CN113809510A - 天线结构及具有该天线结构的电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子设备的天线结构，包括壳体、系统接地面及第一馈入点，所述壳体至少部分由金属材料制成，所述壳体上开设有第一断点及第二断点，所述第一断点与所述第二断点之间的所述壳体形成一第一辐射部，所述系统接地面设置于所述壳体内，且对应所述第一辐射部开设第一狭缝，所述第一狭缝与所述第二断点连通，所述第一馈入点设置于所述第一辐射部上，且电连接至一第一馈电点，以为所述第一辐射部馈入电流信号。所述天线结构可涵盖中频、高频、5G Sub6 N77/N78/N79等多个频段，具宽频效果。本发明还提供一种具有该天线结构的电子设备。

Description

天线结构及具有该天线结构的电子设备
技术领域
本发明涉及一种天线结构及具有该天线结构的电子设备。
背景技术
随着无线通信技术的进步，移动电话、个人数字助理等电子装置不断朝向功能多样化、轻薄化、以及资料传输更快、更有效率等趋势发展。然而其相对可容纳天线的空间也就越来越小，而且随着无线通信技术的不断发展，天线的频宽需求不断增加。因此，如何在有限的空间内设计出具有较宽频宽的天线，是天线设计面临的一项重要课题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种天线结构及具有该天线结构的电子设备，以解决上述问题。
一种电子设备的天线结构，包括壳体、系统接地面及第一馈入点，所述壳体至少部分由金属材料制成，所述壳体上开设有第一断点及第二断点，所述第一断点与所述第二断点之间的所述壳体形成一第一辐射部，所述系统接地面设置于所述壳体内，且对应所述第一辐射部开设第一狭缝，所述第一狭缝与所述第二断点连通，所述第一馈入点设置于所述第一辐射部上，且电连接至一第一馈电点，以为所述第一辐射部馈入电流信号。
一种电子设备，包括上述所述的天线结构。
上述天线结构及具有该天线结构的电子设备可至少涵盖中频、高频、超高频、5GSub6 N77/N78/N79等多个频段，具宽频效果。
附图说明
图1为本发明第一较佳实施例的天线结构应用至电子设备的示意图。
图2为图1所示天线结构的电路图。
图3为图2所示天线结构工作时的电流走向示意图。
图4为图2所示天线结构的S参数(散射参数)曲线图。
图5为图2所示天线结构的辐射效率曲线图。
图6为本发明第二较佳实施例的天线结构的示意图。
图7为图6所示天线结构中切换电路的电路图。
图8为图6所示天线结构工作时的电流走向示意图。
图9为当开设第二狭缝及未开设第一狭缝时，图6所示天线结构的S参数(散射参数)曲线图。
图10为当开设第一狭缝及未开设第一狭缝时，图6所示天线结构的辐射效率曲线图。
图11为当开设第二狭缝及未开设第二狭缝时，图6所示天线结构的S参数(散射参数)曲线图。
图12为当开设第二狭缝及未开设第二狭缝时，图6所示天线结构的辐射效率曲线图。
图13为当开设第一狭缝时，图6所示天线结构中第一辐射部的辐射效率曲线图。
图14为当开设第二狭缝时，图6所示天线结构中第一辐射部的辐射效率曲线图。
主要元件符号说明
Figure BDA0002537479020000021
Figure BDA0002537479020000031
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，当一个元件被称为“电连接”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“电连接”另一个元件，它可以是接触连接，例如，可以是导线连接的方式，也可以是非接触式连接，例如，可以是非接触式耦合的方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
下面结合附图，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
请参阅图1及图2，本发明第一较佳实施方式提供一种天线结构100，其可应用于移动电话、平板电脑、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)等电子设备200中，用以发射、接收无线电波以传递、交换无线信号。
