TWI817026B - 半導體發光器件 - Google Patents

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德 森得 亞珍 哥本 范
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Abstract

本發明描述一種半導體發光器件(1)，其包括：一發射器矩陣(10)，其包括發射器單元(10E)穿插有非發射器單元(10e)之一配置，其中一發射器單元(10E)包括一半導體發射器(10L)，且一非發射器單元(10e)不包括一半導體發射器；若干接合墊(10B)，其等用於連接至一電源供應器(80)；及複數個線接合(10W)，其中各線接合(10W)自一接合墊(10B)延伸至一發射器單元(10E)之該半導體發射器(10L)。本發明亦描述一種成像配置(5)，其包括用於照明一場景(S)之一光源(1L)，該光源(1L)包括一對此等半導體發光器件(1)。本發明亦描述一種製造此一半導體發光器件之方法。

Description

半導體發光器件
本發明描述一種半導體發光器件；一種製造此一半導體發光器件之方法；及一種包括一對此等半導體發光器件之成像配置。
為了(例如)在一行動器件中，使用一緊湊成像配置之一影像感測器來擷取一影像，通常使用一半導體光源(例如，發光二極體(LED)或垂直腔表面發射雷射(VCSEL)之一陣列)來照明場景。一適應性半導體光源(亦稱為一適應性照射單元)(即，個別可定址區段(其等之各者可包括一或多個發光元件)之一陣列)可用於確保場景內之最佳曝光且因此可導致更佳影像。憑藉僅藉由所需量照明各場景區，一適應性半導體光源可因此降低功耗，此可為當成像系統被併入諸如一智慧型電話之一器件中且不應耗盡電池時之一顯著優勢。
通常，期望具有一非常緊湊之光源，即，一陣列之區段在一晶粒中彼此緊靠。雖然此對於一可見光譜LED陣列係可行的，但其在紅外LED之情況中係一問題。此係因為一紅外LED較佳地藉由線接合連接至晶粒之一接合墊。在具有許多紅外LED之一陣列中，線接合亦係有問題的，此係因為其等經配置於光路徑中，且亦因為線接合需要足夠「頂部空間(headroom)」，即，足夠空間以確保線接合不受損。大型IR-LED陣列之另 一問題在於至陣列中心之線接合明顯長於至陣列之外部區之線接合，且可限制最高可達成切換頻率。作為使用線接合之一替代例，一IRLED陣列可經製造為一覆晶器件，但此以約一半輸出功率為代價，此係因為覆晶IRLED較低效。
因此，本發明之一目的係提供克服上文概述之問題之一分段式半導體光源。
本發明之目的藉由技術方案1之半導體發光器件達成；藉由製造一半導體發光器件之技術方案9之方法達成；且藉由技術方案12之成像配置達成。
根據本發明，該半導體發光器件包括：一發射器矩陣，其包括發射器單元穿插有非發射器單元之一配置，其中一發射器單元包括一半導體發射器，且一非發射器單元不包括一半導體發射器；若干接合墊，其等用於連接至一電源供應器；及複數個線接合，其中各線接合自一接合墊延伸至一發射器單元之該半導體發射器。
該半導體發光器件用於照明一場景，且其在下文中可假定，製造一半導體發射器以達成5至100Mcd/m2(每平方米百萬新燭光)之一發光強度。
該發射器矩陣中之發射器單元與非發射器單元之比較佳地為1：1或儘可能接近此比。
因為該發射器矩陣(或「發射器陣列」)形成為發射器單元穿插有空單元或非發射器單元之一配置，故線接合之該配置有利地係稀疏的。此意味著延伸至該發射器矩陣之該中心中之該等線接合可明顯短於僅 包括發射器單元之一先前技術發射器矩陣之等效線接合。因此，本發明半導體發光器件需要較小「頂部空間」或間隙。因為該等發射器單元穿插有非發射器單元，故本發明器件之一進一步優勢在於由一線接合橫穿之發射器之數目少於用發射器充填之一先前技術發射器陣列中。此意味著，一顯著較低分率之總發射光被該等線接合阻擋，使得發射光與本發明器件之淨光輸出之比相較於先前技術發射器陣列更有利。本發明器件之一進一步優勢係投影於該場景上之減少數目之線接合陰影。本發明器件之一進一步優勢在於發射器之更大「分佈」(該等發射器單元穿插有空單元)導致熱效能改良。此係因為藉由任何作用中發射器單元產生之熱可更快速地消散，此係因為熱亦可透過相鄰「空」或非發射器單元消散。
