TW201843877A - 行動裝置和天線結構 - Google Patents

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Abstract

一種行動裝置，包括一支撐元件、一接地元件，以及一天線結構。天線結構係設置於支撐元件之一表面。天線結構包括：一第一饋入輻射部、一第二饋入輻射部、一第一寄生輻射部、一第二寄生輻射部，以及一第三寄生輻射部。第一饋入輻射部和第二饋入輻射皆耦接至一信號饋入點。第一寄生輻射部、第二寄生輻射部，以及第三寄生輻射部係各自耦接至接地元件，其中第一寄生輻射部和第一饋入輻射部之間形成一第一耦合間隙，第二寄生輻射部和第一饋入輻射部之間形成一第二耦合間隙，而第三寄生輻射部和第二饋入輻射部之間形成一第三耦合間隙。

Description

行動裝置和天線結構
本發明係關於一種行動裝置，特別係關於一種行動裝置及其多頻帶天線結構(Multiband Antenna Structure)。
隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。
為了追求造型美觀，現今設計者常會在行動裝置中加入金屬元件之要素。然而，新增之金屬元件卻容易對於行動裝置中支援無線通訊之天線產生負面影響，進而降低行動裝置之整體通訊品質。因此，有必要提出一種全新之行動裝置和天線結構，以克服傳統技術所面臨之問題。
在較佳實施例中，本發明提供一種行動裝置，包 括：一支撐元件，具有一第一表面和一第二表面；一接地元件；以及一天線結構，設置於該支撐元件之該第一表面，其中該天線結構包括：一第一饋入輻射部，耦接至一信號饋入點；一第二饋入輻射部，耦接至該信號饋入點；一第一寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第一寄生輻射部和該第一饋入輻射部之間形成一第一耦合間隙；一第二寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第二寄生輻射部和該第一饋入輻射部之間形成一第二耦合間隙；以及一第三寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第三寄生輻射部和該第二饋入輻射部之間形成一第三耦合間隙。
在一些實施例中，該接地元件係由該支撐元件之該第二表面延伸至該支撐元件之該第一表面。
在一些實施例中，該支撐元件之該第一表面為一平滑弧面形。
在一些實施例中，該行動裝置更包括：一金屬背蓋，鄰近於該支撐元件，其中該金屬背蓋係經由一導電材料耦接至該接地元件。
在一些實施例中，該第一饋入輻射部位於係位於該支撐元件之該第一表面之該平滑弧面形之一頂點處，使得該第一饋入輻射部於整個該支撐元件上距離該金屬背蓋為最遠。
在一些實施例中，該第一饋入輻射部與該第二饋入輻射部係大致朝相反方向作延伸。
在一些實施例中，該第一饋入輻射部連接該第二 饋入輻射部之一結構係將該第一寄生輻射部與該第二寄生輻射部、該第三寄生輻射部分隔開。
在一些實施例中，該天線結構涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶，該低頻頻帶約介於2400MHz至2500MHz之間，而該高頻頻帶約介於5150MHz至5850MHz之間。
在一些實施例中，該第一饋入輻射部大致為一直條形，而該第一饋入輻射部之長度約等於該低頻頻帶之0.5倍波長。
在一些實施例中，該第二饋入輻射部大致為一直條形，而該第二饋入輻射部之長度約等於該高頻頻帶之0.25倍波長。
在一些實施例中，該第一寄生輻射部大致為一L字形，而該第一寄生輻射部之長度約等於該低頻頻帶之0.25倍波長。
在一些實施例中，該第二寄生輻射部大致為一L字形，而該第二寄生輻射部之長度約等於該低頻頻帶之0.25倍波長。
在一些實施例中，該第三寄生輻射部大致為一N字形，而該第三寄生輻射部之長度約等於該高頻頻帶之0.25倍波長。
在一些實施例中，該第一寄生輻射部係由該第一饋入輻射部所耦合激發，以形成該低頻頻帶。
在一些實施例中，該第二寄生輻射部更由該第一饋入輻射部所耦合激發，以增寬該低頻頻帶。
在一些實施例中，該第三寄生輻射部係由該第二饋入輻射部所耦合激發，以形成該高頻頻帶。
在一些實施例中，該第一耦合間隙、該第二耦合間隙，以及該第三耦合間隙之每一者之寬度皆小於3mm。
在一些實施例中，該第二寄生輻射部更包括朝該第一饋入輻射部作延伸之一突出部份，以縮小該第二耦合間隙之寬度。
在一些實施例中，該第一饋入輻射部更包括朝該第二寄生輻射部作延伸之一突出部份，以縮小該第二耦合間隙之寬度。
在另一較佳實施例中，本發明提供一種天線結構，包括：一第一饋入輻射部，耦接至一信號饋入點；一第二饋入輻射部，耦接至該信號饋入點；一第一寄生輻射部，耦接至一接地元件，其中該第一寄生輻射部和該第一饋入輻射部之間形成一第一耦合間隙；一第二寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第二寄生輻射部和該第一饋入輻射部之間形成一第二耦合間隙；以及一第三寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第三寄生輻射部和該第二饋入輻射部之間形成一第三耦合間隙。
100、200、300、400、500‧‧‧行動裝置
110‧‧‧支撐元件
115‧‧‧頂點
120‧‧‧接地元件
130、430、530‧‧‧天線結構