可以理解，所述电子设备200可以采用以下一种或多种通信技术：蓝牙(bluetooth，BT)通信技术、全球定位系统(global positioning system，GPS)通信技术、无线保真(wireless fidelity，Wi-Fi)通信技术、全球移动通信系统(global system formobile communications，GSM)通信技术、宽频码分多址(wideband code divisionmultiple access，WCDMA)通信技术、长期演进(long term evolution，LTE)通信技术、5G通信技术、SUB-6G通信技术以及未来其他通信技术等。
可以理解，在本实施例中，所述电子设备200可以包括以下一个或多个组件，例如处理器、电路板、显示屏、存储器、电源组件、输入输出电路、音频组件(例如麦克风及扬声器等)、多媒体组件(例如前置摄像头和/后置摄像头)、传感器组件(例如接近传感器、距离传感器、环境光传感器、加速度传感器、陀螺仪、磁传感器、压力传感器及/或温度传感器等)等，在此不再赘述。
请一并参阅图3，所述天线结构100至少包括壳体11、系统接地面12、第一馈入点13及接地点14。
所述壳体11可以为所述电子设备200的外壳，例如所述电子设备200的边框。所述壳体11可由金属或其他导电材料制成。所述系统接地面12可由金属或其他导电材料制成。所述系统接地面12设置于所述壳体11内，用以为所述天线结构100提供接地。
在本实施例中，所述壳体11至少包括第一部分111、第二部分113以及第三部分115。在本实施例中，所述第一部分111为所述电子设备200的底端，即所述第一部分111可以为所述电子设备200的底部金属框，所述天线结构100构成所述电子设备200的下天线。所述第二部分113与所述第三部分115相对设置，两者分别设置于所述第一部分111的两端，优选垂直设置。在本实施例中，所述第二部分113或所述第三部分115的长度大于所述第一部分111的长度。即所述第二部分113及第三部分115均为所述电子设备200的侧边金属框。
所述壳体11上还开设有至少一断点。在本实施例中，所述壳体11上开设有两个断点，即第一断点117及第二断点118。其中，所述第一断点117开设于所述第一部分111上，且靠近所述第二部分113设置。所述第二断点118设置于所述第二部分113上。
在本实施例中，所述第一断点117及所述第二断点118均贯通且隔断所述壳体11。所述至少一断点共同自所述壳体11上划分出至少两个辐射部。在本实施例中，所述第一断点117及所述第二断点118共同自所述壳体11划分出第一辐射部F1。其中，在本实施例中，所述第一断点117与所述第二断点118之间的所述壳体11形成所述第一辐射部F1。也就是说，所述第一辐射部F1设置在所述电子设备200的角落位置，例如右下角位置，即由部分所述第一部分111及部分所述第二部分113构成。
可以理解，在本实施例中，当所述第一断点117与所述第二断点118的宽度小于2毫米(mm)时，会对所述天线结构100的效率有影响。因此，所述第一断点117与所述第二断点118的宽度通常不小于2mm。而所述第一断点117与所述第二断点118的宽度越大，对所述天线结构100的效率越好。因此，在本实施例中，同时考虑到所述电子设备200的整体外观美感及所述天线结构100的辐射效率，所述第一断点117与所述第二断点118的宽度均可以设置为2mm。
可以理解，在本实施例中，所述第一断点117与所述第二断点118均填充有绝缘材料，例如塑胶、橡胶、玻璃、木材、陶瓷等，但不以此为限。
可以理解，在本实施例中，所述第一馈入点13设置在所述第一辐射部F1上，且位于所述第一部分111。所述第一馈入点13可通过弹片、微带线、条状线、同轴电缆等方式电连接至一匹配电路131，并通过所述匹配电路131电连接至一第一馈电点201，以馈入电流信号至所述第一辐射部F1。
可以理解，在本实施例中，所述匹配电路131可以为L型匹配电路、T型匹配电路、π型匹配电路或其他电容、电感以及电容与电感的组合，用以调节所述第一辐射部F1的阻抗匹配。
可以理解，在本实施例中，所述接地点14设置于所述第一辐射部F1上，且位于所述第一部分111。所述接地点14设置于所述第二部分113与所述第一馈入点13之间，并接地。
可以理解，请再次参阅图2，在本实施例中，所述系统接地面12邻近所述第一部分111及所述第二断点118的一端沿平行所述第二部分113且靠近所述第一部分111的方向开设有第一狭缝119。所述第一狭缝119呈直条状，且与所述第二断点118连通。
