RU2801540C1 - Антенная конструкция и электронное устройство, имеющее антенную конструкцию - Google Patents

Abstract

Изобретение относится к антенной технике, в частности к приемо-передающим мобильным устройствам с рамочной антенной. Технический результат - повышение эффективности излучения (КПД) антенны в нижней полосе частот диапазона (low band). Результат достигается тем, что предложено электронное устройство, содержащее обрамление и антенную конструкцию, при этом обрамление содержит нижнее, первое боковое и второе боковое обрамления, при этом антенная конструкция содержит рамочную основу, первую питающую часть, вторую питающую часть, первую соединительную часть и точку заземления, причем рамочная основа по меньшей мере частично выполнена из металлического материала, рамочная основа содержит первую часть, вторую часть и третью часть, при этом первой частью является нижнее обрамление, второй частью является первое боковое обрамление и третьей частью является второе боковое обрамление, в первой части выполнены первая прорезь и третья прорезь, причем первая прорезь и третья прорезь обращены друг к другу и третья прорезь ближе к третьей части, чем первая прорезь, во второй части выполнена вторая прорезь, часть рамочной основы между первой прорезью и второй прорезью образует первую излучающую часть. 7 з.п. ф-лы, 18 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

[0001] Настоящее изобретение относится к антенной конструкции и электронному устройству, имеющему антенную конструкцию.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

[0002] В настоящее время для повышения качества электронных устройств, таких как мобильные телефоны и персональные цифровые помощники, все чаще применяется металл для промышленного дизайна (industry design, ID) электронных устройств, например, металлического обрамления. В промышленном дизайне, в котором используется металлическое обрамление, превращение металлического обрамления в антенну становится направлением проектирования антенн.

[0003] В предшествующем уровне техники рабочие характеристики полосы нижних частот (LB) реализуются в основном с использованием боковой продольной компоненты, например, боковой моды перевернутой F-образной антенны (inverted-F antenna (IFA)) или продольной моды активной антенны. Однако по мере того, как становятся популярными большие экраны, такие как изогнутые экраны, боковые металлические рамочные основы мобильных телефонов становятся тоньше (уже). Таким образом, по мере того как изогнутые экраны приближаются к предельным и боковым рамочным основам и боковые окружения становятся слабее, производительность антенны с боковым рамочным основанием в качестве основной излучающей антенны резко ухудшается и не может соответствовать требованиям к рабочим характеристикам полосы нижних частот (LB).

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0004] Ввиду этого необходимо разработать антенную конструкцию, которая может эффективно улучшить эффективность излучения в полосе нижних частот (LB), и электронное устройство, имеющее такую антенную конструкцию.

[0005] В соответствии с первым аспектом настоящая заявка обеспечивает антенную конструкцию для электронного устройства. Антенная конструкция включает в себя рамочную основу, первую питающую часть и первую соединительную часть, причем рамочная основа, по меньшей мере, частично выполнена из металлического материала, рамочная основа включает в себя, по меньшей мере, первую часть и вторую часть, вторая часть соединена с одним концом первой части, длина второй части больше длины первой части, в первой части выполнена первая прорезь, во второй части выполнена вторая прорезь, часть рамочной основы между первой прорезью и второй прорезью образует первую излучающую часть, первая питающая часть размещена на первой излучающей части и расположена на первой части рамочной основы, первая питающая часть электрически соединена с первым питателем для подачи токового сигнала в первую излучающую часть, причем первая соединительная часть размещена на первой излучающей части и расположена на второй части рамочной основы.

[0006] Можно понять, что в антенной конструкции, представленной в первом аспекте, используется нижний питатель полосы нижних частот (LB) и он имеет, отличные от моды IFA, характеристики миниатюризации и в основном основан на поперечных компонентах, тем самым подвергаясь меньшему влиянию экранам с изогнутыми боковыми сторонами. Кроме того, боковые прорези могут помочь улучшить боковую продольную компоненту, чтобы повысить эффективность FS полосы нижних частот (LB).

[0007] Со ссылкой на первый аспект, в некоторых вариантах осуществления антенная конструкция дополнительно включает в себя первый настроечный блок, при этом один конец первого настроечного блока электрически соединен с первой питающей частью, а другой конец заземлен, первый настроечный блок включает в себя первую настроечную ветвь, вторую настроечную ветвь и по меньшей мере один первый переключающий блок, первая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности, и вторая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности. Первый настроечный блок выполнен с возможностью выполнения настройки и согласования портов и регулировки частоты в отношении первой излучающей части.

[0008] Со ссылкой на первый аспект, в некоторых вариантах осуществления антенная конструкция дополнительно включает в себя второй настроечный блок, при этом один конец второго настроечного блока электрически соединен с первой соединительной частью, другой конец заземлен, второй настроечный блок включает в себя третью настроечную ветвь, четвертую настроечную ветвь и по меньшей мере один второй переключающий блок, третья настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности, и четвертая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности. Первая соединительная часть незначительно регулирует частотную и продольную компоненту первой излучающей части посредством использования второго настроечного блока.

[0009] Со ссылкой на первый аспект, в некоторых вариантах осуществления в первой части дополнительно выполнена третья прорезь, третья прорезь и первая прорезь расположены с интервалом, первая прорезь находится ближе ко второй прорези, чем третья прорезь, и часть рамочной основы между первой прорезью и третьей прорезью образует паразитный шлейф первой излучающей части, с тем чтобы обеспечить антенной конструкции возможность генерировать дополнительный резонанс. Кроме того, выполняется настройка в отношении паразитного шлейфа первой излучающей части, так что дополнительный резонанс смещается в эффективную полосу частот первой излучающей части и улучшается эффективность излучения первой излучающей части.

[0010] Со ссылкой на первый аспект, в некоторых вариантах осуществления рамочная основа дополнительно включает в себя третью часть, при этом третья часть и вторая часть обращены друг к другу и соединены с другим концом первой части, в первой части дополнительно выполнена третья прорезь, третья прорезь и первая прорезь расположены с интервалом, первая прорезь находится ближе ко второй прорези, чем третья прорезь, на третьей части размещена точка заземления, часть рамочной основы между точкой заземления и третьей прорезью образует вторую излучающую часть, антенная конструкция дополнительно включает в себя вторую питающую часть, причем вторая питающая часть размещена на второй излучающей части и расположена на первой части рамочной основы, и вторая питающая часть электрически соединена со вторым питателем для подачи токового сигнала во вторую излучающую часть.

[0011] Со ссылкой на первый аспект, в некоторых вариантах осуществления часть рамочной основы между первой прорезью и первой соединительной частью образует паразитный шлейф второй излучающей части, и паразитный шлейф второй излучающей части выполнен с возможностью рассеивания распространения тока на второй излучающей части. Следовательно, удельный коэффициент поглощения второй излучающей части может быть эффективно снижен.

[0012] Со ссылкой на первый аспект, в некоторых вариантах осуществления антенная конструкция дополнительно включает в себя вторую соединительную часть, причем вторая соединительная часть размещена на первой излучающей части и расположена на второй части рамочной основы, расстояние от второй соединительной части до второй прорези больше расстояния от первой соединительной части до второй прорези, и вторая соединительная часть заземлена посредством использования второго настроечного блока. Настройка частоты выполняется в отношении паразитного шлейфа второй излучающей части с использованием первого настроечного блока и второго настроечного блока.

