TWI816996B - 金屬圖案之製造方法 - Google Patents

金屬圖案之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI816996B
TWI816996B TW109110219A TW109110219A TWI816996B TW I816996 B TWI816996 B TW I816996B TW 109110219 A TW109110219 A TW 109110219A TW 109110219 A TW109110219 A TW 109110219A TW I816996 B TWI816996 B TW I816996B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polymer
composition
group
photoresist
mass
Prior art date
Application number
TW109110219A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202043304A (zh
Inventor
明石一通
浦部慈子
張銳
片山朋英
Original Assignee
德商默克專利有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 德商默克專利有限公司 filed Critical 德商默克專利有限公司
Publication of TW202043304A publication Critical patent/TW202043304A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI816996B publication Critical patent/TWI816996B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本發明之課題係提供可形成適合掀離(lift-off)之圖案形狀的正型光阻組成物。

其解決手段係一種正型光阻組成物，其含有(A)特定聚合物、(B)具有醯亞胺基之酸產生劑、(C)溶解速度調整劑及(D)溶媒。

Description

金屬圖案之製造方法
本發明係關於在半導體元件、半導體積體電路等之製造上所使用之正型光阻組成物及使用其之光阻圖案之製造方法。
在半導體等裝置之製造過程中，一般進行的是使用光阻之微影技術的細微加工。細微加工的步驟包含：在矽晶圓等半導體基板上形成薄型光阻層，以對應於目的裝置之圖案的遮罩圖案來覆蓋該層，隔著遮罩圖案利用紫外線等活性光線將該層予以曝光，將經曝光之層予以顯影，藉以得到光阻圖案，將所得到之光阻圖案當作保護膜來將基板加工處理；藉以形成對應於上述圖案之細微凹凸。
在使用正型光阻組成物時，藉由塗布所形成之光阻膜的曝光部係鹼溶解性因為由曝光所產生之酸而增加，會溶解於顯影液，形成圖案。一般來說，來自於曝光的光無法充分地到達光阻膜之下部，在光阻膜之下部，酸的產生會受到抑制，而且，在光阻膜之下部，所產生的酸會因基板的影響而失去活性。依此，使用正型光阻組成物所形成之光阻圖案會有成為錐形狀(基腳形狀)的傾向(專利文獻1)。
已知有如下所述之掀離法：在所形成之光阻圖案上，藉由蒸鍍等將金屬等材料予以成膜，利用溶媒去除掉光阻時，則載於光阻圖案上之材料會被去除掉，金屬等材料僅會殘留於未形成光阻圖案之部分。
當進行掀離法時，更佳的是逆錐形狀之光阻圖案，故大多是使用負型光阻組成物。就專利文獻2來說，是為了要作成EL顯示元件的間隔壁而不是半導體，故製程不同且所要求之精確度、敏感度也不同，但嘗試了逆錐形狀的形成。然而，所使用之全部的光阻組成是負型的，進而實現出逆錐形狀的是其一部分。 另一方面，有在檢討：使凹割(undercut)產生在從正型光阻組成所得到之光阻圖案的底部，而使T型形成(例如專利文獻3~5)。該等組成物係需要特殊聚合物、或者需要酚醛清漆樹脂與萘醌二疊氮化物系感光劑。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1　國際公開2011/102064 專利文獻2　日本特開2005-148391A 專利文獻3　日本特開2012-108415A 專利文獻4　日本特開2001-235872A 專利文獻5　日本特開平8-69111A
[發明所欲解決之課題]
本發明者認為在光阻組成物及其應用上仍存在要改良之1個以上的課題。該等係可例舉如下：無法形成適合掀離之光阻圖案形狀；光阻組成物之敏感度不充分；無法獲得充分的解析度；會在光阻圖案製造步驟上受到環境影響；無法製造厚膜光阻圖案；固體成分對於溶媒的溶解性不佳；就T型光阻圖案而言，當所蒸鍍的金屬較厚時，剝離液未能侵入光阻側壁；對於剝離液的溶解性低；無法形成縱橫比高的光阻圖案；光阻膜之裂痕多；缺陷數多；保存安定性不良。 本發明係解決上述課題而完成者，提供正型光阻組成物及使用其之光阻圖案之製造方法。 [用以解決課題之手段]
本發明之正型厚膜光阻組成物，其係含有： (A)聚合物，其為由包含聚合物P及聚合物Q之群組所選出之至少一個的聚合物，其中，組成物中之聚合物P之總質量Mp 及聚合物Q之總質量Mq 滿足式：0＜Mp /(Mp +Mq )≦100%及0≦Mq /(Mp +Mq )＜70%； (B)具有醯亞胺基之酸產生劑； (C)溶解速度調整劑，其為2個以上之苯酚構造透過可由氧所取代之烴基而鍵結的化合物；及 (D)溶媒， 該聚合物P包含由包含式(P-1)~(P-4)之群組所選出之重複單元， (式中， Rp1 、Rp3 、Rp5 及Rp8 係各自獨立為C1~5 烷基、C1~5 烷氧基、或-COOH， Rp2 、Rp4 及Rp7 係各自獨立為C1~5 烷基(此處烷基中之-CH2 -也可由-O-所取代)， Rp6 及Rp9 係各自獨立為C1~5 烷基(此處烷基中之-CH2 -也可由-O-所取代)， x1為0~4，x2為1~2，其中x1+x2≦5， x3為0~5， x4為1~2，x5為0~4，其中x4+x5≦5)， 該聚合物Q包含由式(Q-1)所示重複單元， (式中， Rq1 係各自獨立為C1~5 烷基， y1為1~2，y2為0~3，其中y1+y2≦4)。
又，本發明之光阻圖案之製造方法，其包含下述步驟： (1)將上述之正型光阻組成物應用在基板的上方； (2)將該組成物加熱，形成光阻層； (3)將該光阻層曝光； (4)將該光阻層在曝光後予以加熱；及 (5)將該光阻層予以顯影。 [發明效果]
藉由使用本發明之正型光阻組成物，則可期待以下的1個或複數個效果。 可形成適合掀離之光阻圖案形狀。光阻組成物之敏感度充分。可獲得充分的解析度。在光阻圖案製造時可減少環境之影響。能夠製造厚膜的光阻圖案。固體成分對於溶媒的溶解性良好。即便所蒸鍍的金屬較厚也可得到剝離液能侵入光阻側壁之光阻圖案形狀。對於剝離液的溶解性高。可形成縱橫比高的光阻圖案。可抑制光阻膜之裂痕。能減少缺陷數。保存安定性良好。 對於剝離液之溶解性高、光阻圖案形狀更良好係屬本發明之優勢。
定義 在本說明書中，在未特別限定、提及的前提下，係依據本「定義」段落中所記載之定義、例子。 單數形式係包含複數形式，「1個」、「其」係意指「至少1個」。某個概念之要素係可藉由複數種類而顯現出，在記載其量(例如，質量%、莫耳%)的情形下，其量係意指該等複數種類的總和。 「及/或」係包含要素之所有組合，又，也包含單體之使用。 在使用「~」或「-」來表示數值範圍時，此等包含兩邊端點，單位是共通的。例如，5~25莫耳%係意指5莫耳%以上25莫耳%以下。 「Cx -y 」、「Cx -Cy 」及「Cx 」等之記載係意指分子或取代基中之碳數。例如，C1-6 烷基係意指具有1以上6以下之碳數的烷基鏈(甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等)。 在聚合物具有複數種重複單元時，此等重複單元係共聚的。此等共聚係可為交互聚合、無規聚合、嵌段聚合、接枝聚合、或此等之混合存在。當以構造式表示聚合物和樹脂時，括弧中所合併記載之n、m等係表示重複數。 溫度的單位係採用攝氏(Celsius)。例如，20度係意指攝氏20度。
