TWI820550B - 電致發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

根據本揭露的實施例之電致發光顯示裝置包括像素、感測電路以及升壓電路。像素包括驅動元件，驅動元件具有閘電極和源電極，閘電極連接資料線，源電極連接讀取線。感測電路配置來感測讀取線的電壓，讀取線的電壓於感測操作期間根據流經驅動元件的像素電流而改變。升壓電路連接於資料線和讀取線之間，升壓電路於感測操作期間配置來根據讀取線中改變後電壓改變資料線的電壓。

Description

電致發光顯示裝置
本揭露關於一種電致發光顯示裝置。
電致發光顯示裝置根據發光層的材料分為無機發光顯示器和有機發光顯示器。電致發光顯示裝置的每個像素包括自發光型發光元件並根據取決於影片的灰階值的資料電壓控制發光元件的發光量調整亮度。
可隨著驅動時間推移產生像素之間驅動特性差異。如此驅動特性差異造成亮度不均勻而使影像品質下降。雖然做過各種嘗試補償電致發光顯示裝置中像素之間驅動特性差異，因低感測準確率而在確保亮度均勻性仍有限制。
根據前述，本揭露關於一種電致發光顯示裝置，實質消除因相關技術的缺點和限制所生成的一個或多個問題。
本揭露的目的為提供電致發光顯示裝置改善感測準確率。
根據本發明的目的，為了達成這些目的和優點，如在此寬廣地描述和具體化之電致發光顯示裝置包括像素、感測電路以及升壓電路。像素包括驅動元件，驅動元件具有閘電極和源電極，閘電極連接資料線，源電極連接讀取線。感測電路配置來感測讀取線的電壓，讀取線的電壓於感測操作期間根據流經驅動元件的像素電流而改變。升壓電路連接於資料線和讀取線之間，升壓電路於感測操作期間配置來根據讀取線中改變後電壓改變資料線的電壓。
在另一實施例中，電致發光顯示裝置包括像素、感測電路以及升壓電容。像素包括驅動元件，驅動元件具有閘電極和源電極，閘電極連接資料線，源電極連接讀取線。感測電路配置來感測讀取線的電壓，讀取線的電壓於感測操作期間根據流經驅動元件的像素電流而改變。升壓電容電性耦接於資料線和讀取線之間，升壓電容於感測操作期間配置來耦接讀取線的改變後電壓至資料線。
本揭露的特徵和優點及達到本揭露相同優點和特徵的方法將參考下文詳細描述的實施例結合附圖變得顯而易見。然而，本揭露不限制在後文所揭露的實施例而可以許多不同形式具體化。當然，提供這些例示的實施例使得本揭露將為完整的且透徹的，且這些實施例將傳達本揭露的範圍給所屬技術領域中具有通常知識者。因此，本揭露的範圍應由申請專利範圍所界定。
在圖式中為了描述本揭露各種實施例所描繪的形狀、尺寸、比值、角度、數目及其類似物僅作為範例出示，而本揭露因此不限制在圖式中所繪示的。相同或極為相似元件在全文中以相同參考符號標示。此外，在本揭露的描述中，相關習知技術的詳細描述可能使本揭露的主體相當不明確時將省略。在本說明書中，當使用詞語「包含(comprise)」、「包括(include)」以及其相似詞時，除非使用「只有(only)」，不然可增添其他元件。除非上下文另有清楚地指示，否則以單數形式描述的元件意指包括複數個元件。
本揭露的各種實施例中所包括的構成元件的詮釋中，詮釋構成元件包括錯誤範圍，即使無其清楚描述。
在本揭露的各種實施例的描述中，當描述位置關係時，舉例而言，當使用「上(on)」、「之上(above)」、「下(below)」、「在旁側(beside)」或其相似詞描述兩個部分之間的位置關係，一個或多個其他部分可位於兩個部分之間，除非使用詞語「直接地(directly)」、「緊密地(closely)」。
雖然可使用例如「第一(first)」和「第二(second)」描述各種元件，這些元件僅使用於將相同或相似元件彼此區分。因此，在本說明書中，除非另有提及，否則在本揭露的技術範圍內修改為「第一( first)」的元件可相同於修改為「第二(second)」的元件。
在本揭露中，形成於顯示面板的基板上的像素電路可以n型金屬氧化物半導體場效電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)結構的薄膜電晶體(thin film transistor, TFT)或p型金屬氧化物半導體場效電晶體結構的薄膜電晶體實施。薄膜電晶體包括閘極、源極和汲極的三電極元件。源極為供應載子至電晶體的電極。從薄膜電晶體的源極流動載子。源極為載子放電至外側的電極。亦即，在金屬氧化物半導體場效電晶體中載子從源極流向汲極。在n型薄膜電晶體(n型金屬氧化物半導體場效電晶體)的實例中，載子為電子而因此源極電壓低於汲極電壓，使得電子從源極流向汲極。因為電子在n型薄膜電晶體中從源極流向汲極，電流從汲極流向源極。反之，在p型薄膜電晶體(p型金屬氧化物半導體場效電晶體)的實例中，載子為電洞而因此源極電壓高於汲極電壓，使得電洞從源極流向汲極。因為電洞在p型薄膜電晶體中從源極流向汲極，電流從源極流向汲極。應注意的是金屬氧化物半導體場效電晶體的源極和汲極並非固定。舉例來說，金屬氧化物半導體場效電晶體可根據施加電壓而改變。
在本揭露中，薄膜電晶體的半導體層可由氧化物(oxide)、非晶矽(amorphous silicon)和多晶矽(polysilicon)之其中至少一種形成。
後文，本揭露實施例將參考附圖詳細描述。在下列敘述中，整合於本文習知功能和配置的詳細描述可能模糊本發明主體時將省略。
