TWI822230B - 發光面板 - Google Patents

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Abstract

一種發光面板包含電路基板、連接墊、晶片以及兩對位結構。連接墊設置在電路基板上。晶片設置在電路基板上並至少部分覆蓋連接墊。兩對位結構設置在電路基板上並且與連接墊同層。兩對位結構位於晶片斜對的兩角落。兩對位結構的至少一部分凸出於晶片的外緣。

Description

發光面板
本揭露是有關於一種發光面板。
隨著發光面板技術的進步，發光二極體(light emitting diode, LED)的尺寸已邁入微米等級，舉例來說，目前為人所知的次毫米發光二極體(Mini LED)是指尺寸落在50~100 μm範圍中的LED晶粒。與此同時，為了更好的解決黑暗中發光面板的背光問題，區域控光技術被採用。區域控光技術將發光面板分成多區，並利用結合微晶片的電路獨立點亮或熄滅各區的發光元件。欲結合前述兩個技術生產具有更高畫素的面板，將需要更精準的在面板上定位所有元件。
因此，如何提出一種可解決上述問題的發光面板，是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。
有鑑於此，本揭露的一些實施例中之一目的在於提出一種可有效解決上述問題的發光面板。
本揭露的一些實施例中是有關於一種發光面板包含電路基板、連接墊、晶片以及兩對位結構。連接墊設置在電路基板上。晶片設置在電路基板上並至少部分覆蓋連接墊。兩對位結構設置在電路基板上並且與連接墊同層。兩對位結構位於晶片斜對的兩角落。兩對位結構的至少一部分凸出於晶片的外緣。
在目前一些實施方式中，兩對位結構分別與連接墊中的兩個連接。
在目前一些實施方式中，發光面板更包含導線。導線與連接墊同層。導線分別與兩對位結構連接。
在目前一些實施方式中，導線的寬度分別自兩對位結構的外緣頸縮。
在目前一些實施方式中，兩對位結構分別與連接墊中的兩個共同形成矩形。
在目前一些實施方式中，兩對位結構其中每一個的外緣與晶片的外緣之間的距離大於晶片切割誤差距離。
在目前一些實施方式中，切割誤差距離為20 μm。
在目前一些實施方式中，發光面板更包含防焊層。防焊層的內緣包圍晶片與兩對位結構。兩對位結構其中每一個的外緣未被防焊層覆蓋，或者兩對位結構其中每一個的外緣與防焊層的內緣對齊。
在目前一些實施方式中，兩對位結構與連接墊分離。
在目前一些實施方式中，兩對位結構其中每一個的內緣未被晶片覆蓋，或者兩對位結構其中每一個的內緣與晶片的外緣對齊。
在目前一些實施方式中，發光面板更包含防焊層。防焊層的內緣包圍晶片與兩對位結構。兩對位結構其中每一個的外緣未被防焊層覆蓋，或者兩對位結構其中每一個的外緣與防焊層的內緣對齊。
在目前一些實施方式中，兩對位結構分別與連接墊中的兩個電連接。
在目前一些實施方式中，兩對位結構以及連接墊為相同材料。
綜上所述，於本揭露的一些實施例中的發光面板中，藉由結合連接墊以及與連接墊同層的對位結構，進一步提升晶片在電路基板上的對位精度。連接墊與對位結構可以結合並共同形成矩形，如此一來，將可以在精簡製程下簡化對位結構的形狀，並同時在電路基板上為晶片提供標記以進行對位。對位結構與連接墊彼此分離時，可以透過對位結構的內緣位置，為晶片對位提供更精準的標記。此外，彼此分離的對位結構與連接墊可以透過連接結構彼此連接，如此一來，對位結構將可以提供額外的電性測試點，以降低在連接墊上測試對連接墊的損耗。
以下揭露內容提供用於實施所提供標的之不同特徵的許多不同實施例或實例。以下描述部件及佈置之特定實例以簡化本揭露的一些實施方式。當然，此些僅為實例，且並不意欲為限制性的。舉例而言，在如下描述中第一特徵在第二特徵之上或在第二特徵上形成可包括其中第一特徵與第二特徵形成為直接接觸之實施例，且亦可包括其中額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成而使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡化及清楚目的，且其自身並不表示所論述之各種實施例及/或配置之間的關係。
應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
