TWI813823B - 接地構件及遮蔽印刷配線板 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供一種能夠對起因於遮蔽印刷配線板之製造時或者是當對於遮蔽印刷配線板而搭載電子零件時之加熱而導致的接地構件之導電層－接著劑層之間的層間密著之破壞作防止的接地構件。
[解決手段]一種接地構件，係包含有導電層、和被層積於上述導電層處之接著劑層，其特徵為：上述接著劑層，係具備有黏合劑成分和硬質粒子，上述接著劑層之厚度，係為5～30μm。
Description
本發明，係有關於接地構件及遮蔽印刷配線板。
印刷配線板，係在行動電話、視訊攝影機、筆記型電腦等之電子機器中，為了將電路組入至機構之中而多所被使用。又，係亦被利用在像是印表機頭一般之可動部與控制部之間的連接中。在此些之電子機器中，電磁波遮蔽對策係成為必要，在被使用於裝置內之印刷配線板中，亦係使用施加有電磁波遮蔽對策之遮蔽印刷配線板。
作為此種電磁波遮蔽對策，係周知有藉由導電性之遮蔽層來覆蓋印刷配線板之方法。
又，作為對於雜訊之對策，係亦周知有將印刷配線板之接地電路和外部接地經由遮蔽層來作電性連接之方法。
在專利文獻1中，係揭示有一種具備有用以使印刷電路之接地電路與外部接地之間之電性連接成為更加確實的外部接地構件之遮蔽印刷配線板。
亦即是，在專利文獻1中，係揭示有一種遮蔽印刷配線板，其係具備有：印刷配線板、和將前述印刷配線板之至少一部分的配線作覆蓋之電磁波遮蔽層，並且更進而具備有與前述印刷配線板之接地電路作電性連接並且被與外部之接地構件作電性連接之外部接地構件，前述電磁波遮蔽層，係被與前述印刷配線板之接地電路以及前述外部接地構件作電性連接，並且，前述外部接地構件之一部分，係存在於前述印刷配線板與前述電磁波遮蔽層之間，前述外部接地構件之其他之一部分，係使其中一面被載置在前述印刷配線板上，並使另外一面露出。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-122687號公報
[發明所欲解決的課題]
在專利文獻1中所記載之外部接地構件(接地構件)，係由金屬箔(導電層)、和被設置在金屬箔之其中一面上的接著劑層，而構成之。
又，在專利文獻1中所記載之印刷配線板，係成為使基底薄膜上之印刷圖案被絕緣薄膜(覆蓋膜)作被覆的構成。
在使用此種接地構件而製造遮蔽印刷配線板時，首先，係以使接地構件之接著劑層與印刷配線板作接觸的方式，來將接地構件配置在印刷配線板處。之後，藉由加熱加壓，而成為將接地構件接著、固定在印刷配線板處。
又，在具備有此種接地構件的遮蔽印刷配線板處，係成為更進而被搭載有電子零件。在搭載電子零件的情況時，係成為使用有焊錫，但是，在藉由焊錫回焊來搭載電子零件的情況時，遮蔽印刷配線板係成為會被加熱。
若是如此這般地而在製造遮蔽印刷配線板時或者是在將電子零件搭載於遮蔽印刷配線板處時，遮蔽印刷配線板被加熱，則會從接地構件之接著劑層或印刷配線板之覆蓋膜等處而產生氣體。又，當印刷配線板之基底薄膜係藉由聚醯亞胺等之吸濕性為高之樹脂所形成的情況時，係會有起因於加熱而從基底薄膜產生水蒸氣的情形。從接地構件之接著劑層或覆蓋膜或者是基底薄膜所產生的此些之揮發成分，由於係並無法通過接地構件之導電層，因此係會積存於導電層與接著劑層之間。
因此，之後，若是更進而進行劇烈的加熱，則積存於接地構件之導電層與接著劑層之間的揮發成分係會膨脹，並會有導致接地構件之導電層－接著劑層之間的層間密著被破壞之問題。
本發明，係為有鑑於上述問題所進行者，其目的，係在於提供一種能夠對起因於遮蔽印刷配線板之製造時或者是當對於遮蔽印刷配線板而搭載電子零件時之加熱而導致的接地構件之導電層－接著劑層之間的層間密著之破壞作防止的接地構件。
[用以解決課題之手段]
本發明之接地構件，係包含有導電層、和被層積於上述導電層處之接著劑層，其特徵為：上述接著劑層，係具備有黏合劑成分和硬質粒子，上述接著劑層之厚度，係為5～30μm。
本發明之接地構件，係成為為了製造遮蔽印刷配線板而被使用。
亦即是，在製造遮蔽印刷配線板時，係成為以使接著劑層與印刷配線板之覆蓋膜作接觸的方式，來將本發明之接地構件配置在印刷配線板處。之後，藉由加熱加壓，而成為將接地構件接著、固定在印刷配線板處。
在本發明之接地構件之接著劑層中所包含的硬質粒子，係在此加熱加壓中而推壓接地構件之導電層，並成為在導電層處而形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑。因此，在製造遮蔽印刷配線板的過程中，就算是起因於加熱而產生有揮發成分，揮發成分也能夠通過導電層。
又，在將電子零件搭載於使用有本發明之接地構件之遮蔽印刷配線板處的情況時，就算是於焊錫回焊工程中而遮蔽印刷配線板被加熱並產生有揮發成分，揮發成分也能夠通過導電層。
亦即是，係能夠防止揮發成分積存於接地構件之導電層－接著劑層之間的情形，其結果，係能夠對起因於遮蔽印刷配線板之製造時或者是當對於遮蔽印刷配線板而搭載電子零件時之加熱而導致的接地構件之導電層－接著劑層之間的層間密著之破壞作防止。
在本發明之接地構件中，上述接著劑層之厚度，係為5～30μm。
若是接著劑層之厚度為未滿5μm，則接著力係成為不充分。
若是接著劑層之厚度超過30μm，則在加熱加壓時，硬質粒子推壓導電層之壓力係會分散，而無法在導電層處形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑。
在本發明之接地構件中，較理想，上述硬質粒子之莫氏硬度，係為上述導電層之莫氏硬度的1.5倍以上。
若是硬質粒子之莫氏硬度係為導電層之莫氏硬度的1.5倍以上，則在加熱加壓時，硬質粒子係成為容易被填埋於導電層中。其結果，係成為容易在導電層處形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑。
在本發明之接地構件中，較理想，上述硬質粒子之莫氏硬度，係為4～7。若是硬質粒子之莫氏硬度係為4～7，則在進行加熱加壓時，硬質粒子係不會有被壓潰的情形，而成為容易在導電層處形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑。
在本發明之接地構件中，較理想，上述硬質粒子之平均粒徑，係為2.5～25μm。