140、540‧‧‧第一饋入輻射部
141、541‧‧‧第一饋入輻射部之第一端
142、542‧‧‧第一饋入輻射部之第二端
150‧‧‧第二饋入輻射部
151‧‧‧第二饋入輻射部之第一端
152‧‧‧第二饋入輻射部之第二端
160‧‧‧第一寄生輻射部
161‧‧‧第一寄生輻射部之第一端
162‧‧‧第一寄生輻射部之第二端
170、470‧‧‧第二寄生輻射部
171、471‧‧‧第二寄生輻射部之第一端
172、472‧‧‧第二寄生輻射部之第二端
180‧‧‧第三寄生輻射部
181‧‧‧第三寄生輻射部之第一端
182‧‧‧第三寄生輻射部之第二端
190、290、390‧‧‧金屬背蓋
195‧‧‧導電材料
475‧‧‧第二寄生輻射部之突出部份
545‧‧‧第一饋入輻射部之突出部份
DA、DB、DC、DL‧‧‧間距
E1‧‧‧第一表面
E2‧‧‧第二表面
FB1‧‧‧低頻頻帶
FB2‧‧‧高頻頻帶
FP‧‧‧信號饋入點
GC1‧‧‧第一耦合間隙
GC2‧‧‧第二耦合間隙
GC3‧‧‧第三耦合間隙
LT1‧‧‧天線結構之整體長度
WT1‧‧‧天線結構之整體寬度
第1A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之平面展開圖；第1B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之側剖 面圖；第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之示意圖；第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之天線結構之電壓駐波比圖；第3A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之示意圖；第3B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之天線結構之電壓駐波比圖；第4圖係顯示根據本發明另一實施例所述之行動裝置之平面展開圖；以及第5圖係顯示根據本發明另一實施例所述之行動裝置之平面展開圖。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤 差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。
第1A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之平面展開圖。第1B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之側剖面圖。行動裝置100可以是一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。請一併參考第1A、1B圖。在第1A、1B圖之實施例中，行動裝置100至少包括一支撐元件(Supporting Element)110、一接地元件(Ground Element)120，以及一天線結構(Antenna Structure)130。必須注意的是，雖然未顯示於第1A、1B圖中，行動裝置100更可包括其他元件，例如：一顯示器(Display Device)、一觸控模組(Touch Control Module)、一揚聲器(Speaker)、一電池(Battery)，以及一外殼(Housing)。
支撐元件110可用非導體材質製成，例如：一介質基板(Dielectric Substrate)、一軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuit Board，FPCB)，或是一塑膠固定元件。支撐元件110具有一第一表面E1和一第二表面E2。例如，支撐元件110之第一表面E1可為一平滑弧面形(Smooth Arc-shape)，而支撐元件110之第二表面E2可為一全平面。接地元件120可為一接地金屬箔 片，其係覆蓋於支撐元件110上。例如，接地元件120可由支撐元件110之第二表面E2延伸至支撐元件110之第一表面E1，以覆蓋整個第二表面E2和部份之第一表面E1。天線結構130具有一信號饋入點(Signal Feeding Point)FP，其可耦接至一射頻(Radio Frequency，RF)模組(未顯示)。支撐元件110係用於承載天線結構130。天線結構130可用雷雕技術(Laser Direct Structuring，LDS)形成於支撐元件110上。例如，天線結構130可設置於支撐元件110之第一表面E1，並可呈現一立體弧面形。