第1圖為根據本揭露之一些實施例所繪示的發光面板100的示意圖。第2A圖為根據本揭露之一些實施例所繪示的發光面板100的局部放大透視圖。具體來說，第2A圖為第1圖中框A標示處的局部放大示意圖。此外，後續說明的第2B圖、第2C圖、第3圖、第4A圖、第4B圖、第4C圖以及第5圖亦為第1圖中框A標示處在其他一些不同實施例中的局部放大示意圖。請參照第1圖以及第2A圖，一種發光面板100包含電路基板110、連接墊120、晶片130以及至少兩對位結構140。連接墊120設置在電路基板110上。晶片130設置在電路基板110上並至少部分覆蓋連接墊120。對位結構140設置在電路基板110上並且與連接墊120同層。對位結構140位於晶片130斜對的兩角落。對位結構140的至少一部分凸出於晶片130的外緣132。
在第1圖所繪示的是發光面板100在俯視視角的示意圖。在此實施例中，發光面板100採用區域控光技術。區域控光技術即是在電路基板110上劃分多個可獨立控制的發光區域，藉由分別點亮或熄滅部分的發光區域達到控制發光面板100亮暗層次的目的。具體來說，獨立控制每個發光區域的手段可以是在各個發光區域中設置晶片130，以單獨點亮或熄滅發光區域。晶片130可以同時連接多個發光元件200，例如，次毫米發光二極體(mini light emitting diode, mini LED)或微發光二極體(micro light emitting diode, micro LED)。
在第2A圖中包含晶片130的周圍區域被局部放大。要特別說明的是，第2A圖中位於晶片130的外緣132內部的結構，實際上是位於晶片130下方的電路基板110上，並且被晶片130所覆蓋。為清楚表示晶片130下方的結構，位於晶片130下方的結構，諸如連接墊120、晶片130接點在第2A圖中也被繪示。亦即，第2A圖是以透視晶片130的方式繪製。在後續說明第2B圖、第2C圖、第3圖、第4A圖、第4B圖、第4C圖以及第5圖時，實施例也是以相同方式繪製。在第2A圖所繪示的實施例中，晶片130具有十個接點，然而本揭露的實施例並不以此為限，在其他實施例中，晶片130的接點數目取決於使用的晶片種類，並且與接點數目對應的連接墊120將被設置在電路基板110上。
請參照第2A圖，在一些實施例中，至少兩對位結構140分別與連接墊120中的至少兩個連接。連接墊120之間互不相連並且具有適當距離，以避免產生短路現象。更進一步來說，在一些實施例中，連接墊120之間的距離至少大於70 μm。具體來說，第2A圖中具有兩組對位結構140，分別位於晶片130的兩個對角線。這四個對位結構140分別與鄰近晶片130四角落的連接墊120連接。更進一步來說，在此實施例中，每一個對位結構140分別與每一連接墊120共同形成矩形，但本揭露的實施例並不以此為限。在其他實施例中，對位結構140分別與每一連接墊120連接將可以形成其他任意形狀。
請參照第2A圖，由於對位結構140以及連接墊120位於同層，因此，在一些實施例中，兩者可以藉由同一製程被形成在電路基板110上。一般來說，用於形成連接墊120的材料包含，例如，金屬材料、銦錫氧化物(Indium tin oxide, ITO)或其他導電材料。晶片130將可以透過與連接墊120接觸進一步與電路基板110形成電連接。在一些實施例中，對位結構140以及連接墊120為相同材料。此外，在一些實施例中，對位結構140與連接墊120電連接。以相同材料形成的對位結構140以及連接墊120，除了有助於簡化製程步驟之外，亦可以使得對位結構140具有導電性。具有導電性的對位結構140與連接墊120形成電連接，將可以提供額外的電性測試點，以降低在連接墊120上測試對連接墊120的損耗。此外，在連接墊120與對位結構140連接的一些實施例中（例如，第2A圖、第2B圖、第2C圖以及第3圖中對位結構140與連接墊120共同形成矩形），將可以有效地降低對位結構140圖案的複雜度，以利對位結構140圖案的形成。
