TWI832048B - 天線結構及具有該天線結構之電子設備 - Google Patents

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Abstract

一種電子設備之天線結構，包括殼體、系統接地面及第一饋入點，所述殼體至少部分由金屬材料製成，所述殼體上開設有第一斷點及第二斷點，所述第一斷點與所述第二斷點之間之所述殼體形成一第一輻射部，所述系統接地面設置於所述殼體內，且對應所述第一輻射部開設第一狹縫，所述第一狹縫與所述第二斷點連通，所述第一饋入點設置於所述第一輻射部上，且電連接至一第一饋電點，以為所述第一輻射部饋入電流訊號。所述天線結構可涵蓋中頻、高頻、5G Sub6 N77/N78/N79等多個頻段，具寬頻效果。本發明還提供一種具有該天線結構之電子設備。

Description

天線結構及具有該天線結構之電子設備
本發明涉及一種天線結構及具有該天線結構之電子設備。
隨著無線通訊技術之進步，行動電話、個人數位助理等電子裝置不斷朝向功能多樣化、輕薄化、以及資料傳輸更快、更有效率等趨勢發展。然而其相對可容納天線之空間亦就越來越小，且隨著無線通訊技術之不斷發展，天線之頻寬需求不斷增加。因此，如何於有限之空間內設計出具有較寬頻寬之天線，是天線設計面臨之一項重要課題。
有鑑於此，有必要提供一種天線結構及具有該天線結構之電子設備，以解決上述問題。
一種電子設備之天線結構，包括殼體、系統接地面及第一饋入點，所述殼體至少部分由金屬材料製成，所述殼體上開設有第一斷點及第二斷點，所述第一斷點與所述第二斷點之間之所述殼體形成一第一輻射部，所述系統接地面設置於所述殼體內，且對應所述第一輻射部開設第一狹縫，所述第一狹縫與所述第二斷點連通，所述第一饋入點設置於所述第一輻射部上，且電連接至一第一饋電點，以為所述第一輻射部饋入電流訊號。
一種電子設備，包括上述天線結構。
上述天線結構及具有該天線結構之電子設備可至少涵蓋中頻、高頻、超高頻、5G Sub6 N77/N78/N79等多個頻段，具寬頻效果。
100、100a:天線結構
11、11a:殼體
12、12a:系統接地面
111:第一部分
113:第二部分
115:第三部分
117:第一斷點
118:第二斷點
119:第一狹縫
120:第三斷點
121:第二狹縫
F1:第一輻射部
F2:第二輻射部
13、13a:第一饋入點
131:匹配電路
132、151:天線調諧器
14:接地點
15:第二饋入點
17:切換點
170:切換電路
171:切換單元
173:切換元件
200、200a:電子設備
201:第一饋電點
203:第二饋電點
圖1為本發明第一較佳實施例之天線結構應用至電子設備之示意圖。
圖2為圖1所示天線結構之電路圖。
圖3為圖2所示天線結構工作時之電流走向示意圖。
圖4為圖2所示天線結構之S參數(散射參數)曲線圖。
圖5為圖2所示天線結構之輻射效率曲線圖。
圖6為本發明第二較佳實施例之天線結構之示意圖。
圖7為圖6所示天線結構中切換電路之電路圖。
圖8為圖6所示天線結構工作時之電流走向示意圖。
圖9為當開設第二狹縫及未開設第一狹縫時，圖6所示天線結構之S參數(散射參數)曲線圖。
圖10為當開設第一狹縫及未開設第一狹縫時，圖6所示天線結構之輻射效率曲線圖。
圖11為當開設第二狹縫及未開設第二狹縫時，圖6所示天線結構之S參數(散射參數)曲線圖。
圖12為當開設第二狹縫及未開設第二狹縫時，圖6所示天線結構之輻射效率曲線圖。
圖13為當開設第一狹縫時，圖6所示天線結構中第一輻射部之輻射效率曲線圖。
圖14為當開設第二狹縫時，圖6所示天線結構中第一輻射部之輻射效率曲線圖。
下面將結合本發明實施例中之附圖，對本發明實施例中之技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述之實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部之實施例。基於本發明中之實施例，所屬領域具有通常知識者於沒有做出創造性勞動前提下所獲得之所有其他實施例，均屬於本發明保護之範圍。