可以理解，请一并参阅图3，为所述天线结构100的电流路径图。其中，当电流自所述第一馈入点13馈入时，所述电流将流经所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13与所述第二断点118之间的部分，并流向所述第二断点118，同时通过所述接地点14接地(参路径P1)。当电流自所述第一馈入点13馈入时，所述电流还将流经所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13与所述第一断点117之间的部分，并流向所述第一断点117(参路径P2)。
在本实施例中，所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13与所述第二断点118之间的部分为中频/超高频(ultra-high frequency，UHB)/5G NR(N77/N78)辐射体，用以激发长期演进技术升级版(Long Term Evolution Advanced，LTE-A)中频、超高频、5G NR N77、N78模态。所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13与所述第一断点117之间的部分为5G NR N79辐射体，用以激发5G NR N79模态。
同时，当电流自所述第一馈入点13馈入，以流经所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13与所述第二断点118之间的部分时，所述电流还通过所述第二断点118耦合至所述第一狭缝119(参路径P3)。如此，可利用所述第一狭缝119耦合共振出具有可调性、天线效率佳的LTE-A高频模态，以产生LTE-A高频频段的辐射信号。
显然，在本实施例中，通过于主要的辐射体，例如所述第一辐射部F1的适当位置设置所述第一馈入点13及匹配电路131，并于所述第一辐射部F1位于所述第一馈入点13与所述第二部分113之间的部分设置相应的接地点14。如此，可利用此天线架构共振出LTE-A中频模态、超高频模态以及5G NR模态(包括N77/N78/N79模态)。
可以理解，在本实施例中，通过调节，例如微调所述第一馈入点13的位置，可单独控制5G NR模态以及LTE-A中频模态的频率偏移。通过调节，例如微调所述接地点14的位置，可单独控制所述超高频模态的频率偏移。
可以理解，请一并参阅图4及图5，其中，图4为所述天线结构100的S参数(散射参数)曲线图。图5为所述天线结构100的辐射效率曲线图。
显然，在本实施例中，所述天线结构100通过两个断点，即第一断点117及第二断点118，自所述壳体11划分出一个独立的金属辐射体，即第一辐射部F1。同时，于邻近所述第二断点118的系统接地面12上开设相应的作为耦合用的第一狭缝119。如此，所述天线结构100可产生四个可独立调整的模态，即LTE-A中频模态、LTE-A高频模态、超高频及5G NR N77、N78模态、5G NR N79模态，且无需使用天线调谐器(tuner)或切换开关等高单价的高频调谐元件，仅使用常用的电容、电感及其组合(例如匹配电路131)便可达到宽频的效果，使得所述天线结构100的工作频率范围涵盖中频(1710-2170MHz)、高频(2300-2690MHz)、超高频(3400-3800MHz)以及5G Sub6 NR N77/N78/N79(3300-5000MHz)。即所述天线结构100可涵盖至1710-5000MHz频段，其为全球常用的2G/3G/4G/5G Sub 6通信频段。
请一并参阅图6，为本发明第二较佳实施例所提供的天线结构100a，其可应用于移动电话、个人数字助理等电子设备200a中，用以发射、接收无线电波以传递、交换无线信号。
所述天线结构100a至少包括壳体11a、系统接地面12a及第一馈入点13a。其中，所述壳体11a上开设有所述第一断点117及第二断点118。所述第一断点117与所述第二断点118共同自所述壳体11a划分出相应的第一辐射部F1。所述系统接地面12a上开设有第一狭缝119。
可以理解，在本实施例中，所述天线结构100a与天线结构100的区别在于所述天线结构100a并未设置所述接地点14，即省略所述接地点14。且所述天线结构100a中所述第一馈入点13a并非通过相应的匹配电路131电连接至所述第一馈电点201，而是通过天线调谐器(tuner)132电连接至所述第一馈电点201。
