TWI825731B - 探針裝置及晶圓檢測方法 - Google Patents
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本申請揭露一種探針裝置及晶圓檢測方法。該探針裝置包括:一卡盤,經配置以支撐一晶圓;一軌道,圍繞該卡盤;一測試器,設置於該軌道上,並具有一探針;以及一處理單元,與該測試器通訊並配置以圍繞該晶圓周向移動該測試器,使該探針從該晶圓上的一第一部分移動到該晶圓上的一第二部分。
Description
本申請案主張美國第17/690,646及17/690,133號專利申請案之優先權(即優先權日為「2022年3月9日」),其內容以全文引用之方式併入本文中。
本揭露關於一種探針裝置。特別是有關於一種包括軌道的探針裝置。
晶圓探測儀用在晶圓等級上測試被測元件(DUT)(例如,積體電路(IC)元件)的電氣特性,以檢查DUT是否滿足產品規格。為了檢查晶圓整個表面上的多個檢測點或部分,當前的晶圓探測儀致能探針相對於晶圓沿x-軸、y-軸及z-軸移動,並致能晶圓相對於探針沿x-軸及y-軸移動。
檢測過程可包括移動探針及晶圓以檢查多個檢測點的一系列操作。因此,整個過程可能很耗時。期望提供一種探針裝置及晶圓檢測方法,以致能晶圓整個表面上的多個檢測點比當前的晶圓探測儀從更多的方向來進行檢測。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術,並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的,不構成本揭露之先前技術,且
上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露的一個方面提供一種探針裝置。該探針裝置包括經配置以支撐一晶圓的一卡盤,圍繞該卡盤的一軌道,設置於該軌道上並具有一探針的一測試器。該測試器經配置以沿一圓周方向圍繞該晶圓移動。該探針裝置還包括與該測試器通訊的一處理單元,經配置以控制該測試器的一移動。
本揭露的另一個方面提供一種探針裝置。該探針裝置包括經配置以支撐一晶圓的一卡盤,圍繞該卡盤的一軌道,以及設置於該軌道上並具有一探針的一測試器。該探針裝置還包括與該測試器通訊的一處理單元,該處理單元經配置以圍繞該晶圓周向移動該測試器,使該探針從該晶圓上的一第一部分移動到該晶圓上的一第二部分。
本揭露的另一方面提供一種晶圓檢測方法。該晶圓檢測方法包括:相對於一晶圓上的一部分,沿至少一個方向移動一測試器的一探針,以及圍繞該晶圓周向移動該測試器,使該探針從該晶圓上的該部分移動到該晶圓上的下一部分。
藉由提供圍繞卡盤的軌道,測試器可以沿著圓周方向透過軌道在晶圓上移動。與當前的晶圓探測儀相比,探針可以從更多的方向相對於晶圓移動,而且探針的靈活性也得到提高。因此,晶圓的整個表面可以更快地被檢測。
此外,由於測試器及/或探針的移動可以由演算法或電腦可執行指令控制,因此可以避免或儘量減少人為錯誤。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點,俾使下
文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解,可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或過程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解,這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
1:探針裝置
11:測試器
12:卡盤
13:軌道
14:處理單元
15:感應單元
16:記憶體單元
17:通訊單元
20:晶圓
20a:部分
20b:部分
20c:部分
20d:部分
20e:部分
20e:中央部分
40:晶圓檢測方法
111:探針卡
112:探針
113:相機
114:插槽
115:球體
121:調節器
140:處理器
141:網路介面(I/F)
142:輸入/輸出(I/O)裝置
143:儲存裝置
144:記憶體
145:使用者空間
146:內核
147:匯流排