需要說明的是，當一個元件被稱為“電連接”另一個元件，它可直接於另一個元件上或者亦可存在居中之元件。當一個元件被認為是“電連接”另一個元件，它可是接觸連接，例如，可是導線連接之方式，亦可是非接觸式連接，例如，可是非接觸式耦合之方式。
除非另有定義，本文所使用之所有之技術與科學術語與屬於所屬領域具有通常知識者通常理解之含義相同。本文中於本發明之說明書中所使用之術語僅是為描述具體之實施例之目不是旨在於限制本發明。
下面結合附圖，對本發明之一些實施方式作詳細說明。於不衝突之情況下，下述之實施例及實施例中之特徵可相互組合。
請參閱圖1及圖2，本發明第一較佳實施方式提供一種天線結構100，其可應用於行動電話、平板電腦、個人數位助理(personal digital assistant，PDA)等電子設備200中，用以發射、接收無線電波以傳遞、交換無線訊號。
可理解，所述電子設備200可採用以下一種或多種通訊技術：藍牙(bluetooth，BT)通訊技術、全球定位系統(global positioning system，GPS) 通訊技術、無線保真(wireless fidelity，Wi-Fi)通訊技術、全球移動通訊系統(global system for mobile communications，GSM)通訊技術、寬頻碼分多址(wideband code division multiple access，WCDMA)通訊技術、長期演進(long term evolution，LTE)通訊技術、5G通訊技術、SUB-6G通訊技術以及未來其他通訊技術等。
可理解，於本實施例中，所述電子設備200可包括以下一個或多個元件，例如處理器、電路板、顯示幕、記憶體、電源元件、輸入輸出電路、音訊元件(例如麥克風及揚聲器等)、多媒體元件(例如前置攝像頭與/後置攝像頭)、感測器元件(例如接近感測器、距離感測器、環境光感測器、加速度感測器、陀螺儀、磁感測器、壓力感測器及/或溫度感測器等)等，於此不再贅述。
請一併參閱圖3，所述天線結構100至少包括殼體11、系統接地面12、第一饋入點13及接地點14。
所述殼體11可為所述電子設備200之外殼，例如所述電子設備200之邊框。所述殼體11可由金屬或其他導電材料製成。所述系統接地面12可由金屬或其他導電材料製成。所述系統接地面12設置於所述殼體11內，用以為所述天線結構100提供接地。
於本實施例中，所述殼體11至少包括第一部分111、第二部分113以及第三部分115。於本實施例中，所述第一部分111為所述電子設備200之底端，即所述第一部分111可為所述電子設備200之底部金屬框，所述天線結構100構成所述電子設備200之下天線。所述第二部分113與所述第三部分115相對設置，兩者分別設置於所述第一部分111之兩端，優選垂直設置。於本實施例中，所述第二部分113或所述第三部分115之長度大於所述第一部分111之 長度。即所述第二部分113及第三部分115均為所述電子設備200之側邊金屬框。
所述殼體11上還開設有至少一斷點。於本實施例中，所述殼體11上開設有兩個斷點，即第一斷點117及第二斷點118。其中，所述第一斷點117開設於所述第一部分111上，且靠近所述第二部分113設置。所述第二斷點118設置於所述第二部分113上。
於本實施例中，所述第一斷點117及所述第二斷點118均貫通且隔斷所述殼體11。所述至少一斷點共同自所述殼體11上劃分出至少兩個輻射部。於本實施例中，所述第一斷點117及所述第二斷點118共同自所述殼體11劃分出第一輻射部F1。其中，於本實施例中，所述第一斷點117與所述第二斷點118之間之所述殼體11形成所述第一輻射部F1。亦就是說，所述第一輻射部F1設置於所述電子設備200之角落位置，例如右下角位置，即由部分所述第一部分111及部分所述第二部分113構成。
