TWI811854B - 光學感測裝置 - Google Patents

光學感測裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI811854B
TWI811854B TW110143054A TW110143054A TWI811854B TW I811854 B TWI811854 B TW I811854B TW 110143054 A TW110143054 A TW 110143054A TW 110143054 A TW110143054 A TW 110143054A TW I811854 B TWI811854 B TW I811854B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sensing
light
mesh
layer
patterns
Prior art date
Application number
TW110143054A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202306189A (zh
Inventor
張翔睿
丘兆仟
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to CN202210206740.5A priority Critical patent/CN114565950A/zh
Priority to US17/863,406 priority patent/US11836321B2/en
Publication of TW202306189A publication Critical patent/TW202306189A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI811854B publication Critical patent/TWI811854B/zh

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Collating Specific Patterns (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Control And Other Processes For Unpacking Of Materials (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Sink And Installation For Waste Water (AREA)
  • Measuring And Recording Apparatus For Diagnosis (AREA)
  • Supplying Of Containers To The Packaging Station (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Electrotherapy Devices (AREA)

Abstract

一種光學感測裝置,包括:基板、多個感測元件、平坦層以及遮光層。多個感測元件位於基板上,且各感測元件包括第一網狀電極、第二網狀電極及感測層,其中第一網狀電極位於感測層與基板之間,且感測層位於第一網狀電極與第二網狀電極之間。平坦層位於感測元件及基板上,且具有多個通孔。遮光層位於平坦層上,且包括多個網狀遮光圖案,其中,多個網狀遮光圖案分別重疊多個感測元件的第二網狀電極,且多個網狀遮光圖案分別通過多個通孔電性連接多個感測元件的第二網狀電極。

