TWI816497B - 放大裝置 - Google Patents
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Abstract
一種放大裝置包含訊號輸入端、訊號輸出端、放大單元、耦合器、電感性元件及電容性元件。該放大單元包含輸入端及輸出端，其中輸入端耦接於該訊號輸入端。該耦合器包含輸入端、輸出端及耦合端，其中該輸入端耦接於該放大單元的該輸出端，且該輸出端耦接於該訊號輸出端。該電感性元件並聯於該耦合器，且包含第一端及第二端，其中該第一端耦接於該放大單元的該輸出端，且該第二端耦接於該耦合器的該輸出端。該電容性元件包含第一端及第二端，其中該第一端耦接於該耦合器的該輸出端，且該第二端用以耦接於參考電壓端。
Description
本發明係關於一種放大裝置，尤指一種包含放大單元及耦合器且可降低插入損耗及電路面積之放大裝置。
在射頻電路中，可使用放大器耦接匹配電路及耦合器，以將訊號放大及處理後，輸出至射頻電路或天線以進行收發。
在此傳統架構中，耦合器往往造成耦合損耗(coupler loss)，而使訊號的功率下降，從而不利於訊號的品質。
此外，匹配電路及耦合器也常導致整體的電路面積難以縮減。因此，本領域仍欠缺更適宜的解決方案，以降低插入損耗，以及改善電路面積。
實施例提供一種放大裝置包含訊號輸入端、訊號輸出端、放大單元、耦合器、電感性元件及電容性元件。該放大單元包含輸入端及輸出端，其中輸入端耦接於該訊號輸入端。該耦合器包含輸入端、輸出端及耦合端，其中該輸入端耦接於該放大單元的該輸出端，且該輸出端耦接於該訊號輸出端。該電感性元件並聯於該耦合器，且包含第一端及第二端，其中該第一端耦接於該放大單元的該輸出端，且該第二端耦接於該耦合器的該輸出端。該電容性元件包含第一端及第二端，其中該第一端耦接於該耦合器的該輸出端，且該第二端用以耦接於參考電壓端。
另一實施例提供一種放大裝置，包含訊號輸入端、訊號輸出端、放
大單元、第一耦合器、第一電容性元件、第二耦合器及第二電容性元件。該放大單元包含輸入端耦接於該訊號輸入端，及輸出端。該第一耦合器包含輸入端耦接於該放大單元的該輸出端，輸出端耦接於該訊號輸出端，及耦合端。該第一電容性元件包含第一端耦接於該第一耦合器的該輸出端，及第二端用以耦接於參考電壓端。該第二耦合器包含輸入端耦接於該放大單元的該輸出端，輸出端耦接於該訊號輸出端，及耦合端。該第二電容性元件包含第一端耦接於該第二耦合器的該輸出端，及第二端用以耦接於該參考電壓端。
100,200A,200B,300A,300B,400,500,600,700,800A,800B:放大裝置
110,310:放大單元
120,320,325:耦合器
1210,1220,3210,3220,3251,3252:耦合元件
130,330:電感性元件
140,340,345:電容性元件
150,350,355:直流阻擋電容
CPin,CPin1,CPin2:輸入端
CPisl,CPisl1,CPisl2:隔離端
CPL,CPL1,CPL2:耦合端
CPout,CPout1,CPout2:輸出端
D1,D2,D3:晶粒
L,L1,L2:預定負載
P11,P12,P21,P22,P23,P31,P32:接墊
Sa:放大訊號
Scp,Scp1,Scp2:耦合訊號
So,So1,So2:輸出訊號
Srfin:射頻輸入訊號
Srfout:射頻輸出訊號
VR:參考電壓端
W2,W3:導線
第1圖至第3圖為相異實施例中，放大裝置的示意圖。
第4圖至第8圖為相異實施例中，放大裝置的打線接合的示意圖。
本文中，當多個元件以「及/或」(and/or)連接，係指該多個元件之至少一者、多者之任意組合，或全部。
第1圖為實施例中，放大裝置100之示意圖。放大裝置100可包含訊號輸入端IN、訊號輸出端OUT、放大單元110、耦合器120及第一電容性元件140。放大單元110包含輸入端及輸出端，其中輸入端可耦接訊號輸入端IN。耦合器120包含輸入端CPin、輸出端CPout及耦合端CPL，其中輸入端CPin可耦接於放大單元110的輸出端，且輸出端CPout可耦接於訊號輸出端OUT。第一電容性元件140可包含第一端及第二端，其中第一端耦接於耦合器120的輸出端CPout，且第二端耦接於參考電壓端VR。