201:墊子
c:圓周方向
c':偏移方向
c1:圓周方向
c1':偏移方向
c2:圓周方向
c3:圓周方向
r:徑向方向
S41:步驟(操作)
S42:步驟(操作)
S43:步驟(操作)
S44:步驟(操作)
S45:步驟(操作)
S46:步驟(操作)
S47:步驟(操作)
x:方向
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y:方向
y1:方向
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y4:方向
y5:方向
z:方向
z1:方向
z2:方向
z3:方向
z4:方向
z5:方向
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時,可得以更全面了解本申請案之揭示內容,圖式中相同的元件符號係指相同的元件。
圖1是方塊圖,例示本揭露一些實施例之探針裝置。
圖2是示意圖,例示本揭露一些實施例之探針裝置。
圖3是示意圖,例示本揭露一些實施例之探針裝置的一部分。
圖4是流程圖,例示本揭露一些實施例之晶圓檢測方法。
圖5是示意圖,例示本揭露一些實施例之晶圓。
圖6是方塊圖,例示本揭露一些實施例之探針裝置的處理單元。
現在用具體的語言來描述附圖中說明的本揭露的實施例,或實例。應理解的是,在此不打算限制本揭露的範圍。對所描述的實施例的任何改變或修改,以及對本文所描述的原理的任何進一步應用,都應被認為是與本揭露內容有關的技術領域的普通技術人員通常會做的。參考數字可以在整個實施例中重複,但這並不一定意味著一實施例的特徵適用於另一實施例,即使它們共用相同的參考數字。
應理解的是,儘管用語第一、第二、第三等可用於描述各
種元素、元件、區域、層或部分,但這些元素、元件、區域、層或部分不受這些用語的限制。相反,這些用語只是用來區分一元素、元件、區域、層或部分與另一區域、層或部分。因此,下面討論的第一元素、元件、區域、層或部分可以被稱為第二個元素、元件、區域、層或部分而不偏離本發明概念的教導。
本文使用的用語僅用於描述特定的實施例,並不打算局限於本發明的概念。正如本文所使用的,單數形式的”一"、"一個”及”該”也包括複數形式,除非上下文明確指出。應進一步理解,用語”包含”及”包括",當在本說明書中使用時,指出了所述特徵、整數、步驟、操作、元素或元件的存在,但不排除存在或增加一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元素、元件或其組。
圖1是方塊圖,例示本揭露一些實施例之探針裝置1。圖2是示意圖,例示本揭露一些實施例之探針裝置1。
探針裝置1可用於在晶圓等級上測試被測元件(device under test,DUT)(例如,積體電路(IC)元件)的電氣特性,以檢查DUT是否滿足產品規格。
參照圖1及圖2,探針裝置1可以包括測試器11、卡盤12、軌道13、處理單元14、感應單元15、記憶體單元16及通訊單元17。晶圓20可以設置於卡盤12上。
測試器11可以設置於軌道13上。在一些實施例中,測試器11可以包括一滾軸、一轉輪或致能測試器11在軌道13上移動的另一物體。在一些實施例中,測試器11可以包括一個或多個插槽114及一個或多個球體115,可旋轉地保持在一個或多個插槽114中。在一些實施例中,
測試器11可以包括一球狀接頭或一萬向接頭。例如,球體115的滾動方向可以是萬向的。
球體115可以與軌道13嚙合。球體115可以安裝在軌道13上。軌道13可包括一導向路徑或一滾動路徑,用於滾動球體115,並致能測試器11的移動。例如,測試器11可以經配置以沿一圓周方向”c”在軌道13上圍繞晶圓20移動。在一些實施例中,測試器11可經配置以圍繞晶圓20環形移動。例如,測試器11可以經配置以沿晶圓20的整個圓周移動。在一些實施例中,測試器11可以經配置以一順時針方向圍繞晶圓20移動,如圖2所示。然而,在其他一些實施例中,測試器11可以經配置以一逆時針方向圍繞晶圓20移動。
測試器11可經配置以透過探針112向晶圓20提供電訊號。在一些實施例中,探針112可經配置以相對於晶圓20沿方向”x"、方向"y”及方向”z”(或x-軸、y-軸及z-軸)中的至少一個方向移動。
