TWI824413B - 電漿製造系統與用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法 - Google Patents

電漿製造系統與用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法 Download PDF

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Abstract

一種電漿製造系統與用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,電漿製造系統包含一電漿氣體供應管路以及一電漿製造裝置。而降低臭氧濃度之方法主要將一氬氣與一水蒸氣混合成一潮濕氣體,並將潮濕氣體導入一電漿產生腔室,藉以在電漿產生時,可以利用電漿將水蒸氣分解而產生氫氧自由基,進而利用氫氧自由基消除臭氧,藉以降低生成臭氧之濃度。

Description

電漿製造系統與用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法
本發明係關於一種電漿製造系統與一種用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,尤其是指一種利用水蒸氣來降低臭氧濃度之電漿製造系統與方法。
在日常生活中,電漿常見應用於日光燈中,而在工業領域則常見應用於半導體製程中,例如濺鍍製程、電漿化學氣相沉積製程、蝕刻製程或離子佈植製程等等。
一般來說,現有的電漿產生方式通常是利用游離電子撞擊氣體的中性粒子,使電子與原子核分離而形成游離電子,而這些游離電子又會更進一步碰撞其他粒子所帶有之電子,此時會讓部分的粒子帶有更多電子而形成帶負電荷的陰離子,而其他缺少電子的粒子則形成帶正電荷的陽離子。
請參閱第一圖,第一圖為先前技術之電漿製造系統之平面示意圖。如第一圖所示,現有的電漿製造系統PA100包含一乾燥空氣供應源PA1以及一電漿製造裝置PA2。
乾燥空氣供應源PA1是用以供應一電漿氣體,而電漿製造裝置PA2包含一管體PA21、一電力供應源PA22以及一電極對PA23與PA24。其中,管體PA21是連通於乾燥空氣供應源PA1,以使乾燥空氣供應源PA1所供應之電漿氣體可以通入管體PA21。電極PA23是自管體PA21之一端深入管體PA21內,而電極PA24是套設於管體PA21。電力供應源PA22是電性連結於電極PA23,用以提供一電力至電極PA23。藉此,當電力供應源PA22提供電力至電極PA23時,電極PA23與電極PA24之間會有電子移動,使得進入管體PA21內電漿氣體會受到電子之撞擊而在管體PA21形成電漿。
承上所述,當電漿製造裝置PA2之管體PA21內含有氧氣時,在電漿產生的同時,往往會因為氧氣從分子態被電漿分解成帶負電的氧原子,而帶負電的氧原子又會與氧氣分子結合形成臭氧,導致有可能產生臭氧,而由於臭氧的活性極強,因此當人體吸入臭氧時,很容易會對呼吸系統造成傷害,甚至會引發咳嗽、胸悶、氣喘或肺水腫等疾病。
有鑒於在先前技術中,現有的電漿形成方式主要是透過游離電子撞擊氣體粒子之電子所引發的一連串電子游離反應,而當產生電漿的環境中含有氧分子時,被電漿分解所產生之氧原子很容易與氧氣分子結合形成對人體有危害的臭氧;緣此,本發明的主要目的在於提供一種電漿製造系統與一種用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,可以透過將水蒸氣通入電漿產生腔室中,使水蒸氣在電漿的作用下可以降低臭氧的濃度。
本發明為解決先前技術之問題,所採用的必要技術手段是提供一種用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,用以在一電漿製造系統製造一電漿時,降低自電漿製造系統所排放出之一臭氧之臭氧濃度,電漿製造系統包含一電漿氣體供應管路與一電漿產生腔室,電漿氣體供應管路包含一用以供應一氬氣之電漿氣體供應源,該方法包含以下步驟(A)至步驟(D)。