Description

光學感測裝置
本發明是有關於一種感測裝置,且特別是有關於一種光學感測裝置。
為了建構智慧生活的環境,感測技術已廣泛應用於各式電子裝置中。舉例而言,手機及電子鎖等裝置採用指紋感測器來保護個人數據安全及門禁管制。就實際應用需求而言,指紋感測器需搭配光準直設計,例如,使用遮光層來限制感測元件的收光角度,同時搭配使用有機材料來堆疊足夠的厚度,以利微透鏡聚焦及光線的準直化,目的是為了得到更清晰的指紋影像。
然而,由於包含金屬材料的遮光層幾乎佈滿整個感測裝置,其與裝置內的其他導電層之間易產生寄生電容或雜散電容,導致感測元件的感測靈敏度降低。
本發明提供一種光學感測裝置,具有提高的感測靈敏度。
本發明的一個實施例提出一種光學感測裝置,包括:基板;多個感測元件,位於基板上,且各感測元件包括第一網狀電極、第二網狀電極及感測層,其中第一網狀電極位於感測層與基板之間,且感測層位於第一網狀電極與第二網狀電極之間;平坦層,位於感測元件及基板上,且具有多個通孔;以及遮光層,位於平坦層上,且包括多個網狀遮光圖案,其中,多個網狀遮光圖案分別重疊多個感測元件的第二網狀電極,且多個網狀遮光圖案分別通過多個通孔電性連接多個感測元件的第二網狀電極。
在本發明的一實施例中,上述的網狀遮光圖案部分重疊第一網狀電極。
在本發明的一實施例中,上述的感測層包括分離的多個感測圖案,各網狀遮光圖案具有多個開口,且多個開口分別重疊多個感測圖案。
在本發明的一實施例中,上述的多個感測圖案之間的間距相同。
在本發明的一實施例中,上述的感測圖案的形狀為多邊形或圓形。
在本發明的一實施例中,上述的第一網狀電極包括相連的第一感測電極部及第一橋接部,第一感測電極部重疊感測層,且第一橋接部不重疊感測層。
在本發明的一實施例中,上述的第二網狀電極包括相連的第二感測電極部及第二橋接部,第二感測電極部重疊感測層,且第二橋接部不重疊感測層。
在本發明的一實施例中,上述的第二橋接部不重疊第一橋接部。
在本發明的一實施例中,上述的遮光層還包括多個導線圖案,分別位於多個網狀遮光圖案之間,且與多個網狀遮光圖案分離。
在本發明的一實施例中,上述的多個導線圖案分別電性連接至系統電壓或輸出感測元件產生的感測訊號。
本發明的另一個實施例提出一種光學感測裝置,包括:基板;多個感測元件,位於基板上,用於產生感測訊號;平坦層,位於感測元件及基板上;以及遮光層,位於平坦層上,且包括分離的多個遮光圖案及多個導線圖案,其中,多個遮光圖案分別重疊多個感測元件,且多個導線圖案分別電性連接至系統電壓或輸出感測訊號。
在本發明的一實施例中,上述的遮光圖案具有網狀的輪廓。
在本發明的一實施例中,上述的感測元件包括第一網狀電極、第二網狀電極以及多個感測圖案,且多個感測圖案位於第一網狀電極與第二網狀電極之間。
在本發明的一實施例中,上述的遮光圖案通過平坦層的通孔電性連接第二網狀電極。
在本發明的一實施例中,上述的遮光圖案部分重疊第一網狀電極。
在本發明的一實施例中,上述的第二網狀電極部分重疊第一網狀電極。
在本發明的一實施例中,上述的遮光圖案具有多個開口,且多個開口分別重疊多個感測圖案。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中,相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反地,當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,「連接」可以指物理及/或電性連接。再者,「電性連接」或「耦合」可為二元件間存在其它元件。
應當理解,儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分,但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此,下面討論的第一「元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,除非內容清楚地指示,否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式,包括「至少一個」或表示「及/或」。如本文所使用的,術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解,當在本說明書中使用時,術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在,但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外,諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係,如圖所示。應當理解,相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此,示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向,取決於附圖的特定取向。類似地,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其它元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此,示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此,可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此,本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀,而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如,示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外,所示的銳角可以是圓的。