可以理解，在本实施例中，所述天线结构100a与天线结构100的区别还在于所述壳体11a上还开设有第三断点120，且所述系统接地面12a上还开设有第二狭缝121。其中，所述第三断点120设置于所述第三部分115上。对应地，所述第一断点117与所述第三断点120之间的所述壳体11形成一第二辐射部F2。所述第二辐射部F2设置在所述电子设备200的角落，例如左下角位置，即由部分所述第一部分111及部分所述第三部分115构成。在本实施例中，所述第三断点120相对于所述第二断点118更远离所述第一断点117设置。所述第一辐射部F1的电长度小于所述第二辐射部F2的电长度。所述第二狭缝121开设于所述系统接地面12a邻近所述第一部分111及所述第三断点120的一端，且沿平行所述第二部分113且靠近所述第一部分111的方向延伸。所述第二狭缝121呈直条状，其与所述第一狭缝119平行设置，即对称设置于所述系统接地面12a，且与所述第三断点120连通。
可以理解，在本实施例中，所述天线结构100a与天线结构100的区别还在于所述天线结构100a还包括第二馈入点15及切换点17。其中，所述第二馈入点15设置在所述第二辐射部F2上，且位于所述第一部分111。所述第二馈入点15可通过弹片、微带线、条状线、同轴电缆等方式电连接至一天线调谐器(tuner)151，并通过所述天线调谐器(tuner)151电连接至一第二馈电点203，以馈入电流信号至所述第二辐射部F2。所述切换点17设置在所述第二辐射部F2上，且位于所述第一部分111，并靠近所述第一断点117设置。在本实施例中，所述切换点17还通过相应的切换电路170接地。
请一并参阅图7，在本实施例中，所述切换电路170包括切换单元171及至少一切换元件173。所述切换单元171可以为单刀单掷开关、单刀双掷开关、单刀三掷开关、单刀四掷开关、单刀六掷开关、单刀八掷开关等。所述切换单元171电连接至所述切换点17，以电连接至所述第二辐射部F2。所述切换元件173可以为电感、电容、或者电感与电容的组合。所述切换元件173之间相互并联，且其一端电连接至所述切换单元171，另一端接地。如此，通过控制所述切换单元171的切换，可使得所述第二辐射部F2切换至不同的切换元件173，以调整所述第二辐射部F2的辐射频段的频率(参下详述)。
可以理解，在本实施例中，所述天线结构100a与天线结构100的区别还在于所述天线结构100a中所述第一辐射部F1的工作原理及具体工作频段与所述天线结构100中的第一辐射部F1的工作原理及具体工作频段不同。具体地，请一并参阅图8，在本实施例中，当电流自所述第一馈入点13a馈入时，所述电流将流经所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13a与所述第二断点118之间的部分，并流向所述第二断点118(参路径P4)。当电流自所述第一馈入点13a馈入时，所述电流还将流经所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13a与所述第一断点117之间的部分，并流向所述第一断点117(参路径P5)。
在本实施例中，所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13a与所述第二断点118之间的部分为中频/高频/超高频/5G NR辐射体，以激发LTE-A中频、超高频、5G NR N77、N78、N79模态。所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13a与所述第一断点117之间的部分为中频/高频辐射体，以激发LTE-A中频、高频模态。
同时，当电流自所述第一馈入点13a馈入，以流经所述第一辐射部F1中所述第一馈入点13a与所述第二断点118之间的部分时，所述电流还通过所述第二断点118耦合至所述第一狭缝119(参路径P6)。如此，可利用所述第一狭缝119耦合共振出具有可调性、天线效率佳的额外的工作模态，以增加所述第一辐射部F1的中高频频宽。
可以理解，请再次参阅图8，在本实施例中，当电流自所述第二馈入点15馈入时，所述电流将流经所述第二辐射部F2中所述第二馈入点15与所述第一断点117之间的部分，并流向所述第一断点117(参路径P7)。当电流自所述第二馈入点15馈入时，所述电流还将流经所述第二辐射部F2中所述第二馈入点15与所述第三断点120之间的部分，并流向所述第三断点120(参路径P8)。
在本实施例中，所述第二辐射部F2中所述第二馈入点15与所述第一断点117之间的部分为低频辐射体，以激发LTE-A低频模态。所述第二辐射部F2中所述第二馈入点15与所述第三断点120之间的部分为中频/高频/超高频/5G NR辐射体，以激发LTE-A中频、超高频、5G NR N77、N78、N79模态。