步驟(A)是在該電漿氣體供應管路中裝設一儲水裝置,使該電漿氣體供應源連通於該儲水裝置。步驟(B)是將該氬氣導入該儲水裝置中,使該氬氣與該儲水裝置中之一水蒸氣混合成一潮濕氣體。步驟(C)是將潮濕氣體導入電漿產生腔室。步驟(D)是將一工作電力供應至設置於電漿產生腔室之一電極對,藉以在電漿產生腔室中產生一電漿,以使潮濕氣體中之氬氣產生一電漿。
其中,當該電漿產生腔室內含有一氧氣,且該氧氣受到該電漿作用而產生臭氧時,係藉由該電漿將該潮濕氣體中之該水蒸氣分解而產生一氫氧自由基,進而利用該氫氧自由基消除該臭氧,藉以降低生成該臭氧之濃度。
在上述必要技術手段所衍生之一附屬技術手段中,步驟(D)之工作電力之電壓為5kV至10kV,且工作電力之頻率為5KHz至20KHz。
在上述必要技術手段所衍生之一附屬技術手段中,步驟(B)之電漿氣體供應管路係以10slm至20slm之流速將氬氣供應至儲水裝置中。
本發明所採用之另一必要技術手段是提供一種電漿製造系統,包含一電漿氣體供應管路以及一電漿製造裝置。
電漿氣體供應管路包含一電漿氣體供應源、一電漿氣體輸出管以及一儲水裝置。電漿氣體供應源係用以供應一氬氣。電漿氣體輸出管係連通於電漿氣體供應源。儲水裝置係儲存有水,並連通於電漿氣體輸出管,藉以使氬氣通入水中而帶出一水蒸氣,且氬氣更與水蒸氣混合成一潮濕氣體。
電漿製造裝置包含一反應容器、一電極對以及一電力供應源。反應容器係連通於儲水裝置,並具有一電漿產生腔室,用以使潮濕氣體導入電漿產生腔室。電極係設置於電漿產生腔室。電力供應源係電性連結於電極對,用以將一工作電力供應至電極對,藉以在電漿產生腔室中產生一電漿,以使潮濕氣體中之氬氣產生一電漿。
其中,當該電漿產生腔室內含有一氧氣,且該氧氣受到該電漿作用而產生臭氧時,係藉由該電漿將該潮濕氣體中之該水蒸氣分解而產生一氫氧自由基,進而利用該氫氧自由基消除該臭氧,藉以降低生成該臭氧之濃度。
在上述必要技術手段所衍生之一附屬技術手段中,工作電力之電壓為5kV至10kV,且工作電力之頻率為5KHz至20KHz。
在上述必要技術手段所衍生之一附屬技術手段中,電漿氣體供應管路係以10slm至20slm之流速將氬氣供應至儲水裝置中。
在上述必要技術手段所衍生之一附屬技術手段中,儲水裝置包含一儲水容器、一分流管以及一氣體導管。儲水容器係儲存有水。分流管係固定於儲水容器,並連通於反應容器。氣體導管係設置於分流管,並延伸至儲水容器之水中,且氣體導管更連通於電漿氣體輸出管,用以將氬氣導入儲水容器之水中,進而將水蒸氣帶出,藉以使氬氣與水蒸氣混合成潮濕氣體。
在上述必要技術手段所衍生之一附屬技術手段中,氬氣之相對濕度小於1%。
如上所述,本發明之電漿製造系統與用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,主要是將氬氣通入水中而帶出水蒸氣,進而將氬氣與水蒸氣導入電漿產生腔室中,藉此,當電漿形成時,水蒸氣可以在電漿的作用下產生氫氧自由基,進而利用氫氧自由基來消除臭氧,藉以有效的降低臭氧濃度。
本發明所採用的具體實施例,將藉由以下之實施例及圖式作進一步之說明。
請參閱第二圖,第二圖為本發明較佳實施例所提供之電漿製造系統之平面示意圖。如第二圖所示,一種電漿製造系統100包含一電漿氣體供應管路1以及一電漿製造裝置2。
電漿氣體供應管路1包含一電漿氣體供應源11、一電漿氣體輸出管12以及一儲水裝置13。電漿氣體供應源11係用以供應一氬氣;其中,氬氣之相對濕度小於1%。此外,在本實施例中,電漿氣體供應源11係以10slm至20slm之流速供應氬氣。
電漿氣體輸出管12係連通於電漿氣體供應源11。在本實施例中,電漿氣體輸出管12例如為一軟管。
儲水裝置13包含一儲水容器131、一分流管132、一氣體導管133以及一潮濕氣體輸出管134。儲水容器131係儲存有水;其中,儲水容器131在本實施例中為一水瓶。分流管132係固定於儲水容器131之開口;其中,分流管132在本實施例中為一T型管,因此分流管132實際上具有三個開口(圖未標示),而分流管132之三個開口其中位於中心者是連結於儲水容器131。