因此,圖中所示的區域本質上是示意性的,並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀,並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1A是依照本發明一實施例的光學感測裝置10的局部上視示意圖。圖1B是沿圖1A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。圖1C是依照本發明一實施例的光學感測裝置10的電路示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔,圖1A省略圖1B中的平坦層PL1、PL2、PL3、遮光層140以及微透鏡結構ML,且圖1B省略基板110與感測元件120之間的膜層。
首先,請同時參照圖1A至圖1B,光學感測裝置10包括:基板110;多個感測元件120,位於基板110上,且各感測元件120包括第一網狀電極NE1、第二網狀電極NE2及感測層SL,其中第一網狀電極NE1位於感測層SL與基板110之間,且感測層SL位於第一網狀電極NE1與第二網狀電極NE2之間;平坦層PL,位於感測元件120及基板110上,且具有多個通孔V1;以及遮光層130,位於平坦層PL上,且包括多個網狀遮光圖案NS,其中,多個網狀遮光圖案NS分別重疊多個感測元件120的第二網狀電極NE2,且多個網狀遮光圖案NS分別通過多個通孔V1電性連接多個感測元件120的第二網狀電極NE2。
在本發明的一實施例的光學感測裝置10中,藉由網狀遮光圖案NS電性連接感測元件120的第二網狀電極NE2,能夠消除網狀遮光圖案NS與第二網狀電極NE2之間的寄生電容,從而提升光學感測裝置10的感測靈敏度。
以下,配合圖1A至圖1C,繼續說明光學感測裝置10的各個元件的實施方式,但本發明不以此為限。
在本實施例中,光學感測裝置10的基板110可以是透明基板或不透明基板,其材質可以是陶瓷基板、石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他適合的材質,但不限於此。基板110上可設置用以形成感測元件120、遮光層130、平坦層PL、電晶體、訊號線、儲存電容等的各種膜層。
光學感測裝置10的多個感測元件120可以陣列的方式排列於基板110上,且圖1A僅圖示出其中一個感測元件120。各感測元件120的第一網狀電極NE1可以包括多個第一感測電極部SE1及多個第一橋接部BE1,且第一感測電極部SE1可以具有多邊形或圓形的輪廓。舉例而言,在本實施例中,第一網狀電極NE1可以包括八個第一感測電極部SE1及十個第一橋接部BE1,但第一感測電極部SE1及第一橋接部BE1的數量不限於此。第一感測電極部SE1可以具有近似八邊形的輪廓,且呈矩形塊狀的第一橋接部BE1的兩側分別連接相鄰的兩個第一感測電極部SE1的一個邊,使得第一感測電極部SE1能夠藉由第一橋接部BE1相互連接,但第一感測電極部SE1及第一橋接部BE1的形狀不限於此。第一網狀電極NE1的材質可以是鉬、鋁、鈦、銅、金、銀或其他導電材料、或上述兩種以上之材料的合金、或上述兩種以上之材料的組合。
在本實施例中,各感測元件120的感測層SL可以包括分離的多個感測圖案SR,例如圖1A所示的八個感測圖案SR,但不以此為限。在一些實施例中,感測層SL的多個感測圖案SR可以相互連接。在一些實施例中,感測圖案SR的數量可以更多或更少。在一些實施例中,感測圖案SR之間的間距D1可以相同。在一些實施例中,感測圖案SR之間的間距D1可以不同。在一些實施例中,感測圖案SR的數量與第一感測電極部SE1的數量可以相同或不同。
在一些實施例中,各感測圖案SR可以重疊第一網狀電極NE1的一個第一感測電極部SE1,但不重疊第一網狀電極NE1的第一橋接部BE1。換言之,感測圖案SR於基板110的正投影可以重疊第一感測電極部SE1於基板110的正投影,但感測圖案SR於基板110的正投影可以在第一橋接部BE1於基板110的正投影之外。在一些實施例中,感測圖案SR的形狀可以是多邊形或圓形,但不限於此。在某些實施例中,感測圖案SR的形狀可以與第一感測電極部SE1相同。感測層SL的材質可以是富矽氧化物(Silicon-Rich Oxide,SRO)、摻雜鍺之富矽氧化物或其他合適的材料。
各感測元件120的第二網狀電極NE2可以包括第二感測電極部SE2及第二橋接部BE2,其中第二感測電極部SE2重疊感測圖案SR及第一感測電極部SE1,且第二橋接部BE2不重疊感測圖案SR。舉例而言,第二感測電極部SE2可以具有近似八邊形的形狀,第二橋接部BE2可以具有X字形的形狀,且第二橋接部BE2的四個端部P1、P2、P3、P4可以分別連接相鄰的四個第二感測電極部SE2的一個邊,使得圖1A所示的八個第二感測電極部SE2能夠藉由三個第二橋接部BE2相互連接,但第二感測電極部SE2及第二橋接部BE2的形狀及數量不限於此。在一些實施例中,第二感測電極部SE2及第二橋接部BE2可以具有其他的形狀及/或數量。
