TWI820971B - 可吸附不同晶圓尺寸之吸盤 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種可吸附不同晶圓尺寸之吸盤，包含一基座、一黏結層及一多孔層。該基座上具有複數個流道，該流道上具有一或複數個雙向氣孔，該雙向氣孔可與一管路相連通，藉以由一給氣系統及一真空系統使吸盤的該些雙向氣孔可依據加工需求而個別進行吹氣或吸氣之調控。而該多孔層具有複數個孔洞，且依據該孔洞之大小區分為大孔徑孔洞區及小孔徑孔洞區，其中，該多孔層對應該欲吸附晶圓之大小，形成第1至n個吸附區，透過對該雙向氣孔之調控，使該多孔層對應其欲吸附晶圓之大小為吸附區，且該多孔層未吸附晶圓之區域為排氣區。本發明之吸盤可隨不同晶圓尺寸大小，即時調整吸盤上各區域的吹氣或吸附狀態，藉此吸附不同尺寸的晶圓，減少因更換吸盤而耗費的人力及時間。
Description
本發明係關於一種吸盤，特別係一種可吸附不同晶圓尺寸之吸盤。
現今研磨或拋光的過程中，係將晶圓整面吸附於真空吸盤上以固定之，再以砂輪對晶圓進行研磨加工。一般而言，真空吸盤的尺寸與待研磨的晶圓尺寸間有嚴格的對應關係，一種真空吸盤的尺寸僅能對應一種晶圓尺寸，即一旦需要研磨不同尺寸的晶圓時，也必須同時更換對應該晶圓尺寸之真空吸盤。然而更換真空吸盤為一高精度作業，因此在更換過程中必須耗費人員大量精力與時間進行調整以及測試，影響排程且成本甚鉅。
先前技術如中國實用新型專利授權公告第CN207827366U號，其揭示一種具有高低壓吹氣分離的真空吸取裝置，其包括有一轉接座，在其座體內部設有多個相通的流道並相對應連接有多個管路，設有多個內部具有通道的吸取頭與管路另一端連接，設有一真空產生器通過管路及吸氣電磁閥與座體連接，使各該吸取頭具有吸力，另設有氣壓平衡機構及高壓吹氣組，分別以管路與座體連接並配合設有對應的電磁閥，在控制各電磁閥可使高壓空氣或低壓空氣進入吸取頭內，以進行待加工物的分離或清除吸取頭通道內的殘留物，可提高整體生產產能的實用性。
中國實用新型專利授權公告第CN203542342U號則揭示一種晶圓背面研磨裝置的真空吸盤，該真空吸盤包括用於吸附晶圓正面的吸附區、隔離區和吹氣區，該吹氣區可在晶圓研磨時不斷斜向外吹出氣體，使研磨時混有矽粉的汙水無法滲入到晶圓與真空吸盤之間，防止汙水滲入汙染晶圓上的保護膜，而隔離區則可防止吸附區和吹氣區相互影響，減小對晶圓吸附功能的影響。
日本發明專利公開第2002373873A號則係公開一種用於晶片拋光設備的真空吸盤，該真空吸盤可以高精度地保持待拋光晶圓的平坦度。 在該真空吸盤有多個陶瓷構件，該陶瓷構件具有凹槽的，通過無機黏合劑層堆疊鄰接，使其內部具有真空抽吸通道 和流體通道。
雖然在先前技術中已經有如上前案揭示真空吸盤的改良或提供一可吸氣或吹氣之裝置，然而該等真空吸盤的抽氣及排氣(或排出流體)的通道都是分開設置，因此在使用上，晶圓的吸附或被吹起的位置有其限制性且不夠精準；此外，在先前技術中，真空吸盤的尺寸亦與待加工的晶圓有著嚴格的對應關係，亦即，一種吸盤的尺寸僅對應一種晶圓尺寸，而一旦需要研磨不同尺寸的晶圓時，就必須一起更換對應尺寸的吸盤；然而，吸盤的更換不僅是高精度的作業，也需要耗費人員的時間與精力進行調整與測試，影響加工排程及成本甚鉅；而在先前技術中，從未揭示過可針對不同尺寸的晶圓調整其吸附狀態之吸盤。
是以，本發明藉由提供一種適用於各種晶圓尺寸之多孔質吸盤，該吸盤可隨不同晶圓尺寸大小，即時調整吸盤上各區域的吹氣或吸附狀態，藉此吸附不同尺寸的晶圓，從而減少因更換吸盤而消耗的時間、物料、設備等成本。
本發明之目的為提供一種吸盤，包含：一基座、一黏結層及一多孔層，其中，該黏結層連接該基座及該多孔層，且該基座上具有複數個流道，該複數個流道上具有一或複數個雙向氣孔，該雙向氣孔可與一管路相連通，藉以由一給氣系統及一真空系統使該雙向氣孔進行吹氣或吸氣之調控；其中，該多孔層對應該欲吸附晶圓之大小，形成第1至n個吸附區，其中n為大於或等於2之整數。