氣體導管133係穿設於分流管132之一開口,並延伸至儲水容器131之水中,且氣體導管133更連通於電漿氣體輸出管12,用以將氬氣導入儲水容器131之水中,進而將水蒸氣帶出,藉以使氬氣與水蒸氣混合成一潮濕氣體;其中,氣體導管133所穿設之分流管132之開口在實務上是設有塞子,而氣體導管133是穿過塞子而穿設於分流管132之開口。
此外,由於氬氣會經由氣體導管133進入儲水容器131中,並從儲水容器131之水中冒出,因此會帶出水蒸氣,也相當於使部分的水變成水蒸氣而使氬氣之濕度上升。在實務上,儲水容器131、分流管132與氣體導管133之組合為一氣體洗滌瓶。
潮濕氣體輸出管134是套設於分流管132相對於氣體導管133另一端之開口,用以將潮濕氣體輸送出;其中,潮濕氣體輸出管134例如為一軟管。
電漿製造裝置2包含一反應容器21、一電極對(包含電極22與電極23)以及一電力供應源24。反應容器21具有一電漿產生腔室EC、一進氣端211、一電極設置端212以及一電漿輸出端213。
進氣端211是連結於潮濕氣體輸出管134,並連通於電漿產生腔室EC,用以將潮濕氣體導入電漿產生腔室EC。電極設置端212與電漿輸出端213是分別連通於電漿產生腔室EC。
電極22是穿設於電極設置端212,並延伸至電漿產生腔室EC內;實務上,電極設置端212設有塞子密封住,而電極22是穿過塞子而進入電漿產生腔室EC中。電極23是套設於電漿輸出端213,並與電極22彼此相間隔地設置於進氣端211之兩側,且電極23更接地而處於低電位。
電力供應源24係電性連結於電極22,用以將一工作電力供應至電極22,藉以在電漿產生腔室EC中產生一電漿,以使潮濕氣體中之氬氣產生一電漿。在本實施例中,工作電力之電壓為5kV至10kV,且工作電力之頻率為5KHz至20KHz。此外,在實務上,電力供應源24更可電性連結至與電極23相同的接地點。
承上所述,當電極22與23在電漿產生腔室EC中產生電漿時,若電漿產生腔室EC內含有氧氣,氧氣會如以下式(1)所示的受到電漿分解成氧離子,進而與氧氣反應生成臭氧,此時由於潮濕氣體含有水蒸氣,而水蒸氣會如以下式(2)所示的受到電漿作用而分解成氫氧自由基,當臭氧與氫氧自由基接觸時,會如以下式(3)所示的反應生成超氧化氫(HO 2),且超氧化氫(HO 2)也會如以下式(4)所示的繼續與其他臭氧反應而生成氫氧自由基與氧氣,此時產生的氫氧自由基還可以繼續重複地進行式(3)之反應來消除臭氧藉以有效的降低臭氧之濃度。 O 2→ 2O -……………………………………………………式(1) e -+ H 2O = OH.+ H.………………………………………..式(2) OH + O 3= HO 2+ O 2…………………….………………式(3) HO 2+ O 3= OH.+ 2O 2…………………….………………式(4)
以上述之電漿製造系統100為例,本發明之一種用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,主要是先在電漿氣體供應管路1中裝設儲水裝置13,然後將電漿氣體供應源11所供應之氬氣導入儲水裝置13後,使氬氣與儲水裝置13中之水蒸氣混合成潮濕氣體。在本實施例中,電漿氣體供應源11係以10slm至20slm之流速將氬氣供應至儲水裝置13中。
接著再將潮濕氣體導入電漿製造裝置2之電漿產生腔室EC。最後,將工作電力供應至設置於電漿產生腔室EC之電極22與23,藉以在電漿產生腔室EC中產生電漿,以使潮濕氣體中之氬氣產生電漿。在本實施例中,工作電力之電壓為5kV至10kV,且工作電力之頻率為5KHz至20KHz。
其中,當電漿產生腔室EC內含有氧氣,且氧氣受到電漿作用而生成成臭氧時,係藉由電漿與潮濕氣體中之水蒸氣反應來生成氫氧自由基,進而消除臭氧,使臭氧濃度降低。