圖1為根據本揭露實施例繪示電致發光顯示裝置的方塊圖，圖2為繪示單個像素單元共享讀取線的連接實例的方塊圖，且圖3為繪示像素陣列和源極驅動積體電路的配置實例的示意圖。
參考圖1至圖3，根據本揭露實施例的電致發光顯示裝置包括顯示面板10、 時序控制器 11、資料驅動器 12、閘極驅動器 13、記憶體 16、補償電路20以及電源產生電路30。
複數條資料線14A 和 複數條讀取線14B以與複數條閘極線相交的方式布置在顯示面板10中而多個像素PXL在多個相交點以矩陣方式布置來形成像素陣列。
連接相異資料線14A的兩個或多個像素PXL 可共享相同讀取線 14B和相同閘極線15。舉例而言，如圖2所示，在水平方向中鄰近且連接相同閘極線15之表示紅色的像素 R、表示白色的像素 W、表示綠色的像素 G和表示藍色的像素 B可共同連接單一讀取線14B。根據此讀取線的共享結構，簡化像素陣列結構且從而容易固定顯示面板和處理邊界(processing margin)的開口率(aperture ratio)。在讀取線的共享結構中，複數條資料線14A布置在相鄰讀取線14B之間。
如圖2所示，像素 R、像素 W、像素 G和像素 B可構成單個像素單元。在像素單元中，可根據灰階比率(發光比率，emission rate)結合紅、白、綠和藍表示各種顏色。像素單元可由像素 R、像素 G和像素 B所組成。在此實例中，在水平方向中鄰近且連接相同閘極線15的像素 R、像素 G和像素 B共同連接單一讀取線14B。
各像素 PXL從電源產生電路30接收高位準像素電壓EVDD和低位準像素電壓EVSS。在本揭露中像素 PXL可具有適合根據經過的驅動時間及/或例如面板溫度之環境條件感測驅動元件的電子遷移率特性的變化之電路配置。
時序控制器 11可根據預定控制順序執行用於感測操作的感測模式和用於顯示操作的顯示模式。於此，感測操作為用於感測電子遷移率變化並據此更新補償值的操作，而顯示操作為用於寫入已在顯示面板10中反射補償值的校正後影片資料CDATA來再現顯示影像的操作。感測操作可根據時序控制器 11的控制在顯示操作的垂直空白期間中執行。垂直空白期間在多個像素中用於顯示的資料電壓被寫入至多個像素PXL的垂直主動期間之間被提供。用於顯示的資料電壓在垂直空白期間不寫入至所述多個像素PXL。用於感測的資料電壓在垂直空白期間寫入至所述多個像素PXL。
感測操作可在像素線L1至Ln 的多個單元中執行。舉例而言，感測操作可在像素陣列的每條像素線所包括的全部第一顏色像素上依序地或無順序地執行並接著在每條像素線的全部第二顏色像素上依序地或無順序地執行。然後，感測操作可以相同方法在多個第三顏色像素和多個第四顏色像素上執行。於此，每一條像素線L1至Ln不意謂實際訊號線但意謂在水平方向中鄰近的一組像素PXL。
感測操作可僅在一條像素線所包括的部分不同顏色像素上執行而剩餘像素的感測操作可省略。在此實例中，剩餘像素的補償值可透過插補邏輯計算。插補邏輯可以相同顏色的多個感測像素的補償值為基礎計算相同顏色的多個非感測像素的補償值。藉此，可減少感測更新循環來最大化補償性能處理電子遷移率的即時改變。
時序控制器11可以例如垂直同步訊號Vsync、水平同步訊號Hsync、時脈點訊號DCLK(dot clock signal)以及來自主系統輸入的資料啟動訊號DE之多個時序訊號為基礎產生控制資料驅動器12操作時間的資料時序控制訊號DDC和控制閘極驅動器 13操作時間的閘極時序控制訊號GDC。時序控制器11可產生用於顯示操作的資料時序控制訊號DDC和閘極時序控制訊號GDC，用於顯示操作的資料時序控制訊號DDC和閘極時序控制訊號GDC相異於用於感測操作的資料時序控制訊號DDC和閘極時序控制訊號GDC。
閘極時序控制訊號GDC包括閘極開始脈衝訊號和閘極位移時脈訊號。施加閘極開始脈衝訊號於產生第一輸出的閘極層(gate stage)來控制閘極層。閘極位移時脈訊號為輸入至多個閘極層的時脈訊號以位移閘極啟動脈衝訊號。
資料時序控制訊號DDC包括源極開始脈衝訊號、源極取樣時脈訊號以及源極輸出啟動訊號。源極開始脈衝訊號控制資料驅動器 12的資料取樣開始時間。源極取樣時脈訊號以上升邊緣或下降邊緣控制資料取樣時間。源極輸出啟動訊號控制資料驅動器12的輸出時間。
時序控制器 11可包括補償電路20，但本揭露不限制於此。補償電路20可含括在獨立的補償積體電路內。
補償電路20於感測操作期間從感測電路 SU 接收關於驅動元件的電子遷移率的感測結果資料SDATA。補償電路20以感測結果資料SDATA為基礎計算用於補償因驅動元件的劣化(亦即，電子遷移率改變)造成的亮度偏差之補償值，並儲存補償值在記憶體16中。每當執行感測操作時，可更新儲存在記憶體16中的補償值。記憶體 16 可以快閃記憶體履行，但本揭露不限於此。
補償電路20可以從記憶體 16讀取的補償值為基礎校正輸入影片資料DATA 並於顯示操作期間供應校正後影片資料CDATA至資料驅動器 12。可根據校正後影片資料CDATA補償因驅動元件的電子遷移率差異所造成的亮度偏差。
