TWI822583B - 微機電系統的共振結構 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種微機電系統的共振結構，其包含一本體及至少一個電極。本體具有一長軸線。本體沿長軸線包含一感應部及連接感應部的一支撐部。感應部包含不平行長軸線的至少一個第一感應側面。本體於第一感應側面上具有多個第一凸齒。電極包含一第二感應側面。第二感應側面的位置對應第一感應側面且不平行長軸線。電極於第二感應側面上具有多個第二凸齒。多個第二凸齒與多個第一凸齒相互交錯且不接觸。當第一與第二感應側面之間的間隔距離發生變化時，多個第一凸齒的表面與多個第二凸齒的表面能產生電容變化。

Description

微機電系統的共振結構
本發明涉及一種結構，尤其涉及一種微機電系統的共振結構。
微機電系統（micro electro mechanical system, MEMS）諧振器廣泛地應用於多種設備中，舉例來說，手錶、或複雜的電信裝置等。換句話說，微機電系統諧振器是具有用來共振的結構、或是元件。現有微機電系統諧振器通常包括多個電極、及能被電極驅動的共振結構。當電極被施加偏壓時，電極會累積電荷，從而在電極和諧振器上之間產生靜電力。當電極被施加時變電壓信號（time-varying voltage signal）時，電極結合直流電壓可以產生時變靜電力（time-varying electrostatic force），使諧振器產生振盪。然而，現有共振結構礙於結構設計無法被突破，導致初始靜電力受限制而影響振盪效果。
於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種微機電系統的共振結構。
本發明實施例公開一種微機電系統的共振結構，包括：一本體，具有一長軸線，所述本體沿所述長軸線包含一感應部及連接所述感應部的一支撐部，所述感應部包含不平行所述長軸線的至少一個第一感應側面，所述本體於所述至少一個第一感應側面上具有多個第一凸齒；以及至少一個電極，間隔地設置於所述感應部的一側，所述至少一個電極包含一第二感應側面，所述第二感應側面的位置對應所述至少一個第一感應側面且不平行所述長軸線，所述至少一個電極於所述第二感應側面上具有多個第二凸齒，多個所述第二凸齒與多個所述第一凸齒相互交錯且不接觸；當所述至少一個第一感應側面與所述第二感應側面之間的一間隔距離發生變化時，多個所述第一凸齒的表面與多個所述第二凸齒的表面能產生一電容變化。
較佳地，所述至少一個第一感應側面的數量對應所述至少一個電極的數量，並且所述至少一個第一感應側面的數量與所述至少一個電極的數量進一步地限定為兩個，各所述電極為一驅動電極及一感應電極任一者。
較佳地，所述至少一個第一感應側面及所述第二感應側面分別是斜面、及曲面至少其中一者。
較佳地，所述感應部的寬度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸窄，多個所述第一凸齒的高度彼此不同，並且多個所述第一凸齒的高度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向變高。
較佳地，所述本體於相鄰的任兩個所述第一凸齒之間具有一第一凹槽，所述第一凹槽的位置與形狀對應相鄰的一個所述第二凸齒，所述至少一個電極於相鄰的任兩個所述第二凸齒之間具有一第二凹槽，所述第二凹槽的位置與形狀對應相鄰的一個所述第一凸齒；所述第一凹槽與所述第二凸齒之間、以及所述第二凹槽與所述第一凸齒之間各具有一行程長度（Traveling Length），多個所述行程長度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸長。
較佳地，多個所述第一凸齒的尖端角度與多個所述第二凸齒的尖端角度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸小。
較佳地，各所述第一凸齒的尖端角度與各所述第二凸齒的尖端角度不小於10度 。
較佳地，所述感應部的寬度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸寬，所述本體於所述感應部上具有至少一缺槽。