根據本發明，製造此一半導體發光器件之方法至少包括製造一發射器矩陣以包括發射器單元穿插有非發射器單元之一配置之一步驟，其中一半導體發射器形成於各發射器單元中，且無半導體發射器形成於一非發射器單元中。該方法進一步包括在該半導體發光器件之一或多個邊緣處形成若干接合墊且在各半導體發射器與一接合墊之間連接一線接合之一步驟。
本發明方法可導致一相對經濟之半導體發光器件，此係由於考量遍及該發射器矩陣穿插之該等非發射器單元，更容易將線接合連接至該等半導體發射器。
根據本發明，該成像配置包括用於照明一場景之一光源，該光源包括一對此等半導體發光器件，其中一第一半導體發光器件之該發射器陣列經配置以本質上照明該場景之一半，且該第二半導體發光器件之該發射器陣列經配置以本質上照明該場景之另一半。該成像配置進一步包 括用於擷取藉由該光源照明之該場景之一影像之一影像感測器配置。
本發明成像配置之一優勢在於相較於包括具有相稱數目個發射器之一單一發射器陣列之一先前技術光源需要更少間隙或頂部空間。此係因為發射器陣列之該等線接合可以一更緊湊方式形成。如上文指示，本發明器件之發射光之數量相較於一等效先前技術發射器陣列(具有相同數目個發射器之一陣列)更有利，此係因為本發明器件中之任何線接合將橫穿相對更少之發射器。本發明成像配置亦具有相較於未利用一分段式光源之一成像配置功耗減少之優勢。考量稀疏填充之發射器陣列之改良熱行為，本發明成像配置之熱需求亦可不如相稱先前技術成像配置嚴格。
本發明成像配置可用於可獲益於使用一適應性光源中之一線接合晶粒之任何應用中，例如，飛行時間系統、機器人系統、無人機、蜂巢式電話或保全攝影機。
附屬項及下列描述揭示本發明之尤其有利的實施例及特徵。該等實施例之特徵可酌情組合。一個請求項種類之脈絡中描述之特徵可等同地應用於另一請求項種類。
在本發明之一尤其較佳實施例中，該發射器矩陣包括一3x3陣列中之至少9個單元，例如具有總共五個發射器單元(一個發射器單元在該陣列之中心且各隅角有一個發射器單元)。在本發明半導體發光器件之任何實施例中，該發射器矩陣之該等發射器單元可小於該等非發射器單元，反之亦然；一發射器單元可本質上為正方形，或可為矩形的；且X方向上之節距可等於Y方向上之節距，或該X方向上之該節距可不同於該Y方向上之該節距。在下文中，但不以任何方式限制本發明，可假定發射器單元及非發射器單元本質上具有相同大小，即，一發射器單元及一非發 射器單元各佔據該半導體器件之相同面積，且該X方向上之該節距與該Y方向上之該節距相同。一線接合可具有約30μm之一直徑，且該接合墊將係約三至五倍大。由於一單元必須為一線接合提供至少足夠之空間，故一單元之面積可為大約5,000μm2。
如上文指示，紅外半導體器件(例如IR-LED)可用於各種照射應用中(例如，一深度圖生成器、一飛行時間系統等中)，且一般經線接合以便改良當前效率。因此，在不以任何方式限制本發明的情況下，可在下文中假定，一發射器係一紅外發光二極體(IR-LED)。
一發射器矩陣可經形成為具有發射器單元及穿插之非發射器單元之任何適當分佈。例如，該等發射器單元可分組成2x2配置，藉由「空的空間」(即，藉由非發射器單元)分離。本發明光源之一實施例可具有實現為相反順序之其他發射器矩陣以便能夠完全照明一場景。
在本發明之一尤其較佳實施例中，一發射器矩陣包括發射器單元及非發射器單元之一簡單交替配置。例如，該等單元可配置為一棋盤圖案或一條紋圖案。較佳地，一棋盤圖案包括其中單一發射器單元與單一非發射器單元交替之一配置。類似地，一條紋圖案較佳地包括其中單列(或行)之發射器單元與單列(或行)之非發射器單元交替之一配置。
