TWI807653B - 高深寬比微結構光學量測系統 - Google Patents

Abstract

一種高深寬比微結構光學量測系統，包括一光源模組、一光學鏡組以及空間調製元件，該光源模組具有一第一特徵尺寸以產生具有一第一發散角度的一偵測光，該光學鏡組接收該偵測光，並將該偵測光投射到一待測物上，該空間調製元件設置在光源模組與光學鏡組之間，該空間調製元件具有一第二特徵尺寸的一開口，其中通過該開口中心的偵測光具有一第二發散角度。其中，該第一特徵尺寸與該第一發散角度的乘積近似於或等於該第二特徵尺寸與該第二發散角度的乘積。

Description

高深寬比微結構光學量測系統

本發明為一種光學量測技術，特別是指一種可以量測高深寬比次微米級矽穿孔與微結構之光學量測系統。

目前能夠對高深寬比的微結構，例如矽穿孔(through silicon via,TSV)進行有效量測的光學技術並不多，一般泛用型的光學量測技術如雷射三角法、白光干涉術、共軛焦顯微術、彩色共軛焦顯微術等在TSV的量測應用上都有相當的限制。單就孔深量測來說，雷射三角法先天的遮蔽效應使其無法量測高深寬比之孔洞特徵。白光干涉術即便使用較低的數值孔徑(numerical aperture,NA)，其極限大約也只能量測孔徑5μm左右，且深寬比達10倍左右的TSV。而共軛焦顯微術為了使光能夠有效抵達孔底，也同樣被迫採用低NA的物鏡，但其代價是過低的空間解析能力，因此一般只能被用來協助TSV開口孔徑的量測。也有研究測試過彩色共軛焦顯微在TSV孔深上的量測能力，然而其結論是只適用於較淺的TSV量測。

此外，習用技術之中，也有使用紅外線波段作為量測光源的技術，例如：從TSV晶圓背面，利用紅外線的穿透性以光譜干涉術(spectral interferometry)逐點分析晶圓上下兩個表面的干涉信號，進而量得矽晶圓的逐點 厚度。另外也有研究從正面利用紅外線的穿透性，直接以聚焦的方式對TSV晶圓進行照明，使得部份紅外光能夠抵達TSV孔底，並與反射出來與晶圓表面的反射光產生干涉信號，再同樣以光譜干涉術的原理對此干涉信號進行分析以求得TSV的深度資訊。此外，也有習用技術是使用可見光到近紅外線，以小NA，例如小於0.06，對TSV進行聚焦照明，迫使部份光子抵達孔底再反射回來與晶圓表面的反射光發生干涉，接著同樣以光譜干涉術之原理對干涉光譜進行影像光譜峰值特徵分析，以求得孔深。或者是使用比可見光略寬的波段，以大面積準直照明的方式，迫使部份光子抵達孔底再反射回來，同樣以光譜干涉術之原理量得大面積之平均TSV深度(Integral measurement)。

請參閱圖1所示，該圖為習用之光源系統架構示意圖。光源90產生光場投射到下游光學量測系統，圖中以透鏡組91代表。對於任意光源90來說，其上每一個發光點都有一內稟(inherent)的發光角度範圍θ0。而對於任意光學量測系統來說，其入光端的可接收角度範圍D0(或說入光端數值孔徑(numerical aperture,NA))也是有限的(finite)。因此，若是上游照明系統的光源90發散角θ0大於下游光學量測系統的可收光角，例如圖1中接收角度範圍D0，就會造成部份光能無法被接收，進而造成光能上的耗損與光利用率低落。隨著TSV孔徑持續下探，由於可通光的範圍(針孔或狹縫)非常小，這種光能上的浪費會更加嚴重，而光能上的浪費會降低量測訊號的強度與量測速度。

要達到量測高深寬比的TSV結構，勢必要得在光源上進一步設計，使得足夠的光能夠抵達孔徑更小的TSV孔底，並且還能產生信噪比足夠的光譜頻域干涉信號。綜合上述，因此需要一種高深寬比微結構光學量測系統最大化下游光學量測系統的收光量，來解決習用技術之不足。