[0013] Со ссылкой на первый аспект, в некоторых вариантах осуществления антенная конструкция дополнительно включает в себя третью соединительную часть и третий настроечный блок, при этом третья соединительная часть размещена на второй излучающей части и расположена на первой части рамочной основы, третья соединительная часть находится ближе к третьей части, чем вторая питающая часть, один конец третьего настроечного блока электрически соединен с третьей соединительной частью и второй питающей частью, другой конец заземлен, третий настроечный блок включает в себя пятую настроечную ветвь, шестую настроечную ветвь и по меньшей мере один третий переключающий блок, пятая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности, и шестая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности. Третий настроечный блок выполнен с возможностью выполнения настройки частоты в отношении второй излучающей части.

[0014] Со ссылкой на первый аспект, в некоторых вариантах осуществления рамочная основа является металлическим обрамлением электронного устройства, то есть антенная конструкция является металлической рамочной антенной, в этом случае первая часть является нижним металлическим обрамлением электронного устройства, а вторая часть является боковым металлическим обрамлением электронного устройства.

[0015] Со ссылкой на первый аспект, в некоторых вариантах осуществления антенная конструкция не ограничивается металлической рамочной антенной и альтернативно может быть модовой декоративной антенной (Mode decoration antenna, MDA) или другой антенной. Например, когда антенная конструкция является антенной MDA, металлический элемент в каркасе электронного устройства используется в качестве излучателя для реализации функции излучения. Каркас электронного устройства выполнен из такого материала, как пластик, и металлический элемент объединен с каркасом посредством литья со вставкой.

[0016] В соответствии со вторым аспектом настоящая заявка дополнительно обеспечивает электронное устройство, включающее в себя антенную конструкцию, предоставленную в первом аспекте.

[0017] Со ссылкой на второй аспект, в некоторых вариантах осуществления электронное устройство дополнительно включает в себя заднюю панель и дисплейный блок, при этом задняя панель размещена на краю рамочной основы, а дисплейный блок размещен на боковой стороне рамочной основы отдельно от задней панели. Задняя панель выполнена из металла или другого токопроводящего материала. Конечно, задняя панель альтернативно может быть выполнена из изоляционного материала, такого как стекло или пластик. То есть антенная конструкция может быть приспособлена к электронному устройству с задней панелью из различных материалов. Кроме того, антенная конструкция может быть приспособлена к электронному устройству с большим экраном, например, изогнутым экраном и более тонкой (более узкой) боковой металлической рамочной основой.

[0018] Согласно третьему аспекту настоящая заявка дополнительно обеспечивает электронное устройство. Электронное устройство включает в себя антенную конструкцию, при этом антенная конструкция включает в себя рамочную основу, рамочная основа, по меньшей мере, частично выполнена из металлического материала, рамочная основа включает в себя, по меньшей мере, первую часть, вторую часть и третью часть, вторая часть и третья часть обращены друг к другу и соединены с двумя концами первой части, каждая из длины второй части и длины третьей части больше длины первой части, первая прорезь, вторая прорезь и третья прорезь выполнены в рамочной основе, первая прорезь и третья прорезь выполнены в первой части с интервалом, во второй части выполнена вторая прорезь, первая прорезь находится ближе ко второй прорези, чем третья прорезь, часть рамочной основы между первой прорезью и второй прорезью образует первую излучающую часть, на третьей части размещена точка заземления, часть рамочной основы между точкой заземления и третьей прорезью образует вторую излучающую часть, первая питающая часть размещена на первой излучающей части, первая питающая часть расположена на первой части рамочной основы для подачи токового сигнала в первую излучающую часть, вторая питающая часть размещена на второй излучающей части, и вторая питающая часть расположена на первой части рамочной основы для подачи токового сигнала во вторую излучающую часть.

[0019] Со ссылкой на третий аспект, в некоторых вариантах осуществления антенная конструкция дополнительно включает в себя первый настроечный блок, при этом один конец первого настроечного блока электрически соединен с первой питающей частью, а другой конец заземлен, первый настроечный блок включает в себя первую настроечную ветвь, вторую настроечную ветвь и по меньшей мере один первый переключающий блок, первая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности, и вторая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности. Первый настроечный блок выполнен с возможностью выполнения настройки и согласования портов и регулировки частоты в отношении первой излучающей части.

[0020] Со ссылкой на третий аспект, в некоторых вариантах осуществления антенная конструкция дополнительно включает в себя первую соединительную часть, вторую соединительную часть и второй настроечный блок, причем первая соединительная часть и вторая соединительная часть размещены на первой излучающей части с интервалом и расположены на второй части рамочной основы, расстояние от второй соединительной части до второй прорези больше расстояния от первой соединительной части до второй прорези, один конец второго настроечного блока электрически соединен с первой соединительной частью и второй соединительной частью, другой конец заземлен, второй настроечный блок включает в себя третью настроечную ветвь, четвертую настроечную ветвь и по меньшей мере один второй переключающий блок, третья настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности, и четвертая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности. Первая соединительная часть незначительно регулирует частотную и продольную компоненту первой излучающей части посредством использования второго настроечного блока.

[0021] Со ссылкой на третий аспект, в некоторых вариантах осуществления часть рамочной основы между первой прорезью и третьей прорезью образует паразитный шлейф первой излучающей части, с тем чтобы обеспечить антенной конструкции возможность генерировать дополнительный резонанс. Кроме того, выполняется настройка в отношении паразитного шлейфа первой излучающей части, так что дополнительный резонанс смещается в эффективную полосу частот первой излучающей части и улучшается эффективность излучения первой излучающей части.

[0022] Со ссылкой на третий аспект, в некоторых вариантах осуществления часть рамочной основы между первой прорезью и первой соединительной частью образует паразитный шлейф второй излучающей части, и паразитный шлейф второй излучающей части выполнен с возможностью рассеивания распространения тока на второй излучающей части. Следовательно, удельный коэффициент поглощения второй излучающей части может быть эффективно снижен. Кроме того, выполняется настройка частоты в отношении паразитного шлейфа второй излучающей части с использованием первого настроечного блока и второго настроечного блока.

[0023] Со ссылкой на третий аспект, в некоторых вариантах осуществления антенная конструкция дополнительно включает в себя третью соединительную часть и третий настроечный блок, при этом третья соединительная часть размещена на второй излучающей части и расположена на первой части рамочной основы, третья соединительная часть находится ближе к третьей части, чем вторая питающая часть, один конец третьего настроечного блока электрически соединен с третьей соединительной частью и второй питающей частью, другой конец заземлен, третий настроечный блок включает в себя пятую настроечную ветвь, шестую настроечную ветвь и по меньшей мере один третий переключающий блок, пятая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности, и шестая настроечная ветвь включает в себя конденсатор или катушку индуктивности. Третий настроечный блок выполнен с возможностью выполнения настройки частоты в отношении второй излучающей части.

[0024] Со ссылкой на третий аспект, в некоторых вариантах осуществления рамочная основа является металлическим обрамлением электронного устройства, то есть антенная конструкция является металлической рамочной антенной. В этом случае первая часть является нижним металлическим обрамлением электронного устройства, а вторая часть и третья часть являются боковыми металлическими обрамлениями электронного устройства.