一個例示性實施例藉由一正方形陣列給定，即，其中列數與行數相同之一陣列或矩陣。兩個此等正方形陣列可經製備為彼此互補。例如，兩個3x3棋盤圖案陣列可並排配置。一第一3x3陣列包括五個發射器單元，一個發射器單元在中心且四個隅角之各者有一個發射器單元。該互補3x3陣列包括五個非發射器單元，一個非發射器單元在中心且該四個隅角之各者有一個非發射器單元。在此實施例中，本發明光源包括總共9 個發射器。
在一進一步例示性實施例中，兩個5x5條紋圖案陣列可並排配置。一第一5x5陣列包括三行發射器單元及兩行非發射器單元。在此情況中，該互補5x5陣列包括三行非發射器單元及兩行發射器單元。在此實施例中，本發明光源包括總共25個發射器。
在本發明之一較佳實施例中，該發射器矩陣可包括一半導體發射器陣列，其等之僅一子組將產生發射器單元。一「發射器單元」藉由將其半導體發射器作為一二極體連接至一電路中(即，藉由在該單元與一接合墊之間連接一線接合)而有效形成。此步驟係必要的，以便連接該半導體發射器作為一電路之部分。結果就是，一非發射器單元可實際上包括一半導體發射器之結構。然而，在無至一接合墊之任何電連接的情況下，此結構無法充當一半導體發射器。此直觀方法之優勢在於在晶圓製造期間可應用現有遮罩及層生長序列，且避免必須提供專用遮罩之成本之優勢可超過製備將不被使用之區之劣勢。
一非發射器單元可容納一切換元件，諸如一電晶體。在一個方法中，切換元件(例如，GaN/GaAs電晶體)及發射器可藉由使用適當遮罩及層沈積序列及/或磊晶生長同時形成。
在本發明之一尤其較佳實施例中，離散切換元件及發射器晶粒經安裝至一基板或載體，例如，安裝至一PCB或中介層上。各發射器晶粒經安裝至該發射器矩陣之一發射器單元上且經線接合至一相鄰非發射器單元中之一切換元件。額外電路連接可使用一適當多層方法設置於該PCB之本體中。
較佳地，該半導體發光器件亦包括用於連接至一驅動器之 一介面，實現該介面以(例如)根據瞬時場景照明需求個別地控制該等發射器。各發射器可單獨切換，且各發射器之強度可依據該等瞬時需求調整。存在管理一分段式照射單元之各種方式，且熟習此項技術者將熟悉驅動器需求，此不需要在本文中詳細論述。
在本發明之一尤其較佳實施例中，該成像配置包括用於塑形藉由該對半導體發光器件發射之光之光束成型光學器件。一光束成型光學器件可散佈來自一發射器陣列之光以覆蓋整個場景。所得照明圖案可為該發射器陣列圖案之一複本，即，其中場景區藉由穿插有非照明場景區(考量空單元)之發射器單元照明。替代地，一光束成型光學器件可塑形來自該等發射器單元之該光以照明一半該場景(當使用兩個發射器陣列時)。類似地，一光束成型光學器件可塑形來自一單一發射器陣列之該等發射器單元之該光以照明整個場景。
如上文提及，該光源之各半導體發光器件可有效照明該場景之一半，例如，一個發射器矩陣可照明一場景之左手側，而另一發射器矩陣可照明該場景之右手側。然而，其他配置係可能的。例如，各發射器矩陣可用於將光投射至整個視野上，其中該照明圖案具有與該發射器矩陣相同之棋盤特性。因此，在此一較佳實施例中，該等半導體發光器件較佳地彼此互補，即，該第一半導體發光器件之該發射器矩陣為該第二半導體發光器件之該發射器矩陣之補體。例如，該第一半導體發光器件之該發射器矩陣可能能夠照明該場景之左上角及該場景之右下角，且無法照明該場景之右上角及該場景之左下角。接著，該互補第二半導體發光器件之該發射器矩陣能夠照明該場景之該右上角及該左下角，但無法照明該場景之該左上角及該右下角。相同情況適用於被投射至該場景上之該等照明圖案中 之所有其他「單元」。
該成像配置較佳地定尺寸以用於一緊湊行動應用中，諸如一緊湊攝影機中或一智慧型電話中或亦用於任何其他空間受限及/或電池供電應用(諸如一機器人、一無人機、一汽車儀錶盤等)中。