詳細而言，天線結構130包括一第一饋入輻射部(Feeding Radiation Element)140、一第二饋入輻射部150、一第一寄生輻射部(Parasitic Radiation Element)160、一第二寄生輻射部170，以及一第三寄生輻射部180，其配置方式可如下列所述。第一饋入輻射部140可以大致為一直條形。第一饋入輻射部140具有一第一端141和一第二端142，其中第一饋入輻射部140之第一端141係耦接至信號饋入點FP，而第一饋入輻射部140之第二端142為一開路端(Open End)。第二饋入輻射部150可以大致為一直條形。第二饋入輻射部150具有一第一端151和一第二端152，其中第二饋入輻射部150之第一端151係耦接至信號饋入點FP，而第二饋入輻射部150之第二端152為一開路端第一饋入輻射部140之第二端142與第二饋入輻射部150之第二端152可以大致朝相反方向作延伸。第一寄生輻射部160可以大致為一L字形。第一寄生輻射部160具有一第一端161和一第二端162，其中第一寄生輻射部160之第一端161係耦接至接地元件120，而第一寄生輻射部160之第二端162為一開路端。第一 寄生輻射部160之第二端162可以大致平行於第一饋入輻射部140而作延伸，使得第一寄生輻射部160和第一饋入輻射部140之間形成一第一耦合間隙(Coupling Gap)GC1。第二寄生輻射部170可以大致為一L字形。第二寄生輻射部170具有一第一端171和一第二端172，其中第二寄生輻射部170之第一端171係耦接至接地元件120，而第二寄生輻射部170之第二端172為一開路端。第二寄生輻射部170之第二端172可以大致平行於第一饋入輻射部140而作延伸，使得第二寄生輻射部170和第一饋入輻射部140之間形成一第二耦合間隙GC2。第二寄生輻射部170之第二端172和第一寄生輻射部160之第二端162可以大致朝互相遠離之方向作延伸。第三寄生輻射部180可以大致為一N字形。第三寄生輻射部180具有一第一端181和一第二端182，其中第三寄生輻射部180之第一端181係耦接至接地元件120，而第三寄生輻射部180之第二端182為一開路端。第三寄生輻射部180之第二端182可以至少部份地圍繞著第二饋入輻射部150之第二端152而作延伸，使得第三寄生輻射部180和第二饋入輻射部150之間形成一第三耦合間隙GC3。必須注意的是，第一寄生輻射部160、第二寄生輻射部170，以及第三寄生輻射部180之每一者皆與第一饋入輻射部140和第二饋入輻射部150完全分離。第一饋入輻射部140連接第二饋入輻射部150之一結構可以將第一寄生輻射部160與第二寄生輻射部170、第三寄生輻射部180分隔開。例如，第一寄生輻射部160可位於第一饋入輻射部140和第二饋入輻射部150之上方側，而第二寄生輻射部170、第三寄生輻射部180可位於第一饋入輻射部140和第二饋入輻 射部150之下方側。
天線結構130之操作原理可如下列所述。第一寄生輻射部160係由第一饋入輻射部140所耦合激發，以形成一低頻頻帶。第二寄生輻射部170更由第一饋入輻射部140所耦合激發，以增寬前述低頻頻帶。再者，第三寄生輻射部180係由第二饋入輻射部150所耦合激發，以形成一高頻頻帶。在另一些實施例中，天線結構130亦可作為一多頻帶天線而能獨立地被使用(不必然要與行動裝置100作搭配)。例如，天線結構130可複製為兩個，其中一個作為接收天線(Reception Antenna)，另一個作為發射天線(Transmission Antenna)，以構成一天線系統(Antenna System)。
請再次參考第1B圖。在一些實施例中，行動裝置100更包括一金屬背蓋(Metal Back Cover)190。金屬背蓋190係鄰近於支撐元件110，其中金屬背蓋190可經由一導電材料(Conductive Material)195耦接至接地元件120。舉例而言，導電材料195可以是一導電海棉(Conductive Sponge)、一彈片(Spring)、一螺絲(Screw)，或是一卡勾(Hook)，其可用於將金屬背蓋190連接或黏合至支撐元件110之第二表面E2上之接地元件120。在一些實施例中，天線結構130之第一饋入輻射部140以及第二饋入輻射部150(包括信號饋入點FP)係位於支撐元件110之第一表面E1之平滑弧面形之一頂點(Zenith Point)115處，使得第一饋入輻射部140以及第二饋入輻射部150於整個支撐元件110上距離金屬背蓋190為最遠。亦即，當第一饋入輻射部140以及第二饋入輻射部150設計於支撐元件110之頂點115處 時，第一饋入輻射部140以及第二饋入輻射部150和金屬背蓋190之一間距DL可達其最大值。在此設計下，金屬背蓋190可被視為接地元件120之一延伸部份，又由於金屬背蓋190係盡可能地遠離第一饋入輻射部140以及第二饋入輻射部150，其將不會對天線結構130之輻射性能造成負面影響。是以，本發明至少可兼得美化裝置外觀、維持天線效率，以及涵蓋寬頻操作等多重優勢。
第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之示意圖。在第2A圖之實施例中，行動裝置200為一平板電腦，並包括一金屬背蓋290。前述之天線結構130可套用於行動裝置200並鄰近於金屬背蓋290。第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之天線結構130之電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)圖。根據第2B圖之量測結果可知，行動裝置200之天線結構130至少能涵蓋一低頻頻帶FB1和一高頻頻帶FB2，其中低頻頻帶FB1可約介於2400MHz至2500MHz之間，而高頻頻帶FB2可約介於5150MHz至5850MHz之間。