如第1圖所示，放大單元110的輸入端可用以接收射頻輸入訊號
Srfin。放大單元110的輸出端可用以輸出放大訊號Sa。耦合器120的輸入端CPin可用以接收放大訊號Sa。耦合器120的輸出端CPout可用以輸出與放大訊號Sa有關的輸出訊號So。耦合器120的耦合端CPL可用以輸出與放大訊號Sa有關的耦合訊號Scp。訊號輸出端OUT可用以輸出與輸出訊號So及放大訊號Sa有關的射頻輸出訊號Srfout。
如第1圖所示，耦合器120可更包含隔離端CPisl、第一耦合元件1210及第二耦合元件1220。隔離端CPisl可耦接於預定負載L。預定負載L之電阻值可介於45及55歐姆之間。例如，預定負載L之電阻值可為50歐姆。第一耦合元件1210可包含第一端及第二端，其中第一端可電連接於耦合器120之輸入端CPin，且第二端可電連接於耦合器120之輸出端CPout。第二耦合元件1220可沿第一耦合元件1210接近設置以電感性耦合(inductively coupling)於第一耦合元件1210，第二耦合元件1220可包含第一端及第二端，其中第一端可電連接於耦合器之耦合端CPL，且第二端可電連接於耦合器120之隔離端CPisl。如第1圖所示，第一耦合元件1210及第二耦合元件1220可透過佈局佈線(place-and-route)或被彎折，以具有適宜的彎曲形狀，從而透過電磁感應而具有匹配電路之功效，以調整阻抗及調整訊號相位。藉此，放大裝置100的耦合器120同時具有耦合器與匹配電路之功效，可降低耦合損耗，以及改善電路面積。
然而，為了提供足夠的耦合係數(coupling factor)，第一耦合元件1210的感量容易過大，造成耦合器120無法提供預定的匹配量，如此可能會影響放大裝置100的電性特性，例如是輸出功率。第2A圖為另一實施例中，放大裝置200A的示意圖。放大裝置200A及放大裝置100之相似處不另重述，然而如第2A圖所示，放大裝置200A可更包含第一電感性元件130。第一電感性元件130可並聯於耦合器120，包含第一端及第二端，其中第一端耦接於放大單元110的輸出端，且第二端耦接於耦合器120的輸出端CPout。藉由第一電感性元件130與耦合器
120的並聯設置，可等效降低第一耦合元件1210所提供的感量，進而使耦合器120提供適當的匹配量，例如是加大耦合器120提供的匹配量。此外，第一電感性元件130可與第一耦合元件1210及第二耦合元件1220電感性隔離(inductively isolated)，以減少第一耦合元件1210所提供的感量被非預期的影響。第一耦合元件1210及第二耦合元件1220之間可具有第一最大距離，第二耦合元件1220及第一電感性元件130之間可具有第一最小距離。換言之，第一耦合元件1210及第二耦合元件1220之間的距離小於第一最大距離，且第二耦合元件1220及第一電感性元件130之間的距離大於第一最小距離，其中，第一最小距離至少可大於第一最大距離之2倍，以避免第一電感性元件130電感性耦合於第一耦合元件1210及第二耦合元件1220。
如第2A圖所示，放大裝置200A可另包含直流阻擋電容150。直流阻擋電容150可包含第一端及第二端，及耦接於耦合器120的輸出端CPout與訊號輸出端OUT之間。直流阻擋電容150的第一端可電連接於耦合器120之輸出端CPout與第一電感性元件130之第二端，且直流阻擋電容150的第二端可耦接於訊號輸出端OUT。
第2B圖為另一實施例中，放大裝置200B的示意圖。放大裝置200B及放大裝置200A之相似處不另重述，然而如第2B圖所示，直流阻擋電容150的第一端可電連接於耦合器120之輸出端CPout，且直流阻擋電容150的第二端可電連接於第一電感性元件130之第二端與訊號輸出端OUT。
本文所述的第一電感性元件130，可包含第一導線及/或電感器。根據另一實施例，第一電感性元件130可包含電感器，及串聯於電感器之電容器。
第2A圖及第2B圖中，放大單元110可設置於第一晶粒，且耦合器120可設置於第二晶粒。換言之，放大單元110及耦合器120可設置於相異的晶粒，且放大單元110及耦合器120之間可透過打線接合(wire bonding)方式以互相電
性連接。