自結合隨附圖式考慮之下列實施方式將變得明白本發明之其他目的及特徵。然而，應理解，圖式僅出於繪示之目的設計且不作為本發明之限制之一定義。
1:半導體發光器件
1L:光源
3:先前技術器件
10:發射器矩陣
10E:發射器單元
10L:發射器
10e:非發射器單元
10B:接合墊
10W:線接合
10switch:切換元件
10gate:MOSFET閘極控制
30:發射器矩陣
30L:發射器
30B:接合墊
30W:線接合
50:光束成型光學器件
51:光束成型光學器件
80:光源供應器
C1:間隙
C3:間隙
S:場景
圖1展示本發明半導體發光器件之一實施例；圖2給出圖1之器件之一側視圖；圖3展示一先前技術半導體發光器件之一實施例；圖4給出圖3之器件之一側視圖；圖5及圖6展示本發明成像配置之實施例；圖7繪示本發明半導體發光器件之一進一步實施例；圖8展示一發射器電路之一簡化電路圖；圖9展示實施圖8之電路之本發明半導體發光器件之一進一步實施例。
在圖中，通篇相同元件符號指代相同物件。圖中之物件不一定按比例繪製。
圖1展示本發明半導體發光器件1之一實施例。在此例示性實施例中，發射器矩陣10包括具有與非發射器單元10e交替之發射器單元10E之一5x5正方形陣列。各發射器單元10E容納一IR-LED 10L(其亦可稱 為發射器10L)。各非發射器單元10e在其不容納電路組件的意義上係「空的」。在此例示性實施例中，發射器矩陣10係適當載體，諸如經製備具有銅軌之一PCB、一中介層等。為了填充發射器矩陣，將發射器10L安裝至載體上。諸如一IR-LED之一發射器可在其底側處具有一個觸點(例如，陽極觸點)且在頂部具有另一觸點(例如，陰極觸點)。底側觸點可藉由一焊料接合電連接至一電路，而頂側觸點可藉由一線接合電連接至電路。此處，各發射器10L之一個觸點在發射器矩陣10之邊緣處接合至一接合墊，且另一觸點(例如)藉由延伸至一多層PCB中之一通孔焊料接合至一銅軌。圖展示用於連接至一電源供應器之若干接合墊10B及自接合墊延伸至安裝於發射器單元10E上之發射器10L之線接合10W。在此例示性實施例中，發射器陣列10經實現為發射器單元10E及空單元10e之一交替圖案，即，各發射器單元10E(及因此各發射器10L)沿著其側側接一空單元10e，且反之亦然。
在此5x5陣列中，中心單元係一空單元10e。因此，最長線接合不需要延伸至該中心單元。如在給出穿透圖1之器件1之一橫截面A-A’之圖2中展示，所需之頂部空間或間隙C1因此有利地係較小的。憑藉一有利地較短之連接及靠近表面配置之一線接合，可達成低至30μm之一間隙。此比一等效先前技術發射器陣列要求之頂部空間小約20%。器件1之總頂部空間需求低於其中所有單元實現為發射器單元10E之一相稱5x5陣列。此在圖3及圖4中繪示，其等以平面圖(圖3)及橫截面B-B'(圖4)展示此一先前技術半導體發光器件2。頂部空間減少可為一顯著優勢，此係因為頂部空間係許多緊湊應用中之一非常關鍵因素。
圖3之發射器陣列3需要至所有發射器30L之線接合。因為小的單元大小，一些線接合必須在其他線接合上方形成弧形，且一相對長 之線接合需要到達中心單元。如在給出圖3之器件3之一側視圖之圖4中展示，所需頂部空間或間隙C3因此係相當大的，使得先前技術器件3之總空間需求大於圖1之本發明器件1。此先前技術器件之一更明顯缺點係由線接合阻擋之光量，該等線接合相較於本發明器件必須跨過更多數目個發射器。此一先前技術器件當用於照明一場景時將不可避免地將許多線接合陰影投影至場景上。