在本實施例中,第二橋接部BE2不重疊第一橋接部BE1,以避免第一網狀電極NE1與第二網狀電極NE2之間增生寄生電容。第二網狀電極NE2的材質較佳為透明導電材料,例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或其他合適的氧化物或者是上述至少二者之堆疊層。
平坦層PL位於遮光層130與感測元件120之間,且遮光層130的網狀遮光圖案NS可以通過平坦層PL中的通孔V1電性連接第二網狀電極NE2,使得網狀遮光圖案NS與第二網狀電極NE2等電位。如此一來,能夠避免網狀遮光圖案NS與第二網狀電極NE2之間形成寄生電容。
在一些實施例中,網狀遮光圖案NS可以大體上完全重疊第二網狀電極NE2,換言之,網狀遮光圖案NS的輪廓或形狀可以與第二網狀電極NE2大致相同。如此一來,網狀遮光圖案NS可以重疊第一網狀電極NE1的第一感測電極部SE1,但不重疊第一橋接部BE1。如此一來,還可減少網狀遮光圖案NS與第一橋接部BE1之間形成的寄生電容。
網狀遮光圖案NS還可以具有多個開口OP1,且開口OP1分別重疊感測圖案SR,以控制感測圖案SR的收光範圍。在一些實施例中,光學感測裝置10還可以包括平坦層PL2以及遮光層140,且平坦層PL2夾置於遮光層140與遮光層130之間。遮光層140可以具有多個開口OP2,且開口OP2分別重疊開口OP1。在一些實施例中,光學感測裝置10還可以包括平坦層PL3以及微透鏡結構ML,其中,平坦層PL3夾置於微透鏡結構ML與遮光層140之間,且微透鏡結構ML重疊開口OP1、OP2。如此一來,微透鏡結構ML可以搭配開口OP1、OP2調控感測圖案SR的收光角度,進而實現光準直設計。
在本實施例中,光學感測裝置10還可以包括平坦層PL1,且平坦層PL1位於平坦層PL與基板110之間。平坦層PL、PL1、PL2、PL3的材質可以包括有機材料,例如壓克力(acrylic)材料、矽氧烷(siloxane)材料、聚醯亞胺(polyimide)材料、環氧樹脂(epoxy)材料或上述材料的疊層,但不限於此。
請同時參照圖1A及圖1C,在本實施例中,光學感測裝置10還可以包括電晶體T1、T2、以及訊號線VL1、VL2、RL,其中,訊號線VL1、VL2、RL可以與感測元件120的第一網狀電極NE1屬於相同膜層,且訊號線VL1、VL2可以分別電性連接至系統電壓VSS及系統電壓VDD。節點P耦接於感測元件120的第一網狀電極NE1、電晶體T1的第二端T1b以及電晶體T2的控制端T2c之間。閘極GE1可以構成電晶體T1的控制端T1c,半導體圖案CH1可以構成電晶體T1的通道。閘極GE2可以構成電晶體T2的控制端T2c,半導體圖案CH2可以構成電晶體T2的通道。電晶體T1的第一端T1a可以接收來自訊號線VL1的系統電壓VSS,電晶體T1的控制端T1c可以接收驅動訊號SR_R,而使節點P回到系統電壓VSS準位。感測元件120用以執行感測操作而產生感測訊號Sout。電晶體T2的第一端T2a可以接收來自訊號線VL2的系統電壓VDD。當感測元件120進行感測時,感測元件120開始漏電而使節點P的電壓準位下降,此時,施加於第二網狀電極NE2的驅動訊號SR_W可藉由感測元件120的電容效應抬升節點P的電壓準位,從而開啟電晶體T2,使得感測訊號Sout可經由訊號線RL被讀取。
以下,使用圖2A至圖4B繼續說明本發明的其他實施例,並且,沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與相關內容,其中,採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明,可參考圖1A至圖1C的實施例,在以下的說明中不再贅述。
圖2A是依照本發明一實施例的光學感測裝置20的局部上視示意圖。圖2B是沿圖2A的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔,圖2B省略基板110與連接圖案CP1之間的膜層。
請同時參照圖2A至圖2B,光學感測裝置20包括基板110、多個感測元件120、平坦層PL以及遮光層130。與如圖1A至圖1C所示的光學感測裝置10相比,圖2A至圖2B所示的光學感測裝置20的不同之處在於:光學感測裝置20的遮光層130包括網狀遮光圖案NS以及導線圖案CL1,且導線圖案CL1可以取代光學感測裝置10的訊號線VL1。
在本實施例中,導線圖案CL1與網狀遮光圖案NS分離且屬於相同膜層,導線圖案CL1可以位於相鄰的感光元件120上的網狀遮光圖案NS之間。導線圖案CL1可以電性連接至系統電壓VSS,且導線圖案CL1還可以通過平坦層PL中的通孔V2以及轉接圖案TP1電性連接至連接圖案CP1,連接圖案CP1例如可以構成電晶體T1的第一端T1a。在一些實施例中,轉接圖案TP1可以與第二網狀電極NE2屬於相同膜層,且連接圖案CP1可以與第一網狀電極NE1屬於相同膜層。由於導線圖案CL1與第一網狀電極NE1之間的寄生電容小於訊號線VL1與第一網狀電極NE1之間的寄生電容,因此能夠減少感光元件120與周圍導線之間的雜散電容,進而提升光學感測裝置20的感測靈敏度。
圖3A是依照本發明一實施例的光學感測裝置30的局部上視示意圖。圖3B是沿圖3A的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔,圖3B省略基板110與連接圖案CP2之間的膜層。
請同時參照圖3A至圖3B,光學感測裝置30包括基板110、多個感測元件120、平坦層PL以及遮光層130。與如圖1A至圖1C所示的光學感測裝置10相比,圖3A至圖3B所示的光學感測裝置30的不同之處在於:光學感測裝置30的遮光層130包括網狀遮光圖案NS以及導線圖案CL2,且導線圖案CL2可以取代光學感測裝置10的訊號線VL2。
