Rz ⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx ¹～Rx ⁴、Ry ¹～Ry ²與Rz ¹～Rz ⁴中的至少1個具有下述通式(an-1)所表示之陰離子基，且可而使陰離子部全體為n價之陰離子，陰離子部全體中，羰基之數為1個或0個。n為1以上之整數；m為1以上之整數，M ^m+表示具有拉電子基的m價之有機陽離子]。

[式中，R ^b01為氟原子或碳數1～5之氟化烷基；Y ^b01為單鍵或2價之連結基；其中，Y ^b01為2價之連結基時，Y ^b01所含有的羰基之數為1個或0個。V ^b01為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。＊表示鍵結鍵]。

上述通式(b1)所表示之化合物，與上述實施形態之阻劑組成物的說明中之(B1d)成份為相同之化合物。通式(b1)所表示之化合物，可依上述[化合物(BD1)的製造方法]所例示之方法等而製得。

(酸產生劑) 本發明之第4態樣之酸產生劑，為由上述第3態樣之化合物所形成者。該酸產生劑，為適合作為化學增幅型阻劑組成物用之酸產生劑成份者。該酸產生劑成份用於化學增幅型阻劑組成物時，於阻劑圖型之形成中，可提升降低粗糙度等的微影蝕刻特性、使圖型保持良好形狀，且可達到高感度化。使用該酸產生劑成份時，特別是對EB或EUV光源時，容易達到高感度。此外，含有該酸產生劑成份的化學增幅型阻劑組成物，可使解析度能更向上提升。

[實施例]

以下，將使用實施例對本發明作更詳細的說明，但本發明並不受該些例示所限定。本實施例中，化學式(1)所表示之化合物以「化合物(1)」表示，其他的化學式所表示之化合物亦為相同的表示方式。

≪實施態樣a≫ ＜共聚物(A1a-1-1)的製造方法例＞共聚物(A1a-1-1)，可分別使用特定量的下述單體(a21)，與下述單體(a0-1a1)，與下述單體(a31)，與聚合起始劑之2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲基(V-601)，依公知的自由基聚合反應而製得。

＜共聚物(A1a-1-2)～共聚物(A1a-1-13)、共聚物(A2a-1)、共聚物(A2a-2)的製造方法例＞除共聚物(A1a-1-2)～共聚物(A1a-1-13)、共聚物(A2a-1)及共聚物(A2a-2)，為分別使用特定莫耳比的衍生構成各共聚物的結構單位之下述單體以外，其他皆依與上述＜共聚物(A1a-1-1)的製造方法例＞為相同之方法予以合成。

＜共聚物(A1a-1-14)的製造方法例＞將單體(a021-pre)10.0g，與單體(a0-1a1)18.5g，與聚合起始劑之偶氮雙(異丁酸)二甲酯(V-601)2.4g，溶解於MEK(甲乙酮)50.0g中，再於氮氛圍下加熱至85℃，攪拌5小時。隨後，將乙酸9.4g與甲醇160g加入反應液中，於30℃下進行8小時的去保護反應。反應結束後，使所得的反應液沈澱於庚烷2500g中，予以洗淨。將所得白色固形物過濾、進行一晩減壓乾燥，結果，製得目的共聚物(A1a-1-14)15.2g。

＜共聚物(A1a-1-15)～共聚物(A1a-1-28)、共聚物(A2a-3)、共聚物(A2a-4)的製造方法例＞共聚物(A1a-1-15)～共聚物(A1a-1-28)、共聚物(A2a-3)及共聚物(A2a-4)，為分別使用特定莫耳比的衍生構成各共聚物的結構單位之下述前驅物單體((a021-pre)、(a022-pre)、(a023-pre))與上述單體以外，其他皆依與上述＜共聚物(A1a-1-14)的製造方法例＞為相同之方法予以合成。

以下為依上述製造方法例所製得之共聚物(A1a-1-1)～共聚物(A1a-1-28)、共聚物(A2a-1)～共聚物(A2a-3)。

使用 ¹³C-NMR對所得之各共聚物所求得的該共聚物的共聚組成比(各單體所衍生之結構單位之比例(莫耳比))、使用GPC測定求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)及分子量分散度(Mw/Mn)，併記於表1之中。

又，構成上述共聚物之下述化學式(a021)所表示之結構單位，為由上述化學式(a021-pre)所表示之單體所衍生之結構單位。同樣地，下述化學式(a022)所表示之結構單位，為由上述化學式(a022-pre)所表示之單體所衍生之結構單位。下述化學式(a023)所表示之結構單位，為由上述化學式(a023-pre)所表示之單體所衍生之結構單位。

＜化合物的製造方法＞ (製造例1a) 於100mL三口燒瓶中，投入蒽(5.0g、28 mmol)，與丙烯酸甲酯(3.6g、42 mmol)，與氯化鋁(0.37g、2.8 mmol)，與甲苯(50g)，於80℃、攪拌下，進行4小時反應。冷卻後，加入超純水(50g)，與甲基tert-丁醚(MTBE)(74g)，攪拌30分鐘後，將水層去除。有機層使用超純水(50g)洗淨3次，將該有機層使用旋轉蒸發器進行濃縮處理。濃縮物使用2-異丙醇進行再結晶，而製得中間體1(5.9g、產率=79.6%)。

於100mL三口燒瓶中，投入氫氧化鈉(3.8g、95 mmol)，與超純水(38g)，攪拌溶解後，使中間體1(5.0g、19 mmol)分散後，於90℃下進行4小時反應。冷卻至室溫後，加入鹽酸中和至溶液達酸性為止，隨後，加入MTBE(50g)，攪拌30分鐘後，去除水層。有機層使用超純水(50g)洗淨3次，將有機層使用旋轉蒸發器進行濃縮處理後，製得中間體2(4.6g、產率=97.2%)。

於100mL三口燒瓶中，投入中間體2(4.0g、16 mmol)，與化合物(Ia-1)(5.0g、16 mmol)，與二氯甲烷(87g)，於室溫下進行攪拌，使其溶解。其次，投入二異丙基碳二亞胺(2.2g、18 mmol)與二甲胺基吡啶(0.098g、0.8 mmol)，於室溫下進行5小時反應。將反應液過濾後，濾液使用旋轉蒸發器進行濃縮處理。將濃縮物使用乙腈(17g)溶解後，滴入MTBE(170g)中，將析出之固體進行過濾。將過濾物再度使用乙腈(17g)溶解後，滴入MTBE (170g)中，再將析出之固體進行過濾。重複2次此一操作後，再將過濾物進行減壓乾燥，而製得前驅物(Bpre-1) (5.8g、產率=66.8%)。

(製造例2a) 於100mL三口燒瓶中，投入中間體2(4.0g、16 mmol)，與化合物(Ia-2)(5.7g、16 mmol)，與二氯甲烷(87g)，於室溫下進行攪拌，使其溶解。其次，投入二異丙基碳二亞胺(2.2g、18 mmol)與二甲胺基吡啶(0.098g、0.8 mmol)，於室溫下進行5小時反應。將反應液過濾後，濾液使用旋轉蒸發器進行濃縮處理。將濃縮物使用乙腈(17g)溶解後，滴入MTBE(170g)中，將析出之固體進行過濾。將過濾物再度使用乙腈(17g)溶解後，滴入MTBE(170g)中，再將析出之固體進行過濾。重複2次此一操作後，再將過濾物進行減壓乾燥，而製得前驅物(Bpre-2)(6.2g、產率=65.4%)。