以下，針對本發明之實施形態進行詳細說明。
＜正型光阻組成物＞ 本發明之正型光阻組成物(以下有時稱為組成物)含有(A)特定之聚合物、(B)具有醯亞胺基之酸產生劑、(C)溶解速度調整劑及(D)溶媒。 本發明之組成物之黏度較佳為50~2000cP，更佳為200~1500cP。此處之黏度係透過細管黏度計在25℃下所測定者。 本發明之組成物較佳為厚膜光阻形成組成物。於此，本發明中所謂的厚膜係意指1~50μm，較佳為5~15μm的膜厚度，所謂的薄膜係意指小於1μm的膜厚度。 本發明之組成物係較佳在之後進行之曝光中使用波長為190~440nm，較佳為240~440nm，再佳為360~440nm，又再佳為350nm的光。 本發明之組成物較佳為逆錐形狀形成正型光阻組成物。在本發明中，係「逆錐形狀」在後面會說明。 本發明之組成物較佳為正型光阻掀離組成物。
(A)聚合物 (A)聚合物係包含聚合物P、或聚合物P及聚合物Q之組合而成。雖沒有記載，但在共同包含聚合物P與聚合物Q時，該等不共聚。
[聚合物P] 本發明所使用之聚合物P係與酸進行反應而對於鹼性水溶液的溶解度增加者。此類聚合物係例如具有由保護基所保護之酸基，當從外部添加酸時，其保護基會脫離，而對於鹼性水溶液的溶解度增加。
聚合物P包含由包含式(P-1)~(P-4)之群組所選出之重複單元。 式中， Rp1 、Rp3 、Rp5 及Rp8 係各自獨立為C1~5 烷基、C1~5 烷氧基、或-COOH， Rp2 、Rp4 及Rp7 係各自獨立為C1~5 烷基(此處烷基中之-CH2 -可由-O-所取代)，Rp6 及Rp9 係各自獨立為C1~5 烷基(此處烷基中之-CH2 -可由-O-所取代)， x1為0~4，x2為1~2，其中x1+x2≦5， x3為0~5， x4為1~2，x5為0~4，其中x4+x5≦5。 作為本發明之聚合物P的一形態，僅具有(P-1)作為構成單元，也可以是x2=1之(P-1)與x2=2之(P-1)為1：1之比例。此時，x2=1.5。關於聚合物，在未特別言及的情形下，以下均是相同。
在式(P-1)中， RP1 較佳為氫、甲基，更佳為氫。 RP2 較佳為甲基、乙基、三級丁基或甲氧基，更佳為甲基或三級丁基。 x2較佳為1或2，更佳為1。 x1較佳為0、1、2或3，更佳為0。
式(P-1)之具體例如下。
在式(P-2)中， RP3 較佳為氫或甲基，更佳為氫。 RP4 較佳為甲基、乙基、三級丁基或甲氧基，更佳為甲基或三級丁基。 X3較佳為0、1、2或3，更佳為0。
式(P-2)之具體例如下。
在式(P-3)中， RP5 較佳為氫或甲基，更佳為氫。 RP6 較佳為甲基、乙基、丙基、三級丁基、-CH(CH3 )-O-C2 H5 或-CH(CH3 )-O-CH3 ，更佳為甲基、三級丁基、-CH(CH3 )-O-C2 H5 或-CH(CH3 )-O-CH3 ，再佳為三級丁基或-CH(CH3 )-O-C2 H5 。 RP7 較佳為甲基、乙基、三級丁基或甲氧基，更佳為甲基或三級丁基。 x4較佳為1或2，更佳為1。 x5較佳為0、1、2或3，更佳為0。
式(P-3)之具體例如下。
在式(P-4)中， RP8 較佳為氫或甲基，更佳為氫。RP9 較佳為甲基、乙基、丙基或三級丁基，更佳為三級丁基。
式(P-4)之具體例如下。
此等之構成單元係因可因應目的而適當摻配，所以該等之摻配比並未特別限定，較佳以因酸而對於鹼性水溶液之溶解度的增加比例變得適當的方式來摻配。 較佳的是在(A)聚合物中，屬式(P-1)、(P-2)、(P-3)及(P-4)之重複單元數的各個np1 、np2 、np3 及np4 較佳滿足以下式子： 30%≦np1 /(np1 +np2 +np3 +np4 )≦90%； 0%≦np2 /(np1 +np2 +np3 +np4 )≦40%； 0%≦np3 /(np1 +np2 +np3 +np4 )≦40%；及 0%≦np4 /(np1 +np2 +np3 +np4 )≦40%。 np1 /(np1 +np2 +np3 +np4 )更佳為40~80%，再佳為40~70%。 np2 /(np1 +np2 +np3 +np4 )更佳為0~30%，再佳為10~30%。 np3 /(np1 +np2 +np3 +np4 )更佳為0~30%，再佳為10~30%。np3 /(np1 +np2 +np3 +np4 )為0亦為一較佳態樣。 np4 /(np1 +np2 +np3 +np4 )更佳為10~40%，再佳為10~30%。 又，(np3 +np4 )/(np1 +np2 +np3 +np4 )較佳為0~40%，更佳為0~30%，再佳為10~30%。在聚合物P中，式(P-3)及(P-4)之重複單元的任一者存在，而另一者不存在也是更佳態樣。
聚合物P也可包含(P-1)~(P-4)以外之構成單元。於此，聚合物P中所含全部重複單元的總數ntotal 較佳滿足以下式子： 80%≦(np1 +np2 +np3 +np4 )/ntotal ≦100%。 (np1 +np2 +np3 +np4 )/ntotal 更佳為90~100%，再佳為95~100%。(np1 +np2 +np3 +np4 )/ntotal =100%，即不包含(P-1)~(P-4)以外之構成單元也是本發明之一較佳態樣。
聚合物P之具體例如下。
聚合物P之質量平均分子量(以下有時稱為Mw)較佳為5000~50000，更佳為7000~30000，再佳為10000~15000。 在本發明中，Mw係可利用凝膠滲透層析(gel permeation chromatography，GPC)來進行測定。就該測定而言，將GPC管柱設在攝氏40度、溶出溶媒四氫呋喃設為0.6mL/分鐘、單分散聚苯乙烯設為標準來使用係屬一較佳例。以下均同。
[聚合物Q] 本發明所使用之聚合物Q係一般在微影技術中所使用之酚醛清漆聚合物，例如可藉由酚類與甲醛之縮合反應而獲得。 聚合物Q包含式(Q-1)所示之重複單元。 式中， Rq1 係各自獨立為C1~5 烷基， y1為1~2， y2為0~3，其中y1+y2≦4。 y1較佳為1或2，更佳為1。 y2較佳為0~2，更佳為0.5~1.5。
聚合物Q較佳包含由包含式(Q-1a)~(Q-1d)之群組所選出之重複單元。
(Q-1a)之重複單元數Nqa 、(Q-1b)之重複單元數Nqb 、(Q-1c)之重複單元數Nqc 及(Q-1d)之重複單元數Nqd 較佳滿足以下式子： 30%≦Nqa /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )≦100% 0%≦Nqb /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )≦70% 0%≦Nqc /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )≦50%、及0%≦Nqd /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )≦70%。 Nqa /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )更佳為30~80%，再佳為30~70%，又再佳為40~60%。 Nqb /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )更佳為10~60%，再佳為20~50%，又再佳為30~50%。 Nqc /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )更佳為0~40%，再佳為10~30%。Nqc /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )為0%也是一較佳形態。 Nqd /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )更佳為0~40%，再佳為10~30%。Nqd /(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )為0%也是一較佳形態。在聚合物Q，存在式(Q-1c)及(Q-1d)之重複單元的任一者且不存在另一者的態樣也屬較佳。