在本實施例中,導線圖案CL2與網狀遮光圖案NS分離且屬於相同膜層,導線圖案CL2可以位於相鄰的感光元件120上的網狀遮光圖案NS之間。導線圖案CL2可以電性連接至系統電壓VDD,且導線圖案CL2還可以通過平坦層PL中的通孔V3以及轉接圖案TP2電性連接至連接圖案CP2,連接圖案CP2例如可以構成電晶體T2的第一端T2a。在一些實施例中,轉接圖案TP2可以與第二網狀電極NE2屬於相同膜層,且連接圖案CP2可以與第一網狀電極NE1屬於相同膜層。由於導線圖案CL2與第一網狀電極NE1之間的寄生電容小於訊號線VL2與第一網狀電極NE1之間的寄生電容,因此能夠減少感光元件120與周圍導線之間的雜散電容,進而提升光學感測裝置30的感測靈敏度。
圖4A是依照本發明一實施例的光學感測裝置40的局部上視示意圖。圖4B是沿圖4A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔,圖4B省略基板110與連接圖案CP3之間的膜層。
請同時參照圖4A至圖4B,光學感測裝置40包括基板110、多個感測元件120、平坦層PL以及遮光層130。與如圖1A至圖1C所示的光學感測裝置10相比,圖4A至圖4B所示的光學感測裝置40的不同之處在於:光學感測裝置40的遮光層130包括網狀遮光圖案NS以及導線圖案CL3,且導線圖案CL3可以取代光學感測裝置10的訊號線RL。
在本實施例中,導線圖案CL3與網狀遮光圖案NS分離且屬於相同膜層,導線圖案CL3可以位於相鄰的感光元件120上的網狀遮光圖案NS之間。導線圖案CL3可以通過平坦層PL中的通孔V4以及轉接圖案TP3電性連接至連接圖案CP3,且連接圖案CP3可以構成電晶體T2的第二端T2b,使得導線圖案CL3能夠用於輸出感光元件120的感測訊號Sout。在一些實施例中,轉接圖案TP3可以與第二網狀電極NE2屬於相同膜層,且連接圖案CP3可以與第一網狀電極NE1屬於相同膜層。由於導線圖案CL3與第一網狀電極NE1之間的寄生電容小於訊號線RL與第一網狀電極NE1之間的寄生電容,因此能夠減少感光元件120與周圍導線之間的雜散電容,進而提升光學感測裝置40的感測靈敏度。
綜上所述,本發明的光學感測裝置藉由使網狀遮光圖案電性連接感測元件的第二網狀電極,能夠消除網狀遮光圖案與第二網狀電極之間的寄生電容。另外,本發明的光學感測裝置中的感測元件的第二網狀電極的第二橋接部不重疊第一網狀電極的第一橋接部,藉以減少第一網狀電極與第二網狀電極之間的寄生電容。此外,本發明的光學感測裝置還可將諸如電性連接至系統電壓或用於輸出感測訊號的導線圖案設置於遮光層,藉以減少感測元件與周圍導線之間的雜散電容。藉由減少感測元件與遮光層及/或周圍導線之間的寄生電容以及雜散電容,能夠提升光學感測裝置的感測靈敏度。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30、40:光學感測裝置 110:基板 120:感測元件 130、140:遮光層 A-A’、B-B’、C-C’、D-D’:剖面線 BE1:第一橋接部 BE2:第二橋接部 CH1、CH2:半導體圖案 CL1、CL2、CL3:導線圖案 CP1、CP2、CP3:連接圖案 D1:間距 GE1、GE2:閘極 ML:微透鏡結構 NE1:第一網狀電極 NE2:第二網狀電極 NS:網狀遮光圖案 OP1、OP2:開口 P:節點 P1、P2、P3、P4:端部 PL、PL1、PL2、PL3:平坦層 RL:訊號線 SE1:第一感測電極部 SE2:第二感測電極部 SL:感測層 Sout:感測訊號 SR:感測圖案 SR_R、SR_W:驅動訊號 T1、T2:電晶體 T1a、T2a:第一端 T1b、T2b:第二端 T1c、T2c:控制端 TP1、TP2、TP3:轉接圖案 V1、V2、V3、V4:通孔 VDD、VSS:系統電壓 VL1、VL2:訊號線
圖1A是依照本發明一實施例的光學感測裝置10的局部上視示意圖。 圖1B是沿圖1A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。 圖1C是依照本發明一實施例的光學感測裝置10的電路示意圖。 圖2A是依照本發明一實施例的光學感測裝置20的局部上視示意圖。 圖2B是沿圖2A的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。 圖3A是依照本發明一實施例的光學感測裝置30的局部上視示意圖。 圖3B是沿圖3A的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。 圖4A是依照本發明一實施例的光學感測裝置40的局部上視示意圖。 圖4B是沿圖4A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。
10:光學感測裝置
110:基板
120:感測元件
130:遮光層
A-A’:剖面線
BE1:第一橋接部
BE2:第二橋接部
CH1、CH2:半導體圖案
D1:間距
GE1、GE2:閘極
NE1:第一網狀電極
NE2:第二網狀電極
NS:網狀遮光圖案
OP1:開口
P1、P2、P3、P4:端部
PL:平坦層
RL:訊號線
SE1:第一感測電極部
SE2:第二感測電極部
SL:感測層
SR:感測圖案
T1a、T2a:第一端
T1b、T2b:第二端
T1c、T2c:控制端
V1:通孔
VL1、VL2:訊號線