(製造例3a) 於100mL三口燒瓶中，投入中間體2(4.0g、16 mmol)，與化合物(Ia-3)(6.0g、16 mmol)，與二氯甲烷(87g)，於室溫下進行攪拌，使其溶解。其次，投入二異丙基碳二亞胺(2.2g、18 mmol)與二甲胺基吡啶(0.098g、0.8 mmol)，於室溫下進行5小時反應。將反應液過濾後，濾液使用旋轉蒸發器進行濃縮處理。將濃縮物使用乙腈(17g)溶解後，滴入MTBE(170g)中，將析出之固體進行過濾。將過濾物再度使用乙腈(17g)溶解後，滴入MTBE(170g)中，再將析出之固體進行過濾。重複2次此一操作後，再將過濾物進行減壓乾燥，而製得前驅物(Bpre-3)(7.6g、產率=78.2%)。

(製造例4a) 於100mL三口燒瓶中，投入中間體2(4.8g、19 mmol)與四氫呋喃(THF)(50g)，於室溫下進行攪拌，使其溶解。其次，再投入LiAlH ₄(0.86g、23 mmol)，於室溫下反應3小時。其次，加入超純水(50g)，與MTBE(50g)，攪拌30分鐘後，將水層去除。隨後，有機層使用超純水(50g)洗淨3次，將有機層使用旋轉蒸發器進行濃縮處理後，製得中間體3(4.1g、產率=91.0%)。

於100mL三口燒瓶中，投入中間體3(4.0g、19 mmol)，與化合物(Ia-4)(3.6g、18 mmol)，與p-甲苯磺酸一水和物(0.18g、0.9 mmol)，與甲苯(40g)，於110℃下進行24小時迴流。冷卻後，將其過濾，將乙腈(160g)加入濾渣中，於室溫下攪拌30分後，進行過濾。將濾液濃縮，再將甲乙酮(78g)加入濾渣後進行攪拌。隨後，進行過濾，將過濾物乾燥後，製得前驅物(Bpre-4)(4.9g、產率=62.4%)。

(製造例5a) 於300mL的耐壓反應容器中，投入4-溴-3,3,4,4-四氟-1-丁烯(8.7g、42 mmol)，與蒽(5.0g、28 mmol)，與甲苯(100g)，再於150℃下反應24小時。其次，冷卻至室溫後，使用旋轉蒸發器進行濃縮處理。將甲醇(50g)加入該濃縮物中之後，進行攪拌，將析出之固體進行過濾。隨後，於減壓下進行乾燥處理，製得中間體4(6.0g、產率=55.6%)。

於200mL的三口燒瓶中，投入中間體4(5.8g、15 mmol)，與苄基三甲基氯化銨(2.9g、16 mmol)，與二硫磺酸鈉(6.7、38 mmol)，與、碳酸氫鈉(3.8g、45 mmol)，與乙腈(16g)，與H ₂O(16g)，於攪拌、65℃下，反應4小時。其次，冷卻至室溫後，將反應液過濾後，將H2O(16g)，與二氯甲烷(25g)加入濾液中，攪拌30分鐘後，將水層去除。其次，使用超純水(160g)洗淨2次，有機層使用旋轉蒸發器進行濃縮處理。將乙腈(77g)加入濃縮物中使其溶解，加入30%過氧化氫水(2.7g、24 mmol)，於45℃下反應7小時。冷卻至室溫之後，加入二氯甲烷(78g)，與飽和亞硫酸鈉水溶液(78g)，使用超純水攪拌30分鐘後，將水層去除。以超純水(78g)洗淨2次後，加入MTBE(156g)後攪拌30分鐘。將析出物過濾，於減壓下乾燥結果，製得前驅物(Bpre-5)(5.8g、產率=66.8%)。

(製造例6a) 除將中間體2(4.0g、16 mmol)變更為中間體5(6.8g、16 mmol)以外，其他皆依與前驅物(Bpre-2)的製造方法例為相同之方法，製得前驅物(Bpre-6)(6.6g、產率=53.1%)。

(製造例7a) 除將丙烯酸甲酯(3.6g、42 mmol)變更為馬來酸酐(4.0g、42 mmol)以外，其他皆依與中間體2的製造方法例為相同之方法，製得中間體6(6.4g、產率=82.3%)。

於100mL三口燒瓶中，投入氫氧化鈉(3.6g、90 mmol)，與超純水(36g)，攪拌溶解後，使中間體6(5.0g、18 mmol)分散，於90℃下進行4小時反應。冷卻至室溫後，加入20%鹽酸(13.2g、72.4 mmol)與苄基三甲基氯化銨(5.0g、27 mmol)，隨後，加入MTBE(50g)攪拌30分鐘後，將水層去除。有機層使用超純水(50g)洗淨3次，有機層使用旋轉蒸發器進行濃縮後，製得前驅物(Bpre-7) (5.7g、產率=71.0%)。

(製造例8a) 於100mL三口燒瓶中，投入氫氧化鈉(3.6g、90 mmol)，與超純水(36g)，攪拌溶解後，使中間體1(4.8g、18 mmol)分散，於90℃下進行4小時反應。冷卻至室溫後，加入20%鹽酸(13.2g、72.4 mmol)與苄基三甲基氯化銨(5.0g、27 mmol)，隨後，加入MTBE(50g)攪拌30分鐘後，將水層去除。有機層使用超純水(50g)洗淨3次，有機層使用旋轉蒸發器進行濃縮後，製得前驅物(Bpre-8)(5.7g、產率=71.0%)。

(化合物(B1a-1)的製造方法例) 使前驅物(Bpre-1)(5.0g、9.2 mmol)與鹼交換用化合物A(2.8g、9.2 mmol)溶解於二氯甲烷(60g)中，加入超純水(60g)，於室溫下反應30分鐘。反應結束、去除水相後，將有機相使用超純水(60g)洗淨4次。有機相經使用旋轉蒸發器濃縮乾固結果，製得化合物(B1a-1)(5.1g、產率=85%)。

(其他化合物的製造方法例) 除變更上述前驅物(Bpre-1)～前驅物(Bpre-8)，與鹼交換用化合物A之組合以外，其他皆依與上述「化合物(B1a-1)的製造方法例」為相同之方法，分別製得以下所示化合物(B1a-1)～化合物(B1a-6)、化合物(D1a-1)～化合物(D1a-2)。

使用NMR分別對所得各化合物進行測定，並依以下分析結果鑑識該結構。

化合物(B1a-1)：前驅物(Bpre-1)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.00-7.48(m, ArH, 8H), 4.70(s, CH, 1H), 4.31-4.58(m, CH, CF2CH2, 3H), 2.95-3.02 (m, CH, 1H), 1.85-2.05 (m, CH2, 2H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-111.4