可理解，於本實施例中，當所述第一斷點117與所述第二斷點118之寬度小於2毫米(mm)時，會對所述天線結構100之效率有影響。因此，所述第一斷點117與所述第二斷點118之寬度通常不小於2mm。而所述第一斷點117與所述第二斷點118之寬度越大，對所述天線結構100之效率越好。因此，於本實施例中，同時考慮到所述電子設備200之整體外觀美感及所述天線結構100之輻射效率，所述第一斷點117與所述第二斷點118之寬度均可設置為2mm。
可理解，於本實施例中，所述第一斷點117與所述第二斷點118均填充有絕緣材料，例如塑膠、橡膠、玻璃、木材、陶瓷等，但不以此為限。
可理解，於本實施例中，所述第一饋入點13設置於所述第一輻射部F1上，且位於所述第一部分111。所述第一饋入點13可藉由彈片、微帶線、條狀線、同軸電纜等方式電連接至一匹配電路131，並藉由所述匹配電路131電連接至一第一饋電點201，以饋入電流訊號至所述第一輻射部F1。
可理解，於本實施例中，所述匹配電路131可為L型匹配電路、T型匹配電路、π型匹配電路或其他電容、電感以及電容與電感之組合，用以調節所述第一輻射部F1之阻抗匹配。
可理解，於本實施例中，所述接地點14設置於所述第一輻射部F1上，且位於所述第一部分111。所述接地點14設置於所述第二部分113與所述第一饋入點13之間，並接地。
可理解，請再次參閱圖2，於本實施例中，所述系統接地面12鄰近所述第一部分111及所述第二斷點118之一端沿平行所述第二部分113且靠近所述第一部分111之方向開設有第一狹縫119。所述第一狹縫119呈直條狀，且與所述第二斷點118連通。
可理解，請一併參閱圖3，為所述天線結構100之電流路徑圖。其中，當電流自所述第一饋入點13饋入時，所述電流將流經所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13與所述第二斷點118之間之部分，並流向所述第二斷點118，同時藉由所述接地點14接地(參路徑P1)。當電流自所述第一饋入點13饋入時，所述電流還將流經所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13與所述第一斷點117之間之部分，並流向所述第一斷點117(參路徑P2)。
於本實施例中，所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13與所述第二斷點118之間之部分為中頻/超高頻(ultra-high frequency，UHB)/5G NR (N77/N78)輻射體，用以激發長期演進技術升級版(Long Term Evolution Advanced，LTE-A)中頻、超高頻、5G NR N77、N78模態。所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13與所述第一斷點117之間之部分為5G NR N79輻射體，用以激發5G NR N79模態。
同時，當電流自所述第一饋入點13饋入，以流經所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13與所述第二斷點118之間之部分時，所述電流還藉由所述第二斷點118耦合至所述第一狹縫119(參路徑P3)。如此，可利用所述第一狹縫119耦合共振出具有可調性、天線效率佳之LTE-A高頻模態，以產生LTE-A高頻頻段之輻射訊號。
顯然，於本實施例中，藉由於主要之輻射體，例如所述第一輻射部F1之適當位置設置所述第一饋入點13及匹配電路131，並於所述第一輻射部F1位於所述第一饋入點13與所述第二部分113之間之部分設置相應之接地點14。如此，可利用此天線架構共振出LTE-A中頻模態、超高頻模態以及5G NR模態(包括N77/N78/N79模態)。
可理解，於本實施例中，藉由調節，例如微調所述第一饋入點13之位置，可單獨控制5G NR模態以及LTE-A中頻模態之頻率偏移。藉由調節，例如微調所述接地點14之位置，可單獨控制所述超高頻模態之頻率偏移。