參照第2A圖，在一些實施例中，對位結構140其中每一個的外緣142與晶片130的外緣132之間的距離D2大於晶片130的切割誤差距離。具體來說，晶片130的切割誤差距離將會影響晶片130的邊緣尺寸。當距離D2大於切割誤差距離時，將可以確保晶片130的接點至少部分覆蓋在連接墊120上，以進一步提升晶片130與電路基板110之間電連接的穩定性。一般來說，切割誤差距離取決於製程儀器的切割精度。舉例來說，在一些實施例中，切割誤差距離為20 μm，然而其他合適的數值亦可以被使用。
請參照第2A圖，在一些實施例中，發光面板100更包含多個導線150。這些導線150與連接墊120同層。導線150分別與對位結構140連接。在第2A圖的實施例中，每個連接墊120皆有相應的導線150連接，但本揭露的實施例並不以此為限，具體應參照晶片130的電路設計進行導線150的規劃。在此實施例中，由於四個對位結構140分別與鄰近晶片130四角落的連接墊120連接，並且與每一連接墊120共同形成矩形，因此導線150通過與對位結構140連接將可以進一步連接連接墊120。此外，導線150、連接墊120以及對位結構140皆由相同材料（例如，導電材料）形成。因此，導線150除了可以與連接墊120以及對位結構140在相同製程中被形成之外，亦可以透過與對位結構140連接達成與連接墊120電連接的目的。此外，在第2A圖的實施例中，不位於角落的連接墊120亦可以直接與導線150連接。
請參照第2A圖，在一些實施例中，導線150的寬度L1分別自對位結構140的外緣頸縮。在第2A圖的實施例中，不與對位結構140連接的其餘連接墊120與導線150連接時，導線150的寬度L1亦可以自連接墊120的外緣頸縮。
第2B圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板的局部放大透視圖。請參照第2A圖以及第2B圖，在一些實施例中，發光面板100更包含防焊層160。防焊層160的內緣162包圍晶片130與對位結構140。對位結構140其中每一個的外緣142未被防焊層160覆蓋(如第2A圖)，或者對位結構140其中每一個的外緣142與防焊層160的內緣162對齊(如第2B圖)。在第2A圖所繪示的實施例中，防焊層160為框體狀，並且晶片130被防焊層160圍繞。防焊層160的內緣162與對位結構140的外緣142之間具有距離D1。距離D1大於或等於零表示對位結構140的外緣142將位於防焊層160的內緣162內部(例如，第2A圖所示)，並且與晶片130一起被防焊層160圍繞，或者對位結構140的外緣142以及防焊層160的內緣162可以彼此對齊(例如，第2B圖所示)。
第2C圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板100的局部放大透視圖。請參照第1圖以及第2C圖，在此實施例中不包含前述於第2A圖中提及的防焊層160。因此，發光面板100的對位結構140的外緣142並不會被距離D1（如第2A圖所示）所限制。取而代之的是，第2C圖中的對位結構140的外緣142將會被晶片130的控制面積所限制。第1圖所繪示的發光面板100實施例是採用區域控光技術，因此具有多個獨立的發光區域分別被不同的晶片130所控制。對位結構140外緣142的最大值將可以延伸至晶片130控制區域的邊緣，然而其他在此範圍內的合適距離亦可以被使用。如此一來，對位結構140將可以被有效的放大，以提升其辨識度。
第3圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板100的局部放大透視圖。請參照第3圖，與第2A圖類似地，此實施例具有兩組對位結構140，分別位於晶片130的兩個對角線。然而，在第3圖的實施例中，位於其他位置，例如，鄰近晶片130邊緣但不位於晶片130角落的連接墊120也分別與對位結構140共同形成矩形。如此一來，將可以在安裝晶片130在電路基板110上時，為晶片130提供更多可供參考的對位結構140，協助對位的進行。