第3A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置300之示意圖。在第3A圖之實施例中，行動裝置300為一筆記型電腦，並包括一金屬背蓋390(位於筆記型電腦之上蓋處)。前述之天線結構130可套用於行動裝置300並鄰近於金屬背蓋390。第3B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置300之天線結構130之電壓駐波比圖。根據第3B圖之量測結果可知，行動裝置300之天線結構130亦至少能涵蓋一低頻頻帶FB1和一高頻 頻帶FB2，其中低頻頻帶FB1可約介於2400MHz至2500MHz之間，而高頻頻帶FB2可約介於5150MHz至5850MHz之間。
如第2A、2B、3A、3B圖之實施例所述，本發明之天線結構130可應用於具有金屬背蓋之平板電腦或筆記型電腦當中，而此種天線結構130至少能支援WLAN(Wireless Local Area Network)2.4GHz/5GHz之雙頻帶操作。
在一些實施例中，本發明之元件尺寸可如下列所述。第一饋入輻射部140之長度(由第一端141起至第二端142止)約等於前述低頻頻帶FB1之0.5倍波長(λ/2)。第二饋入輻射部150之長度(由第一端151起至第二端152止)約等於前述高頻頻帶FB2之0.25倍波長(λ/4)。第一寄生輻射部160之長度(由第一端161起至第二端162止)約等於前述低頻頻帶FB1之0.25倍波長(λ/4)。第二寄生輻射部170之長度(由第一端171起至第二端172止)約等於前述低頻頻帶FB1之0.25倍波長(λ/4)。第三寄生輻射部180之長度(由第一端181起至第二端182止)約等於前述高頻頻帶FB2之0.25倍波長(λ/4)。第一耦合間隙GC1、第二耦合間隙GC2，以及第三耦合間隙GC3之每一者之寬度皆小於3mm。支撐元件110之整體高度(由第二表面E2起至頂點115止)約介於2.5mm至5mm之間。較佳地，支撐元件110之整體高度(由第二表面E2起至頂點115止)約介於2.5mm至3.5mm之間。天線結構130之整體長度LT1約為45mm，而整體寬度WT1約為9.5mm。以上尺寸範圍係根據多次實驗結果得出，其有助於最佳化天線結構130之天線特性(例如：天線增益)和操作頻寬。
第4圖係顯示根據本發明另一實施例所述之行動 裝置400之平面展開圖。第4圖和第1A圖相似，兩者之差異在於，在行動裝置400之一天線結構430中，其第二寄生輻射部470更包括一突出部份475。第二寄生輻射部470之突出部份475可以大致為一矩形。第二寄生輻射部470之突出部份475係朝第一饋入輻射部140作延伸，以縮小第二耦合間隙GC2之寬度。例如，在第二寄生輻射部470之突出部份475附近處，第二耦合間隙GC2之寬度可小於2mm或1mm。詳細而言，第二寄生輻射部470之突出部份475之中心處與信號饋入點FP之一間距DB可以大致等於信號饋入點FP和第二饋入輻射部150之第二端152之一間距DA。在一些實施例中，第二寄生輻射部470之突出部份475靠近信號饋入點FP之邊緣與信號饋入點FP之一間距DC可以大致等於信號饋入點FP和第二饋入輻射部150之第二端152之一間距DA。根據實際量測結果，在前述設計下，第二寄生輻射部470之突出部份475有助於微調低頻頻帶之阻抗匹配及加強輻射部之間之耦合效應，因此可改善天線結構430之輻射性能。在另一些實施例中，前述突出部份亦可改加於第一寄生輻射部160(如下列第5圖所示)或第三寄生輻射部180上以增強耦合效應。第4圖之行動裝置400之其餘特徵皆與第1A圖之行動裝置100相似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第5圖係顯示根據本發明另一實施例所述之行動裝置500之平面展開圖。第5圖和第4圖相似，兩者之差異在於，在行動裝置500之一天線結構530中，其第一饋入輻射部540更包括一突出部份545。第一饋入輻射部540之突出部份545可以大致為一矩形。第一饋入輻射部540之突出部份545係朝第二寄 生輻射部170作延伸，以縮小第二耦合間隙GC2之寬度。第5圖之行動裝置500之其餘特徵皆與第4圖之行動裝置400相似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
本發明提出一種新穎之行動裝置及其天線結構。與傳統設計相比，本發明無須於金屬背蓋上開設天線窗(Antenna Window)或設計無金屬淨空區域(Non-metal Clearance Region)，即能降低天線結構受到金屬背蓋之干擾，並可發揮寬頻帶及高天線效率等優良特性，故本發明很適合應用於各種具有金屬背蓋之行動通訊裝置當中。
值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之行動裝置及天線結構並不僅限於第1-5圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-5圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之行動裝置及天線結構當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (20)