較佳地，所述感應部的寬度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸寬，多個所述第一凸齒的高度彼此不同，並且多個所述第一凸齒的高度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向變矮。
較佳地，所述感應部的寬度沿所述長軸線且遠離所述支撐部的方向漸寬或漸窄。
綜上所述，本發明實施例所公開的微機電系統的共振結構，能通過“所述感應部包含不平行所述長軸線的所述至少一個第一感應側面，所述本體於所述至少一個第一感應側面上具有多個所述第一凸齒”及“所述第二感應側面的位置對應所述至少一個第一感應側面且不平行所述長軸線，所述電極於所述第二感應側面上具有多個所述第二凸齒”的設計，所述微機電系統的共振結構能同時大幅提升行程長度且同時具有較大的初始靜電力。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“微機電系統的共振結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者訊號，但這些元件或者訊號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一訊號與另一訊號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
另外，於以下說明中，如有指出請參閱特定圖式或是如特定圖式所示，其僅是用以強調於後續說明中，所述的相關內容大部份出現於該特定圖式中，但不限制該後續說明中僅可參考所述特定圖式。
[第一實施例]
參閱圖1至圖5所示，本實施例提供一種微機電系統的共振結構100A。如圖1及圖2所示，所述共振結構100A包含一本體1及至少一個電極2，並且所述共振結構100A於被輸入一信號時，所述本體1及所述至少一個電極2之間的一間隔距離D會產生改變（例如：所述本體1朝向所述至少一個所述電極2靠近），使所述本體1及所述至少一個電極2產生電容變化而振盪。換句話說，任何不是通過電容變化產生振盪的共振結構，非本發明所指的共振結構100A。接著，以下說明所述共振結構的各元件及其連接關係。
復參圖1及圖2所示，所述本體1於本實施例中為長形結構，並具有一長軸線L。所述本體1沿所述長軸線L包含一感應部11及連接所述感應部11的一支撐部12。其中，所述支撐部12能被用來設置於所述微機電系統的其他元件（未繪示）上，並且所述支撐部12能帶動所述感應部11沿一弧形路徑擺動（如圖1所示）以改變所述間隔距離D，但本發明不以此為限制。
舉例來說，本發明於其他未繪示的實施例中，所述支撐部12也可以是被水平滑動地設置於微機電系統的其他元件上，使所述支撐部12能帶動所述感應部11沿一水平路徑移動。
所述感應部11的寬度沿所述長軸線L漸寬或漸窄，使所述感應部11包含不平行所述長軸線L的至少一個第一感應側面111，並且所述本體1於所述至少一個第一感應側面111上具有多個第一凸齒13。
於本實施例中，所述感應部11的寬度是沿所述長軸線L朝遠離所述支撐部12方向漸窄（圖2中，寬度W11至寬度W11’），使所述感應部11的截斷面呈梯形，並且所述感應部11於對應所述弧形路徑的兩側斜面為梯形的兩腰（lateral sides）可以被分別定義為兩個所述第一感應側面111。此外，兩個所述第一感應側面111各具有多個所述第一凸齒13。換句話說，所述至少一個第一感應側面111的數量於本實施例中是進一步地限定為兩個，各所述第一感應側面111為斜面，並且各所述第一感應側面111上被設置有多個所述第一凸齒13，但本發明不受限於此。
舉例來說，本發明於其他未繪示的實施例中，所述感應部11的截斷面也可以是非梯形的四邊形，並且其中三個邊之間的夾角為90度，使所述感應部11於對應所述弧形路徑的兩側面僅有一個不平行於所述長軸線L的斜面，亦即所述感應部11只有一個所述第一感應側面111。
另外，於本實施例中，多個所述第一凸齒13的尖端角度θ1是彼此相同，並且多個所述第一凸齒13的高度H13也是彼此相同的，但本發明不以此為限制。
舉例來說，如圖3所示，於所述共振結構100A’的另一實施態樣中，多個所述第一凸齒13的尖端角度θ1也可以是彼此不相同，並且多個所述第一凸齒13的尖端角度θ1沿所述長軸線L朝遠離所述支撐部12的方向漸小。值得注意的是，各所述第一凸齒13的尖端角度θ1較佳是不小於10度，以確保多個所述第一凸齒13能配合所述至少一個所述電極2產生理想的電容變化。