本發明提供一種高深寬比微結構光學量測系統，其係使用干涉信號的頻域信號進行量測，能夠在訊號極弱的情況下對可以針對單一TSV進行量測，也可以一次性針對大視場做整合性量測(Integral measurement)。在一實施例中，透過適當光源的設計，本發明可以達到最小可量測的TSV孔徑可達0.3μm的效果。

本發明之高深寬比微結構光學量測系統，是以寬頻光之照明系統照明來實現之更小尺度的反射光譜法，能夠量測次微米等級且高深寬比之微結構的關鍵尺寸。其中，本發明的光源設計可以將光利用率可以有效最大化，同時保有下游光學量測系統的空間解析能力。本發明根據下游光學量測系統中的微結構的尺寸，決定光源產生的偵測光的發散角度，將光線盡可能百分之百地被導引通過具有高深寬比的待測物，以達到檢測高深寬比微結構的效果。

在一實施例中，本發明提供一種高深寬比微結構光學量測系統，包括一光源模組、一光學鏡組以及空間調製元件，該光源模組產生具有一第一特徵尺寸以產生一第一發散角度的一偵測光，該光學鏡組接收該偵測光，並將該偵測光投射到一待測物上，該空間調製元件設置在光源模組與光學鏡組之間，該空間調製元件具有一第二特徵尺寸的一開口，其中通過該開口中心的偵測光具有一第二發散角度。其中，該第一特徵尺寸與該第一發散角度的乘積近似於或等於該第二特徵尺寸與該第二發散角度的乘積。

在一實施例中，該光源模組包括有一發光源以及一空間光調制元件。該發光源，用以產生一光場。該空間光調製元件，設置於該光場的光路上，該空間光調製元件用以將該光場調製成具有該第二特徵尺寸度的該偵測光。

在一實施例中，該光學鏡組更包括有分光鏡組、物鏡組、筒狀鏡組、光譜分析單元以及影像擷取單元。該分光鏡組接收該偵測光。該物鏡組，接收通過該分光鏡組的偵測光，將該偵測光投射至該待測物，並接收由該待測物反射的測物光，並將該測物光導引置該分光鏡組，使該測物光形成一第一測物光以及一第二測物光。該筒狀鏡模組，分別導引該第一與第二測物光。該光譜分析單元，用以接收通過該筒狀鏡模組的該第一測物光。該影像擷取單元，用以接收通過該筒狀鏡模組的該第二測物光。

在一實施例中，本發明更提供一種高深寬比微結構光學量測系統，包括：一光源模組、一光學鏡組以及待測物。該光源模組，具有一第一特徵尺寸用以產生具有一第一發散角度的一偵測光。該光學鏡組，用以接收該偵測光。該待測物，具有一第二特徵尺寸的一開口，其中通過該開口中心的偵測光具有一第二發散角度。其中，該第一特徵尺寸與該第一發散角度的乘積近似於或等於該第二特徵尺寸與該第二發散角度的乘積。

2:光學量測系統

20:光源模組

21:第一光學模組

22:空間調製元件

23:第二光學模組

D1:第一特徵尺寸

d2:第二特徵尺寸

θ1:第一發散角度

θ2:第二發散角度

3:共軛焦顯微系統

30:光源模組

31:第一光學模組

310:透鏡組

311:擴散片

32:空間調製元件

33:第二光學模組

330:分光元件

331:物鏡

332:空間調製元件

3320:開口結構

333:光譜分析單元

4:光學量測系統

40:光源模組

41:第一光學模組

42:空間調製元件

43:第二光學模組

430:分光元件

431:物鏡

432:聚焦鏡

433:光纖

434:光譜分析單元

5:光學量測系統

50:光源模組

500:發光元件

501:擴散片

502:準直鏡

53a:分光元件

52:物鏡

53b:分光元件

54:筒狀鏡模組

540、541:筒狀鏡單元

55:光纖

56:光譜分析單元

57:影像感測器

S1:待測物

S2:待測物

S20:高深寬比結構

圖1為習用之光源系統架構示意圖。

圖2為本發明之一光學量測系統示意圖。

圖3為本發明之光學量測系統另一實施例示意圖。

圖4A為本發明之高深寬比微結構光學量測系統另一實施例示意圖

圖4B為本發明之高深寬比微結構光學量測系統另一實施例架構示意圖。

圖5A為TSV溝槽立體結構示意圖與截面示意圖。

圖5B為TSV孔立體結構示意圖與截面示意圖。

在下文將參考隨附圖式，可更充分地描述各種例示性實施例，在隨附圖式中展示一些例示性實施例。然而，本發明概念可能以許多不同形式來體現，且不應解釋為限於本文中所闡述之例示性實施例。確切而言，提供此等例示性實施例使得本發明將為詳盡且完整，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明概念的範疇。類似數字始終指示類似元件。以下將以多種實施例配合圖式來說明高深寬比微結構光學量測系統，然而，下述實施例並非用以限制本發明。