第4A圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板100的局部放大透視圖。第4B圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板100的局部放大透視圖。請參照第4A圖以及第4B圖，在一些實施例中，對位結構140與連接墊120分離。具體來說，在第4A圖中的實施例具有兩組對位結構140，分別位於晶片130的兩個對角線。這四個對位結構140皆與連接墊120分離。在此實施例中，對位結構140呈現L形狀，然而其他合適的形狀亦可以被應用在對位結構140上。更具體來說，在一些實施例中，對位結構140每一個的內緣144未被晶片130覆蓋(例如，第4A圖所示)，或者對位結構140其中每一個的內緣144與晶片130的外緣132對齊(例如，第4B圖所示)。具體來說，距離D3表示對位結構140與晶片130之間的間距。透過控制距離D3將可以控制晶片130在對位時可容許的誤差值範圍，並且防止對位結構140被晶片130覆蓋。舉例來說，距離D3的最小值將使得對位結構140的內緣與晶片130的外緣對齊。如此一來，晶片130將可以更精準的依據標記進行對位。在一些實施例中，發光面板100更包含防焊層160。防焊層160的內緣162包圍晶片130與對位結構140。對位結構140其中每一個的外緣142未被防焊層160覆蓋(例如，第4A圖所示)，或者對位結構140其中每一個的外緣142與防焊層160的內緣162對齊(例如，第4B圖所示)。在第4A圖以及第4B圖中的防焊層160為框體狀。距離D4表示對位結構140與防焊層160之間的間距。距離D4等於零時表示對位結構140的外緣142以及防焊層160的內緣162彼此對齊(例如，第4B圖所示)。如此一來，將可以有效地利用晶片130以及防焊層160之間的空間製作對位結構140，進一步避免所形成的對位結構140被晶片130或防焊層160阻擋。
第4C圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板100的局部放大透視圖。請參照第4C圖，此實施例類似於第4A圖中的實施例，然而僅具有一組對位結構140位於晶片130的其中一個對角線上。在此實施例中，對位結構140的內緣144與晶片130的外緣132之間具有距離D3，並且對位結構140的外緣142各別與防焊層160的內緣162之間具有距離D4。距離D3以及距離D4的範圍可以類似或相同於第4A圖中的實施例。
第5圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板100的局部放大透視圖。請參照第5圖，此實施例類似於第4C圖中的實施例，然而位於晶片130的其中一個對角線上的對位結構140分別與連接墊120之間具有電連接。具體來說，對位結構140與連接墊120之間的電連接，是透過在對位結構140與連接墊120之間形成連接圖案152被達成。在第5圖中，此連接圖案152為直線，並且此直線的兩端分別與對位結構140與連接墊120接觸。電連接對位結構140與連接墊120將有助於平衡對位結構140與連接墊120之間的電位差，並進一步達到防止對位結構140產生浮動電位的效果。若在對位結構140上產生浮動電位，將可能影響鄰近對位結構140的連接墊120的電性並影響晶片130表現。因此，可以透過將對位結構140與連接墊120使他們之間的電位差平衡。在一些實施例中，連接圖案152亦可以是連接連接墊120的導線150，並且導線150的寬度L1自連接墊120的外緣頸縮。另一方面，與連接墊120電連接的對位結構140亦可以提供額外的電性測試點，以降低在連接墊120上測試對連接墊120的損耗。
以上對於本揭露之具體實施方式之詳述，可以明顯地看出，於本揭露的一些實施例的發光面板中，藉由結合連接墊以及與連接墊同層的對位結構，進一步提升晶片在電路基板上的對位精度。連接墊與對位結構可以結合並共同形成矩形，如此一來，將可以在精簡製程下簡化對位結構的形狀，並同時在電路基板上為晶片提供標記以進行對位。對位結構與連接墊彼此分離時，可以透過對位結構的內緣位置，為晶片對位提供更精準的標記。此外，彼此分離的對位結構與連接墊可以透過連接結構彼此連接，如此一來，對位結構將可以提供額外的電性測試點，以降低在連接墊上測試對連接墊的損耗。
前文概述了若干實施例之特徵，使得熟習此項技術者可較佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，他們可容易地使用本揭露作為設計或修改用於實現相同目的及/或達成本文中所介紹之實施例之相同優勢的其他製程及結構的基礎。熟習此項技術者亦應認識到，此些等效構造不脫離本揭露之精神及範疇，且他們可在不脫離本揭露之精神及範疇的情況下於本文作出各種改變、代替及替換。