資料驅動器 12 包括至少一個源極驅動積體電路SDIC。源極驅動積體電路SDIC可包括數位類比轉換器DAC、感測電路 SU、多工器MUX以及類比數位轉換器ADC，每個數位類比轉換器DAC連接每條資料線14A，每個感測電路SU連接每條讀取線14B，多工器MUX暫時分割複數個感測電路SU的輸出，類比數位轉換器ADC連接多工器MUX且轉換感測電路SU的類比輸出至感測結果資料SDATA。
數位類比轉換器DAC轉換校正後影片資料CDATA至用於顯示的資料電壓且根據時序控制器 11供應的資料時序控制訊號DDC於顯示操作期間供應用於顯示的資料電壓至資料線14A。源極驅動積體電路SDIC的數位類比轉換器DAC可產生用於感測的資料電壓且根據時序控制器 11供應的資料時序控制訊號DDC於感測操作期間供應用於感測的資料電壓至資料線14A。
用於感測的資料電壓可包括用於導通多個驅動元件的導通位準(on-level)資料電壓(圖4中Von)和用於關閉多個驅動元件的關斷位準(off-level)資料電壓(圖4中Voff)。施加導通位準資料電壓於多個像素中共享讀取線 14B 的感測像素及施加關斷位準資料電壓於多個像素中共享讀取線 14B 的非感測像素。導通位準資料電壓為於感測操作期間施加於感測像素中所包括的驅動元件的閘電極來導通驅動元件(亦即，產生像素電流的電壓)的電壓而關斷位準資料電壓為於感測操作期間施加於非感測像素中所包括的驅動元件的閘電極來關閉驅動元件(亦即，阻擋像素電流的電壓)的電壓。考量多個驅動元件的不同驅動特性/各個發光元件的顏色，導通位準資料電壓可針對紅色的像素R、綠色的像素G、藍色的像素B和白色的像素W來設定不同位準，但本揭露不限制於此。
施加導通位準資料電壓於像素單元的感測像素而施加關斷位準資料電壓於像素單元之與感測像素共享讀取線14B的非感測像素。舉例而言，若如圖2所示像素R被感測而像素G、像素B和像素W未被感測，施加導通位準資料電壓於像素R的驅動元件而施加關斷位準資料電壓於像素G、像素B和像素W的驅動元件。
每個感測電路SU可連接每條讀取線14B並透過多工器MUX選擇性連接類比數位轉換器ADC。每個感測電路SU以電壓感測類型來履行，使得每個感測電路SU可於感測操作期間感測隨著流經像素的驅動元件的像素電流而改變的讀取線 14B的電壓。感測電路 SU於顯示操作期間施加從電源產生電路30所接收之用於顯示的參考電壓VPRER在多個像素PXL及於感測操作期間施加從電源產生電路30所接收之用於感測的參考電壓VPRES在多個像素PXL。
類比數位轉換器ADC可轉換來自感測電路 SU的類比感測電壓輸出為數位感測結果資料SDATA並輸出數位感測結果資料SDATA至補償電路20。
閘極驅動器 13 可以閘極控制訊號GDC為基礎產生用於感測的閘極訊號並接著於感測操作期間供應用於感測的閘極訊號至連接多個感測像素的多條閘極線。用於感測的閘極訊號為與用於感測的資料電壓同步之用於感測的掃描訊號。像素線L1至Ln可根據用於感測的閘極訊號和用於感測的資料電壓依序地或無順序地被驅動來感測。
閘極驅動器 13 可以閘極控制訊號GDC為基礎產生用於顯示的閘極訊號並接著於顯示操作期間供應用於顯示的閘極訊號至多條閘極線。用於顯示的閘極訊號為與用於顯示的資料電壓同步之用於顯示的掃描訊號。像素線L1至Ln可根據用於顯示的閘極訊號和用於顯示的資料電壓依序地或無順序地被驅動來顯示。
電源產生電路30產生高位準像素電壓EVDD、低位準像素電壓EVSS、用於顯示的參考電壓VPRER以及用於感測的參考電壓VPRES來供應至各像素 PXL。電源產生電路30可為了閘極驅動器 13的操作需要產生閘極導通電壓(gate on voltage)和閘極關斷電壓(gate off voltage)並供應相同的閘極導通電壓和閘極關斷電壓至閘極驅動器 13。用於感測或顯示的閘極訊號在閘極導通電壓(亦即，導通位準)和閘極關斷電壓(亦即，關斷位準)之間擺盪。電源產生電路30可為了數位類比轉換器的操作需要產生高位準驅動電壓並供應相同的高位準驅動電壓至資料驅動器 12。
前述根據本揭露的實施例之電致發光顯示裝置透過感測操作補償每個像素所包括的驅動元件的電子遷移率的改變。電致發光顯示裝置於感測操作期間感測隨著流經像素的驅動元件的像素電流而改變的多條讀取線14B的電壓並透過計算所取得多條讀取線的電壓變化梯度為基礎偵測多個感測像素的電子遷移率的變動。
像素電流與驅動元件的電子遷移率成比例。驅動元件的電子遷移率可根據驅動時間、溫度及其類似條件而改變。當第一像素所包括的第一驅動元件的電子遷移率相異於第二像素所包括的第二驅動元件的電子遷移率，對應相同的閘極-源極電壓之第一驅動元件的第一像素電流和第二驅動元件的第二像素電流於感測操作期間彼此相異。此像素電流差異看起來像對應讀取線 14B在相同時間充電的電壓差，並可從而計算每單位時間讀取線 14B的電壓變化梯度。因為讀取線14B的電壓充電率隨著驅動元件的電子遷移率增加而增加，讀取線 14B的電壓變化梯度與電子遷移率成比例。
為了準確感測驅動元件的電子遷移率變化，驅動元件的閘極-源極電壓(亦即，用於感測的資料電壓和用於感測的參考電壓之間的差異)需要在感測操作期間維持在特定位準。亦即，每個感測像素需要作為電流源操作。然而，驅動元件的閘極-源極電壓可能因驅動元件附近的寄生電容而損失。如此損失造成感測失真。