卡盤12可以經配置以支撐晶圓20。在一些實施例中,卡盤12可經配置以沿方向x及方向y(或x-軸及y-軸)中的至少一個方向移動,以相對於探針112沿方向x及方向y中的至少一個方向移動晶圓20。
在一些實施例中,測試器11的移動(如沿圓周方向c的移動)、探針112的移動(如沿方向x的移動、沿方向y的移動及沿方向z的移動)及卡盤12的移動(如沿方向x的移動及沿方向y的移動)可以相互獨立。
例如,測試器11的移動、探針112的移動,及卡盤12的移動可以單獨或獨立進行。例如,測試器11的移動、探針112的移動及卡盤12的移動可以根據需要同時或分別進行。例如,測試器11的移動、探針112的移動及卡盤12的移動可以根據需要連續或依次進行。例如,測試器
11的移動、探針112的移動及卡盤12的移動可以由處理單元14分別控制。
軌道13可以圍繞卡盤12及卡盤12上的晶圓20。在一些實施例中,軌道13可以為球體115定義一滾動路徑。在一些實施例中,軌道13可以為測試器11的移動定義圓周方向c。
處理單元14可以與測試器11、探針112、及/或卡盤12通訊。處理單元14可以控制測試器11的移動、探針112的移動、及/或卡盤12的移動。
在一些實施例中,處理單元14可以獨立地、單獨地或分別地控制測試器11的移動、探針112的移動及/或卡盤12的移動。例如,處理單元14可以根據需要同時或連續地控制測試器11的移動、探針112的移動、及/或卡盤12的移動。
處理單元14可以經配置以進行本揭露內容的晶圓檢查過程。例如,處理單元14可經配置以移動測試器11、探針112、及/或卡盤12,以檢查晶圓20整個表面上的多個檢測點或部分。
處理單元14可經配置以執行儲存在例如記憶體單元16或另外媒介的記憶體中的演算法或電腦可執行指令。例如,處理單元14可經配置以使一系列操作步驟在探針裝置1或其他可程式設計裝置上執行,以產生一電腦執行的步驟,使得指令提供用於執行流程圖(按照圖4描述)中規定操作的步驟。
在一些實施例中,處理單元14可以包括(或可以是)一處理器(例如,中央處理單元(CPU)、圖形處理單元(GPU)、微處理單元(MCU)、特定應用積體電路(ASIC)或類似單元)或一控制器。
感應單元15可以與處理單元14通訊。在一些實施例中,感
應單元15也可與測試器11、探針112、及/或卡盤12通訊。在一些實施例中,感應單元15可經配置以偵測測試器11是否偏離圓周方向c。例如,感應單元15可經配置以偵測測試器11的位移、傾斜、旋轉或其他移動。例如,感應單元15可經配置以偵測測試器11相對於軌道13、卡盤12、及/或晶圓20的移動。
在一些實施例中,感應單元15可經配置以測量測試器11相對於圓周方向c的偏移方向”c''',例如,圓周方向c是測試器11的預定或要求的移動方向。例如,偏移方向c'是測試器11的移動方向與圓周方向c的偏移。
例如,感應單元15可以經配置以測量測試器11相對於圓周方向c的偏移角度,例如,感應單元15可以經配置以測量測試器11相對於圓周方向c的偏移距離。
在一些實施例中,感應單元15可以經配置以透過通訊單元17將偵測結果(包括偏移方向c’)傳輸給處理單元14。在一些實施例中,處理單元14可以經配置以接收偵測結果(包括偏移方向c’),然後根據檢測結果(包括偏移方向c')調整測試器11的移動。例如,處理單元14可以經配置以調整測試器11的移動方向、角度、距離。
在一些實施例中,感應單元15可以包括一測距儀、一LiDAR或另外的感應器,這些感測器經配置以偵測關於測試器11的環境資訊並輸出該資訊。
記憶體單元16可經配置以儲存處理單元14的演算法或電腦可執行指令。記憶體單元16也可以經配置以儲存資料,例如測試器11、探針112、及/或卡盤12的軌跡。記憶體單元16也可以經配置以儲存感應單元
15的偵測結果。
在一些實施例中,記憶體單元16可以包括隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、硬碟以及抽取式記憶體裝置,其中可以包括MS卡、記憶卡、隨身碟、外部硬碟等。
