TWI822024B - 雙頻段天線模組 - Google Patents

雙頻段天線模組 Download PDF

Info

Publication number
TWI822024B
TWI822024B TW111116599A TW111116599A TWI822024B TW I822024 B TWI822024 B TW I822024B TW 111116599 A TW111116599 A TW 111116599A TW 111116599 A TW111116599 A TW 111116599A TW I822024 B TWI822024 B TW I822024B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
insulating substrate
metal layer
conductive
antenna structure
disposed
Prior art date
Application number
TW111116599A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202345457A (zh
Inventor
鄭大福
李守仁
王政一
蘇志銘
Original Assignee
台灣禾邦電子有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣禾邦電子有限公司 filed Critical 台灣禾邦電子有限公司
Priority to TW111116599A priority Critical patent/TWI822024B/zh
Priority to US17/882,593 priority patent/US11962100B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI822024B publication Critical patent/TWI822024B/zh
Publication of TW202345457A publication Critical patent/TW202345457A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q5/00—Arrangements for simultaneous operation of antennas on two or more different wavebands, e.g. dual-band or multi-band arrangements
    • H01Q5/30—Arrangements for providing operation on different wavebands
    • H01Q5/307—Individual or coupled radiating elements, each element being fed in an unspecified way
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q5/00—Arrangements for simultaneous operation of antennas on two or more different wavebands, e.g. dual-band or multi-band arrangements
    • H01Q5/40—Imbricated or interleaved structures; Combined or electromagnetically coupled arrangements, e.g. comprising two or more non-connected fed radiating elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/48—Earthing means; Earth screens; Counterpoises
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H01Q9/0428—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna radiating a circular polarised wave
    • H01Q9/0435—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna radiating a circular polarised wave using two feed points

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

本發明提供一種雙頻段天線模組，其包括第一天線結構以及第二天線結構。第一天線結構包括第一絕緣基板、導電金屬層、多個接地支撐體以及第一饋入接腳。第二天線結構包括第二絕緣基板、頂端金屬層、底端金屬層以及第二饋入接腳。導電金屬層設置在第一絕緣基板的頂端上。多個接地支撐體被配置以用於支撐第一絕緣基板。第二絕緣基板設置在第一絕緣基板的上方。頂端金屬層設置在第二絕緣基板的一頂端上。底端金屬層設置在第二絕緣基板的一底端上。藉此，第一天線結構被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號，第二天線結構被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號，且第一天線結構所發射或者接收的第一頻段訊號小於第二天線結構所發射或者接收的第二頻段訊號。