根據本揭露的實施例之電致發光顯示裝置包括如圖3所示之升壓電路 BST以抑制前述損失。雖然升壓電路 BST在圖3中僅連接讀取線 14B，升壓電路 BST的連接部分僅為示意性繪示。升壓電路 BST可連接於資料線 14A和讀取線 14B之間。升壓電路 BST在感測操作期間藉由包括升壓電容(圖4的Cbst)而以讀取線 14B的電壓變化改變資料線 14A的電壓以維持驅動元件的閘極-源極電壓在固定位準。根據本揭露的電致發光顯示裝置可藉由包括升壓電路 BST最大化關於驅動元件的電子遷移率的感測性能和補償性能。
圖4為根據本揭露實施例繪示像素電路、感測電路和升壓電路的配置實例的示意圖、圖5為用於驅動在圖4中所繪示的電路之波形圖以及圖6為用於描述根據升壓電路的出現及不在之操作和效果差異的示意圖。
參考圖4，根據本揭露的實施例之電致發光顯示裝置包括像素PXL、感測電路SU以及升壓電路BST，像素PXL包括驅動元件DT，驅動元件DT具有閘電極和源電極，閘電極於感測操作期間連接資料線14A，源電極於感測操作期間連接讀取線14B，感測電路SU配置來感測讀取線14B的電壓，讀取線14B的電壓於感測操作期間根據流經驅動元件DT的像素電流而改變，升壓電路BST連接於資料線14A和讀取線14B之間，升壓電路BST於感測操作期間由讀取線 14B的電壓變化改變資料線 14A的電壓。根據本揭露的實施例之電致發光顯示裝置進一步包括輸出資料電壓(Vdata、Von或Voff)的數位類比轉換器DAC。
參考圖4，像素 PXL除了驅動元件DT之外可進一步包括發光元件EL、儲存電容Cst、第一開關電晶體 ST1以及第二開關電晶體 ST2。驅動元件DT可作為驅動電晶體履行。雖然驅動元件DT、第一開關電晶體 ST1以及第二開關電晶體 ST2在本實施例可作為n型薄膜電晶體履行，本揭露不限於此而驅動元件DT、第一開關電晶體 ST1以及第二開關電晶體 ST2可作為p型薄膜電晶體履行。進一步而言，組成像素PXL的薄膜電晶體的半導體層可包括非晶矽、多晶矽或氧化物。
驅動元件DT包括閘電極、源電極以及汲電極，閘電極連接第一節點N1，源電極連接第二節點N2，汲電極連接高位準像素電壓EVDD的輸入端。驅動元件DT根據閘極-源極電壓產生像素電流。像素電流產生的數值可與閘極-源極電壓的平方成正比。驅動元件DT的電子遷移率可根據多個像素中劣化偏向、溫度或其相似條件而改變。因此，像素 PXL所包括的驅動元件DT的驅動特性改變可於感測操作期間透過偵測根據像素電流的讀取線 14B的電壓來偵測。
當第二節點N2的電壓根據像素電流達到操作點位準，發光元件EL於顯示操作期間導通以根據像素電流發光。發光元件EL包括陽極、陰極以及有機化合物層或無機化合物層，陽極連接第二節點N2，陰極連接低位準像素電壓EVSS，有機化合物層或無機化合物層介於陽極和陰極之間。有機化合物層或無機化合物層包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層。當施加於陽極的第二節點N2的電壓與施加於陰極的低位準像素電壓EVSS相較之下增加至高於操作點位準，發光元件EL導通。當發光元件EL導通，已穿越電洞傳輸層的多個電洞和已穿越電子傳輸層的多個電子移動至發光層形成多個激子，並使發光層從而發光。
同時，為了改善感測的敏感度(或感測準確率)，執行感測操作在關閉發光元件EL的狀態中。換句話說，在第二節點N2的電壓低於發光元件EL的操作點位準的範圍內執行感測操作。為此，施加於第二節點N2之用於感測的參考電壓VPRES可設定為足夠低於操作點位準和用於顯示的參考電壓VPRER。
儲存電容Cst連接於第一節點N1和第二節點N2之間。儲存電容Cst儲存驅動電晶體DT的閘極-源極電壓，但儲存電容Cst因寄生電容而難以在無漏電狀態中維持在閘極-源極電壓。
第一開關電晶體 ST1根據閘極訊號SCAN連接資料線 14A和第一節點N1。第一開關電晶體 ST1包括閘電極、第一電極以及第二電極，閘電極連接閘極線 15，第一電極(源極和汲極之其中一者)連接資料線 14A，第二電極(源極和汲極之其中另一者)連接第一節點N1。
第二開關電晶體 ST2根據閘極訊號SCAN連接讀取線 14B和第二節點N2。第二開關電晶體 ST2包括閘電極、第一電極以及第二電極，閘電極連接閘極線 15，第一電極連接讀取線 14B，第二電極連接第二節點N2。
第一開關電晶體ST1和第二開關電晶體ST2的閘電極連接相同的閘極線15，並從而簡化像素和閘極驅動器的結構。當第一開關電晶體ST1和第二開關電晶體ST2於顯示操作期間根據用於顯示的閘極訊號SCAN導通時，根據顯示操作條件編程驅動元件DT的第一閘極-源極電壓 (Vdata-VPRER)。當第一開關電晶體ST1和第二開關電晶體ST2於感測操作期間根據用於感測的閘極訊號SCAN導通時，根據感測操作條件編程驅動元件DT的第二閘極-源極電壓 (Von-VPRES)。第一開關電晶體ST1和第二開關電晶體ST2於感測操作期間根據如圖5所示之用於感測的閘極訊號SCAN維持在導通狀態。
參考圖4，數位類比轉換器DAC於顯示操作期間輸出用於顯示的資料電壓Vdata和於感測操作期間輸出用於感測的資料電壓Von和資料電壓Voff。
參考圖4，感測電路 SU包括開關SR、開關SW2以及取樣電路SH，開關SR於用於顯示的參考電壓VPRER的輸入端和讀取線14B之間導通/關斷電流，開關SW2於用於感測的參考電壓VPRES的輸入端和讀取線14B之間導通/關斷電流，取樣電路SH根據取樣訊號SAM操作。