請參閱圖2所示，該圖為本發明之一光學量測系統示意圖。本實施例中的光學量測系統2，藉由第一光學模組21將原本的光源模組20進行適當的整型(shaping)後，將光線盡可能100%導引通過空間調製元件22，例如針孔(pinhole)或狹縫(slit)。然而，除了讓光線順利通過空間調製元件22之外，穿過空間調製元件22的光線之第二發散角度θ2還必須要小於或等於下游光學量測系統，亦即圖2中的第二光學模組23，的收光角，其光能才能真正被完整接收。再者，為了保有第二光學模組23的空間解析能力，第二光學模組23的收光角必須盡可能的被入射光填滿。為了達到從光源模組20發出光線可以讓下游第二光學模組23完全接收，依據光學不變量原理，光源模組20中光源的第一特徵尺寸D1與其發光所具有的第一發散角度θ1必須與第二光學模組23接收第二發散角度θ2以及空間調製元件22所具有的第二特徵尺寸d2之間滿足以下式(1)的關係：

倘若D1θ1>d2θ2會導致光能的耗損，倘若D1θ1<d2θ2則會導致下游第二光學模組23的收光角沒有被填滿，進而降低其空間解析能力。

要說明的是，光源模組20的發光元件可以為圓對稱光源或者是矩 形光源。如果是圓對稱光源的話，則第一特徵尺寸D1為發光元件的直徑，如果是矩形光源的話，則該第一特徵尺寸為光源寬度。此外，空間調製元件22如果為狹縫，則第二特徵尺寸d2為狹縫的寬度，如果空間調製元件22如果為針孔，則第二特徵尺寸d2為針孔的直徑。要說明的是，第二發散角度θ2決定的方式是根據下游光學系統，亦即圖2中第二光學模组23的入瞳位置與尺寸而定。第二光學模組23雖然包含很多光學元件，但根據演算可以得知其入瞳的尺寸與位置進而可以決定第二發散角度θ2。入瞳的計算係屬於習用之技術，在此不做贅述。

例如：如圖3所示，該圖為本發明之光學量測系統另一實施例示意圖。假設在一點型窄頻的共軛焦顯微系統3，具有光源模組30、第一光學模組31、空間調製元件32以及第二光學模組33。該光源模組30，可以為連續寬頻雷射光(supercontinuum laser)模組、連續寬頻光模組或者是單頻光模組等。本實施例中光源模組30為連續寬頻雷射光模組。該第一光學模組31，為用來調製從光源模組30發出的光場成為偵測光。在本實施例中，因為連續寬頻雷射光的聚焦範圍小，使得擴散範圍小。因此，第一光學模組31內包括有透鏡組310，以及調整光源模組發出之連續寬頻雷射光場的發散角度的擴散片(diffuser)311等光學元件，來調製光場的擴散範圍。要說明的是，擴散片311亦可以設置在光源模組30與透鏡組310之間，或者是與光源模組30整合成可調整的第一發散角度的光源模組30。空間調製元件32為針孔或者是狹縫的結構。位於下游的第二光學模組33則包含有分光元件330、用以將偵測光導引至待測物S或接收從待測物S反射回來之物光的物鏡331、具有開口結構3320，例如：狹縫或針孔的空間調製元件332以及光譜分析單元333等。要說明的是，第二光學模組33可以根據量測需求而定，並不以本實施例圖中所示的架構為限制。

在本實施例中，空間調製元件32為具有直徑d2=10μm的針孔，下游第二光學模組33的最大可接收角度(全角)θ2為5度，根據本發明之光源設計法則，則光源模組30的發光元件應滿足