Description

雙頻段天線模組
本發明涉及一種天線模組，特別是涉及一種雙頻段天線模組。
堆疊型天線都是以天線結構堆疊在電路板上而構成，然而堆疊型天線的天線基板會有因為堆疊的需求而導致重量過重的問題。
本發明所欲解決之問題在於，針對現有技術的不足提供一種雙頻段天線模組。
為了解決上述的問題，本發明所採用的其中一技術手段是提供一種雙頻段天線模組，其包括一第一天線結構以及一第二天線結構。第一天線結構包括一第一絕緣基板、一導電金屬層、多個接地支撐體以及一第一饋入接腳。第二天線結構包括一第二絕緣基板、一頂端金屬層、一底端金屬層以及一第二饋入接腳。其中，導電金屬層設置在第一絕緣基板的一頂端上，多個接地支撐體被配置以用於支撐第一絕緣基板且與導電金屬層彼此分離，且第一饋入接腳穿過第一絕緣基板且與導電金屬層彼此分離。其中，第二絕緣基板設置在第一絕緣基板的上方，頂端金屬層設置在第二絕緣基板的一頂端上，底端金屬層設置在第二絕緣基板的一底端上且與導電金屬層彼此分離，且第二饋入接腳穿過第二絕緣基板與第一絕緣基板且與頂端金屬層、底 端金屬層以及導電金屬層彼此分離。其中，第一天線結構被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號，第二天線結構被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號，且第一天線結構所發射或者接收的第一頻段訊號小於第二天線結構所發射或者接收的第二頻段訊號。
為了解決上述的問題，本發明所採用的另外一技術手段是提供一種雙頻段天線模組，其包括一第一天線結構以及一第二天線結構。第一天線結構包括一第一絕緣基板、一導電金屬層、多個接地支撐體以及一第一饋入接腳。第二天線結構包括一第二絕緣基板、一頂端金屬層、一底端金屬層、一第二饋入接腳、一輔助導電件以及一耦合金屬層。其中，導電金屬層設置在第一絕緣基板的一頂端上，多個接地支撐體被配置以用於支撐第一絕緣基板且與導電金屬層彼此分離，且第一饋入接腳穿過第一絕緣基板且與導電金屬層彼此分離。其中，第二絕緣基板設置在第二絕緣基板的上方，頂端金屬層設置在第二絕緣基板的一頂端上，底端金屬層設置在第二絕緣基板的一底端上且接觸導電金屬層，耦合金屬層設置在第二絕緣基板的一側端上且與頂端金屬層以及底端金屬層彼此分離，輔助導電件貫穿第一絕緣基板且與導電金屬層彼此分離，且第二饋入接腳設置在第一絕緣基板的一底端上且透過輔助導電件以電性連接於耦合金屬層。其中，第一天線結構被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號，第二天線結構被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號，且第一天線結構所發射或者接收的第一頻段訊號小於第二天線結構所發射或者接收的第二頻段訊號。
為了解決上述的問題，本發明所採用的另外再一技術手段是提供一種雙頻段天線模組，其包括一第一天線結構以及一第二天線結構。第一天線結構包括一第一絕緣基板、一導電金屬層、多個接地支撐體以及兩個第一饋入接腳。第二天線結構包括一第二絕緣基板、一頂端金屬層、一底端金 屬層、一第二饋入接腳、兩個輔助導電件以及兩個耦合金屬層。其中，導電金屬層設置在第一絕緣基板的一頂端上，多個接地支撐體被配置以用於支撐第一絕緣基板且與導電金屬層彼此分離，且兩個第一饋入接腳設置在第一絕緣基板的一底端上且與導電金屬層彼此分離。其中，第二絕緣基板設置在第二絕緣基板的上方，頂端金屬層設置在第二絕緣基板的一頂端上，底端金屬層設置在第二絕緣基板的一底端上且接觸導電金屬層，兩個耦合金屬層分別設置在第二絕緣基板的兩個側端上且與頂端金屬層以及底端金屬層彼此分離，每一輔助導電件貫穿第一絕緣基板且與導電金屬層彼此分離，且第二饋入接腳設置在第一絕緣基板的底端上且透過兩個輔助導電件以分別電性連接於兩個耦合金屬層。其中，第一天線結構被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號，第二天線結構被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號，且第一天線結構所發射或者接收的第一頻段訊號小於第二天線結構所發射或者接收的第二頻段訊號。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種雙頻段天線模組，其能通過“多個接地支撐體被配置以用於支撐第一絕緣基板且與導電金屬層彼此分離”以及“第一天線結構所發射或者接收的第一頻段訊號小於第二天線結構所發射或者接收的第二頻段訊號”的技術方案，以使得雙頻段天線模組能夠同時提供高頻模態與低頻模態。
為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
M:雙頻段天線模組
1:第一天線結構
10:第一絕緣基板
1000:未被佔據區域
11:導電金屬層
110:導電延伸部
12:接地支撐體
120:頂端裸露部
121:輔助導電層
13:第一饋入接腳
130:第一裸露部
131:導電延伸部
132:導電接腳部
2:第二天線結構
20:第二絕緣基板
21:頂端金屬層
22:底端金屬層
23:第二饋入接腳
230:第二裸露部
231:第一導電部
232:第二導電部
233:第三導電部
24:輔助導電件
241:頂端導電部
242:底端導電部
243:貫穿導電部
25:耦合金屬層
C:匹配元件
N:匹配電路
B:貫穿導電體
P:電路基板
H1、H2:厚度
圖1為本發明第一實施例的雙頻段天線模組的立體示意圖。
圖2為圖1的II-II剖面線的剖面示意圖。
圖3為本發明第一實施例的雙頻段天線模組的俯視示意圖。
圖4為本發明第二實施例的雙頻段天線模組的立體示意圖。
圖5為本發明第二實施例的雙頻段天線模組的側視示意圖。
圖6為本發明第二實施例的雙頻段天線模組的俯視示意圖。
圖7為本創作第二實施例的雙頻段天線模組在低頻段與高頻段所呈現的反射損失(S11)的曲線圖。
圖8為本創作第二實施例的雙頻段天線模組在低頻段與高頻段所呈現的軸比(AR)的曲線圖。
圖9為本創作第二實施例的雙頻段天線模組在低頻段與高頻段所呈現的增益(gain)的曲線圖。
圖10為本發明第三實施例的雙頻段天線模組的立體示意圖。
圖11為圖10的XI-XI剖面線的剖面示意圖。
圖12為本發明第三實施例的雙頻段天線模組的俯視示意圖。
圖13為本發明第四實施例的雙頻段天線模組的立體示意圖。
圖14為本發明第四實施例的雙頻段天線模組的俯視示意圖。
圖15為本發明第四實施例的雙頻段天線模組的仰視示意圖。
圖16為本發明第五實施例的雙頻段天線模組的立體示意圖。
圖17為本發明第五實施例的雙頻段天線模組的俯視示意圖。
圖18為本發明第五實施例的雙頻段天線模組的仰視示意圖。
圖19為本發明第六實施例的雙頻段天線模組的立體示意圖。
圖20為本發明第六實施例的雙頻段天線模組的俯視示意圖。
圖21為本發明第六實施例的雙頻段天線模組的仰視示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“雙頻段天線模組”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，需事先聲明的是，本發明的圖式僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖3所示，本發明第一實施例提供一種雙頻段天線模組M，其包括一第一天線結構1(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)以及一第二天線結構2(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)。其中，第一天線結構1包括一第一絕緣基板10、一導電金屬層11(或是天線幅射體或是電極面)、多個接地支撐體12以及一第一饋入接腳13(或是第一天線訊號饋入接腳)，並且第二天線結構2包括一第二絕緣基板20、一頂端金屬層21(或是頂端天線幅射體或是頂端電極面)、一底端金屬層22(或是底端天線幅射體或是底端電極面)以及一第二饋入接腳23(或是第二天線訊號饋入接腳)。藉此，第一天線結構1可以被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號(例如1163MHz至1229MHz之間的頻段訊號)，第二天線結構2可以被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號(例如1557MHz至1607MHz之間的頻段訊號)，並且第一天線結構1所發射或者接收的第一頻段訊號(第一天線結構1所提供的低頻模態)小於第二天線結構 2所發射或者接收的第二頻段訊號(第二天線結構2所提供的高頻模態)。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