開關SR於顯示操作期間回應用於顯示的閘極訊號SCAN而導通。透過讀取線 14B和第二開關電晶體ST2施加用於顯示的參考電壓VPRER。
如圖5所示在垂直空白期間VB執行感測操作。在圖5中，VA表示在顯示操作執行中的垂直主動期間。垂直空白期間VB中感測操作可分為編程期間①、感測期間②以及取樣期間③。開關SW2在編程期間①中用於感測的閘極訊號SCAN的期間中導通。在感測期間②中透過讀取線 14B和第二開關電晶體 ST2施加用於感測的參考電壓VPRES在第二節點N2。開關SW2在對應取樣期間③中用於感測的閘極訊號SCAN的期間中關閉。
取樣電路SH回應取樣訊號SAM而取樣讀取線14B的電壓。
參考圖4和圖5，像素電流於感測操作期間由驅動元件DT的閘極-源極電壓(亦即，第一節點電壓VN1)和第二節點電壓VN2之間的差異決定。升壓電路 BST可在編程期間①中從數位類比轉換器傳送用於感測輸出的資料電壓Von至資料線 14A，在感測期間②以及取樣期間③中浮接資料線 14A和耦接讀取線 14B至浮接後資料線 14A以藉由讀取線 14B的電壓變化改變資料線 14A的電壓。因為第一開關電晶體ST1和第二開關電晶體ST2在感測期間②維持在導通狀態，第二節點電壓VN2和讀取線 14B的電壓在感測期間②中同樣改變且第一節點電壓VN1和資料線 14A的電壓在感測期間②中同樣改變。換句話說，因為第一節點電壓VN1根據升壓電路 BST所依照的像素電流在第二節點電壓VN2的電壓改變而改變，如圖6的部分(B)所示，驅動元件DT的閘極-源極電壓 (Von-VPRES)和像素電流可維持恆定。
圖6的部分(A)繪示當無升壓電路 BST時閘極-源極電壓損失 △Vgs。由寄生電容CDT耦接驅動元件DT的閘極造成如下文數學式1所表示的閘極-源極電壓損失 △Vgs。在數學式1中，CST為儲存電容Cst的電容值和△VSIO為第二節點電壓VN2因寄生電容CDT造成的損失。因為寄生電容CDT根據面板設計規格決定，寄生電容CDT不可人為控制。雖然可考慮增加儲存電容Cst的電容值CST使閘極-源極電壓損失 △Vgs減少的方法，儲存電容Cst的電容值CST增加造成顯示面板的開口率下降並從而難以採用此種方法。
〔數學式1〕
閘極-源極電壓損失 △Vgs可如圖6的部分(B)所示由升壓電路 BST縮小。閘極-源極電壓損失 △Vgs於升壓電路 BST出現時可由下文數學式2表示。在數學式2中，CBST為升壓電容Cbst的電容值和Cpin為出現在如圖4所繪示的電壓緩衝器BUF的輸入端(+)的相等寄生電容。
〔數學式2〕
可從數學式2清楚地查明，閘極-源極電壓損失 △Vgs可隨著升壓電容Cbst的電容值CBST增加而縮小。可人工控制升壓電容Cbst的電容值CBST。因為升壓電容Cbst的電容值CBST和顯示面板的開口率不相關，升壓電容Cbst的電容值CBST的允許控制範圍比儲存電容Cst的電容值CST的允許控制範圍更為寬廣。
復請參考圖5，感測電路SU的開關SW2在感測期間②維持在關閉狀態，並從而使讀取線 14B也在此時間浮接。因此，讀取線 14B的電壓變化可在感測期間②藉由升壓電路 BST在資料線 14A的電位中有效地反射出來。
升壓電路 BST可包括電壓緩衝器BUF、升壓電容Cbst以及開關SW1。
電壓緩衝器BUF連接資料線 14A。電壓緩衝器BUF的輸入端(-)和輸出端互相連接。升壓電容Cbst的一端電極連接讀取線 14B而升壓電容Cbst的另一端電極連接電壓緩衝器BUF的輸入端(+)。開關SW1連接電壓緩衝器BUF的輸入端(+)和數位類比轉換器DAC之間。開關SW1僅在編程期間①中導通。資料線 14A從而在感測期間②以及取樣期間③中浮接維持關閉狀態的開關SW1。
圖7A為對應圖5的編程期間①的相等電路圖、圖7B為對應圖5的感測期間②的相等電路圖以及圖7C為對應圖5的取樣期間③的相等電路圖。
依編程期間①、感測期間②以及取樣期間③的順序執行感測操作。第一開關電晶體ST1和第二開關電晶體ST2於感測操作期間根據用於感測的閘極訊號SCAN所在的位準維持導通狀態。
參考圖7A，開關SW1和開關SW2在編程期間①中導通。透過開關SW1、電壓緩衝器BUF、資料線 14A以及第一開關電晶體 ST1施加用於感測的導通位準資料電壓Von於像素的第一節點N1。此外，透過開關SW2、讀取線 14B和第二開關電晶體 ST2施加用於感測的參考電壓VPRES於像素的第二節點N2。因此，設定用於感測操作的驅動元件DT的閘極-源極電壓 VN1-VN2。
參考圖7B，開關SW1和開關SW2在感測期間②中關閉並從而使資料線 14A和讀取線14B浮接。於此，對應閘極-源極電壓 VN1-VN2的像素電流Ip流遍驅動元件DT。第二節點N2的電壓VN2和讀取線 14B的電壓根據像素電流Ip從用於感測的參考電壓VPRES增加。讀取線 14B的電壓增加透過升壓電容Cbst和電壓緩衝器BUF反射在資料線 14A的電位中，而資料線 14A的電壓也從用於感測的資料電壓增加。資料線 14A的電壓增加梯度根據由升壓電容Cbst造成的耦合效應而變為與讀取線 14B的電壓增加梯度相同。
參考圖7C，取樣訊號SAM在取樣期間③為啟動(on)。取樣電路SH根據取樣訊號SAM取樣讀取線 14B的電壓。