請繼續參閱第三圖,第三圖為利用水蒸氣降低臭氧濃度之驗證實驗平面示意圖。如第二圖與第三圖所示,在本實施例中,更設計一臭氧供應模組200與一水蒸氣與電漿產生模組300來驗證上述之電漿製造系統100與用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法的功效。
承上所述,臭氧供應模組200包含一電漿氣體供應源201以及一電漿製造裝置202。電漿氣體供應源201是用於供應一含氧氣體,而電漿製造裝置202包含一反應容器2021、一電極對(包含電極2022與電極2023)以及一電力供應源2024;其中,電漿製造裝置202與上述之電漿製造裝置2相似,主要都是利用電力供應源2024對電極2022供電,進而使進入反應容器2021之第一電漿產生腔室EC1之含氧氣體電漿化,而由於含氧氣體含有氧氣,因此臭氧也會伴隨著電漿產生,藉以用於供應臭氧。
水蒸氣與電漿產生模組300包含一無氧氣體供應源301、一儲水裝置302以及一電漿產生裝置303。無氧氣體供應源301是用以供應一不含氧氣之無氧氣體;在本實施例中,無氧氣體例如為一氬氣,但不限於此,亦可是其他非氧氣體之組成。儲水裝置302是連通於無氧氣體供應源301,用以使無氧氣體供應源301所供應之無氧氣體通入水中而帶出水蒸氣。
電漿產生裝置303包含一反應容器3031、一電極對(包含電極3032與電極3033)以及一電力供應源3034。反應容器3031是連通於儲水裝置302與臭氧供應模組200,並具有一第二電漿產生腔室EC2,而電極3032與3033是設置於反應容器3031;其中,電極3032是深入第二電漿產生腔室EC2,並電性連結於電力供應源3034,藉以透過電力供應源3034之供電而在反應容器3031內將無氧氣體電漿化。
請繼續參閱第四圖,第四圖為第三圖之驗證實驗中,臭氧供應裝置之含氧氣體在以0.5slm之流速通入第一電漿產生腔室來產生臭氧時,有通入水蒸氣之第二電漿產生腔室在產生電漿與沒有產生電漿時的臭氧濃度變化示意圖。
如第三圖與第四圖所示,濃度變化線C1是在反應容器3031之出口端偵測到臭氧的濃度變化;其中,臭氧供應模組200是在電漿氣體供應源201以0.5slm之流速供應含氧氣體的條件下,由第一電漿產生腔室內之電漿來產生臭氧並提供至反應容器3031,而水蒸氣與電漿產生模組300則是僅透過無氧氣體供應源301與儲水裝置302提供無氧氣體與水蒸氣至反應容器3031,並未透過電力供應源3034供電至電極3032,因此所測得之臭氧濃度變化僅取決於臭氧與水蒸氣之反應結果。
相較於濃度變化線C1是在水蒸氣與電漿產生模組300未產生電漿而僅提供水蒸氣以及無氧氣體與臭氧接觸,濃度變化線C2是在水蒸氣與電漿產生模組300除了提供水蒸氣以及無氧氣體外,更產生電漿的情況下,所偵測到的臭氧濃度變化。
承上所述,由濃度變化線C1與濃度變化線C2可知,在水蒸氣與電漿產生模組300僅提供水蒸氣與無氧氣體的情況下(濃度變化線C1),臭氧供應模組200所提供之臭氧濃度仍會降低,因此可以合理推測臭氧的降解可能來自於臭氧與水蒸氣的反應,或者臭氧本身的不穩定降解作用,而在水蒸氣與電漿產生模組300提供水蒸氣、無氧氣體與電漿的情況下(濃度變化線C2),臭氧供應模組200所提供之臭氧濃度明顯降低的更快,因此可以合理推測電漿有加速臭氧與水蒸氣反應的作用。
請繼續參閱第五圖,第五圖為第三圖之驗證實驗中,臭氧供應裝置之含氧氣體在以0.8slm之流速通入第一電漿產生腔室來產生臭氧時,有通入水蒸氣之第二電漿產生腔室在產生電漿與沒有產生電漿時的臭氧濃度變化示意圖。
如第三圖至第五圖所示,濃度變化線C3與濃度變化線C4同樣分別是在水蒸氣與電漿產生模組300未產生電漿的情況下與有產生電漿的情況下所量測到的臭氧濃度變化,其差異僅在於濃度變化線C3與濃度變化線C4之臭氧供應模組200是在電漿氣體供應源201以0.8slm之流速供應含氧氣體至電漿製造裝置202的條件下提供臭氧。