一單一此發射器陣列1可用作一光源或照射單元以照明一整個場景(使得一影像可藉由一成像感測器擷取)。然而，發明者已認識到出於若干原因將光源分裂成兩個較小器件且容許各較小照射單元照明一半場景可為有利的。圖5展示本發明成像配置5之此一實施例。此處，一光源1L包括並排配置之兩個半導體發光器件。各半導體發光器件之發射器陣列10用於照明一場景S之一半。在此例示性實施例中，各發射器陣列10係如上文在圖1中描述之具有發射器10L及空單元10e之一交替配置之一3x3陣列。為了各發射器陣列10可「覆蓋」其整個場景之一半，一光束塑形光學器件50經配置於各發射器陣列10之光路徑中。此處，光束塑形光學器件50形成來自交替發射器10L之個別光束，使得所得光束可在所有五個發射器處於作用中時完全照明場景之一半。
圖6展示本發明成像配置5之一進一步實施例。又，光源1L包括並排配置之兩個半導體發光器件，且一半導體發光器件之發射器陣列10用於照明一場景S之一半。同樣地在此處，各發射器陣列10係如上文在圖1中描述之具有發射器10L及空單元10e之一交替配置之一3x3陣列。在此實施例中，各發射器陣列10可「覆蓋」整個場景S，從而投射照明區(藉由其發射器10L照明)及非照明區(考量其空單元10e)之一交替圖案。在此 例示性實施例中，發射器陣列10彼此互補，使得未藉由一個發射器陣列照明之一場景區藉由另一發射器陣列10之一發射器10L照明。同樣地在此處，一適當光束塑形光學器件51經配置於各發射器陣列10之光路徑中以將來自交替發射器10L之個別光束形成為散佈以覆蓋整個場景S之一光束。
圖7繪示半導體發光器件之一進一步實施例，且展示一發射器陣列10，其中各發射器經實現為一離散IR-LED 10L，且其中各非發射器單元10e用於將一相鄰IR-LED 10L連接至一電路中。為此，載體係一多層PCB，且各非發射器單元具有延伸至PCB內部中之一連接層中之一通孔。如此，各發射器10L可使用僅需要到達相鄰空單元10e之一非常短之線接合10W連接至一驅動器。
在一進一步實施例中，空單元10e可用於容納一切換元件，且各發射器可電連接至一相鄰切換元件。在圖8中展示一個此發射器/開關對之一簡化電路圖，其展示一發射器10L，其中發射器10L之陽極連接至一驅動器80且其之陰極連接至一切換元件10switch之汲極。在此例示性實施例中，切換元件10switch係一增強模式MOSFET。在圖9中展示使用安裝於一多層PCB載體上之若干此等發射器/開關對之一實施例。此處，整個電路包括並聯連接之多個此等發射器/開關對。各發射器10L之陽極使用嵌入PCB載體中之導電軌及至發射器10L底側上之觸點之一焊料接合連接至驅動器80之一電源供應器。各發射器10L之陰極藉由一線接合10W連接至切換元件10switch(定位於一相鄰非發射器單元10e中)之適當觸點。當然，若發射器10L經實現為一覆晶晶粒，則其陰極可藉由PCB之一導電軌連接至相鄰切換元件10switch。切換元件10switch之其他端子藉由至嵌入PCB載體中之導電軌之通孔連接至電路。藉由使一切換元件10switch及接地緊鄰一發射 器10L而將電流迴路降低至最大程度之優勢在於寄生線阻抗相應降低。此一實現可在具有一高切換頻率(例如，10MHz或更高)之一發射器陣列10之情況下尤其有利。
雖然已經以較佳實施例及其等之變體之形式揭示本發明，但將理解，在不脫離本發明之範疇的情況下，可對該等實施例及其等變體做出許多額外修改及變化。例如，雖然上文已專注於紅外發射器之一矩陣，但將理解，可使用其他發射器。發射器矩陣之發射器可為(例如)VCSEL，此係因為此等發射器亦可獲益於本發明器件之優勢，即，緊密堆積、緊鄰一VCSEL配置一電子組件之可能性、改良之熱效能等。
為了清楚起見，應理解，在此申請案通篇使用「一(a或an)」不排除複數個，且「包括」不排除其他步驟或元件。
1:半導體發光器件
10:發射器矩陣
10E:發射器單元
10L:發射器
10e:非發射器單元
10B:接合墊
10W:線接合

Claims (19)