根據本發明之一實施例，其中n為2、3、4或5。
根據本發明之一實施例，其中該第1至n個吸附區係由內而外並以同心圓方式形成。
根據本發明之一實施例，其中該第1至n個吸附區為圓形模式、平邊模式或其組合。
根據本發明之一實施例，其中該多孔層具有複數個孔洞，且依據該孔洞之大小區分為大孔徑孔洞區及小孔徑孔洞區，且該第1個吸附區之圓心部分之為第1大孔徑孔洞區，且該第1個吸附區之外緣部分為第1小孔徑孔洞區。
根據本發明之一實施例，其中該第2個吸附區具有第2大孔徑孔洞區，包圍該第1小孔徑孔洞區，且該第2個吸附區之外緣部分為第2小孔徑孔洞區。
根據本發明之一實施例，其中該第n個吸附區具有第n大孔徑孔洞區，包圍該第(n-1)小孔徑孔洞區，且該第n個吸附區之外緣部分為第n小孔徑孔洞區。
根據本發明之一實施例，其中該大孔徑孔洞區及該小孔徑孔洞區所佔體積比例為55:45~95 :5。
根據本發明之一實施例，其中，透過對該雙向氣孔之調控，使該多孔層對應其欲吸附晶圓之大小為吸附區，且該多孔層未吸附晶圓之區域為排氣區。
根據本發明之一實施例，其中該第1個吸附區之大小係對應4吋晶圓之大小，該第2個吸附區之大小係對應6吋晶圓之大小，且該第3個吸附區之大小係對應8吋晶圓之大小。
根據本發明之一實施例，其中該基座之材質為金屬、金屬合金、陶瓷、纖維強化材料、纖維強化複合材料或其組合。
根據本發明之一實施例，其中該陶瓷為金屬氧化物、金屬氮化物、碳化物或其組合。
根據本發明之一實施例，其中該黏結層之材質為樹脂、陶瓷、金屬或其組合。
根據本發明之一實施例，其中該多孔層之材質為金屬氧化物、金屬氮化物、碳化物、碳結構異形體、多孔纖維材料或其組合。
根據本發明之一實施例，其中該管路具有一獨立設置之開關閥，使各雙向氣孔係可獨立地開啟或關閉該開關閥。
根據本發明之一實施例，其中該複數個雙向氣孔係獨立地調控為吹氣或吸氣。
本發明所提供的吸盤其優勢在於：本發明之可吸附不同晶圓尺寸之吸盤，其上方複數的流道具有多個雙向氣孔，該雙向氣孔可在不同時間下，依照需求進行吹氣或吸氣之調控，使同一流道有吹氣、吸氣或關閉之可變換式調整，藉由調整吸盤上之流道的吹氣或吸氣程度，即時調整不同區域的吸附狀態，不僅可微幅度調整晶圓的形貌，亦可因應不同尺寸之晶圓進行吸氣或吹氣的調節。
此外，本發明之不同孔徑大小的設計，使內圈之孔徑較大，該大孔徑孔洞區可提供晶圓充足之吸力或推力；而外圈之孔徑較小，該小孔徑孔洞區可防止雜質落入氣孔內形成堵塞，以防設備或裝置毀損。
根據慣常的作業方式，圖中各種特徵與元件並未依實際比例繪製，其繪製方式是為了以最佳的方式呈現與本發明相關的具體特徵與元件。此外，在不同圖式間，以相同或相似的元件符號指稱相似的元件及部件。
以下實施方式不應視為過度地限制本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者可在不背離本發明之精神或範疇的情況下對本文所討論之實施例進行修改及變化，而仍屬於本發明之範圍。
於本文中，除非上下文另有載明，則術語「包含」、「包括」、「具有」或「含有」係包含性或開放性，並不排除其他未闡述之元素或方法步驟；術語「一」及「該」可解釋為單數亦可解釋為複數；術語「一個或多個」意旨「至少一個」，因此可以包括單個特徵或混合物/組合。此外，在本說明書及後附之申請專利範圍中，除非另外載明，否則「設置於某物之上」可視為直接或間接以貼附或其他形式與某物之表面接觸，該表面之界定應視說明書內容之前後/段落語意以及本說明所屬領域之通常知識予以判斷。
請一併參照圖1，本發明提供一種吸盤100，包含：一基座110、一黏結層120及一多孔層130，該黏結層120係位於該基座110及該多孔層130中間，用以連接兩者。所述基座110之材質可為但不限於金屬、金屬合金、陶瓷、纖維強化材料、纖維強化複合材料或其組合；其中，該金屬包含但不限於鋁系合金、鐵系合金、鈦系合金；該陶瓷為金屬氧化物、金屬氮化物、碳化物或其組合，該金屬氧化物包含但不限於氧化鋁或氧化鋯；所述黏結層120之材質包含但不限於樹脂、陶瓷、金屬或其組合；所述多孔層130之材質為金屬氧化物、金屬氮化物、碳化物、碳結構異形體、多孔纖維材料或其組合，其中，該金屬氧化物為氧化鋁或氧化鋯，但不限於此。本文中所稱之「碳結構異形體」係碳元素的同素異形體，即純碳元素所能構成的各種不同的分子結構，包含但不限於碳奈米管、富勒烯、石墨、石墨烯、環碳或碳纖維等。