圖8為繪示升壓電路中所包括的升壓電容形成在顯示面板的實例之示意圖和圖9為繪示升壓電路中所包括的升壓電容形成在控制印刷電路板的實例之示意圖。
參考圖8，電壓緩衝器BUF和開關SW1可位於源極驅動積體電路SDIC中而升壓電容Cbst可位於顯示面板10中而在源極驅動積體電路SDIC外。因此，可減少源極驅動積體電路SDIC的尺寸並可簡化源極驅動積體電路SDIC的配置。在顯示面板10中，升壓電容Cbst可形成在例如顯示面板10的非顯示區之多個像素PXL外的區域中。因此，可預防多個像素PXL的開口率因升壓電容Cbst而減少的副作用(side effect)。
參考圖9，電壓緩衝器BUF和開關SW1可位於源極驅動積體電路SDIC中而升壓電容Cbst可位於控制印刷電路板CPCB上而在源極驅動積體電路SDIC外。因此，可減少源極驅動積體電路SDIC的尺寸並可簡化源極驅動積體電路SDIC的配置。時序控制器和其類似元件可安裝在控制印刷電路板CPCB上。控制印刷電路板CPCB透過可撓性印刷電路薄膜或其類似薄膜電性連接源極驅動積體電路SDIC。
圖10為根據本揭露另一個實施例繪示像素電路、感測電路和升壓電路的配置實例的示意圖和圖11為用於驅動在圖10中所繪示的電路之波形圖。
參考圖10和圖11的實施例中，除了升壓電路 BST之外的其他元件實質相同於圖4和圖5的實施例中的元件。因此，相同元件的描述將省略。
參考圖10和圖11，升壓電路 BST除了電壓緩衝器BUF、升壓電容Cbst和開關SW1可進一步包括開關SW3和開關SW4。
電壓緩衝器BUF、升壓電容Cbst和開關SW1實質相同於參考圖4和圖5所描述的電壓緩衝器BUF、升壓電容Cbst和開關SW1。
開關SW3連接升壓電容Cbst的另一個電極和電壓緩衝器BUF的輸入端(+)之間。開關SW4連接升壓電容Cbst的另一個電極和資料線 14A之間。
開關SW3在編程期間①維持關閉狀態並在感測期間②以及取樣期間③維持導通狀態。此外，開關SW4在編程期間①僅維持導通狀態並在感測期間②以及取樣期間③維持關閉狀態。
因為開關SW3在編程期間①維持關閉狀態，用於感測的資料電壓Von可在資料線 14B中快速充電。在此方法中，當數位類比轉換器DAC的充電性能為低時，圖10和圖11的實施例為有效率的。在感測期間②以及取樣期間③中，升壓電容Cbst的另一個電極透過開關SW3和電壓緩衝器BUF連接資料線 14B。
圖12為繪示對應像素單元的4個升壓電路共享單個升壓電容。
參考圖12，對應像素R、像素W、像素G和像素B的4個升壓電路可共享單個升壓電容Cbst。在此實例中，多個升壓電路所包括的電壓緩衝器BUF可透過多工器開關SMR、SMW、SMG和SMB選擇性連接升壓電容Cbst。透過多工器開關連接升壓電容Cbst的電壓緩衝器對應感測像素以及對應多個非感測像素的其他電壓緩衝器。圖12繪示複數個升壓電路共享升壓電容Cbst的實例。本揭露的技術精神可概括如下。
多個像素可包括第一像素和第二像素，第一像素連接第一資料線和讀取線，第二像素連接第二資料線和讀取線。在此實例中，升壓電路可包括第一電壓緩衝器、第二電壓緩衝器、升壓電容Cbst、第一多工器和第二多工器，第一電壓緩衝器連接第一資料線，第二電壓緩衝器連接第二資料線，升壓電容Cbst具有一個電極連接讀取線，升壓電容Cbst具有另一個電極選擇性連接第一電壓緩衝器和第二電壓緩衝器，第一多工器連接於升壓電容Cbst的另一個電極和第一電壓緩衝器之間，第二多工器連接於升壓電容Cbst的另一個電極和第二電壓緩衝器之間。
圖13為繪示配置為具有可控制的總電容值的升壓電容單元之示意圖。
參考圖13，升壓電路可包括電壓緩衝器BUF、升壓電容電路以及開關SW1，電壓緩衝器BUF連接資料線，升壓電容電路連接於讀取線14B和電壓緩衝器BUF之間並根據控制訊號CTR控制的總電容值，開關SW1連接於電壓緩衝器BUF和數位類比轉換器DAC之間，開關SW1於編程期間開啟，開關SW1於感測期間和取樣期間關閉。
升壓電容電路可包括複數個升壓電容單元PSC，複數個升壓電容單元PSC連接於讀取線14B和電壓緩衝器BUF之間。每個升壓電容單元PSC包括互相串聯的升壓電容Cbst和控制開關SWx。因為許多控制開關的導通根據控制訊號CTR而決定，可參考數學式2所述的人工控制電容值CBST。
對所屬技術領域中具有通常知識者為顯而易見的是可在本發明中做各種修改和變化而不悖離本發明的範圍或精神。因此，意指本發明涵蓋本發明提供在隨後附上的申請專利範圍和其相等物之範圍內的修改和變化。
本揭露具有下列優點。
根據本揭露實施例的電致發光顯示裝置包括用於在感測操作期間耦接資料線 14A 和讀取線 14B的升壓電路 BST。升壓電路 BST包括升壓電容Cbst並於感測操作期間隨著讀取線 14B的電壓變化改變資料線 14A的電壓以維持驅動元件的閘極-源極電壓在固定位準。因此，本揭露可最大化關於驅動元件的電子遷移率的感測性能和補償性能。
本揭露可達成的效果不限於上述效果，且對於在本揭露的相關領域中具有通常知識者可從下列描述中明白了解各種其他效果。