[0025] Со ссылкой на третий аспект, в некоторых вариантах осуществления антенная конструкция не ограничивается металлической рамочной антенной и альтернативно может быть модовой декоративной антенной (Mode decoration antenna, MDA) или другой антенной. Например, когда антенная конструкция является антенной MDA, металлический элемент в каркасе электронного устройства используется в качестве излучателя для реализации функции излучения. Каркас электронного устройства выполнен из такого материала, как пластик, и металлический элемент объединен с каркасом посредством литья со вставкой.

[0026] Можно понять, что антенная конструкция, предоставленная в третьем аспекте, может реализовать как низкий SAR полосы средних/верхних частот (MHB), так и эффективность излучения полосы нижних частот (LB). То есть положение прорези и ширина прорези антенны спроектированы и положение рамочной основы и сила тока связи прорезей регулируются таким образом, чтобы влиять на степень концентрированного и рассеянного распространения тока на рамочной основе антенны. Антенная конструкция, предоставленная в третьем аспекте, увеличивает область распространения тока полосы средних/верхних частот (MHB) (например, регулирует электрическую длину второй излучающей части), а также взаимодействует с паразитной рамочной основой полосы средних/верхних частот (MHB) для шунтирования тока, с тем чтобы уменьшить SAR. Кроме того, для прорези (т.е. второй прорези), выполненной в боковой рамочной основе, используется нижний питатель полосы нижних частот (LB) и который имеет, в отличие от моды IFA, характеристики миниатюризации и основан главным образом на поперечных компонентах, таким образом меньше подвергаясь влиянию экранов с изогнутыми боковыми сторонами. Кроме того, боковые прорези могут помочь улучшить боковую продольную компоненту; кроме того, совместная настройка переключателей может повысить эффективность FS полосы нижних частот (LB), а также отрегулировать паразитный резонанс полосы средних/верхних частот (MHB), чтобы обеспечить характеристики производительности полосы средних/верхних частот (MHB) и низкий SAR, и чтобы мощность не нужно было сильно уменьшать для управления коэффициентом SAR.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0027] Фиг.1 является принципиальной схемой антенной конструкции, применяемой в электронном устройстве в соответствии с примерным вариантом осуществления настоящего изобретения;

[0028] Фиг.2 является принципиальной схемой электронного устройства, показанного на Фиг.1 с другого ракурса;

[0029] Фиг.3 является принципиальной схемой антенной конструкции, показанной на Фиг.1;

[0030] Фиг.4А-4C являются принципиальными схемами трех существующих конструктивных решений антенны;

[0031] Фиг.5А-5C являются принципиальными схемами трех различных конструктивных решений MHB;

[0032] Фиг.6 является структурной схемой переключателя, показанного на Фиг.3;

[0033] Фиг.7 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции, показанной на Фиг.1, функционирующий на моде полосы нижних частот;

[0034] Фиг.8 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности системы антенной конструкции, показанной на Фиг.1 и функционирующей в полосе частот B5 LTE;

[0035] Фиг.9 является схематической диаграммой тока резонанса 1 антенной конструкции, показанной на Фиг.8 и функционирующей в полосе частот B5 LTE;

[0036] Фиг.10 является схематической диаграммой тока резонанса 2 антенной конструкции, показанной на Фиг.8 и функционирующей в полосе частот B5 LTE;

[0037] Фиг.11 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) антенной конструкции, когда первая соединительная часть, показанная на Фиг.3, соединена с другим сопротивлением во включенном состоянии (Ron);

[0038] Фиг.12 является графиком зависимости эффективности излучения антенной конструкции, когда первая соединительная часть, показанная на Фиг.3, соединена с другим сопротивлением во включенном состоянии (Ron);

[0039] Фиг.13 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) антенной конструкции, когда вторая соединительная часть, показанная на Фиг.3, соединена с другим сопротивлением во включенном состоянии (Ron);

[0040] Фиг.14 является графиком зависимости эффективности излучения антенной конструкции, когда вторая соединительная часть, показанная на Фиг.3, соединена с другим сопротивлением во включенном состоянии (Ron);

[0041] Фиг.15 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции, показанной на Фиг.1 и функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда вторая прорезь выполнена или вторая прорезь не выполнена на боковой стороне;

[0042] Фиг.16 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции, показанной на Фиг.1 и функционирующей в полосе частот B5 LTE, когда вторая прорезь выполнена или вторая прорезь не выполнена на боковой стороне;

[0043] Фиг.17 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции, показанной на Фиг.1 и функционирующей в полосе частот B8 LTE, когда вторая прорезь выполнена или вторая прорезь не выполнена на боковой стороне; и

[0044] Фиг.18 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда часть рамочной основы между первой прорезью и третьей прорезью в антенной конструкции, показанной на Фиг.3, служит в качестве паразитного шлейфа.

[0045] Описание условных обозначений основных компонентов

Антенная конструкция	100
Корпус	11
Обрамление	111
Задняя панель	112
Первая часть	115
Вторая часть	116
Третья часть	117
Первая прорезь	120
Вторая прорезь	121
Третья прорезь	122
Первая излучающая часть	F1
Вторая излучающая часть	F2
Первая питающая часть	12
Вторая питающая часть	13
Первая соединительная часть	15
Вторая соединительная часть	17
Третья соединительная часть	18
Точка заземления	19
Первый настроечный блок	SW1
Второй настроечный блок	SW2
Третий настроечный блок	SW3
Переключатель	61, 62, 63
Настроечная ветвь	L1, L2, Л3
Электронное устройство	200
Дисплейный блок	201
Первый питатель	202
Второй питатель	203
Первый электронный элемент	21
Второй электронный элемент	22
Третий электронный элемент	23

[0046] Настоящее изобретение будет дополнительно описано со ссылкой на прилагаемые чертежи в следующих конкретных вариантах осуществления.

Описание вариантов осуществления

[0047] Нижеследующее ясно описывает технические решения в вариантах осуществления настоящего изобретения со ссылкой на прилагаемые чертежи в вариантах осуществления настоящего изобретения. Очевидно, что описанные варианты осуществления являются лишь некоторыми, но не всеми вариантами осуществления настоящего изобретения. Все другие варианты осуществления, полученные специалистом в данной области техники на основе вариантов осуществления настоящего изобретения без творческих усилий, должны попадать в объем защиты настоящего изобретения.

[0048] Следует отметить, что когда один элемент, как указано, «электрически соединен» с другим элементом, то этот элемент может находиться непосредственно на другом элементе или между ними может находиться элемент. Когда считается, что один элемент «электрически соединен» с другим элементом, то это может быть контактное соединение, такое как проводное соединение, или бесконтактное соединение, такое как бесконтактная связь.

[0049] Пока не указано иное, все технические и научные термины, используемые здесь, имеют те же значения, которые обычно понимает специалист в области настоящего изобретения. Термины, используемые в описании настоящего изобретения, предназначены только для описания конкретных вариантов осуществления и не предназначены для ограничения настоящего изобретения.