  1. 一種半導體發光器件，其經組態以照明一場景，且包括：一發射器矩陣，其包括一規則矩陣陣列構造中之發射器單元穿插有非發射器單元之一配置，其中一發射器單元及一非發射器單元各佔據本質上相同之一面積，各發射器單元包括一半導體發射器，且各非發射器單元係不包括任何半導體發射器之一單元，各半導體發射器包括電路，其經驅動時係經組態以發射光，至少一非發射器單元包括一切換元件；若干接合墊，其等用於連接至一驅動器，該驅動器經組態以驅動該等半導體發射器之至少一者；及若干線接合，各線接合自該等接合墊之一者延伸以將該驅動器之電流提供至該等發射器單元之一者之該半導體發射器。
  2. 如請求項1之半導體發光器件，其中該發射器矩陣包括發射器單元及非發射器單元之一交替配置。
  3. 如請求項1之半導體發光器件，其中該等發射器單元及該等非發射器單元經配置為一棋盤圖案。
  4. 如請求項1之半導體發光器件，其中該等發射器單元及該等非發射器單元經配置為條紋圖案。
  5. 如請求項1之半導體發光器件，其中該發射器矩陣包括至少九個發射器單元之一陣列。
  6. 如請求項1之半導體發光器件，其中該發射器矩陣之該等發射器為紅外發光二極體。
  7. 如請求項1之半導體發光器件，其中該發射器矩陣之該等發射器為垂直腔表面發射雷射。
  8. 如請求項1之半導體發光器件，其中無線接合自該等接合墊之任一者延伸至該等非發射器單元之任一者。
  9. 如請求項1之半導體發光器件，其中：線接合之一數目少於該發射器矩陣中之單元之一數目，及該發射器矩陣之一中心單元係該等非發射器單元之一者。
  10. 如請求項1之半導體發光器件，其中：各線接合延伸至一不同切換元件，及各切換元件係與一相鄰發射器單元之該半導體發射器耦接。
  11. 一種成像配置，其包括：一光源，其用於照明一場景，該光源包括一對半導體發光器件，各半導體發光器件包括： 一發射器矩陣，其包括一規則矩陣陣列構造中之發射器單元穿插有非發射器單元之一配置，其中一發射器單元及一非發射器單元各佔據本質上相同之一面積，各發射器單元包括一半導體發射器，且各非發射器單元係不包括任何半導體發射器之一單元，各半導體發射器包括電路，其經驅動時係經組態以發射光；若干接合墊，其等用於連接至一驅動器，該驅動器經組態以驅動該等半導體發射器之至少一者；及若干線接合，各線接合自該等接合墊之一者延伸以將該驅動器之電流提供至該等發射器單元之一者之該半導體發射器，該等半導體發光器件之一第一者之該發射器矩陣經配置以本質上照明該場景之一半，且該等半導體發光器件之一第二者之該發射器矩陣經配置以本質上照明該場景之另一半；及一影像感測器配置，其用於擷取藉由該光源照明之該場景之一影像。
  12. 如請求項11之成像配置，其進一步包括用於塑形藉由該等半導體發光器件之該等發射器矩陣發射之光之光束成型光學器件。
  13. 如請求項11之成像配置，其中該等半導體發光器件之一者之該發射器矩陣產生一第一照明圖案，且該等半導體發光器件之另一者之該發射器矩陣產生一第二照明圖案，該第二照明圖案係該第一照明圖案之反轉。
  14. 如請求項11之成像配置，其中該成像配置係安置於一緊湊行動器件 中。
  15. 如請求項11之成像配置，其中該等半導體發光器件之該第一者或該第二者之至少一者之該發射器矩陣包括該等發射器單元及該等非發射器單元之一交替配置。
  16. 如請求項11之成像配置，其中該等半導體發光器件之該第一者或該第二者之至少一者之該等發射器單元及該等非發射器單元經配置為一棋盤圖案。
  17. 如請求項11之成像配置，其中該等半導體發光器件之該第一者或該第二者之至少一者之該等發射器單元及該等非發射器單元經配置為條紋圖案。
  18. 如請求項11之成像配置，其中該等半導體發光器件之該第一者或該第二者之至少一者之至少一非發射器單元包括一切換元件。
  19. 如請求項11之成像配置，其中該等半導體發光器件之該第一者或該第二者之至少一者之該發射器矩陣包括至少九個發射器單元之一陣列。
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