10:顯示面板 11:時序控制器 12:資料驅動器 13:閘極驅動器 14A:資料線 14B:讀取線 15:閘極線 16:記憶體 20:補償電路 30:電源產生電路 ①:編程期間 ②:感測期間 ③:取樣期間 ADC:類比數位轉換器 BST:升壓電路 BUF:電壓緩衝器 Cbst:升壓電容 CDT:寄生電容 CDATA:校正後影片資料 CPCB:控制印刷電路板 Cpin:電壓緩衝器的輸入端的相等寄生電容 Cst:儲存電容 DAC:數位類比轉換器 DATA:影片資料 DCLK:時脈點訊號 DDC:資料時序控制訊號 DE:資料啟動訊號 DT:驅動元件 EL:發光元件 EVDD:高位準像素電壓 EVSS:低位準像素電壓 GDC:閘極時序控制訊號 Hsync:水平同步訊號 Ip:像素電流 L1~Ln:像素線 MUX:多工器 N1:第一節點 N2:第二節點 PSC:升壓電容單元 PXL,R,G,W,B:像素 SAM:取樣訊號 SCAN:閘極訊號 SDIC:源極驅動積體電路 SDATA:數位感測結果資料 SH:取樣電路 SMR,SMW,SMG,SMB:多工器開關 SR,SW1,SW2,SW3,SW4:開關 ST1:第一開關電晶體 ST2:第二開關電晶體 SU:感測電路 SWx:控制開關 VA:垂直主動期間 VB:垂直空白期間 Vdata,Von,Voff:資料電壓 Vgs:閘極-源極電壓損失 VN1:第一節點電壓 VN2:第二節點電壓 VSIO:第二節點電壓的損失 Vsync:垂直同步訊號 VPRER,VPRES:參考電壓
含括提供進一步解釋並整合和構成本發明的一部分的本發明附圖繪示本發明的實施例並與實施方式作為解釋本發明的原理。在圖式中： 圖1為根據本揭露實施例繪示電致發光顯示裝置的方塊圖； 圖2為繪示單個像素單元共享讀取線的連接實例的方塊圖； 圖3為繪示像素陣列和源極驅動積體電路的配置實例的示意圖； 圖4為根據本揭露實施例繪示像素電路、感測電路和升壓電路的配置實例的示意圖； 圖5為用於驅動在圖4中所繪示的電路之波形圖； 圖6為用於描述根據升壓電路的出現及不在之操作和效果差異的示意圖； 圖7A為對應圖5的編程期間的相等電路圖； 圖7B為對應圖5的感測期間的相等電路圖； 圖7C為對應圖5的取樣期間的相等電路圖； 圖8為繪示升壓電路中所包括的升壓電容形成在顯示面板的實例之示意圖； 圖9為繪示升壓電路中所包括的升壓電容形成在控制印刷電路板的實例之示意圖； 圖10為根據本揭露另一個實施例繪示像素電路、感測電路和升壓電路的配置實例的示意圖； 圖11為用於驅動在圖10中所繪示的電路之波形圖； 圖12為繪示對應像素單元的4個升壓電路共享單個升壓電容；以及 圖13為繪示配置為具有可控制的總電容值的升壓電容單元之示意圖。
14A:資料線
14B:讀取線
15:閘極線
ADC:類比數位轉換器
BST:升壓電路
BUF:電壓緩衝器
Cbst:升壓電容
CDT:寄生電容
Cpin:電壓緩衝器的輸入端的相等寄生電容
Cst:儲存電容
DAC:數位類比轉換器
DT:驅動元件
EL:發光元件
EVDD:高位準像素電壓
EVSS:低位準像素電壓
N1:第一節點
N2:第二節點
PXL:像素
SAM:取樣訊號
SCAN:閘極訊號
SH:取樣電路
SR,SW1,SW2:開關
ST1:第一開關電晶體
ST2:第二開關電晶體
SU:感測電路
Vdata,Von,Voff:資料電壓
VN1:第一節點電壓
VN2:第二節點電壓
VSIO:第二節點電壓的損失
VPRER,VPRES:參考電壓

Claims (20)

  1. 一種電致發光顯示裝置，其包括：一像素，包括一驅動元件，該驅動元件具有一閘電極和一源電極，該閘電極於一感測操作期間連接一資料線，該源電極於該感測操作期間連接一讀取線；一感測電路，配置來感測該讀取線的一電壓，該讀取線的該電壓於該感測操作期間根據流經該驅動元件的一像素電流而改變；以及一升壓電路，連接於該資料線和該讀取線之間，該升壓電路配置來於該感測操作期間根據該讀取線中改變後該電壓改變該資料線的一電壓。
  2. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中於該感測操作期間，對應該像素電流的該驅動元件的一閘極-源極電壓藉由根據該升壓電路在該讀取線的該電壓的改變而改變，使得該像素電流和對應該像素電流的該驅動元件的該閘極-源極電壓維持恆定。
  3. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中該像素進一步包括： 一第一開關電晶體，連接於該資料線和該驅動元件的該閘電極之間；一第二開關電晶體，連接於該讀取線和該驅動元件的該源電極之間；一儲存電容，連接於該驅動元件的該閘電極和該源電極之間；以及一發光元件，連接於該驅動元件的該源電極；其中該第一開關電晶體的一閘電極和該第二開關電晶體的一閘電極連接一閘極線，且該第一開關電晶體和該第二開關電晶體於該感測操作期間根據來自該閘極線之用於感測的一閘極訊號維持在一導通狀態。
  4. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，進一步包括一數位類比轉換器，該數位類比轉換器配置來於該感測操作期間輸出用於感測且欲施加於針對該像素電流的該驅動元件的該閘電極的一資料電壓。