通訊單元17可以經配置以透過有線或無線技術(例如Wi-Fi、行動網路、藍牙或類似技術)向/從探針裝置1發送/接收資料。在一些實施例中,通訊單元17可以包括一無線通訊收發器。例如,通訊單元17可以包括一發射器,一接收器,一天線,等等。
雖然探針裝置1中有七個單元,但本揭露內容並不限於此。例如,在一些實施例中,探針裝置1中可以有任何數量的單元。此外,在一些實施例中,探針裝置1還可以與圖1及圖2中未描述的其他硬體及/或軟體元件相互作用。例如,探針裝置1可以與一個或多個外部使用者介面裝置互動,如鍵盤、滑鼠、顯示螢幕、觸控式螢幕等。
本揭露內容可體現為系統、方法、電腦程式或其任何組合。因此,本揭露可以採取完全的硬體實施例、完全的軟體實施例(包括韌件、常駐軟體、微指令等)或結合軟體及硬體方面的實施例的形式,這些實施例在此通常可以稱為”單元"、"模組”或”系統"。此外,本揭露可採用包含在任何有形表達媒介中的電腦程式的形式,該媒介中包含有電腦可用程式碼。
本揭露內容可在演算法或電腦可執行指令(如程式)被電腦執行的一般背景下描述。通常,程式包括執行特定任務或實現特定抽象資料類型的常式、程式、物件、元件、資料結構等。本揭露的內容也可以在分散式運算環境中實施,其中任務由透過通訊網路連接的遠端處理裝置執
行。在分散式運算環境中,程式可以位於本地及遠端電腦儲存媒介中,包括記憶體儲存裝置。
圖3是示意圖,例示本揭露一些實施例之探針裝置的一部分。在一些實施例中,圖3中的測試器11可以是圖2中的探針裝置1的一部分。
在一些實施例中,測試器11可以包括探針卡111,一個或多個探針(或探測針)112,及相機113。
晶圓20的DUT可以設置於測試器11的下面。晶圓20可以設置於卡盤12上。卡盤12可以包括調節器121,用於移動卡盤12,並致能卡盤12的移動(如圖2所示的沿方向x的移動及沿方向y的移動)。
測試器11可以提供電訊號來測試晶圓20的DUT。電訊號可以透過用一個或多個探針112接觸晶圓20的DUT上的一個或多個墊子(或測試墊)201來傳遞給DUT。相機113可以在探針112接觸到墊子201後捕捉到DUT的圖像。
探針112的數量可以根據要求進行調整,不限於本揭露內容。
相機113可以經配置以捕獲晶圓20的DUT的圖像。在一些實施例中,相機113可經配置以在本揭露的晶圓檢查過程中捕獲晶圓20的DUT的圖像。在一些實施例中,相機113可經配置以在原地捕獲晶圓20的DUT的圖像。
在一些實施例中,相機113可以包括一個或多個鏡頭(如物鏡、變焦鏡頭、中繼鏡頭、影像鏡頭、聚光鏡頭等)、一個或多個光源(如低功率光源、外部光源、近紅外光源等)、電荷耦合元件(CCD)、互補金
屬氧化物半導體(CMOS)影像感應器、或一個或多個訊號轉換器(如類比/數位(A/D)轉換器)。在一些實施例中,可以省略相機113。
晶圓20的DUT可以是已經完成前端製造的晶片。晶圓20可以包括複數個DUT。
在本揭露的一些實施例中,除了晶圓20之外,另一種DUT可以設置於測試器11下面,以經歷測試電氣特性的過程。這種DUT的例示是一半導體封裝、一導體基底、一電路、一記憶體胞(如動態隨機存取記憶體胞(DRAM胞))等。本揭露的系統及方法可以應用於任何DUT,以測試電氣特性。
圖4是流程圖,例示本揭露一些實施例之晶圓檢測方法40。
晶圓檢測方法40可以由處理單元14進行。
步驟或操作S41是相對於晶圓上的一部分,沿至少一個方向移動探針。
例如,如圖5所示,晶圓20上的點或部分20a、20b、20c、20d及20e代表要由探針112檢測或偵測的預定部分。在部分20a上,探針112可以相對於晶圓20的部分20a沿方向”x1"、方向"y1”及方向”z1”(或x-軸、y-軸及z-軸)中的至少一個方向移動。在一些實施例中,探針112的移動可由處理單元(如圖2中的處理單元14)控制。
步驟或操作S42是圍繞晶圓周向移動測試器,使探針從晶圓上的一部分移動到晶圓上的下一部分。
例如,如圖5所示,測試器(如圖2中的測試器11)圍繞晶圓20周向移動(沿圖2中的軌道13)。因此,測試器的探針112沿圓周方向c1從
部分20a移動到部分20b。在一些實施例中,測試器的移動可以由處理單元(如圖2中的處理單元14)控制。
步驟或操作S43是偵測測試器是否偏離圓周方向。