同时，当电流自所述第二馈入点15馈入，以流经所述第二辐射部F2中所述第二馈入点15与所述第三断点120之间的部分时，所述电流还通过所述第三断点120耦合至所述第二狭缝121(参路径P9)。如此，可利用所述第二狭缝121耦合共振出具有可调性、天线效率佳的额外的工作模态，以增加所述第二辐射部F2的中高频频宽。
显然，在本实施例中，通过于主要的辐射体，例如所述第一辐射部F1的适当位置设置第一馈入点13a及天线调谐器(tuner)132，并于所述系统接地面12a上设置相应的第一狭缝119。如此，可利用此天线架构共振出LTE-A中频模态、超高频模态以及5G NR模态(包括N77、N78、N79模态)，即使其工作频率范围涵盖至1448-5000MHz。另外，通过于另一辐射体，例如所述第二辐射部F2的适当位置设置所述第二馈入点15及天线调谐器(tuner)151，并于所述系统接地面12a上设置相应的第二狭缝121。如此，可利用此天线架构共振出LTE-A中频模态、超高频模态以及5G NR模态(包括N77、N78、N79模态)，即使其工作频率范围涵盖至1710-5000MHz。同时，通过设置所述切换电路170，可调整所述第二辐射部F2中低频频段的频率，使得所述第二辐射部F2的低频频段涵盖至600-960MHz，即703-804MHz、791-862MHz、824-894MHz、880-960MHz(即B28/B20/B5/B8频段)。
图9为当所述天线结构100a开设所述第一狭缝119及未开设所述第一狭缝119时，所述天线结构100a的S参数(散射参数)曲线图。其中，曲线S91为当未开设所述第一狭缝119时，所述天线结构100a的S11值。曲线S92为当开设所述第一狭缝119时，所述天线结构100a的S11值。
图10为当所述天线结构100a开设所述第一狭缝119及未开设所述第一狭缝119时，所述天线结构100a的辐射效率曲线图。其中，曲线S101为当未开设所述第一狭缝119时，所述天线结构100a的辐射效率。曲线S102为当开设所述第一狭缝119时，所述天线结构100的辐射效率。
图11为当所述天线结构100a开设所述第二狭缝121及未开设所述第二狭缝121时，所述天线结构100a的S参数(散射参数)曲线图。其中，曲线S111为当未开设所述第二狭缝121时，所述天线结构100a的S11值。曲线S112为当开设所述第二狭缝121时，所述天线结构100a的S11值。
图12为当所述天线结构100a开设所述第二狭缝121及未开设所述第二狭缝121时，所述天线结构100a的辐射效率曲线图。其中，曲线S121为当未开设所述第二狭缝121时，所述天线结构100a的辐射效率。曲线S122为当开设所述第二狭缝121时，所述天线结构100a的辐射效率。
图13为当开设所述第一狭缝119时，所述天线结构100a中所述第一辐射部F1的辐射效率曲线图。其中，曲线S131为所述第一辐射部F1工作于超中频频段时的辐射效率。曲线S132为所述第一辐射部F1工作于中频频段时的辐射效率。曲线S133为所述第一辐射部F1工作于B1 Rx频段时的辐射效率。曲线S134为所述第一辐射部F1工作于高频频段时的辐射效率。曲线S135为所述第一辐射部F1工作于超高频、5G NR N77、N78频段时的辐射效率。曲线S136为所述第一辐射部F1工作于5G NR N79频段时的辐射效率。
图14为当开设所述第二狭缝121时，所述天线结构100a中所述第二辐射部F2的辐射效率曲线图。其中，曲线S141为所述第二辐射部F2工作于低频LTE-A LB700频段、B3 Tx频段及5G NR N79频段时的辐射效率。曲线S142为所述第二辐射部F2工作于低频LTE-A LB900频段及中频频段时的辐射效率。曲线S143为所述第二辐射部F2工作于高频频段时的辐射效率。曲线S144为所述第二辐射部F2工作于超高频、5G NR N77、N78频段时的辐射效率。
显然，由图9至图14可看出，所述天线结构100通过设置所述切换电路170，以切换所述天线结构100a的各低频模态，可有效提升低频频宽并兼具较佳天线效率，使得所述天线结构100的低频涵盖B28/B20/B5/B8频段。再者，通过设置双狭缝，即第一狭缝119及第二狭缝121，可耦合能量以共振出额外的模态，进而有效增加中高频的频宽。与现有技术中未设置所述第一狭缝119及第二狭缝121的结构相比，本发明中所述天线结构100a通过设置所述第一狭缝119及第二狭缝121，使得其共振出来的模态具有可调性且天线效率佳，例如，可使得其共振出的模态的天线效率改善2-6dB。