聚合物Q係也可包含(Q-1a)~(Q-1d)以外之構成單元。於此，聚合物Q中所含全部重複單元的總數Ntotal 較佳滿足以下式子： 80%≦(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )/Ntotal ≦100%。 (Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )/Ntotal 更佳為90~100%，再佳為95~100%。(Nqa +Nqb +Nqc +Nqd )/Ntotal =100%，亦即不包含(Q-1a)~(Q-1d)以外之構成單元，也是本發明之一較佳態樣。
聚合物Q之質量平均分子量(以下有稱為Mw的情形)較佳為1000~50000，更佳為2000~30000，再佳為3000~10000。
組成物中之聚合物P總質量Mp 及聚合物Q總質量Mq 較佳滿足式子：0＜Mp /(Mp +Mq )≦100%，更佳為滿足40≦Mp /(Mp +Mq )≦90%。 又，較佳滿足0≦Mq /(Mp +Mq )＜70%，更佳為滿足10≦Mq /(Mp +Mq )≦60%。
當與聚合物P比較時，聚合物Q為鹼溶解高之聚合物。在聚合物(A)中，雖可不包含聚合物Q，但當包含時，則有光阻圖案容易變成後述圖1(B)般之倒懸形狀的傾向。其中，必須注意的是，聚合物Q因為鹼溶解性高，所以當相對於聚合物P及Q之總質量的聚合物Q含量為7成以上時，有光阻圖案之剖面形狀近似錐形狀的傾向。
(A)聚合物可包含聚合物P及聚合物Q以外之聚合物。聚合物P及Q以外之聚合物含量係以(A)聚合物總質量為基準，更佳為60%以下，再佳為30%以下。聚合物P及Q以外之聚合物係聚合物P及聚合物Q均不共聚。 所謂的聚合物P及聚合物Q以外之聚合物係不滿足由包含上述式(P-1)~(P-4)之群組所選出之重複單元之聚合物的條件，且不滿足包含由上述式(Q-1)所示重複單元之聚合物的條件。 不包含聚合物P及聚合物Q以外之聚合物也是本發明之一較佳態樣。
(A)聚合物之含量係以組成物總質量為基準，較佳為10~50質量%，更佳為30~40質量%。
(B)具有醯亞胺基之酸產生劑 本發明之組成物包含(B)具有醯亞胺基之酸產生劑(以下有時稱為(B)酸產生劑)。此(B)酸產生劑會因光的照射而釋出，該酸會作用於聚合物P，而發揮增加聚合物之對於鹼性水溶液的溶解度的效用。例如，在聚合物具有由保護基所保護之酸基時，會因為酸而使該保護基脫離。 在本發明中，所謂的(B)酸產生劑係指具有上述功能的化合物本身。雖然也會有該化合物被溶解或分散於溶媒而被含有於組成物的情形，但此類溶媒較佳係作為(D)溶媒或其他成分而被含有於組成物。往後，對於可以被含在組成物之各種添加劑也是一樣。 另外，本發明中之醯亞胺基係意指具有-N＜之結構者，較佳於兩個羰基之間具有存在氮原子之結構-C(=O)-N(-Z)-C(=O)-(此處Z為有機基)。
另外，本發明之組成物較佳係實質上不包含一般作為酚醛清漆聚合物之感光劑而使用之重氮萘醌衍生物及醌二疊氮磺酸酯系感光劑(以下，在本段落中，是當作重氮萘醌衍生物等)。於專利文獻1~3等之先前文獻中，重氮萘醌衍生物等係藉由曝光而變成羧酸，可使用在用以提升曝光部之鹼溶解性。另一方面，可認為因為未曝光部(未經曝光的部分)而重氮萘醌衍生物等係使酚醛清漆聚合物高分子量化，有助於妨礙溶解。 本發明之組成物包含重氮萘醌衍生物等時，則有光阻圖案之剖面形狀近似錐形狀的傾向。因此，本發明之組成物完全不包含重氮萘醌衍生物等也是一較佳形態。
(B)酸產生劑較佳由式(b)所示。 式中， Rb1 係各自獨立為C3~10 烯基或炔基(此處，烯基及炔基中之CH3 -可由苯基所取代，烯基及炔基中之-CH2 -可由-C(=O)-、-O-或伸苯基之至少一者所取代)、C2~10 硫烷基、C5~10 飽和雜環， nb為0、1或2，且 Rb2 為C1~5 之經氟取代之烷基。於此，氟取代係藉由至少1個氫原子由氟所取代即可，更佳為所有氫被氟所取代。 此處，在本發明中，所謂的烯基係意指具有1個以上之雙鍵(更佳為1個)的一價基。同樣地，所謂的炔基係意指具有1個以上之三鍵(更佳為1個)的一價基。
Rb1 較佳為C3~12 烯基或炔基(此處，烯基及炔基中之CH3 -可由苯基所取代，烯基及炔基中之-CH2 -可由-C(=O)-、-O-或伸苯基之至少一者所取代)、C3~5 之硫烷基、C5~6 之飽和雜環。 作為Rb1 之具體例，可列舉出-C≡C-CH2 -CH2 -CH2 -CH3 、-CH=CH-C(=O)-O-tBu、-CH=CH-Ph、-S-CH(CH3 )2 、-CH=CH-Ph-O-CH(CH3 )(CH2 CH3 )及哌啶。於此，tBu係意指三級丁基，Ph係意指伸苯基或苯基。往後，在未特別說明的前提下，均是相同。 nb較佳為0或1，更佳為nb=0。Nb=1也是一較佳態樣。 Rb2 較佳為C1~4 之所有氫被氟取代之烷基，更佳為C1 或C4 之所有氫被氟取代之烷基。Rb2 之烷基較佳為直鏈。
(B)酸產生劑之具體例如下。
例如，下述具體例可由式(b)所表示。Rb1 為C8 烯基，為-CH=CH-CH2 -CH2 -CH(CH3 )(CH2 CH3 )，其1個-CH2 -取代為伸苯基且1個-CH2 -取代為-O-。nb=1。Rb2 為-CF3 。
(B)酸產生劑之分子量較佳為400~1500，更佳為400~700。 (B)酸產生劑之含量係以(A)聚合物總質量為基準，為0.1~10.0質量%，更佳為0.5~1.0質量%。
(C)溶解速度調整劑 本發明之組成物包含溶解速度調整劑，其為2個以上之苯結構透過可由氧所取代之烴基而鍵結之化合物。 (C)溶解速度調整劑具有調整聚合物對於顯影液之溶解性的功能。理論尚未明確，可認為：藉由(C)溶解速度調整劑存在，則因以下機制而可形成較佳圖案形狀。(C)溶解速度調整劑係具有苯結構，對於鹼顯影液的溶解性高。顯影時，顯影液係首先接觸到膜的上部。此時，僅有存在於膜中之表面附近的(C)溶解速度調整劑會溶解於顯影液。藉此，未曝光部之膜的表面附近係(C)溶解速度調整劑消失，聚合物高分子量化，對於鹼顯影液之溶解性降低。另一方面，所形成之光阻圖案的側面係溶解有被促進的傾向，光阻圖案之剖面形狀變成逆錐形狀。藉此機制，溶解速度調整劑有助於逆錐形狀形成。如此一來，(C)溶解速度調整劑係具有進行抑制溶解或促進溶解之速度調整的功能。
(C)溶解速度調整劑較佳為式(c)所示化合物。 式中， nc1係各自獨立為1、2或3， nc2係各自獨立為0、1、2或3， Rc1 係各自獨立為C1~7 之烷基， Lc 係C1~15 之2價伸烷基(此係可由可經羥基取代之芳基所取代，也可與Lc 以外之取代基形成環)。
nc1較佳係各自獨立為1或2，更佳為1。 nc2較佳係各自獨立為0、2或3。較佳態樣係2個nc2相同。nc2為0也是一較佳態樣。 Rc1 較佳係各自獨立為甲基、乙基或環己基，更佳為甲基或環己基。 Lc 較佳係C2~12 之2價伸烷基，更佳為C2~7 之2價伸烷基。可將此伸烷基進行取代之芳基係可為1價芳基，也可為2價芳基。此芳基較佳為苯基或伸苯基。此芳基係可被羥基取代，較佳的是1個芳基可被1個或2個羥基取代，更佳的是可被1個羥基取代。Lc 之伸烷基可為直鏈、分支、環狀(較佳為環己烯)及該等之任意鍵結。 作為與Lc 以外之取代基形成環的一例，例如可列舉出：與Rc1 或鍵結在Rc1 所鍵結之苯基上之OH形成環者，作為形成後者之環的一例，可列舉出下述具體例。 Lc 較佳為-CRc2 Rc3 -(此處，Rc2 為氫或甲基，且Rc3 為芳基或芳基取代之烷基，此處之芳基係可經羥基取代)。
(C)溶解速度調整劑之具體例如下。
例如，下述具體例係可由式(c)所表示。2個nc1都是1，且2個nc2都是2。Rc1 全是甲基。Lc 為C7 之2價伸烷基時，1個-CH3 係取代為苯基，其他1個異丙基的三級碳原子部分係取代為經羥基取代之苯基。
(C)溶解速度調整劑之分子量較佳為90~1500，更佳為200~900。
(C)溶解速度調整劑之含量係以(A)聚合物總質量為基準，較佳為0.1~20質量%，更佳為2~5質量%。