更進一步來說，配合圖1至圖3所示，導電金屬層11設置在第一絕緣基板10的一頂端上，多個接地支撐體12被配置以用於支撐第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離，並且第一饋入接腳13穿過第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離。再者，第二絕緣基板20設置在第一絕緣基板10的上方，頂端金屬層21設置在第二絕緣基板20的一頂端上，底端金屬層22設置在第二絕緣基板20的一底端上且與導電金屬層11彼此分離，並且第二饋入接腳23穿過第二絕緣基板20與第一絕緣基板10且與頂端金屬層21、底端金屬層22以及導電金屬層11彼此分離。值得注意的是，多個接地支撐體12能夠被配置以提供降低頻率(降頻)的作用。
舉例來說，配合圖1與圖2所示，第一天線結構1的第一絕緣基板10的厚度H1(例如可以是介於0.4mm至2mm之間的厚度)小於第二天線結構2的第二絕緣基板20的厚度H2的1/3至1/10之間，並且第一天線結構1的第一絕緣基板10(例如任何可以用於承載天線的天線承載基板)的介電係數小於第二天線結構2的第二絕緣基板20(例如任何可以用於承載天線的天線承載基板)的介電係數。另外，當雙頻段天線模組M設置在一電路基板P上時，第一饋入接腳13、第二饋入接腳23以及多個接地支撐體12電性連接於電路基板P。此外，多個接地支撐體12設置在第一絕緣基板10以及電路基板P之間，第一絕緣基板10可以透過多個接地支撐體12的支撐而懸置(或是架高)在電路基板P的上方，以使得第一絕緣基板10與電路基板P彼此分離一預定距離，並且第二絕緣基板20可以透過第二饋入接腳23的支撐而懸置(或是架高)在第一絕緣基板10的上方，以使得第二絕緣基板20與第一絕緣基板10彼此分離一預定距離。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖1與圖2所示，第二饋入接腳23包括一第一導電部231、一第二導電部232以及一第三導電部233。其中，第一導電部231貫穿第二絕緣基板20且與頂端金屬層21以及底端金屬層22彼此分離，第二導電部232設置在第一絕緣基板10的下方且與導電金屬層11彼此分離，並且第三導電部233貫穿第一絕緣基板10且電性連接於第一導電部231以及第二導電部232之間。值得注意的是，第二絕緣基板20可以透過第二饋入接腳23的第一導電部231的支撐而懸置(或是架高)在第一絕緣基板10的上方，以使得第二絕緣基板20與第一絕緣基板10彼此分離一預定距離。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖1與圖3所示，第一天線結構1包括設置在第一絕緣基板10的頂端上的多個匹配元件C(例如電感或者電容)，並且每一匹配元件C電性連接於導電金屬層11以及相對應的接地支撐體12之間，以使得天線中心頻率達到匹配(值得注意的是，匹配元件C能夠被配置以提供降低頻率的作用)。另外，多個接地支撐體12分別電性接觸設置在第一絕緣基板10的頂端上的多個輔助導電層121，並且每一接地支撐體12可以透過輔助導電層121以電性連接於相對應的匹配元件C。此外，導電金屬層11具有分別對應於多個接地支撐體12的多個導電延伸部110，並且導電金屬層11可以透過多個導電延伸部110以分別電性連接於多個匹配元件C。值得注意的是，第一絕緣基板10的頂端上具有多個未被佔據區域1000，每一未被佔據區域1000形成在導電金屬層11以及相對應的其中一輔助導電層121之間，並且導電金屬層11的每一導電延伸部110設置在相鄰近的其中兩個未被佔據區域1000之間。再者，每一接地支撐體12的一頂端裸露部120從第一絕緣基板10的頂端裸露而出，第一饋入接腳13具有從第一絕緣基板10的頂端裸露而出的一第一裸露部130，並且第二饋入接腳23具有從第二絕緣基板20的頂端裸露而出的一第二裸露部230。然 而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第二實施例]
參閱圖4至圖9所示，本發明第二實施例提供一種雙頻段天線模組M，其包括一第一天線結構1(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)以及一第二天線結構2(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)。藉此，第一天線結構1可以被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號(例如1163MHz至1229MHz之間的頻段訊號)，第二天線結構2可以被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號(例如1557MHz至1607MHz之間的頻段訊號)，並且第一天線結構1所發射或者接收的第一頻段訊號(第一天線結構1所提供的低頻模態)小於第二天線結構2所發射或者接收的第二頻段訊號(第二天線結構2所提供的高頻模態)。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
值得注意的是，首先，如圖7所示，其為本發明第二實施例的雙頻段天線模組M在低頻段與高頻段所呈現的反射損失(S11)的曲線圖，所以雙頻段天線模組M在低頻段(低工作頻段，例如1195MHz)與高頻段(高工作頻段，例如1585MHz)都能提供較低的反射損失(return loss)。再者，如圖8所示，其為本發明第二實施例的雙頻段天線模組M在低頻段與高頻段所呈現的軸比(AR)的曲線圖，所以雙頻段天線模組M在低頻段與高頻段都能提供較低的軸比(axial ratio)。另外，如圖9所示，其為本發明第二實施例的雙頻段天線模組M在低頻段與高頻段所呈現的增益(gain)的曲線圖，所以雙頻段天線模組M在低頻段與高頻段都能提供較高的增益(gain)。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。
由圖4至圖6分別與圖1至圖3的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最主要的差異在於：在第二實施例中，第一天線結構1包括與第一 饋入接腳13彼此分離的另外一第一饋入接腳13，並且另外一第一饋入接腳13穿過第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離。另外，第二天線結構2包括與第二饋入接腳23彼此分離的另外一第二饋入接腳23，並且另外一第二饋入接腳23穿過第二絕緣基板20與第一絕緣基板10且與頂端金屬層21、底端金屬層22以及導電金屬層11彼此分離。
更進一步來說，配合圖4至圖6所示，當雙頻段天線模組M設置在一電路基板P上時，兩個第一饋入接腳13、兩個第二饋入接腳23以及多個接地支撐體12電性連接於電路基板P。另外，第二絕緣基板20可以透過兩個第二饋入接腳23的支撐而懸置(或是架高)在第一絕緣基板10的上方，以使得第二絕緣基板20與第一絕緣基板10彼此分離一預定距離。此外，每一第二饋入接腳23貫穿第二絕緣基板20以及第一絕緣基板10，並且每一第二饋入接腳23的底部從第一絕緣基板10的底端裸露而出。再者，每一第一饋入接腳13具有從第一絕緣基板10的頂端裸露而出的一第一裸露部130，並且每一第二饋入接腳23具有從第二絕緣基板20的頂端裸露而出的一第二裸露部230。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。
[第三實施例]