在本發明之其中一實施態樣中，若該多孔層130為陶瓷材料，則該多孔層130較佳係可為多層原料所堆疊而成，例如先將表層原料和底層原料各自進行成形後，再疊合成一堆疊層，將該堆疊層進行燒結步驟，獲得一多孔層130。其中，於較佳實施態樣中，該多孔層130之底層孔徑較表層孔徑大，因此，與給氣系統連接時，多孔層130之底層因具有較大的平均孔徑而能使氣阻變小，進而減少耗能並使該多孔層130同時達到具有剛性及透氣的效果；而該表層孔徑小，能吸附較輕薄的物件，且能維持穩定不變形，利於進行較精細的加工過程。
所述之基座110之形狀並無限制，但較佳為一圓盤狀，其表面上具有複數個流道，該流道上設有一或複數個雙向之氣孔，該雙向之氣孔可與一管路相連通，藉以由氣體切換閥控制一給氣系統及一真空系統使能調控該雙向之氣孔在不同時間的調控下可進行吹氣或吸氣，詳言之，本文所稱之「雙向之氣孔」係指該同一個氣孔可在不同時間下，進行吹氣或吸氣兩者的轉換，亦即，當使用者需要該雙向之氣孔為吸氣的作動時，其可由氣體切換閥切換其與真空系統連接而具有吸氣功能；而若當使用者需要該雙向氣孔為吹氣(或排氣)的作動時，其可由氣體切換閥切換其與給氣系統連接而具有吹氣功能，因此，該雙向氣孔相較於單向氣孔(如中國新型公告號第CN203542342U號，該案之吸附區的氣孔僅供吸氣功能，吹氣區的氣孔僅供吹氣功能)僅具有吹氣或吸氣擇一之功能有別。
另外，亦可調整一流道中氣孔之數量，例如，每一流道可具有單一個氣孔，或可具有複數個氣孔，例如但不限於2、3、4、5個氣孔以上，以於單一流道中利用複數個氣孔同時進行吸氣及/或吹氣的調控。詳言之，所述不同流道上具有單一或複數個氣孔，該氣孔為雙向氣孔，雙向氣孔在不同時間下，具有吹氣及吸氣兩者轉換之功能；該複數個雙向氣孔係獨立地與一管路相連接，該管路具有一獨立設置之開關閥，控制氣流進出，因此，對於複數個氣孔，可針對每一單一氣孔的開或關進行調控；此外，該管路與一給氣系統或一真空系統連結，並且該複數個氣孔均獨立地與一氣體切換閥連接，以在不同時間下切換其與給氣系統或真空系統連結，以進行吹氣及吸氣之功能，換言之，各單一的氣孔可獨立地為開啟或關閉，且當氣孔為開啟時，可獨立地為吹氣及吸氣之狀態，因而可以達到對晶圓整體吸附程度的調節。因此，藉由對複數氣孔控制氣流大小，氣流穿過多孔層130，從而在不同區域形成不同程度之推力或吸力，以控制晶圓的吸附程度。
本文所述之「氣體切換閥」包含一給氣系統及一真空系統，且亦可控制氣體進出及排放程度，具體而言，該氣體切換閥係可調控其管路是與給氣系統或真空系統連結，此外，亦可藉由氣體切換閥控制氣體排放之多寡，調控吸附程度，即當排放之氣體較少時，推力較弱；當排放之氣體較多時，推力較強。
透過對該雙向氣孔之調控，使該多孔層130對應其欲吸附晶圓之大小，可以在不同時間下依照對氣體的調控，使該多孔層130形成第1至n個吸附區，且該多孔層130未吸附晶圓之區域為排氣區，其中n為大於或等於2之整數，例如但不限於：2、3、4或5。於一較佳實施態樣中，其中該第1至n個吸附區係由內而外並以同心圓方式形成；如圖1(A)中所例示，若該吸盤100須吸附4吋大小之晶圓140a，則可調控使對應該4吋大小之晶圓140a下方的該雙向氣孔進行吸氣，其餘部分的雙向氣孔則進行排氣，因此該多孔層130形成為具有第1個吸附區A1，其大小係對應上方所吸附之4吋大小之晶圓140a；而若如圖1(B)中所例示，若該吸盤100須吸附6吋大小之晶圓140b，則可調控使對應該6吋大小之晶圓140b下方的該雙向氣孔進行吸氣，其餘部分的雙向氣孔則進行排氣，因此該多孔層130此時則係形成為具有第2個吸附區A2；而若如圖1(C)中所例示，若該吸盤100須吸附8吋大小之晶圓140c，則可調控使對應該8吋大小之晶圓140c下方的該雙向氣孔進行吸氣，其餘部分的雙向氣孔則進行排氣，因此該多孔層130此時則係形成為具有第3個吸附區A3。