可理解，請一併參閱圖4及圖5，其中，圖4為所述天線結構100之S參數(散射參數)曲線圖。圖5為所述天線結構100之輻射效率曲線圖。
顯然，於本實施例中，所述天線結構100藉由兩個斷點，即第一斷點117及第二斷點118，自所述殼體11劃分出一個獨立之金屬輻射體，即第一輻射部F1。同時，於鄰近所述第二斷點118之系統接地面12上開設相應之作 為耦合用之第一狹縫119。如此，所述天線結構100可產生四個可獨立調整之模態，即LTE-A中頻模態、LTE-A高頻模態、超高頻及5G NR N77、N78模態、5G NR N79模態，且無需使用天線調諧器(tuner)或切換開關等高單價之高頻調諧元件，僅使用常用之電容、電感及其組合(例如匹配電路131)便可達到寬頻之效果，使得所述天線結構100之工作頻率範圍涵蓋中頻(1710-2170MHz)、高頻(2300-2690MHz)、超高頻(3400-3800MHz)以及5G Sub6 NR N77/N78/N79(3300-5000MHz)。即所述天線結構100可涵蓋至1710-5000MHz頻段，其為全球常用之2G/3G/4G/5G Sub 6通訊頻段。
請一併參閱圖6，為本發明第二較佳實施例所提供之天線結構100a，其可應用於行動電話、個人數位助理等電子設備200a中，用以發射、接收無線電波以傳遞、交換無線訊號。
所述天線結構100a至少包括殼體11a、系統接地面12a及第一饋入點13a。其中，所述殼體11a上開設有所述第一斷點117及第二斷點118。所述第一斷點117與所述第二斷點118共同自所述殼體11a劃分出相應之第一輻射部F1。所述系統接地面12a上開設有第一狹縫119。
可理解，於本實施例中，所述天線結構100a與天線結構100之區別在於所述天線結構100a並未設置所述接地點14，即省略所述接地點14。且所述天線結構100a中所述第一饋入點13a並非藉由相應之匹配電路131電連接至所述第一饋電點201，而是藉由天線調諧器(tuner)132電連接至所述第一饋電點201。
可理解，於本實施例中，所述天線結構100a與天線結構100之區別還在於所述殼體11a上還開設有第三斷點120，且所述系統接地面12a上還開 設有第二狹縫121。其中，所述第三斷點120設置於所述第三部分115上。對應地，所述第一斷點117與所述第三斷點120之間之所述殼體11形成一第二輻射部F2。所述第二輻射部F2設置於所述電子設備200之角落，例如左下角位置，即由部分所述第一部分111及部分所述第三部分115構成。於本實施例中，所述第三斷點120相對於所述第二斷點118更遠離所述第一斷點117設置。所述第一輻射部F1之電長度小於所述第二輻射部F2之電長度。所述第二狹縫121開設於所述系統接地面12a鄰近所述第一部分111及所述第三斷點120之一端，且沿平行所述第二部分113且靠近所述第一部分111之方向延伸。所述第二狹縫121呈直條狀，其與所述第一狹縫119平行設置，即對稱設置於所述系統接地面12a，且與所述第三斷點120連通。
可理解，於本實施例中，所述天線結構100a與天線結構100之區別還在於所述天線結構100a還包括第二饋入點15及切換點17。其中，所述第二饋入點15設置於所述第二輻射部F2上，且位於所述第一部分111。所述第二饋入點15可藉由彈片、微帶線、條狀線、同軸電纜等方式電連接至一天線調諧器(tuner)151，並藉由所述天線調諧器(tuner)151電連接至一第二饋電點203，以饋入電流訊號至所述第二輻射部F2。所述切換點17設置於所述第二輻射部F2上，且位於所述第一部分111，並靠近所述第一斷點117設置。於本實施例中，所述切換點17還藉由相應之切換電路170接地。
請一併參閱圖7，於本實施例中，所述切換電路170包括切換單元171及至少一切換元件173。所述切換單元171可為單刀單擲開關、單刀雙擲開關、單刀三擲開關、單刀四擲開關、單刀六擲開關、單刀八擲開關等。所述切換單元171電連接至所述切換點17，以電連接至所述第二輻射部F2。所述切換 元件173可為電感、電容、或者電感與電容之組合。所述切換元件173之間相互並聯，且其一端電連接至所述切換單元171，另一端接地。如此，藉由控制所述切換單元171之切換，可使得所述第二輻射部F2切換至不同之切換元件173，以調整所述第二輻射部F2之輻射頻段之頻率(參下詳述)。