舉另一例來說，本發明於其他未繪示的實施例中，多個所述第一凸齒13的尖端角度θ1沿所述長軸線L朝遠離所述支撐部12的方向漸增。舉又一例來說，其中一個所述第一感應側面111上的多個所述第一凸齒13的尖端角度θ1可以不相等於另一個所述第一感應側面111上的多個所述第一凸齒13的尖端角度θ1。
復參圖1及圖2所示，所述至少一個電極2間隔地設置於所述感應部11的一側，所述至少一個電極2包含一第二感應側面21，所述第二感應側面21的位置是對應所述至少一個第一感應側面111，並且所述第二感應側面21不平行所述長軸線L。換句話說，所述至少一個電極2的所述第二感應側面21與所述至少一個第一感應側面111的數量及位置是對應的，並且所述至少一個電極2的所述第二感應側面21面對且不接觸所述至少一個第一感應側面111。
所述電極2於所述第二感應側面21上具有多個第二凸齒22，多個所述第二凸齒22與多個所述第一凸齒13相互交錯且不接觸。當所述至少一個第一感應側面111與所述第二感應側面21之間的一間隔距離D發生變化時（例如：所述感應部11被所述支撐部12帶動，使所述至少一個第一感應側面111靠近所述第二感應側面21），多個所述第一凸齒13的表面與多個所述第二凸齒22的表面能產生一電容變化。
於本實施例中，所述至少一個電極2的數量是兩個，兩個所述電極2分別配置於所述感應部11（沿所述弧形路徑）的兩側，並且兩個所述電極2分別為一驅動電極及一感應電極，但本發明不以此為限制。舉例來說，兩個所述電極2也可以分別為兩個驅動電極、或兩個感應電極。
此外，多個所述第二凸齒22的尖端角度θ2及高度H22可以是分別對應多個所述第一凸齒。換句話說，多個所述第二凸齒22的尖端角度θ2與高度H22可以是彼此相同（如圖2所示），但本發明不以此為限制。
舉例來說，如圖3所示，於所述共振結構100A’的另一實施態樣中，多個所述第二凸齒22也是彼此不相同，並且多個所述第二凸齒22的尖端角度θ2沿所述長軸線L朝遠離所述支撐部12的方向漸小且不小於10度，但本發明不受限於此。
需特別說明的是，如圖4所示，當各所述尖端角度θ1、θ2趨近於0度時，多個所述第一凸齒13與多個所述第二凸齒22是大致呈一梳齒狀結構（也就是梳齒狀電極，且非本發明的結構），而前述梳齒狀結構的靜電力與位移之間為線性關係但無法提供理想的靜電力做振盪運動（例如：當位移為0時，初始靜電力過小）。此外，當各所述尖端角度θ1、θ2為180度時，多個所述第一凸齒13與多個所述第二凸齒22大致呈一平行結構（也就是平行電容板電極，且非本發明的結構），但靜電力過大也會導致振盪運動不理想（例如：當初始靜電力相同時，可容忍的位移過短）。反觀，本發明的各所述尖端角度θ1、θ2是介於0度與180度之間（尤其是10度至180度之間），故本發明的共振結構能具備較大的初始靜電力，也能具備理想的位移。
需特別說明的是，當所述尖端角度θ1、θ2趨近於0度時，靜電力與位移的關係越趨線性，使所述共振結構100A可具備更理想的位移（如圖4所示）。此外，當所述尖端角度θ1、θ2趨近於180度時，多個所述第一凸齒13與多個所述第二凸齒22的感應表面也能大幅提升以增加靜電力。
更細地說，所述本體1於相鄰的任兩個所述第一凸齒13之間具有一第一凹槽14，並且所述第一凹槽14的位置與形狀對應相鄰的一個所述第二凸齒22（也就是，所述第一凹槽14幾何配合所述第二凸齒22）。各所述電極2於相鄰的任兩個所述第二凸齒22之間具有一第二凹槽23，所述第二凹槽23的位置與形狀對應相鄰的一個所述第一凸齒13（也就是，所述第二凹槽23幾何配合所述第一凸齒13）。據此，所述第一凹槽14與所述第二凸齒22之間、以及所述第二凹槽23與所述第一凸齒13之間各具有用來供所述感應部11移動的所述行程長度S（Traveling Length）。本發明的所述共振結構100A通過「所述第一感應側面111與所述第二感應側面21不平行於所述長軸線L」的設計，以增加多個所述第一凸齒13與多個所述第二凸齒22之間的所述行程長度S。本發明尤其是相比於本體側面平行所述長軸線Ｌ之配置或電極側面平行所述長軸線Ｌ之配置更佳顯著（例如：現有共振結構）。