請一併參照圖2，於本發明之較佳實施態樣中，該多孔層130具有複數個孔洞，且依據該孔洞之大小區分為大孔徑孔洞區131a、131b及131c，以及小孔徑孔洞區132a、132b及132c，該大孔徑孔洞區131a、131b及131c之孔徑可為10~800 um，例如但不限於：15~750 um、20~700 um、30~600 um、50~500 um、60~550 um、80~400 um、90~300 um、100~200 um、20~300 um、20~450 um、30~100 um、30~150 um或30~300 um，較佳為20~300 um，更佳為30~150 um；該小孔徑孔洞區132 a、132b及132c之孔徑可為0.1~10 um，例如但不限於：0.15~9 um、0.2~8 um、0.2~5 um、0.3~6 um、0.3~5 um、0.5~3 um、0.5~4 um、0.8~2 um、1~7 um、2~4 um、3~8 um、4~9 um或6~10 um，較佳為0.2~8 um，更佳為0.3~5 um。於一較佳實施態樣中，其中該大孔徑孔洞區131a、131b、131c 及該小孔徑孔洞區132a、132b、132c所佔體積比例為55:45~95:5，例如但不限於55:45、60:40、65:35、70:30、75:25、80:20、85:15、90:10、95:5。
請仍參照圖2，本文所述之孔洞係以該第1個吸附區A1之圓心部分設為第一區域的大孔徑孔洞區131a，且該第1個吸附區A1之外緣圓周部分為第一區域的小孔徑孔洞區132a方式排列設置。於一較佳實施態樣中，其中該第2個吸附區A2則進一步在該第一區域的小孔徑孔洞區132a外圍，環設有第二區域的大孔徑孔洞區131b，且該第2個吸附區A2的外緣圓周部分設有第二區域的小孔徑孔洞區132b環繞於該第二區域的大孔徑孔洞區131b。以此類推，該第n個吸附區具有第n個區域的大孔徑孔洞區，包圍該第(n-1)個區域的小孔徑孔洞區，且該第n個吸附區之外緣部分還設有第n個區域的小孔徑孔洞區。所述之大孔徑孔洞區131a、131b及131c係在氣孔吸氣時提供一足夠吸力，以控制晶圓吸附程度；而該小孔徑孔洞區132a、132b及132c則係對應設置在加工的晶圓形狀對應的最外緣區域，相較於大孔徑之孔洞，該小孔徑之孔洞較能防止晶圓研磨或拋光的過程中，產生之如切屑物或研磨液等雜質掉落至氣孔內，避免使該氣孔堵塞或使設備、裝置毀損。
請一併參照圖2及圖3，於本發明之較佳實施態樣中，該第1至n個吸附區除同心圓外型外，也可依據常用晶圓型式將該對應晶圓之吸附區佈建為具有圓形模式、平邊模式或其組合，例如但不限於：圓邊、單平邊、雙平邊或三平邊。如圖2所示，該4吋晶圓及6吋晶圓區域 (A1及A2)可皆為圓邊；圖3係為該4吋晶圓及6吋晶圓區域(A1及A2)為圓邊與三平邊(圖中A1及A2區塊之左、右及下方為平邊)組合之示意圖。
請一併參照圖4，以下係針對本發明之其中一實施態樣說明；首先，當欲對4吋晶圓140a進行加工，則將該4吋晶圓140a (圖4(A)之斜線處)放置於本發明之吸盤100的圓心部分；該4吋晶圓140a覆蓋之區域為吸附區，即吸盤100上第1個吸附區A1，未覆蓋區域為排氣區；此時該吸附區下方的所對應之雙向氣孔其氣體切換閥轉為真空系統，該吸附區之大孔徑孔洞131a及小孔徑孔洞132a皆進行吸氣之作動，形成一吸力以吸附住該4吋晶圓140a，而非被該4吋晶圓140a覆蓋之區域均為排氣區(包含大孔徑孔洞區131b、131c，小孔徑孔洞區132b、132c)，該排氣區下方所對應之雙向氣孔之氣體切換閥轉為給氣系統，使位於該排氣區之大孔徑孔洞131b、131c及小孔徑孔洞132b、132c皆進行排氣作動，形成推力(圖4(A)) 。