第2A圖及第2B圖中，耦合器120的輸入端CPin可透過第二導線耦接放大單元110的輸出端，且耦合器120的輸出端CPout可透過第三導線耦接訊號輸出端OUT。第2A圖及第2B圖中，訊號輸出端OUT可設置於第三晶粒，用以耦接射頻電路。上述第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒之間，可透過打線接合以互相電性連接。
此外，在射頻輸入訊號Srfin為較高頻的應用中，例如是高於5吉赫(GHz)，第一耦合元件1210的長度通常會設計為較短，容易導致耦合器120無法提供足夠的耦合係數。第3A圖為另一實施例中，放大裝置300A之示意圖。放大裝置300A可包含訊號輸入端IN、訊號輸出端OUT、放大單元310、第一耦合器320、第一電容性元件340、第二耦合器325及第二電容性元件345。放大單元310可包含輸入端及輸出端，其中輸入端耦接於訊號輸入端IN。第一耦合器320可包含輸入端CPin1、輸出端CPout1及耦合端CPL1，其中輸入端CPin1可耦接於放大單元310的輸出端，且輸出端CPou1可耦接於訊號輸出端OUT。耦合端CPL1可用以輸出耦合訊號Scp1。第一電容性元件340可包含第一端及第二端，其中第一端耦接於第一耦合器320的輸出端，且第二端耦接於參考電壓端VR。第二耦合器325可包含輸入端CPin2、輸出端CPout2及耦合端CPL2，其中輸入端CPin2可耦接於放大單元310的輸出端，且輸出端CPout2可耦接訊號輸出端OUT。耦合端CPL2可用以輸出耦合訊號Scp2。第二電容性元件345可包含第一端及第二端，其中第一端可耦接於第二耦合器325的輸出端CPout2，且第二端可耦接於參考電壓端VR。藉由第一耦合器320與第二耦合器325的並聯設置，可等效提高放大裝置300A所提供的耦合量，使第一耦合器320與第二耦合器325共同提供足夠的耦合係數。
如第3A圖所示，放大裝置300A可另包含第一直流阻擋電容350及第二直流阻擋電容355。第一直流阻擋電容350可包含第一端及第二端，且耦接於第一耦合器320的輸出端CPout1與訊號輸出端OUT之間。第二直流阻擋電容355可包含第一端及第二端，且耦接於第二耦合器325的輸出端CPout2與訊號輸出端OUT之間。
如第3A圖所示，第一耦合器350可另包含隔離端CPisl1、第一耦合元件3210及第二耦合元件3220。隔離端CPisl1可耦接於第一預定負載L1。第一耦合元件3210可包含第一端及第二端，其中第一端可電連接於第一耦合器320之輸入端CPin1，且第二端可電連接於第一耦合器320之輸出端CPout1。第二耦合元件3220可沿第一耦合元件3210接近設置以電感性耦合(inductively coupling)於第一耦合元件3210。第二耦合元件3220可包含第一端及第二端，其中第一端可電連接於第一耦合器之耦合端CPL1，且第二端可電連接於第一耦合器320之隔離端CPisl1。
如第3A圖所示，第二耦合器325可更包含隔離端CPisl2、第三耦合元件3251及第四耦合元件3252。隔離端CPisl2可耦接於第二預定負載L2。第三耦合元件3251可包含第一端及第二端，其中第一端可電連接於第二耦合器325之輸入端CPin2，且第二端可電連接於第二耦合器325之輸出端CPout2。第四耦合元件3252可沿第三耦合元件3251接近設置，以電感性耦合(inductively coupling)於第三耦合元件3251。第四耦合元件3252可包含第一端及第二端，其中第一端可電連接於第二耦合器325之耦合端CPL2，且第二端可電連接於第二耦合器325之隔離端CPisl2。
如第3A圖所示，第一耦合元件3210及第二耦合元件3220可透過佈局佈線或被彎折，以具有適宜的彎曲形狀，從而透過電磁感應而具有匹配電路之功效，以調整阻抗及調整訊號相位。第三耦合元件3251及第四耦合元件3252可
透過佈局佈線或被彎折，以具有適宜的彎曲形狀，從而透過電磁感應而具有匹配電路之功效，以調整阻抗及調整訊號相位。
第3A圖中，第一預定負載L1及第二預定負載L2之任一者的電阻值可介於90至110歐姆之間。舉例而言，第一預定負載L1及第二預定負載L2之任一者的電阻值可為100歐姆。
第3A圖中，第一耦合元件3210、第二耦合元件3220、第三耦合元件3251及第四耦合元件3252所產生的電感值，可皆小於1奈亨利(nH)。