換句話說，由 的簡諧運動相關公式來看，當為W n的共振頻率不變時，為m的質量與為k的彈簧常數成正比，故質量越小時，彈簧常數則越小，此時同靜電力作用下位移更大且感應訊號更大。據此，所述本體1的寬度漸窄而具有不平行所述長軸線Ｌ的所述第一感應側面111，使得本發明的共振結構可容納更大電極面積且減少質量，從而讓相同共振頻率的條件下的共振結構有更大的振動位移與感應訊號。
較佳地，如圖3所示，於所述共振結構100A’的另一實際應用中，多個所述第一凸齒13的高度H13是彼此不同，並且多個所述第一凸齒13的高度H13沿所述長軸線L朝遠離所述支撐部12的方向變高。多個所述第二凸齒22的高度H22也是彼此不同，並且多個所述第二凸齒22的高度H22沿所述長軸線L朝遠離所述支撐部12的方向變高。換句話說，各所述第一凸齒13的高度H13與各所述第二凸齒22的高度H22是隨著所述感應部11的擺幅距離成正比增加。據此，多個所述行程長度S是沿所述長軸線L朝遠離所述支撐部12的方向漸長。也就是說，最遠離所述支撐部12的所述行程長度S最長，最鄰近所述支撐部12的所述行程長度S最短。此外。多個所述第一凸齒13的齒面面積與多個所述第二凸齒22的齒面面積可以有效地被增加，從而所述共振結構100A’的電極電容能被大幅提升。
當然，本發明於其他未繪示的實施例中，多個所述第一凸齒13的高度H13也可以是沿所述長軸線L朝遠離所述支撐部12的方向變矮，多個所述第二凸齒22的高度H22對應多個所述第一凸齒13的高度H13，使所述共振結構100A’提升感應效率。
另外說明的是，所述本體1於本實施例中是以一個所述感應部11及一個所述支撐部12做說明，但實際應用中，所述本體1可以具有多個所述感應部11及多個所述支撐部12（如圖5所示）。
[第二實施例]
如圖6所示，其為本發明的第二實施例，本實施例的共振結構100B類似於上述第一實施例的共振結構100A，兩個實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的共振結構100B與第一實施例的差異主要在於：
於本實施例中，所述感應部11的寬度是沿所述長軸線L朝遠離所述支撐部12的方向漸寬（圖6中，寬度W11’至寬度W11），並且所述本體1於所述感應部11上還設置有至少一缺槽15。據此，所述缺槽15設計能減少所述感應部11的重量。
另外，多個所述第一凸齒13的高度H13與尖端角度、以及多個所述第二凸齒22的高度H22與尖端角度則可如第一實施例做調整。
值得注意的是，所述本體1的寬度漸寬而具有不平行所述長軸線Ｌ的所述第一感應側面111，使得本發明的共振結構可容納更大電極面積且增加質量，從而讓共振結構在受柯氏力影響下，有更大的感測位移與感應訊號（參酌 的相關公式）。
[第三實施例]
如圖7、8所示，其為本發明的第三實施例，本實施例的共振結構100C、100C’類似於上述第一實施例或第二實施例的共振結構100A、100B，本實施例與各其他實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的共振結構100C、100C’與第一實施例或第二實施例的差異主要在於：
於本實施例中，兩個所述第一感應側面111被設計為曲面，各所述第二感應側面21被設計為曲面，以幾何配合所述第一感應側面111。
[本發明實施例的技術效果]
綜上所述，本發明實施例所公開的微機電系統的共振結構，能通過“所述感應部包含不平行所述長軸線的所述至少一個第一感應側面，所述本體於所述至少一個第一感應側面上具有多個所述第一凸齒”及“所述第二感應側面的位置對應所述至少一個第一感應側面且不平行所述長軸線，所述電極於所述第二感應側面上具有多個所述第二凸齒”的設計，所述微機電系統的共振結構能同時大幅提升行程長度且同時具有較大的初始靜電力。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
100A、100A’、100B、100C、100C’:共振結構 1、1’:本體 11:感應部 111:第一感應側面 12:支撐部 13:第一凸齒 14:第一凹槽 15:缺槽 2:電極 21:第二感應側面 22:第二凸齒 23:第二凹槽 L:長軸線 θ1、θ2:尖端角度 D:間隔距離 S:行程長度 W11、W11’:寬度 H13、H22:高度
圖1為本發明第一實施例的微機電系統的共振結構的平面示意圖。
圖2為圖1的共振結構的局部平面示意圖。
圖3為本發明第一實施例的微機電系統的共振結構的另一態樣的平面示意圖。