[0050] Далее подробно описаны некоторые варианты осуществления настоящего изобретения со ссылкой на прилагаемые чертежи. Следующие варианты осуществления и признаки в вариантах осуществления могут быть объединены при условии отсутствия противоречия.

[0051] Как показано на Фиг.1 и Фиг.2 примерный вариант реализации настоящего изобретения обеспечивает антенную конструкцию 100 (как показано на Фиг.3). Антенная конструкция может быть применена в электронном устройстве 200, таком как мобильный телефон, планшетный компьютер или персональный цифровой помощник (personal digital assistant (PDA)), и выполнена с возможностью передачи и приема радиоволн, с тем чтобы передавать и обмениваться радиосигналами.

[0052] Понятно, что электронное устройство 200 может использовать одну или более из следующих технологий связи: технология связи "Блютуз" (Bluetooth (BT)), технология связи глобальной системы позиционирования (global positioning system (GPS)), технология связи стандарта "беспроводной достоверности" (wireless fidelity (Wi-Fi)), технология связи глобальной системы мобильной связи (global system for mobile communications (GSM)), технология связи широкополосного множественного доступа с кодовым разделением (Wideband Code Division Multiple Access (WCDMA)), технология связи стандарта долгосрочного развития (Long Term Evolution (LTE)), технология связи 5G, технология связи SUB-6G, другая будущая технология связи и т.п.

[0053] Электронное устройство 200 включает в себя корпус 11 и дисплейный блок 201. Корпус 11 включает в себя, по меньшей мере, обрамление 111 и заднюю панель 112. Обрамление 111 имеет по существу кольцевую конструкцию и выполнено из металла или другого проводящего материала. Задняя панель 112 размещена на краю обрамления 111. Задняя панель 112 может быть выполнена из металла или другого проводящего материала. Конечно, задняя панель 112 альтернативно может быть выполнена из изоляционного материала, такого как стекло или пластик.

[0054] Можно понять, что в этом варианте осуществления отверстие (не показано на фигуре) выполнено на боковой стороне обрамления 111 обращенным к задней панели 112 и выполнено с возможностью вмещения в себя дисплейного блока 201. Можно понять, что дисплейный блок 201 снабжен плоской дисплейной поверхностью, и плоская дисплейная поверхность выступает из отверстия. Понятно, что дисплейный блок 201 может быть объединен с сенсорным датчиком для формирования сенсорного экрана. Сенсорный датчик также может называться сенсорной панелью или чувствительной к прикосновениям панелью.

[0055] Также как показано на Фиг.3, антенная конструкция 100 включает в себя, по меньшей мере, рамочную основу, первую питающую часть 12, вторую питающую часть 13, первую соединительную часть 15, вторую соединительную часть 17 и третью соединительную часть 18.

[0056] Рамочная основа, по меньшей мере, частично выполнена из металлического материала. В этом варианте осуществления рамочная основа является обрамлением 111 электронного устройства 200. Обрамление 111 включает в себя, по меньшей мере, первую часть 115, вторую часть 116 и третью часть 117. В этом варианте осуществления первая часть 115 является нижним концом электронного устройства 200, то есть первая часть 115 является нижним металлическим обрамлением электронного устройства 200. Антенная конструкция 100 образует нижнюю антенну электронного устройства 200. Вторая часть 116 и третья часть 117 обращены друг к другу, размещены на двух концах первой части 115 соответственно и предпочтительно расположены вертикально. В этом варианте осуществления длина второй части 116 или длина третьей части 117 больше, чем длина первой части 115. То есть и вторая часть 116, и третья часть 117 являются боковыми металлическими обрамлениями электронного устройства 200.

[0057] В обрамлении 111 дополнительно выполнена по меньшей мере одна прорезь. В этом варианте осуществления в обрамлении 111 выполнены три прорези: первая прорезь 120, вторая прорезь 121 и третья прорезь 122. Первая прорезь 120 и третья прорезь 122 выполнены в первой части 115 с интервалом. Вторая прорезь 121 выполнена во второй части 116. Первая прорезь 120 находится ближе ко второй части 116, чем третья прорезь 122. Третья прорезь 122 находится ближе к третьей части 117, чем первая прорезь 120.

[0058] Можно понять, что в этом варианте осуществления антенная конструкция 100 дополнительно включает в себя точку 19 заземления. Точка 19 заземления размещена на третьей части 117.

[0059] В этом варианте осуществления первая прорезь 120, вторая прорезь 121 и третья прорезь 122 проходят через обрамление 111 и разрезают его. По меньшей мере одна прорезь и точка 19 заземления совместно задают по меньшей мере две излучающие части на обрамлении 111. В этом варианте осуществления первая прорезь 120, вторая прорезь 121, третья прорезь 122 и точка 19 заземления совместно задают первую излучающую часть F1 и вторую излучающую часть F2 на обрамлении 111. В этом варианте осуществления часть обрамления 111 между первой прорезью 120 и второй прорезью 121 образует первую излучающую часть F1. Часть обрамления 111 между третьей прорезью 122 и точкой 19 заземления образует вторую излучающую часть F2. То есть первая излучающая часть F1 размещена в правом нижнем углу электронного устройства 200 и образована частью первой части 115 и частью второй части 116. Вторая излучающая часть F2 размещена в левом нижнем углу электронного устройства 200 и образована частью первой части 115 и частью третьей части 117. Электрическая длина первой излучающей части F1 больше, чем электрическая длина второй излучающей части F2.

[0060] Может быть понятно, что в этом варианте осуществления первая прорезь 120, вторая прорезь 121 и третья прорезь 122 заполнены изоляционным материалом, таким как пластик, резина, стекло, дерево или керамика, но не ограничиваются этим.

[0061] Можно понять, что в этом варианте осуществления ширина первой прорези 120, ширина второй прорези 121 и ширина третьей прорези 122 малы, например, могут составлять от 0,5 миллиметра (мм) до 2 мм. В предпочтительном решении каждая из ширины первой прорези 120, ширины второй прорези 121 и ширины третьей прорези 122 может составлять 0,8 мм, 1 мм или 1,2 мм.

[0062] Можно понять, что в этом варианте осуществления первая питающая часть 12 расположена в корпусе 11. Первая питающая часть 12 размещена на первой излучающей части F1 и расположена на первой части 115. Первая питающая часть 12 может быть электрически соединена с первым питателем 202 посредством использования обтекателя, микрополосковой линии, полосковой линии, коаксиального кабеля и т.п. для подачи токового сигнала в первую излучающую часть F1.

[0063] Вторая питающая часть 13 размещена в корпусе 11. Вторая питающая часть 13 размещена на второй излучающей части F2 и расположена на первой части 115. Вторая питающая часть 13 может быть электрически соединена со вторым питателем 203 посредством использования обтекателя, микрополосковой линии, полосковой линии, коаксиального кабеля и т.п. для подачи токового сигнала во вторую излучающую часть F2.

[0064] Можно понять, что в этом варианте осуществления первая питающая часть 12 и вторая питающая часть 13 могут быть выполнены из материала, такого как железо, медная фольга или проводник, изготовленный в процессе прямого лазерного структурирования (Laser Direct structuring (LDS)).