參閱圖10至圖12所示，本發明第三實施例提供一種雙頻段天線模組M，其包括一第一天線結構1(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)以及一第二天線結構2(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)。其中，第一天線結構1包括一第一絕緣基板10、一導電金屬層11、多個接地支撐體12以及一第一饋入接腳13，並且第二天線結構2包括一第二絕緣基板20、一頂端金屬層21、一底端金屬層22、一第二饋入接腳23、一輔助導電件24以及一耦合金屬層25。藉此，第一天線結構1可以被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號(例如1163MHz至1229 MHz之間的頻段訊號)，第二天線結構2可以被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號(例如1557MHz至1607MHz之間的頻段訊號)，並且第一天線結構1所發射或者接收的第一頻段訊號(第一天線結構1所提供的低頻模態)小於第二天線結構2所發射或者接收的第二頻段訊號(第二天線結構2所提供的高頻模態)。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
更進一步來說，配合圖10至圖12所示，導電金屬層11設置在第一絕緣基板10的一頂端上，多個接地支撐體12被配置以用於支撐第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離，並且第一饋入接腳13穿過第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離。再者，第二絕緣基板20設置在第二絕緣基板20的上方，頂端金屬層21設置在第二絕緣基板20的一頂端上，底端金屬層22設置在第二絕緣基板20的一底端上且接觸導電金屬層11，耦合金屬層25設置在第二絕緣基板20的一側端上且與頂端金屬層21以及底端金屬層22彼此分離，輔助導電件24貫穿第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離，並且第二饋入接腳23設置在第一絕緣基板10的一底端上且透過輔助導電件24以電性連接於耦合金屬層25。
舉例來說，配合圖10與圖11所示，第一天線結構1的第一絕緣基板10的厚度H1(例如可以是介於0.4mm至2mm之間的厚度)小於第二天線結構2的第二絕緣基板20的厚度H2的1/3至1/10之間，並且第一天線結構1的第一絕緣基板10(例如任何可以用於承載天線的天線承載基板)的介電係數小於第二天線結構2的第二絕緣基板20(例如任何可以用於承載天線的天線承載基板)的介電係數。另外，當雙頻段天線模組M設置在一電路基板P上時，第一饋入接腳13、第二饋入接腳23以及多個接地支撐體12電性連接於電路基板P。此外，多個接地支撐體12設置在第一絕緣基板10以及電路基板P之間，並且第 一絕緣基板10透過多個接地支撐體12的支撐而懸置(或是架高)在電路基板P的上方，以使得第一絕緣基板10與電路基板P彼此分離一預定距離。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖10與圖11所示，耦合金屬層25(例如呈現ㄈ字形的耦合金屬層25)可以從第二絕緣基板20的頂端延伸到第二絕緣基板20的底端，以電性接觸輔助導電件24。另外，輔助導電件24具有一頂端導電部241、一底端導電部242以及一貫穿導電部243。其中，頂端導電部241設置在第一絕緣基板10的頂端上以電性接觸耦合金屬層25，底端導電部242設置在第一絕緣基板10的底端上以電性接觸第二饋入接腳23，並且貫穿導電部243貫穿第一絕緣基板10且電性連接於頂端導電部241與底端導電部242之間。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖10與圖12所示，第一天線結構1包括設置在第一絕緣基板10的頂端上的多個匹配元件C(例如電感或者電容)，並且每一匹配元件C電性連接於導電金屬層11以及相對應的接地支撐體12之間，以使得天線中心頻率達到匹配(值得注意的是，匹配元件C能夠被配置以提供降低頻率的作用)。另外，多個接地支撐體12分別電性接觸設置在第一絕緣基板10的頂端上的多個輔助導電層121，並且每一接地支撐體12可以透過輔助導電層121以電性連接於相對應的匹配元件C。此外，導電金屬層11具有分別對應於多個接地支撐體12的多個導電延伸部110，並且導電金屬層11可以透過多個導電延伸部110以分別電性連接於多個匹配元件C。值得注意的是，第一絕緣基板10的頂端上具有多個未被佔據區域1000，每一未被佔據區域1000形成在導電金屬層11以及相對應的其中一輔助導電層121之間，並且導電金屬層11的每一導電延伸部110設置在相鄰近的其中兩個未被佔據區域1000之間。再者，每一接地支撐體12的一頂端裸露部120從第一絕緣基板10的頂端裸露而出，並且 第一饋入接腳13具有從第一絕緣基板10的頂端裸露而出的一第一裸露部130。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第四實施例]
參閱圖13至圖15所示，本發明第四實施例提供一種雙頻段天線模組M，其包括一第一天線結構1(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)以及一第二天線結構2(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)。藉此，第一天線結構1可以被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號(例如1163MHz至1229MHz之間的頻段訊號)，第二天線結構2可以被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號(例如1557MHz至1607MHz之間的頻段訊號)，並且第一天線結構1所發射或者接收的第一頻段訊號(第一天線結構1所提供的低頻模態)小於第二天線結構2所發射或者接收的第二頻段訊號(第二天線結構2所提供的高頻模態)。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
由圖13至圖15分別與圖10至圖12的比較可知，本發明第四實施例與第三實施例最主要的差異在於：在第四實施例中，第一天線結構1包括與第一饋入接腳13彼此分離的另外一第一饋入接腳13，並且另外一第一饋入接腳13穿過第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離。另外，第二天線結構2包括與輔助導電件24彼此分離的另外一輔助導電件24以及與耦合金屬層25彼此分離的另外一耦合金屬層25，另外一輔助導電件24貫穿第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離，並且另外一耦合金屬層25設置在第二絕緣基板20的另一側端上且與頂端金屬層21以及底端金屬層22彼此分離。
更進一步來說，配合圖13至圖15所示，當雙頻段天線模組M設置在一電路基板(圖未示)上時，兩個第一饋入接腳13、第二饋入接腳23以及多個接地支撐體12電性連接於電路基板(圖未示)。另外，兩個耦合金屬 層25(例如呈現ㄈ字形的耦合金屬層25)可以從第二絕緣基板20的頂端延伸到第二絕緣基板20的底端，以分別電性接觸兩個輔助導電件24。此外，每一輔助導電件24具有一頂端導電部241、一底端導電部242以及一貫穿導電部243。其中，頂端導電部241設置在第一絕緣基板10的頂端上以電性接觸相對應的耦合金屬層25，底端導電部242設置在第一絕緣基板10的底端上以透過一匹配電路N(例如包括有多個電感及/或電容的90度相位差網路，並且90度相位差網路也可以設置在電路基板上)而電性連接於第二饋入接腳23，並且貫穿導電部243貫穿第一絕緣基板10且電性連接於頂端導電部241與底端導電部242之間。再者，每一第一饋入接腳13具有從第一絕緣基板10的頂端裸露而出的一第一裸露部130。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。