例如,感應單元(如圖2中的感應單元15)可經配置以偵測測試器11的位移、傾斜、旋轉或其他移動。例如,感應單元可經配置以偵測測試器11相對於圖2所示的軌道13、卡盤12、及/或晶圓20的移動。
如果偵測到測試器偏離圓周方向(例如圓周方向c1),則晶圓檢測方法40進入步驟或操作S44,測量相對於圓周方向的一偏移方向。
例如,如圖5所示,感應單元(如圖2中的感應單元15)可經配置以測量測試器11相對於圓周方向c1的偏移方向c1'。
然後,晶圓檢測方法40進入步驟或操作S45,根據該偏移方向調整測試器的移動。
例如,感應單元可以經配置以透過通訊單元(例如圖2中的通訊單元17)將偵測結果(包括偏移方向c1')傳輸給處理單元14。處理單元14可以經配置以接收偵測結果(包括偏移方向c1'),然後根據偵測結果(包括偏移方向c1')調整測試器11的移動。例如,處理單元14可以經配置以調整測試器11的移動方向、角度、距離。
如果偵測到測試器偏離圓周方向(例如圓周方向c1),則晶圓檢測方法40進入步驟或操作S46,重複S41及S42,直到晶圓上的所有預定部分都經檢測。
例如,如圖5所示,在部分20b上,探針112可以沿方向”x2"、方向"y2”及方向”z2”(或x-軸、y-軸及z-軸)中的至少一個方向相對於晶圓20的部分20b移動。然後,測試器(如圖2中的測試器11)圍繞晶圓
20周向移動(沿圖2中的軌道13)。因此,測試器的探針112沿圓周方向c2從部分20b移動到部分20c。
在部分20c上,探針112可以沿方向”x3"、方向"y3”及方向”z3”(或x-軸、y-軸及z-軸)中的至少一個方向相對於晶圓20的部分20c移動。然後,測試器(如圖2中的測試器11)圍繞晶圓20周向移動(沿圖2中的軌道13)。因此,測試器的探針112沿圓周方向c3從部分20c移動到部分20d。
在部分20d,探針112可以相對於晶圓20的部分20d沿方向”x4"、方向"y4”及方向”z4”(或x-軸、y-軸及z-軸)中的至少一個方向移動。
在一些實施例中,探針112可經配置以順時針方向圍繞晶圓20移動。部分20a、20b、20c及20d被依次檢測或測試。在其他一些實施例中,探針112可經配置以逆時針方向圍繞晶圓20移動。部分20d、20c、20b及20a依次被檢測或測試。
在一些實施例中,部分20a、20b、20c及20d可以間隔的方式進行檢測或測試。例如,各部分的順序可以與上述順序不同,並可以根據需要做調整。
晶圓20上可以有任何數量的預定部分。在對晶圓20上的所有預定部分進行檢測後,晶圓檢測方法40進入步驟或操作S47,沿徑向方向移動測試器,使探針移到晶圓上的中心部分。
例如,如圖5所示,測試器(如圖2中的測試器11)沿晶圓20的徑向方向r移動。因此,測試器的探針112從部分20d沿徑向方向r移動到中央部分20e。
在中央部分20e上,探針112可以相對於晶圓20的中央部分20e沿方向”x5"、方向"y5”及方向”z5”(或x-軸、y-軸及z-軸)中的至少一個方向移動。
在一些實施例中,中心部分20e可以在20a、20b、20c及20d中的任何兩部分之間進行檢查或測試。
根據本揭露的一些實施例,提供圍繞卡盤12的軌道13,測試器11可以透過軌道13沿著圓周方向(例如圓周方向c、c1、c2及c3)圍繞晶圓20移動。與當前的晶圓探測儀相比,探針112可以從更多的方向相對於晶圓20移動,而且探針112的靈活性得到提高。因此,可以更快地檢測晶圓20的整個表面。
此外,由於測試器11及/或探針112的移動可以由演算法或電腦可執行指令控制,因此可以避免或儘量減少人為錯誤。
規範中對方法的任何提及應比照適用於能夠執行該方法的系統。規範中對一個系統的任何提及應比照適用於可由該系統執行的方法。
圖6是方塊圖,例示本揭露一些實施例之探針裝置1的處理單元14。
處理單元14可以包括處理器140、網路介面(I/F)141、輸入/輸出(I/O)裝置142、儲存裝置143、以及透過匯流排147或其他互連通訊機制通訊耦合的記憶體144。
在一些實施例中,探針裝置1的一個或多個操作或功能是由處理器140實現,該處理器經程式設計以用於執行此類操作及功能。I/F 141、I/O裝置142、儲存裝置143及記憶體144中的一個或多個可操作以接