化合物(B1a-2)：前驅物(Bpre-2)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.01-7.47(m, ArH, 8H), 5.08(m, CFCH, 1H), 4.71(s, CH, 1H), 4.42(s, CH, 1H), 4.23(m, CH2, 2H), 2.90(m, CH, 1H), 2.45(m, CFCH, 1H), 1.82-2.07 (m, CH2, CFCH, 3H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-112.5, -121.2, -203.2

化合物(B1a-3)：前驅物(Bpre-3)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.01-7.47(m, ArH, 8H), 4.72(s, CH, 1H), 4.43(S, CH, 1H), 4.23, (t, CH2, 2H), 2.95-3.02(m, CH, 1H), 2.63-2.73, (m, CF2CH2, 2H), 1.86-2.07 (m, CH2, 2H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-111.3, -117.4

化合物(B1a-4)：前驅物(Bpre-4)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.01-7.45(m, ArH, 8H), 4.71(s, CH, 1H), 4.44(S, CH, 1H), 4.31(S, CH2, 2H), 2.93-3.00 (m, CH, 1H), 1.87-2.07 (m, CH2, 1H), 0.98-1.03 (m, CH2, 1H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-107.9

化合物(B1a-5)：前驅物(Bpre-5)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.00-7.48(m, ArH, 8H), 4.70　(s, CH, 1H), 4.40(s, CH, 1H), 3.15-3.22 (m, CF2CH, 1H), 1.95-2.15 (m, CH2, 2H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-111.3, -117.4

化合物(B1a-6)：前驅物(Bpre-6)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.01-7.47(m, ArH, 8H), 4.70(d, OCH(lactone), 1H), 4.58(t, COOCH(lactone), 1H), 4.50(d, CH, 2H), 4.22, (t, COOCH2, 2H), 3.32(m, CH(lactone),1H), 3.20(t, COCH,2H), 2.63-2.73, (m, CF2CH2,CH(lactone) 4H), 1.60-2.20(m,CH2(lactone),4H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-111.3, -117.4

化合物(D1a-1)：前驅物(Bpre-7)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH),7.00-7.48(m, ArH, 8H), 4.85 (s, ArCH, 2H), 3.16 (s, CH, 2H)

化合物(D1a-2)：前驅物(Bpre-8)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, ArH, 15H), 7.00-7.48 (m, ArH, 8H), 4.68(s, CH, 1H), 4.41(s, CH, 1H), 2.95-3.02 (m, CH, 1H), 1.86-2.04 (m, CH2, 2H)

＜阻劑組成物的製造方法＞ (實施例1a～36a、比較例1a～16a) 將表2～5所示各成份混合、溶解，分別製得各例之阻劑組成物。

表2～5中，各簡稱分別具有以下之意義。[ ]內之數值為摻合量(質量份)。 (A1a)-1～(A1a)-5：上述共聚物(A1a-1-1)～(A1a-1-5)。 (A1a)-7～(A1a)-28：上述共聚物(A1a-1-7)～(A1a-1-28)。 (A2a)-1～(A2a)-3：上述共聚物(A2a-1)～(A2a-3)。 (B1a)-1～(B1a)-6：上述化學式(B1a-1)～(B1a-6)所各別表示之化合物所形成的酸產生劑。 (D1a)-1～(D1a)-2：上述化學式(D1a-1)～(D1a-2)所各別表示之化合物所形成的酸擴散控制劑。

(B2a)-1：下述化學式(B2a-1)所表示之化合物所形成的酸產生劑。 (D2a)-1～(D2a)-3：下述化學式(D2a-1)～(D2a-3)所各別表示之化合物所形成的酸擴散控制劑。 (S)-1：丙二醇單甲醚乙酸酯/丙二醇單甲醚=6/4(質量比)的混合溶劑。

＜阻劑圖型之形成＞步驟(i)：將各例之阻劑組成物分別使用旋轉塗佈器塗佈於施以六甲基二矽氮烷(HMDS)處理後的8英吋矽基板上，於加熱板上，在溫度110℃下實施60秒鐘的預燒焙(PAB)處理，經乾燥後，形成膜厚50nm之阻劑膜。步驟(ii)：其次，使用電子線描繪裝置JEOL JBX-9300FS(日本電子股份有限公司製)，於加速電壓100kV下、標靶尺寸為線路寬50nm的1：1線路與空間圖型(以下，亦稱為「LS圖型」)，對前述阻劑膜進行描繪(曝光)。隨後，於100℃下實施60秒鐘的曝光後加熱(PEB)處理。步驟(iii)：其次，於23℃下，使用2.38質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液「NMD-3」(商品名、東京應化工業股份有限公司製)，進行60秒鐘的鹼顯影處理。隨後，使用純水進行15秒鐘之水洗滌。其結果，形成線路寬50nm的1：1之LS圖型。

[最佳曝光量(Eop)之評估] 求取依前述之阻劑圖型之形成方法中，形成標靶尺寸的LS圖型時之最佳曝光量Eop(μC/cm ²)。將其以「Eop (μC/cm ²)」記載如表6～9所示。

[LWR(線路寬之粗糙度)之評估] 於依上述＜阻劑圖型之形成＞所形成的LS圖型中，求取標示LWR尺度的3σ。將其以「LWR(nm)」記載如表6～9所示。「3σ」，為使用掃瞄型電子顯微鏡(加速電壓800V、商品名：S-9380、日立高科技公司製)，於線路的長度方向測定400處的線之位置，並由該測定結果所求得的標準偏差(σ)之3倍值(3σ)(單位：nm)之意。該3σ之數值越小時，表示線路側壁的粗糙度越小，而可製得寬度更均勻的LS圖型之意。

[PEB寬容度之評估] 除將上述＜阻劑圖型之形成＞中的步驟(ii)中之曝光後加熱(PEB)處理的條件(燒焙溫度、加熱時間)，分別變更為100℃、60秒鐘，與110℃、60秒鐘後，形成LS圖型。隨後求取100℃時的最佳曝光量，及110℃時的最佳曝光量，並依下述評估基準，將兩者的感度變化之差異作為指標，評估其PEB寬容度。其以「PEB寬容度」記載如表6～9所示。評估基準〇：感度變化未達10%者。 ×：感度變化為10%以上者。

由表6～9所示結果得知，使用本發明的實施例之阻劑組成物時，於阻劑圖型之形成中，確認可達到高感度化，且，可形成具有低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。

又，使用本發明的實施例之阻劑組成物，於阻劑圖型之形成中，亦確認出具有良好且寬廣的PEB寬容度。

≪實施態樣b≫ ＜單體(a0-1b7)的製造方法例＞參考國際公開第2013/042694號之段落0087及段落0090記載之合成例，使用作為原料的2,2-二甲基-3-甲氧基丙酸甲基等進行合成，而製得目的之單體(a0-1b7)，即具有下述NMR特性的1-(2’-甲氧基-1’,1’-二甲乙基)環戊烷-1-基=甲基丙烯酸酯。

使用NMR測定所得單體(a0-1b7)結果，依以下結果而鑑識出其結構。 ¹H-NMR(CDCl ₃)δ(ppm)=6.00(m, 1H), 5.47(m, 1H), 3.10(s, 3H), 3.08(s, 2H), 2.20-2.12(m, 2H), 2.05-1.95(m, 4H), 1.93(t, 3H), 1.60-1.50(m, 2H), 1.02(s, 6H)