[第五實施例]
參閱圖16至圖18所示，本發明第五實施例提供一種雙頻段天線模組M，其包括一第一天線結構1(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)以及一第二天線結構2(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)。藉此，第一天線結構1可以被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號(例如1163MHz至1229MHz之間的頻段訊號)，第二天線結構2可以被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號(例如1557MHz至1607MHz之間的頻段訊號)，並且第一天線結構1所發射或者接收的第一頻段訊號(第一天線結構1所提供的低頻模態)小於第二天線結構2所發射或者接收的第二頻段訊號(第二天線結構2所提供的高頻模態)。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
由圖16至圖18分別與圖13至圖15的比較可知，本發明第五實施例與第四實施例最主要的差異在於：在第五實施例中，第一饋入接腳13具有 兩個第一裸露部130、兩個導電延伸部131以及一導電接腳部132。其中，兩個第一裸露部130從第一絕緣基板10的頂端裸露而出，兩個導電延伸部131設置在第一絕緣基板10的底端上且分別電性連接於兩個第一裸露部130，並且導電接腳部132透過另外一匹配電路N(例如包括有多個電感及/或電容的90度相位差網路，並且90度相位差網路也可以設置在電路基板上)以電性連接於兩個導電延伸部131。
[第六實施例]
參閱圖19至圖21所示，本發明第六實施例提供一種雙頻段天線模組M，其包括一第一天線結構1(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)以及一第二天線結構2(例如可為線性極化天線、左旋圓極化天線或者右旋圓極化天線)。其中，第一天線結構1包括一第一絕緣基板10、一導電金屬層11、多個接地支撐體12以及兩個第一饋入接腳13，並且第二天線結構2包括一第二絕緣基板20、一頂端金屬層21、一底端金屬層22、一第二饋入接腳23、兩個輔助導電件24以及兩個耦合金屬層25。藉此，第一天線結構1可以被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號(例如1163MHz至1229MHz之間的頻段訊號)，第二天線結構2可以被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號(例如1557MHz至1607MHz之間的頻段訊號)，並且第一天線結構1所發射或者接收的第一頻段訊號(第一天線結構1所提供的低頻模態)小於第二天線結構2所發射或者接收的第二頻段訊號(第二天線結構2所提供的高頻模態)。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
更進一步來說，配合圖19至圖21所示，導電金屬層11設置在第一絕緣基板10的一頂端上，多個接地支撐體12被配置以用於支撐第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離，並且兩個第一饋入接腳13設置在第一絕緣 基板10的一底端上且與導電金屬層11彼此分離。另外，第二絕緣基板20設置在第二絕緣基板20的上方，頂端金屬層21設置在第二絕緣基板20的一頂端上，底端金屬層22設置在第二絕緣基板20的一底端上且接觸導電金屬層11，兩個耦合金屬層25分別設置在第二絕緣基板20的兩個側端上且與頂端金屬層21以及底端金屬層22彼此分離，每一輔助導電件24貫穿第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離，並且第二饋入接腳23設置在第一絕緣基板10的底端上且透過兩個輔助導電件24以分別電性連接於兩個耦合金屬層25。
舉例來說，配合圖19與圖20所示，第一天線結構1的第一絕緣基板10的厚度H1(例如可以是介於0.4mm至2mm之間的厚度)小於第二天線結構2的第二絕緣基板20的厚度H2的1/3至1/10之間，並且第一天線結構1的第一絕緣基板10(例如任何可以用於承載天線的天線承載基板)的介電係數小於第二天線結構2的第二絕緣基板20(例如任何可以用於承載天線的天線承載基板)的介電係數。另外，當雙頻段天線模組M設置在一電路基板(圖未示)上時，兩個第一饋入接腳13、第二饋入接腳23以及多個接地支撐體12電性連接於電路基板(圖未示)。此外，多個接地支撐體12設置在第一絕緣基板10以及電路基板(圖未示)之間，並且第一絕緣基板10透過多個接地支撐體12的支撐而懸置(或是架高)在電路基板P的上方，以使得第一絕緣基板10與電路基板P彼此分離一預定距離。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖19與圖20所示，兩個耦合金屬層25(例如呈現ㄈ字形的耦合金屬層25)可以從第二絕緣基板20的頂端延伸到第二絕緣基板20的底端，以分別電性接觸兩個輔助導電件24。另外，每一輔助導電件24具有一頂端導電部241、一底端導電部242以及一貫穿導電部243，頂端導電部241設置在第一絕緣基板10的頂端上以電性接觸相對應的耦合金屬層25，底端 導電部242設置在第一絕緣基板10的底端上以電性接觸第二饋入接腳23，並且貫穿導電部243貫穿第一絕緣基板10且電性連接於頂端導電部241與底端導電部242之間。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖19與圖21所示，第一天線結構1包括設置在第一絕緣基板10的底端上的多個匹配元件C(例如電感或者電容)，並且每一匹配元件C電性連接於導電金屬層11以及相對應的接地支撐體12之間，以使得天線中心頻率達到匹配(值得注意的是，匹配元件C能夠被配置以提供降低頻率的作用)。另外，多個接地支撐體12分別電性接觸設置在第一絕緣基板10的底端上的多個輔助導電層121，並且每一接地支撐體12透過輔助導電層121以電性連接於相對應的匹配元件C。此外，導電金屬層11透過多個貫穿導電體B以分別電性連接於多個匹配元件C，並且多個貫穿導電體B貫穿第一絕緣基板10且分別延伸以電性接觸多個匹配元件C。值得注意的是，每一接地支撐體12不會從第一絕緣基板10的頂端裸露而出，並且兩個第一饋入接腳13不會從第一絕緣基板10的頂端裸露而出。另外，由於多個匹配元件C設置在第一絕緣基板10的底端上，所以第一天線結構1以及第二天線結構2的在水平方向上的面積可以非相接近，藉此以有效降低第一天線結構1的整體尺寸。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種雙頻段天線模組M，其能通過“多個接地支撐體12被配置以用於支撐第一絕緣基板10且與導電金屬層11彼此分離”以及“第一天線結構1所發射或者接收的第一頻段訊號小於第二天線結構2所發射或者接收的第二頻段訊號”的技術方案，以使得雙頻段天線模組M能夠同時提供高頻模態與低頻模態。
值得注意的是，本發明所提供的一種雙頻段天線模組M可以藉由電極面的修正而形成一線性極化天線或是一圓形極化天線，或者是雙頻段天線模組M可以經由90度相位差網路或者匹配元件以產生圓形極化天線，並且此相位差網路可以設置在第一絕緣基板10(低介電係數基板)或者電路基板P的接地層上。藉此，本發明所提供的一種雙頻段天線模組M具有較寬的頻寬、較輕的重量、較佳的增益以及較好的隔離度。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
M:雙頻段天線模組
1:第一天線結構
10:第一絕緣基板
1000:未被佔據區域
11:導電金屬層
110:導電延伸部
12:接地支撐體
120:頂端裸露部
121:輔助導電層
13:第一饋入接腳
130:第一裸露部
2:第二天線結構
20:第二絕緣基板
21:頂端金屬層
23:第二饋入接腳
230:第二裸露部
231:第一導電部
232:第二導電部
233:第三導電部
C:匹配元件