(D)溶媒 本發明之組成物包含(D)溶媒。溶媒係只要是可溶解所摻配之各成分者，則無特別限定。(D)溶媒較佳為水、烴溶媒、醚溶媒、酯溶媒、醇溶媒、酮溶媒或此等之任意組合。 作為溶媒之具體例，例如可列舉出水、正戊烷、異戊烷、正己烷、異己烷、正庚烷、異庚烷、2,2,4-三甲基戊烷、正辛烷、異辛烷、環己烷、甲基環己烷、苯、甲苯、二甲苯、乙苯、三甲基苯、甲基乙基苯、正丙基苯、異丙基苯、二乙基苯、異丁基苯、三乙基苯、三異丙基苯、正戊基萘、三甲基苯、甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、二級丁醇、三級丁醇、正戊醇、異戊醇、2-甲基丁醇、二級戊醇、三級戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、二級己醇、2-乙基丁醇、二級庚醇、庚醇-3、正辛醇、2-乙基己醇、二級辛醇、正壬醇、2,6-二甲基庚醇-4、正癸醇、二級十一烷醇、三甲基壬醇、二級十四烷醇、二級十七烷醇、苯酚、環己醇、甲基環己醇、3,3,5-三甲基環己醇、苄基醇、苯基甲基卡必醇、二丙酮醇、甲酚、乙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、戊二醇-2,4、2-甲基戊二醇-2,4、己二醇-2,5、庚二醇-2,4、2-乙基己二醇-1,3、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、甘油、丙酮、甲基乙基酮、甲基正丙基酮、甲基正丁基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、甲基正戊基酮、乙基正丁基酮、甲基正己基酮、二異丁基酮、三甲基壬酮、環己酮、環戊酮、甲基環己酮、2,4-戊二酮、丙酮基丙酮、二丙酮醇、苯乙酮、葑酮、乙基醚、異丙基醚、正丁基醚(二丁基醚，DBE)、正己基醚、2-乙基己基醚、環氧乙烷、1,2-環氧丙烷、二氧戊環(dioxolane)、4-甲基二氧戊環、二烷、二甲基二烷、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇單正丁基醚、乙二醇單正己基醚、乙二醇單苯基醚、乙二醇單-2-乙基丁基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇單正丁基醚、二乙二醇二正丁基醚、二乙二醇單正己基醚、乙氧基三二醇、四乙二醇二正丁基醚、丙二醇單甲基醚(PGME)、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單丁基醚、三丙二醇單甲基醚、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、二乙基碳酸酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、γ-丁內酯、γ-戊內酯、醋酸正丙酯、醋酸異丙酯、醋酸正丁酯(乙酸正丁酯，nBA)、醋酸異丁酯、醋酸二級丁酯、醋酸正戊酯、醋酸二級戊酯、醋酸3-甲氧基丁酯、醋酸甲基戊酯、醋酸2-乙基丁酯、醋酸2-乙基己酯、醋酸苄酯、醋酸環己酯、醋酸甲基環己酯、醋酸正壬酯、乙醯基醋酸甲酯、乙醯基醋酸乙酯、醋酸乙二醇單甲基醚、醋酸乙二醇單乙基醚、醋酸二乙二醇單甲基醚、醋酸二乙二醇單乙基醚、醋酸二乙二醇單正丁基醚、醋酸丙二醇單甲基醚、醋酸丙二醇單乙基醚、醋酸丙二醇單丙基醚、醋酸丙二醇單丁基醚、醋酸二丙二醇單甲基醚、醋酸二丙二醇單乙基醚、二醋酸二醇、醋酸甲氧基三二醇、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、γ-丁內酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、丙二醇1-單甲基醚2-乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、二甲硫、二乙硫、噻吩、四氫噻吩、二甲基亞碸、環丁碸、及1,3-丙烷磺內酯(1,3-propane sultone)。此等溶媒係可單獨或混合2種以上而使用。
(D)溶媒係較佳包含低沸點溶媒，更佳為以(D)溶媒總質量為基準，包含低沸點溶媒60%以上。 在本發明中，低沸點溶媒係意指沸點為80~140℃，更佳為110~130℃之溶媒。沸點係在大氣壓下測定，作為低沸點溶媒，可列舉有PGME和nBA。
作為溶媒(D)，較佳為PGME、EL、PGMEA、nBA、DBE或此等之任意混合物。在混合2種的情形下，第1溶媒與第2溶媒之質量比較佳為95：5~5：95(更佳為90：10~10：90)。(D)溶媒為PGME與EL之混合物係一較佳形態。
可認為：(D)溶媒包含至少一種低沸點溶媒，有助於本發明之組成物形成逆錐形狀。理論尚未明確，可認為是以下機制。(D)溶媒由於包含低沸點溶媒，得以將本發明之組成物應用在基板上，於加熱時，(D)溶媒會揮發得更多，而在所形成之膜中，溶媒之含量會變少。也就是說，變成高密度的膜。因為膜密度高，所以在曝光部，從(B)酸產生劑所產生之酸的密度上升，酸的擴散頻率上升。如上所述，表面附近會更高分子量化，所以可抑制所擴散之酸的影響，但於圖案側面、下部會變得容易受到所擴散之酸的影響。藉此，有助於形成逆錐形狀。再者，於含有(E)之鹼性化合物時，如後述般，於未曝光部，有酸擴散之抑制效果，於下部，擴散抑制效果更少，所以變得更容易形成逆錐形狀。
就與其他層、膜的關係而言，(D)溶媒不含水也是一態樣。例如，水在(D)溶媒整體中所佔的量較佳為0.1質量%以下，更佳為0.01質量%以下，再佳為0.001質量%以下。
(D)溶媒含量係以組成物總質量為基準，為40~90質量%，更佳為30~50質量%。藉由使溶媒在組成物整體中所佔的量增減，可控制成膜後之膜厚。
(E)鹼性化合物 本發明之組成物可進一步含有(E)鹼性化合物。 (E)鹼性化合物具有抑制在曝光部所產生之酸擴散的效果。然後，在本發明中，可認為(E)鹼性化合物會發揮有助於形成逆錐形狀的作用。理論尚未明確，可認為是如下機制。將本發明之組成物應用在基板上，於進行膜化時，(E)鹼性化合物係均勻存在於膜中。其後，當加熱時，(E)鹼性化合物中之存在於膜中的上方的一部分會與溶劑一起揮發於大氣中，而未揮發的部分也會移動至上方。藉此，膜中之(E)鹼性化合物的分布係上方多、下方少地偏向存在。藉由曝光，酸從酸產生劑被放出，當此酸藉由曝光後加熱而擴散至未曝光部時，會與該(E)鹼性化合物引發中和反應，藉以抑制酸往未曝光部之擴散，惟此時，因膜中之(E)鹼性化合物的偏向存在，而在未曝光部，於膜的上方是抑制酸擴散的效果高，但於膜的下方則是抑制酸擴散的效果變低。也就是說，酸分布會是下方高於上方。藉此，在以鹼顯影液進行顯影時，有助於形成逆錐形狀。 鹼性化合物係除了上述效果之外，還具有抑制因空氣中所含胺成分所導致之光阻膜表面之酸失去活性的效果。
(E)鹼性化合物較佳從包含氨、C1~16 之一級脂肪族胺、C2~32 之二級脂肪族胺、C3~48 之三級脂肪族胺、C6~30 之芳香族胺、及C5~30 之雜環胺與此等之衍生物的群組所選出。
作為鹼性化合物之具體例，可列舉有氨、乙胺、正辛胺、乙二胺、三乙胺、三乙醇胺、三丙胺、三丁胺、三異丙醇胺、二乙胺、參[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、1,8-二氮聯環[5.4.0]十一烯-7、1,5-二氮聯環[4.3.0]壬烯-5、7-甲基-1,5,7-三氮聯環[4.4.0]癸-5-烯、1,5,7-三氮聯環[4.4.0]癸-5-烯。
(E)鹼性化合物之分子量較佳為17~500，更佳為100~350。
(E)鹼性化合物之含量係以(A)聚合物總質量為基準，較佳為0~1.0質量%，更佳為0.05~0.3質量%。當考慮到組成物之保存安定性時，不含(E)鹼性化合物也是一較佳形態。
(F)塑化劑 本發明之組成物可進一步含有(F)塑化劑。藉由添加塑化劑，則可抑制光阻圖案之裂痕產生。
作為塑化劑之例子，可列舉出鹼可溶性乙烯基聚合物和含有酸解離性基之乙烯基聚合物。更具體來說，例如可列舉有聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚羥基苯乙烯、聚乙烯基乙酸酯、聚乙烯基苯甲酸酯、聚乙烯基醚、聚乙烯基丁醛、聚乙烯基醇、聚醚酯、聚乙烯基吡咯啶酮、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸酯、馬來酸聚醯亞胺、聚丙烯醯胺、聚丙烯腈、聚乙烯基苯酚、酚醛清漆及該等之共聚物等，更佳為聚乙烯基醚、聚乙烯基丁醛、聚醚酯。