圖4(B)為6吋晶圓140b之示意圖，該6吋晶圓140b(圖4(B)之斜線處)覆蓋區域為第2個吸附區A2，包含吸盤100上的大孔徑孔洞131a、131b，以及小孔徑孔洞132a、132b均在此範圍內，而未覆蓋區域為排氣區(包含大孔徑孔洞區131c，小孔徑孔洞區132c)；第2個吸附區A2範圍內之大孔徑孔洞131a、131b及小孔徑孔洞132a、132b，其下方對應之雙向氣孔之氣體切換閥轉換為與真空系統連接，形成一吸力以吸附住該6吋晶圓140b，而排氣區之大孔徑孔洞131c及小孔徑孔洞132c其對應下方的雙向氣孔之氣體切換閥則轉換為與一給氣系統連接，形成一推力以防止雜質掉入孔洞內，同時產生之排氣或搭配研磨時之研磨冷卻水所形成之氣泡水，亦能具有清潔砂輪並幫助砂輪排屑之功效。
此外，所述吸盤100亦可在吸附過程中，藉由控制氣流方向150及其程度，以因應吸盤100或晶圓的不平整或形變而做出氣流大小的調整。
綜上所述，本發明之可吸附不同晶圓尺寸之吸盤，其上方複數的流道具有多個雙向氣孔，相較於先前技術中的單向氣孔僅具有單一的進行吸氣或吹氣功能而無法調整不同區域的吸附或排氣狀態，本發明之該雙向氣孔可在不同時間下進行吹氣或吸氣之調控，使同一流道吹氣或吸氣為可變換式調整，藉由調整吸盤上之流道的吹氣或吸氣程度，即時調整不同區域的吸附狀態，不僅可微幅度調整晶圓的形貌，亦可因應不同尺寸之晶圓進行吸氣或吹氣的調節。
此外，本發明之不同孔徑大小的設計，使吸附區內圈之孔徑較大，該大孔徑孔洞區可提供晶圓充足之吸力或推力；而吸附區外圈之孔徑較小，該小孔徑孔洞區可防止雜質落入氣孔內形成堵塞，以防設備或裝置毀損。
本文中，所提供的所有範圍旨在包括在給定之範圍內的每個特定範圍以及在該給定範圍之間的子範圍的組合。此外，除非另有說明，否則本文提供的所有範圍皆包括所述範圍的端點。從而，範圍1-5具體包括1、2、3、4和5，以及諸如2-5、3-5、2-3、2-4、1-4等子範圍。
在本說明書中引用的所有刊物和專利申請案皆透過引用併入本文，並且出於任何及所有目的，每一個別刊物或專利申請案皆明確且個別地指出以透過引用併入本文。在本文與透過引用併入本文的任何刊物或專利申請案之間存在不一致的情況下，以本文為準。
以上已將本發明做一詳細說明，惟以上所述者，僅惟本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍內。
100:吸盤
110:基座
120:黏結層
130:多孔層
140a、140b、140c:晶圓
150:氣流方向
131a、131b、131c:大孔徑孔洞區
132a、132b、132c:小孔徑孔洞區
A1:第1個吸附區
A2:第2個吸附區
A3:第3個吸附區
。
現就參考附圖僅以舉例的方式描述本發明技術的實施，其中：
圖1係本發明一實施例之吸附晶圓之吸盤側面示意圖。
圖2係本發明一實施例之吸盤俯視示意圖。
圖3係本發明一實施例之吸附區為圓形及平邊模式之組合示意圖。
圖4係本發明一實施例之吸附晶圓之吸盤俯視示意圖。
應當理解，本發明之各方面不限於附圖所示之配置、手段及特性。
無
100:吸盤
131a、131b、131c:大孔徑孔洞區
132a、132b、132c:小孔徑孔洞區
A1:第1個吸附區
A2:第2個吸附區
A3:第3個吸附區
Claims (15)
- 一種吸附晶圓之吸盤，包含：一基座、一黏結層及一多孔層，其中，該黏結層連接該基座及該多孔層，且該基座上具有複數個流道，該複數個流道上具有一或複數個雙向氣孔，該雙向氣孔可與一管路相連通，藉以由一給氣系統及一真空系統使該雙向氣孔進行吹氣或吸氣之調控；其中，該多孔層對應該欲吸附晶圓之大小，形成第1至n個吸附區，其中n為大於或等於2之整數；其中，該管路具有一獨立設置之開關閥，使各雙向氣孔係可獨立地開啟或關閉該開關閥。
- 如請求項1之吸盤，其中n為2、3、4或5。
- 如請求項1之吸盤，其中該第1至n個吸附區係由內而外並以同心圓方式形成。