Claims (9)

  1. 一種雙頻段天線模組，其包括：一第一天線結構，所述第一天線結構包括一第一絕緣基板、一導電金屬層、多個接地支撐體以及一第一饋入接腳；以及一第二天線結構，所述第二天線結構包括一第二絕緣基板、一頂端金屬層、一底端金屬層以及一第二饋入接腳；其中，所述導電金屬層設置在所述第一絕緣基板的一頂端上，多個所述接地支撐體被配置以用於支撐所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離，且所述第一饋入接腳穿過所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離；其中，所述第二絕緣基板設置在所述第一絕緣基板的上方，所述頂端金屬層設置在所述第二絕緣基板的一頂端上，所述底端金屬層設置在所述第二絕緣基板的一底端上且與所述導電金屬層彼此分離，且所述第二饋入接腳穿過所述第二絕緣基板與所述第一絕緣基板且與所述頂端金屬層、所述底端金屬層以及所述導電金屬層彼此分離；其中，所述第一天線結構包括設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上的多個匹配元件，且每一所述匹配元件電性連接於所述導電金屬層以及相對應的所述接地支撐體之間；其中，所述第一天線結構被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號，所述第二天線結構被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號，且所述第一天線結構所發射或者接收的所述第一頻段訊號小於所述第二天線結構所發射或者接收的所述第二頻段訊號。
  2. 如請求項1所述的雙頻段天線模組， 其中，所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的厚度小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的厚度的1/3至1/10之間，且所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的介電係數小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的介電係數；其中，當所述雙頻段天線模組設置在一電路基板上時，所述第一饋入接腳、所述第二饋入接腳以及多個所述接地支撐體電性連接於所述電路基板；其中，多個所述接地支撐體設置在所述第一絕緣基板以及所述電路基板之間，所述第一絕緣基板透過多個所述接地支撐體的支撐而懸置在所述電路基板的上方，以使得所述第一絕緣基板與所述電路基板彼此分離一預定距離，且所述第二絕緣基板透過所述第二饋入接腳的支撐而懸置在所述第一絕緣基板的上方，以使得所述第二絕緣基板與所述第一絕緣基板彼此分離一預定距離；其中，所述第二饋入接腳包括一第一導電部、一第二導電部以及一第三導電部，所述第一導電部貫穿所述第二絕緣基板且與所述頂端金屬層以及所述底端金屬層彼此分離，所述第二導電部設置在所述第一絕緣基板的下方且與所述導電金屬層彼此分離，且所述第三導電部貫穿所述第一絕緣基板且電性連接於所述第一導電部以及所述第二導電部之間；其中，多個所述接地支撐體分別電性接觸設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上的多個輔助導電層，且每一所述接地支撐體透過所述輔助導電層以電性連接於相對應的所述匹配元件；其中，所述導電金屬層具有分別對應於多個所述接地支撐體 的多個導電延伸部，且所述導電金屬層透過多個所述導電延伸部以分別電性連接於多個所述匹配元件；其中，所述第一絕緣基板的所述頂端上具有多個未被佔據區域，每一所述未被佔據區域形成在所述導電金屬層以及相對應的其中一所述輔助導電層之間，且所述導電金屬層的每一所述導電延伸部設置在相鄰近的其中兩個所述未被佔據區域之間；其中，每一所述接地支撐體的一頂端裸露部從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出，所述第一饋入接腳具有從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出的一第一裸露部，且所述第二饋入接腳具有從所述第二絕緣基板的所述頂端裸露而出的一第二裸露部。
  3. 如請求項1所述的雙頻段天線模組，其中，所述第一天線結構包括與所述第一饋入接腳彼此分離的另外一第一饋入接腳，且另外一所述第一饋入接腳穿過所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離；其中，所述第二天線結構包括與所述第二饋入接腳彼此分離的另外一第二饋入接腳，且另外一所述第二饋入接腳穿過所述第二絕緣基板與所述第一絕緣基板且與所述頂端金屬層、所述底端金屬層以及所述導電金屬層彼此分離；其中，所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的厚度小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的厚度的1/3至1/10之間，且所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的介電係數小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的介電係數；其中，當所述雙頻段天線模組設置在一電路基板上時，兩個 所述第一饋入接腳、兩個所述第二饋入接腳以及多個所述接地支撐體電性連接於所述電路基板；其中，多個所述接地支撐體設置在所述第一絕緣基板以及所述電路基板之間，所述第一絕緣基板透過多個所述接地支撐體的支撐而懸置在所述電路基板的上方，以使得所述第一絕緣基板與所述電路基板彼此分離一預定距離，且所述第二絕緣基板透過兩個所述第二饋入接腳的支撐而懸置在所述第一絕緣基板的上方，以使得所述第二絕緣基板與所述第一絕緣基板彼此分離一預定距離；其中，每一所述第二饋入接腳貫穿所述第二絕緣基板以及所述第一絕緣基板，且每一所述第二饋入接腳的底部從所述第一絕緣基板的底端裸露而出；其中，多個所述接地支撐體分別電性接觸設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上的多個輔助導電層，且每一所述接地支撐體透過所述輔助導電層以電性連接於相對應的所述匹配元件；其中，所述導電金屬層具有分別對應於多個所述接地支撐體的多個導電延伸部，且所述導電金屬層透過多個所述導電延伸部以分別電性連接於多個所述匹配元件；其中，所述第一絕緣基板的所述頂端上具有多個未被佔據區域，每一所述未被佔據區域形成在所述導電金屬層以及相對應的其中一所述輔助導電層之間，且所述導電金屬層的每一所述導電延伸部設置在相鄰近的其中兩個所述未被佔據區域之間；其中，每一所述接地支撐體的一頂端裸露部從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出，每一所述第一饋入接腳具有從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出的一第一裸露部， 且每一所述第二饋入接腳具有從所述第二絕緣基板的所述頂端裸露而出的一第二裸露部。
  4. 一種雙頻段天線模組，其包括：一第一天線結構，所述第一天線結構包括一第一絕緣基板、一導電金屬層、多個接地支撐體以及一第一饋入接腳；以及一第二天線結構，所述第二天線結構包括一第二絕緣基板、一頂端金屬層、一底端金屬層、一第二饋入接腳、一輔助導電件以及一耦合金屬層；其中，所述導電金屬層設置在所述第一絕緣基板的一頂端上，多個所述接地支撐體被配置以用於支撐所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離，且所述第一饋入接腳穿過所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離；其中，所述第二絕緣基板設置在所述第二絕緣基板的上方，所述頂端金屬層設置在所述第二絕緣基板的一頂端上，所述底端金屬層設置在所述第二絕緣基板的一底端上且接觸所述導電金屬層，所述耦合金屬層設置在所述第二絕緣基板的一側端上且與所述頂端金屬層以及所述底端金屬層彼此分離，所述輔助導電件貫穿所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離，且所述第二饋入接腳設置在所述第一絕緣基板的一底端上且透過所述輔助導電件以電性連接於所述耦合金屬層；其中，所述第一天線結構被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號，所述第二天線結構被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號，且所述第一天線結構所發射或者接收的所述第一頻段訊號小於所述第二天線結構所發射或者接收 的所述第二頻段訊號。
  5. 如請求項4所述的雙頻段天線模組，其中，所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的厚度小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的厚度的1/3至1/10之間，且所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的介電係數小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的介電係數；其中，當所述雙頻段天線模組設置在一電路基板上時，所述第一饋入接腳、所述第二饋入接腳以及多個所述接地支撐體電性連接於所述電路基板；其中，多個所述接地支撐體設置在所述第一絕緣基板以及所述電路基板之間，且所述第一絕緣基板透過多個所述接地支撐體的支撐而懸置在所述電路基板的上方，以使得所述第一絕緣基板與所述電路基板彼此分離一預定距離；其中，所述耦合金屬層從所述第二絕緣基板的所述頂端延伸到所述第二絕緣基板的所述底端，以電性接觸所述輔助導電件；其中，所述輔助導電件具有一頂端導電部、一底端導電部以及一貫穿導電部，所述頂端導電部設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上以電性接觸所述耦合金屬層，所述底端導電部設置在所述第一絕緣基板的所述底端上以電性接觸所述第二饋入接腳，且所述貫穿導電部貫穿所述第一絕緣基板且電性連接於所述頂端導電部與所述底端導電部之間；其中，所述第一天線結構包括設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上的多個匹配元件，且每一所述匹配元件電性連接於所述導電金屬層以及相對應的所述接地支撐體之間； 其中，多個所述接地支撐體分別電性接觸設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上的多個輔助導電層，且每一所述接地支撐體透過所述輔助導電層以電性連接於相對應的所述匹配元件；其中，所述導電金屬層具有分別對應於多個所述接地支撐體的多個導電延伸部，且所述導電金屬層透過多個所述導電延伸部以分別電性連接於多個所述匹配元件；其中，所述第一絕緣基板的所述頂端上具有多個未被佔據區域，每一所述未被佔據區域形成在所述導電金屬層以及相對應的其中一所述輔助導電層之間，且所述導電金屬層的每一所述導電延伸部設置在相鄰近的其中兩個所述未被佔據區域之間；其中，每一所述接地支撐體的一頂端裸露部從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出，且所述第一饋入接腳具有從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出的一第一裸露部。