圖4為本發明第一實施例的靜電力與位移關係的示意圖。
圖5為本發明第一實施例的微機電系統的共振結構的一應用例子的示意圖。
圖6為本發明第二實施例的微機電系統的共振結構的平面示意圖。
圖7為本發明第三實施例的微機電系統的共振結構的平面示意圖。
圖8為本發明第三實施例的微機電系統的共振結構的另一態樣的平面示意圖。
100A:共振結構
1:本體
11:感應部
111:第一感應側面
12:支撐部
13:第一凸齒
14:第一凹槽
2:電極
21:第二感應側面
22:第二凸齒
23:第二凹槽
L:長軸線

Claims (10)

  1. 一種微機電系統的共振結構，包括： 一本體，具有一長軸線，所述本體沿所述長軸線包含一感應部及連接所述感應部的一支撐部，所述感應部包含不平行所述長軸線的至少一個第一感應側面，所述本體於所述至少一個第一感應側面上具有多個第一凸齒；以及 至少一個電極，間隔地設置於所述感應部的一側，所述至少一個電極包含一第二感應側面，所述第二感應側面的位置對應所述至少一個第一感應側面且不平行所述長軸線，所述至少一個電極於所述第二感應側面上具有多個第二凸齒，多個所述第二凸齒與多個所述第一凸齒相互交錯且不接觸；當所述至少一個第一感應側面與所述第二感應側面之間的一間隔距離發生變化時，多個所述第一凸齒的表面與多個所述第二凸齒的表面能產生一電容變化。
  2. 如請求項1所述的微機電系統的共振結構，其中，所述至少一個第一感應側面的數量對應所述至少一個電極的數量，並且所述至少一個第一感應側面的數量與所述至少一個電極的數量進一步地限定為兩個，各所述電極為一驅動電極及一感應電極任一者。
  3. 如請求項1所述的微機電系統的共振結構，其中，所述至少一個第一感應側面及所述第二感應側面分別是斜面、及曲面至少其中一者。
  4. 如請求項1所述的微機電系統的共振結構，其中，所述感應部的寬度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸窄，多個所述第一凸齒的高度彼此不同，並且多個所述第一凸齒的高度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向變高。
  5. 如請求項1所述的微機電系統的共振結構，其中，所述本體於相鄰的任兩個所述第一凸齒之間具有一第一凹槽，所述第一凹槽的位置與形狀對應相鄰的一個所述第二凸齒，所述至少一個電極於相鄰的任兩個所述第二凸齒之間具有一第二凹槽，所述第二凹槽的位置與形狀對應相鄰的一個所述第一凸齒；所述第一凹槽與所述第二凸齒之間、以及所述第二凹槽與所述第一凸齒之間各具有一行程長度（Traveling Length），多個所述行程長度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸長。
  6. 如請求項1所述的微機電系統的共振結構，其中，多個所述第一凸齒的尖端角度與多個所述第二凸齒的尖端角度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸小。
  7. 如請求項6所述的微機電系統的共振結構，其中，各所述第一凸齒的尖端角度與各所述第二凸齒的尖端角度不小於10度。
  8. 如請求項1所述的微機電系統的共振結構，其中，所述感應部的寬度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸寬，所述本體於所述感應部上具有至少一缺槽。
  9. 如請求項1所述的微機電系統的共振結構，其中，所述感應部的寬度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向漸寬，多個所述第一凸齒的高度彼此不同，並且多個所述第一凸齒的高度沿所述長軸線朝遠離所述支撐部的方向變矮。
  10. 如請求項1所述的微機電系統的共振結構，其中，所述感應部的寬度沿所述長軸線且遠離所述支撐部的方向漸寬或漸窄。
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CN115385297A (zh) * 2021-05-25 2022-11-25 意法半导体股份有限公司 制造电子器件的方法以及对应的电子器件

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