若是硬質粒子之平均粒徑係為此範圍，則在加熱加壓時，係能夠合適地在導電層處形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑。
若是硬質粒子之平均粒徑為未滿2.5μm，則在加熱加壓時，係成為難以在導電層處形成充分之大小的孔或凹坑，揮發成分係成為難以通過導電層。
若是硬質粒子之平均粒徑為超過25μm，則在加熱加壓時，在導電層處所形成的孔或凹坑係會變大，導電層之強度係變得容易降低。
在本發明之接地構件中，較理想，上述硬質粒子，係由氧化矽所成。
氧化矽，其莫氏硬度係為充分高，並作為硬質粒子而適當地起作用。
在本發明之接地構件中，較理想，上述導電層，係由從由銅、銀、金以及鎳所成之群中而選擇之至少一種所成。
在使用有本發明之接地構件的遮蔽印刷配線板中，接地構件之導電層，係成為被與印刷配線板之接地電路作電性連接。又，在使用有本發明之接地構件的遮蔽印刷配線板中，導電層係成為被與外部接地作連接。
若是接地構件之導電層係由從由銅、銀、金以及鎳所成之群中而選擇之至少一種所成，則由於此些之材料的導電性係為優良，因此係能夠將接地電路－外部接地之間的電阻值降低。
在本發明之接地構件中，較理想，上述接著劑層，係更進而具備有導電性粒子。
於此情況，接著劑層，係作為導電性接著劑層而起作用。
在本發明之接地構件中，較理想，上述硬質粒子之平均粒徑，係較上述導電性粒子之平均粒徑更小。
若是硬質粒子之平均粒徑為較導電性粒子之平均粒徑更大，則硬質粒子係成為易於從接地構件之接著劑層而露出。因此，係成為容易喪失與接著劑層之間之密著性。
在本發明之接地構件中，較理想，上述硬質粒子之莫氏硬度，係較上述導電性粒子之莫氏硬度更高。
若是硬質粒子之莫氏硬度為較導電性粒子之莫氏硬度更高，則就算是本發明之接地構件之被覆體係為柔軟，亦成為容易在導電層處形成能夠使揮發成分通過的孔或凹坑。
在本發明之接地構件中，較理想，在上述接著劑層中之黏合劑成分的厚度，係較上述導電性粒子之平均粒徑更小。
本發明之接地構件，係會有被配置在具備有保護層和被層積於保護層處之遮蔽層的電磁波遮蔽薄膜處的情形。
此時，係成為以使接地構件之接著劑層與電磁波遮蔽薄膜之保護層相接的方式來作配置，並且以使接地構件之導電性粒子會貫通電磁波遮蔽薄膜之保護層的方式來作配置。
在此種情況時，當在接著劑層中之黏合劑成分的厚度係較上述導電性粒子之平均粒徑更小的情況時，導電性粒子係確實地貫通電磁波遮蔽薄膜之保護層，而能夠使導電性粒子和電磁波遮蔽薄膜之遮蔽層作接觸。
本發明之接地構件，係亦可對於具備有保護層和被層積於上述保護層處之遮蔽層的電磁波遮蔽薄膜，而以使上述接著劑層與上述保護層相接的方式來作配置，並且以使上述導電性粒子會貫通上述保護層的方式來作配置。
本發明之接地構件的導電層，係被與外部接地作連接，電磁波遮蔽薄膜之遮蔽層係成為被與印刷配線板之接地電路作電性連接。
本發明之接地構件之導電性粒子，係貫通電磁波遮蔽薄膜之保護層，並成為與電磁波遮蔽薄膜之遮蔽層作接觸。
如此這般，藉由使用本發明之接地構件，係能夠將使用有電磁波遮蔽薄膜之印刷配線板的接地電路與外部接地作電性連接。
本發明之接地構件，係亦可構成為：係成為被配置在遮蔽印刷配線板處，該遮蔽印刷配線板，係具備有印刷配線板、和遮蔽層、以及保護層，該印刷配線板，係由基底薄膜、和包含被配置在上述基底薄膜上之接地電路的印刷電路、以及覆蓋上述印刷電路的覆蓋膜，而構成之，該遮蔽層，係被配置在上述覆蓋膜之上，並被與上述接地電路作電性連接，該保護層，係被設置在上述遮蔽層處之與上述印刷電路側相反側的表面處，上述接地構件，係以使上述接著劑層與上述保護層相接的方式來作配置，並且以使上述導電性粒子會貫通上述保護層的方式來作配置。
本發明之接地構件的導電層，係成為被與外部接地作電性連接。
接地構件之導電性粒子，係貫通遮蔽印刷配線板之保護層並成為與遮蔽層作接觸。
如此這般，藉由使用本發明之接地構件，係能夠將遮蔽印刷配線板的接地電路與外部接地作電性連接。
在本發明之接地構件中，係亦可構成為：上述接著劑層係具有絕緣性，在上述接著劑層側之上述導電層處，係被形成有導電性凸塊。
若是接地構件為具有導電性凸塊，則係能夠經由導電性凸塊來將導電層與被覆體作電性連接。
本發明之遮蔽印刷配線板，其特徵為，係具備有：印刷配線板，係由基底薄膜、和包含被配置在上述基底薄膜上之接地電路的印刷電路、以及覆蓋上述印刷電路的覆蓋膜，而構成之；和遮蔽層，係被配置在上述覆蓋膜之上，並被與上述接地電路作電性連接，該遮蔽印刷配線板，係更進而具備有上述之本發明之接地構件，並以使上述接地構件之接著劑層與上述覆蓋膜相接的方式，來配置上述接地構件，上述接地構件之導電層和上述遮蔽層，係被作電性連接。
本發明之其他之遮蔽印刷配線板，其特徵為，係具備有：印刷配線板，係由基底薄膜、和包含被配置在上述基底薄膜上之接地電路的印刷電路、以及覆蓋上述印刷電路的覆蓋膜，而構成之；和遮蔽層，係被配置在上述覆蓋膜之上，並被與上述接地電路作電性連接；和保護層，係被設置在上述遮蔽層處之與上述印刷電路側相反側之表面處，上述遮蔽印刷配線板，係更進而具備有上述之本發明之接地構件，並以使上述接地構件之接著劑層與上述保護層相接的方式，來配置上述接地構件，上述接地構件之導電性粒子，係貫通上述保護層，並且上述接地構件之導電層和上述遮蔽層係被作電性連接。
又，本發明之其他之遮蔽印刷配線板，其特徵為，係具備有：印刷配線板，係由基底薄膜、和包含被配置在上述基底薄膜上之接地電路的印刷電路、以及覆蓋上述印刷電路的覆蓋膜，而構成之；和遮蔽層，係被配置在上述覆蓋膜之上，並被與上述接地電路作電性連接；和保護層，係被設置在上述遮蔽層處之與上述印刷電路側相反側之表面處，上述遮蔽印刷配線板，係更進而具備有上述之本發明之接地構件，並以使上述接地構件之接著劑層與上述保護層相接的方式，來配置上述接地構件，上述接地構件之導電性凸塊，係貫通上述保護層，並且上述接地構件之導電層和上述遮蔽層係被作電性連接。
此些之本發明之遮蔽印刷配線板，係具備有上述之本發明之接地構件。
故而，係能夠對起因於遮蔽印刷配線板之製造時或者是當對於遮蔽印刷配線板而搭載電子零件時之加熱而導致的接地構件之導電層－接著劑層之間的層間密著之破壞作防止。
[發明之效果]
本發明之接地構件，係在製造遮蔽印刷配線板而被使用。