  6. 如請求項4所述的雙頻段天線模組，其中，所述第一天線結構包括與所述第一饋入接腳彼此分離的另外一第一饋入接腳，且另外一所述第一饋入接腳穿過所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離；其中，所述第二天線結構包括與所述輔助導電件彼此分離的另外一輔助導電件以及與所述耦合金屬層彼此分離的另外一耦合金屬層，另外一所述輔助導電件貫穿所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離，且另外一所述耦合金屬層設置在所述第二絕緣基板的另一側端上且與所述頂端金屬層以及所述底端金屬層彼此分離；其中，所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的厚度小於所 述第二天線結構的所述第二絕緣基板的厚度的1/3至1/10之間，且所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的介電係數小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的介電係數；其中，當所述雙頻段天線模組設置在一電路基板上時，兩個所述第一饋入接腳、所述第二饋入接腳以及多個所述接地支撐體電性連接於所述電路基板；其中，多個所述接地支撐體設置在所述第一絕緣基板以及所述電路基板之間，且所述第一絕緣基板透過多個所述接地支撐體的支撐而懸置在所述電路基板的上方，以使得所述第一絕緣基板與所述電路基板彼此分離一預定距離；其中，兩個所述耦合金屬層從所述第二絕緣基板的所述頂端延伸到所述第二絕緣基板的所述底端，以分別電性接觸兩個所述輔助導電件；其中，每一所述輔助導電件具有一頂端導電部、一底端導電部以及一貫穿導電部，所述頂端導電部設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上以電性接觸相對應的所述耦合金屬層，所述底端導電部設置在所述第一絕緣基板的所述底端上以透過一匹配電路而電性連接於所述第二饋入接腳，且所述貫穿導電部貫穿所述第一絕緣基板且電性連接於所述頂端導電部與所述底端導電部之間；其中，所述第一天線結構包括設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上的多個匹配元件，且每一所述匹配元件電性連接於所述導電金屬層以及相對應的所述接地支撐體之間；其中，多個所述接地支撐體分別電性接觸設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上的多個輔助導電層，且每一所述接地支撐體透過所述輔助導電層以電性連接於相對應的所述匹 配元件；其中，所述導電金屬層具有分別對應於多個所述接地支撐體的多個導電延伸部，且所述導電金屬層透過多個所述導電延伸部以分別電性連接於多個所述匹配元件；其中，所述第一絕緣基板的所述頂端上具有多個未被佔據區域，每一所述未被佔據區域形成在所述導電金屬層以及相對應的其中一所述輔助導電層之間，且所述導電金屬層的每一所述導電延伸部設置在相鄰近的其中兩個所述未被佔據區域之間；其中，每一所述接地支撐體的一頂端裸露部從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出，且每一所述第一饋入接腳具有從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出的一第一裸露部。
  7. 如請求項4所述的雙頻段天線模組，其中，所述第二天線結構包括與所述輔助導電件彼此分離的另外一輔助導電件以及與所述耦合金屬層彼此分離的另外一耦合金屬層，另外一所述輔助導電件貫穿所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離，且另外一所述耦合金屬層設置在所述第二絕緣基板的另一側端上且與所述頂端金屬層以及所述底端金屬層彼此分離；其中，所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的厚度小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的厚度的1/3至1/10之間，且所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的介電係數小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的介電係數；其中，當所述雙頻段天線模組設置在一電路基板上時，所述 第一饋入接腳、所述第二饋入接腳以及多個所述接地支撐體電性連接於所述電路基板；其中，多個所述接地支撐體設置在所述第一絕緣基板以及所述電路基板之間，且所述第一絕緣基板透過多個所述接地支撐體的支撐而懸置在所述電路基板的上方，以使得所述第一絕緣基板與所述電路基板彼此分離一預定距離；其中，兩個所述耦合金屬層從所述第二絕緣基板的所述頂端延伸到所述第二絕緣基板的所述底端，以分別電性接觸兩個所述輔助導電件；其中，每一所述輔助導電件具有一頂端導電部、一底端導電部以及一貫穿導電部，所述頂端導電部設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上以電性接觸相對應的所述耦合金屬層，所述底端導電部設置在所述第一絕緣基板的所述底端上以透過一匹配電路而電性連接於所述第二饋入接腳，且所述貫穿導電部貫穿所述第一絕緣基板且電性連接於所述頂端導電部與所述底端導電部之間；其中，所述第一天線結構包括設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上的多個匹配元件，且每一所述匹配元件電性連接於所述導電金屬層以及相對應的所述接地支撐體之間；其中，多個所述接地支撐體分別電性接觸設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上的多個輔助導電層，且每一所述接地支撐體透過所述輔助導電層以電性連接於相對應的所述匹配元件；其中，所述導電金屬層具有分別對應於多個所述接地支撐體的多個導電延伸部，且所述導電金屬層透過多個所述導電延伸部以分別電性連接於多個所述匹配元件；其中，所述第一絕緣基板的所述頂端上具有多個未被佔據區 域，每一所述未被佔據區域形成在所述導電金屬層以及相對應的其中一所述輔助導電層之間，且所述導電金屬層的每一所述導電延伸部設置在相鄰近的其中兩個所述未被佔據區域之間；其中，每一所述接地支撐體的一頂端裸露部從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出，且所述第一饋入接腳具有從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出的兩個第一裸露部、設置在所述第一絕緣基板的所述底端上且分別電性連接於兩個所述第一裸露部的兩個導電延伸部以及透過另外一匹配電路以電性連接於兩個所述導電延伸部的一導電接腳部。
  8. 一種雙頻段天線模組，其包括：一第一天線結構，所述第一天線結構包括一第一絕緣基板、一導電金屬層、多個接地支撐體以及兩個第一饋入接腳；以及一第二天線結構，所述第二天線結構包括一第二絕緣基板、一頂端金屬層、一底端金屬層、一第二饋入接腳、兩個輔助導電件以及兩個耦合金屬層；其中，所述導電金屬層設置在所述第一絕緣基板的一頂端上，多個所述接地支撐體被配置以用於支撐所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離，且兩個所述第一饋入接腳設置在所述第一絕緣基板的一底端上且與所述導電金屬層彼此分離；其中，所述第二絕緣基板設置在所述第二絕緣基板的上方，所述頂端金屬層設置在所述第二絕緣基板的一頂端上，所述底端金屬層設置在所述第二絕緣基板的一底端上且接觸 所述導電金屬層，兩個所述耦合金屬層分別設置在所述第二絕緣基板的兩個側端上且與所述頂端金屬層以及所述底端金屬層彼此分離，每一所述輔助導電件貫穿所述第一絕緣基板且與所述導電金屬層彼此分離，且所述第二饋入接腳設置在所述第一絕緣基板的所述底端上且透過兩個所述輔助導電件以分別電性連接於兩個所述耦合金屬層；其中，所述第一天線結構被配置以用於發射或者接收一第一頻段訊號，所述第二天線結構被配置以用於發射或者接收一第二頻段訊號，且所述第一天線結構所發射或者接收的所述第一頻段訊號小於所述第二天線結構所發射或者接收的所述第二頻段訊號。
  9. 如請求項8所述的雙頻段天線模組，其中，所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的厚度小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的厚度的1/3至1/10之間，且所述第一天線結構的所述第一絕緣基板的介電係數小於所述第二天線結構的所述第二絕緣基板的介電係數；其中，當所述雙頻段天線模組設置在一電路基板上時，兩個所述第一饋入接腳、所述第二饋入接腳以及多個所述接地支撐體電性連接於所述電路基板；其中，多個所述接地支撐體設置在所述第一絕緣基板以及所述電路基板之間，且所述第一絕緣基板透過多個所述接地支撐體的支撐而懸置在所述電路基板的上方，以使得所述第一絕緣基板與所述電路基板彼此分離一預定距離；其中，兩個所述耦合金屬層從所述第二絕緣基板的所述頂端延伸到所述第二絕緣基板的所述底端，以分別電性接觸兩 個所述輔助導電件；其中，每一所述輔助導電件具有一頂端導電部、一底端導電部以及一貫穿導電部，所述頂端導電部設置在所述第一絕緣基板的所述頂端上以電性接觸相對應的所述耦合金屬層，所述底端導電部設置在所述第一絕緣基板的所述底端上以電性接觸所述第二饋入接腳，且所述貫穿導電部貫穿所述第一絕緣基板且電性連接於所述頂端導電部與所述底端導電部之間；其中，所述第一天線結構包括設置在所述第一絕緣基板的所述底端上的多個匹配元件，且每一所述匹配元件電性連接於所述導電金屬層以及相對應的所述接地支撐體之間；其中，多個所述接地支撐體分別電性接觸設置在所述第一絕緣基板的所述底端上的多個輔助導電層，且每一所述接地支撐體透過所述輔助導電層以電性連接於相對應的所述匹配元件；其中，所述導電金屬層透過多個貫穿導電體以分別電性連接於多個所述匹配元件，且多個所述貫穿導電體貫穿所述第一絕緣基板且分別延伸以電性接觸多個所述匹配元件；其中，每一所述接地支撐體不會從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出，且兩個所述第一饋入接腳不會從所述第一絕緣基板的所述頂端裸露而出。
TW111116599A 2022-05-03 2022-05-03 雙頻段天線模組 TWI822024B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111116599A TWI822024B (zh) 2022-05-03 2022-05-03 雙頻段天線模組
US17/882,593 US11962100B2 (en) 2022-05-03 2022-08-07 Dual-band antenna module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111116599A TWI822024B (zh) 2022-05-03 2022-05-03 雙頻段天線模組