之條件。倘若所使用之光源為波長550nm，光源腰部直徑D1=1000μm，發散角度θ1為0.04°之高斯分佈雷射(laser Gaussian beam)，則D1θ1為40μm-degree，因為D1θ1<d2θ2，表示透過適當的光源模組可以使得光能被下游第二光學模組23完全接收，其收光角填滿約40/50=80%，應該已算堪用。倘若要進一步提升空間解析能力，可以利用擴散片311，將θ1由0.04°放大為0.05°，使得D1θ1變更為50μm-degree，與d2θ2相等後再通過空間調製元件32即可保有下游光學系統的原始空間解析能力。

假設在線型窄頻的共軛焦顯微系統3之空間調製元件32為狹縫，其寬度為d2=10μm長度為l _s =10000μm，下游第二光學模組23的最大可接收角度為θ2=5°(全角)。且其光源同前例，為波長550nm，光源腰部直徑D1=1000μm，第一發散角度θ1為0.04度之高斯分佈雷射。依據光學不變量之原理可知光源端在空間調製元件22寬度與長度方向上應分別滿足

與

。其中寬度方向條件同前例，由前例可知已滿足設計目標，無需特別處理。然而長度方向卻因為，導致下游系統之收光角遠遠無法被填滿，進而導致下游系統的空間解析能力大幅降低。針對這種情況，必須藉由非圓對稱的擴散片311來調整光源在兩個互垂方向的發散角，才能滿足設計目標。而該擴散片311必須能夠沿空間調製元件32長度方向將原本θ ₀=0.04°之發散角放大l _s θ ₂/D ₁ θ ₁=1250倍，變成約50°之擴散角(全角)，以滿足

的條件。

請參閱圖4A所示，該圖為本發明之高深寬比微結構光學量測系統另一實施例示意圖，在本實施例中光學量測系統4的架構則是一基於光譜干涉法(spectral interferometry)的高深寬比之矽穿孔(through silicon via,TSV)深度量測系統。深寬比為微結構開口的寬度或直徑與深度的比值。其光學量測系統4包括有光源模組40，例如：單色雷射光或一連續寬頻雷射光(supercontinuum laser)，如：深紫外光雷射(DUV laser)、第一光學模組41、空間調製元件42以及第二光學模組43。該空間調製元件42可以為狹縫或者是針孔，本實施例為針孔。空間調製元件42作為光源模組40與第一光學模組41以及下游第二光學模組的分隔元件，因此也符合前述本發明設計的之系統特徵。第二光學模組43在本實施例中，包括有分光元件430、物鏡431用以將偵測光導引至待測物S1，從待測物S1反射的物光，經由物鏡431、分光元件430通過聚焦鏡432聚焦在光纖433，再進入光譜分析單元434進行分析。

由於本實施例的待測物S1為具有高深寬比，例如：12~16的微結構，因此倘若無法將光源模組產生的偵測光有效聚焦並穿過空間調製元件42，亦或是穿過空間調製元件42後之發散角大於下游第二光學模組43的收光角，都會導致光能上的耗損。因此，本實施例中，光源模組40的第一特徵尺寸，亦即發光元件的寬度D1與一發散角度θ1的乘積要等於或近似於空間調製元件42的第二特徵尺寸d2以及收光的第二發散角θ2之乘積。要說明的是，第二發散角度θ2決定的方式是根據下游光學系統43，亦即圖4A中第二光學模组43的入瞳位置與尺寸而定。第二光學模組43雖然包含很多光學元件，但根據演算可以得知其入瞳的尺寸與位置進而可以決定第二發散角度θ2。入瞳的計算係屬於習用之技術，在此不做贅述。

請參閱圖4B所示，該圖為本發明之高深寬比微結構光學量測系統另一實施例架構示意圖。在本實施例的光學量測系統5中，具有頻寬(~180~200nm)之深紫外光雷射(DUV laser)光源模組50，包括有發光元件500與準直鏡502，用以產生具有高斯分布的高斯光束(Gaussian beam)，由分光元件53a向下導入物鏡52，並且在物鏡52前焦處聚焦成腰部(Beam waist)，並藉由高斯分佈的光場在腰部自然形成的平面波前來對待測物S2表面的待測區域進行照明。本實施例中，待測物上具有複數個高深寬比結構S20，例如TSV穿孔結構或者是盲孔結構。而來自待測物S2的回光在回頭穿過物鏡52與分光元件53a之後，會由分光元件53b分為兩道經由筒狀鏡(tube lens)模組54導引至分析的元件。其中一道向左經由筒狀鏡模組54的第一筒狀鏡單元540聚焦進入光纖55，並由光譜分析單元56(spectrometer)進行偵測，以作為量測TSV孔深的干涉光譜訊號。同時，另一道則繼續往上，經由筒狀鏡模組54的第二筒狀鏡單元541聚焦在影像感測器57(Image sensor)上，以獲得關於TSV結構的二維影像，用以判斷目前的量測位置以及視場內TSV的開口孔徑，或在不同深度的截面影像。