第3A圖中，放大單元310的輸入端IN可用以接收射頻輸入訊號Srfin，放大單元310的輸出端可用以輸出放大訊號Sa，第一耦合器320的輸出端CPout1可用以輸出與放大訊號Sa有關的第一輸出訊號So1，第二耦合器325的輸出端CPout2可用以輸出與放大訊號Sa有關的第二輸出訊號So2，訊號輸出端OUT可用以輸出與第一輸出訊號So1、第二輸出訊號So2及放大訊號Sa有關的射頻輸出訊號Srfout。射頻輸入訊號Srfin之頻率可高於5吉赫，因此，舉例而言，可支援Wi-Fi 6等較高頻的通訊應用。
第3A圖中，放大單元310可設置於第一晶粒，且第一耦合器320與第二耦合器325可設置於第二晶粒。因此，放大單元310及第一耦合器320之間，以及放大單元310及第二耦合器325之間，可透過打線接合方式以互相電性連接。
第3A圖之第一電容性元件340及第二電容性元件345之每一者的電容值，可為第2A圖及第2B圖之第一電容性元件140的電容值的一半。
第3B圖為另一實施例中，放大裝置300B的示意圖。放大裝置300B及放大裝置300A之相似處不另重述，然而如第3B圖所示，放大裝置300B可另包含第一電感性元件330。第一電感性元件330可並聯於第一耦合器320與第二耦合器325，且包含第一端及第二端，其中第一端可耦接於放大單元310的輸出端，且第二端可耦接於第一耦合器320的輸出端CPout1與第二耦合器325的輸出端
CPout2。藉由第一電感性元件330、第一耦合器320與第二耦合器325的並聯設置，可使第一耦合器320與第二耦合器325進一步提供更適當的匹配量。第一電感性元件330可包含第一導線及/或電感器。第3B圖中，第一電感性元件330可電感性隔離(inductively isolated)於第一耦合元件3210、第二耦合元件3220、第三耦合元件3251及第四耦合元件3252，以減少第一耦合元件3210與第三耦合元件3251所提供的感量被非預期的影響。
第4圖為實施例中，放大裝置400之打線接合的示意圖。放大裝置400可對應於放大裝置200A或放大裝置200B，包含放大單元110及耦合器120，但放大裝置400之耦合器120尚未耦接於預定負載及電容性元件。如第4圖所示，放大單元110可設置於晶粒D1，耦合器120可設置於晶粒D2，且放大裝置400之訊號輸出端OUT可設置於晶粒D3以耦接於晶粒D3上的電路(例如，射頻電路及開關電路)。
放大單元110之輸出端可電連接於晶粒D1之接墊(pad)P11及P12，耦合器120之輸入端CPin可電連接於晶粒D2之接墊P21，耦合器120之輸出端CPout可電連接於晶粒D2之接墊P22，耦合器120之耦合端CPL可電連接於晶粒D2之接墊P23，且放大裝置400之訊號輸出端OUT可電連接於晶粒D3之接墊P31及P32。
如第4圖所示，第一電感性元件130可耦接於接墊P11及P31，導線W2可耦接於接墊P12及接墊P21以連接放大單元110之輸出端及耦合器120之輸入端CPin。導線W3可耦接於接墊P22及P32以連接耦合器120的輸出端CPout及訊號輸出端OUT。如第4圖所示，第一電感性元件130、導線W2及導線W3可透過打線接合方式設置，以連接相異的晶粒。
第5圖為另一實施例中，放大裝置500之打線接合的示意圖。放大裝置500可對應於放大裝置200B。放大裝置500及放大裝置400的相似處不另重述。
如第5圖所示，放大裝置500可包含預定負載L、第一電容性元件140及直流阻擋電容150。預定負載L可耦接於耦合器120之隔離端CPisl及參考電壓端VR之間，第一電容性元件140可耦接於耦合器120之輸出端CPout及參考電壓端VR之間，且直流阻擋電容150可耦接於耦合器120之輸出端CPout及訊號輸出端OUT之間。
透過將放大裝置400與放大裝置500之各元件設置於相異晶粒，第一電感性元件130以打線接合方式設置，可提高設計及製程之彈性，且允許透過調整打線接合之長度、弧度及材質，以調整相關的電性特性。根據相異實施例，相異晶粒亦可透過三維疊合(3D stacking)等方式進行封裝及電性連接。
第6圖為另一實施例中，放大裝置600之打線接合的示意圖。放大裝置600可對應於放大裝置200A。放大裝置600及放大裝置400及500的相似處不另重述。相異於放大裝置400及500，放大裝置600的第一電感性元件130可設置於晶粒D2且耦接於耦合器120之輸入端CPin及輸出端CPout之間。