在製造遮蔽印刷配線板時的加熱加壓中，在本發明之接地構件之接著劑層中所包含的硬質粒子，係推壓接地構件之導電層，並成為在導電層處而形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑。
因此，在製造遮蔽印刷配線板的過程中，就算是起因於加熱而產生有揮發成分，揮發成分也能夠通過導電層。亦即是，係能夠防止揮發成分積存於接地構件之導電層－接著劑層之間的情形，其結果，係能夠對起因於遮蔽印刷配線板之製造時或者是當對於遮蔽印刷配線板而搭載電子零件時之加熱而導致的接地構件之導電層－接著劑層之間的層間密著之破壞作防止。
以下，針對本發明之接地構件作具體性說明。然而，本發明係並不被限定於以下之實施形態，在不對本發明之要旨作變更的範圍內，係能夠適宜變更並作適用。
(第1實施形態)
以下，針對本發明之第1實施形態之接地構件，使用圖面而作說明。
圖1，係為對於本發明之第1實施形態之接地構件的其中一例作示意性展示之剖面圖。如同圖1中所示一般，接地構件10，係由導電層20和被層積於導電層20處之接著劑層30所成。
又，接著劑層30，係具備有黏合劑成分31和硬質粒子32。
接著劑層30之厚度T30
，係為5～30μm。
接地構件10，係成為為了製造遮蔽印刷配線板而被使用。
於此，首先，使用圖面，針對使用先前技術之接地構件來製造遮蔽印刷配線板的情況時之問題作說明。
圖2(a)～(c)，係為對於使用先前技術之接地構件來製造印刷配線板的情況時之其中一例作示意性展示之示意圖。
如同圖2(a)中所示一般，由導電層520和被層積於導電層520處之接著劑層530所成之先前技術之接地構件510，係成為被配置在印刷配線板550處，該印刷配線板550，係在基底薄膜551上被形成有印刷電路552，並使印刷電路552被覆蓋膜553所被覆。
此時，先前技術之接地構件510之接著劑層530，係成為被配置在印刷配線板550側處。
之後，藉由進行加熱加壓，先前技術之接地構件510，係成為被接著、固定在印刷配線板550處。
在具備有此種接地構件510的印刷配線板550處，係成為更進而被搭載有電子零件。在搭載電子零件的情況時，係成為使用有焊錫，但是，在藉由焊錫回焊來搭載電子零件的情況時，印刷配線板550係成為會被加熱。
若是如此這般地而印刷配線板550被加熱，則會從先前技術之接地構件510之接著劑層530或印刷配線板550之覆蓋膜553等處而產生氣體。又，當印刷配線板550之基底薄膜551係藉由聚醯亞胺等之吸濕性為高之樹脂所形成的情況時，係會有起因於加熱而水分等從基底薄膜551而揮發的情形。從先前技術之接地構件510之接著劑層530或覆蓋膜553或者是基底薄膜551所產生的此些之揮發成分560，係如同圖2(b)中所示一般，由於並無法通過先前技術之接地構件510之導電層520，因此係會積存於導電層520與接著劑層530之間。
因此，之後，若是更進而進行劇烈的加熱，則如同圖2(c)中所示一般，積存於先前技術之接地構件510之導電層520與接著劑層530之間的揮發成分係會膨脹，並會有導致先前技術之接地構件510之導電層520－接著劑層530之間的層間密著被破壞的情形。
接著，使用圖面，針對使用本發明之第1實施形態之接地構件來製造印刷配線板的情況作說明。
圖3(a)～(c)，係為對於使用本發明之第1實施形態之接地構件來製造印刷配線板的情況時之其中一例作示意性展示之示意圖。
如同圖3(a)中所示一般，由導電層20和被層積於導電層20處之接著劑層30所成之接地構件10，係成為被配置在印刷配線板50處，該印刷配線板50，係在基底薄膜51上被形成有印刷電路52，並使印刷電路52被覆蓋膜53所被覆。
此時，接地構件10之接著劑層30，係成為被配置在印刷配線板50側處。
之後，藉由進行加熱加壓，接地構件10，係成為被接著、固定在印刷配線板50處。
此時，如同圖3(b)中所示一般，在接地構件10之接著劑層30中所包含的硬質粒子32，係在此加熱加壓中而推壓接地構件10之導電層20，並成為在導電層20處而形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑21。
如同上述一般，在將接地構件10配置於印刷配線板50處並進行加熱加壓的情況時或者是將電子零件搭載於印刷配線板50處時，係會產生揮發成分。
如同圖3(c)中所示一般，此種揮發成分60，係能夠通過孔或凹坑21而通過導電層20。
亦即是，係能夠防止揮發成分60積存於接地構件10之導電層20－接著劑層30之間的情形，其結果，係能夠對接地構件10之導電層20－接著劑層30之間的層間密著之破壞作防止。
以下，針對接地構件10之各構成作詳細敘述。
(導電層)
接地構件10之導電層20之材料，係並未特別作限定，較理想，係由從由銅、銀、金以及鎳所成之群中而選擇之至少一種所成。
在使用有接地構件10的遮蔽印刷配線板中，接地構件10之導電層20，係成為被與印刷配線板之接地電路作電性連接。又，在使用有接地構件10的遮蔽印刷配線板中，導電層20係成為被與外部接地作連接。
若是接地構件10之導電層係由從由銅、銀、金以及鎳所成之群中而選擇之至少一種所成，則由於此些之材料的導電性係為優良，因此係能夠將接地電路－外部接地之間的電阻值降低。
在接地構件10處，導電層20之厚度，較理想，係為1～9μm，更理想，係為2～7μm。若是導電層之厚度為未滿1μm，則由於導電層之強度係會變低，因此係成為容易破損。若是導電層之厚度超過9μm，則由於導電層係過厚，因此，係成為難以藉由硬質粒子來形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑。
(接著劑層)
在接地構件10處，接著劑層30之厚度T30
，係為5～30μm。
又，接著劑層30之厚度T30
，較理想，係為10～20μm。
若是接著劑層之厚度為未滿5μm，則接著力係成為不充分。
若是接著劑層之厚度超過30μm，則在加熱加壓時，硬質粒子推壓導電層之壓力係會分散，而無法在導電層處形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑。
又，如同上述一般，較理想，在接著劑層30中所包含的硬質粒子32之莫氏硬度，係為導電層20之莫氏硬度的1.5倍以上，更理想，係為1.6～2.3倍。