  1. 一種行動裝置，包括：一支撐元件，具有一第一表面和一第二表面；一接地元件；以及一天線結構，設置於該支撐元件之該第一表面，其中該天線結構包括：一第一饋入輻射部，耦接至一信號饋入點；一第二饋入輻射部，耦接至該信號饋入點；一第一寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第一寄生輻射部和該第一饋入輻射部之間形成一第一耦合間隙；一第二寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第二寄生輻射部和該第一饋入輻射部之間形成一第二耦合間隙；以及一第三寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第三寄生輻射部和該第二饋入輻射部之間形成一第三耦合間隙。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該接地元件係由該支撐元件之該第二表面延伸至該支撐元件之該第一表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該支撐元件之該第一表面為一平滑弧面形。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之行動裝置，更包括：一金屬背蓋，鄰近於該支撐元件，其中該金屬背蓋係經由一導電材料耦接至該接地元件。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之行動裝置，其中該第一饋入輻射部位於係位於該支撐元件之該第一表面之該平滑弧面形 之一頂點處，使得該第一饋入輻射部於整個該支撐元件上距離該金屬背蓋為最遠。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第一饋入輻射部與該第二饋入輻射部係大致朝相反方向作延伸。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第一饋入輻射部連接該第二饋入輻射部之一結構係將該第一寄生輻射部與該第二寄生輻射部、該第三寄生輻射部分隔開。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該天線結構涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶，該低頻頻帶約介於2400MHz至2500MHz之間，而該高頻頻帶約介於5150MHz至5850MHz之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之行動裝置，其中該第一饋入輻射部大致為一直條形，而該第一饋入輻射部之長度約等於該低頻頻帶之0.5倍波長。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之行動裝置，其中該第二饋入輻射部大致為一直條形，而該第二饋入輻射部之長度約等於該高頻頻帶之0.25倍波長。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之行動裝置，其中該第一寄生輻射部大致為一L字形，而該第一寄生輻射部之長度約等於該低頻頻帶之0.25倍波長。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之行動裝置，其中該第二寄生輻射部大致為一L字形，而該第二寄生輻射部之長度約等於該低頻頻帶之0.25倍波長。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之行動裝置，其中該第三寄生輻 射部大致為一N字形，而該第三寄生輻射部之長度約等於該高頻頻帶之0.25倍波長。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之行動裝置，其中該第一寄生輻射部係由該第一饋入輻射部所耦合激發，以形成該低頻頻帶。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之行動裝置，其中該第二寄生輻射部更由該第一饋入輻射部所耦合激發，以增寬該低頻頻帶。
  16. 如申請專利範圍第8項所述之行動裝置，其中該第三寄生輻射部係由該第二饋入輻射部所耦合激發，以形成該高頻頻帶。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第一耦合間隙、該第二耦合間隙，以及該第三耦合間隙之每一者之寬度皆小於3mm。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第二寄生輻射部更包括朝該第一饋入輻射部作延伸之一突出部份，以縮小該第二耦合間隙之寬度。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第一饋入輻射部更包括朝該第二寄生輻射部作延伸之一突出部份，以縮小該第二耦合間隙之寬度。
  20. 一種天線結構，包括：一第一饋入輻射部，耦接至一信號饋入點；一第二饋入輻射部，耦接至該信號饋入點；一第一寄生輻射部，耦接至一接地元件，其中該第一寄生輻 射部和該第一饋入輻射部之間形成一第一耦合間隙；一第二寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第二寄生輻射部和該第一饋入輻射部之間形成一第二耦合間隙；以及一第三寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該第三寄生輻射部和該第二饋入輻射部之間形成一第三耦合間隙。
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