＜共聚物(A1b-1-1)的製造方法例＞將單體(a01-1pre)10.0g、單體(a0-1b1)9.5g、聚合起始劑之偶氮雙(異丁酸)二甲酯(V-601)1.4g，溶解於MEK(甲乙酮)50.0g中，再於氮氛圍下加熱至85℃，攪拌5小時。隨後，將乙酸9.4g、甲醇160g加入反應液中，於30℃下進行8小時去保護反應。反應結束後，將所得反應液沈澱於庚烷2500g中，進行洗淨。將所得白色固體物過濾，實施一晩減壓乾燥後，製得目的共聚物(A1b-1-1)10.1g。

所製得之共聚物(A1b-1-1)，依GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為7200，又，分子量分散度(Mw/Mn)為1.69。 ¹³C-NMR所求得之共聚組成比(結構式中，各結構單位之比例(莫耳比))為l/m=50/50。

＜共聚物(A1b-1-2)～共聚物(A1b-1-22)、共聚物(A2b-1)～共聚物(A2b-4)的製造方法例＞除共聚物(A1b-1-2)～共聚物(A1b-1-22)、共聚物(A2b-1)～共聚物(A2b-4)，分別使用特定莫耳比的衍生構成各共聚物的結構單位之下述單體以外，其他皆依與上述＜共聚物(A1b-1-1)的製造方法例＞為相同之方法予以合成。

＜共聚物(A2b-5)的製造方法例＞共聚物(A2b-5)，為分別使用特定量的上述單體(a0-1b1)及上述單體(a22)，與聚合起始劑之2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯(V-601)，依公知的自由基聚合而製得。

以下為依上述製造方法例所製得之共聚物(A1b-1-1)～共聚物(A1b-1-22)、共聚物(A2b-1)～共聚物(A2b-5)。

所製得之各共聚物中，依 ¹³C-NMR所求得的該共聚物之共聚組成比(各單體所衍生之結構單位之比例(莫耳比))、依GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)及分子量分散度(Mw/Mn)，皆併記於表10中。

又，構成上述共聚物的下述化學式(a021)所表示之結構單位，為由上述化學式(a021-pre)所表示之單體所衍生之結構單位。同樣的，下述化學式(a022)所表示之結構單位，為由上述化學式(a022-pre)所表示之單體所衍生之結構單位。下述化學式(a023)所表示之結構單位，為由上述化學式(a023-pre)所表示之單體所衍生之結構單位。

＜化合物的製造方法＞ (製造例1b～8b) 依與上述製造例1a～8a相同之方法，製得前驅物(Bpre-1)～(Bpre-8)。

又，上述製造例6a中之Bre-6，為依以下方式製得。於100mL三口燒瓶中，投入中間體3(6.0g、22 mmol)，與5-羥基降莰烷2,6-內酯(4.0g、26 mmol)，與二氯甲烷(120g)，於室溫下進行攪拌，使其溶解。其次，投入二甲胺基吡啶(0.13g、1 mmol)，與三乙胺(5.5g、54 mmol)，於室溫下反應24小時。投入超純水(120g)攪拌後，加入鹽酸將水層中和至酸性為止，再攪拌30分鐘後，將水層去除。有機層使用超純水(120g)洗淨3次，將有機層使用旋轉蒸發器進行濃縮處理後，製得中間體4(7.2g、產率=77.1%)。

於100mL三口燒瓶中，投入中間體5(4.0g、16 mmol)，與化合物(Ib-1)(6.0g、16 mmol)，與二氯甲烷(87g)，於室溫下進行攪拌，使其溶解。其次，投入二異丙基碳二亞胺(2.2g、18 mmol)與二甲胺基吡啶(0.098g、0.8 mmol)，於室溫下進行5小時反應。將反應液過濾後，濾液使用旋轉蒸發器進行濃縮處理。將濃縮物使用乙腈(17g)溶解後，滴入MTBE(170g)中，將析出之固體進行過濾。將過濾物再度使用乙腈(17g)溶解後，滴入MTBE(170g)中，再將析出之固體進行過濾。重複2次此一操作後，再將過濾物進行減壓乾燥，而製得前驅物(Bpre-6)(6.6g、產率=53.1%)。

(製造例9b) 於25～35℃下，將二氧化碳導入使用9-溴三蝶烯(20.0g、60 mmol)，與鎂(1.6g、66 mmol)，與THF(400g)依常用方法所製得的Grignard試劑中，於室溫下反應2小時。將超純水(400g)加入反應液中，攪拌1小時後，加入鹽酸至溶液達酸性為止，隨後將析出物濾出。過濾物使用超純水(100g)洗淨2次，再使用甲醇(50g)洗淨2次。於減壓下進行乾燥結果，製得中間體7。將中間體7(5.0g、17 mmol)、氫氧化鈉(0.74g、18 mmol)、苄基三甲基氯化銨(3.1g、17 mmol)溶解於超純水(100g)中。隨後，加入二氯甲烷(50g)攪拌30分鐘後，將水層去除。有機層使用超純水(50g)洗淨3次，有機層使用旋轉蒸發器進行濃縮後，製得前驅物B-pre9(2.6g、產率=34.0%)。

(化合物(B1b-3)的製造方法例將前驅物(Bpre-4)(3.8g、9.2 mmol)與鹼交換用化合物A(2.8g、9.2 mmol)溶解於二氯甲烷(60g)中，加入超純水(60g)，於室溫下反應30分鐘。反應結束、去除水相後，將有機相使用超純水(60g)洗淨4次。有機相經使用旋轉蒸發器濃縮乾固結果，製得化合物(B1b-3)(5.4g、產率=89.0%)。

(其他化合物的製造方法例) 除變更上述前驅物(Bpre-1)～前驅物(Bpre-9)，與鹼交換用化合物A之組合以外，其他皆依與上述「化合物(B1b-3)的製造方法例」為相同之方法，分別製得以下所示化合物(B1b-1)～化合物(B1b-6)、化合物(D1b-1)～化合物(D1b-3)。

化合物(B1b-1)：前驅物(Bpre-2)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-6)為相同之內容。

化合物(B1b-2)：前驅物(Bpre-6)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-6)為相同之內容。

化合物(B1b-3)：前驅物(Bpre-4)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-4)為相同之內容。

化合物(B1b-4)：前驅物(Bpre-1)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-1)為相同之內容。

化合物(B1b-5)：前驅物(Bpre-3)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-3)為相同之內容。

化合物(B1b-6)：前驅物(Bpre-5)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-5)為相同之內容。

化合物(D1b-1)：前驅物(Bpre-7)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(D1a-1)為相同之內容。

化合物(D1b-2)：前驅物(Bpre-8)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(D1a-2)為相同之內容。

化合物(D1b-3)：前驅物(Bpre-9)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, ArH, 15H), 7.68-7.82 (m, Ph, 6H), 6.60-6.80 (m, Ph, 6H), 5.47 (s, CH, 1H)