若是硬質粒子32之莫氏硬度係為導電層20之莫氏硬度的1.5倍以上，則在加熱加壓時，硬質粒子32係成為容易被填埋於導電層20中。
其結果，係成為容易在導電層20處形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑21。
較理想，硬質粒子32之莫氏硬度係為4～7，更理想，係為5～7。
若是硬質粒子32之莫氏硬度係為4～7，則在進行加熱加壓時，硬質粒子32係不會有被壓潰的情形，而成為容易在導電層20處形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑21。
較理想，硬質粒子32之平均粒徑，係為2.5～25μm，更理想，係為2.5～10μm。
若是硬質粒子32之平均粒徑係為此範圍，則在加熱加壓時，係能夠合適地在導電層20處形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑21。
若是硬質粒子之平均粒徑為未滿2.5μm，則在加熱加壓時，係成為難以在導電層處形成充分之大小的孔或凹坑，揮發成分係成為難以通過導電層。
若是硬質粒子之平均粒徑為超過25μm，則在加熱加壓時，在導電層處所形成的孔或凹坑係會變大，導電層之強度係變得容易降低。
較理想，硬質粒子32，係由氧化矽所成。
氧化矽，由於其莫氏硬度係為7而為充分高，因此係作為硬質粒子而適當地起作用。
作為構成接著劑層30之黏合劑成分31的材料，雖並未特別作限定，但是，係可使用聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯系、聚酯系、聚乙烯系、聚丙烯系、聚醯胺系、橡膠系、丙烯酸系等之熱可塑性樹脂，或者是酚系、環氧系、胺基甲酸酯系、尿素胺基甲酸酯系、三聚氰胺系、醇酸系等之熱硬化性樹脂。
接著，針對使用有接地構件10的遮蔽印刷配線板之製造方法作說明。使用有接地構件10的遮蔽印刷配線板之製造方法，係包含有(1)印刷配線板準備工程、和(2)接地構件配置工程、和(3)電磁波遮蔽薄膜配置工程、以及(4)加熱加壓工程。
以下，使用圖面，針對各工程作說明。
圖4，係為對於使用有本發明之第1實施形態之接地構件的遮蔽印刷配線板之製造方法之印刷配線板準備工程的其中一例作示意性展示之示意圖。
圖5，係為對於使用有本發明之第1實施形態之接地構件的遮蔽印刷配線板之製造方法之接地構件配置工程的其中一例作示意性展示之示意圖。圖6，係為對於使用有本發明之第1實施形態之接地構件的遮蔽印刷配線板之製造方法之電磁波遮蔽薄膜配置工程的其中一例作示意性展示之示意圖。
圖7(a)以及(b)，係為對於使用有本發明之第1實施形態之接地構件的遮蔽印刷配線板之製造方法之加熱加壓工程的其中一例作示意性展示之示意圖。
(1)印刷配線板準備工程
在本工程中，如同圖4中所示一般，係準備由基底薄膜51、和包含有被配置在基底薄膜51之上的接地電路52a之印刷電路52、以及覆蓋印刷電路52之覆蓋膜53，所構成的印刷配線板50。
在印刷配線板50處，接地電路52a之一部分，係藉由覆蓋膜53之開口部53a而有所露出。
基底薄膜51以及覆蓋膜53之材料，較理想，係由工程塑料所成。作為此種工程塑料，例如係可列舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯並咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚等之樹脂。
又，此些之工程塑料之中，在對於難燃性有所要求的情況時，係以聚苯硫醚薄膜為理想，在對於耐熱性有所要求的情況時，係以聚醯亞胺薄膜為理想。
另外，基底薄膜51之厚度，較理想，係為10～40μm。
又，覆蓋膜53之厚度，較理想，係為10～50μm。
印刷電路52之材料，係並未特別作限定，而亦可為銅箔、導電性糊之硬化物等。
(2)接地構件配置工程
接著，係如同圖5中所示一般，以使接地構件10之接著劑層30與印刷配線板50之覆蓋膜53相接觸的方式，來將接地構件10配置在印刷配線板50處。
(3)電磁波遮蔽薄膜配置工程
接著，係如同圖6中所示一般，準備由導電性接著劑層41和被層積於導電性接著劑層41處之金屬薄膜42所成之電磁波遮蔽薄膜40。
之後，以使電磁波遮蔽薄膜40之導電性接著劑層41與印刷配線板50之覆蓋膜53以及接地構件10之一部分相接觸的方式，來將電磁波遮蔽薄膜40配置在印刷配線板50處。
此時，係以使在後述之加熱加壓工程之後，電磁波遮蔽薄膜40之導電性接著劑層41會將印刷配線板50之開口部53a填埋並且使電磁波遮蔽薄膜40之導電性接著劑層41與接地電路52a作接觸的方式，來配置電磁波遮蔽薄膜40。
又，係以使在後述之加熱加壓工程之後，電磁波遮蔽薄膜40之導電性接著劑層41會與接地構件10之導電層20作接觸的方式，來配置電磁波遮蔽薄膜40。
電磁波遮蔽薄膜40之導電性接著劑層41，較理想，係由導電性粒子和樹脂所成。
作為導電性粒子，雖係並未特別作限定，但是，較理想，係由從由銅粉、銀粉、鎳粉、銀包覆銅粉、金包覆銅粉、銀包覆鎳粉以及金包覆鎳粉所成之群中而選擇之至少一種所成。
作為樹脂，係可使用苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、亞醯胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、丙烯酸系樹脂組成物、酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺基甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、醇酸系樹脂組成物等。
電磁波遮蔽薄膜40之金屬薄膜42，係亦可包含有由金、銀、銅、鋁、鎳、錫、鈀、鉻、鈦、鋅等之材料所成之層，而以包含有銅層為理想。
銅，在導電性以及經濟性之觀點來看，對於金屬薄膜42而言係為合適的材料。
另外，金屬薄膜42，係亦可包含由上述金屬之合金所成之層。
又，作為金屬薄膜42，係亦可使用金屬箔，亦可為藉由濺鍍或無電解鍍敷、電解鍍敷等之方法所形成的金屬膜。
(4)加熱加壓工程
接著，如同圖7(a)中所示一般，將印刷配線板50、接地構件10以及電磁波遮蔽薄膜40作加熱加壓，而將印刷配線板50和接地構件10以及電磁波遮蔽薄膜40作壓著。