[0065] Первая соединительная часть 15 размещена на первой излучающей части F1 и расположена на второй части 116. Вторая соединительная часть 17 размещена на первой излучающей части F1 и расположена на второй части 116. То есть в этом варианте осуществления первая соединительная часть 15 и вторая соединительная часть 17 размещены на второй части 116 с интервалом, и расстояние от первой соединительной части 15 до второй прорези 121 меньше, чем расстояние от второй соединительной части 17 до второй прорези 121. То есть первая соединительная часть 15 находится ближе ко второй прорези 121, чем вторая соединительная часть 17.

[0066] Третья соединительная часть 18 размещена в корпусе 11. В этом варианте осуществления третья соединительная часть 18 размещена на второй излучающей части F2 и расположена на первой части 115. Третья соединительная часть 18 находится ближе к третьей части 117, чем вторая питающая часть 13.

[0067] Можно понять, что в этом варианте осуществления электрическая длина L (см. Фиг.3) первой излучающей части F1 отрегулирована таким образом, чтобы электрическая длина L составляла приблизительно половину длины волны, соответствующей ее резонансной частоте. Следовательно, когда ток подается в первую питающую часть 12, первая излучающая часть F1 может генерировать резонанс посредством использования полуволновой моды. В этом случае мода излучения антенной конструкции 100 является продольной модой. Кроме того, когда ток подается в первую питающую часть 12, первая излучающая часть F1 может в качестве альтернативы генерировать резонанс с использованием составной право-/левосторонней (composite right/left handed (CRLH)) моды. В этом случае мода излучения антенной конструкции 100 является поперечной модой. То есть, когда ток подается в первую питающую часть 12, первая излучающая часть F1 может генерировать сигнал излучения в первой полосе частот излучения, используя как моду CRLH, так и полуволновую моду, чтобы инициировать первую рабочую моду. В этом варианте осуществления первая рабочая мода является модой полосы нижних частот (low band (LB)). Частота первой полосы частот излучения включает в себя, но не ограничивается этим, такие полосы частот, как B28/B5/B8 LTE.

[0068] Можно понять, что продольная мода может относиться к моде излучения, при которой продольное боковое металлическое обрамление (например, вторая часть 116) служит основным излучателем для излучения наружу. Поперечная мода может относиться к моде излучения, при которой поперечное нижнее металлическое обрамление (например, первая часть 115) служит основным излучателем для излучения наружу.

[0069] Можно понять, что при подаче тока в первую питающую часть 12 в качестве основной резонансной моды используется мода CRLH, и эта мода, в отличие от моды перевернутой F-образной антенны (inverted F-antenna (IFA)), имеет характеристики миниатюризации и главным образом основана на поперечных компонентах, благодаря чему на нее меньше влияют боковые излучатели или изогнутые экраны. Кроме того, антенная конструкция 100 с прорезью (то есть со второй прорезью 121), выполненной на ее стороне, например, второй части 116, может помочь улучшить продольную компоненту бокового излучателя, чтобы гарантировать, что антенная конструкция 100 имеет относительно хорошую эффективность излучения в LB.

[0070] Когда ток подается во вторую питающую часть 13, антенная конструкция 100 может генерировать сигнал излучения во второй полосе частот излучения, используя как моду CRLH, так и паразитную моду, чтобы инициировать вторую рабочую моду. Вторая рабочая мода является модой полосы средних/верхних частот (middle/high band (MHB)). Частота второй полосы частот излучения включает в себя, помимо прочего, такие полосы частот, как B1/B3/B4/B7/B38/B39/B40/B41 LTE, B1/B2 WCDMA и 1800/1900 GSM.

[0071] Можно понять, что с развитием информационных технологий общественность пользуется удобством, приносимым информационными технологиями, а также акцентирует внимание на вреде электромагнитного излучения терминалов беспроводной связи для человеческого организма. Удельный коэффициент поглощения (Specific Absorption Rate (SAR)) является важным показателем мобильного телефона, а также тем содержанием, на которое инженер по антеннам обращает особое внимание при проектировании антенны. Как правило, общая излучаемая мощность (Total Radiated Power (TRP)) электронного устройства тесно связана с SAR. Однако в реальной антенной конструкции мощность излучения мобильного телефона снижена для управления SAR в нормальных условиях. Например, Фиг.4А, Фиг.4В и Фиг.4C являются принципиальными схемами трех существующих антенных решений. В этих трех антенных решениях добавляется датчик SAR (Sensor) для определения сценария для получения различных значений SAR, а затем снижается мощность излучения мобильного телефона для удовлетворения требованию SAR. Однако только снижение мощности излучения мобильного терминала для управления SAR ухудшает характеристики радиосвязи продукта, влияет на удобство использования, а также снижает конкурентоспособность продукта.

[0072] В антенной конструкции 100 вторая излучающая часть F2 использует две резонансные моды, включающих в себя моду CRLH и паразитную моду. Мода CRLH расположена на боковой стороне второй питающей части 13. Мода CRLH расположена на той же боковой стороне, что и вторая питающая часть 13. Таким образом, область распространения тока моды CRLH увеличивается (например, регулируется или увеличивается электрическая длина второй излучающей части F2), паразитная мода второй излучающей части F2 проходит через первую прорезь 120 и третью прорезь 122, и часть обрамления 111 между первой прорезью 120 и первой соединительной частью 15 образует паразитный шлейф, чтобы рассеивать распространение тока, чтобы антенная конструкция 100 могла функционировать в полосе средних/верхних частот и имела характеристику относительно низкого SAR без снижения мощности излучения. То есть, как показано на Фиг.3 область 1 образует область MHB антенной конструкции 100. То есть вторая излучающая часть F2 находится в основном в моде CRLH, паразитная мода второй излучающей части F2 пересекает первую прорезь 120 и третью прорезь 122, так что часть обрамления 111 между первой прорезью 120 и первой соединительной частью 15 образует паразитный шлейф. Кроме того, на этой фигуре область 2 образует область LB антенной конструкции 100.

[0073] Фиг.5А, Фиг.5В и Фиг.5C являются принципиальными схемами трех различных конструктивных решений MHB. На Фиг.5A используется длинная левосторонняя и дальняя паразитная мода, на Фиг.5B используется короткая левосторонняя и дальняя паразитная мода, а на Фиг.5C используется короткая левосторонняя и ближняя паразитная мода. Длинная левосторонняя и короткая левосторонняя означает, что электрическая длина второй излучающей части F2 на Фиг.5A больше, чем электрическая длина второй излучающей части F2 на Фиг.5В и Фиг.5С. Дальняя паразитная и ближняя паразитная относится к паразитному шлейфу, находящемуся дальше от второй излучающей части F2 (например, часть обрамления 111 между первой прорезью 120 и первой соединительной частью 15, см. Фиг.5А и Фиг.5В), и паразитному шлейфу, находящемуся ближе ко второй излучающей части F2 (например, часть обрамления 111 между первой прорезью 120 и третьей прорезью 122, как показано на Фиг.5C), соответственно. Ясно, что посредством моделирования значений SAR в предыдущих трех решениях было обнаружено, что в решении на Фиг.5A (то есть решении, используемом в данном документе), компонента, касательная к магнитному полю (H-поле), более рассеяна, и реализуется характеристика относительно низкого значения SAR.