如上所述,由於臭氧供應模組200是在電漿氣體供應源201以0.8slm之流速供應含氧氣體至電漿製造裝置202的條件下提供臭氧,因此濃度變化線C3與濃度變化線C4所偵測到的臭氧濃度自然分別都比濃度變化線C1與濃度變化線C2高,也證實了水蒸氣或者水蒸氣加上電漿都能有效降解臭氧。
請繼續參閱第六圖,第六圖為第三圖之驗證實驗中,臭氧供應裝置之含氧氣體在以0.8slm之流速通入第一電漿產生腔室來產生臭氧,且第二電漿產生腔室只通入氬氣而未有水蒸氣的情況下,第二電漿產生腔室有產生電漿與沒有產生電漿時的臭氧濃度變化示意圖。
如第三圖至第六圖所示,相較於上述之濃度變化線C3是在臭氧供應模組200是在電漿氣體供應源201以0.8slm之流速供應含氧氣體至電漿製造裝置202的條件下提供臭氧,且水蒸氣與電漿產生模組300只有水蒸氣與無氧氣體而沒有產生電漿的條件下測到的臭氧濃度變化,濃度變化線C5是在臭氧供應模組200是在電漿氣體供應源201以0.8slm之流速供應含氧氣體至電漿製造裝置202的條件下提供臭氧,且水蒸氣與電漿產生模組300只有無氧氣體而沒有水蒸氣與產生電漿的條件下測到的臭氧濃度變化。
由濃度變化線C3與濃度變化線C5之比較可以得知,在都沒有電漿的環境下,有水蒸氣與沒有水蒸氣時的臭氧濃度變化相同,因此可以推測出,在沒有電漿的環境下,即使水蒸氣與臭氧接觸也無法加速臭氧的降解速度。
另一方面,由濃度變化線C4與濃度變化線C6之比較可以得知,在都有電漿的環境下,有水蒸氣時的臭氧濃度明顯低於沒有水蒸氣時的臭氧濃度,因此可以推測出,在有電漿與水蒸氣的環境下,確實可以有效的使臭氧濃度降低。
綜上所述,相較於先前技術之電漿製造裝置會在製造電漿的同時產生大量的臭氧,本發明之電漿製造系統與用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,主要是將氬氣通入水中而帶出水蒸氣,進而將氬氣與水蒸氣導入電漿產生腔室中,藉此,當電漿形成時,由於在電漿的作用下,可以透過水蒸氣消除氧離子或臭氧,進而有效的降低臭氧濃度。
藉由以上較佳具體實施例之詳述,係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神,而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地,其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
PA100:現有的電漿製造系統 PA1:乾燥空氣供應源 PA2:電漿製造裝置 PA21:管體 PA22:電力供應源 PA23,PA24:電極 100:電漿製造系統 1:電漿氣體供應管路 11:電漿氣體供應源 12:電漿氣體輸出管 13:儲水裝置 131:儲水容器 132:分流管 133:氣體導管 134:潮濕氣體輸出管 2:電漿製造裝置 21:反應容器 211:進氣端 212:電極設置端 213:電漿輸出端 22,23:電極 24:電力供應源 200:臭氧供應模組 201:電漿氣體供應源 202:電漿製造裝置 2021:反應容器 2022,2023:電極 2024:電力供應源 300:水蒸氣與電漿產生模組 301:無氧氣體供應源 302:儲水裝置 303:電漿產生裝置 3031:反應容器 3032,3033:電極 3034:電力供應源 EC:電漿產生腔室 EC1:第一電漿產生腔室 EC2:第二電漿產生腔室 C1-C6:濃度變化線
第一圖為先前技術之電漿製造系統之平面示意圖; 第二圖為本發明較佳實施例所提供之電漿製造系統之平面示意圖; 第三圖為利用水蒸氣降低臭氧濃度之驗證實驗平面示意圖; 第四圖為第三圖之驗證實驗中,臭氧供應裝置之含氧氣體在以0.5slm之流速通入第一電漿產生腔室來產生臭氧時,有通入水蒸氣之第二電漿產生腔室在產生電漿與沒有產生電漿時的臭氧濃度變化示意圖; 第五圖為第三圖之驗證實驗中,臭氧供應裝置之含氧氣體在以0.8slm之流速通入第一電漿產生腔室來產生臭氧時,有通入水蒸氣之第二電漿產生腔室在產生電漿與沒有產生電漿時的臭氧濃度變化示意圖;以及 第六圖為第三圖之驗證實驗中,臭氧供應裝置之含氧氣體在以0.8slm之流速通入第一電漿產生腔室來產生臭氧,且第二電漿產生腔室只通入氬氣而未有水蒸氣的情況下,第二電漿產生腔室有產生電漿與沒有產生電漿時的臭氧濃度變化示意圖。