此時，電磁波遮蔽薄膜40之導電性接著劑層41係將開口部53a填埋並與接地電路52a作接觸。
又，電磁波遮蔽薄膜40之導電性接著劑層41，係與接地構件10之導電層20作接觸。
如同圖7(b)中所示一般，加熱加壓後之電磁波遮蔽薄膜40，係成為遮蔽層40a。
又，如同圖7(b)中所示一般，在本工程中，於接地構件10之接著劑層30中所包含的硬質粒子32，係推壓接地構件10之導電層20，並成為在導電層20處而形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑21。
在加熱加壓工程中，係會從印刷配線板50之覆蓋膜53和接地構件10之接著劑層30而產生揮發成分。
此種揮發成分係能夠通過孔或凹坑21而通過導電層20。
亦即是，係能夠防止揮發成分60積存於接地構件10之導電層20－接著劑層30之間的情形，其結果，係能夠對接地構件10之導電層20－接著劑層30之間的層間密著之破壞作防止。
在加熱加壓工程中之加熱溫度，較理想，係為100～190℃，更理想，係為120～170℃。
在加熱加壓工程中之加壓壓力，較理想，係為0.5～4.0Pa，更理想，係為2.0～3.0Pa。
經由以上之工程，係能夠製造出遮蔽印刷配線板70。
此種遮蔽印刷配線板70，係亦身為本發明之遮蔽印刷配線板。亦即是，如同圖7(b)中所示一般，遮蔽印刷配線板70，係由印刷配線板50、和遮蔽層40a、以及接地構件10，所構成之。
印刷配線板50，係由基底薄膜51、和包含有被配置在基底薄膜51之上的接地電路52a之印刷電路52、以及覆蓋印刷電路52之覆蓋膜53，所構成之。又，在覆蓋膜53處，係被形成有使接地電路52a露出之開口部53a。
遮蔽層40a，係由導電性接著劑層41和被層積於導電性接著劑層41處之金屬薄膜42所成。
又，遮蔽層40a，係以使導電性接著劑層41與覆蓋膜53相接觸的方式，而被配置在印刷配線板50處。
而，導電性接著劑層41，係將覆蓋膜53之開口部53a填埋，並與接地電路52a作接觸。
接地構件10，係由導電層20和被層積於導電層20處之接著劑層30所成。接地構件10，係以使接著劑層30與覆蓋膜53相接觸的方式，而被配置在印刷配線板50處。
因此，接地構件10的導電層20和遮蔽層40a係成為被作電性連接。
又，遮蔽層40a之導電性接著劑層41，由於係與接地電路52a相接觸，因此，接地構件10之導電層20和接地電路52a亦係成為被作電性連接。
因此，藉由將接地構件10之導電層20與外部接地(未圖示)作電性連接，係能夠將遮蔽印刷配線板70之接地電路52a與外部接地作電性連接。
另外，在本發明之遮蔽印刷配線板中，遮蔽層，係亦可為由絕緣性接著劑層和被層積於絕緣性接著劑層處之金屬薄膜所成。
於此情況，係亦可藉由在絕緣性接著劑層側之金屬薄膜處形成複數之導電性凸塊或者是使金屬薄膜成為突起形狀，來使導電性凸塊或者是突起形狀之金屬薄膜與印刷配線板之接地電路作接觸，並藉由使遮蔽層與接地構件之導電層作接觸並且進而使接地構件之導電層與外部接地作接觸等，來使遮蔽印刷配線板之接地電路與外部接地作電性連接。
(第2實施形態)
以下，針對本發明之第2實施形態之接地構件，使用圖面而作說明。
圖8，係為對於本發明之第2實施形態之接地構件的其中一例作示意性展示之剖面圖。圖8中所示之接地構件110，除了係使接著劑層130具備有導電性粒子133以外，係身為與上述接地構件10相同之構成。
亦即是，如同圖8中所示一般，接地構件110，係由導電層120和被層積於導電層120處之接著劑層130所成。
又，接著劑層130，係具備有黏合劑成分131、硬質粒子132和導電性粒子133。
接著劑層130之厚度T130
，係為5～30μm。
在接地構件110處，由於接著劑層130係具備有導電性粒子133，因此接著劑層130係作為導電性接著劑層而起作用。
在接地構件110中，較理想，硬質粒子132之平均粒徑，係較導電性粒子133之平均粒徑更小。
若是硬質粒子132之平均粒徑為較導電性粒子133之平均粒徑更大，則硬質粒子132係成為易於從接地構件110之接著劑層130而露出。因此，係成為容易喪失與接著劑層130之間之密著性。
又，在接地構件110中，較理想，導電性粒子133之平均粒徑，係為8～25μm，更理想，係為10～25 μm。
在接地構件110中，較理想，硬質粒子132之莫氏硬度，係較導電性粒子133之莫氏硬度更高，更理想，係為導電性粒子之莫氏硬度的1.2倍以上。
若是硬質粒子132之莫氏硬度為較導電性粒子133之莫氏硬度更高，則就算是接地構件110之被覆體係為柔軟，亦成為容易在導電層120處形成能夠使揮發成分通過的孔或凹坑。
又，在接地構件110中，較理想，導電性粒子133之莫氏硬度，係為5～9，更理想，係為6～7。
導電性粒子133之材料，雖並未特別作限定，但是，係可列舉出碳、銀、銅、鎳、焊錫、鋁、在銅粉處施加有銀鍍敷之銀包覆銅填充物、以及對於樹脂球或玻璃珠等而施加了金屬鍍敷的填充物、或者是此些之填充物之混合體等。此些之中，較理想，係為較為低價且具有優良的導電性之銀包覆銅填充物或鎳。
接地構件110，係會有被配置在具備有保護層和被層積於保護層處之遮蔽層的電磁波遮蔽薄膜處的情形。
如此這般，使用圖面，針對將接地構件110配置在電磁波遮蔽薄膜處的情況作說明。
圖9(a)以及(b)，係為對於將本發明之第2實施形態之接地構件配置在電磁波遮蔽薄膜處的模樣作示意性展示之示意圖。
如同圖9(a)中所示一般，被配置有接地構件110之電磁波遮蔽薄膜180，係具備有保護層181、和被層積於保護層181處之遮蔽層182。
在將接地構件110配置在電磁波遮蔽薄膜180處的情況時，係成為以使接地構件110之接著劑層130會與電磁波遮蔽薄膜180之保護層181作接觸的方式來作配置。
之後，如同圖9(b)中所示一般，係成為以使接地構件110之導電性粒子133會貫通電磁波遮蔽薄膜180之保護層181的方式來作加壓。
此時，於接地構件110之接著劑層130中所包含的硬質粒子132，係在導電層120處而形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑121。
接地構件110的導電層120，係被與外部接地(未圖示)作連接，電磁波遮蔽薄膜180之遮蔽層182係成為被與印刷配線板之接地電路(未圖示)作電性連接。