Claims (17)

  1. 一種光學感測裝置,包括:基板;多個感測元件,位於所述基板上,且各所述感測元件包括第一網狀電極、第二網狀電極及感測層,其中所述第一網狀電極位於所述感測層與所述基板之間,且所述感測層位於所述第一網狀電極與所述第二網狀電極之間;平坦層,位於所述感測元件及所述基板上,且具有多個通孔;以及遮光層,位於所述平坦層上,且包括多個網狀遮光圖案,其中,所述多個網狀遮光圖案分別重疊所述多個感測元件的所述第二網狀電極,且所述多個網狀遮光圖案分別通過所述多個通孔電性連接所述多個感測元件的所述第二網狀電極。
  2. 如請求項1所述的光學感測裝置,其中所述網狀遮光圖案部分重疊所述第一網狀電極。
  3. 如請求項1所述的光學感測裝置,其中所述感測層包括分離的多個感測圖案,各所述網狀遮光圖案具有多個開口,且所述多個開口分別重疊所述多個感測圖案。
  4. 如請求項3所述的光學感測裝置,其中所述多個感測圖案之間的間距相同。
  5. 如請求項3所述的光學感測裝置,其中所述感測圖案的形狀為多邊形或圓形。
  6. 如請求項1所述的光學感測裝置,其中所述第一網狀電極包括相連的第一感測電極部及第一橋接部,所述第一感測電極部重疊所述感測層,且所述第一橋接部不重疊所述感測層。
  7. 如請求項6所述的光學感測裝置,其中所述第二網狀電極包括相連的第二感測電極部及第二橋接部,所述第二感測電極部重疊所述感測層,且所述第二橋接部不重疊所述感測層。
  8. 如請求項7所述的光學感測裝置,其中所述第二橋接部不重疊所述第一橋接部。
  9. 如請求項1所述的光學感測裝置,其中所述遮光層還包括多個導線圖案,分別位於所述多個網狀遮光圖案之間,且與所述多個網狀遮光圖案分離。
  10. 如請求項9所述的光學感測裝置,其中所述多個導線圖案分別電性連接至系統電壓或輸出所述感測元件產生的感測訊號。
  11. 一種光學感測裝置,包括:基板;多個感測元件,位於所述基板上,用於產生感測訊號;平坦層,位於所述感測元件及所述基板上;以及遮光層,位於所述平坦層上,且包括分離的多個遮光圖案及多個導線圖案,其中所述遮光圖案具有網狀的輪廓,其中,所述多個遮光圖案分別重疊所述多個感測元件,且所述多個導線圖案分別電性連接至系統電壓或輸出所述感測訊號。
  12. 如請求項11所述的光學感測裝置,其中所述感測元件包括第一網狀電極、第二網狀電極以及多個感測圖案,且所述多個感測圖案位於所述第一網狀電極與所述第二網狀電極之間。
  13. 如請求項12所述的光學感測裝置,其中所述遮光圖案通過所述平坦層的通孔電性連接所述第二網狀電極。
  14. 如請求項12所述的光學感測裝置,其中所述遮光圖案部分重疊所述第一網狀電極。
  15. 如請求項12所述的光學感測裝置,其中所述第二網狀電極部分重疊所述第一網狀電極。
  16. 如請求項12所述的光學感測裝置,其中所述遮光圖案具有多個開口,且所述多個開口分別重疊所述多個感測圖案。
  17. 如請求項12所述的光學感測裝置,其中所述感測圖案的形狀為多邊形或圓形。
TW110143054A 2021-07-23 2021-11-18 光學感測裝置 TWI811854B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210206740.5A CN114565950A (zh) 2021-07-23 2022-03-03 光学感测装置
US17/863,406 US11836321B2 (en) 2021-07-23 2022-07-13 Optical sensing device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163224977P 2021-07-23 2021-07-23
US63/224,977 2021-07-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202306189A TW202306189A (zh) 2023-02-01
TWI811854B true TWI811854B (zh) 2023-08-11