100:電漿製造系統
1:電漿氣體供應管路
11:電漿氣體供應源
12:電漿氣體輸出管
13:儲水裝置
131:儲水容器
132:分流管
133:氣體導管
134:潮濕氣體輸出管
2:電漿製造裝置
21:反應容器
211:進氣端
212:電極設置端
213:電漿輸出端
22,23:電極
24:電力供應源
EC:電漿產生腔室

Claims (8)

  1. 一種用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,係用以在一電漿製造系統製造一電漿氣體時,降低自該電漿製造系統所排放出之一臭氧之臭氧濃度,該電漿製造系統包含一電漿氣體供應管路與一電漿產生腔室,該電漿氣體供應管路包含一用以供應一氬氣之電漿氣體供應源,該方法包含以下步驟:(A)在該電漿氣體供應管路中裝設一儲水裝置,使該電漿氣體供應源連通於該儲水裝置;(B)將該電漿氣體導入該儲水裝置中,使該氬氣與該儲水裝置中之一水蒸氣混合成一潮濕氣體;(C)將該潮濕氣體導入該電漿產生腔室;以及(D)將一工作電力供應至設置於該電漿產生腔室之一電極對,藉以在該電漿產生腔室中使該潮濕氣體中之該氬氣產生該電漿;其中,當該電漿產生腔室內含有一氧氣,且該氧氣受到該電漿作用而產生該臭氧時,係藉由該電漿將該潮濕氣體中之該水蒸氣分解而產生一氫氧自由基,進而利用該氫氧自由基消除該臭氧,藉以降低生成該臭氧之濃度。
  2. 如請求項1所述之用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,其中,步驟(D)之該工作電力之電壓為5kV至10kV,且該工作電力之頻率為5KHz至20KHz。
  3. 如請求項1所述之用以在製造電漿時降低臭氧濃度之方法,其中,步驟(B)之該電漿氣體係以10slm至20slm之流速供應至該儲水裝置中。
  4. 一種電漿製造系統,包含:一電漿氣體供應管路,包含:一電漿氣體供應源,係用以供應一氬氣;一電漿氣體輸出管,係連通於該電漿氣體供應源;以及一儲水裝置,係儲存有一水,並連通於該電漿氣體輸出管,藉以使該氬氣通入該水中而帶出一水蒸氣,且該氬氣更與該水蒸氣混合成一潮濕氣體;以及一電漿製造裝置,包含:一反應容器,係連通於該儲水裝置,並具有一電漿產生腔室,用以使該潮濕氣體導入該電漿產生腔室;一電極對,係設置於該電漿產生腔室;以及一電力供應源,係電性連結於該電極對,用以將一工作電力供應至該電極對,藉以在該電漿產生腔室中使該潮濕氣體中之該氬氣產生一電漿;其中,當該電漿產生腔室內含有一氧氣,且該氧氣受到該電漿作用而產生一臭氧時,係藉由該電漿將該潮濕氣體中之該水蒸氣分解而產生一氫氧自由基,進而利用該氫氧自由基消除該臭氧,藉以降低生成該臭氧之濃度。
  5. 如請求項4所述之電漿製造系統,其中,該工作電力之電壓為5kV至10kV,且該工作電力之頻率為5KHz至20KHz。
  6. 如請求項4所述之電漿製造系統,其中,該電漿氣體供應源係以10slm至20slm之流速將該電漿氣體供應至該儲水裝置中。
  7. 如請求項4所述之電漿製造系統,其中,該儲水裝置包含:一儲水容器,係儲存有該水;一分流管,係固定於該儲水容器,並連通於該反應容器;以及一氣體導管,係設置於該分流管,並延伸至該儲水容器之該水中,且該氣體導管更連通於該電漿氣體輸出管,用以將該氬氣導入該儲水容器之該水中,進而將該水蒸氣帶出,藉以使該氬氣與該水蒸氣混合成該潮濕氣體。
  8. 如請求項4所述之電漿製造系統,其中,該氬氣之相對濕度小於1%。
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