要說明的是，由於本實施例的待測物S2所具有的每一個高深寬比結構尺寸為介於5μm~0.3μm的直徑或寬度，且其深寬比介於12~16。高深寬比結構可以為TSV結構，例如：通孔或盲孔結構，高深寬比結構也可以為溝槽結構。當TSV結構為溝槽時，結構尺寸為寬度或者是長度，當TSV結構為通孔或盲孔結構時，結構尺寸可以為孔的直徑。本實施例與前述實施例的差異在於，在本實施例中，待測物S2的每一個高深寬比結構S20之開口尺寸甚小，因此可以相當於狹縫或者是通孔用來決定偵測光的第二發散角。因此本實施例中不一定需要額外再設置空間調製元件。

要說明的是，在圖4B的實施例中，深紫外光雷射光源模組50、分光元件53a以及物鏡52相當於圖4A的光源模組40。物鏡52、分光元件53a與53b以及筒狀鏡模組54等光學元件的組合相當於圖4A中的第二光學模組43，亦即作為相對於待測物的下游光學系統。而複數個高深寬比結構S20之表面開口則被用來反向設計光源。此外，在一實施例中，光源模組50如果採用連續寬頻雷射的話，光源模組50內更可以具有擴散片501，可以根據不同的待測物所具有的高深寬比結構的特徵尺寸，調整發光元件500產生的光場的第一發散角度。透過此方式，最大化抵達TSV微結構底部的光效率。

例如：如圖4B與圖5A所示，5A(a)為TSV立體結構示意圖，5A(b)為截面示意圖。待測物S2具有複數個TSV溝槽時，每一個TSV溝槽具有第二特徵尺寸d2(TSV溝槽的寬度)，其長度L可能為第二特徵尺寸d2的好幾倍。每一個TSV溝槽具有深度d3。由於本發明的TSV結構的理論結構是已知，因此可以根據以下式(2)的關係，得到理想從TSV溝槽開口往深度方向的偵測光的第二發散角度。

其中θ2等同於前述實施例關於下游光學系統的第二發散角度。透過已知的理論TSV結構的深寬特徵，可以得計算出第二發散角度θ2。一但得知第二發散角度θ2，就可以利用方程式(1)求出光源模組50內的發光元件500應該具有的第一發散角度θ1。使用者可以根據第一發散角度θ1調整光源模組50。

在另一實施例中，如圖4B與圖5B所示，5B(a)為TSV立體結構示意圖，5B(b)為截面示意圖。待測物S2具有複數個TSV穿孔時(可以為通孔或盲孔)， 每一個TSV孔具有第二特徵尺寸d2(TSV孔的開口直徑)。每一個TSV孔具有深度d3。由於本發明的TSV結構的理論結構是已知，因此可以根據前述式(2)的關係，得到理想從TSV孔的開口往深度方向的偵測光的第二發散角度θ2。

其中θ2等同於前述圖2之實施例通過空間調製元件時的第二發散角度。透過已知的理論TSV結構的深寬特徵，可以得出關於光源模組50通過待測物應該具有的理想第二發散角度θ2。一但得知第二發散角度θ2，就可以利用方程式(1)求出光源模組50內的發光元件500應該具有的第一發散角度θ1。使用者可以根據第一發散角度θ1調整光源模組50，達到設計出合適的光源以偵測TSV結構的效果。

綜合上述，本發明之高深寬比微結構光學量測系統，是以寬頻光之照明系統照明來實現之更小尺度的反射光譜法，透過空間調製元件，例如：狹縫或針孔，或者是利用設置在下游光學量測系統中的待測物所具有之微結構的尺寸，決定光源產生的偵測光的發散角度，將光線盡可能百分之百地被導引通過具有高深寬比的待測物，以達到檢測高深寬比微結構的效果。