收指令、資料、設計規則、網表、佈局、模型及其他參數,以便由處理器140處理。
I/F 141可以與匯流排147耦合,以將處理器140連接到網際網路。
I/O裝置142可包括輸入裝置、輸出裝置或組合式輸入/輸出裝置,用於致能使用者與探針裝置1進行互動。輸入裝置包括,例如,鍵盤、鍵板、滑鼠、軌跡球、軌跡板或游標方向鍵,用於向處理器140傳達資訊及命令。輸出元件包括,例如,顯示器、印表機、語音合成器等,用於向使用者傳遞資訊。
儲存裝置143,如磁片或光碟,可與匯流排147耦合,用於儲存資料或指令。
記憶體144可以包括RAM、ROM、硬碟以及抽取式記憶體裝置,其中可以包括MS卡、記憶卡、隨身碟、外部硬碟等。記憶體144可以包括使用者空間145及內核146。記憶體144可以與匯流排147耦合,以儲存資料或指令,以便由處理器140執行。在一些實施例中,記憶體144也可用於在處理器140執行的指令執行期間儲存臨時變數或其他中間資訊。
本揭露的一個方面提供一種探針裝置。該探針裝置包括經配置以支撐一晶圓的一卡盤,圍繞該卡盤的一軌道,設置於該軌道上並具有一探針的一測試器。該測試器經配置以沿一圓周方向圍繞該晶圓移動。該探針裝置還包括與該測試器通訊的一處理單元,經配置以控制該測試器的一移動。
本揭露的另一個方面提供一種探針裝置。該探針裝置包括
經配置以支撐一晶圓的一卡盤,圍繞該卡盤的一軌道,以及設置於該軌道上並具有一探針的一測試器。該探針裝置還包括與該測試器通訊的一處理單元,該處理單元經配置以圍繞該晶圓周向移動該測試器,使該探針從該晶圓上的一第一部分移動到該晶圓上的一第二部分。
本揭露的另一方面提供一種晶圓檢測方法。該晶圓檢測方法包括:相對於一晶圓上的一部分,沿至少一個方向移動一測試器的一探針,以及圍繞該晶圓周向移動該測試器,使該探針從該晶圓上的該部分移動到該晶圓上的下一部分。
藉由提供圍繞卡盤的軌道,測試器可以沿著圓周方向透過軌道在晶圓上移動。與當前的晶圓探測儀相比,探針可以從更多的方向相對於晶圓移動,而且探針的靈活性也得到提高。因此,晶圓的整個表面可以更快地被檢測。
此外,由於測試器及/或探針的移動可以由演算法或電腦可執行指令控制,因此可以避免或儘量減少人為錯誤。
雖然已詳述本揭露及其優點,然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如,可用不同的方法實施上述的許多過程,並且以其他過程或其組合替代上述的許多過程。
再者,本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之過程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果之現存或是未來發展之過程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此,此等過程、
機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。
1:探針裝置
11:測試器
12:卡盤
13:軌道
14:處理單元
15:感應單元
16:記憶體單元
17:通訊單元
20:晶圓
112:探針
114:插槽
115:球體
c:圓周方向
c':偏移方向
x:方向
y:方向
z:方向
Claims (18)
- 一種探針裝置,包括:一卡盤,經配置以支撐一晶圓;一軌道,圍繞該卡盤;一測試器,設置於該軌道上,並具有一探針,用以測試該晶圓上的被測元件的電氣特性;以及一處理單元,與該測試器通訊並配置以圍繞該晶圓周向移動該測試器,使該探針從該晶圓上的一第一部分移動到該晶圓上的一第二部分,該探針經配置以向該晶圓的該第一部分或該第二部分提供電訊號。
- 如請求項1所述的探針裝置,其中該處理單元更經配置以沿相對於該晶圓的至少一個方向移動該探針。
- 如請求項1所述的探針裝置,其中該探針經配置以獨立於該測試器而移動。
- 如請求項3所述的探針裝置,其中該處理單元經配置以同時移動該探針及該測試器。
- 如請求項3所述的探針裝置,其中該處理單元經配置以連續移動該探針及該測試器。
- 如請求項1的探針裝置,其中該卡盤經配置以沿至少一個方向移動,使該晶圓相對於該探針移動。
- 如請求項6所述的探針裝置,其中該處理單元經配置以控制該卡盤的一移動。