第7圖為另一實施例中，放大裝置700之打線接合的示意圖。放大裝置700可對應於放大裝置200B。放大裝置700及放大裝置400及500的相似處不另重述。相異於放大裝置500，放大裝置700的第一電感性元件130可設置於晶粒D2且耦接於耦合器120之輸入端CPin及輸出端CPout之間。
第8A圖為另一實施例中，放大裝置800A之打線接合的示意圖。放大裝置800A可對應於放大裝置300A，其中相似之處不另重述。如第8A圖所示，放大單元310A可設置於晶粒D1，且第一耦合器320、第一電容性元件340、第二耦合器325、第二電容性元件345、第一直流阻擋電容350、第二直流阻擋電容355、第一預定負載L1及第二預定負載L2可設置於晶粒D2。訊號輸出端OUT可設置於晶粒D3以耦接於晶粒D3上的電路(例如，射頻電路及開關電路)。
第8B圖為另一實施例中，放大裝置800B之打線接合的示意圖。放大裝置800B可對應於放大裝置300B。放大裝置800B及放大裝置800A的相似處不另
重述。相異於放大裝置800A，放大裝置800B的第一電感性元件330可透過打線接合方式設置，並耦接於接墊P11及P31。
透過將放大裝置800B之各元件設置於相異晶粒，第一電感性元件330以打線接合方式設置，可提高設計及製程之彈性，且允許透過調整打線接合之長度、弧度及材質，以調整相關的電性特性。根據相異實施例，相異晶粒亦可透過三維疊合等方式進行封裝及電性連接。
綜上所述，透過實施例提供之放大裝置200A至800B，實施例可提供完整的解決方案，以降低耦合損耗及電路面積，因此，實有助於處理本領域之難題。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:放大裝置
110:放大單元
120:耦合器
1210,1220:耦合元件
130:電感性元件
140:電容性元件
150:直流阻擋電容
CPin:輸入端
CPisl:隔離端
CPL:耦合端
CPout:輸出端
L:預定負載
Sa:放大訊號
Scp:耦合訊號
So:輸出訊號
Srfin:射頻輸入訊號
Srfout:射頻輸出訊號
VR:參考電壓端
Claims (20)
- 一種放大裝置，包含：一訊號輸入端；一訊號輸出端；一放大單元，包含一輸入端耦接於該訊號輸入端，及一輸出端；一耦合器，包含一輸入端耦接於該放大單元的該輸出端，一輸出端耦接於該訊號輸出端，及一耦合端；一第一電感性元件並聯於該耦合器，包含一第一端耦接於該放大單元的該輸出端，及一第二端耦接於該耦合器的該輸出端；及一第一電容性元件，包含一第一端耦接於該耦合器的該輸出端，及一第二端耦接於一參考電壓端。
- 如請求項1所述的放大裝置，其中該耦合器更包含：一隔離端，用以耦接於一預定負載；一第一耦合元件，包含一第一端電連接於該耦合器之該輸入端，及一第二端電連接於該耦合器之該輸出端；及一第二耦合元件，沿該第一耦合元件設置以電感性耦合於該第一耦合元件，包含一第一端電連接於該耦合器之該耦合端，及一第二端電連接於該耦合器之該隔離端。
- 如請求項2所述的放大裝置，其中該第一電感性元件係與該第一耦合元件及該第二耦合元件電感性隔離。
- 如請求項2所述的放大裝置，其中該第一耦合元件及該第二耦合元件之間具有一第一最大距離，該第二耦合元件及該第一電感性元件之間具有一第一最小距離，及該第一最小距離係大於該第一最大距離之2倍。
- 如請求項1所述的放大裝置，另包含：一直流阻擋電容，包含一第一端及一第二端，耦接於該耦合器的該輸出端與該訊號輸出端之間。
- 如請求項5所述的放大裝置，其中：該直流阻擋電容的該第一端電連接於該耦合器之該輸出端與該第一電感性元件之該第二端，及該直流阻擋電容的該第二端耦接於該訊號輸出端。
- 如請求項5所述的放大裝置，其中：該直流阻擋電容的該第一端電連接於該耦合器之該輸出端，及該直流阻擋電容的該第二端電連接於該第一電感性元件之該第二端與該訊號輸出端。
- 如請求項1至7之任一項所述的放大裝置，其中該第一電感性元件包含一第一導線或一電感器。
- 如請求項1所述的放大裝置，其中該放大單元係設置於一第一晶粒，該耦合器係設置於一第二晶粒。
- 如請求項9所述的放大裝置，其中該耦合器的該輸入端係透過一 第二導線耦接於該放大單元的該輸出端，及該耦合器的輸出端透過一第三導線耦接於該訊號輸出端。