- 如請求項1之吸盤，其中該第1至n個吸附區為圓形模式、平邊模式或其組合。
- 如請求項3之吸盤，其中該多孔層具有複數個孔洞，且依據該孔洞之大小區分為大孔徑孔洞區及小孔徑孔洞區，且該第1個吸附區之圓心部分之為第1大孔徑孔洞區，且該第1個吸附區之外緣部分為第1小孔徑孔洞區。
- 如請求項5之吸盤，其中該第2個吸附區具有第2大孔徑孔洞區，包圍該第1小孔徑孔洞區，且該第2個吸附區之外緣部分為第2小孔徑孔洞區。
- 如請求項6之吸盤，其中該第n個吸附區具有第n大孔徑孔洞區，包圍該第(n-1)小孔徑孔洞區，且該第n個吸附區之外緣部分為第n小孔徑孔洞區。
- 如請求項5至7任一項之吸盤，其中該大孔徑孔洞區及該小孔 徑孔洞區所佔體積比例為55：45~95：5。
- 如請求項1之吸盤，其中，透過對該雙向氣孔之調控，使該多孔層對應其欲吸附晶圓之大小為吸附區，且該多孔層未吸附晶圓之區域為排氣區。
- 如請求項1之吸盤，其中該第1個吸附區之大小係對應4吋晶圓之大小，該第2個吸附區之大小係對應6吋晶圓之大小，且該第3個吸附區之大小係對應8吋晶圓之大小。
- 如請求項1之吸盤，其中該基座之材質為金屬、金屬合金、陶瓷、纖維強化材料、纖維強化複合材料或其組合。
- 如請求項11吸盤，其中該陶瓷為金屬氧化物、金屬氮化物、碳化物或其組合。
- 如請求項1之吸盤，其中該黏結層之材質為樹脂、陶瓷、金屬或其組合。
- 如請求項1之吸盤，其中該多孔層之材質為金屬氧化物、金屬氮化物、碳化物、碳結構異形體、多孔纖維材料或其組合。
- 如請求項1之吸盤，其中該複數個雙向氣孔係獨立地調控為吹氣或吸氣。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111139268A TWI820971B (zh) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 可吸附不同晶圓尺寸之吸盤 |
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| TW111139268A TWI820971B (zh) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 可吸附不同晶圓尺寸之吸盤 |
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|---|---|
| TWI820971B true TWI820971B (zh) | 2023-11-01 |
| TW202418463A TW202418463A (zh) | 2024-05-01 |
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| TW111139268A TWI820971B (zh) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 可吸附不同晶圓尺寸之吸盤 |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW201906056A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-02-01 | 日商新光電氣工業股份有限公司 | 基板固定裝置 |
| CN109585353A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-04-05 | 深圳中科飞测科技有限公司 | 吸盘及其工作方法 |
-
2022
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Patent Citations (2)
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