Family

ID=85475759

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110143054A TWI811854B (zh) 2021-07-23 2021-11-18 光學感測裝置
TW110144476A TWI792729B (zh) 2021-07-23 2021-11-29 生物特徵辨識裝置及其辨識方法
TW110144702A TWI790019B (zh) 2021-07-23 2021-11-30 生物特徵辨識裝置
TW110145953A TWI806280B (zh) 2021-07-23 2021-12-08 光學感測裝置
TW110146878A TWI823209B (zh) 2021-07-23 2021-12-15 指紋感測設備及其指紋感測方法
TW110147983A TWI781026B (zh) 2021-07-23 2021-12-21 感光裝置
TW110149195A TWI792813B (zh) 2021-07-23 2021-12-28 電子裝置
TW111111360A TWI796183B (zh) 2021-07-23 2022-03-25 指紋辨識方法
TW112116137A TWI840212B (zh) 2021-07-23 2022-04-14 生物特徵感測模組
TW111114339A TWI799234B (zh) 2021-07-23 2022-04-14 生物特徵感測模組

Family Applications After (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110144476A TWI792729B (zh) 2021-07-23 2021-11-29 生物特徵辨識裝置及其辨識方法
TW110144702A TWI790019B (zh) 2021-07-23 2021-11-30 生物特徵辨識裝置
TW110145953A TWI806280B (zh) 2021-07-23 2021-12-08 光學感測裝置
TW110146878A TWI823209B (zh) 2021-07-23 2021-12-15 指紋感測設備及其指紋感測方法
TW110147983A TWI781026B (zh) 2021-07-23 2021-12-21 感光裝置
TW110149195A TWI792813B (zh) 2021-07-23 2021-12-28 電子裝置
TW111111360A TWI796183B (zh) 2021-07-23 2022-03-25 指紋辨識方法
TW112116137A TWI840212B (zh) 2021-07-23 2022-04-14 生物特徵感測模組
TW111114339A TWI799234B (zh) 2021-07-23 2022-04-14 生物特徵感測模組

Country Status (1)

Country Link
TW (10) TWI811854B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9368541B2 (en) * 2009-11-06 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US20210020710A1 (en) * 2019-07-17 2021-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Electroluminescent device

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7928527B2 (en) * 2008-06-04 2011-04-19 International Business Machines Corporation Delamination and crack resistant image sensor structures and methods
US8928846B2 (en) * 2010-05-21 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having dielectric film over and in contact with wall-like structures
KR101736330B1 (ko) * 2010-09-03 2017-05-30 삼성전자주식회사 픽셀, 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치들
CN103810479B (zh) * 2014-02-28 2019-04-05 成都费恩格尔微电子技术有限公司 指纹采集系统及指纹信息采集方法
CN104281841A (zh) * 2014-09-30 2015-01-14 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种指纹识别系统及其指纹处理方法和装置
US9361507B1 (en) * 2015-02-06 2016-06-07 Hoyos Labs Ip Ltd. Systems and methods for performing fingerprint based user authentication using imagery captured using mobile devices
WO2017091663A1 (en) * 2015-11-23 2017-06-01 Jensen Eric Dean Fingerprint reader
CN107609533B (zh) * 2016-05-27 2021-01-12 Oppo广东移动通信有限公司 一种指纹解锁方法、及相关产品
TWI616824B (zh) * 2016-05-30 2018-03-01 晨星半導體股份有限公司 指紋辨識裝置與具有指紋辨識功能之觸控裝置
WO2018092600A1 (ja) * 2016-11-18 2018-05-24 富士フイルム株式会社 構造体、固体撮像素子、赤外線センサおよび組成物
CN106886767B (zh) * 2017-02-23 2019-07-05 京东方科技集团股份有限公司 一种光学指纹识别装置和显示面板
TWI756388B (zh) * 2017-03-24 2022-03-01 日商富士軟片股份有限公司 結構體、近紅外線透射濾波層形成用組成物及光感測器
US10643051B2 (en) * 2017-07-13 2020-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Optics-based fingerprint sensor, electric device including optics-based fingerprint sensor, and operation method of electric device
CN109508135B (zh) * 2017-09-15 2022-05-27 上海耕岩智能科技有限公司 一种基于指纹识别的电子设备执行命令方法及电子设备
TWM567414U (zh) * 2017-09-20 2018-09-21 金佶科技股份有限公司 指紋辨識裝置
CN108288681B (zh) * 2018-01-11 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
TWI741129B (zh) * 2018-01-16 2021-10-01 日商凸版印刷股份有限公司 電子機器
KR102489337B1 (ko) * 2018-01-17 2023-01-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200141444A (ko) * 2018-04-11 2020-12-18 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 촬상 소자 및 촬상 소자의 제조 방법
US10558838B2 (en) * 2018-05-11 2020-02-11 Synaptics Incorporated Optimized scan sequence for biometric sensor
KR102662722B1 (ko) * 2018-09-17 2024-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN210038821U (zh) * 2019-04-10 2020-02-07 深圳市汇顶科技股份有限公司 光学指纹识别装置和电子设备
CN111164608B (zh) * 2019-08-29 2023-09-01 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置和电子设备
TWM597916U (zh) * 2019-09-23 2020-07-01 神盾股份有限公司 積體化光學感測器
KR102365607B1 (ko) * 2019-11-01 2022-02-18 선전 구딕스 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 지문 검출 장치 및 전자 장치
KR20210086907A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWM602235U (zh) * 2020-02-05 2020-10-01 神盾股份有限公司 具有交錯收光結構的光學生物特徵感測器
CN211427368U (zh) * 2020-03-03 2020-09-04 北京迈格威科技有限公司 指纹识别装置、显示面板、设备
CN112712039B (zh) * 2020-12-31 2024-03-01 维沃移动通信有限公司 指纹模组及电子设备
CN113065469B (zh) * 2021-04-02 2024-08-02 汇顶科技私人有限公司 指纹识别装置和电子设备