如此這般，藉由使用接地構件110，係能夠將使用有電磁波遮蔽薄膜之印刷配線板的接地電路與外部接地作電性連接。
於此種情況，在接地構件110中，較理想，在接著劑層130中之黏合劑成分131的厚度，係較導電性粒子133之平均粒徑更小。
當在接著劑層130中之黏合劑成分131的厚度係較導電性粒子133之平均粒徑更小的情況時，導電性粒子133係確實地貫通電磁波遮蔽薄膜180之保護層181，而能夠使導電性粒子133和電磁波遮蔽薄膜180之遮蔽層182作接觸。
另外，構成電磁波遮蔽薄膜180之保護層181以及遮蔽層182，係能夠使用先前技術之物。
接地構件110，係會有被配置在遮蔽印刷配線板處的情況。
如此這般，使用圖面，針對將接地構件110配置在遮蔽印刷配線板處的情況作說明。
圖10(a)以及(b)，係為對於將本發明之第2實施形態之接地構件配置在遮蔽印刷配線板處的模樣作示意性展示之示意圖。
如同圖10(a)中所示一般，被配置有接地構件110之遮蔽印刷配線板170，係具備有：印刷配線板150，係由基底薄膜151、和包含有被配置在基底薄膜151之上的接地電路152a之印刷電路152、以及覆蓋印刷電路152之覆蓋膜153，所構成之；和遮蔽層140a，係被形成於覆蓋膜153之上；和保護層143，係被形成於遮蔽層140a之上。
在印刷配線板150之覆蓋膜153處，係被形成有使接地電路152a露出之開口部153a。
又，遮蔽層140a，係由導電性接著劑層141和被層積於導電性接著劑層141處之金屬薄膜142所成。
又，遮蔽層140a，係以使導電性接著劑層141與覆蓋膜153相接觸的方式，而被配置在印刷配線板150處。
而，導電性接著劑層141，係將覆蓋膜153之開口部153a填埋，並與接地電路152a作接觸。
如同圖10(a)中所示一般，接地構件110，係以使接著劑層130與保護層143相接觸的方式，而被配置在遮蔽印刷配線板170處。
之後，如同圖10(b)中所示一般，係成為以使接地構件110之導電性粒子133會貫通保護層143的方式來作加壓。藉由此，導電性粒子133和金屬薄膜142係成為相接觸。
此時，於接地構件110之接著劑層130中所包含的硬質粒子132，係在導電層120處而形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑121。
又，接地構件110的導電層120，係成為被與外部接地(未圖示)作連接。
如此這般，藉由使用接地構件110，係能夠將遮蔽印刷配線板170的接地電路152a與外部接地作電性連接。
於此種情況，在接地構件110中，較理想，在接著劑層130中之黏合劑成分131的厚度，係較導電性粒子133之平均粒徑更小。
當在接著劑層130中之黏合劑成分131的厚度係較導電性粒子133之平均粒徑更小的情況時，導電性粒子133係確實地貫通保護層143，而能夠使導電性粒子133和金屬薄膜142作接觸。
在遮蔽印刷配線板170處之基底薄膜151、印刷電路152(接地電路152a)、覆蓋膜153、導電性接著劑層141、金屬薄膜142之理想的材料等，係為與在上述遮蔽印刷配線板70處之基底薄膜51、印刷電路52(接地電路52a)、覆蓋膜53、導電性接著劑層41、金屬薄膜42之理想的材料等相同。
在遮蔽印刷配線板170處之保護層143之理想的材料，較理想，係由工程塑料所成。作為此種工程塑料，例如係可列舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯並咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚等之樹脂。
又，此些之工程塑料之中，在對於難燃性有所要求的情況時，係以聚苯硫醚薄膜為理想，在對於耐熱性有所要求的情況時，係以聚醯亞胺薄膜為理想。
(第3實施形態)
以下，針對本發明之第3實施形態之接地構件，使用圖面而作說明。
圖11，係為對於本發明之第3實施形態之接地構件的其中一例作示意性展示之剖面圖。
圖11中所示之接地構件210，除了係被形成有導電性凸塊225以外，係身為與上述接地構件10相同之構成。
亦即是，如同圖11中所示一般，接地構件210，係由導電層220和被層積於導電層220處之接著劑層230所成。
又，接著劑層230，係具備有黏合劑成分231和硬質粒子232。
接著劑層230之厚度T230
，係為5～30μm。
又，接著劑層230，係具備有絕緣性。
而，在接著劑層230側之導電層220處，係被形成有導電性凸塊225。
若是接地構件210為具有導電性凸塊225，則係能夠經由導電性凸塊225來將導電層220與被覆體作電性連接。
導電性凸塊225之高度，雖並未特別作限定，但是，較理想，係為10～40μm，更理想，係為20～30μm。
若是導電性凸塊之高度為未滿10μm，則導電性凸塊係成為難以貫通後述之遮蔽印刷配線板之保護層。
若是導電性凸塊之高度為超過40μm，則導電性凸塊係成為難以處理。
導電性凸塊225之材料，係並未特別作限定，而亦可藉由由樹脂組成物和導電性填充物而成之導電性糊來形成之。
作為導電性凸塊之樹脂組成物，雖並未特別作限定，但是，係可使用苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、亞醯胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、丙烯酸系樹脂組成物等之熱可塑性樹脂組成物，或者是酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺基甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、醇酸系樹脂組成物等之熱硬化性樹脂組成物等。
樹脂組成物之材料，係可為此些之單獨一種，亦可為2種以上之組合。
作為導電性糊之導電性填充物，雖並未特別作限定，但是，係亦可為金屬微粒子、碳奈米管、碳纖維、金屬纖維等。
又，當導電性填充物係身為金屬微粒子的情況時，作為金屬微粒子，雖並未特別作限定，但是，係亦可為銀粉、銅粉、鎳粉、焊錫粉、鋁粉、對於銅粉施加有銀鍍敷之銀包覆銅粉、將高分子微粒子或玻璃珠等藉由金屬來作了被覆的微粒子等。