[0074] Можно понять, что в этом варианте осуществления антенная конструкция 100 дополнительно включает в себя первый настроечный блок SW1, второй настроечный блок SW2 и третий настроечный блок SW3. Один конец первого настроечного блока SW1 электрически соединен с первой питающей частью 12, а другой конец заземлен. Первый настроечный блок SW1 выполнен с возможностью выполнения настройки и согласования портов и регулировки частоты в отношении первой излучающей части F1.

[0075] Один конец второго настроечного блока SW2 электрически соединен с первой соединительной частью 15 и второй соединительной частью 17. Другой конец второго настроечного блока SW2 заземлен.

[0076] Можно понять, что в этом варианте осуществления второй настроечный блок SW2 образует мультиплексный переключатель, то есть первая соединительная часть 15 и вторая соединительная часть 17 совместно используют второй настроечный блок SW2. Первая соединительная часть 15 может переключаться в разные настроечные ветви посредством использования второго настроечного блока SW2, чтобы регулировать частоту и продольную компоненту. Например, первая соединительная часть 15 может быть переключена или отрегулирована в резистор с нулевым сопротивлением или катушку индуктивности в 1 наногенри (нГн)/2-нГн посредством использования второго настроечного блока SW2, чтобы слегка отрегулировать частоту и продольную компоненту первой излучающей части F1. Вторая соединительная часть 17 регулирует паразитную резонансную частоту второй излучающей части F2 посредством использования второго настроечного блока SW2.

[0077] Один конец третьего настроечного блока SW3 электрически соединен со второй питающей частью 13 и третьей соединительной частью 18, а другой конец заземлен. Третий настроечный блок SW3 выполнен с возможностью выполнения настройки частоты на моде CRLH второй излучающей части F2. Кроме того, настройка частоты может быть выполнена для паразитной моды второй излучающей части F2 с использованием первого настроечного блока SW1. В предпочтительном решении вспомогательная настройка может быть дополнительно выполнена в отношении паразитной моды второй излучающей части F2 с использованием второго настроечного блока SW2 на основе первого настроечного блока SW1. То есть настройка выполняется в отношении моды CRLH второй излучающей части F2, главным образом, посредством использования третьего настроечного блока SW3. Настройка выполняется в отношении паразитной моды второй излучающей части F2 посредством использования первого настроечного блока SW1 и второго настроечного блока SW2.

[0078] Можно понять, что вышеупомянутые настроечные блоки, например, первый настроечный блок SW1, второй настроечный блок SW2 и третий настроечный блок SW3, могут быть образованы, но не ограничиваются этим, посредством объединения множества однополюсных переключателей на одно направление (single pole single throw (SPST)). Например, как показано на Фиг.6, настроечный блок может включать в себя по меньшей мере один переключающий блок, например, три переключателя SPST: переключающий блок 61, переключающий блок 62 и переключающий блок 63. Один конец каждого переключающего блока заземлен, а другой конец может быть соединен с соответствующей настроечной ветвью. Например, переключатель 61 соединен с настроечной ветвью L1, переключатель 62 соединен с настроечной ветвью L2, и переключатель 63 соединен с настроечной ветвью L3. Каждая из настроечных ветвей L1, L2 и L3 могут включать в себя конденсатор или катушку индуктивности. Настроечные блоки могут выборочно включать различные настроечные ветви для осуществления регулировки частоты.

[0079] Конечно, в других вариантах осуществления настроечные блоки, например, первый настроечный блок SW1, второй настроечный блок SW2 и третий настроечный блок SW3, могут дополнительно включать в себя переключающий блоки другого типа и не ограничиваются вышеупомянутыми переключателями SPST.

[0080] Можно понять, что в этом варианте осуществления антенная конструкция 100 взаимодействует с объединенной настройкой настроечных блоков, например, первого настроечного блока SW1, второго настроечного блока SW2 и третьего настроечного блока SW3, так что может быть улучшена эффективность свободного пространства (free space (FS)) в моде полосы нижних частот. Кроме того, может быть отрегулирован паразитный резонанс в моде полосы средних/верхних частот, чтобы обеспечить производительность и характеристику низкого SAR в моде полосы средних/верхних частот.

[0081] Можно понять, что эффективность FS относится к эффективности антенной конструкции 100 в моде полосы нижних частот, когда пользователь не держит электронное устройство 200.

[0082] Фиг.7 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции 100, функционирующей на моде полосы нижних частот. Кривая S41 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE. Кривая S42 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE. Кривая S43 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE. Кривая S44 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE. Кривая S45 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE. Кривая S46 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE. Кривая S47 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE. Кривая S48 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE. Кривая S49 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE.

[0083] Фиг.8 является графиком зависимости параметра S (параметр рассеивания) и эффективности системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE. Кривая S51 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE. Кривая S52 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE.

[0084] Фиг.9 является схематической диаграммой тока резонанса 1 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE. Фиг.10 является схематической диаграммой тока резонанса 2 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE. Из Фиг.8 и Фиг.9 видно, что, поскольку первая излучающая часть F1 осуществляет питание снизу, то резонанс 1 излучается в основном с использованием моды CRLH, то есть поперечной моды. Кроме того, в боковом положении заземления антенной конструкции 100, то есть в положении первой соединительной части 15 и второй соединительной части 17, рамочная основа (то есть первая излучающая часть F1) находится в области большого тока антенны для формирования максимальной плотности тока Jmax. Следовательно, паразитный резистор, который включает в себя второй настроечный блок SW2, сильно влияет на эффективность полосы нижних частот антенной конструкции 100. Из Фиг.8 и Фиг.10 видно, что когда первая излучающая часть F1 функционирует на резонансе 2, то резонанс 2 излучается в основном с использованием полуволновой моды, то есть продольной моды. Кроме того, ток подается в первую питающую часть 12, протекает через первую излучающую часть F1 и затем излучается из первой прорези 120 и второй прорези 121 на двух концах первой излучающей части F1.

[0085] На каждой из Фиг.11 и Фиг.12 проиллюстрировано влияние сопротивления во включенном состоянии (Ron), генерируемого первой соединительной частью 15, соединенной со вторым настроечным блоком SW2, на производительность антенны. Кривая S81 указывает значения S11 антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 2 Ом. Кривая S82 указывает значения S11 антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 1,5 Ом. Кривая S83 указывает значения S11 антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 1 Ом. Кривая S84 указывает значения S11 антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 0,5 Ом. Кривая S85 указывает значения S11 антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 0 Ом. Кривая S91 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 2 Ом. Кривая S92 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 1,5 Ом. Кривая S93 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 1 Ом. Кривая S94 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 0,5 Ом. Кривая S95 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 0 Ом.

[0086] Ясно, что из Фиг.11 и Фиг.12 можно понять, что когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 2 Ом влияние составляет примерно 1,6 дБ. Когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 1 Ом, влияние составляет примерно 0,9 дБ. То есть влияние сопротивления во включенном состоянии (Ron) первой соединительной части 15 на эффективность антенны относительно велико. Следовательно, в этом варианте осуществления для полосы нижних частот (LB) первая соединительная часть 15 может быть спроектирована так, чтобы ее можно было напрямую заземлить, например, напрямую заземлить посредством использования резистора с нулевым сопротивлением, отличного от сопротивления во включенном состоянии (Ron) второго настроечного блока SW2.