(F)塑化劑較佳包含式(f-1)所示之構成單元、及/或式(f-2)所示之構成單元。
式(f-1)如下所示。 式中， Rf1 係各自獨立為氫或C1~5 之烷基，且 Rf2 係各自獨立為氫或C1~5 之烷基。
Rf1 較佳係各自獨立為氫或甲基。 Rf2 較佳係各自獨立為氫或甲基。 更佳的是2個Rf1 及2個Rf2 中的1個為甲基，剩餘的3個是氫。
式(f-2)如下所示。 式中， Rf3 係各自獨立為氫或C1~5 之烷基，Rf4 為氫或C1~5 之烷基，且 Rf5 為C1~5 之烷基。
Rf3 較佳係各自獨立為氫或甲基，更佳均為氫。 Rf4 較佳為氫或甲基，更佳為氫。 Rf5 較佳為甲基或乙基，更佳為甲基。
(F)塑化劑之具體例如下。
(F)塑化劑之質量平均分子量較佳為1000~50000，更佳為1500~30000，再佳為2000~21000，又再佳為3000~21000。
(F)塑化劑之含量係以(A)聚合物總質量為基準，較佳為0~30質量%，更佳為1~10質量%。不含塑化劑也為本發明之一較佳態樣。
(G)添加物 本發明之組成物可含有(A)~(F)以外之(G)添加物。 (G)添加物並未特別受到限定，較佳的是由包含界面活性劑、酸及基板密接增強劑之群組之至少一個所選出。 (G)添加物之含量係以(A)聚合物總質量為基準，為0~20質量%，更佳為0~11質量%。不含(G)添加物(0質量%)也是本發明之組成物的一較佳例。
藉由含有界面活性劑，可使塗布性提高。作為能夠在本發明使用之界面活性劑，可列舉有(I)陰離子界面活性劑、(II)陽離子界面活性劑或(III)非離子界面活性劑，更具體來說，較佳為：(I)烷基磺酸酯、烷基苯磺酸及烷基苯磺酸酯；(II)氯化十二烷基吡啶鎓及氯化十二烷基甲基銨；以及(III)聚氧基伸乙基辛基醚、聚氧基伸乙基十二烷基醚及聚氧基伸乙基炔屬二醇醚。
此等界面活性劑係可單獨或混合2種以上使用，其含量係以(A)聚合物總質量為基準，較佳為2質量%以下，更佳為1質量%以下。
酸係可使用在組成物之pH值的調整、用以提升添加劑成分的溶解性。所使用之酸並未特別受到限定，例如可列舉出蟻酸、醋酸、丙酸、安息香酸、鄰苯二甲酸、水楊酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、富馬酸、馬來酸、烏頭酸、戊二酸、己二酸、及此等之組合。酸的含量係以組成物總質量為基準，較佳為0.005~0.1質量%(50~1000ppm)。
藉由使用基板密接增強劑，則可防止因成膜時所施加之應力而圖案被剝下。作為基板密接增強劑，較佳為咪唑類、矽烷偶合劑等，就咪唑類來說，更佳的是使用2-羥基苯并咪唑、2-羥基乙基苯并咪唑、苯并咪唑、2-羥基咪唑、咪唑、2-巰基咪唑、2-胺基咪唑，再佳的是使用2-羥基苯并咪唑、苯并咪唑、2-羥基咪唑、咪唑。基板密接增強劑之含量係以(A)聚合物總質量為基準，較佳為0~10質量%，更佳為0~5質量%，再佳為0.01~5質量%，又再佳為0.1~3質量%。
＜光阻圖案之製造方法＞ 本發明之光阻圖案之製造方法包含： (1)將本發明之組成物應用在基板的上方； (2)將組成物加熱，形成光阻層； (3)將光阻層曝光； (4)將光阻層在曝光後予以加熱；及 (5)將光阻層予以顯影。 當因明確性而記載時，()中的數字係意指順序號碼。例如，(2)步驟之前，進行(1)之步驟。
以下，針對本發明之製造方法的一態樣進行說明。 藉由適當的方法將本發明之組成物應用在基板(例如矽/二氧化矽被覆基板、氮化矽基板、矽晶圓基板、玻璃基板及ITO基板等)的下方。於此，在本發明中，所謂的上方係包含形成於正上方的情形及隔著其他層而形成的情形。例如，在基板的正上方，形成平坦化膜、光阻下層膜，在其正上方也可應用本發明之組成物。應用方法並未特別受到限定，例如可列舉有利用旋轉器(spinner)、塗布器的塗布方法。塗布後，藉由加熱而形成光阻層。(2)之加熱係藉由例如熱平板來進行。加熱溫度係以60~140℃為較佳，更佳為90~110℃。此處的溫度係在加熱環境下(例如熱平板)的加熱面溫度。加熱時間係以30~900秒鐘為佳，更佳為60~300秒鐘。加熱較佳在大氣或氮氣環境下進行。
光阻層之膜厚可因應目的而選擇，而在使用本發明之組成物的情形、形成膜厚較厚之塗膜的情形下，可形成更優異形狀的圖案。因此，光阻膜的厚度較佳偏厚，例如較佳設為1μm以上，以設為5μm以上為佳。
在光阻層上，藉由既定遮罩進行曝光。在曝光上所使用之光波長並未特別受到限定，較佳以波長190~440nm的光進行曝光。具體來說，可使用KrF準分子雷射(波長248nm)、ArF準分子雷射(波長193nm)、i射線(波長365nm)、h射線(波長405nm)、g射線(波長436nm)等。波長係以240~440nm為更佳，再佳為360~440nm，又再佳為365nm。該等波長係容許±1%的範圍。
曝光後，進行曝光後加熱(post exposure bake，以下稱為PEB)。(4)之加熱係例如由熱平板來進行。曝光後加熱的溫度較佳為80~160℃，更佳為105~115℃，加熱時間為30~600秒鐘，較佳為60~200秒鐘。加熱係較佳在大氣或氮氣環境進行。
PEB後，使用顯影液來進行顯影。作為顯影法，可使用槳式顯影法、浸漬顯影法、搖動浸漬顯影法等習知光阻顯影時所採用的方法。又，作為顯影液，能使用含有氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉等之無機鹼、氨、乙胺、丙胺、二乙胺、二乙胺乙醇、三乙胺等之有機胺、氫氧化四甲基銨(TMAH)等之四級胺等的水溶液，較佳的是2.38質量%TMAH水溶液。也可進一步添加界面活性劑於顯影液中。顯影液溫度較佳為5~50℃，更佳為25~40℃，顯影時間較佳為10~300秒鐘，更佳為30~60秒鐘。顯影後，因應需要，也可進行水洗或沖洗處理。因為使用正型光阻組成物，所以經曝光過的部分會由顯影而去除掉，而形成光阻圖案。針對該光阻圖案，也能使用例如收縮材料來進一步進行細微化。
藉由顯影，未曝光部幾乎不會溶解於顯影液，故可將所形成之光阻圖案與上述光阻層的厚度視為相同。 藉由使用本發明之組成物，可形成逆錐形狀的光阻圖案。於此，在本發明中，所謂的逆錐形狀係如圖1(A)之剖面圖所示，在基板11上形成有光阻圖案12時，將開口點(光阻表面與光阻圖案側面的邊界)13與底點(基板表面與光阻圖案側面的邊界)14連接起來的直線(錐線)和基板表面所成角度大於90度，且光阻圖案實質上不會較錐線更突出於外側，亦即，實質上光阻圖案不是粗的。於此，將該角度稱為錐角15。將此類光阻圖案稱為逆錐形狀之光阻圖案12。另外，在本發明中，所謂的逆錐形狀並不是僅意指逆圓錐梯形狀(reverse truncated cone)，而是也包含於線狀圖案中，表面部之線寬度比基板附近之線寬度更寬廣的情形等。 在本發明之逆錐形狀的光阻圖案上，如圖1(B)所示，相較於將開口點22與底點23連接起來的直線(錐線24)，光阻圖案更深入至內側，亦即，亦包含光阻圖案偏細的情形。此處之錐角係錐角25。將此類光阻圖案稱為倒懸形狀之光阻圖案21。於光阻圖案之膜厚26的一半長度27之高度的位置，與基板表面並行地，從基板拉一直線，在此直線上，將與光阻圖案的交點和與錐線的交點之距離當作凹陷幅度28。同樣地，在該直線上，將與光阻圖案的交點和與在基板上從開口點垂直拉出一直線的交點之距離當作錐幅度29。在凹陷幅度/錐幅度大於0時，是圖1(B)，為0時，是圖1(A)。 為倒懸形狀時，在金屬蒸鍍厚之光阻剝離時，會有剝離液容易進入的傾向，故較佳。 另外，作為倒懸形狀的變形例，如圖1(C)所示，也可以考慮光阻圖案31的邊端較為圓滑的態樣。此時，開口點32係光阻表面與光阻圖案側面的邊界，預想一與底面平行之光阻表面的平面，光阻圖案自該平面分離開的點。底點33為基板表面與光阻圖案側面的邊界。將開口點32與底點33連接起來的直線為錐線34，此處的錐角為錐角35。 將位在錐線內側但不是光阻圖案的部分之面積設為Sin 36，將位在錐線外側但屬於光阻圖案的部分之面積設為Sout 37。在複數個時，採用面積總和。 Sout /(Sin +Sout )較佳為0~0.45，更佳為0~0.1，再佳為0~0.05，又再佳為0~0.01。Sout /(Sin +Sout )小的形狀係即便在光阻圖案上厚厚地蒸鍍金屬，剝離液也得以輕易侵入光阻側壁而是有利的。另外，專利文獻3所記載之T型光阻圖案係Sout /(Sin +Sout )約為0.5。 (Sin -Sout )/(Sin +Sout )較佳為0~1，更佳為0.55~1，再佳為0.9~1，又再佳為0.99~1。0＜(Sin -Sout )/(Sin +Sout )也為本發明之一較佳態樣。當(Sin -Sout )/(Sin +Sout )大時，整體來說，光阻圖案呈現較錐線往內側凹陷的形狀，即便在光阻圖案上厚厚地蒸鍍金屬，剝離液也得以輕易侵入光阻側壁而是有利的。 當為圖1(A)及(B)之形狀時，均是Sout /(Sin +Sout )=0，均是(Sin -Sout )/(Sin +Sout )=1。