＜阻劑組成物的製造方法＞ (實施例1b～27b、比較例1b～11b) 將表11～13所示各成份混合、溶解，分別製得各例之阻劑組成物。

表11～13中，各簡稱分別具有以下之意義。[ ]內之數值為摻合量(質量份)。 (A1b)-1～(A1b)-22：上述共聚物(A1b-1-1)～(A1b-1-22)。 (A2b)-1～(A2b)-5：上述共聚物(A2b-1)～(A2b-5)。 (B1b)-1～(B1b)-6：上述化學式(B1b-1)～(B1b-6)所各別表示之化合物所形成的酸產生劑。 (D1b)-1～(D1b)-3：上述化學式(D1b-1)～(D1b-3)所各別表示之化合物所形成的酸擴散控制劑。

(B2b)-1：下述化學式(B2b-1)所表示之化合物所形成的酸產生劑。 (D2b)-1～(D2b)-3：下述化學式(D2b-1)～(D2b-3)所各別表示之化合物所形成的酸擴散控制劑。 (S)-1：丙二醇單甲醚乙酸酯/丙二醇單甲醚=6/4(質量比)的混合溶劑。

＜阻劑圖型之形成＞將各例之阻劑組成物分別使用旋轉塗佈器塗佈於施以六甲基二矽氮烷(HMDS)處理後的8英吋矽基板上，於加熱板上，在溫度110℃下實施60秒鐘的預燒焙(PAB)處理，經乾燥後，形成膜厚50nm之阻劑膜。其次，使用電子線描繪裝置JEOL JBX-9300FS(日本電子股份有限公司製)，於加速電壓100kV下、標靶尺寸為線路寬50nm的1：1線路與空間圖型(以下，亦稱為「LS圖型」)，對前述阻劑膜進行描繪(曝光)。隨後，於100℃下實施60秒鐘的曝光後加熱(PEB)處理。其次，於23℃下，使用2.38質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液「NMD-3」(商品名、東京應化工業股份有限公司製)，進行60秒鐘的鹼顯影處理。隨後，使用純水進行15秒鐘之水洗滌。其結果，形成線路寬50nm的1：1之LS圖型。

[最佳曝光量(Eop)之評估] 求取依前述之阻劑圖型之形成方法中，形成標靶尺寸的LS圖型時之最佳曝光量Eop(μC/cm ²)。將其以「Eop (μC/cm ²)」記載如表14及表15所示。

[LWR(線路寬之粗糙度)之評估] 於依上述＜阻劑圖型之形成＞所形成的LS圖型中，求取標示LWR尺度的3σ。將其以「LWR(nm)」記載如表5及表6所示。「3σ」，為使用掃瞄型電子顯微鏡(加速電壓800V、商品名：S-9380、日立高科技公司製)，於線路的長度方向測定400處的線之位置，並由該測定結果所求得的標準偏差(σ)之3倍值(3σ)(單位：nm)之意。該3σ之數值越小時，表示線路側壁的粗糙度越小，而可製得寬度更均勻的LS圖型之意。

由表14及表15所示結果得知，確認使用本發明實施例之阻劑組成物時，於阻劑圖型之形成中，可達到高感度化，且可形成降低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。

≪實施態樣c≫ ＜共聚物(A1c-1-1)～共聚物(A1c-1-7)、共聚物(A2c-1)～共聚物(A2c-3)的製造方法例＞將表16所示化合物，使用特定莫耳比，依自由基聚合反應而合成共聚物。所製得之各共聚物中， ¹³C-NMR所求得的該高分子化合物的共聚組成比(高分子化合物中的各結構單位之比例(莫耳比))、GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算之質量平均分子量(Mw)及分子量分散度(Mw/Mn)，併記於表16中。

以下為上述合成例所製得之共聚物(A1c-1-1)～共聚物(A1c-1-7)、共聚物(A2c-1)～(A2c-3)。

又，構成上述共聚物的下述化學式(a021)所表示之結構單位，為由上述化學式(a021-pre)所表示之單體所衍生之結構單位。

＜化合物的製造方法＞ (製造例1c～6c) 依與上述製造例1a、3a、5a～8a相同之方法，製得前驅物(Bpre-1)、(Bpre-3)、(Bpre-5)～(Bpre-8)。

(化合物(B1c-1)的製造方法例) 將前驅物(Bpre-1)(15.0g、24.7 mmol)與鹼交換用化合物A(7.4g、24.7 mmol)溶解於二氯甲烷(100g)中，加入超純水(35g)，於室溫下反應30分鐘。反應結束、去除水相後，將有機相使用超純水(35g)洗淨4次。有機相經使用旋轉蒸發器濃縮乾固結果，製得化合物(B1c-1)(16.5g、產率=92.5%)。

(其他化合物的製造方法例) 除變更上述前驅物(Bpre-1)～前驅物(Bpre-6)，與鹼交換用化合物A之組合以外，其他皆依與上述「化合物(B1c-1)的製造方法例」為相同方法，分別製得以下所示化合物(B1c-1)～化合物(B1c-4)、化合物(D1c-1)、化合物(D1c-2)。

化合物(B1c-1)：前驅物(Bpre-3)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-3)為相同之內容。

化合物(B1c-2)：前驅物(Bpre-5)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-5)為相同之內容。

化合物(B1c-3)：前驅物(Bpre-1)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-1)為相同之內容。

化合物(B1c-4)：前驅物(Bpre-6)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-6)為相同之內容。

化合物(D1c-1)：前驅物(Bpre-8)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(D1a-2)為相同之內容。

化合物(D1c-2)：前驅物(Bpre-7)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(D1a-1)為相同之內容。

＜阻劑組成物的製造方法＞ (實施例1c～39c、比較例1c～11c) 將表17～19所示各成份混合、溶解，分別製得各例之阻劑組成物。

表17～19中，各簡稱分別具有以下之意義。[ ]內之數值為摻合量(質量份)。 (A1c)-1～(A1c)-7：上述共聚物(A1c-1-1)～(A1c-1-7)。 (A2c)-1～(A2c)-3：上述共聚物(A2c-1)～(A2c-3)。 (B1c)-1～(B1c)-4：上述化學式(B1c-1)～(B1c-4)所各別表示之化合物所形成的酸產生劑。 (D1c)-1、(D1c)-2：上述化學式(D1c-1)、(D1c-2)所各別表示之化合物所形成的酸擴散控制劑。

(B2c)-1、(B2c)-2：下述化學式(B2c-1)、(B2c-2)所各別表示之化合物所形成的酸產生劑。 (D2c)-1：下述化學式(D2c-1)所表示之化合物所形成的酸擴散控制劑。 (S)-1：丙二醇單甲醚乙酸酯/丙二醇單甲醚=60/40(質量比)的混合溶劑。

[最佳曝光量(Eop)之評估] 求取依前述之阻劑圖型之形成方法中，形成標靶尺寸的LS圖型時之最佳曝光量Eop(μC/cm ²)。將其以「Eop (μC/cm ²)」記載如表20～22所示。