[0087] На Фиг.13 и Фиг.14 проиллюстрировано влияние сопротивления во включенном состоянии (Ron), генерируемого второй соединительной частью 17, соединенной со вторым настроечным блоком SW2, на характеристики антенны. Кривая S101 указывает значения S11 антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 2 Ом. Кривая S102 указывает значения S11 антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 1 Ом. Кривая S103 указывает значения S11 антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 0 Ом. Кривая S111 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 2 Ом. Кривая S112 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 1 Ом. Кривая S113 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, когда сопротивление во включенном состоянии (Ron) составляет 0 Ом.

[0088] Ясно, что из Фиг.13 и Фиг.14 можно понять, что, когда второй настроечный блок SW2 использует три однополюсных переключателя на одно направление (single pole single throw (SPST)), сопротивление во включенном состоянии (Ron) второго настроечного блока SW2 составляет 2 Ом, а влияние составляет приблизительно 0,4 дБ. Когда второй настроечный блок SW2 использует четыре переключателя SPST, сопротивление во включенном состоянии (Ron) второго настроечного блока SW2 составляет 1 Ом, а влияние составляет приблизительно 0,2 дБ. То есть влияние второй соединительной части 17 на антенную конструкцию 100 относительно мало. Следовательно, могут быть выбраны переключатели с относительно небольшим сопротивлением во включенном состоянии (Ron), например, могут быть выбраны переключатели 4SPST, чтобы уменьшить влияние сопротивления во включенном состоянии (Ron) второй соединительной части 17 на эффективность антенны, когда первый настроечный блок SW1 используется для выполнения настройки порта в полосе нижних частот.

[0089] Можно понять, что Фиг.15 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда антенная конструкция 100 снабжена второй прорезью 121 или не снабжена второй прорезью 121 на боковой стороне. Кривая S121 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда выполнена вторая прорезь 121. Кривая S122 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда выполнена вторая прорезь 121. Кривая S123 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда выполнена вторая прорезь 121. Кривая S124 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда вторая прорезь 121 не выполнена. Кривая S125 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда вторая прорезь 121 не выполнена. Кривая S126 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда вторая прорезь 121 не выполнена.

[0090] Фиг.16 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE, когда антенная конструкция 100 снабжена второй прорезью 121 или не снабжена второй прорезью 121 на боковой стороне. Кривая S131 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE, когда выполнена вторая прорезь 121. Кривая S132 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE, когда выполнена вторая прорезь 121. Кривая S133 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE, когда выполнена вторая прорезь 121. Кривая S134 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE, когда вторая прорезь 121 не выполнена. Кривая S135 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE, когда вторая прорезь 121 не выполнена. Кривая S136 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B5 LTE, когда вторая прорезь 121 не выполнена.

[0091] Фиг.17 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE, когда антенная конструкция 100 снабжена второй прорезью 121 или не снабжена второй прорезью 121 на боковой стороне. Кривая S141 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE, когда выполнена вторая прорезь 121. Кривая S142 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE, когда выполнена вторая прорезь 121. Кривая S143 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE, когда выполнена вторая прорезь 121. Кривая S144 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE, когда вторая прорезь 121 не выполнена. Кривая S145 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE, когда вторая прорезь 121 не выполнена. Кривая S146 указывает эффективность системы антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B8 LTE, когда вторая прорезь 121 не выполнена.

[0092] Ясно, что из Фиг.15-17 можно понять, что когда антенная конструкция 100 снабжена второй прорезью 121, характеристики полосы нижних частот (LB) антенной конструкции 100 улучшаются на 1-1,5 дБ по сравнению с существующим решением, в котором прорезь не выполнена, и реализуется относительно хорошая производительность FS.

[0093] Можно понять, что со ссылкой на Фиг.3, в этом варианте осуществления электронное устройство 200 дополнительно включает в себя по меньшей мере один электронный элемент. В этом варианте осуществления электронное устройство 200 включает в себя по меньшей мере три электронных элемента: первый электронный элемент 21, второй электронный элемент 22 и третий электронный элемент 23. Все из первого электронного элемента 21, второго электронного элемента 22 и третьего электронного элемента 23 размещены в корпусе 11.

[0094] В этом варианте осуществления первый электронный элемент 21 является интерфейсным модулем универсальной последовательной шины (Universal Serial Bus (USB)). Первый электронный элемент 21 расположен между первой прорезью 120 и третьей прорезью 122. Второй электронный элемент 22 является звуковым резонатором. Второй электронный элемент 22 размещен между третьей прорезью 122 и третьей частью 117. Третий электронный элемент 23 является держателем карты модуля идентификации абонента (Subscriber Identity Module (SIM)). Третий электронный элемент 23 размещен между третьей первой питающей частью 12 и второй частью 116.

[0095] Можно понять, что в других вариантах осуществления часть обрамления 111 между первой прорезью 120 и третьей прорезью 122 в антенной конструкции 100 может альтернативно образовывать паразитный шлейф F3 на моде полосы нижних частот. Паразитный шлейф F3 расположен на расстоянии как от первой излучающей части F1, так и от второй излучающей части F2, то есть выполнен выступающим образом. Фиг.18 является графиком зависимости параметра S (параметра рассеивания) и эффективности излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда выполняется или не выполняется настройка в отношении паразитного шлейфа F3. Кривая S151 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда настройка в отношении паразитного шлейфа F3 не выполняется. Кривая S152 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда настройка в отношении паразитного шлейфа F3 не выполняется. Кривая S153 указывает значения S11 антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда настройка выполняется в отношении паразитного шлейфа F3. Кривая S154 указывает эффективность излучения антенной конструкции 100, функционирующей в полосе частот B28 LTE, когда настройка выполняется в отношении паразитного шлейфа F3.

[0096] Ясно, что когда часть обрамления 111 между первой прорезью 120 и третьей прорезью 122 в антенной конструкции 100 образует паразитный шлейф F3 на моде полосы нижних частот, то антенная конструкция 100 может генерировать дополнительный резонанс 3. Из Фиг.18 видно, что при выполнении настройки в отношении паразитного шлейфа F3 резонанс 3 может быть сдвинут в эффективную полосу частот первой излучающей части F1, и эффективность излучения в полосе B28 LTE значительно улучшается.

[0097] Можно понять, что в одном варианте осуществления настройка может выполняться в отношении паразитного шлейфа F3 на моде полосы нижних частот с использованием первого настроечного блока SW1, то есть мультиплексирования первого настроечного блока SW1. Конечно, в других вариантах осуществления также может быть дополнительно выполнен соответствующий переключающий блок для осуществления настройки в отношении паразитного шлейфа F3 на моде полосы нижних частот.

[0098] Можно понять, что в этом варианте осуществления вторая излучающая часть F2 размещена на той же стороне, что и второй электронный элемент 22. Конечно, в других вариантах осуществления положение второй излучающей части F2 можно регулировать по мере необходимости. Например, вторая излучающая часть F2 может быть размещена на той же стороне, что и третий электронный элемент 23, тогда как первая излучающая часть F1 размещена на боковой стороне второго электронного элемента 22. То есть положения первой излучающей части F1 и второй излучающей части F2 можно регулировать (например, менять местами) по мере необходимости.