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI822024B true TWI822024B (zh) 2023-11-11
TW202345457A TW202345457A (zh) 2023-11-16

Family

ID=88648340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111116599A TWI822024B (zh) 2022-05-03 2022-05-03 雙頻段天線模組

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11962100B2 (zh)
TW (1) TWI822024B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200832809A (en) * 2007-01-29 2008-08-01 Cirocomm Technology Corp Planar circularly polarized antenna structure
TWM364286U (en) * 2009-05-06 2009-09-01 Wha Yu Ind Co Ltd Circularly-polarized antenna structure
TW201433001A (zh) * 2013-02-06 2014-08-16 Inpaq Technology Co Ltd 雙頻段天線結構及其製作方法
TW201911642A (zh) * 2017-08-02 2019-03-16 佳邦科技股份有限公司 可攜式電子裝置及其堆疊式天線模組

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10594019B2 (en) * 2016-12-03 2020-03-17 International Business Machines Corporation Wireless communications package with integrated antenna array
US11049658B2 (en) * 2016-12-22 2021-06-29 Kymeta Corporation Storage capacitor for use in an antenna aperture
US11292166B2 (en) * 2017-04-07 2022-04-05 Tactotek Oy Method for manufacturing an electronic assembly and an electronic assembly
US20180294558A1 (en) * 2017-04-07 2018-10-11 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency module with integrated conformal shield antenna
TWI668831B (zh) * 2018-04-17 2019-08-11 矽品精密工業股份有限公司 電子裝置與電子封裝件
TWI733042B (zh) * 2018-04-27 2021-07-11 詠業科技股份有限公司 多頻天線裝置
US11658391B2 (en) * 2020-12-21 2023-05-23 Qualcomm Incorporated Antenna module
TWI756130B (zh) * 2021-05-18 2022-02-21 耀登科技股份有限公司 雙極化天線結構

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200832809A (en) * 2007-01-29 2008-08-01 Cirocomm Technology Corp Planar circularly polarized antenna structure
TWM364286U (en) * 2009-05-06 2009-09-01 Wha Yu Ind Co Ltd Circularly-polarized antenna structure
TW201433001A (zh) * 2013-02-06 2014-08-16 Inpaq Technology Co Ltd 雙頻段天線結構及其製作方法
TW201911642A (zh) * 2017-08-02 2019-03-16 佳邦科技股份有限公司 可攜式電子裝置及其堆疊式天線模組

Also Published As

Publication number Publication date
TW202345457A (zh) 2023-11-16
US20230361468A1 (en) 2023-11-09
US11962100B2 (en) 2024-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8325093B2 (en) Planar ultrawideband modular antenna array
JP6526069B2 (ja) 多層基板における信号結合
US9865928B2 (en) Dual-polarized antenna
US6583765B1 (en) Slot antenna having independent antenna elements and associated circuitry
KR940001607B1 (ko) 마이크로웨이브 안테나
JP2001085939A (ja) プリント二偏波アンテナとそのアンテナ・ネットワーク
US20130285857A1 (en) Antenna arrangement
US20200321708A1 (en) Ultra-wideband Modular Tightly Coupled Array Antenna
EP0957537A2 (en) Circularly polarized cross dipole antenna
US8872717B2 (en) High isolation dual polarized dipole antenna elements and feed system
CN106252872B (zh) 同极化微带双工天线阵列
GB2210510A (en) Microwave balun
US8558740B2 (en) Hybrid single aperture inclined antenna
US4035807A (en) Integrated microwave phase shifter and radiator module
US20030112200A1 (en) Horizontally polarized printed circuit antenna array
CN108777352A (zh) 一种双极化微带贴片振子组件
CN115428262A (zh) 具有中心馈电天线阵列的微带天线装置
TWI822024B (zh) 雙頻段天線模組
CN106299688A (zh) 宽带双频双圆极化小频比的微带天线阵列
KR101833037B1 (ko) 다중편파 안테나
EP1194979A1 (en) Means for handling high-frequency energy
US9583841B2 (en) Balun
US8878624B2 (en) Microstrip to airstrip transition with low passive inter-modulation
JP2015171108A (ja) パッチアンテナ
CN101459284A (zh) 天线装置