在本实施例中，所述天线结构100a通过设置第一辐射部F1、第二辐射部F2、第一狭缝119及第二狭缝121，可增加中高频频宽并具有最佳天线效率，亦可涵盖全球频段的应用，支援5G Sub6 N77/N78/N79的频段。具体地，通过于第一辐射部F1的适当位置设置第一馈入点13a，于所述系统接地面12a上设置所述第一狭缝119，并结合所述天线调谐器(tuner)132，进而使得所述第一辐射部F1的工作频率范围可以涵盖至1448-5000MHz。通过于所述第二辐射部F2的适当位置设置所述第二馈入点15，于所述系统接地面12a上设置所述第二狭缝121，并结合所述天线调谐器(tuner)151，进而使得所述第二辐射部F2的工作频率范围可以涵盖至1710-5000MHz。再者，通过于所述第二辐射部F2的低频辐射体上增加切换电路170，以控制低频频偏，使得所述第二辐射部F2的低频工作频率范围可以涵盖至703-804MHz、791-862MHz,824-894MHz,880-960MHz。也就是说，所述天线结构100a的工作频率范围可涵盖低频(703-960MHz)、超中频(1448-1511MHz)、中频(1710-2170MHz)、高频(2300-2690MHz)、超高频(3400-3800MHz)以及5G Sub6 NR N77/N78/N79频段。
以上实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本发明技术方案的精神和范围。本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化等用在本发明的设计，只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种电子设备的天线结构，其特征在于，所述天线结构包括壳体、系统接地面及第一馈入点，所述壳体至少部分由金属材料制成，所述壳体上开设有第一断点及第二断点，所述第一断点与所述第二断点之间的所述壳体形成一第一辐射部，所述系统接地面设置于所述壳体内，且对应所述第一辐射部开设第一狭缝，所述第一狭缝与所述第二断点连通，所述第一馈入点设置于所述第一辐射部上，且电连接至一第一馈电点，以为所述第一辐射部馈入电流信号。
2.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于：所述天线结构还包括接地点，所述接地点设置于所述第一辐射部上，且比所述第一馈入点更远离所述第一断点设置，所述接地点接地。
3.如权利要求2所述的天线结构，其特征在于：所述天线结构还包括匹配电路，所述第一馈入点通过所述匹配电路电连接至所述第一馈电点。
4.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于：所述天线结构还包括第二馈入点，所述壳体上还开设有第三断点，所述第三断点比所述第二断点更远离所述第一断点设置，所述第三断点与所述第二断点设置于所述第一断点的两侧，所述第一断点与所述第三断点之间的所述壳体形成一第二辐射部，所述第二馈入点设置于所述第二辐射部上，且电连接至一第二馈电点，以为所述第二辐射部馈入电流信号。
5.如权利要求4所述的天线结构，其特征在于：所述系统接地面对应所述第二辐射部开设第二狭缝，所述第二狭缝与所述第三断点连通。
6.如权利要求5所述的天线结构，其特征在于：所述第一狭缝与所述第二狭缝对称设置于所述系统接地面。
7.如权利要求4、5或6所述的天线结构，其特征在于：所述天线结构还包括第一天线调谐器，所述第二馈入点通过所述天线调谐器电连接至所述第二馈电点。
8.如权利要求7所述的天线结构，其特征在于：所述天线结构还包括第二天线调谐器，所述第一馈入点通过所述第二天线调谐器电连接至所述第一馈电点。
9.如权利要求4所述的天线结构，其特征在于：所述天线结构还包括切换点，所述切换点设置于所述第二辐射部上，且比所述第二馈入点更靠近所述第一断点，所述切换点通过一切换电路接地，所述切换电路包括切换单元及至少一切换元件，所述切换单元的一端电连接至所述切换点，所述至少一切换元件的一端电连接至所述切换单元，另一端接地。
10.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括如权利要求1-9中任一项所述的天线结构。
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