可理解，於本實施例中，所述天線結構100a與天線結構100之區別還在於所述天線結構100a中所述第一輻射部F1之工作原理及具體工作頻段與所述天線結構100中之第一輻射部F1之工作原理及具體工作頻段不同。具體地，請一併參閱圖8，於本實施例中，當電流自所述第一饋入點13a饋入時，所述電流將流經所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13a與所述第二斷點118之間之部分，並流向所述第二斷點118(參路徑P4)。當電流自所述第一饋入點13a饋入時，所述電流還將流經所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13a與所述第一斷點117之間之部分，並流向所述第一斷點117(參路徑P5)。
於本實施例中，所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13a與所述第二斷點118之間之部分為中頻/高頻/超高頻/5G NR輻射體，以激發LTE-A中頻、超高頻、5G NR N77、N78、N79模態。所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13a與所述第一斷點117之間之部分為中頻/高頻輻射體，以激發LTE-A中頻、高頻模態。
同時，當電流自所述第一饋入點13a饋入，以流經所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13a與所述第二斷點118之間之部分時，所述電流還藉由所述第二斷點118耦合至所述第一狹縫119(參路徑P6)。如此，可利用所述第一狹縫119耦合共振出具有可調性、天線效率佳之額外之工作模態，以增加所述第一輻射部F1之中高頻頻寬。
可理解，請再次參閱圖8，於本實施例中，當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第二輻射部F2中所述第二饋入點15與所述第一斷點117之間之部分，並流向所述第一斷點117(參路徑P7)。當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流還將流經所述第二輻射部F2中所述第二饋入點15與所述第三斷點120之間之部分，並流向所述第三斷點120(參路徑P8)。
於本實施例中，所述第二輻射部F2中所述第二饋入點15與所述第一斷點117之間之部分為低頻輻射體，以激發LTE-A低頻模態。所述第二輻射部F2中所述第二饋入點15與所述第三斷點120之間之部分為中頻/高頻/超高頻/5G NR輻射體，以激發LTE-A中頻、超高頻、5G NR N77、N78、N79模態。
同時，當電流自所述第二饋入點15饋入，以流經所述第二輻射部F2中所述第二饋入點15與所述第三斷點120之間之部分時，所述電流還藉由所述第三斷點120耦合至所述第二狹縫121(參路徑P9)。如此，可利用所述第二狹縫121耦合共振出具有可調性、天線效率佳之額外之工作模態，以增加所述第二輻射部F2之中高頻頻寬。
顯然，於本實施例中，藉由於主要之輻射體，例如所述第一輻射部F1之適當位置設置第一饋入點13a及天線調諧器(tuner)132，並於所述系統接地面12a上設置相應之第一狹縫119。如此，可利用此天線架構共振出LTE-A中頻模態、超高頻模態以及5G NR模態(包括N77、N78、N79模態)，即使其工作頻率範圍涵蓋至1448-5000MHz。另外，藉由於另一輻射體，例如所述第二輻射部F2之適當位置設置所述第二饋入點15及天線調諧器(tuner)151，並於所述系統接地面12a上設置相應之第二狹縫121。如此，可利用此天線架構共 振出LTE-A中頻模態、超高頻模態以及5G NR模態(包括N77、N78、N79模態)，即使其工作頻率範圍涵蓋至1710-5000MHz。同時，藉由設置所述切換電路170，可調整所述第二輻射部F2中低頻頻段之頻率，使得所述第二輻射部F2之低頻頻段涵蓋至700-960MHz，即703-804MHz、791-862MHz、824-894MHz、880-960MHz(即B28/B20/B5/B8頻段)。