在使用化學增幅型光阻來形成光阻圖案的情形下，從曝光至PEB為止的放置時間(PED：Post Exposure Delay)若變長，則光阻圖案的形狀會變化的現象已為人所知。此現象可認為是因為空氣中的鹼性化合物(例如胺成分)使得光阻之曝光部所產生之酸被中和，曝光部之光阻膜表面的溶解性降低所致。光阻膜的頂部係容易受此影響，頂部之曝光部的一部分會有未顯影而殘留的情形。 本發明之組成物係相對於習知組成物，不易受到如上述般之形狀變化的影響。亦即，具有環境影響抗性強的特徵。
藉由進一步包含下述步驟之方法能夠製造金屬圖案： (6)將光阻圖案當作遮罩，使金屬蒸鍍在基板的上方； (7)利用剝離液去除掉光阻圖案。 將光阻圖案當作遮罩，使金、銅等金屬(可為金屬氧化物等)蒸鍍在基板的上方。另外，除了蒸鍍之外，也可為濺鍍。 此後，使用剝離液將光阻圖案與形成於其上部之金屬一起去除掉，可藉以形成金屬圖案。剝離液係只要為可當作光阻之剝離液來使用者，則無特別限定，例如可使用N-甲基吡咯啶酮(NMP)、丙酮、鹼溶液。因為本發明之光阻圖案為逆錐形狀，光阻圖案上的金屬與未形成光阻圖案之部分上所形成之金屬之間有隔開，故可輕易剝離。又，也可使所形成之金屬圖案之膜厚偏厚，可形成更佳膜厚0.01~40μm，再佳1~5μm的金屬圖案。
作為本發明之其他形態，也可以將依(5)步驟為止的步驟所形成之光阻圖案當作遮罩，將屬於基底的各種基板予以圖案化。也可以是將光阻圖案當作遮罩，直接加工基板，也可以是隔著中間層進行加工。例如，可將光阻圖案當作遮罩，將光阻下層膜予以圖案化，將光阻下層膜圖案當作遮罩，將基板予以圖案化。加工係可使用公知方法，可使用乾式蝕刻法、溼式蝕刻法、離子注入法、金屬鍍敷法等。也能在經圖案化後之基板上將電極等予以配線。
其後，因應需要，對基板進一步加工，形成裝置(device)。此等進一步的加工可應用公知方法。裝置形成後，因應需要，將基板切成晶片狀，連接於引線框，利用樹脂予以封裝。就本發明來說，將此經封裝者稱為裝置。作為裝置，可列舉出半導體元件、液晶顯示元件、有機EL顯示元件、電漿顯示器元件、太陽能電池元件。裝置較佳為半導體。 [實施例]
藉由各個例子說明本發明如下。另外，本發明之態樣係不受限於該等例子。
實施例1：組成物1的製備 在PGME：EL=85：15(質量比)之混合溶媒170質量份，添加50質量份之作為聚合物P之下述P1、50質量份之作為聚合物Q之下述Q1。以組成物整體總質量為基準，對此分別添加1.6質量%之作為酸產生劑之下述B1、2.5質量%之作為溶解速度調整劑之下述C1、0.1質量%之作為鹼性化合物之參[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、5.0質量%之作為塑化劑之下述F1、0.1質量%之作為界面活性劑之KF-53(信越化學工業)。將此在室溫下攪拌5小時。可依目視確認到添加物溶解。以1.0μm過濾器將此過濾。藉此，得到組成物1。組成物1之黏度係依加農芬斯(Cannon-Fenske)法在25℃下測定，為600cP。 (P1)羥基苯乙烯：苯乙烯：三級丁基丙烯酸酯共聚物，東邦化學，莫耳比分別為60：20：20，Mw約12000 (Q1)(Q-1a)：(Q-1b)：(Q-1c)：(Q-1d)=60：40：0：0之聚合物，住友電木，Mw約5000 (B1)NIT，賀利氏(Heraeus) (C1)TPPA-MF，本州化學 (F1)Lutonal，BASF
實施例2~10及比較例1~3：組成物2~10、比較組成物1~2之製備 除了將聚合物及溶解速度調整劑如表1所載予以變更之外，與組成物1同樣地進行製備，得到組成物2~10及比較組成物1~3。 表1
組成物 膜厚 μm 錐角
聚合物P 聚合物Q 溶解速度調整劑
質量份 質量份 構成(莫耳比%) 質量%
Q-1a Q-1b Q-1c Q-1d
實施例 1 組成物1 50 50 60 40 0 0 2.5 11.8 100°
2 組成物2 50 50 40 40 0 20 2.5 11.8 110°
3 組成物3 50 50 36 24 24 0 2.5 10.8 113°
4 組成物4 50 50 45 45 0 10 2.5 11.4 112°
5 組成物5 50 50 42.5 42.5 0 15 2.5 11.6 112°
6 組成物6 50 50 37.5 37.5 0 25 2.5 11.7 111°
7 組成物7 50 50 60 40 0 0 5 11.9 108°
8 組成物8 50 50 60 40 0 0 10 11.6 101°
9 組成物9 50 50 60 40 0 0 20 11.6 99°
10 組成物10 100 0 - - - - 5 11.3 93°
比較例 1 比較組成物1 50 50 60 40 0 0 - 11.9 小於90°
2 比較組成物2 0 100 60 40 0 0 5 11.2 小於90°
3 比較組成物3 30 70 60 40 0 0 5 11.8 小於90°
光阻圖案之形成 使用依上述所得到之組成物，進行以下操作，得到光阻圖案。 使用LITHOTRAC(Litho Tech Japan)，將各組成物滴下至6英吋矽晶圓上，進行旋轉塗布，形成光阻層。使用熱平板將形成有該光阻層之晶圓在100℃下烘烤180秒鐘。烘烤後，使用光干涉式膜厚測定裝置LMBD ACE VM-12010(SCREEN)測定光阻層之膜厚。醚厚係在晶圓上，於扣除中心部的8處測定膜厚，採用其平均值。將所得到之膜厚記載於表1。
然後，使用Suss Aligner(Suss Micro Tec)，以i射線(365nm)進行曝光。曝光後，在熱平板上將此晶圓於120℃下進行曝光後加熱120秒鐘。利用2.38%TMAH水溶液將此予以槳式顯影60秒鐘。藉此，得到Line=10μm、Space(溝槽)=10μm(Line：Space=1：1)之光阻圖案。 遮罩尺寸與圖案尺寸成為1：1時之曝光能量(mJ/cm2 )在實施例1的情形，係為120mJ/cm2 。
錐角的評價 針對所得到之光阻圖案之剖面形狀，使用掃描電子顯微鏡SU8230(日立科技)，進行觀察，測定上述定義之錐角。另外，將以實施例組成物5所形成之光阻圖案之剖面形狀顯示於圖2(A)。另外，圖2(B)係示意性表示其剖面圖者。將所得到之結果記載於表1。 以實施例組成物5所形成之光阻圖案之剖面形狀的上述定義之Sout /(Sin +Sout )=0、(Sin -Sout )/(Sin +Sout )=1。
裂痕耐性評價 相對於實施例組成物1之組成(其含有塑化劑5質量%)，製備不含塑化劑者、含塑化劑2.5質量%者、含7.5質量%者、含10.0質量%者，並與上述相同地，形成光阻圖案，利用濺鍍裝置將金予以蒸鍍。其後，以光學顯微鏡目視確認裂痕的有無。不含塑化劑者係確認到些微的裂痕，但含塑化劑2.5質量%者係相較於不含塑化劑者，裂痕減少。含塑化劑5質量%、7.5質量%、10.0質量%者係完全未確認到裂痕。
11:基板 12:逆錐形狀之光阻圖案 13:開口點 14:底點 15:錐角 21:倒懸形狀之光阻圖案 22:開口點 23:底點 24:錐線 25:錐角 26:光阻圖案之膜厚 27:光阻圖案之一半膜厚的長度 28:凹陷幅度 29:錐幅度 31:光阻圖案 32:開口點 33:底點 34:錐線 35:錐角 36:Sin 37:Sout 51:基板 52:光阻圖案