  5. 如請求項4所述之電致發光顯示裝置，其中該感測操作期間包括一編程期間、一感測期間以及一取樣期間，在該編程期間中該驅動元件的一閘極-源極電壓係針對該像素電流設 定，在該感測期間中該讀取線的該電壓根據該像素電流改變，在該取樣期間中該讀取線的改變後該電壓被取樣；以及其中該升壓電路在該編程期間中傳送該資料電壓以感測該資料線，在該感測期間中浮接該資料線並在該取樣期間耦接該讀取線和浮接後該資料線。
  6. 如請求項5所述之電致發光顯示裝置，其中該感測電路在該編程期間中輸出用於感測且欲施加於該驅動元件的該源電極的一參考電壓至該讀取線，且在該取樣期間中根據一取樣訊號取樣該讀取線的改變後該電壓。
  7. 如請求項5所述之電致發光顯示裝置，其中該升壓電路包括：一電壓緩衝器，連接該資料線；一升壓電容，具有連接該讀取線的一電極以及連接該電壓緩衝器的另一電極；以及一第一開關，連接該電壓緩衝器和該數位類比轉換器之間，該第一開關在該編程期間中開啟，而在該感測期間和該取樣期間關閉。
  8. 如請求項7所述之電致發光顯示裝置，其中該電壓緩衝器和該第一開關位於一源極驅動積體電路中，該升壓電容 位於在該源極驅動積體電路之外的一顯示面板中，而該像素和該升壓電容位於該顯示面板的不同區域中。
  9. 如請求項7所述之電致發光顯示裝置，其中該電壓緩衝器和該第一開關位於一源極驅動積體電路中，而該升壓電容位於在該源極驅動積體電路外的一控制印刷電路板上。
  10. 如請求項7所述之電致發光顯示裝置，其中該升壓電路進一步包括：一第二開關，連接於該升壓電容的該另一電極和該電壓緩衝器之間；以及一第三開關，連接於該升壓電容的該另一電極和該資料線之間。
  11. 如請求項5所述之電致發光顯示裝置，其中該像素包括一第一像素以及一第二像素，該第一像素連接一第一資料線和該讀取線，該第二像素連接一第二資料線和該讀取線，且其中該升壓電路包括：一第一電壓緩衝器，連接該第一資料線；一第二電壓緩衝器，連接該第二資料線；一升壓電容，具有連接該讀取線的一電極以及選擇性連接該第一電壓緩衝器和該第二電壓緩衝器的另一電極； 一第一多工開關，連接於該升壓電容的該另一電極和該第一電壓緩衝器之間；以及一第二多工開關，連接於該升壓電容的該另一電極和該第二電壓緩衝器之間。
  12. 如請求項5所述之電致發光顯示裝置，其中該升壓電路包括：一電壓緩衝器，連接該資料線；一升壓電容電路，連接於該讀取線和該電壓緩衝器之間，該升壓電容電路根據一控制訊號具有一總電容值；以及一第一開關，連接該電壓緩衝器和該數位類比轉換器之間，該第一開關在該編程期間中開啟，而在該感測期間和該取樣期間關閉。
  13. 如請求項12所述之電致發光顯示裝置，其中該升壓電容電路包括複數個升壓電容電路，該複數個升壓電容電路連接於該讀取線和該電壓緩衝器之間，其中各該複數個升壓電容電路包括一升壓電容和與該升壓電容串聯連接的一控制開關，該複數個控制開關中欲導通的控制開關的數量係根據該控制訊號而決定。
  14. 一種電致發光顯示裝置，包括： 一像素，包括一驅動元件，該驅動元件具有一閘電極和一源電極，該閘電極於一感測操作期間連接一資料線，該源電極於該感測操作期間連接一讀取線；一感測電路，配置來感測該讀取線的一電壓，該讀取線的該電壓於該感測操作期間根據流經該驅動元件的一像素電流而改變；以及一升壓電容，具有連接於該讀取線的一個電極及連接於一電壓緩衝器的一輸入端的另一電極，且該電壓緩衝器的一輸出端連接於該資料線，該升壓電容配置來於該感測操作期間耦接該讀取線的改變後該電壓至該資料線。
  15. 如請求項14所述之電致發光顯示裝置，其中該像素進一步包括：一第一開關電晶體，連接於該資料線和該驅動元件的該閘電極之間；一第二開關電晶體，連接於該讀取線和該驅動元件的該源電極之間；一儲存電容，連接於該驅動元件的該閘電極和該源電極之間；以及一發光元件，連接於該驅動元件的該源電極； 其中該第一開關電晶體的一閘電極和該第二開關電晶體的一閘電極連接一閘極線，且該第一開關電晶體和該第二開關電晶體於該感測操作期間根據來自該閘極線之用於感測的一閘極訊號維持在一導通狀態。
  16. 如請求項14所述之電致發光顯示裝置，其中該感測操作期間包括一編程期間、一感測期間以及一取樣期間，在該編程期間中該驅動元件的一閘極-源極電壓係針對該像素電流設定，在該感測期間中該讀取線的該電壓根據該像素電流改變，在該取樣期間中該讀取線的改變後該電壓被取樣；以及其中在該編程期間中用於感測的資料電壓施加於該驅動元件的該閘電極，在該感測期間及該取樣時間中該資料線浮接並透過該升壓電容耦接該讀取線。
  17. 如請求項16所述之電致發光顯示裝置，其中在該編程期間中用於感測的一參考電壓藉由該讀取線和該升壓電容施加至該驅動元件的該源電極。
  18. 如請求項14所述之電致發光顯示裝置，其中該升壓電容位於一源極驅動積體電路外的一顯示面板中，而該像素和該升壓電容位於該顯示面板的不同區域中。
  19. 如請求項14所述之電致發光顯示裝置，其中該升壓電容位於一源極驅動積體電路外的一控制印刷電路板上。
  20. 如請求項14所述之電致發光顯示裝置，其中該像素包括一第一像素和一第二像素，該第一像素連接一第一資料線和該讀取線，該第二像素連接一第二資料線和該讀取線，該電壓緩衝器係一第一電壓緩衝器，而該升壓電容選擇性連接該讀取線和該第一電壓緩衝器之間或該讀取線和一第二電壓緩衝器的一輸入端之間。
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