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9368541B2 (en) * 2009-11-06 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US20210020710A1 (en) * 2019-07-17 2021-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Electroluminescent device

Also Published As

Publication number Publication date
TWI806280B (zh) 2023-06-21
TWI823209B (zh) 2023-11-21
TW202306138A (zh) 2023-02-01
TWI840212B (zh) 2024-04-21
TWI799234B (zh) 2023-04-11
TW202335277A (zh) 2023-09-01
TW202306191A (zh) 2023-02-01
TW202306190A (zh) 2023-02-01
TW202305658A (zh) 2023-02-01
TW202305572A (zh) 2023-02-01
TW202306136A (zh) 2023-02-01
TWI792813B (zh) 2023-02-11
TW202306189A (zh) 2023-02-01
TWI796183B (zh) 2023-03-11
TWI790019B (zh) 2023-01-11
TW202335280A (zh) 2023-09-01
TWI781026B (zh) 2022-10-11
TW202305651A (zh) 2023-02-01
TW202306137A (zh) 2023-02-01
TWI792729B (zh) 2023-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6874089B2 (ja) 表示装置
TWI733121B (zh) 具有觸控感測器之發光顯示裝置
CN108987436B (zh) 显示装置
US11809657B2 (en) Display device
CN108874203B (zh) 显示装置
US11782565B2 (en) Display device having one or more opaque conductive layers and blackened layers
JP4542430B2 (ja) 指紋認識素子を内装した一体型液晶表示装置、及びこれの製造方法
US10726237B2 (en) Fingerprint identification sensor, method for manufacturing the same and fingerprint identification apparatus
CN108596096B (zh) 指纹识别装置、显示面板及其制作方法、显示装置
TWI670839B (zh) 背照式影像感測器
JP5352333B2 (ja) アクティブマトリクス型表示装置
CN110727368A (zh) 具有触摸传感器的显示装置
US11256891B2 (en) Array substrate, method of manufacturing array substrate, and display apparatus
CN108766984B (zh) 有机发光显示面板和显示装置
CN112928225A (zh) 显示基板和显示装置
TWI811854B (zh) 光學感測裝置
US11836321B2 (en) Optical sensing device
TWI785478B (zh) 指紋感測裝置
KR20020018448A (ko) 박막트랜지스터형 광센서
WO2022266847A1 (zh) 纹路识别装置以及显示装置
KR20240018005A (ko) 표시 장치
KR20210083900A (ko) 터치 디스플레이 장치
JP2021136287A (ja) 光センサ装置