圖1係用以說明逆錐形狀光阻圖案、倒懸形狀光阻圖案及倒懸形狀光阻圖案之變形例的概念剖面圖。 圖2係逆錐形狀光阻圖案之顯微鏡照片與其示意性剖面圖。
51:基板
52:光阻圖案

Claims (14)

  1. 一種金屬圖案之製造方法，其包含下述步驟：(1)將正型光阻掀離(lift-off)組成物應用在基板的上方；(2)將該組成物加熱，形成光阻層；(3)將該光阻層曝光；(4)將該光阻層在曝光後予以加熱；(5)將該光阻層予以顯影；(6)將光阻圖案當作遮罩，使金屬蒸鍍在基板的上方；(7)利用剝離液去除掉光阻圖案；其中，該正型光阻掀離組成物係包含以下之成分而成：(A)聚合物，其為由包含聚合物P及聚合物Q之群組所選出之至少一個的聚合物，其中，組成物中之聚合物P之總質量Mp及聚合物Q之總質量Mq滿足式：0<Mp/(Mp+Mq)≦100%及0≦Mq/(Mp+Mq)<70%；(B)具有醯亞胺基之酸產生劑；(C)溶解速度調整劑，其為2個以上之苯酚構造透過可由氧所取代之烴基而鍵結的化合物；及(D)溶媒；其中，該聚合物P係包含由包含式(P-1)~(P-4)之群組所選出之重複單元而成，
    Figure 109110219-A0305-02-0042-1
     式中，Rp1、Rp3、Rp5及Rp8係各自獨立為C1~5烷基、C1~5烷氧基、或-COOH，Rp2、Rp4及Rp7係各自獨立為C1~5烷基，此處烷基中之-CH2-可由-O-所取代，Rp6及Rp9係各自獨立為C1~5烷基，此處烷基中之-CH2-可由-O-所取代，x1為0~4，x2為1~2，其中x1+x2≦5，x3為0~5，x4為1~2，x5為0~4，其中x4+x5≦5，該聚合物Q係包含由式(Q-1a)~(Q-1d)所示重複單元而成，
    Figure 109110219-A0305-02-0042-2
     且(Q-1a)之重複單元數Nqa、(Q-1b)之重複單元數Nqb、(Q-1c)之重複單元數Nqc、及(Q-1d)之重複單元數Nqd滿足以下之式：30%≦Nqa/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦100%、0%≦Nqb/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦70%、 0%≦Nqc/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦50%、及0%≦Nqd/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦70%。
  2. 如請求項1之方法，其中，10≦Mq/(Mp+Mq)≦60%。
  3. 如請求項1或2之方法，其中，該組成物係進一步含有(E)鹼性化合物而成，且可選擇性地，該組成物係進一步含有(F)塑化劑而成。
  4. 如請求項3之方法，其中，(E)鹼性化合物為由包含氨、C1~16之一級脂肪族胺、C2~32之二級脂肪族胺、C3~48之三級脂肪族胺、C6~30之芳香族胺、及C5~30之雜環胺暨該等之衍生物之群組所選出者，及/或(F)塑化劑係包含式(f-1)所示之構成單元、及/或式(f-2)所示之構成單元之化合物而成，
    Figure 109110219-A0305-02-0043-3
     (式中，Rf1係各自獨立為氫或C1~5之烷基，且Rf2係各自獨立為氫或C1~5之烷基)，
    Figure 109110219-A0305-02-0043-4
     (式中，Rf3係各自獨立為氫或C1~5之烷基，Rf4為氫或C1~5之烷基，且 Rf5為C1~5之烷基)。
  5. 如請求項1或2之方法，其中，以(A)聚合物總質量為基準，(B)酸產生劑之含量為0.1~10.0質量%，且可選擇性地，以組成物總質量為基準，(A)聚合物之含量為10~50質量%，可選擇性地，以(A)聚合物總質量為基準，(C)溶解速度調整劑之含量為0.1~20質量%，可選擇性地，以組成物總質量為基準，(D)溶媒之含量為40~90質量%，可選擇性地，以(A)聚合物總質量為基準，(E)鹼性化合物之含量為0~1.0質量%，可選擇性地，以(A)聚合物總質量為基準，(F)塑化劑之含量為0~30質量%。
  6. 如請求項1或2之方法，其中，(B)酸產生劑為由式(b)所示者，及/或(C)溶解速度調整劑為由式(c)所示者，
    Figure 109110219-A0305-02-0044-5
     式(b)中，Rb1係各自獨立為C3~10之烯基或炔基、C2~10之硫代烷基、或C5~10之飽和雜環，此處，烯基及炔基中之CH3-可由苯基所取代，烯基及炔基中之-CH2-可由-C(=O)-、-O-或伸苯基之至少一個所取代， nb為0、1或2，且Rb2為C1~5之經氟取代之烷基，
    Figure 109110219-A0305-02-0045-6
     式(c)中，nc1係各自獨立為1、2或3，nc2係各自獨立為0、1、2或3，Rc1係各自獨立為C1~7烷基，Lc為C1~15之2價伸烷基，此係可由可經羥基取代之芳基所取代，也可與Lc以外之取代基形成環。
  7. 如請求項1或2之方法，其中，(D)溶媒係包含低沸點溶媒而成，低沸點溶媒之沸點為80~140℃，且可選擇性地，以(D)溶媒總質量為基準，(D)溶媒包含60%以上之低沸點溶媒。
  8. 如請求項1或2之方法，其中，該組成物之黏度在25℃下為50~2000cP。
  9. 如請求項1或2之方法，其中，正型光阻掀離組成物為逆錐形狀形成正型光阻組成物。
  10. 如請求項1或2之方法，其中，該光阻圖案之膜厚為1~50μm。
  11. 如請求項1或2之方法，其中，該光阻圖案為逆錐形狀。
  12. 如請求項1或2之方法，其中，該光阻圖案為倒懸形狀，且可選擇性地，於光阻圖案的剖面圖中，將位在連接開口點與底點之錐線的內側但不是光阻圖案的部分之面積設為Sin，且將位在錐線的外側但為光阻圖案的部分之面積設為Sout時，Sout/(Sin+Sout)為0~0.45，可選擇性地，(Sin-Sout)/(Sin+Sout)為0~1。
  13. 如請求項1或2之方法，其中，該金屬圖案之膜厚為0.01~40μm。
  14. 一種裝置之製造方法，其係包含如請求項1至13之至少其一方法而成。
TW109110219A 2019-03-28 2020-03-26 金屬圖案之製造方法 TWI816996B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019063192A JP2020165995A (ja) 2019-03-28 2019-03-28 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの製造方法
JP2019-063192 2019-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202043304A TW202043304A (zh) 2020-12-01
TWI816996B true TWI816996B (zh) 2023-10-01

Family

ID=70050112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109110219A TWI816996B (zh) 2019-03-28 2020-03-26 金屬圖案之製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20220163888A1 (zh)
EP (1) EP3948418A1 (zh)
JP (2) JP2020165995A (zh)
KR (2) KR102700774B1 (zh)
CN (1) CN113632007A (zh)
SG (1) SG11202106868YA (zh)
TW (1) TWI816996B (zh)
WO (1) WO2020193686A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI760123B (zh) * 2021-02-26 2022-04-01 新應材股份有限公司 用於低溫製程的正型感光性樹脂組成物以及光阻膜的製造方法