[LWR(線路寬之粗糙度)之評估] 於依上述＜阻劑圖型之形成＞所形成的LS圖型中，求取標示LWR尺度的3σ。將其以「LWR(nm)」記載如表20～22所示。「3σ」，為使用掃瞄型電子顯微鏡(加速電壓800V、商品名：S-9380、日立高科技公司製)，於線路的長度方向測定400處的線之位置，並由該測定結果所求得的標準偏差(σ)之3倍值(3σ)(單位：nm)之意。該3σ之數值越小時，表示線路側壁的粗糙度越小，而可製得寬度更均勻的LS圖型之意。

[LS圖型形狀之評估] 使用SEM(掃瞄型電子顯微鏡、加壓電壓8kV、商品名：SU-8000、日立高科技公司製)，觀察依上述＜阻劑圖型之形成＞所形成的LS圖型之斷面形狀，並測定阻劑圖型上部的線寬(Lt)與中間的線寬(Lm)。將其以「形狀」記載如表20～22所示。斷面形狀的矩形性，以Lt/Lm之值越接近1時，表示為更佳。斷面形狀的矩形性，為0.95≦(Lt/Lm)≦1.05時，評估為「A：特別良好」；0.90≦(Lt/Lm)＜0.95，或1.05＜ (Lt/Lm)≦1.10時，評估為「B：良好」；(Lt/Lm)＜0.90，或1.10＜(Lt/Lm)時，評估為「C：不良」。

由表20～22所示結果得知，確認使用本發明實施例之阻劑組成物時，可形成具有低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。又，樹脂成份(A1)具有結構單位(a0-3)時，可形成具有更低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。

≪實施態樣d≫ ＜化合物的製造方法＞ (製造例1d～7d) 依與上述製造例1a～6a、8a為相同之方法，製得前驅物(Bpre-1)～(Bpre-6)、(Bpre-8)。

(製造例8d) 依與上述製造例9b為相同之方法，製得前驅物(Bpre-9)。

(製造例9d) 於100mL三口燒瓶中，投入化合物(Id-1)(10.0g、32 mmol)，與對甲苯磺醯氯(6.7g、35 mmol)，與二氯甲烷(100g)，於室溫下進行攪拌使其分散。其次，將吡啶(3.0g、39 mmol)以30分鐘投入其中，於室溫下反應6小時。反應液使用超純水(100g)洗淨4次，將MTBE(150g)投入有機層中，攪拌30分鐘。將析出物過濾，於減壓下進行乾燥後，製得中間體8(5.8g、產率=66.8%)。

於200mL的三口燒瓶中，投入9-溴三蝶烯(10.0g、30 mmol)，與THF(100g)，進行攪拌使其溶解。冷卻至-78℃後，將1.6M的n-丁基鋰之己烷溶液(20.6ml、33 mmol)投入其中，於-78℃下攪拌1小時。其次，投入溶解有中間體8(12.6g、27 mmol)的THF(126g)溶液，於-50℃下反應3小時。將反應液以1小時時間投入超純水(250g)中，隨後，加入二氯甲烷(160g)，攪拌30分鐘後，將水層去除。有機層使用超純水(150g)洗淨3次後，將有機層滴入MTBE(160g)中，將析出之固體進行過濾。將該過濾物溶解於乙腈(70g)後，滴入MTBE(140g)中，將析出之固體進行過濾。重複2次此一操作後，將過濾物施以減壓乾燥結果，製得前驅物(Bpre-10)(6.0g、產率=36.7%)。

(製造例10d) 於25～35℃下，將二氧化碳導入使用9-溴三蝶烯(20.0g、60 mmol)，與鎂(1.6g、66 mmol)，與THF(400g)依常用方法所製得的Grignard試劑中，於室溫下反應2小時。將超純水(400g)加入反應液中，攪拌1小時後，加入鹽酸至溶液達酸性為止，隨後將析出物濾出。過濾物使用超純水(100g)洗淨2次，使用甲醇(50g)洗淨2次，於減壓下進行乾燥結果，製得中間體7(10.0g、產率=55.8%)。

除將中間體2(4.0g、16 mmol)變更為中間體7(4.8g、16 mmol)以外，其他皆依與上述製造例1a中之前驅物(Bpre-1)的製造方法例為相同之方法，製得前驅物(Bpre-11)(7.9g、產率=83.8%)。

(製造例11d) 除將丙烯酸甲酯(3.6g、42 mmol)變更為馬來醯亞胺(4.1g、42 mmol)以外，其他皆依與中間體1的製造方法例為相同之方法，製得中間體9(6.4g、產率=82.3%)。

除將化合物(Id-2)(10.0g、32 mmol)變更為化合物(Id-3)(12.5g、32 mmol)以外，其他皆依與中間體8的製造方法例為相同之方法，製得中間體10(8.0g、產率=48.4%)。

於200mL的三口燒瓶中，投入中間體9(4.0g、15 mmol)，與THF(100g)，進行攪拌使其溶解。冷卻至-78℃後，將1.6M的n-丁基鋰之己烷溶液(8.6ml、14 mmol)投入，於-78℃下攪拌1小時。其次，投入溶解有中間體10(7.5g、15 mmol)的THF(150g)溶液，於-50℃下反應3小時。將反應液以1小時時間投入超純水(250g)中，隨後，加入二氯甲烷(180g)，攪拌30分鐘後，將水層去除。有機層使用超純水(200g)洗淨3次後，將有機層滴入MTBE(160g)中，將析出之固體進行過濾。將該過濾物溶解於乙腈(70g)後，滴入MTBE(140g)中，將析出之固體進行過濾。重複2次此一操作後，將過濾物施以減壓乾燥結果，製得前驅物(Bpre-12)(5.2g、產率=56.5%)。

(製造例12d) 於100mL三口燒瓶中，投入中間體6(4.1g、15 mmol)，與化合物(Id-4)(9.0g、33 mmol)，與p-甲苯磺酸一水和物(0.28g、1.5 mmol)，與甲苯(200g)，於110℃下迴流48小時。冷卻後，將其過濾，將乙腈(160g)加入濾渣中，於室溫下攪拌30分後，進行過濾。將濾液濃縮，將甲乙酮(78g)加入殘渣，進行攪拌、過濾。重複4次此一操作，將過濾物乾燥後，製得前驅物(Bpre-13)(4.1g、產率=34.3%)。

(化合物(B1d-1)的製造方法例) 將前驅物(Bpre-4)(3.8g、9.2 mmol)與鹼交換用化合物A(2.8g、9.2 mmol)，溶解於二氯甲烷(60g)中，加入超純水(60g)，於室溫下反應30分鐘。反應結束、去除水相後，將有機相使用超純水(60g)洗淨4次。有機相經使用旋轉蒸發器濃縮乾固結果，製得化合物(B1d-1)(5.4g、產率=89.0%)。

(其他化合物的製造方法例) 除變更上述前驅物(Bpre-1)～前驅物(Bpre-6)、前驅物(Bpre-8)～前驅物(Bpre-13)，與鹼交換用化合物A之組合以外，其他皆依與上述「化合物(B1d-1)的製造方法例」為相同之方法，分別製得以下所示化合物(B1d-1)～化合物(B1d-7)、化合物(B1d’-1)～(B1d’-3)及化合物(D1d-1)～(D1d-2)。

化合物(B1d-1)：前驅物(Bpre-4)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-4)為相同之內容。

化合物(B1d-2)：前驅物(Bpre-1)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-1)為相同之內容。