- 如請求項10所述的放大裝置，其中該訊號輸出端係設置於一第三晶粒，用以耦接於一射頻電路。
- 一種放大裝置，包含：一訊號輸入端；一訊號輸出端；一放大單元，包含一輸入端耦接於該訊號輸入端，及一輸出端；一第一耦合器，包含一輸入端耦接於該放大單元的該輸出端，一輸出端耦接於該訊號輸出端，及一耦合端；一第一電容性元件，包含一第一端耦接於該第一耦合器的該輸出端，及一第二端用以耦接於一參考電壓端；一第二耦合器，包含一輸入端耦接於該放大單元的該輸出端，一輸出端耦接於該訊號輸出端，及一耦合端；一第二電容性元件，包含一第一端耦接於該第二耦合器的該輸出端，及一第二端用以耦接於該參考電壓端；一第一直流阻擋電容，包含一第一端及一第二端，耦接於該第一耦合器的該輸出端與該訊號輸出端之間；及一第二直流阻擋電容，包含一第一端及一第二端，耦接於該第二耦合器的該輸出端與該訊號輸出端之間。
- 如請求項12所述的放大裝置，其中該放大裝置更包含： 一第一電感性元件並聯於該第一耦合器與該第二耦合器，包含一第一端耦接於該放大單元的該輸出端，及一第二端耦接於該第一耦合器的該輸出端與該第二耦合器的該輸出端。
- 如請求項13所述的放大裝置，其中該第一電感性元件包含一第一導線或一電感器。
- 如請求項12所述的放大裝置，其中該第一耦合器更包含：一隔離端，用以耦接於一第一預定負載；一第一耦合元件，包含一第一端電連接於該第一耦合器之該輸入端，及一第二端電連接於該第一耦合器之該輸出端；及一第二耦合元件，沿該第一耦合元件設置以電感性耦合於該第一耦合元件，包含一第一端電連接於該第一耦合器之該耦合端，及一第二端電連接於該第一耦合器之該隔離端；及該第二耦合器更包含：一隔離端，用以耦接於一第二預定負載；一第三耦合元件，包含一第一端電連接於該第二耦合器之該輸入端，及一第二端電連接於該第二耦合器之該輸出端；及一第四耦合元件，沿該第三耦合元件設置以電感性耦合於該第三耦合元件，包含一第一端電連接於該第二耦合器之該耦合端，及一第二端電連接於該第二耦合器之該隔離端。
- 如請求項15所述的放大裝置，其中該第一電感性元件係與該第一 耦合元件、該第二耦合元件、該第三耦合元件及該第四耦合元件電感性隔離。
- 如請求項15所述的放大裝置，其中該第一耦合元件、該第二耦合元件、該第三耦合元件及該第四耦合元件產生的電感值皆小於1奈亨利。
- 如請求項12所述的放大裝置，其中該放大單元的該輸入端用以接收一射頻輸入訊號；該放大單元的該輸出端用以輸出一放大訊號；該第一耦合器的該輸出端用以輸出與該放大訊號有關的一第一輸出訊號；該第二耦合器的該輸出端用以輸出與該放大訊號有關的一第二輸出訊號；該訊號輸出端用以輸出與該第一輸出訊號、該第二輸出訊號以及該放大訊號有關的一射頻輸出訊號；及該射頻輸入訊號之頻率係高於5吉赫。
- 如請求項12所述的放大裝置，其中該放大單元係設置於一第一晶粒，該第一耦合器與該第二耦合器係設置於一第二晶粒。
- 一種放大裝置，包含：一訊號輸入端；一訊號輸出端；一放大單元，包含一輸入端耦接於該訊號輸入端，及一輸出端；一第一耦合器，包含一輸入端耦接於該放大單元的該輸出端，一輸出端耦接於該訊號輸出端，及一耦合端；一第一電容性元件，包含一第一端耦接於該第一耦合器的該輸出端，及一第 二端用以耦接於一參考電壓端；一第二耦合器，包含一輸入端耦接於該放大單元的該輸出端，一輸出端耦接於該訊號輸出端，及一耦合端；及一第二電容性元件，包含一第一端耦接於該第二耦合器的該輸出端，及一第二端用以耦接於該參考電壓端；其中，該第一耦合器與該第二耦合器係並聯設置。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101908881A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-12-08 | 锐迪科创微电子（北京）有限公司 | 定向耦合器及包含该定向耦合器的射频功率放大器 |
| US7907032B2 (en) * | 2009-01-06 | 2011-03-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Directional coupler |