KR20240141346A (ko) 2022-02-18 2024-09-26 메르크 파텐트 게엠베하 포지티브형 리프트-오프 레지스트 조성물 및 이를 사용하는 레지스트 패턴의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201229064A (en) * 2010-11-17 2012-07-16 Rohm & Haas Elect Mat Photosensitive copolymer and photoresist composition
CN106019831A (zh) * 2015-03-31 2016-10-12 住友化学株式会社 抗蚀剂组合物及抗蚀图案的制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2973874B2 (ja) 1994-06-23 1999-11-08 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP3796564B2 (ja) 2000-02-23 2006-07-12 信越化学工業株式会社 リフトオフレジスト組成物
US7422836B2 (en) 2003-02-20 2008-09-09 Promerus Llc Dissolution rate modifiers for photoresist compositions
JP4322097B2 (ja) 2003-11-14 2009-08-26 東京応化工業株式会社 Ｅｌ表示素子の隔壁、およびｅｌ表示素子
KR100906598B1 (ko) * 2004-12-03 2009-07-09 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
US8299825B2 (en) 2009-10-30 2012-10-30 Apple Inc. Electronic age detection circuit
KR101202012B1 (ko) * 2009-12-08 2012-11-20 주식회사 엘지화학 감광성 폴리이미드 수지 조성물
WO2011102064A1 (ja) 2010-02-19 2011-08-25 Jsr株式会社 ｎ型半導体層上の電極の形成方法
JP5578044B2 (ja) 2010-11-19 2014-08-27 信越化学工業株式会社 ポジ型リフトオフレジスト組成物及びパターン形成方法
JP2014170041A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Asahi Kasei E-Materials Corp 感光性樹脂組成物
US9946157B2 (en) * 2015-03-31 2018-04-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
TWI731961B (zh) * 2016-04-19 2021-07-01 德商馬克專利公司 正向感光材料及形成正向凸紋影像之方法
JP2018109701A (ja) * 2017-01-04 2018-07-12 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201229064A (en) * 2010-11-17 2012-07-16 Rohm & Haas Elect Mat Photosensitive copolymer and photoresist composition
CN106019831A (zh) * 2015-03-31 2016-10-12 住友化学株式会社 抗蚀剂组合物及抗蚀图案的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020193686A1 (en) 2020-10-01
EP3948418A1 (en) 2022-02-09
KR20210148230A (ko) 2021-12-07
SG11202106868YA (en) 2021-10-28
KR102700774B1 (ko) 2024-08-30
JP2022519168A (ja) 2022-03-22
CN113632007A (zh) 2021-11-09
JP7161059B2 (ja) 2022-10-25
JP2020165995A (ja) 2020-10-08
TW202043304A (zh) 2020-12-01
US20220163888A1 (en) 2022-05-26
KR20240047486A (ko) 2024-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9171720B2 (en) Hardmask surface treatment
US20220187706A1 (en) Thin film resist composition and method for manufacturing resist film using the same
TWI816996B (zh) 金屬圖案之製造方法
US11392035B2 (en) Gap filling composition and pattern forming method using composition containing polymer
TW201522539A (zh) 抗蝕圖型所塗佈之塗佈液及反轉圖型之形成方法
US20130107235A1 (en) Pattern-forming method
JPWO2015037398A1 (ja) 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法
US20230314943A1 (en) Chemically amplified resist composition and method for manufacturing resist film using the same
US9482957B1 (en) Solvent for reducing resist consumption and method using solvent for reducing resist consumption
US20210263414A1 (en) A photoresist composition, a method for manufacturing a photoresist coating, etched photoresist coating, and etched si containing layer(s), and manufacturing a device using thereof
TW202349114A (zh) 正型剝離光阻組成物及使用其之光阻圖案之製造方法
JP7195318B2 (ja) 感光性シロキサン組成物およびこれを用いたパターン形成方法
TW201739842A (zh) 表面處理用組成物及使用其之光阻圖案之表面處理方法
JP2021508072A (ja) アルカリ可溶性樹脂および架橋剤を含んでなるネガ型リフトオフレジスト組成物、並びに基板上に金属膜パターンを製造する方法
KR20240014535A (ko) 후막 레지스트 조성물 및 이를 사용하는 레지스트 막의 제조방법
TW202407028A (zh) 被覆基板之光阻組成物及光阻圖案之製造方法
US20240019784A1 (en) Metal containing photoresist developer composition, and method of forming patterns including step of developing using the composition
TW202428648A (zh) 厚膜化學增幅正型阻劑組成物及使用其之阻劑膜的製造方法