以上所述，乃僅記載本發明為呈現解決問題所採用的技術手段之較佳實施方式或實施例而已，並非用來限定本發明專利實施之範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符，或依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。

2:光學量測系統

20:光源模組

21:第一光學模組

22:空間調製元件

23:第二光學模組

D1:第一特徵尺寸

d2:第二特徵尺寸

θ1:第一發散角度

θ2:第二發散角度

Claims (12)

1. 一種高深寬比微結構光學量測系統，包括：一光源模組，具有一第一特徵尺寸用以產生具有一第一發散角度的一偵測光，其中該第一特徵尺寸為該光源模組具有之一發光源的直徑或寬度；一光學鏡組，用以接收該偵測光，並將該偵測光投射到一待測物上；以及一空間調製元件，設置在光源模組與該光學鏡組之間，該空間調製元件具有一第二特徵尺寸的一開口，其中通過該開口中心的偵測光具有一第二發散角度，其中該第二特徵尺寸為該空間調製元件之直徑或寬度；其中該第一特徵尺寸與該第一發散角度的乘積近似於或等於該第二特徵尺寸與該第二發散角度的乘積。
2. 如請求項1所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該發光源產生一連續寬頻雷射光場，該光源模組包括有：一擴散片，設置於該連續寬頻雷射光場的光路上，該空間光調製元件用以將該連續寬頻雷射光場調製成具有該第一發散角度的該偵測光。
3. 如請求項1所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該偵測光為單頻光或者是連續寬頻光。
4. 如請求項1所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該光學鏡組更包括有：一分光鏡組，接收該偵測光；一物鏡組，接收通過該分光鏡組的偵測光，將該偵測光投射至該待測物，並接收由該待測物反射的測物光，並將該測物光導引置該分光鏡組，使該測物光形成一第一測物光以及一第二測物光； 一筒狀鏡模組，分別導引該第一與第二測物光；一光譜分析單元，用以接收通過該筒狀鏡模組的該第一測物光；以及一影像擷取單元，用以接收通過該通狀鏡模組的該第二測物光。
5. 如請求項1所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該空間調製元件為狹縫或針孔。
6. 一種高深寬比微結構光學量測系統，包括：一光源模組，具有一第一特徵尺寸用以產生具有一第一發散角度的一偵測光，其中該第一特徵尺寸為該光源模組具有之一發光源的直徑或寬度；一光學鏡組，用以接收該偵測光；以及一待測物，設置於該光學鏡組的一側用以接收通過該光學鏡組的該偵測光，具有一第二特徵尺寸的一開口，其中通過該開口中心的偵測光具有一第二發散角度，該第二特徵尺寸為該開口的直徑或者是寬度；其中該第一特徵尺寸與該第一發散角度的乘積近似於或等於該第二特徵尺寸與該第二發散角度的乘積。
7. 如請求項6所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該第二特徵尺寸係介於5μm~0.3μm之間，且其深寬比介於12~16。
8. 如請求項6所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該第二發散角度為該第二特徵尺寸與深度的比值。
9. 如請求項6所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該發光源產生一連續寬頻雷射光場，該光源模組包括有：一擴散片，設置於該連續寬頻雷射光場的光路上，該空間光調製元件用以將該連續寬頻雷射光場調製成具有該第一發散角度的該偵測光。
10. 如請求項6所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該偵測光為單頻光或一連續寬頻光。
11. 如請求項6所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該光學鏡組更包括有：一分光鏡組，接收該偵測光；一物鏡組，接收通過該分光鏡組的偵測光，將該偵測光投射至該待測物，並接收由該待測物反射的測物光，並將該測物光導引置該分光鏡組，使該測物光形成一第一測物光以及一第二測物光；一筒狀鏡模組，分別導引該第一與第二測物光；一光譜分析單元，用以接收通過該筒狀鏡模組的該第一測物光；以及一影像擷取單元，用以接收通過該通狀鏡模組的該第二測物光。
12. 如請求項6所述之高深寬比微結構光學量測系統，其中該待測物上的複數個高深寬比結構，每一高深寬比結構具有一深度。