- 如請求項1所述的探針裝置,其中該測試器包括一插槽及由該插槽可旋轉地保持的一球體。
- 如請求項1所述的探針裝置,更包括:一感應單元,經配置以偵測該測試器是否偏離圓周方向。
- 如請求項9所述的探針裝置,其中該感應單元更經配置以測量該測試器相對於該圓周方向的一偏移方向。
- 如請求項10所述的探針裝置,其中該處理單元更經配置以根據該偏移方向調整該測試器的該移動。
- 一種晶圓檢測方法,包括:相對於一晶圓上的一部分,沿至少一個方向移動一測試器的一探針,該探針經配置以向該晶圓的該部分提供電訊號以測試該晶圓的被測元件的電氣特性;以及 圍繞該晶圓周向移動該測試器,使該探針從該晶圓上的該部分移動到該晶圓上的下一部分,其中該探針經配置以向該晶圓的該下一部分提供電訊號。
- 如請求項12所述的晶圓檢測方法,其中該探針經配置以獨立於該測試器移動,並且該晶圓檢測方法更包括:同時移動該探針及該測試器。
- 如請求項12所述的晶圓檢測方法,更包括:偵測該測試器是否偏離一圓周方向。
- 如請求項14所述的晶圓檢測方法,更包括:測量相對於該圓周方向的一偏移方向。
- 如請求項15所述的晶圓檢測方法,更包括:根據該偏移方向調整該測試器的一移動。
- 如請求項16所述的晶圓檢測方法,更包括:相對於該晶圓上的一部分,沿至少一個方向重複移動該探針,並圍繞該晶圓周向移動該測試器,使該探針從該晶圓上的該部分移動到下一部分,直到該晶圓上的所有預定部分都經檢測。
- 如請求項17所述的晶圓檢測方法,更包括: 沿著一徑向方向移動該測試器,使該探針移動到一中心部分。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/690,133 | 2022-03-09 | ||
US17/690,646 | 2022-03-09 | ||
US17/690,133 US11668745B1 (en) | 2022-03-09 | 2022-03-09 | Probe apparatus having a track and wafer inspection method using the same |
US17/690,646 US11747394B1 (en) | 2022-03-09 | 2022-03-09 | Probe apparatus with a track |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202336440A TW202336440A (zh) | 2023-09-16 |
TWI825731B true TWI825731B (zh) | 2023-12-11 |
Family
ID=88927319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111118977A TWI825731B (zh) | 2022-03-09 | 2022-05-20 | 探針裝置及晶圓檢測方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI825731B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN101464474A (zh) * | 2007-12-20 | 2009-06-24 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种可旋转探针卡的半导体测量探针台 |
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- 2022-05-20 TW TW111118977A patent/TWI825731B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202336440A (zh) | 2023-09-16 |
TW202336442A (zh) | 2023-09-16 |
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