化合物(B1d-3)：前驅物(Bpre-3)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-3)為相同之內容。

化合物(B1d-4)：前驅物(Bpre-5)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-5)為相同之內容。

化合物(B1d-5)：前驅物(Bpre-2)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-2)為相同之內容。

化合物(B1d-6)：前驅物(Bpre-10)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)= 7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.68-7.82 (m, ArH, 6H), 6.60-6.80 (m, ArH, 6H), 5.54 (s, CH, 1H), 2.42-2.47(t, CF2CH2, 2H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-105.6

化合物(B1d-7)：前驅物(Bpre-11)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.68-7.82 (m, ArH, 6H), 6.60-6.80 (m, Ph, 6H), 5.52 (s, CH, 1H), 4.54 (t, CF2CH2, 2H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-111.4

化合物(B1d’-1)：前驅物(Bpre-6)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(B1a-6)為相同之內容。

化合物(B1d’-2)：前驅物(Bpre-12)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.01-7.47(m, ArH, 8H), 4.62(d, CH, 2H), 3.56(t, NCH2, 2H), 3.14(t, COCH,2H), 2.63-2.73(m, CF2CH2, 2H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-111.3, -117.6

化合物(B1d’-3)：前驅物(Bpre-12)與鹼交換用化合物A之組合 ¹H-NMR(DMSO, 400MHz)：δ(ppm)=7.74-7.90 (m, 15H, ArH), 7.01-7.47(m, ArH, 8H), 4.52(d, CH, 2H), 4.12(t, OCH2, 4H),3.18(t, COCH, 2H), 2.66-2.76(m, CH2CH2, 8H) 1.45-1.70(m, CF2CH2, 4H) ¹⁹F-NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)=-111.3, -117.6

化合物(D1d-1)：前驅物(Bpre-9)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(D1b-3)為相同之內容。

化合物(D1d-2)：前驅物(Bpre-8)與鹼交換用化合物A之組合依NMR測定之分析結果，與上述化合物(D1a-2)為相同之內容。

＜阻劑組成物的製造方法＞ (實施例1d～25d、比較例1d) 將表23～25所示各成份混合、溶解，分別製得各例之阻劑組成物。

表23～25中，各簡稱分別具有以下之意義。[ ]內之數值為摻合量(質量份)。 (A1d)-1：下述化學式(A1d)-1所表示之高分子化合物。該高分子化合物(A1d)-1，為將衍生構成該高分子化合物的結構單位之單體，使用特定莫耳比進行自由基聚合而製得者。該高分子化合物(A1d)-1，依GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為6900、分子量分散度(Mw/Mn)為1.72。 ¹³C-NMR所求得之共聚組成比(結構式中，各結構單位之比例(莫耳比))為l/m/n= 30/60/10。

(A1d)-2：下述化學式(A1d)-2所表示之高分子化合物。該高分子化合物(A1d)-2，為將衍生構成該高分子化合物的結構單位之單體，使用特定莫耳比進行自由基聚合而製得者。該高分子化合物(A1d)-2，依GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為7200、分子量分散度(Mw/Mn)為1.69。 ¹³C-NMR所求得之共聚組成比(結構式中，各結構單位之比例(莫耳比))為l/m =50/50。

(A1d)-3：下述化學式(A1d)-3所表示之高分子化合物。該高分子化合物(A1d)-3，為將衍生構成該高分子化合物的結構單位之單體，使用特定莫耳比進行自由基聚合而製得者。該高分子化合物(A1d)-3，依GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為7100、分子量分散度(Mw/Mn)為1.78。 ¹³C-NMR所求得之共聚組成比(結構式中，各結構單位之比例(莫耳比))為l/m/n/o=15/30/50/5。

(B1d)-1～(B1d)-7：上述化合物(B1d-1)～化合物(B1d-7)所各別形成的酸產生劑。 (B1d’)-1～(B1d’)-3：上述化合物(B1d’-1)～化合物(B1d’-3)所形成的酸產生劑。

(B2d)-1：下述化合物(B2d-1)所形成的酸產生劑。

(D1d)-1：下述化學式(D1d-1)所表示之化合物所形成的酸擴散控制劑。 (D1d)-2：下述化學式(D1d-2)所表示之化合物所形成的酸擴散控制劑。 (D2d)-1：下述化學式(D2d-1)所表示之化合物所形成的酸擴散控制劑。 (S)-1：丙二醇單甲醚乙酸酯/丙二醇單甲醚=60/40(質量比)的混合溶劑。

＜阻劑圖型之形成＞將各例之阻劑組成物分別使用旋轉塗佈器塗佈於施以六甲基二矽氮烷(HMDS)處理後的8英吋矽基板上，於加熱板上，在溫度110℃下實施60秒鐘的預燒焙(PAB)處理，經乾燥後，形成膜厚50nm之阻劑膜。其次，使用電子線描繪裝置JEOL-JBX-9300FS(日本電子股份有限公司製)、於加速電壓100kV下、標靶尺寸為線路寬30nm的1：1線路與空間圖型(以下，亦稱為「LS圖型」)，對前述阻劑膜進行描繪(曝光)。隨後，於110℃下施以60秒鐘的曝光後加熱(PEB)處理。其次，於23℃下，使用2.38質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液「NMD-3」(商品名、東京應化工業股份有限公司製)，進行60秒鐘的鹼顯影處理。隨後，使用純水進行15秒鐘之水洗滌。其結果，形成線路寬30nm的1：1之LS圖型。

[最佳曝光量(Eop)之評估] 求取依前述之阻劑圖型之形成方法中，形成標靶尺寸的LS圖型時之最佳曝光量Eop(μC/cm ²)。將其以「Eop (μC/cm ²)」記載如表26～28所示。

[LWR(線路寬之粗糙度)之評估] 於依上述＜阻劑圖型之形成＞所形成的LS圖型中，求取標示LWR尺度的3σ。將其以「LWR(nm)」記載如表26～28所示。「3σ」，為使用掃瞄型電子顯微鏡(加速電壓800V、商品名：S-9380、日立高科技公司製)，於線路的長度方向測定400處的線之位置，並由該測定結果所求得的標準偏差(σ)之3倍值(3σ)(單位：nm)之意。該3σ之數值越小時，表示線路側壁的粗糙度越小，而可製得寬度更均勻的LS圖型之意。

由表26～28所示結果得知，確認使用本發明實施例之阻劑組成物時，於阻劑圖型之形成中，可達到高感度化，且，可形成降低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。又，使用陰離子部的羰基之數為1個或0個的(B)成份時，可形成更高感度化，且更低粗糙度的良好形狀之阻劑圖型。