[0099] Можно понять, что в этом варианте осуществления антенная конструкция 100 выполняет раздельное питание посредством использования питающего режима с разделением полосы нижних частот и полосы средних/верхних частот, то есть посредством использования первой питающей части 12 и второй питающей части 13, и снабжена первым настроечным блоком SW1, вторым настроечным блоком SW2 и третьим настроечным блоком SW3. Состояние «включено-выключено» первого настроечного блока SW1, состояние «включено-выключено» второго настроечного блока SW2 и состояние «включено-выключено» третьего настроечного блока SW3 управляется/регулируется таким образом, чтобы эффективно реализовывался полный охват LB/MB/HB, а также реализовывались характеристика с низким SAR полосы средних/верхних частот (MHB) и относительно хорошая производительность излучения в полосе нижних частот (LB).

[00100] Можно понять, что, как описано выше, в этом варианте осуществления рамочная основа антенной конструкции 100 образована непосредственно обрамлением 111 электронного устройства 200, то есть каркас (обрамление) электронного устройства 200 выполнен из металлического материала, а антенная конструкция 100 является металлической рамочной антенной. Конечно, в других вариантах осуществления антенная конструкция 100 не ограничена металлической рамочной антенной и альтернативно может быть модовой декоративной антенной (Mode decoration antenna, MDA) или другой антенной. Например, когда антенная конструкция 100 является антенной MDA, металлический элемент в каркасе электронного устройства 200 используется в качестве рамочной основы для реализации функции излучения. Каркас электронного устройства 200 выполнен из изоляционного материала, такого как пластик, а металлический элемент объединен с каркасом посредством литья со вставкой.

[00101] В заключение, по мере того, как полностью изогнутые экраны приближаются к предельным значениям, антенная конструкция 100 в настоящем изобретении может реализовывать как низкий SAR полосы средних/верхних частот (MHB), так и производительность излучения полосы нижних частот (LB). То есть положение прорези и ширина прорези антенны спроектированы и положение рамочной основы и сила тока связи прорезей регулируются таким образом, чтобы влиять на степень концентрированного и рассеянного распространения тока на рамочной основе антенны. Антенная конструкция 100 увеличивает область распространения тока моды CRLH полосы средних/верхних частот (MHB) (например, регулирует электрическую длину второй излучающей части F2), а также взаимодействует с паразитной рамочной основой полосы средних/верхних частот (MHB) для шунтирования тока, с тем чтобы уменьшить SAR. Кроме того, для прорези (то есть второй прорези 121), выполненной на боковой рамочной основе, используется нижний питатель в полосе нижних частот (LB), и мода CRLH в основном используется в качестве резонансной моды. В отличие от моды IFA, мода CRLH имеет характеристики миниатюризации и в основном основана на поперечных компонентах, поэтому на нее меньше влияют боковые изогнутые экраны. Кроме того, боковые прорези могут помочь улучшить боковую продольную компоненту; кроме того, совместная настройка переключателей может повысить эффективность FS полосы нижних частот (LB), а также отрегулировать паразитный резонанс полосы средних/верхних частот (MHB), чтобы обеспечить характеристики производительности полосы средних/верхних частот (MHB) и низкий SAR, и чтобы мощность не нужно было сильно уменьшать для управления коэффициентом SAR.

[00102] Вышеприведенные варианты реализации предназначены только для описания технических решений настоящего изобретения, но не предназначены для создания каких-либо ограничений. Хотя настоящее изобретение подробно описано со ссылкой на приведенные выше примеры вариантов реализации, специалисту в данной области техники должно быть понятно, что в технические решения настоящего изобретения могут быть внесены модификации или эквивалентные замены, не отступая от сущности и объема технических решений настоящего изобретения. Специалист в данной области техники также может вносить различные изменения в конструкцию настоящего изобретения, не отступая от сущности настоящего изобретения, при условии, что такие изменения не отклоняются от технических результатов настоящего изобретения. Эти изменения, сделанные в соответствии с сущностью настоящего изобретения, должны подпадать под объем защиты настоящего изобретения.

Claims (8)

1. Электронное устройство, причем электронное устройство содержит обрамление и антенную конструкцию, при этом обрамление содержит нижнее обрамление, первое боковое обрамление и второе боковое обрамление, причем первое боковое обрамление и второе боковое обрамление обращены друг к другу, один конец нижнего обрамления соединен с первым боковым обрамлением, а другой его конец соединен со вторым боковым обрамлением, при этом антенная конструкция содержит рамочную основу, первую питающую часть, вторую питающую часть, первую соединительную часть и точку заземления, причем рамочная основа по меньшей мере частично выполнена из металлического материала, рамочная основа содержит первую часть, вторую часть и третью часть, при этом первой частью является нижнее обрамление, второй частью является первое боковое обрамление и третьей частью является второе боковое обрамление, в первой части выполнены первая прорезь и третья прорезь, причем первая прорезь и третья прорезь расположены с интервалом и третья прорезь ближе к третьей части, чем первая прорезь, во второй части выполнена вторая прорезь, часть рамочной основы между первой прорезью и второй прорезью образует первую излучающую часть, первая питающая часть подает первый сигнал в первую излучающую часть, первая соединительная часть размещена на первой излучающей части, первая соединительная часть заземлена посредством резистора с нулевым сопротивлением или катушки индуктивности, точка заземления размещена на третьей части или точка заземления размещена на первой части и ближе к третьей части, чем третья прорезь, часть рамочной основы между точкой заземления и третьей прорезью образует вторую излучающую часть, вторая питающая часть подает второй сигнал во вторую излучающую часть.

2. Электронное устройство по п.1, в котором антенная конструкция дополнительно содержит первый настроечный блок, причем один конец первого настроечного блока электрически соединен с первой излучающей частью, другой конец первого настроечного блока заземлен.

3. Электронное устройство по п.2, в котором первый настроечный блок содержит первую настроечную ветвь, вторую настроечную ветвь и по меньшей мере один первый переключающий блок, первая настроечная ветвь содержит конденсатор или катушку индуктивности и вторая настроечная ветвь содержит конденсатор или катушку индуктивности.

4. Электронное устройство по п.1 или 2, в котором часть рамочной основы между первой прорезью и третьей прорезью образует паразитный шлейф первой излучающей части.

5. Электронное устройство по п.1, в котором часть рамочной основы между первой прорезью и первой соединительной частью образует паразитный шлейф второй излучающей части.

6. Электронное устройство по п.1 или 5, в котором антенная конструкция дополнительно содержит вторую соединительную часть и второй настроечный блок, причем вторая соединительная часть размещена на второй излучающей части, вторая соединительная часть находится ближе к третьей части, чем вторая питающая часть, один конец второго настроечного блока электрически соединен со второй соединительной частью, другой его конец заземлен.

7. Электронное устройство по п.6, в котором второй настроечный блок содержит третью настроечную ветвь, четвертую настроечную ветвь и по меньшей мере один второй переключающий блок, третья настроечная ветвь содержит конденсатор или катушку индуктивности и четвертая настроечная ветвь содержит конденсатор или катушку индуктивности.

8. Электронное устройство по п.1 или 5, в котором рамочная основа размещена в каркасе электронного устройства и объединена с каркасом посредством литья со вставкой.

Images