圖9為當所述天線結構100a開設所述第一狹縫119及未開設所述第一狹縫119時，所述天線結構100a之S參數(散射參數)曲線圖。其中，曲線S91為當未開設所述第一狹縫119時，所述天線結構100a之S11值。曲線S92為當開設所述第一狹縫119時，所述天線結構100a之S11值。
圖10為當所述天線結構100a開設所述第一狹縫119及未開設所述第一狹縫119時，所述天線結構100a之輻射效率曲線圖。其中，曲線S101為當未開設所述第一狹縫119時，所述天線結構100a之輻射效率。曲線S102為當開設所述第一狹縫119時，所述天線結構100之輻射效率。
圖11為當所述天線結構100a開設所述第二狹縫121及未開設所述第二狹縫121時，所述天線結構100a之S參數(散射參數)曲線圖。其中，曲線S111為當未開設所述第二狹縫121時，所述天線結構100a之S11值。曲線S112為當開設所述第二狹縫121時，所述天線結構100a之S11值。
圖12為當所述天線結構100a開設所述第二狹縫121及未開設所述第二狹縫121時，所述天線結構100a之輻射效率曲線圖。其中，曲線S121為當未開設所述第二狹縫121時，所述天線結構100a之輻射效率。曲線S122為當開設所述第二狹縫121時，所述天線結構100a之輻射效率。
圖13為當開設所述第一狹縫119時，所述天線結構100a中所述 第一輻射部F1之輻射效率曲線圖。其中，曲線S131為所述第一輻射部F1工作於超中頻頻段時之輻射效率。曲線S132為所述第一輻射部F1工作於中頻頻段時之輻射效率。曲線S133為所述第一輻射部F1工作於B1 Rx頻段時之輻射效率。曲線S134為所述第一輻射部F1工作于高頻頻段時之輻射效率。曲線S135為所述第一輻射部F1工作於超高頻、5G NR N77、N78頻段時之輻射效率。曲線S136為所述第一輻射部F1工作於5G NR N79頻段時之輻射效率。
圖14為當開設所述第二狹縫121時，所述天線結構100a中所述第二輻射部F2之輻射效率曲線圖。其中，曲線S141為所述第二輻射部F2工作於低頻LTE-A LB700頻段、B3 Tx頻段及5G NR N79頻段時之輻射效率。曲線S142為所述第二輻射部F2工作於低頻LTE-A LB900頻段及中頻頻段時之輻射效率。曲線S143為所述第二輻射部F2工作于高頻頻段時之輻射效率。曲線S144為所述第二輻射部F2工作於超高頻、5G NR N77、N78頻段時之輻射效率。
顯然，由圖9至圖14可看出，所述天線結構100藉由設置所述切換電路170，以切換所述天線結構100a之各低頻模態，可有效提升低頻頻寬並兼具較佳天線效率，使得所述天線結構100之低頻涵蓋B28/B20/B5/B8頻段。再者，藉由設置雙狹縫，即第一狹縫119及第二狹縫121，可耦合能量以共振出額外之模態，進而有效增加中高頻之頻寬。與習知技術中未設置所述第一狹縫119及第二狹縫121之結構相比，本發明中所述天線結構100a藉由設置所述第一狹縫119及第二狹縫121，使得其共振出來之模態具有可調性且天線效率佳，例如，可使得其共振出之模態之天線效率改善2-6dB。