Claims

一種阻劑組成物，其為經由曝光而產生酸，且，經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的阻劑組成物，其特徵為含有：經由酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的樹脂成份(A1)，及下述通式(bd1-2)所表示之陰離子部與陽離子部所形成的化合物(BD1)；前述樹脂成份(A1)，為含有下述(b)的樹脂成份：(b)具有由下述通式(a0-1b-1)所表示之化合物中，W¹部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-1b)，與下述通式(a0-2-1)所表示之化合物中，W²部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-2)，及含有下述通式(a0-3)所表示之部份結構的結構單位(a0-3)所成之群所選出之至少1種的結構單位的樹脂成份
[式中，Rx⁵~Rx⁶各別獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子；複數的Rx⁷~Rx⁸，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或2個之Rx⁷或2個之Rx⁸可相互鍵結形成環結構；Ry¹~Ry²，各別獨立表示可具有取代基的烴基或氫原子，或可相互鍵結形成環結構；
為雙鍵或單鍵；Rz¹~Rz⁴，為各別獨立，且於原子價容許時，表示可具有取代基之烴基或氫原子，或2個以上可相互鍵結形成環結構；其中，Rx⁵~Rx⁸、Ry¹~Ry²與Rz¹~Rz⁴中的1個具有陰離子基，且使陰離子部全體為1價的陰離子；n為1；m為1以上之整數，M^m+表示m價之有機陽離子]
[式中，W¹為含有聚合性基之基；Ra^01b為下述通式(a01-r-1)或通式(a01-r-2)所表示之酸解離性基]
[式中，Ra⁰¹¹~Ra⁰¹³各別獨立為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、不具有交聯結構之脂環式基，或芳香族烴基；Ra⁰¹⁴為部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的直鏈狀或支鏈狀之碳數1~12之脂肪族烴基，或部份可被鹵素原子或含有雜原子之基取代的碳數6~12之芳基；Ra⁰¹⁵為與Ra⁰¹⁴鍵結的碳原子共同形成單環式脂肪族環式基之基；＊表示鍵結鍵]
[式中，W²為含有聚合性基之基；Wa^x0為可具有取代基之(n_ax0+1)價之具有芳香族性的環狀基。Wa^x0可與W²形成縮合環；n_ax0為1~3之整數]
[式中，R¹為碳數1~12之氟化烷基；R²為可具有氟原子的碳數1~12之有機基或氫原子；＊表示鍵結鍵]。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述(b)的樹脂成份為具有前述結構單位(a0-1b)與前述結構單位(a0-2)的樹脂成份。
如請求項2之阻劑組成物，其中，前述結構單位(a0-2)，為下述通式(a0-2-u1)所表示之結構單位；
[式中，R^X11、R^X12及R^X13各別獨立為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基；Ya^x1為單鍵或2價的連結基；Wa^x1為可具有取代基之(n_ax1+1)價之具有芳香族性的環狀基；但，Ya^x1與Wa^x1可形成縮合環，或R^X11與Ya^x1與Wa^x1可形成縮合環；n_ax1為1~3之整數]。
如請求項2之阻劑組成物，其中，前述結構單位(a0-1b)之比例，相對於構成前述樹脂成份(A1)的全結構單位(100莫耳%)，為30~70莫耳%。
如請求項2之阻劑組成物，其中，前述(b)的樹脂成份中，尚具有前述結構單位(a0-3)。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述(b)的樹脂成份為具有前述結構單位(a0-1b)與前述結構單位(a0-3)的樹脂成份。
如請求項6之阻劑組成物，其中，前述結構單位(a0-3)為：下述通式(a0-3-1)所表示之化合物中，W³部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-3-1)，或下述通式(a0-3-2)所表示之化合物中，聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-3-2)；
[式中，R¹為碳數1~12之氟化烷基；R²為可具有氟原子的碳數1~12之有機基或氫原子；W³及W⁴各別獨立為含有聚合性基之基；Y_a01 ^x0為單鍵或(n_a01+1)價之連結基；Y_a01 ^x0與W³可形成縮合環；Y_a02 ^x0為單鍵或(n_a02+1)價之連結基；n_a01及n_a02各別獨立為1~3之整數]。
如請求項6之阻劑組成物，其中，前述結構單位(a0-3)，為下述通式(a0-3-1a)所表示之化合物中，W¹部位的聚合性基變換為主鏈的結構單位(a0-3-1a)；
[式中，R¹為碳數1~12之氟化烷基；R²為可具有氟原子的碳數1~12之有機基或氫原子；W³為含有聚合性基之基；Y_a01 ^x1為單鍵或2價之連結基；Y_a01 ^x2為可具有取代基之(n_a01+1)價之芳香族烴基；W³與Y_a01 ^x1可形成縮合環、W³與Y_a01 ^x1與Y_a01 ^x2亦可形成縮合環；n_a01為1~3之整數]。
如請求項6之阻劑組成物，其中，前述R²為具有氟原子的碳數1~12之有機基。
如請求項6之阻劑組成物，其中，前述R¹及R²為三氟甲基。
如請求項6之阻劑組成物，其中，前述結構單位(a0-3)之比例，相對於構成前述樹脂成份(A1)的全結構單位(100莫耳%)，為10~80莫耳%。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述化合物(BD1)為經由曝光而產生酸的酸產生劑成份(B)，前述Rx¹~Rx⁴、Ry¹~Ry²與Rz¹~Rz⁴中的至少1個為具有下述通式(an-1)所表示之陰離子基，且使前述通式(bd1)中之陰離子部全體為n價之陰離子，前述陰離子部全體的羰基之數為1個或0個；
[式中，R^b01d為氟原子或碳數1~5之氟化烷基；Y^b01d為單鍵或2價之連結基；其中，Y^b01d為2價之連結基時，Y^b01d所含有的羰基之數為1個或0個；V^b01d為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基；＊表示鍵結鍵]。
如請求項12之阻劑組成物，其中，前述通式(an-1)所表示之陰離子基，於前述陰離子部全體中為1個，前述n為1。
如請求項12之阻劑組成物，其中，前述Rz¹~Rz⁴中之1個，為具有前述通式(an-1)所表示之陰離子基。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述Ry¹~Ry²為相互鍵結形成環結構。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述2個之Rx⁷或2個之Rx⁸為相互鍵結形成環結構。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述 Rz¹~Rz⁴中之2個以上，為相互鍵結而形成環結構。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述Rz¹~Rz⁴中的1個具有陰離子基。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述Rx⁵~Rx⁶中的1個具有陰離子基。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述化合物(BD1)中之陽離子部，為下述通式(ca-1)~(ca-4)之任一者所表示之陽離子；
[式中，R²⁰¹~R²⁰⁷及R²¹¹~R²¹²各別獨立表示：可具有取代基之芳基、可具有取代基之烷基，或可具有取代基之烯基；R²⁰¹~R²⁰³、R²⁰⁶~R²⁰⁷、R²¹¹~R²¹²可分別相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環；R²⁰⁸~R²⁰⁹各別獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，或相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環；R²¹⁰為可具有取代基之芳基、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基，或可具有取代基之含-SO₂-之環式基；L²⁰¹表示-C(=O)-或-C(=O)-O-；複數個Y²⁰¹各別獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基；x為1或2；W²⁰¹表示(x+1)價之連結基]。
一種阻劑圖型形成方法，其特徵為具有：使用請求項1之阻劑組成物，於支撐體上形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟，及使前述曝光後之阻劑膜顯影，而形成阻劑圖型之步驟。
如請求項21之阻劑圖型形成方法，其於使前述阻劑膜曝光之步驟中，為使用EUV(超紫外線)或EB(電子線)對前述阻劑膜進行曝光。