| US8289102B2 (en) * | 2009-09-09 | 2012-10-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Directional coupler |
| WO2013102965A1 (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-11 | パナソニック株式会社 | 直交ハイブリッドカプラ、増幅器及び無線通信装置 |
| WO2015101147A1 (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | 国民技术股份有限公司 | 多模多频功率放大器 |
| TW201735533A (zh) * | 2016-02-29 | 2017-10-01 | 天工方案公司 | 整合式濾波器及定向耦合器總成 |
| CN111641391A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-09-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 差分正交输出低噪声放大器 |
| CN114337567A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-04-12 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 射频前端模块及相应的射频前端系统、芯片及电子设备 |
-
2022
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- 2022-09-06 CN CN202211085717.1A patent/CN117544117A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7907032B2 (en) * | 2009-01-06 | 2011-03-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Directional coupler |
| US8289102B2 (en) * | 2009-09-09 | 2012-10-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Directional coupler |
| CN101908881A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-12-08 | 锐迪科创微电子（北京）有限公司 | 定向耦合器及包含该定向耦合器的射频功率放大器 |
| WO2013102965A1 (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-11 | パナソニック株式会社 | 直交ハイブリッドカプラ、増幅器及び無線通信装置 |
| WO2015101147A1 (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | 国民技术股份有限公司 | 多模多频功率放大器 |
| TW201735533A (zh) * | 2016-02-29 | 2017-10-01 | 天工方案公司 | 整合式濾波器及定向耦合器總成 |
| CN111641391A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-09-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 差分正交输出低噪声放大器 |
| CN114337567A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-04-12 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 射频前端模块及相应的射频前端系统、芯片及电子设备 |
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