100:發光面板 110:電路基板 120:連接墊 130:晶片 132,142:外緣 140:對位結構 144,162:內緣 150:導線 152:連接圖案 160:防焊層 200:發光元件 A:框 D1,D2,D3,D4:距離 L1:寬度
當結合隨附諸圖閱讀時，得以自以下詳細描述最佳地理解本揭露之態樣。應注意，根據行業上之標準實務，各種特徵未按比例繪製。事實上，為了論述清楚，可任意地增大或減小各種特徵之尺寸。 第1圖為根據本揭露之一些實施例所繪示的發光面板的示意圖。 第2A圖為根據本揭露之一些實施例所繪示的發光面板的局部放大透視圖。 第2B圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板的局部放大透視圖。 第2C圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板的局部放大透視圖。 第3圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板的局部放大透視圖。 第4A圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板的局部放大透視圖。 第4B圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板的局部放大透視圖。 第4C圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板的局部放大透視圖。 第5圖為根據本揭露之另一些實施例所繪示的發光面板的局部放大透視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
110:電路基板
120:連接墊
130:晶片
132,142:外緣
140:對位結構
162:內緣
150:導線
160:防焊層
D1,D2:距離
L1:寬度

Claims (13)

  1. 一種發光面板，包含： 一電路基板； 複數個連接墊，設置在該電路基板上； 一晶片，設置在該電路基板上並至少部分覆蓋該些連接墊；以及 兩對位結構，設置在該電路基板上並且與該些連接墊同層，該兩對位結構位於該晶片斜對的兩角落，並且該兩對位結構的至少一部分凸出於該晶片的一外緣。
  2. 如請求項1所述之發光面板，其中該兩對位結構分別與該些連接墊中的兩個連接。
  3. 如請求項2所述之發光面板，更包含複數個導線，該些導線與該些連接墊同層，並且該些導線分別與該兩對位結構連接。
  4. 如請求項3所述之發光面板，其中該些導線的寬度分別自該兩對位結構的外緣頸縮。
  5. 如請求項2所述之發光面板，其中該兩對位結構分別與該些連接墊中的該兩個共同形成一矩形。
  6. 如請求項2所述之發光面板，其中該兩對位結構其中每一個的一外緣與該晶片的該外緣之間的一距離大於該晶片的一切割誤差距離。
  7. 如請求項6所述之發光面板，其中該切割誤差距離為20 μm。
  8. 如請求項2所述之發光面板，更包含一防焊層，其中該防焊層的一內緣包圍該晶片與該兩對位結構，該兩對位結構其中每一個的一外緣未被該防焊層覆蓋，或者該兩對位結構其中每一個的該外緣與該防焊層的該內緣對齊。
  9. 如請求項1所述之發光面板，其中該兩對位結構與該些連接墊分離。
  10. 如請求項9所述之發光面板，其中該兩對位結構其中每一個的一內緣未被該晶片覆蓋，或者該兩對位結構其中每一個的該內緣與該晶片的該外緣對齊。
  11. 如請求項9所述之發光面板，其中更包含一防焊層，其中該防焊層的一內緣包圍該晶片與該兩對位結構，該兩對位結構其中每一個的一外緣未被該防焊層覆蓋，或者該兩對位結構其中每一個的該外緣與該防焊層的該內緣對齊。
  12. 如請求項9所述之發光面板，其中該兩對位結構分別與該些連接墊中的兩個電連接。
  13. 如請求項1所述之發光面板，其中該兩對位結構以及該些連接墊為相同材料。
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