此些之中，從經濟性之觀點來看，較理想，係身為能夠以低價而獲得的銅粉或銀包覆銅粉。
接地構件210，係會有被配置在遮蔽印刷配線板處的情況。
如此這般，使用圖面，針對將接地構件210配置在遮蔽印刷配線板處的情況作說明。
圖12(a)以及(b)，係為對於將本發明之第3實施形態之接地構件配置在遮蔽印刷配線板處的模樣作示意性展示之示意圖。
如同圖12(a)中所示一般，被配置有接地構件210之遮蔽印刷配線板270，係具備有：印刷配線板250，係由基底薄膜251、和包含有被配置在基底薄膜251之上的接地電路252a之印刷電路252、以及覆蓋印刷電路252之覆蓋膜253，所構成之；和遮蔽層240a，係被形成於覆蓋膜253之上；和保護層243，係被形成於遮蔽層240a之上。
在印刷配線板250之覆蓋膜253處，係被形成有使接地電路252a露出之開口部253a。
又，遮蔽層240a，係由導電性接著劑層241和被層積於導電性接著劑層241處之金屬薄膜242所成。
又，遮蔽層240a，係以使導電性接著劑層241與覆蓋膜253相接觸的方式，而被配置在印刷配線板250處。
而，導電性接著劑層241，係將覆蓋膜253之開口部253a填埋，並與接地電路252a作接觸。
如同圖12(a)中所示一般，接地構件210，係以使接著劑層230與保護層243相接觸的方式，而被配置在遮蔽印刷配線板270處。
之後，如同圖12(b)中所示一般，係成為以使接地構件210之導電性凸塊225會貫通保護層243的方式來作加壓。藉由此，導電性凸塊225和金屬薄膜242係成為相接觸。亦即是，接地構件210之導電性凸塊225，係貫通保護層243，並且係成為與接地構件210之導電層220以及遮蔽層240a作電性連接。
此時，於接地構件210之接著劑層230中所包含的硬質粒子232，係在導電層220處而形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑221。
又，接地構件210的導電層220，係成為被與外部接地(未圖示)作連接。
如此這般，藉由使用接地構件210，係能夠將遮蔽印刷配線板270的接地電路252a與外部接地作電性連接。
接著，使用圖面，針對使用有接地構件210的其他態樣之遮蔽印刷配線板作說明。
圖13(a)～(d)，係為對於將本發明之第3實施形態之接地構件配置在遮蔽印刷配線板處的模樣作示意性展示之示意圖。
首先，如同圖13(a)中所示一般，準備印刷配線板350，該印刷配線板350，係由基底薄膜351、和包含有被配置在基底薄膜351之上的接地電路352a之印刷電路352、以及覆蓋印刷電路352之覆蓋膜353，所構成之。
在印刷配線板350處，接地電路352a之一部分，係藉由覆蓋膜353之開口部353a而有所露出。
接著，如同圖13(b)中所示一般，以使接著劑層230位置在印刷配線板350之覆蓋膜353之開口部353a之上的方式，來將接地構件210配置在印刷配線板350處。
接著，如同圖13(c)中所示一般，將由導電性接著劑層341和被層積於導電性接著劑層341處之金屬薄膜342所成之電磁波遮蔽薄膜340，以使導電性接著劑層341成為下側的方式，來配置在接地構件210以及印刷配線板350之上。
接著，如同圖13(d)中所示一般，藉由進行加熱加壓，來將接地構件210以及電磁波遮蔽薄膜340壓著於印刷配線板350處，並作成遮蔽印刷配線板370。
此時，接地構件210之導電性凸塊225，係貫通接著劑層230並成為與接地電路352a作接觸。
又，於接地構件210之接著劑層230中所包含的硬質粒子232，係在導電層220處而形成能夠使揮發成分通過之孔或凹坑221。
又，電磁波遮蔽薄膜340，係成為遮蔽層340a。
又，遮蔽層340a之導電性接著劑層341，係成為與接地構件210之導電層220作接觸。
接地構件210的導電層220，係成為被與外部接地(未圖示)作連接。
如此這般，藉由使用接地構件210，係能夠將遮蔽印刷配線板370的接地電路352a與外部接地作電性連接。
在遮蔽印刷配線板370處，基底薄膜351、印刷電路352(接地電路352a)、覆蓋膜353、導電性接著劑層341、金屬薄膜342之理想的材料等，係為與在上述遮蔽印刷配線板70處之基底薄膜51、印刷電路52(接地電路52a)、覆蓋膜53、導電性接著劑層41、金屬薄膜42之理想的材料等相同。
10、110、210、510:接地構件
20、120、220、520:導電層
21、121、221:孔或凹坑
30、130、230、530:接著劑層
31、131、231:黏合劑成分
32、132、232:硬質粒子
40、180、340:電磁波遮蔽薄膜
40a、140a、182、240a、340a:遮蔽層
41、141、241、341:導電性接著劑層
42、142、242、342:金屬薄膜
50、150、250、350、550:印刷配線板
51、151、251、351、551:基底薄膜
52、152、252、352、552:印刷電路
52a、152a、252a、352a:接地電路
53、153、253、353、553:覆蓋膜
53a、153a、253a、353a:開口部
60、560:揮發成分
70、170、270、370:遮蔽印刷配線板
133:導電性粒子
143、181、243:保護層
225:導電性凸塊
T30、T130、T230:厚度
[圖1]圖1，係為對於本發明之第1實施形態之接地構件的其中一例作示意性展示之剖面圖。
[圖2]圖2(a)～(c)，係為對於使用先前技術之接地構件來製造印刷配線板的情況時之其中一例作示意性展示之示意圖。
[圖3]圖3(a)～(c)，係為對於使用本發明之第1實施形態之接地構件來製造印刷配線板的情況時之其中一例作示意性展示之示意圖。
[圖4]圖4，係為對於使用有本發明之第1實施形態之接地構件的遮蔽印刷配線板之製造方法之印刷配線板準備工程的其中一例作示意性展示之示意圖。
[圖5]圖5，係為對於使用有本發明之第1實施形態之接地構件的遮蔽印刷配線板之製造方法之接地構件配置工程的其中一例作示意性展示之示意圖。
[圖6]圖6，係為對於使用有本發明之第1實施形態之接地構件的遮蔽印刷配線板之製造方法之電磁波遮蔽薄膜配置工程的其中一例作示意性展示之示意圖。