於本實施例中，所述天線結構100a藉由設置第一輻射部F1、第二輻射部F2、第一狹縫119及第二狹縫121，可增加中高頻頻寬並具有最佳天線 效率，亦可涵蓋全球頻段之應用，支援5G Sub6 N77/N78/N79之頻段。具體地，藉由於第一輻射部F1之適當位置設置第一饋入點13a，於所述系統接地面12a上設置所述第一狹縫119，並結合所述天線調諧器(tuner)132，進而使得所述第一輻射部F1之工作頻率範圍可涵蓋至1448-5000MHz。藉由於所述第二輻射部F2之適當位置設置所述第二饋入點15，於所述系統接地面12a上設置所述第二狹縫121，並結合所述天線調諧器(tuner)151，進而使得所述第二輻射部F2之工作頻率範圍可涵蓋至1710-5000MHz。再者，藉由於所述第二輻射部F2之低頻輻射體上增加切換電路170，以控制低頻頻偏，使得所述第二輻射部F2之低頻工作頻率範圍可涵蓋至703-804MHz、791-862MHz、824-894MHz、880-960MHz。亦就是說，所述天線結構100a之工作頻率範圍可涵蓋低頻(703-960MHz)、超中頻(1448-1511MHz)、中頻(1710-2170MHz)、高頻(2300-2690MHz)、超高頻(3400-3800MHz)以及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段。
以上所述，僅為本發明的較佳實施例，並非是對本發明作任何形式上的限定。另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其它變化，當然，這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
100:天線結構
12:系統接地面
111:第一部分
113:第二部分
115:第三部分
117:第一斷點
118:第二斷點
119:第一狹縫
F1:第一輻射部
13:第一饋入點
131:匹配電路
14:接地點
201:第一饋電點

Claims (10)

  1. 一種電子設備之天線結構，其改良在於，所述天線結構包括殼體、系統接地面及第一饋入點，所述殼體至少部分由金屬材料製成，所述殼體上開設有第一斷點及第二斷點，所述第一斷點與所述第二斷點之間之所述殼體形成一第一輻射部，所述系統接地面設置於所述殼體內，且對應所述第一輻射部開設第一狹縫，所述第一狹縫與所述第二斷點連通，所述第一饋入點設置於所述第一輻射部上，且電連接至一第一饋電點，以為所述第一輻射部饋入電流訊號；其中所述天線結構還包括第二饋入點，所述殼體上還開設有第三斷點，所述第一斷點與所述第三斷點之間之所述殼體形成一第二輻射部，所述第二饋入點設置於所述第二輻射部上，且電連接至一第二饋電點，以為所述第二輻射部饋入電流訊號。
  2. 如請求項1所述之天線結構，其中所述天線結構還包括接地點，所述接地點設置於所述第一輻射部上，且比所述第一饋入點更遠離所述第一斷點設置，所述接地點接地。
  3. 如請求項2所述之天線結構，其中所述天線結構還包括匹配電路，所述第一饋入點藉由所述匹配電路電連接至所述第一饋電點。
  4. 如請求項1所述之天線結構，其中所述第三斷點比所述第二斷點更遠離所述第一斷點設置，所述第三斷點與所述第二斷點設置於所述第一斷點之兩側。
  5. 如請求項4所述之天線結構，其中所述系統接地面對應所述第二輻射部開設第二狹縫，所述第二狹縫與所述第三斷點連通。
  6. 如請求項5所述之天線結構，其中所述第一狹縫與所述第二狹縫對稱設置於所述系統接地面。
  7. 如請求項4、5或6所述之天線結構，其中所述天線結構還包括第一天線調諧器，所述第二饋入點藉由所述第一天線調諧器電連接至所述第二饋電點。
  8. 如請求項7所述之天線結構，其中所述天線結構還包括第二天線調諧器，所述第一饋入點藉由所述第二天線調諧器電連接至所述第一饋電點。
  9. 如請求項4所述之天線結構，其中所述天線結構還包括切換點，所述切換點設置於所述第二輻射部上，且比所述第二饋入點更靠近所述第一斷點，所述切換點藉由一切換電路接地，所述切換電路包括切換單元及至少一切換元件，所述切換單元之一端電連接至所述切換點，所述至少一切換元件之一端電連接至所述切換單元，另一端接地。
  10. 一種電子設備，其改良在於，所述電子設備包括如請求項1至9中任一項所述之天線結構。
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