[圖7]圖7(a)以及(b)，係為對於使用有本發明之第1實施形態之接地構件的遮蔽印刷配線板之製造方法之加熱加壓工程的其中一例作示意性展示之示意圖。
[圖8]圖8，係為對於本發明之第2實施形態之接地構件的其中一例作示意性展示之剖面圖。
[圖9]圖9(a)以及(b)，係為對於將本發明之第2實施形態之接地構件配置在電磁波遮蔽薄膜處的模樣作示意性展示之示意圖。
[圖10]圖10(a)以及(b)，係為對於將本發明之第2實施形態之接地構件配置在遮蔽印刷配線板處的模樣作示意性展示之示意圖。
[圖11]圖11，係為對於本發明之第3實施形態之接地構件的其中一例作示意性展示之剖面圖。
[圖12]圖12(a)以及(b)，係為對於將本發明之第3實施形態之接地構件配置在遮蔽印刷配線板處的模樣作示意性展示之示意圖。
[圖13]圖13(a)～(d)，係為對於將本發明之第3實施形態之接地構件配置在遮蔽印刷配線板處的模樣作示意性展示之示意圖。
10:接地構件
20:導電層
30:接著劑層
31:黏合劑成分
32:硬質粒子
T30:厚度
Claims (16)
- 一種接地構件，係包含有導電層、和被層積於前述導電層處之接著劑層，其特徵為：前述接著劑層，係具備有黏合劑成分和硬質粒子，前述接著劑層之厚度，係為5~30μm，前述硬質粒子之莫氏硬度，係為前述導電層之莫氏硬度的1.5倍以上。
- 如申請專利範圍第1項所記載之接地構件，其中，前述硬質粒子之莫氏硬度，係為4~7。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之接地構件，其中，前述硬質粒子之平均粒徑，係為2.5~25μm。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之接地構件，其中，前述硬質粒子，係由氧化矽所成。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之接地構件，其中，前述導電層，係由從由銅、銀、金以及鎳所成之群中而選擇之至少一種所成。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之接地構件，其中，前述接著劑層，係更進而具備有導電性粒子。
- 如申請專利範圍第6項所記載之接地構件，其中，前述硬質粒子之平均粒徑，係較前述導電性粒子之平均粒徑更小。
- 如申請專利範圍第6項所記載之接地構件，其中，前述硬質粒子之莫氏硬度，係較前述導電性粒子之莫氏硬度更高。
- 如申請專利範圍第6項所記載之接地構件，其中，在前述接著劑層中之黏合劑成分之厚度，係較前述導電性粒子之平均粒徑更小。
- 如申請專利範圍第6項所記載之接地構件，其中，前述接地構件，係對於具備有保護層和被層積於前述保護層處之遮蔽層的電磁波遮蔽薄膜，以使前述接著劑層與前述保護層相接的方式來作配置，並且以使前述導電性粒子會貫通前述保護層的方式來作配置。
- 如申請專利範圍第6項所記載之接地構件，其中， 前述接地構件，係成為被配置在遮蔽印刷配線板處，該遮蔽印刷配線板，係具備有印刷配線板、和遮蔽層、以及保護層，該印刷配線板，係由基底薄膜、和包含被配置在前述基底薄膜上之接地電路的印刷電路、以及覆蓋前述印刷電路的覆蓋膜，而構成之，該遮蔽層，係被配置在前述覆蓋膜之上，並被與前述接地電路作電性連接，該保護層，係被設置在前述遮蔽層處之與前述印刷電路側相反側的表面處，前述接地構件，係以使前述接著劑層與前述保護層相接的方式來作配置，並且以使前述導電性粒子會貫通前述保護層的方式來作配置。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之接地構件，其中，前述接著劑層係具有絕緣性，在前述接著劑層側之前述導電層處，係被形成有導電性凸塊。
- 一種遮蔽印刷配線板，其特徵為，係具備有：印刷配線板，係由基底薄膜、和包含被配置在前述基底薄膜上之接地電路的印刷電路、以及覆蓋前述印刷電路的覆蓋膜，而構成之；和遮蔽層，係被配置在前述覆蓋膜之上，並被與前述接地電路作電性連接， 前述遮蔽印刷配線板，係更進而具備有如申請專利範圍第1~5項中之任一項所記載之接地構件，並以使前述接地構件之接著劑層與前述覆蓋膜相接的方式，來配置前述接地構件，前述接地構件之導電層和前述遮蔽層，係被作電性連接。
- 一種遮蔽印刷配線板，其特徵為，係具備有：印刷配線板，係由基底薄膜、和包含被配置在前述基底薄膜上之接地電路的印刷電路、以及覆蓋前述印刷電路的覆蓋膜，而構成之；和電磁波遮蔽薄膜，係被配置在前述覆蓋膜之上，並由導電性接著劑層和被層積於導電性接著劑層處之遮蔽層所成，並使前述導電性接著劑層和前述接地電路被作了電性連接，前述遮蔽印刷配線板，係更進而具備有如申請專利範圍第1~5項中之任一項所記載之接地構件，並以使前述接地構件之接著劑層與前述覆蓋膜相接的方式，來配置前述接地構件，前述接地構件之導電層和前述電磁波遮蔽薄膜之導電性接著劑層，係被作電性連接。
- 一種遮蔽印刷配線板，其特徵為，係具備有：印刷配線板，係由基底薄膜、和包含被配置在前述基底薄膜上之接地電路的印刷電路、以及覆蓋前述印刷電路的覆蓋膜，而構成之；和 遮蔽層，係被配置在前述覆蓋膜之上，並被與前述接地電路作電性連接；和保護層，係被設置在前述遮蔽層處之與前述印刷電路側相反側之表面處，前述遮蔽印刷配線板，係更進而具備有如申請專利範圍第6~9項中之任一項所記載之接地構件，並以使前述接地構件之接著劑層與前述保護層相接的方式，來配置前述接地構件，前述接地構件之導電性粒子，係貫通前述保護層並且與前述接地構件之導電層和前述遮蔽層作電性連接。
- 一種遮蔽印刷配線板，其特徵為，係具備有：印刷配線板，係由基底薄膜、和包含被配置在前述基底薄膜上之接地電路的印刷電路、以及覆蓋前述印刷電路的覆蓋膜，而構成之；和遮蔽層，係被配置在前述覆蓋膜之上，並被與前述接地電路作電性連接；和保護層，係被設置在前述遮蔽層處之與前述印刷電路側相反側之表面處，前述遮蔽印刷配線板，係更進而具備有如申請專利範圍第12項所記載之接地構件，並以使前述接地構件之接著劑層與前述保護層相接的方式，來配置前述接地構件，前述接地構件之導電性凸塊，係貫通前述保護層並且與前述接地構件之導電層和前述遮蔽層作電性連接。
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